Transistors bipolaires et Applications

c- Impédance de sortie
Pour éviter de longs calculs inutiles, on ne tiendra pas compte de la résistance du générateur d'attaque Rg.
Du circuit de sortie, on peut tirer l'équation suivante : vs = RC ( is − β ib )
ve β RC
ib = −  vs = RC is + ve
h11e h11e
C'est l'équation du générateur de Thévenin de sortie : on en déduit que Zs = Rc.
Si on fait le calcul en tenant compte du générateur d'entrée, on démontre que le résultat reste le même, seul le
terme multiplicatif de eg va changer dans l'expression de la tension de sortie du générateur de Thévenin, et le
terme multiplicatif de is reste Rc.
On aurait pu prévoir ce résultat, car l'entrée est séparée de la sortie par un générateur de courant qui présente
une impédance infinie (en pratique égale à 1/h22e, qui est très grand) : du point de vue des impédances, on se
retrouve avec l'entrée séparée de la sortie.
Bilan. Utilisation du montage.
Les caractéristiques sont donc les suivantes :
- même gain en tension que pour l'émetteur commun (plusieurs centaines).
- impédance d'entrée très faible : quelques dizaines d'Ω.
- impédance de sortie moyenne : quelques k Ω, la même que pour l'émetteur commun.
En pratique, ce montage sera très peu utilisé, sauf en haute fréquence où il va présenter une bande passante
supérieure à celle du montage émetteur commun.
Remarques fondamentales.
Il faudra garder à l'esprit ces deux remarques fondamentales, qui permettront d'évaluer grossièrement mais
sans calculs les impédances des montages à transistors :
- tout ce qui est vu de la base et situé en aval de l'émetteur est multiplié par le gain en courant.
- tout ce qui est vu de l'émetteur et situé en amont de celui-ci est divisé par le gain en courant.
Ces remarques sont fondamentales par le fait qu'on peut évaluer très rapidement les potentialités d'un montage
sans faire de calculs sur le schéma alternatif petits signaux, qui, on l'a vu, sont particulièrement pénibles, et ne
donnent pas beaucoup plus de précision que ce que l'on peut déterminer très simplement.
Cette façon d'appréhender les choses permet à l'électronicien de bâtir un schéma rapidement sans se noyer
dans les calculs, et aussi, permettent de mieux comprendre le fonctionnement d'un étage à transistor, autrement
que par le biais d'équations.

8.3- Fonction commutation

Soit le montage de la figure 8.29:
L’état de la lampe L dépend de l’état du transistor (bloqué
ou saturé); donc de l’état de l’interrupteur K.
 Si K est ouvert: IB = 0 donc L éteinte.
 Si K est fermé: IB ≠ 0 donc L allumée.
Le transistor joue le rôle d’un interrupteur ouvert lorsqu’il
est bloqué, d’un interrupteur fermé lorsqu’il est saturé. Fig.8.29 : Transistor fonctionnant en commutation

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Interprétation
Les points de fonctionnement du transistor sont
choisis dans les zones de blocage et de
saturation.
 Dans la zone de saturation :
VCE = VCEsat ≈ 0 et IC =ICsat = ICmax .
Le transistor est dit saturé.
 Dans la zone de blocage :
VCE ≈ VCC et IC ≈ 0.
Le transistor est dit bloqué.
Fig.8.30 : Zones de fonctionnement en commutation
Lorsque le transistor fonctionne en commutation parfaite son point de fonctionnement est :

 Soit en S, le transistor est parfaitement saturé : VCE = 0 et IC = ICsat ≠ 0.

Le transistor est équivalent à un interrupteur fermé (figure 8.31).
 Soit en B, le transistor est parfaitement bloqué : VCE = VCC ≠ 0 et IC = 0.
Le transistor est équivalent à un interrupteur ouvert (figure 8.32).

Fig.8.31 : Transistor saturé Fig.8.32 : Transistor bloqué

8.4- Exemples de réalisation de fonctions logiques

8.4-1- Fonction logique
a-Schéma de principe

L’état du transistor (passant ou bloqué) dépend de l’état de l’interrupteur e (fermé ‘1 logique’ ou ouvert ‘0
logique’).
b-Table de fonctionnement

c-Equation logique: s = ………

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8.4-2- Fonction logique

a-Schéma de principe

Les diodes Di sont identiques et ont pour tension de seuil 0,7 V. Le transistor T fonctionne en commutation.
Sa tension VBE = 0,7 V lorsqu’il est saturé. RC et RB sont choisies de façon que VCEsat = 0 V.
b- Table de fonctionnement Table de vérité

c-Equation logique: S = ………

8.4-3- Utilisation du transistor dans la commutation de puissance

Le transistor fonctionne en commutation et son état dépend du signal présent coté Base.

8.5 Exercices
Exercice n°1

Soit le montage ci-contre.

1) Sachant que VBE = Uj, donner les expressions des courants IB, IC et IE,
ainsi que les tentions UE, UC, et VCE.
2) Sachant que U peut varier de 0 à 10V, tracer sur un même graphe UC
et UE en fonction de U.

On donne : Uj = 0.7V, R1 = 4.7kΩ, R2 = 2.7kΩ, R3 = 200kΩ, b= 200 et

VCC = 10V.

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Exercice n°2
Dans le schéma de la figure 2, chacune des tensions V1 et V2
peuvent prendre des valeurs 0 ou 5V.
1) Calculer la valeur de la tension Vs dans le cas où on a
V1 = V2 = 0.
2) Calculer la valeur de la tension Vs dans le cas où une seule
des tensions V1 et V2 est égale à 5V.
3) Calculer la valeur de la tension Vs dans le cas où toutes les
tensions V1 et V2 sont égales à 5V.
4) Conclure sur la fonction réalisée par ce montage.
On donne : le gain en courant du transistor b = 100.

Exercice n°3
Le montage de la figure ci-contre est un amplificateur à deux
étages. Le point de polarisation du transistor T1 désiré est IC =
1 mA et VCE = ECC/2.
1) Calculer les résistances de polarisation du transistor T1
sachant que RC1 = 4 RE1 et que le courant dans R1 est IR1 =
19 IB1.
2) Déterminer le point de polarisation du transistor T2.
3) Tracer la droite de charge statique du premier étage.
4) Réaliser le schéma équivalent de ce montage en régime
dynamique de petits signaux. On utilisera le model
simplifié du transistor.
5) Tracer la droite de charge dynamique du premier étage si l’ensemble formé par le deuxième étage et le
condensateur C2 est remplacé par une résistance de charge RL = 100 kΩ. On donne VBE = 0,7 V ; β = 100
et ECC = 15 V.

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