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INDP1

Circuits et Fonctions Analogiques

Ons BEN RHOUMA


ons.benrhouma@supcom.tn

Ons Ben Rhouma 1


INDP1

Plan du cours
1. Les Diodes
2. Les Transistors
→ Bipolaire

3. Amplificateurs Opérationnels
4. Circuits pour le traitement analogique des signaux
→ Filtrage actif
→ Oscillateur

Ons Ben Rhouma 2


INDP1

La diode redresseuse anode cathode

Définition 1: Une diode redresseuse est constitué par un cristal comportant une jonction
PN. Si le cristal dopé est du Silicium, on obtient une diode Silicium. Si le cristal dopé est
du Germanium, on obtient une diode Germanium.
Définition 2: Une diode redresseuse est un composant électronique qui laisse passer le
courant dans un seul sens.

IF Courant direct Courant inverse IR

UF Tension direct Tension inverse UR

k .T
=
 U   q
I = I R  exp   − 1
    k : Constante de Boltzmann, k = 1,38.10-23
q : Charge de l’électron, q = 1,6.10-19
T : Température Absolue en °K
Ons Ben Rhouma 3
INDP1

Caractéristique de la diode IF R
I

(0..5V)

(0..1V)

Ons Ben Rhouma 4


INDP1

•Zone I : 0  U F  Vseuil , zone de


non conduction de la diode.
•Zone II : zone non linéaire, si on
fait fonctionner la diode dans cette
zone, les signaux de faible
amplitude subissent de fortes
distorsions.
•Zone III : zone quasi-linéaire,
c’est la zone du point de
fonctionnement.
•Zone IV : zone interdite, c’est la
zone de claquage de la diode.

Ons Ben Rhouma 5


INDP1

Point de fonctionnement de la diode


I R

 E −U
U  E = R.I + U  I =
 R
  
E  I = I R  exp 

U 
 − 1 

    

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INDP1
R I
F

250
Exemple VF = − RI F + VCC
5V V
V CC F
I F = 20 mA pour VF = 0
I F = 16 mA pour VF = 1V
IF (mA)
25

Point de fonctionnement
20

I F repos 17.4 mA
16 mA
15

10

0
0 .2 0 .4 0 .6 0 .8 1
0 V AK
0.66 V VF (V)
V F repos

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INDP1

Régime dynamique
Considérons le montage suivant : e(t)=Eo sin(wt) : tension sinusoïdale de faible amplitude
I R

I = I0 + i
U
E
V = V0 + v
e(t) ~

I0 R i R rd

V0 e(t) ~ v
E
+

Régime statique Régime dynamique

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INDP1

Résistance différentielle
Le régime statique nous donne le point de fonctionnement : M(I0,V0).
Pour le régime dynamique, nous avons :
E = R.I + V  0 = R.i + v
IR V  I
I = exp   V  i = v
   

La résistance différentielle de la diode est :

V  
rd =  =
I  M I 0

Ons Ben Rhouma 9


INDP1

Approximation de la diode
K Vs
rd

1ère approximation 2ème approximation 3ème approximation

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INDP1

Applications : Circuits à diodes


Redressement

Filtrage

Écrêtage

Stabilisation

Ons Ben Rhouma 11


INDP1

Redressement simple alternance


Diode idéale

R Vout
V1 V2

Allure des tensions ?


Ons Ben Rhouma 12
INDP1
V2 (t)

Vp

Vout (t)

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INDP1

Redressement double alternance


Redresseur à point milieu

D1

V1

D2 R Vout

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INDP1
V2 (t)

Vout (t)

Ons Ben Rhouma 15


INDP1

Redressement double alternance


Redresseur en pont de diode

D4 D1

220 V V2

D3 D2 R Vout

Ons Ben Rhouma 16


INDP1

Redressement double alternance


D1

220 V V2
Pendant
D3 R
Vout l’alternance
positive

D4

Pendant 220 V V2
l’alternance D2 R Vout
négative

Ons Ben Rhouma 17


INDP1
V2 (t)

Vout (t)

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INDP1

Filtrage de signaux redressés


Intérêt : Transformer les signaux redressés de simple et
double alternance en une tension continue constante, on doit
donc filtrer pour faire disparaître des variations alternatives.
Diminuer le taux d’ondulation
Montage ??? On branche un condensateur en parallèle avec la charge R
Diode idéale
i

