UNIVERSITE HASSAN II DE CASABLANCA

FACULTE DES SCIENCES BEN M’SIK

FILIERE SMP
Semestre : S5
Module : Electronique analogique
Enseignant : A. Hamdoun
M. Fettach

POLYCOPIE

DU COURS

Electronique analogique

Ce cours est destiné aux étudiants du semestre S5 de la filière SMP.

Septembre 2018
 Sommaire

Chapitre 1: CIRCUITS A TRANSISTORS BIPOLAIRES

Chapitre 2 : CIRCUITS A TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP (FET)

Chapitre 3 : AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS

Chapitre 4 : CONTRE-REACTION

Chapitre 5 : LES MULTIVIBRATEURS

ii
 Chapitre 1: CIRCUITS A TRANSISTORS BIPOLAIRES

1.1 Rappels :

 Zones de fonctionnement d’un transistor :

 Représentation des différentes grandeurs :

Exemple :
ICQ: Valeur continue du courant collecteur
iC(t) : Valeur alternative de IC
IC(t): Courant total du collecteur ; IC(t) = ICQ+ iC(t)

Les grandeurs alternatives représentent les variations des grandeurs à partir de

leurs valeurs continues.
Exemple :
iC(t) = IC(t) - ICQ = IC

iii
Une des applications les plus importantes des transistors est l'amplification des
signaux (Électronique linéaire).
Ici, on considère des signaux faibles. C’est-à-dire que les variations des
grandeurs IC et UCE sont très faibles par rapport à leurs valeurs continues
(ICQ,UCEQ). L'amplitude des grandeurs alternatives est beaucoup plus petite que
les valeurs continues de ces grandeurs.
On reste donc proche du point du repos. Dans ce cas, on peut supposer que les
variations sont linéaires.

 Schéma équivalent dynamique du transistor bipolaire :

En basses fréquences, le transistor peut être remplacé par le schéma équivalent

relatif au courant alternatif suivant :

Attention :
Ce schéma équivalent n’est valable que si le transistor est polarisé en direct-
inverse (Point de fonctionnement se trouve dans la zone de fonctionnement
linéaire).
Dans ce schéma équivalent, il y a les grandeurs suivantes :
o  : C’est le gain en courant dynamique du transistor ( = iC / iE). Sa valeur
est donnée par le constructeur.
o rE : C’est la résistance dynamique de la diode émetteur formée par
l’émetteur et la base (rE = dUBE / dIE).
Puisque la diode émetteur est
polarisée en direct, les valeurs de rE
sont faibles (quelques dizaines de ).
Sa valeur dépend du point de repos Q
= (UCEQ,ICQ) du transistor. On
applique la formule approximative
suivante pour calculer rE :
rE ≈ 26 mV / ICQ (A 25°C)
Graphiquement, elle correspond à

iv
 l’inverse de tg((pente de la caractéristique IC=f(UBE);  étant l’angle
formée par la tangente à la caractéristique IC = f(UBE) au point de repos Q
et l’axe des tensions UBE.
o rC : C’est la résistance dynamique de la diode collecteur formée par le
collecteur et la base (rC = dUBC / dIC). Puisque la diode collecteur est
polarisée en inverse, la valeur de rC est très élevée (plusieurs M). Elle
est donnée par le constructeur.
Graphiquement, elle est l’inverse de tg(;  étant l’angle formée par la
tangente à la caractéristique IC = f(UBE) au point de repos Q et l’axe des
tensions UBE.

 Circuits équivalents en continu et en alternatif :

Généralement, un circuit à transistors contient des générateurs continus et

alternatifs.
Pour étudier ce circuit, il faut l'analyser séparément en continu et en alternatif.
Ceci est possible grâce au principe de superposition.
Pour cela, il faut transformer le circuit donné en deux circuits équivalents: l'un
pour le continu et l'autre pour l'alternatif.
Règle :
o Pour avoir le circuit équivalent en continu:
- Ouvrir tous les condensateurs
- Annuler tous les générateurs de tension alternative
o Pour avoir le circuit équivalent en alternatif:
- Court-circuiter tous les condensateurs de couplage et découplage
- Annuler tous les générateurs de tension continue.
Exemple :

Circuit équivalent en continu :

v
 Ce circuit est utilisé pour faire l’étude statique du circuit à transistors
(calcul des points de repos).
Circuit équivalent en alternatif :

Ce circuit sert à faire l’étude dynamique du circuit à transistors (calcul des

gains, impédances,…).

Après simplification du circuit équivalent en alternatif d’un transistor, on obtient

généralement un des circuits suivants:

Ce circuit s’appelle émetteur

commun. Les résistances RB et RE ne
sont pas indispensables.

vi
Ce circuit s’appelle collecteur commun. Les résistances RB et RC ne sont pas
indispensables.

Ce circuit s’appelle base commune.

Les résistances RE et RB ne sont pas
indispensables.

1.2 Amplificateur à émetteur commun:

1°/ Circuit équivalent en alternatif:

Il peut y avoir des résistances dans les

branches de la base et de l'émetteur.

2°/ Schéma équivalent en alternatif:

3°/ Gain en courant:

Courant d'entrée: iB
Courant de sortie: iC
Gain en courant: GI = iC/iB = 

4°/ Gain en tension:

Tension d'entrée: uBE = rE iE
Tension de sortie: uCE = -RC iC  -RC iE
Gain en tension: GV = uCE/uBE = - RC/rE

vii
Le signe "-" signifie que la tension de sortie est déphasée de 180° par rapport au
signal d'entrée.

