FCEE : LE TRANSISTOR EN ÉLECTRONIQUE

1 Transistor bipolaires
§ Principe de fonctionnement
§ Polarisation
§ Modèle petits signaux

2 Transistors à effet de champ MOSFET

§ Principe du transistor MOSFET
§ Modèle petits signaux

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 FCEE : LE TRANSISTOR EN ÉLECTRONIQUE

De nombreuses utilisations :
Amplifier un signal : amplificateur de tension, de courant, de
puissance
Etre utilisé comme une source de courant
agir comme un interrupteur commandé : essentiel pour l’électronique
numérique.
Ses formes :
Composant discret.
Circuit intégré : de quelques unités (ex : AO) à quelques millions de
transistors par circuit microprocesseurs).
Types de transistors :
Transistor bipolaire : source de courant pilotée en courant
Transistor à effet de champs (JFET ou MOSFET) :
source de courant pilotée en tension.

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 FCEE : LE TRANSISTOR EN ÉLECTRONIQUE
Les inventeurs
10 février 1902 – 13 octobre1987

13 février 1910 – 12 août 1989

Prix Nobel de Physique en 1956

Premier transistor

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 LE TRANSISTOR BIPOLAIRE : 2 TYPES

Transistor NPN Transistor PNP

Une couche N fortement dopée constituant
l’émetteur.
Une couche P très mince et moyennement
dopée constituant la base.
Une couche N faiblement dopée constituant le
collecteur.
Une couche P fortement dopée constituant
l’émetteur.
Une couche N très mince et moyennement
dopée constituant la base.
Une couche P faiblement dopée constituant le
collecteur.

C IC
IC C IC IB
IC
IB P
N VCE IB
B VCE IB N
P VBE IE B P
VBE IE B N
E
E IE IE

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 LE TRANSISTOR BIPOLAIRE : PRINCIPE DE
FONCTIONNEMENT
La jonction PN base-émetteur (BE) : une diode fonctionne comme une diode si le
collecteur est ouvert (non connecté).
L’effet transistor :
Conditions : BE est polarisée en direct (passante), BC polarisée en inverse ⇔ VC >
VB > VE
Comme BE est polarisée en direct, un courant d’électrons arrive à la base (B) ;
phénomène de diffusion.
La base étant de type P, les électrons sont des porteurs minoritaires (vis à vis de P) ⇒ ils
sont catapultés par la jonction BC polarisée en inverse : la majorité des électrons
ressort par le collecteur, le reste se recombine dans la base.
Finalement, on a : IC = βIB Émetteur Base Collecteur
E E (N) B (P) C (N) C
avec β ≈ 200
Flux d’électrons
b : gain en courant du transistor IC
IE
B IB

VBE VCB
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 LE TRANSISTOR BIPOLAIRE : RÉGIMES DE
FONCTIONNEMENT

Si IB = 0 (VBE ≤ 0) : transistor bloqué, rien ne circule.

Si IB > 0: transistor en régime linéaire IC = βIB (effet
transistor).
Si IB > ICsat /β ⇒ VCE = 0: transistor saturé IC = ICsat .
Le transistor se comporte comme une source de courant
pilotée en courant : caractéristique IC = f (IB )
IC
ICsat
Transistor Transistor Transistor
bloqué en régime saturé
0 linéaire ICsat IB
b
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 LE TRANSISTOR BIPOLAIRE : RÉGIME DE
FONCTIONNEMENT LINÉAIRE

Le régime linéaire est le régime classique de

fonctionnement du transistor bipolaire. Sa
caractéristique réelle est la suivante

— Rq : IB = f (VBE ) est la caractéristique d’une diode.

— Rq : IC n’est pas parfaitement constant en fonction de VCE
⇒ effet Early.
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 Transistor bipolaire : régime linéaire
Le régime linéaire est le régime classique de
fonctionnement du transistor bipolaire. Sa
caractéristique réelle est la suivante

— Rq : IB = f (VBE ) est la caractéristique d’une diode.

