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TP05 : Le transistor bipolaire en commutation et application à la famille logique TTL.

But : L’objet de cette séance est l’étude du transistor en commutation et la mise en œuvre des principales
caractéristiques de la famille logique intégrée TTL.

Rappel
On dispose d’un circuit intégré du type 7404 comportant 6 inverseurs TTL. La tension d’alimentation est
fixée à Vcc = 5 V. Chaque inverseur correspond au schéma électrique représenté sur la figure 2.
Q1 est le transistor de porte, l’ensemble Q2, Rc et RE constitue un déphaseur à charge répartie. L’étage
de sortie regroupant les éléments Q3, Q4, Rc1 et D1 est un émetteur suiveur ’’ totem pole‘’, il a la propriété
de présenter une sortie basse impédance pour les deux niveaux logiques. Le rôle de la diode D1 est
d’éviter qu’en régime permanent les deux transistors Q3 et Q4 conduisent en même temps (ce qui se
produit au moment de la commutation). Quant à la diode D, elle protège le circuit d’entrée en limitant
l’excursion négative de la tension appliquée sur l’émetteur du transistor de porte Q1.
La puissance fournie par l’alimentation dépend de l’état logique de l’inverseur, de plus elle augmente
assez fortement pendant la commutation. On l’évalue en moyenne à 10 mW.
On prend Vcc = 5V et pour le transistor : min = 50; VCEsat ≈ 0.1 V; RCEsat = 10 ; VBEsat ≈ 0.8 V et RBEsat = 100
On rappelle que le transistor est saturé lorsque IC <  minIB et que IB = Ic = 0lorsque il est bloqué.

Q3

Q1 Q2

D Q4

Figure 1 Figure 2

A. PARTIE THEORIQUE
A1 L’inversur logique à un transistor (figure 1)
A1.1. Expliquez le fonctionnement du circuit de la figue 1 et représentez graphiquement Vs en fonction de
Ve pour 0 ≤ V ≤ Vcc, en déduire la fonction logique réalisée par ce circuit. (On mettra en évidence les trois
zones de cette caractéristiques).
A1.2 Déterminez la résistance de sortie du circuit selon l’état du transistor Q1 (bloqué ou saturé).
A1.3 On branche un condensteur de capacité C entre la sortie et la masse avec une tension d’entrée TTL.
Donnez l’expression de la constante du temps de charge c (lorsque le transistor est bloqué) et celle de la
décharge d (lorsque le transistor est saturé). En déduire l’inconvénient de cette porte logique.
Représentez alors les tensions Ve(t) et Vs(t).

A2. L’inverseur complet (figure 2)

A2.1 Déterminez la résistance de sortie vue au point S selon que le transistor Q4 est bloqué ou saturé.
A2.2 En déduire la constante de temps de la charge 'c (Q4 bloqué) et celle de la décharge 'd (Q4 saturé).
A2.3 Comparez 'c à c et 'd à d en déduire l’intérêt de l’étage de sortie (D1, Q3 et Q4).

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B. PARTIE SIMULATION
B1. Saissez le schéma du circuit de la figure 1 et paramétrer le simulateur en DC sweep.
B2. Relevez la caractéristique de transfert Vs = f(Ve). En déduire la fonction réalisée par ce circuit.
D’après cette caractéristique on demande de :
a- mettre en évidence et expliquer les différentes zones que présente cette caractéristique,
b- déterminer le gain en tension A0 dans la zone de transition,
c- déterminer la valeur de la tension de transition VT (lorsque Ve = Vs).

B3. Ve étant un signal TTL (rectangulaire: 0-5V) de fréquence 1 kHz, représentez Ve(t) et Vs(t).
B4. Branchez un condensateur de capacité 0.1F entre la sortie et la masse et représentez à nouveau
la tension Vs(t). En déduire l’effet de la capacité sur la réponse du circuit et l’inconvénient de ce circuit.
B5. Reprenez les quetions B2, B3 et B4 en utilisant le circuit de la figure 2.
B5. Comparez les deux circuits.
B6. Reprenez les questions B2, B3 et B4, en considérant un inverseur du circuit 7404.
B7. Comparez les résultats avec ceux obtenus pour le circuit de figure 2. Conclusion.

C. PARTIE PRATIQUE
C1. L’inverseur logique à transistor (figure 1)
C1.1 Réalisez circuit de la figure 1 avec une tension d’entrée Ve triangulaire de fréquence 100 Hz et
d’amplitude comprise entre 0 et 5V. (Régler l’offset du générateur pour avoir Ve ≥ 0).
C1.2 A l’aide de l’oscilloscope, relevez la caractéristique de transfert en tension Vs = f(Ve).
En déduire la fonction réalisée par ce circuit.
D’après cette caractéristique on demande de :
a. mettre en évidence et expliquer les différentes zones que présente cette caractéristique,
b. déterminer le gain en tension A0 dans la zone de transition,
c. déterminer la valeur de la tension de transition VT (lorsque Ve = Vs).
C1.3 Pour une tension d’entrée T.T.L. et de fréquence 50 kHz, relevez les tensions d’enrée Ve(t) et de sortie
Vs(t) et mesurez la valeur de chacun des temps suivants : td, tr et tf.
C1.4 Pour la même entrée TTL, branchez un condensateur de capacité 100 pF entre la sortie et la masse et
représentez les tensions Ve(t) et Vs(t). En déduire l’inconvénient de cette porte.

C2. L’inverseur TTL 7404 de la série 74xx

Dans cette question on considère un inverseur du circuit 7404,
C2.1 A l’aide de l’oscilloscope, relevez la caractéristique de transfert en tension Vs = f(Ve).
a. mettre en évidence et expliquer les différentes zones que présente cette caractéristique,
b. déterminer le gain en tension A0 dans la zone de transition,
c. déterminer la valeur de la tension de transition VT (lorsque Ve = Vs).
C2.2 Pour une tension d’entrée TTL de fréquence 50 kHz, relevez les tensions d’enrée Ve(t) et de sortie
Vs(t) et mesurez la valeur de chacun des temps suivants : td, tr et tf.
C2.3 Pour la même entrée TTL, branchez un condensateur de capacité 100 pF entre la sortie et la masse et
représentez les tensions Ve(t) et Vs(t). Comparez à la question C1.4.
C2.4 En bouclant sur eux-mêmes un nombre impair d’inverseurs (on pourra prendre ici 5) on réalise un
montage astable. Expliquez pourquoi et mesurez la période du signal obtenu en déduire la valeur du temps
de traversée moyen  de cet inverseur.

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