5°/ Gain en puissance:

Puissance d'entrée: iB uBE
Puissance de sortie: iC uCE
Gain en puissance: GP = (iCuCE)/(iBuBE) = RC/rE

6°/ Impédance d'entrée:

zi = uBE/iB = rEiE/iB  rE 

7°/ Impédance de sortie:

8°/ Stabilisation du gain en tension:

GV dépend de la température, car rE est une fonction de la température
{=kT/(eIE)}. Pour rendre GV invariant par rapport à T on introduit une
résistance dans la branche de l'émetteur.

GV = -RC iC / [(rE+RE)iE]  - RC / (rE+RE)

On choisit RE >> rE  GV  -RC/RE  f(T)
GV devient donc stable contre les variations de la température.
Remarques:
* Avec RE le gain en tension diminue.
|GV| = RC/(rE+RE) < RC/rE
* Avec RE l'impédance d'entrée augmente.
zi = (rE+RE) > rE

9°/ Cas de RB non nulle:

viii
Ce circuit est équivalent à l'amplificateur suivant qu'on peut étudier à l'aide des
relations vues précédemment:

u'1 = u1 zi(tr)/[zi(tr) +RB] ; u2 = GV u'1 = -RC/RE . zi(tr)/[zi(tr)+RB] . u1

Le gain en tension devient :
GV = u2/u1 = -RC(RE+rE)/[RE{(RE+rE)} + RB]
10°/ Exemple d'un circuit complet:

Les éléments de ce circuit ont les fonctions suivantes:

RS: Résistance du générateur

C1,C3: Condensateur de couplage
C2: Condensateur de découplage
R1,R2,RC’,RE’ et RE’’ : Fixent le point de repos
RE’: Stabilise le gain en tension
RE’ et RE’’: Stabilisent le point de repos
RL: Résistance de charge

ix
La puissance nécessaire pour le signal amplifié u2 est fournie par l'alimentation
UA.

Sens des différents courants : (Voir cours)

1er cas : Alternance positive de u1

2ème cas : Alternance négative de u1

11°/ Droite de charge dynamique:

On considère un amplificateur à émetteur commun (voir circuit précédent).

On pose : RC’ = R3 et RE’+RE’’ = R4

La droite de charge statique est donnée par l'équation:

1 1
I CQ   U CEQ  UA
R3  R4 R3  R4

x
La droite de charge statique donne l'ensemble des positions possibles du point de
repos, lorsqu'on fait varier le courant continu IBQ.
Lorsque l'amplificateur est alimenté par le signal alternatif u1, le point de
fonctionnement (IC,UCE) se déplace sur une autre droite appelée droite de charge
dynamique. Elle est différente de la droite de charge statique. Elle exprime IC en
fonction de UCE. IC et UCE sont les grandeurs totales (valeurs continues +
alternatives).
Exemple:
On établit l'équation de la droite de charge dynamique de l'amplificateur à
émetteur commun précédent dont le circuit équivalent en alternatif est:

Avec : RC =
RE =

IC

IC(sat) =
ICQ + UCEQ / (RC+RE)
Droite de charge dynamique
Pente =
- 1 / (RC + RE)

ICQ Q

UCE

O UCEQ UCE(blocage) =
UCEQ+ICQ(RC+RE)

Exercice : (Voir cours)

On considère le circuit équivalent précédent
avec RB et RE nulles. Sachant que u1 est un
signal sinusoïdal d’amplitude û1, trouver
graphiquement (sans calcul) le signal de sortie

xi
u2 et en déduire le gain en tension du circuit.

1.3 Amplificateur à collecteur commun: (Emetteur suiveur)

1°/ Circuit équivalent en alternatif:

2°/ Schéma équivalent en alternatif:

3°/ Gain en courant:

GI = iE/iB  

xii
4°/ Gain en tension:
GV = uEC / uBC = RE iE / [(rE+RE) iE] = RE / (rE+RE) 

5°/ Gain en puissance:

6°/ Impédance d'entrée:

zi = uBC/iB = iE(rE+RE) / iB  (rE+RE)

7°/ Impédance de sortie:

8°/ Application:
L'émetteur suiveur est utilisé pour adapter le niveau d'impédance.

Exemple: (Voir cours)

9°/ Montage Darlington:

Pour avoir une impédance d'entrée très élevée, il faut que soit très grand. Un
montage qui permet d'avoir un  très élevé est le montage suivant appelé
montage Darlington:

Si on remplace le transistor de l'émetteur suiveur par le montage Darlington

l'impédance d'entrée devient:
zi = 1(R+r)

1.4 Amplificateur à base commune:

1°) Circuit équivalent en alternatif:

xiii
2°) Schéma équivalent en alternatif:

3°) Gain en courant:

4°) Gain en tension:

5°) Gain en puissance:

6°) Impédance d'entrée:

7°) Impédance de sortie:

8°) Applications:
Un amplificateur à base commune peut servir pour réaliser des sources de
courant.