— Rq : IC n’est pas parfaitement constant en fonction de VCE
Fonctions ⇒ effet Early.
et composants élémentaires de l'électronique 8
 Transistor bipolaire : régime linéaire

Caractéristique idéalisée en régime linéaire

— Schéma équivalent en régime linéaire

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 Transistor bipolaire : régime linéaire
Qu’est-ce que la polarisation ?

Pour que le transistor fonctionne en régime linéaire, il faut le

mettre en conditions statiques de fonctionnement linéaire : c’est
le rôle de la polarisation : choisir un point de fonctionnement.

Condition de fonctionnement du transistor en régime linéaire :

⇒ VBE > 0 et VCB > 0.

Polarisation = Grandeurs continues et constantes :

q Capacités de liaison ⇔ circuit ouvert.
q La polarisation ne permet pas de calculer l’amplification,
on utilisera le modèle petits signaux.

Fonctions et composants élémentaires de l'électronique 10

 Transistor bipolaire : polarisation

Polarisation par une résistance de base :

Méthode de détermination de la polarisation :

Détermination de IB :
On utilise la maille de commande (en rouge)
Détermination de IC et VCE :
On utilise la maille de charge (en bleu)

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 Transistor bipolaire : polarisation
Polarisation par une résistance de base : Vcc = 12V , β =
250, RB = 160k Ω, RE = 500Ω, RC = 100Ω.
1ère étape : détermination de IB
On prend un modèle idéal du transistor : VBE = 0.6V
Par le calcul
VCC = RB IB + VBE + RE (IB + IC ) où IC = βIB
"!!#""#
⇒𝐼! = $"%('%()$#
= 40𝜇𝐴 IB(VBE)

CE
Graphiquement IB(µA)

CE : caractéristique d’entrée
DA
DA : droite d’attaque 40

12
Fonctions et composants élémentaires de l'électronique
0.6
VBE(V)
 Transistor bipolaire : polarisation
Polarisation par une résistance de base : Vcc = 12V , β =
250, RB = 160k Ω, RE = 500Ω, RC = 100Ω.
2eme étape : détermination de IC et VCE
Par le calcul Graphiquement
On utilise la valeur de IB calculée précédemment :
IC = βIB = 10mA
VCE = VCC − RC IC − RE (IB + IC )
IC(VCE)
⇒ VCE VCC − (RC + RE )IC = 6V
IC(mA)
⇒ droite de charge statique DC
10

Fonctions et composants élémentaires de l'électronique 13

6
VCE(V)
 Transistor bipolaire : polarisation
Polarisation par un pont de résistances à la base :
On applique le théorème de Thévenin
pour se ramener au cas précédent.
𝑅$%
𝐸!" = 𝑉##
𝑅$& + 𝑅$%

Rth = Rb1 // Rb2

Stabilité de la polarisation :
'(!"
Propriété nuisible des bipolaires : <0
') *" +,!-
La tension VBE correspondant à un courant IC fixé
diminue quand la température T augmente.

:
RE contribue à
stabiliser le courant IC

Fonctions et composants élémentaires de l'électronique 14

 Transistor bipolaire : régime dynamique
Qu’est-ce qu’un modèle petits signaux ?

q Le modèle petit signaux correspond à la linéarisation du fonctionnement

du transistor autour de son point de polarisation.
IC(A)

t
IB(µA)
VCE(V)
t

Petit signaux = Grandeurs périodiques et centrées :

q Capacités de liaison ⇔ Fils.
q Tension d’alimentation constantes ⇔ Masses.

Fonctions et composants élémentaires de l'électronique 15

 Transistor bipolaire : régime dynamique
En amplification, on regarde les effets sur VCE d’une faible
variation de VBE autour du point de polarisation.
On utilise pour ce faire le modèle (simplifié) petits signaux
du transistor : ic

vbe rbe rce vce

Paramètres du modèle :
qrbe : résistance base-émetteur.
qrce : résistance collecteur-émetteur (souvent négligée).
qβ : amplification en courant.
qLes capacités de jonctions sont négligées en BF.
Fonctions et composants élémentaires de l'électronique 16
 Transistor bipolaire : régime dynamique
Application : Déterminer le schéma équivalent
petits signaux et le gain en tension dans le circuit
suivant : Schéma petits signaux du circuit

vE = rbe iB et vS = −(RC // RL)βiB

RC // RL)
ce qui donne :𝑣. = −β rbe vE

Fonctions et composants élémentaires de l'électronique 17

 Transistor bipolaire : régime dynamique
En hautes fréquences (f > 1MHz), on ne peut plus
négliger les capacités dues aux ZCE ⇒ on utilise
pour ce faire le modèle de Giacoletto du transistor
Schéma de Giacoletto
bipolaire :

Rajout de deux condensateurs de jonction Cbc et Cbe .

