Université Hassan II

Faculté des sciences et techniques Mohammedia

Licence Génie électrique et informatique industrielle
Année Universitaire 2023/2024

Compte rendu
TP 2 : Transistor Bipolaire
Module : Electronique Analogique

Réalisé par :

 Meryeme Abhat
 Meryem Ghafour

Encadré par : Mr M. BEZZA

Objectif de TP :
-L’objectif de ce TP, est l’étude d’un montage élémentaire particulier qui et le montage émetteur commun
(EC) d’un transistor bipolaire en mode d’amplification.

Etude théorique :
Un transistor bipolaire est toujours constitué de 3 broches qu'on appelle la base, le collecteur et
l'émetteur.

 La base (B) qui permet de commander le passage du courant à travers le composant

 Le collecteur (C) est la broche par laquelle le courant entre dans le transistor bipolaire

 L'émetteur (E) est la broche par laquelle le courant sort du composant, ainsi que le signal de sortie.
Il existe deux types de transistors bipolaires: les transistors NPN et les transistors PNP. Dans un
schéma de circuit, il sont représentés de la façon suivante:

Dans un transistor bipolaire, un faible courant qui circule dans la base du transistor permet de
contrôler un courant beaucoup plus intense qui circule par le collecteur et l'émetteur. Le sens dans
lequel nous faisons circuler ces courants n'est pas le même dans un transistor NPN et dans un
transistor PNP.
Deux courants entrent dans le transistor NPN (IB et IC), et un seul courant en sort (IE). Si on applique
la loi des noeuds de Kirchhoff, qui affirme sans grande surprise que la somme de tout ce qui entre est
égale à la somme de tout ce qui sort, nous pouvons déduire que IE = IB + IC.

De plus, puisque IB est très petit: IE = IC.

Au moyen de la loi des mailles du même Gustav Kirchhoff, on peut également constater que la
différence de potentiel entre le collecteur et l'émetteur est égale à somme de la différence de potentiel
entre le collecteur et la base, et la différence de potentiel entre la base et l'émetteur:

VCE = VCB + VBE

Modèle du tarnsistor en régime dynamique :

Schéma équivalent :

Modèle simplifier du transistor :

h12≈ 0 et h22≈ ∞ et h21≈ β

MONTAGE :
1) Faire le montage sans appariels de mesures.

Matériels utilisés :

 Deux générateurs de tension réglable

 Resistance R1=100 KΩ
 Resistance R2=10 KΩ
 Transistor bipolaire (NPN)
 Breadboard

2) Ea=Eb=0 (Eteintes)
3) Allumer Ea et Eb
4) Mettre le voltmètre entre C et E (Vce)
5) augmenter Eb doucement jusqu’à Vce=7V
 6) Débrancher le voltmètre
7) Mesurer Vbe
8) Mesurer Ur1
UR1
9) En déduire Ib=
R1
10) Remplir le tableau suivant

Vbe(V) 0,66 0,67 0,65

U R 1(V) 7,1 7,17 7,15

Ib( μA ) 71 71,7 71,5

11) Tracer la courbe Ib=f(Vbe) pour Vce=7v

12) Déterminer la valeur de β

U R 1=R1 Ib et U R 2=R2 Ic

I C U R 2 /R 2 UR 2
β= = =10
I B U R 1 /R 1 UR 1

D’après le mesure de U R 2 et U R 1 en obtient : U R 1=7 , 78 V et U R 2=¿7,09 V

donc β =9.11

Etude d’un amplificateur à Emetteur commun :

Etude Statique :

1
-Les condensateurs se comportent comme des circuit ouvre ( ∞ )
cω

Montage équivalent :

En régime "petits signaux", d'après le principe de superposition, on ne prend pas en compte les
composantes continues des courants et tensions. On applique des petites variations de tensions
autour du point de repos en ayant préalablement remplacé les générateurs continus par leurs
résistances internes (ici l'alimentation +VCC, considérée comme parfaite, sera remplacée par une
ligne de masse) et les condensateurs par des courts-circuits. En effet, on considère dans un premier
temps que leurs impédances sont nulles dans la gamme de fréquence de l'amplificateur.

Etude dynamique:

1
-Les condensateurs se comportent comme fil ( 0 )
cω
dVcc=0 (Vcc=cte)

Pour h12≈ 0 et h22≈ ∞ et h21≈ β

Le schéma dynamique du transistor en petits signaux :

On peut donc écrire :

L’amplificateur en tension Av :

vS
Av =
ve

Ve=h11.ib et Vs=-Rc.ic=-Rc. β ib

−β Rc
Donc Av=
h11

L’impédance d’entrée Ze :

v R 1 R 2 h 11
Ze= ⅈge =R1 // R2 // h11 = R 1 R 2+h 11 R 1+ h 11R 2
L’impédance de sortie Zs :

Vs
Zs= is si Rch∞ et vg=0
Zs=Rc
L’amplificateur en courant Ai :

is is Vs Ve 1 β Rc R 1 R 2 h 11
Ai = = . .
ie Vs Ve ie
= - Rc h11 R 1 R 2+h 11 R 1+ h 11R 2
= -
β R1R2
R 1 R 2+h 11 R 1+ h 11R 2