1.5 Couplage de plusieurs étages:

Très souvent un seul étage n'est pas suffisant pour réaliser un gain important.
Pour cela on utilise plusieurs étages, sachant que le gain global est le produit des
gains des différents étages. Dans ce qui suit, on verra comment coupler ces
étages.

xiv
a) Couplage RC:

La sortie du premier étage est couplée à l'entrée du second étage à l'aide de R'C
et C. La capacité C doit être assez grande.
Inconvénient: Ce type de couplage ne fonctionne que pour f>10Hz. Pour des
fréquences plus petites, il y a une forte chute de tension aux bornes de C.

b) Couplage par inductance:

En hautes fréquences le couplage est parfait, car l'impédance de L tend vers

l'infini. Les pertes par effet Joule dans la bobine sont minimales.
Inconvénient: Mauvais couplage en basses fréquences.

c) Couplage par transformateur:

En hautes fréquences le couplage est parfait. Pas de pertes par effet Joule.
Inconvénient: Coût et encombrement.

xv
d) Couplage direct:
Pour réaliser un couplage en basses fréquences, il ne faut pas utiliser des
condensateurs. On relie directement les étages. Les étages sont alors couplés
aussi en courant continu.
Inconvénient: Le couplage direct n'est pas toujours efficace. Le point de repos
de chaque étage dépend des autres étages.

Chapitre 2 : CIRCUITS A TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP (FET)

2.1 Rappels :

2.1.1 FET à jonction (JFET):

Structure:

xvi
Symbole:

a- Caractéristiques de sortie: ID = f(UDS) , UGS: Paramètre

Dans la zone de fonctionnement normal on a:

b- Caractéristique de transconductance: ID = f(UGS) , UDS: Paramètre (peu

d'influence)

xvii
 On définit la transconductance gm de la
manière suivante:
gm = dID/dUGS  ID/UGS (UDS
constant)

gm représente la pente de la tangente en un

point de la caractéristique de transconductance. La valeur de gm pour UGS = 0
s'appelle gmo.

Relation entre gm et gmo:

Relation entre UGSO et gmo:

2.1.2 FET à grille isolée (IG-FET) normalement fermé:

Structure:

Fonctionnement:

1°/ UGS < 0:

xviii
La grille et le canal forment les armatures d'un condensateur dont le diélectrique
est la couche d'oxyde. Une tension négative à la grille apporte des électrons sur
la grille qui repoussent les électrons libres du canal qui se trouvent près de la
couche d'oxyde. Les électrons repoussés laissent derrière eux des ions positifs
immobiles. Le canal s'appauvrit en charges mobiles. Sa conductivité diminue.
La tension grille contrôle donc la conductivité du canal. Ce mode de
fonctionnement s'appelle régime de déplétion.

2°/ UGS > 0:

La tension positive de la grille apporte des charges positives sur la grille qui
attirent des électrons libres du canal. Le canal s'enrichit en charges mobiles. Sa
conductivité augmente. La tension grille contrôle la conductivité du canal. Ce
mode de fonctionnement s'appelle régime d'enrichissement.

Remarque:
Lorsque UGS=0, le FET conduit, d'où l'appellation FET normalement fermé
(équivalent à un interrupteur fermé).
Symboles:

xix
Caractéristiques:

a- ID = f(UDS): UGS : Paramètre

b- ID = f(UGS):

2.1.3 IG-FET normalement ouvert:

C'est un FET à grille isolée en régime d'enrichissement seul.

Structure:

xx
Fonctionnement:

UGG = 0:
Il n'y a pas de courant entre le drain et la source, car la jonction PN d'en haut est
polarisée en inverse (Figure précédente). On dit que ce IG-FET est normalement
ouvert (équivalent à un interrupteur ouvert).

UGG > 0:
La tension positive de la grille attire des électrons vers la partie gauche du
substrat. Ces électrons se recombinent avec les trous. Si la tension de la grille est
suffisamment grande les électrons attirés ne trouvent pas tous des trous. Il y'en
aura qui vont se placer dans la bande de conduction où ils seront des électrons
libres. Cette zone du substrat se comporte alors comme un semi-conducteur de
type N. Pour cette raison on appelle cette zone couche d'inversion.

xxi
La couche d'inversion permet le passage du courant entre le drain et la source.
Ce courant est contrôlé par la tension grille par l'intermédiaire de la couche
d'inversion.
La tension de la grille à partir de laquelle il y a apparition de la couche
d'inversion s'appelle tension de seuil U GS(th):
UGS < UGS(th) ID  0
UGS > UGS(th) ID  0

Symboles:

Caractéristiques:

a- ID = f(UDS): Paramètre: UGS

xxii
b- ID = f(UGS):
Cette caractéristique est une fonction parabolique.

K est une constante qui dépend du IG-FET donné.

2.1.4 Polarisation des JFET:

1°) Polarisation automatique:

a- Circuit:

La résistance RS polarise convenablement la diode grille-source sans que la

grille soit alimentée par un générateur de tension continue, d'où l'appellation
"polarisation automatique" (UGS = - RS ID).

xxiii
Dans cette polarisation, les paramètres du FET ont peu d'influence sur le point
de repos.

b- Polarisation centrée:

Dans ce cas le courant drain ID vaut la moitié du courant IDSS.

c- Relation entre ID et RS:

Remarque:
Dans ce circuit de polarisation RS fixe ID, RD fixe UDS. RG sert à augmenter
l'impédance d'entrée zi(tr) du transistor.

