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Plan du cours
1. Les Diodes
2. Les Transistors
→ Bipolaire
3. Amplificateurs Opérationnels
4. Circuits pour le traitement analogique des signaux
→ Filtrage actif
→ Oscillateur
Définition 1: Une diode redresseuse est constitué par un cristal comportant une jonction
PN. Si le cristal dopé est du Silicium, on obtient une diode Silicium. Si le cristal dopé est
du Germanium, on obtient une diode Germanium.
Définition 2: Une diode redresseuse est un composant électronique qui laisse passer le
courant dans un seul sens.
k .T
=
U q
I = I R exp − 1
k : Constante de Boltzmann, k = 1,38.10-23
q : Charge de l’électron, q = 1,6.10-19
T : Température Absolue en °K
Ons Ben Rhouma 3
INDP1
Caractéristique de la diode IF R
I
(0..5V)
(0..1V)
E −U
U E = R.I + U I =
R
E I = I R exp
U
− 1
250
Exemple VF = − RI F + VCC
5V V
V CC F
I F = 20 mA pour VF = 0
I F = 16 mA pour VF = 1V
IF (mA)
25
Point de fonctionnement
20
I F repos 17.4 mA
16 mA
15
10
0
0 .2 0 .4 0 .6 0 .8 1
0 V AK
0.66 V VF (V)
V F repos
Régime dynamique
Considérons le montage suivant : e(t)=Eo sin(wt) : tension sinusoïdale de faible amplitude
I R
I = I0 + i
U
E
V = V0 + v
e(t) ~
I0 R i R rd
V0 e(t) ~ v
E
+
Résistance différentielle
Le régime statique nous donne le point de fonctionnement : M(I0,V0).
Pour le régime dynamique, nous avons :
E = R.I + V 0 = R.i + v
IR V I
I = exp V i = v
V
rd = =
I M I 0
Approximation de la diode
K Vs
rd
Filtrage
Écrêtage
Stabilisation
R Vout
V1 V2
Vp
Vout (t)
D1
V1
D2 R Vout
Vout (t)
D4 D1
220 V V2
D3 D2 R Vout
220 V V2
Pendant
D3 R
Vout l’alternance
positive
D4
Pendant 220 V V2
l’alternance D2 R Vout
négative
Vout (t)
V1 C R Vout
V2
V2 (t)
• entre [0, t1], la diode est
passante, le condensateur se
VP charge jusqu’à VP.
• à t1+, V2 commence à se
t1 décroître et le condensateur se
t2
décharge à travers R avec une
constante de temps R.C et
Vout (t) continue à se décharger jusqu’à
l’instant t2.
• à t2+, V2 > Vc , la diode se
remet à conduire jusqu’à VP et le
condensateur se recharge jusqu’à
VP et le cycle recommence.
Ons Ben Rhouma 20
INDP1
Écrêtage positif
V
D V
1
V
2
V1 R V2 t
0
Écrêtage
R négatif
V1 D V2
V 1
V 2
t V t
s
0 0
Diode Zener
Définition : Une diode Zener est conçue pour fonctionner en inverse
dans la zone de rupture.
→ En polarisation directe : elle se comporte comme une diode
redresseuse.
→ En polarisation inverse : lorsque la tension inverse atteint la tension
Zener VZ, le courant inverse est appelé : courant de Zener.
VR (V)
0
IR (nA)
1ère Modélisation
I F (mA)
rd
Vs
V BR V F (V)
0
Vs
rz
VBR
2ème Modélisation
I F (mA)
Vs
V V F (V)
Z 0
Vs
VZ
Quelques montages
En série
Z1 Z2 Z
IZ IZ
V1 V2 V=V1+V2
En parallèle
Z1
IZ
Z
2.IZ
VZ
IZ
VZ
R IU
E DZ RL VU
T
D4 D1
Veff RS
220 V VS
50 Hz
D3 D2
DZ
C RL
1N4739
18:1
Plan du cours
1. Les Diodes
2. Les Transistors
→ Bipolaire
3. Amplificateurs Opérationnels
4. Circuits pour le traitement analogique des signaux
→ Filtrage actif
→ Oscillateur
Diode P Diode
N
Collecteur Collecteur
B (Base) N
B (Base) P
B B
N Diode P Diode
Emetteur Emetteur
E (Émetteur) E (Émetteur)
E E
C (Collecteur)
inverse
IC
e- N IB
VCB
e-
B (Base) e- P B
directe IE
VBE N
e-
e- E
E (Emetteur)
Effet transistor :
1. Lorsque VBE > Vseuil, le champ externe appliqué accélère les électrons vers la base,
d’où la création du courant IE.
2. Une faible proportion d’électrons venant de l’émetteur se combinent avec les trous
de la base (couche mince) puis s’écoulent en passant de trous en trous vers la base,
d’où la création d’un faible courant IB.
