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Objectif : Maitriser le principe de fonctionnement des diodes : Diodes de redressement et Diodes Zéner.
Contenu : Circuits à diodes :
Redressement simple et double alternance,
application à la stabilité de tension par la diode Zener,
écrêtage.
Logiques à diodes
Fonction de commutation
Les diodes spéciales.
Dans cette partie, nous s’intéressons à la base de fabrication et de fonctionnement d’une diode à jonction tout
en caractérisant sa réponse pour différente méthode de polarisation.
En général, on admet les modèles de fonctionnement suivants de la diode :
Le modèle de diode dite parfaite (représenté sur la figure 7.2 (a)) :
− diode polarisée en sens direct : VD = 0.7V , ∀I ; la diode est dite passante.
− diode polarisée en sens inverse : I = 0, ∀VD ; la diode est dite bloquée.
Si on considère que la tension de 0,7 V est négligeable devant les autres tensions du circuit, on obtient
alors le modèle de la diode dite idéale, dont la caractéristique est schématisée sur la figure 7.2 (b)
Si on souhaite un modèle plus proche de la caractéristique de la diode réelle, on peut adopter le modèle
dit modèle dynamique représenté sur la figure 7.2 (c) : on considère que cette caractéristique est formée
de deux segments de droite :
7.1- Le redressement
Le but du redressement est la transformation des tensions alternatives en tensions continues pour alimenter
les charges qui doivent être alimentées toujours dans le même sens.
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Diodes et Applications et Applications
De loin la plus importante des applications de la diode, elle est liée au fait que, dans tout système électronique,
l’alimentation est toujours une tension continue. Or, la distribution de puissance se fait sous forme alternative.
Il sera donc nécessaire de convertir les signaux alternatifs en signaux continus.
La tension alternative dont on dispose est à valeur moyenne nulle donc, ne présente pas de composante
continue. Il va donc falloir, dans un premier temps faire en sorte d’obtenir un signal à valeur moyenne non
nulle. C’est le but de l’opération de redressement.
On constate sur la figure ci-dessus que la tension redressée est toujours positive mais elle est encore loin d’être
continue. Calculons sa composante continue qui n’est rien d’autre que sa valeur moyenne :
1 2π 1 2π vˆ π vˆ vˆ
[ − cos θ ]0 =
π
VR (t ) = VR (t ) dt = vˆ sin θ dθ = sin θ dθ =
2π 0 2π 0 2π 0 2π π
A l’instant θ = 3π/2, la tension inverse aux bornes de la diode atteint sa valeur inverse maximale :
Si on prend le point milieu du transformateur comme référence, les tensions de sortie du transformateur V1 et
V2 sont en opposition de phase (Figure ci-dessous).
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Diodes et Applications et Applications
Pendant l’alternance positive de V1, (négative de V2), la diode D1 conduit et alimente la charge alors que la
diode D2 est bloquée VR = V1.
Pendant l’alternance négative de V1, (positive de V2), la diode D1 est bloquée alors que la diode D2
conductrice, alimente la charge VR = V2. La charge se trouve ainsi alimentée pendant les deux alternances.
La tension VR est représentée sur figure ci-dessous.
(a) Première alternance
(b) Deuxième alternance
La composante continue de la tension VR (valeur moyenne) a doublé par rapport au redressement simple
2vˆ
alternance : VR (t ) =
π
On obtient donc une amélioration notable du rendement. Ce système est utilisé dans tous les redresseurs; on
lui adjoindra une capacité en parallèle avec la résistance afin d’obtenir une valeur quasi continue ainsi qu’un
ensemble de régulation permettant de compenser instantanément des variations pouvant apparaître au niveau
de l’utilisation. Ce montage est la base des alimentations stabilisées.
• Montage à point milieu : Pendant la première alternance, la diode D2 est bloquée, la tension inverse
à ses bornes atteint sa valeur max à l’instant θ = π/2, VD = V2 - V1 = -E - E = -2E. Pour la diode D1,
cette valeur est atteinte à l’instant θ = 3π/2.
• Montage à pont : Pendant l’alternance positive de Ve, les diodes D3 et D4 sont bloquées, la tension
inverse à leurs bornes atteint sa valeur max à l’instant θ = π/2, VD3 = VD4 = 0 - Ve = 0 - E = -E.
La tension VR aux bornes de la charge n’est pas tout à fait continue, mais comporte une ondulation d’amplitude
ΔV qui est d’autant plus faible que la valeur de C est élevée (voir figure ci-dessous).
Essayons de déterminer
l’expression de l’ondulation ΔV et
de la valeur moyenne VR.