Inconvénient : l’entrée et la sortie ne sont plus découplées
⇒ calculs compliqués.

Fonctions et composants élémentaires de l'électronique 18

 Transistor MOSFET

Fonctions et composants élémentaires de l'électronique 19

 Transistor MOSFET
Inconvénients des transistors bipolaires :
qCourant de base non nul ⇒ consommation non
nulle. Risque d’emballement thermique (si RE =
!"!"
0) : <0
!#
qPilotage en courant (pas en tension)
On souhaite un autre type de transistor :

qA consommation d’énergie très réduite en

commutation. Pilotable en tension.
qSans risque d’emballement thermique (facteur
secondaire...)
⇒ Il existe : le transistor MOSFET

Fonctions et composants élémentaires de l'électronique 20

 MOSFET : principe de fonctionnement
Dans ce cours, on s’intéressera au NMOS
uniquement, le PMOS étant identique par
permutation des zones P et N.
NMOS :

Au repos, il n’y a pas de mouvement possible des

électrons de D vers S.
Fonctions et composants élémentaires de l'électronique 21
 MOSFET : principe de fonctionnement
Lorsque VGS > 0, on charge un condensateur constitué
par la grille et le substrat P.
Si la tension est assez grande (VGS > VT ), la densité
d’électrons dans P due à VGS est supérieure à celle
des trous due au dopage P : ⇒ il y a création d’un
canal d’électrons reliant
V >0 le drain D à la source S.
GS

Canal induit

Liaison interne

Fonctions et composants élémentaires de l'électronique 22

 MOSFET : principe de fonctionnement
Plus VGS est grande ⇒ canal plus large ⇒ résistance
plus faible ⇒ résistance dépendant de la tension V
GS .
Pour créer un courant entre D et S, il faut appliquer
une tension VDS :
Crée un mouvement d’électrons
+
Si VDS > VT − |VGS | ⇒ pinceV le
V >0
>0 canal ⇒ Courant I
GS
D= DS

cte +
Canal induit
pincement

Liaison interne

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 MOSFET : caractéristiques
Transistor bloqué :
VGS < VT ⇒ ID = 0
Résistance pilotée en tension :
$*
VGS > VT et 𝑉!" < 𝑉# + ID
%+

Source de courant :
$*
VGS > VT et 𝑉!" > 𝑉# +
%+
⇒ ID = k (VGS − VT )2

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 MOSFET : modèle petits signaux BF
En amplification, le MOS est utilisé en source de courant.
On a le modèle petits signaux basse fréquence suivant :

Remarques :
q L’impédance d’entrée est infinie ⇔ utile pour
l’adaptation d’impédance.
Consommation très faible en commutation.
q Le plus souvent, on prendra rDS ≈ ∞ ⇒ négligée.
q gm est appelée transconductance.
Fonctions et composants élémentaires de l'électronique 25
 MOSFET : modèle petits signaux HF
En Hautes fréquences,
on rajoute au modèle précédent des capacités parasites. ⇒ On
obtient le modèle petits signaux haute fréquence suivant :

Remarques :
qLes capacités rajoutées induisent un couplage entre l’entrée
et la sortie.
qOn peut utiliser le théorème de Miller pour découpler le
circuit.

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 MOSFET : avantages et inconvénients
Avantages :
qImpédance d’entrée forte : permet de piloter
plusieurs transistors à l’aide d’un seul ⇒ porte
logiques.
qCourant consommé au repos 0.
qPuissance dissipée proportionnelle à la fréquence
d’horloge.
qDesign compact ⇒ intégrable à très grande échelle
q(VLSI : Very large scale integration).

Inconvénients :
qTrès fragile face à l’électricité statique ou aux
erreurs de branchement.
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