3. La majorité d’électrons venant de l’émetteur vont être évacués vers le collecteur,
d’où la création du courant IC.
L’effet transistor indique l’existence d’un courant collecteur malgré que la
jonction base-collecteur est polarisée en inverse.
Ons Ben Rhouma 31
Montages de base d’un transistor INDP1
IC IE
IC
IC
IB VCB
IB
VEB VCE
VCE VCB
VBE IB
IE
IE
Gain statique
IB
IC
IB
C IC = I B IB
B
VCE
E
I E = IC + I B
IE (+1)IB
→ IC dépend de VCE.
→ IC dépend de IB : I
C = .I B
→ IB dépend de VBE
Transistor en
Émetteur
commun
Circuit d’attaque Circuit de charge
IC
IB
….
VBE
1 mA VCE
0 0,7 V
0 1V
Caractéristique de base
Caractéristique collecteur
IC
IB
0
Caractéristique gain en courant
Droite de charge:
VCE = VCC − ( RC + RE ) I C
IC I E
RB RC
C
B VCC − Vs
VCE
VCC = VBE + RB I B RB =
E
IC
VCC IC
RTH = R1 // R2
IC
RC
R2
R1 RC B C ETH = VCC
RTH R1 + R2
C
VCE R1 // R2
B VCE
iB
= VCC
E R1
E ETH RE
R2 RE
VCC
IC
RB RC
B VCE
Étude statique:
Capacités de liaison
et de découplage
équivalents à des
circuits ouverts
Étude dynamique :
•Court-circuiter la source de tension continue à la masse
V VBE I I C
= BE + dI C = C B
.dI + .dVCE
dVBE B
.dI .dVCE I B VCE
I B VCE
V V IC IC
VBE = BE .dI B + BE .dVCE I C = .dI B + .dVCE
B I B 0 ,VCE 0
I
CE I B 0 ,VCE 0
V I B I B 0 ,VCE 0 VCE I B 0 ,VCE 0
I I
V V iC = C .iB + C .vCE
vBE = BE .iB + BE .vCE I B I B 0 ,VCE 0 VCE I B 0 ,VCE 0
I B I B 0 ,VCE 0 VCE I B 0 ,VCE 0
1
h21iB vCE
vBE h12vCE
h22
1
vBE h11 h21iB RS = vCE
h22
ie is
Ve Amplificateur Vs Rch
ie Zs is
Ve Ze Av.Ve Vs
RB RC
C2
C1
vs
Rg
Rch
+ ve
eg
B
Rg
RC RCh
RB Ve VCE Vs
+
eg
E
-
ie iB iC is
C
B
i
Rg
1
+ V CC Av =
1+
R1 h11
=
( + 1) . ( RE // Rch )
B
Av ; 1
RG E
+ R2 RE Rch Z e = RB // ( RE // Rch )
eg
-
h11
Zs ;
Ons Ben Rhouma 48
Amplificateur type base commune INDP1
. ( RC // Rch )
+ V CC
R1 RC
Av =
h11
C
Ve h11
Ze = = RE //
ie +1
E
R G Rch
R2 RE
Vs
Zs = = RC // Rch
+
eg
is Ve =0
-
Plan du cours
1. Les Diodes
2. Les Transistors
→ Bipolaire
3. Amplificateurs Opérationnels
4. Circuits pour le traitement analogique des signaux
→ Filtrage actif
→ Oscillateur
AOP
1. Description
2. Fonctionnement
3. Circuits à AOP
OFFSET NULL 1 5 NC
INVERTING INPUT E- 2 6 +V
NON INVERTING INPUT E+ 3 7 OUTPUT
-V 4 8 OFFSET NULL
LM741
+V
E+
S
E-
-V
qu’il faut appliquer entre les bornes d’entrée pour que la sortie soit
Alimentation symétrique
+
-
+V
E+
S +
E- -
VS
-V
VS
VSat
En régime linéaire :
-max
-VSat < VS < Vsat max
avec Vsat=V-
-VSat
VS
•Gain à vide de l’AOP A0 =
A0 | dB = 20.log10 ( A0 )
Vsat 14
Exemple : sat = = 5 = 0.14mV = 1
A0 10
•Résistance d’entrée
•Résistance de sortie
Rs
i+
Re
E+ A0
i- VS
E-
VS
Re = ; Rs = 0; VSat
A0 = ; BP = ;
RRMC =
-VSat
i+=0
=0
E+ A0
i-=0 VS
E-
AOP