V1 C R Vout
V2

Ons Ben Rhouma 19


INDP1

V2 (t)
• entre [0, t1], la diode est
passante, le condensateur se
VP charge jusqu’à VP.
• à t1+, V2 commence à se
t1 décroître et le condensateur se
t2
décharge à travers R avec une
constante de temps R.C et
Vout (t) continue à se décharger jusqu’à
l’instant t2.
• à t2+, V2 > Vc , la diode se
remet à conduire jusqu’à VP et le
condensateur se recharge jusqu’à
VP et le cycle recommence.
Ons Ben Rhouma 20
INDP1

Écrêtage positif
V

D V
1

V
2

V1 R V2 t
0

Pendant l’alternance positive de V1, on a :


•Si V1<Vs alors la diode D est bloquée et par suite V2=0.
•Si V1>Vs alors la diode D est passante et par suite V2=V1-Vs.
Pendant l’alternance négative de V1, la diode est toujours bloquée.
Ons Ben Rhouma 21
INDP1

Écrêtage
R négatif
V1 D V2
V 1
V 2

t V t
s
0 0

Pendant l’alternance positive de V1, on a :


•Si V1<Vs alors la diode D est bloquée et par suite V2= V1.
•Si V1>Vs alors la diode D est passante et par suite V2=Vs.
Pendant l’alternance négative de V1, la diode est toujours bloquée et par suite V2=V1.
Ons Ben Rhouma 22
INDP1

Diode Zener
Définition : Une diode Zener est conçue pour fonctionner en inverse
dans la zone de rupture.
→ En polarisation directe : elle se comporte comme une diode
redresseuse.
→ En polarisation inverse : lorsque la tension inverse atteint la tension
Zener VZ, le courant inverse est appelé : courant de Zener.
VR (V)
0

IR (nA)

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INDP1

1ère Modélisation
I F (mA)

rd

Vs

V BR V F (V)
0
Vs

rz

VBR

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INDP1

2ème Modélisation
I F (mA)

Vs

V V F (V)
Z 0
Vs

VZ

Ons Ben Rhouma 25


INDP1

Quelques montages
En série
Z1 Z2 Z
IZ IZ

V1 V2 V=V1+V2

En parallèle
Z1
IZ
Z
2.IZ
VZ
IZ
VZ

Ons Ben Rhouma 26


INDP1

Application : régulation de la tension


Si l’on désire fournir une tension continue stable à une charge variable, on ne
peut se contenter d’un simple montage redresseur même soigneusement
filtré.On est donc amené à intercaler entre la charge et le montage redresseu
filtré un dispositif stabilisateur dont le rôle est de maintenir la tension
d’utilisation constante quelque soit le courant consommé par celle-ci.

R IU

E DZ RL VU

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INDP1

Application : régulation de la tension

T
D4 D1
Veff RS
220 V VS
50 Hz
D3 D2
DZ
C RL
1N4739
18:1

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INDP1

Plan du cours
1. Les Diodes
2. Les Transistors
→ Bipolaire

3. Amplificateurs Opérationnels
4. Circuits pour le traitement analogique des signaux
→ Filtrage actif
→ Oscillateur

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Transistor et Définition INDP1

Définition: Un transistor à jonction est la mise en contact de trois couches


dopées de semi-conducteurs Silicium ou Germanium de façon à former un
transistor de type NPN ou PNP.
C C (Collecteur) C
C (Collecteur)

Diode P Diode
N
Collecteur Collecteur

B (Base) N
B (Base) P
B B

N Diode P Diode
Emetteur Emetteur

E (Émetteur) E (Émetteur)
E E

Transistor NPN Transistor PNP

Ons Ben Rhouma 30


Polarisation du Transistor C
INDP1

C (Collecteur)

inverse
IC
e- N IB
VCB
e-
B (Base) e- P B

directe IE
VBE N
e-
e- E
E (Emetteur)

Effet transistor :
1. Lorsque VBE > Vseuil, le champ externe appliqué accélère les électrons vers la base,
d’où la création du courant IE.
2. Une faible proportion d’électrons venant de l’émetteur se combinent avec les trous
de la base (couche mince) puis s’écoulent en passant de trous en trous vers la base,
d’où la création d’un faible courant IB.
3. La majorité d’électrons venant de l’émetteur vont être évacués vers le collecteur,
d’où la création du courant IC.
L’effet transistor indique l’existence d’un courant collecteur malgré que la
jonction base-collecteur est polarisée en inverse.
Ons Ben Rhouma 31
Montages de base d’un transistor INDP1

IC IE
IC
IC
IB VCB
IB

VEB VCE
VCE VCB
VBE IB
IE
IE

Montage Émetteur Commun Montage Base Commune Montage Collecteur Commun

Gain statique
IB
IC

IB
C IC =  I B IB
B
VCE
E
I E = IC + I B
IE (+1)IB

Ons Ben Rhouma 32


Étude statique du transistor INDP1

→ IC dépend de VCE.
→ IC dépend de IB : I
C =  .I B
→ IB dépend de VBE

Transistor en
Émetteur
commun
Circuit d’attaque Circuit de charge

Droite d’attaque Droite de charge

VBB − VBE VCC − VCE


IB = IC =
RB RC
Ces équations montrent qu’il existe une relation entre les grandeurs d’entrée
(IB,VBE) et les grandeurs de sortie (IC,VCE)

Ons Ben Rhouma 33


Caractéristiques du transistor INDP1

IC
IB

….