2°) Polarisation par source de courant:

a- Alimentation simple:

xxiv
La tension UGS est donnée par la caractéristique de transconductance.
Connaissant UGS on peut calculer les autres grandeurs VS, UDS, ...

b- Alimentation fractionnée:

2.1.5 Polarisation du IGFET:

a- IGFET normalement fermé:

Polarisation nulle:

Puisque UGS peut être positive ou négative, on choisit UGS = 0 au repos. Il en

résulte un circuit de polarisation très simple, appelé circuit de polarisation nulle.
Il n'est cependant utilisable que pour le IGFET normalement fermé.

xxv
b- IGFET normalement ouvert:

Polarisation par réaction de drain.

RG est très grande, pour augmenter l'impédance d'entrée et pour protéger la grille
contre des surtensions.

2.2 Schémas équivalents en alternatif:

a- Troisième approximation:

xxvi
rDS est de plusieurs 10krGS est de plusieurs 100M.

b- Deuxième approximation:

On néglige toutes les

capacités.

c- Première approximation:

On néglige l'inverse de toutes les résistances.

2.3 Circuits à transistors à effet de champ:

2.3.1 Amplificateur à source commune:

Le circuit équivalent en alternatif réduit a généralement la forme suivante:

xxvii
a- Gain en tension:
On néglige rDS.
u2 = -RD iD = -RD gmuGS ; uGS = u1 - RS iD = u1 - RS gmuGS

b- Cas de RS = 0:

c- Cas général:
Dans le cas où RD est très élevée, on ne peut plus négliger rDS.

d- Relation entre gm et ID:

xxviii
Cette relation permet de calculer gm connaissant le point de repos, afin de
déterminer le gain en tension.

e- Impédance d'entrée:

f- Impédance de sortie:

2.3.2 Amplificateur à drain commun:

Elle s'appelle aussi source suiveuse.

a- Gain en tension:
u2 = RS iD = RS gm uGS ; uGS = u1 – u2 = u1 - RS gm uGS
Donc: uGS = u1 / (1+RSgm) ; On remplace uGS par son expression dans u2:

b- Impédance d'entrée:

xxix
c- Impédance de sortie:

2.3.3 Amplificateur à grille commune:

a- Gain en tension:

b- Impédance d'entrée:

c- Impédance de sortie:

Chapitre 2 : CIRCUITS A TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP (FET)

2.1 Rappels :

2.1.1 FET à jonction (JFET):

Structure:

xxx
Symbole:

a- Caractéristiques de sortie: ID = f(UDS) , UGS: Paramètre

Dans la zone de fonctionnement normal on a:

b- Caractéristique de transconductance: ID = f(UGS) , UDS: Paramètre (peu

d'influence)

xxxi
 On définit la transconductance gm de la
manière suivante:
gm = dID/dUGS  ID/UGS (UDS
constant)

gm représente la pente de la tangente en un

point de la caractéristique de transconductance. La valeur de gm pour UGS = 0
s'appelle gmo.

Relation entre gm et gmo:

Relation entre UGSO et gmo:

2.1.2 FET à grille isolée (IG-FET) normalement fermé:

Structure:

Fonctionnement:

1°/ UGS < 0:

xxxii
La grille et le canal forment les armatures d'un condensateur dont le diélectrique
est la couche d'oxyde. Une tension négative à la grille apporte des électrons sur
la grille qui repoussent les électrons libres du canal qui se trouvent près de la
couche d'oxyde. Les électrons repoussés laissent derrière eux des ions positifs
immobiles. Le canal s'appauvrit en charges mobiles. Sa conductivité diminue.
La tension grille contrôle donc la conductivité du canal. Ce mode de
fonctionnement s'appelle régime de déplétion.

2°/ UGS > 0:

La tension positive de la grille apporte des charges positives sur la grille qui
attirent des électrons libres du canal. Le canal s'enrichit en charges mobiles. Sa
conductivité augmente. La tension grille contrôle la conductivité du canal. Ce
mode de fonctionnement s'appelle régime d'enrichissement.

Remarque:
Lorsque UGS=0, le FET conduit, d'où l'appellation FET normalement fermé
(équivalent à un interrupteur fermé).
Symboles:

xxxiii
Caractéristiques:

a- ID = f(UDS): UGS : Paramètre

b- ID = f(UGS):

2.1.3 IG-FET normalement ouvert:

C'est un FET à grille isolée en régime d'enrichissement seul.

Structure:

xxxiv
Fonctionnement:

UGG = 0:
Il n'y a pas de courant entre le drain et la source, car la jonction PN d'en haut est
polarisée en inverse (Figure précédente). On dit que ce IG-FET est normalement
ouvert (équivalent à un interrupteur ouvert).

UGG > 0:
La tension positive de la grille attire des électrons vers la partie gauche du
substrat. Ces électrons se recombinent avec les trous. Si la tension de la grille est
suffisamment grande les électrons attirés ne trouvent pas tous des trous. Il y'en
aura qui vont se placer dans la bande de conduction où ils seront des électrons
libres. Cette zone du substrat se comporte alors comme un semi-conducteur de
type N. Pour cette raison on appelle cette zone couche d'inversion.

xxxv
La couche d'inversion permet le passage du courant entre le drain et la source.
Ce courant est contrôlé par la tension grille par l'intermédiaire de la couche
d'inversion.
La tension de la grille à partir de laquelle il y a apparition de la couche
d'inversion s'appelle tension de seuil U GS(th):
UGS < UGS(th) ID  0
UGS > UGS(th) ID  0

Symboles:

Caractéristiques:

a- ID = f(UDS): Paramètre: UGS

xxxvi
b- ID = f(UGS):
Cette caractéristique est une fonction parabolique.

