Exercice I

Soit le montage de la figure ci-dessous.

1) On donne : U0 = 9 V, RC = 2,7 k, RB = 470 k,  = 100.
Pour un transistor en silicium, VBE = 0,6 V
Calculer IB, IC et VCE
2) On reconsidère le montage avec U0 = 6 V, IC = 1 mA,
VCE = 2,5 V et  = 50, VBE = 0,6 V
Calculer RB, RC

Exercice II
Calculer R et R
C B
Soit le montage de la figure ci-dessous.

On donne : U0 = 6V, RC = 1,5 k, RB = 100 k,  = 80 et

VBE = 0,6 V
Calculer IB, IC et VCE

Exercice III
Soit le montage de la figure ci-dessous.

On donne : U0 = 12V, RC = 3,9 k, RE = 1 k, R1 = 82 k,

R2 = 18 k,  = 49 et VBE = 0,6 V
1) Calculer IB et IC
2) Calculer VEM, VCM, VCE
3) Calculer I2 et I1
 Exercice IV
On se propose d’étudier la polarisation par pont de base d’un transistor bipolaire NPN :
- La base sera polarisée par un pont de résistances R1 et R2 (R2 entre la base et la masse).
- On insère une résistance RE entre l’émetteur et la masse (amélioration de la stabilité
thermique du point de repos) ;
- RC est la résistance insérée dans le circuit collecteur ;
- On dispose d’une seule source de polarisation E.
Le transistor est défini par le réseau de caractéristiques ci-joint.
1) On impose E = +12V, RC = 1,8 k, RE = 330 .
a) Donner le schéma de polarisation obtenu.
b) Tracer la droite de charge dans le réseau IC = f(VCE)
2) On impose qu’au point « P », VCE = +E/2.
a) Placer le point P sur droite de charge.
b) En déduire :
- la valeur du courant collecteur IC au point P.
- la valeur correspondante du courant de base IB.
- la tension VBE correspondante (on admettra qu’on puisse utiliser la caractéristique
d’entrée IB = f(VBE) tracée pour VCE = 10 V.
3) On impose que le courant parcourant R2 soit égal à 10.IB. Calculer les valeurs des résistances
R1 et R2.
4) Tracer l’hyperbole de dissipation maximale H pour Pmax = 30 mW.