Départementgénie électrique

LST GEII
Compte rendu d’électronique analogique

TP2 : Les transistors bipolaires

Encadré par :
Mrr M.BEZZA
Réalisé par :
MOUARRAF AMINA MINA
MIAD FAIZA
MTERE ZINEB

Annéeuniversitaire : 2019 / 2020

LE BUT DE TP :
• Etude des caractéristiques du montage
• Etude dynamique de l’amplification

LA PARTIE THÉORIQUE :

Description et symboles :

En 1949, Shockley en a établi la théorie définitive: ils associent deux zones aux
conductibilités différentes, caractérisées par un excès d’électrons (zone N) ou par un défaut
d’électrons (zone P). La zone centrale est appelée base et est très étroite; les deux autres
zones, situées de part et d’autre, sont l’émetteur et le collecteur.

On distingue les transistors de type NPN (la base est une zone P) et ceux de type PNP
(la base est une zone N).
Le transistor bipolaire est constitué de trois zones N, P, N ou P, N, P. Les trois zones sont
soudées à trois électrodes appelées émetteur, base et collecteur.
Le collecteur, reliée habituellement au boîtier du transistor, est la plus grandes des zones.
La base est une zone très fine séparant le collecteur de l’émetteur. Les trois zones ont deux
surfaces de séparations aux propriétés électriques particulières appelées jonctions : jonction
collecteur-base et jonction base-émetteur. D’où l’appellation fréquente de transistor à
jonction. Le transistor se comporte comme un noeud pour les courants : iB + iC = iE.

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L’effet transistor :
L’effet transistor apparaît lorsqu’on polarise la jonction base émetteur en direct et la
jonction collecteur base en inverse. Le courant ic ne devrait pas exister puisque la jonction
collecteur base est bloquée. Comme la base est très fine, les électrons de l’émetteur diffusent
dans la base et sont happés par le champ électrique du collecteur. La grosse flèche de la figure
représente le flux des électrons.

Les caractéristiques du transistor :

Ces courbes sont relevées en réalisant un montage émetteur commun, représenté ci
dessous.

1-Réseau des caractéristiques de sortie IC = f(VCE) :

Dans le premier quadrant on relève en maintenant IB constant les valeurs de IC et de
VCE. Comme IC et VCE font partie de la maille de sortie, le réseau de courbes obtenues est
appelé réseau des caractéristiques de sortie.

La courbe commune, pour les faibles valeurs de VCE, est appelée courbe de
saturation.
En effet VCE = 0 quelque soit IC signifie qu’entre C et E le transistor est un court-circuit.
Pour IB = 0, IC = 0 quelque soit VCE ; c’est la courbe de blocage ; entre C et E on a un
circuit ouvert.

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Pour des valeurs plus élevées de VCE, on observe que IC ne dépend que de IB.

Le point de fonctionnement est le point indiquant les valeurs de iC et VCE qu’impose

le montage dans lequel se trouve le transistor. Par exemple, on peut placer le point P de
coordonnées (6 mA, 5 V).
Le domaine d’utilisation du transistor est limité par une hyperbole appelée hyperbole d’iso

puissance qui est donnée par la relation IC = , limité par le courant maximal admissible

IC max et limité par la tension maximale VCEmax.

2-La caractéristique de transfert en courant IC = f(IB) :

C’est sensiblement une même droite pour les valeurs 3V < VCE < 15 V. D’où =β
la valeur β est appelée amplification statique en courant.
3-La caractéristique d’entrée IB = f (VBE) :
Elle est celle d’une diode ; VBE ≅ 0,8 V ou avec plus de précision
. .
= − = . avec = 30 mV à 300 K.
.

4-Les caractéristiques VBE = f(VCE) :

3
 Elles n’ont pas d’intérêt, sinon qu’elle montrent que VBE est indépendant de VCE.
5-Définitions des paramètres hybrides pour un transistor :
On remplace v , i , v! et i! par "#$ , %# , "&$ et %& comme on a un montage émetteur
commun, les anglo-saxons rajoutent aux indices la minuscule e : h11, h12, h21, h22
deviennent hie, hre, hfe et hoe.
' = ( .) + ( * . '* )* = (* .) + (** . '* s’écrit
+, =( .-+ + ( * . ., -. = (* .-+ + (** . .,
ce qui peut se représenter par le schéma électrique équivalent suivant : qu’on simplifie

LES MANIPULATIONS :

MANIPULATION 1 :

Schéma électrique permettant de déterminer les caractéristiques d’entrée et de

sortie du transistor :

78 =100kΩ
79 =1kΩ

- = = 01 2(45)
/

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La caractéristique d’entrée IB = f (VBE) :

- (µ5) 0 10 20 30 40 50 80 100

(E) 0.5 0.54 0.57 0.58 0.59 0.6 0.62 0.63

des caractéristiques de sortie IC = f(VCE) :

IB=20µA :

0.1 0.2 0.5 1

- (F5) 4.35 5.6 5.8 5.8

IB=40µA :

0.3 2 2.5

10.8 11 11.77
-
IB=50µA :

0.2 0.3 0.5 0.9 2

- 12.9 13.5 14.5 14.5 14.5

IB=70µA :

0.2 0.4 1 2 3
- 16.2 17.7 19.35 20.01 21.01

La courbe des caractéristiques d’entrée et de sortie du transistor:

On va tracer la courbe de Ic=f(Ib) quand Vce=constante
Et d’après cette courbe on va calculer le coefficient : qui est la pente de cette courbe
∆-.
:=
∆-+
On prend deux points : (0.0) et (20.70)

:=*0∗
@0∗
0^>?
0^>A
= *BC. @

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6
MANIPULATION 2 :

Etude dynamique (en régime sinusoïdal) :

Schéma dynamique :

%9 = 9.6 NA
"#$ = 0.64J
"99 = 12J
R1=22kΩ
R2=47kΩ
Rc=680Ω
Re=2.2kΩ

• La source continue est court-circuitée

• Les capacités de découplage présentent une impédance nulle à la
fréquence de fonctionnement

L’étude dynamique :
• Le shéma dynamique :

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Avec :
/ ∗/* **∗P@
RB=R1//R2= = = 14.98Ω.
/ O/* **OP@

Pratiquement nous avons trouvé Vce=6v.

CONCLUSION

Dans ce TP nous avons pu manipuler la polarisation du

transistor C546A on montage émetteur commun, cette
polarisation consiste à définir son état de fonctionnement par
l’adjonction de sources de tensions continues et des
résistances.