CETIC (Centre d’Excellence africain des TIC)

FICHE N°1 DE TD DE MICROELECTRONIQUE

Master MECATRONIQUE
Exercice 1:
Soit le circuit suivant, où Vcc = 5 V, RC = 1 kW, RB = 27 kW, ß = 100
a) Déterminer les différents modes de
fonctionnement du transistor lorsque Vin
évolue de 0 à Vcc, en adoptant, pour la
jonction base-émetteur, le modèle simple où
VBE est sensiblement égal à Uj = 0.7
V dans le sens passant.
En utilisant l’hypothèse simplificatrice
VCE,sat sensiblement égal à 0 V, calculer les
courants IC et IB ainsi que la tension Vout
pour deux valeurs particulières de la tension
d’entrée: Vin = 0 V et
Vin = Vcc.
b) Déterminer la valeur maximum admissible pour RB de façon à ce que le transistor sature
lorsque Vin = Vcc

Exercice 2:
Soit la structure de la figure suivante.
Sachant que UBE = Uj, calculer les
courants IB, IE et IC, ainsi que les
tensions UE et UC.
Quel est le mode de fonctionnement
du transistor ?
Valeurs numériques: U = 3.4 V Uj = 0.7
V R1 = 4.7 kW
R2 =2.7 kW b = 200 Vcc =10 V

Dr Brice EKOBO A.
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Exercice 3 :
Soit la structure de la figure suivante.
Application numérique:
ß = 200 Uj = 0.7 V R1=8.2 kW VCC = 10 V
R2 =5.6 kW RE = 2.7 kW
a.) Sachant que UEB = Uj et en négligeant IB,
montrer que le courant IC
ne dépend pas de la charge RL (source de
courant), puis vérifier l'hypothèse.
b.) Quelle est la valeur maximale de RL.

Exercice 4 :
Soit la structure de la figure suivante.
a) Sachant que UBE = Uj, calculer le point de
repos (∆ u=0) c.à.d. les courants IB, IE et IC,
ainsi que les tensions UE et UC.
Quelle est le mode de fonctionnement du
transistor ?
b) Dessiner le schéma pour accroissements
(petits signaux) et déterminer gm et gbe.
c) Déterminer le gain G1 = DuE/Du et G2 =
DuC/Du.
Application numérique: U0 = 4.6 V Uj = 0.7 V RC = 4.7 kW
RE =3.9 kW ß = 200 Vcc =10 V

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Exercice 5 :
Soit le montage ci-dessous.

Expliquer le fonctionnement
du circuit.
Faire ensuite l’analyse
statique et dynamique du
circuit.

Exercice 6 :
On suppose que la tension seuil de la diode est 0,6 V et sa résistance dynamique nulle.
R1 = 320 Ω et R2 = 460Ω.
Pour quelle valeur de VE la diode
devient
passante?
On prend VE = 6 V, Calculer ID qui
circule dans la diode, et les tensions
VR1 et VR2 aux bornes de R1 et R2

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Exercice 7 :
Pour les deux circuits suivants :
• Donner l'état de chaque diode
(bloquée ou passante), toutes les
diodes sont idéales.
• Calculer le courant qui circule dans
D1
• Calculer le courant qui circule dans D2

Exercice 8 :
Les 2 diodes sont supposées idéales :

a) Quelle est l’état de chacune d’elles ?

b) Quelle est la valeur de U ?

Exercice 9 :
On considère le montage suivant dans lequel la diode est idéale :

Tracer la fonction de transfert Vy = f(Vx)

Exercice 10 :
On considère le montage suivant avec un transistor npn de gain en courant statique e β=100
et la tension entre la base et l'émetteur est de 0,7V
1) On désire avoir un courant de 100 mA dans la charge RL, quelle valeur de résistance RB
faut il choisir?

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2) Si on fait varier RB alors IB varie et donc IC varie aussi. Quelle est la valeur maximale qu'on
peut obtenir pour IC (transistor saturé)?
3) quelle est la valeur minimale de RB pour saturer le transistor

Exercice 11 :
On considère le même montage que (exercice 10), avec un transistor tel que β= 80. Et VBE =
0,7 V, on désire avoir un point de fonctionnement tel que VCE = 6V et IC = 3,6mA.
Quelles valeurs faut-il donner à RB et RL ?

Exercice 12 :
On suppose que le transistor à effet de champ est caractérisé par ses paramètres g et Rho.
a) Expliquer ce que représente ces
deux paramètres, c'est quoi leurs
unités et comment ils peuvent être
déterminés à
partir des caractéristiques
statiques du transistor
b) Donner le schéma
équivalent en dynamique du
montage
c) Calculer le gain en tension,
l'impédance d'entrée et
l'impédance de sortie (calcul
analogique en fonction des
éléments du montages et des
paramètres g et Rho)

Dr Brice EKOBO A.