VBE
1 mA VCE
0 0,7 V
0 1V
Caractéristique de base
Caractéristique collecteur
IC

IB

0
Caractéristique gain en courant

Ons Ben Rhouma 34


Exemple INDP1

Droite de charge:
VCE = VCC − ( RC + RE ) I C

IC  I E

Ons Ben Rhouma 35


INDP1

Ons Ben Rhouma 36


Polarisation par résistance de base INDP1

VCC VCC − VCE


VCC = VCE + RC I C IC =
IC RC

RB RC
C

B VCC − Vs
VCE
VCC = VBE + RB I B RB = 
E
IC

Ons Ben Rhouma 37


Polarisation par pont diviseur INDP1
VCC

VCC IC
RTH = R1 // R2
IC
RC
R2
R1 RC B C ETH = VCC
RTH R1 + R2
C
VCE R1 // R2
B VCE
iB
= VCC
E R1
E ETH RE
R2 RE

ETH − RTH I B − VBE − RE I E = 0

ETH − VBE = ( RTH + (  + 1) RE ) I B

Ons Ben Rhouma 38


Polarisation par réaction du collecteur INDP1

VCC

IC

RB RC

B VCE

Ons Ben Rhouma 39


Étude dynamique du transistor INDP1

Étude statique:
Capacités de liaison
et de découplage
équivalents à des
circuits ouverts

Étude dynamique :
•Court-circuiter la source de tension continue à la masse

•Court-circuiter tous les condensateurs de couplage et de découplage.

Ons Ben Rhouma 40


Étude dynamique du transistor INDP1

En régime dynamique, on s’intéressera aux trois montages de base :


→ Montage Émetteur Commun
→ Montage Collecteur Commun
→ Montage base Commune

Étudier les propriétés principales de ces montages en définissant pour


chacun les trois paramètres essentiels à savoir :

•Le gain en tension Av


•L’impédance d’entrée Ze
•L’impédance de sortie Zs

Chercher un schéma équivalent du transistor en


régime dynamique ????
Ons Ben Rhouma 41
Paramètres hybrides INDP1

En régime statique : VBE =f(IB ,VCE) et IC =g(IB ,VCE)


Autour du point de fonctionnement statique (IB0 ,VCE0), on peut écrire :
IB =IB0 + iB et VCE =VCE0 + vCE
IC =IC0 + iC et VBE =VBE0 + vBE

 V   VBE   I   I C 
=  BE + dI C =  C  B 
.dI +  .dVCE
dVBE  B 
.dI  .dVCE  I B   VCE 
 I B   VCE 
 V   V   IC   IC 
VBE =  BE  .dI B +  BE  .dVCE I C =   .dI B +   .dVCE

 B  I B 0 ,VCE 0
I 
 CE  I B 0 ,VCE 0
V  I B  I B 0 ,VCE 0  VCE  I B 0 ,VCE 0

 I   I 
 V   V  iC =  C  .iB +  C  .vCE
vBE =  BE  .iB +  BE  .vCE  I B  I B 0 ,VCE 0  VCE  I B 0 ,VCE 0
 I B  I B 0 ,VCE 0  VCE  I B 0 ,VCE 0

vBE = h11.iB + h12 .vCE iC = h21.iB + h22 .vCE

Ons Ben Rhouma 42


Schéma équivalent INDP1
iC
iB h11

1
h21iB vCE
vBE h12vCE
h22

Comme VBE est pratiquement indépendant de VCE, donc h12=0.


iC
iB

1
vBE h11 h21iB RS = vCE
h22

•Re=h11 est la résistance d’entrée du transistor


•Rs=1/h22 est la résistance de sortie du transistor
•h21 = est le gain en courant
Ons Ben Rhouma 43
Amplificateur linéaire INDP1

ie is

Ve Amplificateur Vs Rch

ie Zs is

Ve Ze Av.Ve Vs

Un amplificateur est caractérisé par :


amplificateur
Ve
•Son impédance d’entrée . Z e =
ie
Vs
•Son gain . Av =
Ve
V 
Zs =  s 
•Son impédance de sortie  is Ve =0
Ons Ben Rhouma 44
Amplificateur type émetteur commun INDP1

alimentation continue +V CC = +20V

RB RC
C2

C1

vs
Rg

Rch
+ ve
eg

Ons Ben Rhouma 45


Amplificateur type émetteur commun INDP1

Pour l’étude dynamique, il suffit de suivre les étapes suivantes :

• Court-circuiter la source de tension continue à la masse


• Court-circuiter tous les condensateurs de couplage et de
découplage.