L’équation de VR pendant la
t
−
décharge est VR = Vˆe e RLC . Si on
note E’ la valeur de VR à l’instant t
= a, on aura 2ΔV = Vˆe - E’. Si la
valeur de C est importante, la
décharge dure quasiment toute la
période T et on aura :
Fig. 7.6 : Tension VR avec R=100 Ω et C=2200 μF
−
T
−
T
2∆V = Vˆe − E ' = Vˆe − Vˆe e RL C
= Ve 1 − e
ˆ RL C
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Diodes et Applications et Applications
T
Le terme − est faible devant l’unité, on peut donc faire un développement au premier ordre de
RL C
T Vˆe
2∆V = Vˆe 1 − 1 −
∆ V = - l’amplitude de l’ondulation
RL C 2 RL Cf
Vˆe 1
La valeur moyenne de la tension obtenue est : eV = V ˆ
e − ∆V = Vˆ
e − = Vˆe 1 −
2 RLCf 2 RL Cf
En général la résistance RL n’est pas connue et c’est plutôt le courant moyen IL fourni par l’alimentation ainsi
obtenue qui permet de la caractériser. Sachant que Ve est voisine de Vˆe , on peut écrire Vˆe = RL I L à la place
de Ve = RL I L qui donne
Vˆe IL I
RL = ∆V = et Ve = Vˆe − L
IL 2Cf 2Cf
Application numérique :
E = 9V, f = 50 Hz, C = 4700 μF ΔV = IL / 0.47
Dans le cas du redressement double alternance, l’amplitude de l’ondulation est divisée par 2, en effet,
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Diodes et Applications et Applications
−
T
−
T
2∆V = Vˆe − E ' = Vˆe − Vˆe e 2 RL C
= Vˆe 1 − e L C
2 R
En utilisant la même approximation pour l’exponentielle, on obtient :
Vˆe I
∆V = = L
4 RL Cf 4Cf
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Diodes et Applications et Applications
2) e1 = e2 = -5 V; les deux diodes conduisent car la tension à leurs bornes est théoriquement supérieure
à 0,6 V (-5 V sur la cathode et + 10 V sur l’anode). La tension de sortie est donc égale à la tension
d’entrée décalée de 0,6 V soit : s = -4,4 V (« 0 » logique).
3) e1 = +5 V, e2 = -5 V où e1 = - 5 V, e2 = +5 V
Il va falloir, dans ce cas faire une hypothèse sur l’état des diodes. Trois cas sont possibles :
• Les deux diodes sont bloquées → cette hypothèse est irréaliste compte tenu de ce qui vient d’être
écrit (tension > 0,6 V).
• Les deux diodes conduisent → les anodes sont communes (même potentiel) il est donc impossible
que deux diodes ayant des tensions différentes sur leurs cathodes puissent être conductrices
simultanément.
• L’une conduit l’autre est bloquée ; c’est la seule hypothèse plausible. La diode qui conduit sera celle
qui a la tension maximum à ses bornes, c’est à dire celle sur laquelle on applique la tension de –5 V.
On vérifie rapidement que la sortie vaut alors –4,4 V ce qui correspond bien à un blocage pour
l’autre. La sortie est alors au « 0 » logique.
La table de vérité qui en découle est donc
Ce phénomène est de très bonne qualité pour des dopages correspondant à des tensions de claquage situées
entre 5 et 6 V. De plus, on associe souvent une diode en direct avec une diode « zener ». Ceci présente un
avantage important car l’effet zener présente un coefficient de température positif alors que pour une diode en
direct, le coefficient de température est négatif. On a donc des dispositifs parfaitement stables en température.
Il suffira pour ce de réaliser deux jonctions en série. La figure suivante montre la réalisation d ce dispositif.
Pour amplifier le phénomène, on utilise des dopages dont le profil est tel que la dimension varie de façon
maximale pour une variation de tension donnée. Ces profils varient généralement suivant des fonctions du
type hyperboliques. On parle de jonctions hyper-abruptes.
Ces dispositifs sont souvent utilisés pour piloter des oscillateurs dont on fait dériver la fréquence, au rythme
d’un signal basse fréquence, autour d’une fréquence centrale (modulation de fréquence). La représentation
symbolique est montrée ci- dessous ;
Le montage classique d’utilisation est représenté ci-dessous.
Symbole :
Fig. 7.13 :
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Diodes et Applications et Applications
Fig. 7.14
Fig. 7.15
Nous allons chercher à établir les équations
permettant de représenter les évolutions de la tension aux bornes de la diode et du courant dans cette dernière
en fonction du temps. Pour ce, il est nécessaire de pouvoir modéliser la diode dans les différentes phases du
processus de commutation :
1) t < t 0; v(t ) = - Ei – la diode est bloquée.
2) t 0 - ε < t < t0 + ε ; v(t ) passe de - Ei à ED – la diode passe d’un état bloqué à un état conducteur.
3) t0 < t < t1 , v(t ) = ED – la diode est conductrice.
4) t1 - ε < t < t1 + ε ; v(t ) passe de ED à - Ei – la diode passe d’un état conducteur à un état bloqué.
Il faut donc modéliser notre circuit dans chacune de ces phases.
b- La diode se débloque
Le passage de l’état bloqué à l’état conducteur va se faire en deux phases :
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Diodes et Applications et Applications
• Une première phase pendant laquelle la diode sera toujours bloquée. Elle correspond à la charge de la
capacité de transition et existera durant le temps pendant lequel la tension aux bornes de la diode sera
comprise entre –Ei et la tension de seuil V0 de la diode (V0 ~0,6 V).
