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RC
Bloquée
IB RB
VCC
(10V)
IB Passante
VBB
(5V)
TRANSISTOR BIPOLAIRE
Constitution
Emetteur N P N Collecteur
Base
EFFET TRANSISTOR
IE=IC+IB RC
IC>>IB IC
IEIC C
N P N
IB RB B
VC
(10V)
IE
VB E
(5V)
EFFET TRANSISTOR
IE=IC+IB
IC =β0IB IC RC
>>IB
IEIC
C
IB Passante
RB
B
VCC
Passante
(10V)
E
VBB
IE
(5V)
Transistor PNP
émetteur P N P Collecteur
Base
Conditions de fonctionnement linéaire
Jonction d’entrée en directe et jonction de sortie en inverse
Effet Transistor
E C
N P N
VB-VE>0,6V VB-VC<0,6V
B
Jonction d’entrée en direct et jonction de sortie en inverse
Effet Transistor
E C
N P N
VB-VE>0,6V VB-VC<0,6V
B
HISTORIQUE
Collecteur C C
Base B
B
Emetteur E E
RELATIONS EN REGIME CONTINU
IC
RC
VCC
IB RB
VCE
VBB
IE
VBB=RBIB+VBE RBIB+0.6
IC=0IB
IE=IC+IB IC
VCC=RCIC+VCE
Une analogie hydraulique
- On a toujours: IE = Ic + IB.
Le débit plus ou moins grand dans le canal Base entraine
l’ouverture plus ou moins importante de la trappe, contrôlant ainsi le
débit du collecteur vers l’émetteur.
Courants et tensions dans le transistor
Cas du NPN
N
IC
VC B
B
IB IB, IC, IE positifs
P VCE
VBE, VCE,VCB
positifs
VB
VBE 0.6V
E IE
N
Cas du PNP
P
IC IB, IC, IE positifs
VB C
C
VEB, VEC,VBC
IB positifs
N VEC
VEB = 0.7V
VE
B IE
P
CARACTERISTIQUE D ’ENTREE
IB=f(VBE) à VCE=cste
I IB
IC VCE=1
VCE=10V
RC
IB RB
I VCE VCC
V
VBB V
IE
VBE
Diode B-E d’entrée
IB
IBM M
VBE
VBE0 VBEM
Modélisation du circuit d’entrée du transistor
IB
rbe
IB
VBE VBE
VBE0
Le courant de base est généralement de valeur très faible (qq uA). La chute de tension
rbe.IB peut être négligée devant VBE0=0.6V.
La diode B-E est alors assimilée à une source de tension parfaite et on peut alors
écrire:
I
IC
RC
VCC
IB RB
I VCE V
VBB
IE
Caractéristique de sortie: zones de fonctionnement
IC
IB = IB1
Ic = ᵝ * IB1
Zone de fonctionnement
linéaire
Zone de Claquage
ou d’avalanche
VCE
IC
β0 = = Gain statique en courant
IB
IE = IB + Ic
IC
IC
IB
0IB VCE
VCE
MODELE EN SIMPLIFIE
IB IC
rbe
IC
IB1
IB2
IB3
IB4
IB5
IB6
VCE
Caractéristiques réelles de sortie
IB = 0
Droite de commande et point de fonctionnement
IB
RC
VCC
IB= IS(e VBE
) RB
26mV
VBB
VBB/RB
RB IB
M1
IBM Droite de commande V
BB
VBB = RB.IB + VBE
VBE
VBE
VBB
VBE0 VBEM
Droite de charge de sortie et point de fonctionnement
RC
VCC
RB
VBB
VCC/RC
Droite de charge
VCC = RC.IC + VCE
Droite de charge de sortie et point de fonctionnement
RC
VCC
RB
VBB
VCC/RC
TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME STATIQUE
EXEMPLE DE CALCUL
IC RC=500W, 0 = 100
1/ Calculer RB pour IB=100uA
RC IC? VCE?
VCC Représenter la droite de charge de
IB RB
VCE Sortie et le point de fonctionnement.
IC(mA)
IC=10mA
VCE
VCE=5V VCC
2/ RB = 44k W et IB = 100 A
Faisons l'hypothèse que le transistor en mode de fonctionnement linéaire IC (IC proportionnel à IB ):
IC =0IB = 100 * IB = 10mA
L'équation de la maille de sortie (VCC, R C, VCE ) s'écrit: VCC =RCIC +VCE
VCE = VCC -RCIC = 5 -(5.103 )(10 -2 ) = -45V: résultat aberrant car: VCE doit etre 0
L'hypothèse posée est donc fausse: fonctionnement non linéaire
Transistor saturé ou bloqué.
Comme VBB = 5V > 0.6V, transistor saturé et non bloqué.
VCC 10 I
Donc VCE =0V et IC = = = 2mA; et C = 20 < 0 .
RC 5.103 IB
Amplificateur de courant continu: cde d’une LED
La tension de sortie sur une broche d’un circuit intégré peut valoir 5V qui correspond à l’état logique 1 ou 0V qui
correspond à l’état logique 0.
On souhaite visualiser cet état logique en utilisant une LED (5V LED allumée, 0V LED éteinte) qui émet un
éclairement convenable lorsqu’elle est parcourue par un courant égal à 20mA. La tension à ses bornes vaut
alors 2V. La tension de polarisation VCC du composant est de 5V.
Le courant fourni par ce circuit intégré ne peut pas excéder 300A.
Le montage 1 ne peut donc pas convenir puisque le courant extrait est largement supérieur à cette valeur.
