Compte rendu

Université CADI AYAD

Faculté des sciences et techniques Marrakech

Filière d'ingénieurs Energie renouvelable et Mobilité électrique

Compte rendu de TP d’électronique analogique

AMPLIFICATEUR A TRANSISTOR BIPOLAIRE

Réalisé par : - BOUKIR Kawtar Encadré par : -M. EL IDRISSI.

- ALAOUI Salma

Année Universitaire :2023-2024

OBJECTIFS :
Au cours de cette manipulation on étudiera deux amplificateurs à transistor bipolaire : Le
montage en émetteur commun et puis le montage à charge répartie. Pour les deux montages
on déterminera expérimentalement les caractéristiques suivantes : (la dynamique, le gain en
tension, la bande passante, ...) et on fera une comparaison des deux montages en question.
L'amplificateur est représenté sur la figure ci-contre, avec les valeurs numériques suivantes :
Le transistor est de type 2N2222 avec un gain en courant  = 180. On donne : VBE0 = 0.65 V.
R1 = 47 k, R2 = 15 k, Rc =1 k, RE = 560 , C1 = C2 = 2.2 µF, CE = 100µF, VCC = 15V et Ru
= 33 k

A. PREPARATION :
A.1 Etude statique :

A.1.1 Déterminer les coordonnées du point de repos (IB0, IC0, VCE0)

A.1.2 Déduire la valeur de la résistance d'entrée du transistor (r = h11) et sa pente interne
gm.

A.2 Etude dynamique :

Le générateur eg délivre une tension sinusoïdale d'amplitude Eg et de fréquence f. On
supposera que les condensateurs C1, C2 et CE ont des réactances négligeables à l'intérieur de
la bande passante.

A.2.1 Dessiner le schéma équivalent de l’amplificateur à l'intérieur de la bande passante.

A.2.2 Calculer l'expression et puis la valeur numérique de chacune des grandeurs suivantes :
A.2.3 En tenant compte des condensateurs C1, C2 et CE, déterminer la fréquence de coupure
basse de l’amplificateur chargé par la résistance Ru

B. SIMULATION :
B.1.1 En ajoutant un condensateur de Cp = 300 pF en parallèle sur la charge Ru, saisissez le schéma
de l’amplificateur sous Schematics.
B.1.2 Lancer la simulation et relever les valeurs des grandeurs suivantes : IB0, IC0, VBE0 et
VCE0.

B.1.3 Faites une analyse fréquentielle et relever le diagramme de Bode entre 100Hz et 1MHz. (Pour
cela on configure le simulateur comme suit :

Analyse → Ac Sweep → Octave ; Total Pts =100, Start Freq =1 et End Freq = 1000k.

B.1.4 On débranche le condensateur de découplage CE on obtient les résultats suivants :

La fréquence de coupure basse= 6.62KHZ
La fréquence de coupure haute= 561,91KHZ

C. MANIPULATION :
C.1 Etude statique :
On a réalisé le montage de la figure statique puis on a mesuré la valeur de Vbe0, Vce0, Ib0, Ic0,
on a obtenu les valeurs suivantes qu’on a comparé avec les valeurs trouvées en partie théorique :
VBE0(V) IB0(uA) VCE0(V) IC0 (mA) B h11 (Ohm)
Res : théo 0.65 26.5 7.55 4.77 180 943.4
Res : pra 0.66 21 7.44 4.94 235.6 1190.47

D’après les valeurs obtenues dans les deux études (théorique et pratique), on constate que les
valeurs sont compatibles et presque les mêmes.
C.2 Etude dynamique de l'amplificateur en émetteur commun :
La caractéristique de transfert Vs = f(Ve)

Dans le cas du transistor bloqué VBE<VCEsat, alors Ic=0 et Vs=VCE.

Dans la partie linéaire, le transistor est passant Ic=βIb, Vs=Vcc-βRcIb.
La dernière partie correspondante au transistor saturé car l’augmentation de Ve influence sur le
courant Ib en l’augmentant aussi d’où VCE=VCsat
Le gain dans la partie linéaire est A0= -B. Rc/h11 = -197.90
• C.2.2- En réglant l'amplitude de Ve à une valeur permettant de se mettre dans la partie
linéaire (par exemple Eg = 10 mV), mesurer l'amplitude de la tension de sortie Vs pour
les différentes fréquences suivantes :
f (kHz) 0.1 0.2 0.25 0.5 2 10 50 500 600 800 1MHz
Ve (mV) 10mV
Vs (V) 0.4 0.8 0.9 1.3 1.5 1.6 1.5 1.6 1.5 1.4 1.3
20 32.04 38.06 39.08 42.27 43.5 44.08 44.08 44.08 43.5 42.9 42.27
log(Vs/Ve)
On trouve :
- Fréquence de coupure haute : Fch= 380Hz=0.38KHz
- Fréquence de coupure basse Fcb= 580KHz
- La bande passant à -3db : [Fch-Fcb] = 580-0.38= 579.62KHz
D. CONCLUSION :
En conclusion, ce travail pratique sur les amplificateurs à transistor bipolaire a renforcé nos
connaissances théoriques et pratiques dans le domaine de l'électronique. Il a également souligné
l'importance de la conception soignée et de la compréhension approfondie des caractéristiques
des transistors bipolaires pour obtenir des performances optimales dans diverses applications.
Ce TP a constitué une étape essentielle dans notre formation, nous fournissant des compétences
pratiques et une vision concrète des concepts théoriques étudiés.