Fiche des résultats expérimentaux

TP1 : Les filtres RLC

Date :………………………………
Groupe :……………………
Noms : Prénoms :
1
2

I- FILTRE PASSE haut

Relevé expérimental du filtre passe_haut:
 Réaliser le montage :

C
GBF ~ R

R= 15kΩ, C=10nf et GBF délivre un signal sinusoïdal d’amplitude maximale

10V
A l’aide de l’oscilloscope, Visualiser Ve et Vs.
 Remplir le tableau On pourra s’inspirer du tableau suivant :

Fréquence 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.5 2 3

en (KHz)
Ve_max(V)
Vs_max(V)
G(dB)
Φ(°)

Fréquence 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
en (KHz)
Ve_max(V)
Vs_max(V)
G(dB)
Φ(°)
 II- Filtre passe Bande :
Relevé expérimental du filtre passe_bande
 Réaliser le montage :

C R
~ R C
GBF

R= 15kΩ, C=10nf et GBF délivre un signal sinusoïdal d’amplitude maximale

10V
A l’aide de l’oscilloscope, Visualiser Ve et Vs.
 Remplir le tableau On pourra s’inspirer du tableau suivant :

Fréquence 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.5 2 3

en (KHz)
Ve_max(V)
Vs_max(V)
G(dB)
Φ(°)

Fréquence 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
en (KHz)
Ve_max(V)
Vs_max(V)
G(dB)
Φ(°)
 Fiche des résultats expérimentaux
TP2 : Les diodes
Date :………………………………
Groupe :……………………
Noms : Prénoms :
1
2
II-Caractéristique d’une diode à jonction PN: montage
potentiomètrique

3 Relevé expérimental de la caractéristique d’une diode

à jonction PN:
3.1 Caractéristique directe

 Réaliser le montage :
R
A
Id
E D V Vd

 En faisant varier E à partir de 0 V, fixer Vd et relever le courant Id

correspondant. Veiller à ne pas dépasser un courant de 70 mA.
 Remplir le tableau ci-dessous :
 Remplir le tableau ci-dessous :

Vd(V) 0,1 0,25 0,4 0,5 0.6 0,7 0.8 0.9

Id(mA)

3.2 Caractéristique inverse

 Réaliser le montage :
R
A
Id
E D V Vd
  En faisant varier E à partir de 0 V, relever Vd et Id. Veiller à ne pas
dépasser une tension Vd de 10V.
 Remplir le tableau ci-dessous :

Vd(V) 1 2 3 4 5 6 7 8
Id(mA)
III-Application de la diode à jonction PN: Redressement
mono alternance

3 Relevé expérimental du redressement monoalternance

 Réaliser le montage :

~
D
GBF R

 Choisir sur le GBF la fonction Sinusoïdale, la fréquence 50 Hz.

 Régler l’amplitude du GBF sur 7V
 Visualiser simultanément sur l’oscilloscope les tensions Ve et Vs.
 Tracer l’allure de Ve et Vs sur le graphe ci-dessous :

Tension (v)

Temps (s)
IV-Caractéristique d’une diode Zener: visualisation par
l’oscilloscope

2 Relevé expérimental du la caractéristique de la diode

Zener
 Réaliser le montage :

~
Dz
GBF R

 Choisir sur le GBF la fonction Sinusoïdale, la fréquence 50 Hz.

 Régler l’amplitude du GBF sur 7V
 Visualiser, en mode X-Y, la tension VB en fonction de VA.
 Tracer l’allure obtenue sur le graphe ci-dessous :

Iz (mA)

Vz (V)
 Fiche des résultats expérimentaux
TP3 : Le Transistor Bipolaire
Date :………………………………
Groupe :……………………
Noms : Prénoms :
1
2
II-Caractéristiques d’entrée VBE=f(IB) VCE = Cte

2 Relevé expérimental de la caractéristique d’entrée

VBE=f(IB) pour VCE=Cte
 Réaliser le montage :
IC 470 Ω
mA
39 kΩ IB
µA
V VCC
VBB VBE V VCE

En variant la tension VBB, mesurer la tension VBE pour différentes valeurs de

IB ;
IB (µA) 0 10 20 100 200 250
VBE(mV)
III-Caractéristiques de sortie IC=f(VCE) IB = Cte

2 Relevé expérimental de la caractéristique de sortie

IC=f(VCE) pour IB =Cte
 Réaliser le montage :
IC 470 Ω
mA
39 kΩ IB
µA
V VCC
VBB VBE V VCE
  Fixer IB
 En variant la tension Vcc, mesurer Ic pour différentes valeurs de VCE.

IB = 100 IC(mA)
µA VCE(V) 2 4 6 8 10 12
IB = 200 IC(mA)
µA VCE(V) 2 4 6 8 10 12

IV-Caractéristiques de Transfert direct IC=f(IB) VCE =

Cte

2 Relevé expérimental de la caractéristique de

transfert direct IC=f(IB) pour VCE=Cte
 Réaliser le montage :
IC 470 Ω
mA
39 kΩ IB
µA
V VCC
VBB VBE V VCE

 Fixer VCE
 En variant la tension Vcc, mesurer Ic pour différentes valeurs de IB.

VCE = 5 IC(mA)
V IB(µA) 2 4 6 8 10 12
VCE = 10 IC(mA)
V IB(µA) 2 4 6 8 10 12