K est une constante qui dépend du IG-FET donné.

2.1.4 Polarisation des JFET:

1°) Polarisation automatique:

a- Circuit:

La résistance RS polarise convenablement la diode grille-source sans que la

grille soit alimentée par un générateur de tension continue, d'où l'appellation
"polarisation automatique" (UGS = - RS ID).

xxxvii
Dans cette polarisation, les paramètres du FET ont peu d'influence sur le point
de repos.

b- Polarisation centrée:

Dans ce cas le courant drain ID vaut la moitié du courant IDSS.

c- Relation entre ID et RS:

Remarque:
Dans ce circuit de polarisation RS fixe ID, RD fixe UDS. RG sert à augmenter
l'impédance d'entrée zi(tr) du transistor.

2°) Polarisation par source de courant:

a- Alimentation simple:

xxxviii
La tension UGS est donnée par la caractéristique de transconductance.
Connaissant UGS on peut calculer les autres grandeurs VS, UDS, ...

b- Alimentation fractionnée:

2.1.5 Polarisation du IGFET:

a- IGFET normalement fermé:

Polarisation nulle:

Puisque UGS peut être positive ou négative, on choisit UGS = 0 au repos. Il en

résulte un circuit de polarisation très simple, appelé circuit de polarisation nulle.
Il n'est cependant utilisable que pour le IGFET normalement fermé.

xxxix
b- IGFET normalement ouvert:

Polarisation par réaction de drain.

RG est très grande, pour augmenter l'impédance d'entrée et pour protéger la grille
contre des surtensions.

2.2 Schémas équivalents en alternatif:

a- Troisième approximation:

xl
rDS est de plusieurs 10krGS est de plusieurs 100M.

b- Deuxième approximation:

On néglige toutes les

capacités.

c- Première approximation:

On néglige l'inverse de toutes les résistances.

2.3 Circuits à transistors à effet de champ:

2.3.1 Amplificateur à source commune:

Le circuit équivalent en alternatif réduit a généralement la forme suivante:

xli
a- Gain en tension:
On néglige rDS.
u2 = -RD iD = -RD gmuGS ; uGS = u1 - RS iD = u1 - RS gmuGS

b- Cas de RS = 0:

c- Cas général:
Dans le cas où RD est très élevée, on ne peut plus négliger rDS.

d- Relation entre gm et ID:

xlii
Cette relation permet de calculer gm connaissant le point de repos, afin de
déterminer le gain en tension.

e- Impédance d'entrée:

f- Impédance de sortie:

2.3.2 Amplificateur à drain commun:

Elle s'appelle aussi source suiveuse.

a- Gain en tension:
u2 = RS iD = RS gm uGS ; uGS = u1 – u2 = u1 - RS gm uGS
Donc: uGS = u1 / (1+RSgm) ; On remplace uGS par son expression dans u2:

b- Impédance d'entrée:

xliii
c- Impédance de sortie:

2.3.3 Amplificateur à grille commune:

a- Gain en tension:

b- Impédance d'entrée:

c- Impédance de sortie:

xliv
 Chapitre 4 : CONTRE-REACTION

La contre-réaction consiste à réinjecter à l’entrée une partie du signal de sortie.

La tension réinjectée s’oppose au signal d’entrée original. La contre-réaction
apporte de nombreux avantages.

4.1 Théorème de Miller :

xlv
Souvent la contre-réaction se fait par une branche contenant une résistance
reliant la sortie de l’amplificateur à l’entrée de celui-ci (voir figure ci-après).
L’amplificateur est un amplificateur inverseur (son gain en tension est négatif).
R

Amplificateur
v1 inverseur v2
(Gain = -A)

La branche de contre-réaction avec la résistance R complique le calcul des gains

et des impédances. Le théorème de Miller transforme le circuit pour faciliter ces
calculs.
Enoncé du théorème de Miller :
R

Théorème
de Miller
v1 -A v2 R -A R.A v2
v1
A+1 A+1

D’après Miller, on peut enlever la branche de contre-réaction, mais dans ce cas

il faut ajouter une résistance à l’entrée et une autre à la sortie dont les valeurs
sont données dans la figure ci-dessus à droite.
Exercice :
Soit le circuit ci-contre.
a- Calculer le gain en
tension du transistor
en boucle ouverte
(sans la branche de
R2).
b- Appliquer le
théorème de Miller.
c- Calculer le gain en
tension du transistor
en boucle fermée
(avec la branche de R2).
d- Calculer le gain en tension du montage en boucle fermée.
4.2 Les montages fondamentaux de la contre-réaction :

Il y a quatre montages fondamentaux de la contre-réaction. Ils sont représentés

dans la figure suivante :

xlvi
 ie
Amplifi- Amplifi-
cateur vs cateur vs

ve
Circuit de Circuit de
contre- contre-
réaction réaction

Montage série-parallèle (SP) Montage parallèle-parallèle (PP)

ie
Amplifi- Amplifi-
cateur is cateur is
ve
Circuit de Circuit de
contre- contre-
réaction réaction

Montage série-parallèle (SS) Montage parallèle-parallèle (PS)

Montage SP :
– L’entrée de l’amplificateur et la sortie du circuit de contre-réaction sont
en série.
– La sortie de l’amplificateur et l’entrée du circuit de contre-réaction sont
en parallèle.
– La grandeur qui commande est la tension d’entrée ve.
– La grandeur commandée est la tension de sortie vs.
– Il y a une relation fixe entre ve et vs.

