Ecole Nationale Polytechnique de Constantine

Département Electronique, Electrotechnique & Automatique

Travaux pratiques de ELECTRONIQUE
TP01
Étude d’un transistor bipolaire NPN

I. Préparation
- Donner la constitution du transistor avec les zones de dopage.
- Donner les symboles des transistors de type NPN et PNP. Indiquer les noms des électrodes.
- Annoter le schéma d’un transistor NPN avec les grandeurs électriques principales du
transistor sont IB, VBE, IC, IE et VCE .
- Donner la relation entre les courants.
II. Identification d’un transistor bipolaire :
Un transistor est un composant à base de semi-conducteur crée en juxtaposant 3 couches de
semi-conducteurs dopé N, P puis N+ pour le type NPN, ou dopé P, N puis P+ pour le type PNP
constituant ainsi 2 jonctions PN (ou 2 diodes) montées en sens inverse Fig. 1-b.

(a) (b)
Fig.1. Méthode pour identifier le type et les pattes d’un transistor bipolaire

III. Schéma de montage

Effectuer le montage représenter par le schéma ci-dessous en ajoutant des appareils pour
mesurer IB, IC, VBE et VCE. Réaliser le montage hors tension avec : Transistor NPN (2N2222), RB
= 10kW et RC = 100W/1W. Faire contrôler par le professeur puis régler EB = 0V (alim variable)
et VCC = 10V (alim fix).
Faire croître la tension EB entre 0 et 20V et compléter le tableau suivant (soit colonne par-
colonne si vous disposez des multimètres nécessaires, soit ligne-par-ligne si vous n’en avez
qu’un à disposition) :
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Fig.2

1. Tracer la courbe IC = f (IB) à l’aide du tableur.

2. Montrer que dans une certaine zone de la courbe (appelée zone d’amplification) le
transistor fonctionne comme un amplificateur de courant. Indiquer la zone
d’amplification sur la courbe. Tracer la droite d’équation Ic = IB sur le graphique.
3. Calculer le coefficient d’amplification du transistor dans cette zone.

Lorsque la relation Ic = IB n’est plus valable parce que Ic commence à plafonner autour d’une valeur
maximale appelée ICsat , on dit que le transistor est saturé.
1. Indiquer la zone de saturation sur la courbe IC = f (IB) et donner l’intensité de saturation
ICsat .
2. Calculer IBsat =ICsat/ et reporter IBsat sur l’axe des abscisses du graphique.
3. Comparer IB à IBsat lorsque le transistor est saturé.
4. Tracer la courbe VCE = f (IB) à l’aide du tableur et reporter IBsat sur l’axe des abscisses
du graphique.
5. Déterminer VCEsat , la valeur de la tension VCE pour IB = IBsat .
6. Tracer la caractéristique Ic = f (VCE) à l’aide du tableur ; Cette caractéristique s’appelle
« droite de charge ». Déduire du graphique l’équation de la droite de charge.
7. Indiquer sur la caractéristique les zones où le transistor est : 1 pt
– bloqué ;
– saturé ;
– passant (sans être saturé).
8. À partir du schéma, appliquer la loi des mailles et la loi d’Ohm pour donner la relation
entre VCC, RC, IC et VCE.