• Une deuxième phase pendant laquelle la diode sera conductrice.
Dans la première phase de la commutation, la tension d’entrée va passer, de manière quasi instantanée, de la
valeur –Ei à la valeur ED. La capacité de la charge d’espace va donc évoluer en fonction du temps puisque la
tension aux bornes de la diode va suivre la tension d’entrée tout au moins tant que la diode sera bloquée.
Cette évolution de la tension entraîne une évolution de la capacité qui varie donc avec le temps. Doit-on
prendre en compte la capacité au départ (pour v(t) = -Ei), à la fin de la période de blocage (v(t) = V0)…; pour
pouvoir faire un calcul de manière relativement simple, on calcule une valeur moyenne de la capacité pendant
cette période de blocage. Celle-ci s’exprime par une relation qui s’écrit :
1 V0 ε Aj
CT =
Ei + V0 − Ei
2ε
dV
(V − V )
qN *
qui s’écrit
1 ε Aj V0 −
1
CT =
Ei + V0 2ε − Ei
(V − V ) 2 dV
qN *
ε Aj
V0
1 1
= − 2(V − V ) 2
Ei + V0 2ε − Ei Fig. 7.16
qN *
on obtient
1 2ε Aj 1 1
CT = (V + E ) 2
− (V − V ) 2
Ei + V0 2ε
i 0
qN *
Tout se passe donc comme si on avait un circuit R
C aux bornes duquel on applique un signal variant
de –Ei à ED. La capacité CT va donc se charger à
travers la résistance R suivant une loi du type :
t
−
VD (t ) = Ae RCT
+B
A et B sont déterminés à partir des conditions
initiales et finales qui sont :
pour t ≤ t0 , VD (t0 ) = A + B = − Ei
pour t ∞, VD (∞) = B = ED A = −( ED + Ei )
t
−
VD (t ) = −( ED + Ei )e RCT
+ ED
La diode va donc mettre un temps td –t0 avant de conduire. Ce temps est généralement appelé « temps de délai
». A partir de là, le modèle de la diode devient constitué de la résistance dynamique et de la capacité de
diffusion. Tout se passe comme si cette capacité CD se chargeait à la valeur ED.
Nous pouvons, dans un même temps tracer la variation
du courant. Lorsque la tension d’entrée passe de –Ei à ED,
la capacité se comporte comme un court-circuit. Le
courant est donc maximum et vaut (Ei+ED)/R. La
capacité va ensuite se charger et le courant va décroître
jusqu’à (ED –V0)/R.
c- La diode conduit.
Nous venons de voir que, lorsque la diode conduit, elle
peut être représentée par son modèle équivalent en
polarisation directe c’est à dire, la capacité de diffusion
en parallèle avec la résistance dynamique. Cette capacité
de diffusion a emmagasiné une charge qui correspond à
la tension ED. Le courant qui circule dans la diode permet
de calculer la valeur de la résistance dynamique. Le Fig. 7.18
système est stable tant que la tension d’entrée n’évolue
pas.
d- La diode se bloque
Comme pour le déblocage, le blocage de la diode
va s’opérer en deux phases.
Dès que la tension théorique aux bornes de la diode devient égale à V0, la diode se bloque. Le modèle redevient
celui du fonctionnement en inverse c’est à dire la capacité de transition. La fin du processus de commutation
correspond à la décharge de la capacité de transition qui va passer de V0 à –Ei. Le courant va alors tendre
exponentiellement vers 0.
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Diodes et Applications et Applications
Fig. 7.20
7.5- Exercices
Exercice n°1 :
On considère le schéma ci-contre :
a) Exprimez la valeur minimum de VEmax (en
fonction de E0, R1 et R2) qui assure la
conduction des diodes.
b) E0 = 4V, VE = 16. sin (100.ℼ.t), R1 = R2 = 1 kΩ.
En prenant pour echelles : 1cm pour 2V, et 1cm
pour 5mA, tracez le graphe de VS et I.
Exercice n°2 :
Soit le circuit représenté à la figure 7.21. On considère une
tension secondaire efficace de 24 volts.
On donne R = 100 Ω et C = 1000 μF. Fig. 7.21 :
1) Calculer le taux d’ondulation du signal filtré.
2) Concevoir de nouveau le filtre à condensateur en tête du circuit redresseur de façon que le taux
d’ondulation soit de 1%.
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Diodes et Applications et Applications
Exercice n°4 :
1) A quoi consiste le redressement d’un signal ?
2) Produire un schéma de montage permettant le redressement d’un signal
sinusoïdal u = UM sinωt à l’aide d’un pont de Graetz. Fig. 7.22 :
3) Donner le Principe de fonctionnement et représenter le signal de sotie uS.
4) Pour stabiliser le signal de sortie le schéma de la figure 7.16 a été utilisé ;
a) donner le schéma équivalent de ce montage avec une résistance RZ de la diode Zener non négligeable ;
b) donner l’expression de uS en fonction de u, UZ, RP et RZ ;
c) Déterminer le coefficient de régulation K à courant de
∆u
sortie iS constant : K = s
∆u
Fig. 7.23
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