Montage PP :
– L’entrée de l’amplificateur et la sortie du circuit de contre-réaction sont
en parallèle.
– La sortie de l’amplificateur et l’entrée du circuit de contre-réaction sont
en parallèle.
– La grandeur qui commande est le courant d’entrée ie.
– La grandeur commandée est la tension de sortie vs.
– Il y a une relation fixe entre ie et vs.

Montage SS :
– L’entrée de l’amplificateur et la sortie du circuit de contre-réaction sont
en série.
– La sortie de l’amplificateur et l’entrée du circuit de contre-réaction sont
en série.

xlvii
 – La grandeur qui commande est la tension d’entrée ve.
– La grandeur commandée est le courant de sortie is.
– Il y a une relation fixe entre ve et is.

Montage PS :
– L’entrée de l’amplificateur et la sortie du circuit de contre-réaction sont
en parallèle.
– La sortie de l’amplificateur et l’entrée du circuit de contre-réaction sont
en série.
– La grandeur qui commande est le courant d’entrée ie.
– La grandeur commandée est le courant de sortie is.
– Il y a une relation fixe entre ie et is.

Exemple :
Le circuit amplificateur non inverseur vu au chapitre 2 est un circuit de contre-
réaction de type SP, comme le montre la figure suivante :

R2
-
-

A0 A0
+ +
vs vs
ve ve
R2
R1 R1

Amplificateur

+ +

A0 A0
- -
vs vs
ve ve
R2 R2
R1 R1

Circuit de contre-réaction

4.2.1 Circuit SP :

1°/ Structure :
A A est le gain en tension de
e vs l’amplificateur en boucle ouverte.
ve
xlviii
B
vr
B est le gain en tension du circuit de contre-réaction. Ce circuit est souvent un
diviseur de tension. Généralement B est < 1.
e s’appelle tension d’erreur.
Le signal vr = B.vs qui sort du circuit de contre-réaction s’appelle signal de
réaction.
La tension d’erreur e est donc la différence entre le signal d’entrée ve et le signal
de réaction vr.

2°/ Gain en tension en boucle fermée du montage SP : (Voir cours)

Souvent le produit A.B est beaucoup plus grand que 1. Dans ces conditions, on
obtient :

1
ASP =
B
Remarque :
Le gain en tension A en boucle ouverte est très élevé mais il est instable et varie
avec la température, la charge, etc.
Le gain en tension ASP en boucle fermée ne dépend que du circuit de réaction.
Ce circuit contient généralement des résistances. Donc, le gain en tension ne
dépend que des résistances qui existent dans le circuit de contre-réaction. Les
valeurs de ces résistances ne varient pas sensiblement avec la température. En
plus, dans le cas des résistances de précision, elles ont des valeurs fixes et
précises. Le gain ASP est donc stable et précis.
Cependant, la valeur de ASP est beaucoup plus petite que celle de A.
Résumé :
Avec la contre-réaction SP, on échange un gain en tension élevé mais instable
contre un gain plus petit mais stable.

Explication physique :
Supposons que le gain en boucle ouverte A varie et diminue, la tension de sortie
diminuera aussi. Le signal de réaction vr lui aussi diminuera. Si la tension

xlix
d’entrée reste constante, la tension d’erreur augmentera (e = ve – vr), ce qui fera
augmenter la tension de sortie et comme ça la diminution initiale de vs sera
annulée par l’augmentation de e. Par conséquent la tension de sortie restera
constante. Le gain en boucle fermée restera donc le même. En résumé, même si
le gain en boucle ouverte A varie, le gain en boucle fermée reste stable.

Exercice :
L’amplificateur opérationnel du circuit
ci-contre est de type 741 qui a un gain
en tension en boucle ouverte de
200 000.
a- Calculer le gain en boucle fermée.
b- Si la tension d’entrée ve possède 1
mV comme amplitude, quelles
seront les amplitudes de vs et e ?
c- Supposons que le gain en boucle
ouverte A diminue de moitié, quelles seront les valeurs ASP et e ?

Facteur de sacrifice :
Par définition, le facteur de sacrifice S est le rapport du gain en tension en
boucle ouverte sur le gain en tension en boucle fermée. Son expression est :
A
S = = 1 + A. B
ASP

3°/ Impédance d’entrée du montage SP :

Explication physique :
On rappelle qu’une grande impédance d’entrée signifie qu’une petite variation
de la tension d’entrée n’engendre qu’une toute petite variation du courant
d’entrée. Inversement, une petite impédance d’entrée signifie qu’une petite
variation de la tension d’entrée
engendre une grande variation du
courant d’entrée.
Supposons que ve augmente. Le courant
ie augmentera aussi. L’augmentation de
ie implique l’augmentation de e. Donc
vs et vr augmentent à leur tour. Or,
l’augmentation de vr s’oppose à
l’augmentation de e. La tension e a
tendance donc à diminuer, ce qui réduit ie. Conséquence : L’augmentation

l
initiale de ie sera presque annulée. ie n’augmentera que très légèrement.
L’impédance d’entrée du circuit devient donc très élevée.
Calcul : (Voir cours)
zi est l’impédance d’entrée de l’amplificateur interne.
zi(SP) est l’impédance d’entrée de l’amplificateur avec contre-réaction SP.