1. Description
2. Fonctionnement
3. Circuits à AOP
+
-
Ve Vs
Rch
R1 R2
Vs R1
Av = ??? Diviseur de tension Ve = Vs
Ve R1 + R2
Vs R1 + R2 R2
Av = = = 1+
Ve R1 R1
R2
R1 ie
ie N
-
+
Ve Rch Vs
VN = 0
Ve − VN Ve R2
ie = =
R1 R1 Av = −
VN − Vs Vs
R1
ie = =−
R2 R2
Ons Ben Rhouma 61
Sommateur inverseur INDP1
V1 R1 i R
i1
i N
i2 V2 R2 -
+
Rch Vs
in Vn Rn
V1 V2 V3 Vn
i = i1 + i2 + i3 + ... + in = + + + ... +
R1 R2 R3 Rn
VN − Vs Vs
i= = − Vs = − R.i
R R
V1 V2 V3 Vn
Vs = − R. + + + ... +
R1 R2 R3 Rn
Ons Ben Rhouma 62
Sommateur non inverseur INDP1
V1 R1
i1
- S
i2 V2 R2
i +
Rch Vs
Vn Rn
in
V1 − Vs V2 − Vs V3 − Vs Vn − Vs
i1 + i2 + i3 + ... + in = 0 + + + ... + =0
R1 R2 R3 Rn
n n
1 Vk
Vs . =
k =1 Rk k =1 Rk
R
i
-
+
Ve Rch Vs
Ve
i = t
1
R
1
Vs (t ) − Vs (0) = −
R.C 0
Ve (t ).dt
Vs = −
C i.dt
i R
C
i -
+
Ve Rch Vs
dVe
i = C.
dt dVe
Vs = − R.C
dt
Vs = − R.i
• Amplification
• Adaptation d’impédance
• Mixage
• Opérations mathématiques
• Oscillateurs (sinusoïdal)
VS
VCC
E+ VSat=VCC
VS
E- E+ - E -
-V
cc
-V Sat=-VCC
Comparateur
R2
R1
-
VS R2
Ve
+
VS
=−
Ve R1
L’inverseur
-
VS = Ve
+
VS
Ve
Ze =
AOP idéal
Zs = 0
Suiveur
Z2
Z1
-
+
Ve VS
VS Z2
H ( j ) = =− Fonction de transfert
Ve Z1
Étude temporelle :
R i t
1
-
Vs ( t ) = − Ve dt
+ RC 0
Ve VS Étude fréquentielle :
VS Z2
H ( j ) = =−
H ( j ) (dB) Ve Z1
1
Z2 =
jC
1
(Log) H ( j ) = −
jCR
1/RC
R1
Z2 C Z1 = R
R1
R i Z2 =
- 1 + j R1C
+
R1 1
Ve VS H ( ) = −
R 1 + j R1C
H ( j ) dB
Pente de
-20 dB/dec
(Log)
1/R1C 1/RC
VS Z2
H ( j ) (dB) H ( j ) = =−
Ve Z1
H ( j ) = − jRC
Bruit hautes fréquences
(Log)
1/RC Limitation de gain
H ( j ) (dB)
Z1 R
C R1
- Pente de
20 dB/dec
+
Ve VS
(Log)
1/RC 1/R1C
j RC
H ( ) = −
1 + j R1C
Plan du cours
1. Les Diodes
2. Les Transistors
→ Bipolaire
→ FET
3. Amplificateurs Opérationnels
4. Circuits pour le traitement analogique des signaux
→ Filtrage actif
→ Oscillateur
I. Introduction
Comparateur
positif [A]
V(j)
Ve(j) + Av(j) Vs(j)
+
Vr(j)
B(j)
[B]
A v(jω)
A v = Vs =
Ve 1 - A v(jω).B(jω)
Comparateur
négatif [A]
V(j)
Ve(j) + Av(j) Vs(j)
-
Vr(j)
- B(j)
[B]
Remarques :
A cause de la tolérance des composants et des dérives , la condition théorique
Av(j) . B(j) =1 doit être remplacée par la condition d'oscillations :
Av (jω). B(jω) 1
L'amplitude des oscillations est limitée par la saturation et les limitations des
composants .
R1 [A]
-
Av
C
R Vs
V2 Z1 V1
R C
Z2
B(jω) = V2 = Z2
V1 Z1 + Z2
R
Z1 = R + 1 = 1 + j RC ω ; Z2 =
jC ω
= R
jC ω jC ω R + 1 1 + j RC ω
jC ω
D'où : B(jω) = R . 1
1 + j RC ω 1 + j RC ω R
+ +
jC ω 1 j RC ω
( )
B(jω) = 1
3 + j . RC ω - 1
RC ω
Av( jω) = 1 + R 2
R1
RC ω o - 1 = 0
RC ω o
(RC ω )o
2
=1 D'où RC ω o = 1 ωo = 1
RC
&
B ( jω) = 1 Donc Av = 3
3
Conclusion :
R2 = 2 donc R 2 = 2.R1
R1