VCE0=VCC/2
IC0=Icsat/2
Polarisation par résistance de base
VCC
IC
RB RC
VCC
IB
VCE
VBE
IE
VCC=RB.IB+VBE
VCC=RC.IC+VCE
IC=0 IB
Polarisation par résistance de base
VCC - 0.6
IC = β0
RB
IC
RB RC
VCC
IB
VCE
VBE
IE
VCC
IC
RB RC
IB
VCE
VBE
VCC=RB.IB+VBE+ RE.IC RE
VCC=RC.IC+VCE+ RE.IC
Polarisation par réaction d ’émetteur
VCC - 0.7
IC =
RB
RE +
β0
RB
Point de polarisation stable si RE
β0 mini
Polarisation par réaction d ’émetteur
IC
RB RC VCC
IB
VCC
2VCC=RB.IB+VBE+ RE.IC
2VCC=RC.IC+VCE+ RE.IC RE
Polarisation par réaction d ’émetteur
Alimentation symétrique
VCC+
RB RC
RE
VCC-
Polarisation par pont de base
R1 RC
VCC
R2
RE
Polarisation par pont de base
R1 RC
VCC
IB VCC
VB
R2
RE
Polarisation par pont de base
R1 RC
VCC
IB VCC
VB
R2
RE
RC
R1//R2 VCC
IB
R2 VB
VCC
R1 + R2 RE
R2
VCC − VBE 0
R1 + R 2
IC =
R1//R 2
+ RE
β0
On choisira R1 et R2 telles que R1//R2<< 0minRE ou 0minRE > 10R1//R2 pour que IC soit
indépendant de 0
R2
VCC -VBE0
R1+R2
IC =
R1//R 2
+RE
β0
R2
VCC -VBE0
R1+R 2
IC =
RE
Polarisation: exemple1 de calcul
0 = 100.
RC VCC = 15V
R1
R1=16kW R2 = 21.5kW
VCC
RC=1.5kW RE=4kW
Point de fonctionnement?
Droite de charge?
VB
R2 RE
IC=2mA; VCE=4V
IC
VCC
IC = = 2.7 mA
R C +R E
IC=2mA
VCE
VCE=4V VCC=15V
Polarisation: exemple2 de calcul
0 = 100.
IB
R RC
IBM M
IP IB VCC
IP-IB
VBE
VBE
VBEM
E C
P N P
E N P N C
B
RC
R
IP
IC
IB2 IB1 VCC
VBE
TRANSISTOR EN REGIME SINUSOIDAL
PETITS SIGNAUX
Modélisation en régime petits signaux
Circuit d’entrée
IC+ic IB
ib
RC
IB+ib RB VBB/RB
VCE+vce
e VBE+vbe
VBB
M1 Arctan(1/r
M0 )
vbe
ic
M2
RC
i b RB VBE
vce
VBB
e vbe
Modèle en entrée en régime sinusoïdal petits signau
ib
rbe
rbe = 26mV/IB=r
Modèle en sortie en régime sinusoïdal
IC+ ic
RC
VCC
IB+ ib RB
VCE+vce
e VBE+vbe
VBB
Modèle en du transistor en régime sinusoïdal
b c
e e
r = 26mV/IB
Amplificateur de tension
sinusoïdale
AMPLIFICATION DE TENSION
Généralités
Eléments d’amplificateur
ie is
Rg
ve vs RL
eg
ie is
Rg
ve Ze vs RL
eg
ie A is
Rg Zth
ve vs RL
eg eth
On se place côté charge: elle ‘voit’ entre A et B un dipôle qui lui envoie un
courant, donc un générateur réel composé de sa f.e.m. et de sa résistance ou
impédance interne.
Ce générateur est en fait le générateur de Thévenin vu entre les 2 points.
Gain en tension
Résistance de sortie de l’amplificateur
ie A Is=0
Rg Zth
ve vs
eg eth
ie is
Rg Zs
ve Ze vs RL
eg Av0ve
ve
Impédance d' entrée : Z e =
ie
vS
Impédance de sortie : Z S =
i
S e g =0
vS
Gain en tension à vide : A v0 =
v
e R L =
vS
Gain en tension : A v =
v
e R L
iS
Gain en courant : A i =
i
e
Calcul de Ze et de ZS
2 - Calcul de ZS
• On enlève la charge. On la remplace par un générateur fictif
es.
• On court-circuite le générateur d ’entrée
• On calcule ZS=es/is
ie is
Rg Zs
ve Ze vs es
eg Av0ve
Importance de la valeur de Ze (et de Zs)
ie is
Rg Zs
ve Ze vs RL
eg Av0ve
ie is
Rg Zs
ve Ze vs RL
eg Av0ve
RL
vs = A v0 .v e
R L + ZS
Ze RL Ze
ve = eg ; vs = A v0 . eg ;
Ze + R g R L + ZS Ze + R g
Ze RL
v s est maxi si max ( 1) et si max ( 1)
Ze + R g R L + ZS
Donc si Ze R g ou si Ze très grande, et si R L Zs ou Zs très petite
Amplificateur à transistor: éléments de montage
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Formes d’ondes
vc
vs
VC
vb
B
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Condensateur de couplage ou de découplage
Impédance du condensateur : ZC = 1
Cω
i ib b c
Rg r ib
R1//R2 ve RC vs RL
e
eg
Caractéristiques de l’amplificateur
Re = R1 // R 2 //(r + RE )
RS = RC
βRC
A v0 = −
r
βRC // RL
Av = −
r
Exemple
VCC
Exprimer vs(t).
Etude en régime continu
IC=4mA
VCE=5V
r=975W
VB
Impédance de chaque condensateur:
Zc1= Zc2= Zc3=3 W
ie is
Rg Zs
ve Ze vs RL
eg Av0ve