On obtient : zi(SP) = (1 + A.B) zi

Résumé :
Avec la contre-réaction SP, L’impédance d’entrée est multipliée par la facteur (1
+ A.B) qui est bien supérieur à 1. zi(SP) tend vers l’infini.

4°/ Impédance de sortie du montage SP :

Explication physique : (Voir figue ci-dessus)
On rappelle qu’une petite impédance de sortie signifie qu’une variation du
courant de sortie n’engendre qu’une toute petite variation de la tension de sortie.
Inversement, une grande impédance de sortie signifie qu’une variation du
courant de sortie engendre une grande variation de la tension de sortie.
Supposons que is augmente, parce que la charge RL a diminué. La tension vs
diminuera. La diminution de vs implique la diminution de vr et une augmentation
de e. Or, l’augmentation de e engendre l’augmentation de vs.
Conséquence : La diminution initiale de vs sera presque annulée. La tension vs
restera presque constante, quand la charge et donc le courant is varient.
L’impédance de sortie du circuit devient par conséquent très faible.

Calcul : (Voir cours)

zo est l’impédance de sortie de l’amplificateur interne.
zo(SP) est l’impédance de sortie de l’amplificateur avec contre-réaction SP.

On obtient :

Résumé :
Avec la contre-réaction SP, L’impédance de sortie est divisée par le facteur (1 +
A.B). L’impédance zo(SP) tend vers zéro.

Exercice :
+ L’AO du circuit ci-contre
RG=1k A0 =
100 000 possède une impédance d’entrée
- de 1 M et une impédance de
ve ~ RL= vs
2k
100k
100
li
sortie de 300 . Calculer l’impédance vue par la source de signal et celle vue
par la charge RL.

5°/ Elargissement de la bande passante :

Un amplificateur ne peut pas amplifier toutes les fréquences. Il ne peut amplifier
que les signaux d’entrée ve dont la fréquence est comprise entre une fréquence
minimale fc1 et une fréquence maximale fc2. La fréquence fc1 s’appelle fréquence
de coupure inférieure. La fréquence fc2 s’appelle fréquence de coupure
supérieure. Les fréquences comprises entre fc1 et fc2 forment la bande passante
de l’amplificateur.
a- Expression du gain en tension en décibel :
On définit le gain en tension en décibel (dB) de la manière suivante :

Exemples :
A = 100 000 ; AdB = 100 dB
A = 200 000 ; AdB = 106 dB
A = 50 000 ; AdB =

b- Variation de AdB en fonction de la fréquence :

– 1er cas : Circuits passe-bas
Ils amplifient les fréquences de 0 Hz jusqu’à une fréquence fc
appelée fréquence de coupure. La bande passante dans ce cas est
comprise entre 0Hz et fc. Le diagramme de tels circuits possède
l’allure suivante :
AdB(dB)
100

80 Pente =
20 dB/décade
60

40

20

f (Hz)
0 1 10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M 1G
= fc

lii
 – 2ème cas : Circuits passe-haut
Ils amplifient les fréquences à partir d’une fréquence fc appelée
fréquence de coupure jusqu’aux très hautes fréquences. La bande
passante dans ce cas est comprise entre fc et l’infini. Le diagramme
de tels circuits possède l’allure suivante :
AdB(dB)
100 Pente =
20 dB/décade
80

60

40

20

f (Hz)
0 1 10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M 1G
= fc

– 3ème cas : Circuits passe-bande

Ils amplifient les fréquences à partir d’une fréquence fc1 appelée
fréquence de coupure inférieure jusqu’à une fréquence fc2 appelée
fréquence de coupure supérieure. La bande passante dans ce cas est
comprise entre fc1 et fc2. Le diagramme de tels circuits possède
l’allure suivante :

AdB(dB)
100

80

60

40

20

f (Hz)
0 1 10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M 1G
= fc1 = fc2

c- Influence de la contre-réaction SP sur la bande passante :

Considérons la fréquence de coupure fc2. Supposons que le gain en tension
interne diminue de moitié, parce qu’on a dépassé fc2. La valeur de A.B
restera encore nettement supérieur à 1. Donc, le gain en tension ASP
restera encore égal à 1/B. Même raisonnement peut être appliqué à fc1. Par
conséquent, la bande passante s’élargit avec la contre-réaction SP.
On peut démontrer que les nouvelles fréquences de coupure sont :

liii
 Représentation graphique :
Le changement des fréquences de coupure peut être constaté directement
sur le diagramme, comme le montre la figure ci-après.
On considère un circuit passe-bas où le gain en tension est passé de 80dB
à 20dB. La fréquence de coupure passe de 10kHz à 10MHz.

