Université Hassan 1er

Ecole Nationale des Sciences Appliquées - Berrechid

Électronique 2

Dr. Laila DAMRI

Spécialité : GMSI - S6

Année universitaire : 2022-2023

• 4
Les transistors
 Transistor bipolaire

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Introduction
Définition

➢ Le transistor bipolaire est un composant lectronique discret constitué de trois électrodes Représentant la
succession de trois semi-conducteurs, respectivement de type P-N-P ou N-P-N. Il s'agit, dans le premier cas, d'un
transistor NPN, et dans le deuxième cas, d'un transistor PNP.

➢ On reconnaît deux jonctions PN que l'on peut considérer comme deux diodes lorsque le transistor n'est pas
polarisé.

é

Introduction
Symbole

➢ L'émetteur est repéré par la flèche qui symbolise le sens réel du courant.

Introduction
Constitution

➢ On reconnaît deux jonctions PN que l'on peut considérer comme deux diodes lorsque le transistor n'est pas
polarisé.

➢ Pour polariser correctement un transistor, il faut que :

• La jonction entre B et E soit polarisée dans le sens direct.
• La jonction entre C et B soit le sens inverse.

Fonctionnement
Analogique hydraulique

Analogie hydraulique

Un courant IB assez faible permet l'ouverture du robinet (B), ce

qui provoque via l'émetteur (E) l'écoulement d'un fort courant IC
en provenance du réservoir collecteur (C).

Lorsque le robinet est complètement ouvert, le courant IC est

maximal ; il existe donc une limite physique au gain en courant.

Fonctionnement

● Le régime de fonctionnement du transistor diffère en fonction du courant injecté sur sa base.pour étudier le
régime de fonctionnement d'un transistor, il faut étudier deux circuits :

– Le montage sur la jonction BE : le circuit de commande.

– Le montage sur la jonction CE : le circuit commandé.

● Cela conduit à trois régimes de fonctionnement :

● Bloqué
● Saturé
● Linéaire

Fonctionnement

➢ Bloqué :
• IB = IC = 0
• VBE < 0,7V
➢ Saturé :
• IC = Icsat < β IB (critère de saturation)
• VCE = 0 à 0,1V (conséquence de la saturation)
➢ Linéaire :
• VCE > 1V
• IC = β IB (donnée constructeur entre 50 et 150)
• VBE = 0,7V (jonction EB passante)

Fonctionnement

➢ Loi de Kirchhoff appliquée au transistor bipolaire :

IE = IB + IC

VCE = VCB + VBE

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Effet transistor

➢ L'effet transistor apparaît lorsqu'on polarise la jonction base – émetteur en direct et la jonction base –
collecteur en inverse.

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Effet transistor
Fonctionnement à collecteur ouvert

➢ La jonction base – émetteur est polarisée en direct, VBE = 0,7V.

➢ Le courant de base est donné par :

➢ Ce courant ne dépend que des éléments extérieurs (indépendant du transistor).

➢ La caractéristique IB = f(VBE) est celle d'une diode polarisée en direct.
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➢ Le courant de collecteur est nul IC = 0.

Effet transistor
Fonctionnement à collecteur fermé

➢ La jonction base – émetteur est polarisée en direct,

VBE = 0,7V. Des trous sont injectés de la base vers
l'émetteur alors que les électrons passent de
l'émetteur vars la base. Cette diffusion donne
naissance à un courant IE. Ce courant est
essentiellement dû aux électrons injectés de
l'émetteur (plus dopé que la base).
➢ On a aussi :

➢ VCB est positive => la jonction base – collecteur est

polarisée en inverse.

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 Effet transistor
Fonctionnement à collecteur fermé

➢ Par construction, le collecteur capte un nombre

d'électrons (courant IC) beaucoup plus important que
la base. Le courant de base calculé comme suit :

➢ Le courant IB est indépendant du transistor, mais

nécessaire pour maintenir la concentration de trous
dans la base.

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Effet transistor

L'effet transistor consiste à contrôler, à l'aide du courant de base IB, relativement

faible, un courant de collecteur IC, beaucoup plus important

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Réseau de caractéristiques
Caractéristiques d'entrée IB = f (VBE)

➢ C'est la caractéristique qui relie les deux grandeurs d'entrée :

• Courant de base IB.
• Tension base – émetteur VBE.
➢ Il s'agit d'une jonction PN (caractéristique de transfert identique à celle d'une diode).

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Réseau de caractéristiques
Caractéristiques de transfert IC = f (IB)

➢ Cette caractéristique représente la fonction principale du transistor : l'amplification en courant.

➢ La relation est linéaire entre le courant de base et de collecteur (coefficient de proportionnalité β) :

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Réseau de caractéristiques
Caractéristiques de sortie IC = f (VCE)

➢ Dans cette caractéristique, un courant de base fixe est demandé pour avoir une existence d'un courant de
collecteur.
➢ On relève le courant IC correspondant à chaque variation de la source réglable VCE.
➢ Sur cette caractéristique, on peut remarquer que le courant collecteur croit très rapidement pour se
stabiliser autour de la valeur βIB.

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Réseau de caractéristiques

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Réseau de caractéristiques

➢ Dans cette caractéristique, un courant de base fixe est demandé pour avoir une existence d'un courant de
collecteur.
➢ On relève le courant IC correspondant à chaque variation de la source réglable VCE.
➢ Sur cette caractéristique, on peut remarquer que le courant collecteur croit très rapidement pour se
stabiliser autour de la valeur βIB.

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Polarisation du transistor bipolaire

Polarisation standard

Exercice :
➢ Déterminer l'expression de Ic en fonction VCE
➢ Dessiner la droite de charge.

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Polarisation du transistor bipolaire

Polarisation par la base ou polarisation fixe

Exercice :
Déterminer l'expression de Ic en fonction VCE
Dessiner la droite de charge.

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Polarisation du transistor bipolaire

Polarisation par réaction d'émetteur

Exercice :
Déterminer l'expression de Ic en fonction VCE
Dessiner la droite de charge.

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Polarisation du transistor bipolaire

Polarisation par réaction de collecteur ou polarisation automatique

Exercice :
Déterminer l'expression de Ic en fonction VCE
Dessiner la droite de charge.

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Polarisation du transistor bipolaire

Polarisation par pont diviseur

Exercice :
Déterminer l'expression de Ic en fonction VCE
Dessiner la droite de charge.

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