AdB(dB)
100 Gain en boucle ouverte

80

60
Diminution
du gain
40
Gain en boucle fermée

20

f (Hz)
0 1 10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M 1G
= fc = fc(SP)

Augmentation de
la bande passante

Chapitre 5 : LES MULTIVIBRATEURS

Un multivibrateur est un circuit électronique à réaction positive. Sa sortie ne

peut prendre que deux valeurs différentes. On distingue les multivibrateurs
bistables, monostables et astables.
Les multivibrateurs monostables produisent, après une impulsion de
déclenchement, à la sortie une impulsion unique avec une durée d'impulsion
bien définie. On les appelle aussi temporisateurs.
Les bistables possèdent deux valeurs stables. Ils gardent la valeur actuelle
présente à la sortie jusqu'à l’activation d’un signal de déclenchement. Après
l’activation de ce signal, la sortie bascule vers l’autre valeur stable qui reste à la
sortie jusqu’à l’activation d’un autre signal de déclenchement. Quand on active
celui-ci, la sortie du bistable revient à la première valeur stable. On les appelle
aussi bascules.

liv
Les multivibrateurs astables n’ont pas d’état stable. Ils ne possèdent aucun
signal de déclenchement externe à l'entrée du multivibrateur. Ils ont deux états
instables entre lesquels la tension de sortie oscille.
Les multivibrateurs peuvent être réalisés avec des amplificateurs opérationnels
ou avec des transistors.

5.1 Multivibrateurs à amplificateurs opérationnels :

(Voir TD)

5.2 Multivibrateurs à transistors :

5.2.1 Les astables :

Ils oscillent de manière autonome entre deux valeurs. Ils n’ont pas de signaux
d’entrée. Leur sortie prend périodiquement deux valeurs VCC et 0. Le signal de
sortie est un signal carré de fréquence et rapport cyclique fixes. On rappelle que
le rapport cyclique d’un signal carré est le rapport de la durée de la valeur VCC
sur la période de ce signal. Il est mesuré en %.
La figure suivante montre le montage de principe des astables.

Les deux transistors travaillent de manière opposée, quand l’un conduit, l’autre
est bloqué.
Au début, on suppose que le transistor T1 est saturé et le transistor T2 est bloqué.
Dans ce cas, vs1= 0, vB1=0,7V, vs2=VCC et vB2<0,7V. La capacité C2 commence
à se charger. La tension vB2 de la base de T2 augmente progressivement. Quand
vB2 atteint 0,7V, T2 devient saturé. La tension de son collecteur vs2 passe de
VCC (quand il était bloqué) à 0 (quand il devient saturé). La capacité C1

lv
transmet cette variation à la base de T1. La tension de la base de T1 passe de
0,7V à 0,7V–VCC. T1 devient bloqué et vs1 passe à VCC. Le même phénomène
se répète mais inversement.

On démontre que (voir cours) :

 Le condensateur C1 se charge à travers la résistance R1 pendant le temps :
1= R1C1 ln2 = 0,7 R1C1
 Le condensateur C2 se charge à travers la résistance R2 pendant le temps :
2= R2C2 ln2 = 0,7 R2C2
La durée des impulsions des sorties vs1 et vs2 dépendant donc des résistances R1
et R2 et des capacités C1 et C2.
 Leur période est égale à : T = 1 + 2 = 0,7(R1C1+R2C2)
 Leur fréquence est égale à : f = 1 /[0,7(R1C1+R2C2)]

5.2.2 Les monostables :

lvi
Ils possèdent un seul état stable. Ils ont une entrée de déclenchement. Quand on
active cette entrée, le monostable quitte l’état stable et passe un état où il reste
un temps bien déterminé. Après il revient à l’état stable.

lvii
A l’état stable, le transistor T1 conduit, le transistor T2 bloque. On a : vs1 = 0 ; vs2
= VCC.
Une impulsion positive de ve fait conduire T2. Son collecteur passe de VCC à
0V. C1 transmet cette chute de –VCC à la base de T1, qui devient saturé. On a :
vs2 = 0 ; vs1 = VCC.
C1 commence à se charger à travers R1. Pendant cette charge, la tension de la
base de T1 augmente progressivement jusqu’à atteindre la valeur 0,7V qui va le
faire conduire. vs1 repasse à 0 et fait bloquer T2. Cette situation correspond à
l’état stable.
La durée de l’impulsion négative de vs1 et de l’impulsion positive de vs2 est
égale à :
 = 0,7 R1C1

5.2.3 Les bistables :

Ils possèdent deux états stables. Ils ont deux entrées de commande. Quand on
active une entrée, le bistable passe à un des deux états stables. Quand on active
l’autre entrée, il passe à l’autre état stable.

Dans un état (état 1), la tension vs2 est égale à VCC et la tension vs1 est égale à
0V. Dans l’autre état (état 2), la tension vs2 est égale à 0V et la tension vs1 est
égale à VCC.

lviii
Supposons qu’initialement le bistable se trouve à l’état 1. T2 est bloqué, T1 est
saturé. Avec une impulsion positive sur ve2, T2 se sature et vs2 retombe à 0.
Puisque vs2 et ve1 sont maintenant toutes les deux nulles, T1 se bloque et vs1
prend la valeur VCC. C’est l’autre état stable (état 2). On applique le même
raisonnement pour passer de l’état 2 à l’état 1, sauf que cette fois-ci, il faut
injecter l’impulsion positive sur ve1.

Etat 1 Etat 2
Etat 1

Etat 1 Etat 2
Etat 1

lix