Schéma équivalent ????


iC
iB C

B
Rg
RC RCh
RB Ve VCE Vs
+
eg
E
-

Ons Ben Rhouma 46


Amplificateur type émetteur commun INDP1

ie iB iC is
C
B
i
Rg

RB h11 iB 1 RC//RCh Vs


+ Ve
h22
eg
E
-

Vs  . ( RC // Rch ) .iB  . ( RC // Rch )


Av = = − =−
Ve h11.iB h11
Ve
Ze = Z e = RB // h11
ie
 Vs 
Zs =   −1
Z s = RC // Rch // h22
 is Ve =0

Ons Ben Rhouma 47


Amplificateur type collecteur commun INDP1

1
+ V CC Av =
1+ 
R1 h11
=
(  + 1) . ( RE // Rch )
B
Av ; 1
RG E

+ R2 RE Rch Z e = RB //   ( RE // Rch ) 
eg
-

h11
Zs ;

Ons Ben Rhouma 48
Amplificateur type base commune INDP1

 . ( RC // Rch )
+ V CC

R1 RC
Av =
h11
C
Ve h11
Ze = = RE //
ie  +1
E
R G Rch
R2 RE
 Vs 
Zs =   = RC // Rch
+
eg

 is Ve =0
-

Ons Ben Rhouma 49


INDP1

Ons Ben Rhouma 50


INDP1

Plan du cours
1. Les Diodes
2. Les Transistors
→ Bipolaire

3. Amplificateurs Opérationnels
4. Circuits pour le traitement analogique des signaux
→ Filtrage actif
→ Oscillateur

Ons Ben Rhouma 51


INDP1

AOP

1. Description
2. Fonctionnement
3. Circuits à AOP

Ons Ben Rhouma 52


AOP : Description INDP1

• C’est un circuit réalisé à l’aide des transistors


• C’est un circuit intégré comportant de nombreux étages à
transistors
• C’est un boîtier plastique constitué par 8 broches

OFFSET NULL 1 5 NC
INVERTING INPUT E- 2 6 +V
NON INVERTING INPUT E+ 3 7 OUTPUT
-V 4 8 OFFSET NULL

LM741

Ons Ben Rhouma 53


AOP : symbole INDP1

+V
E+
S
E-
-V

tension de décalage ou tension d’offset : la tension différentielle

qu’il faut appliquer entre les bornes d’entrée pour que la sortie soit

exactement au potentiel zéro.

Ons Ben Rhouma 54


AOP : Fonctionnement INDP1

Alimentation symétrique

+
-
+V
E+
 S +
E- -
VS
-V
VS

VSat

En régime linéaire :
-max 
-VSat < VS < Vsat max

avec Vsat=V-
-VSat

Ons Ben Rhouma 55


AOP : Caractéristiques INDP1

VS
•Gain à vide de l’AOP A0 =

A0 | dB = 20.log10 ( A0 )
Vsat 14
Exemple :  sat = = 5 = 0.14mV = 1
A0 10

•Résistance d’entrée

•Résistance de sortie

Ons Ben Rhouma 56


AOP réel INDP1

Rs
i+

 Re
E+ A0
i- VS

E-

•Une résistance d’entrée Re très grande, soit Re ; 1M 


•Une résistance de sortie très faible, soit Rs ; 100
•Une bande passante très large, soit B.P ; 1MHz
•Un paramètre traduisant son degré de performance : RRMC (Rapport de
Rejection du Mode Commun), il est de l’ordre de 70 à 100 dB.

Ons Ben Rhouma 57


AOP idéal INDP1

VS
Re = ; Rs = 0; VSat
A0 = ; BP = ;

RRMC = 
-VSat

i+=0

=0
E+ A0
i-=0 VS

E-

Ons Ben Rhouma 58


INDP1

AOP

1. Description
2. Fonctionnement
3. Circuits à AOP

Ons Ben Rhouma 59


Amplificateur non inverseur INDP1

+

-

Ve Vs
Rch
R1 R2

Vs R1
Av = ??? Diviseur de tension Ve = Vs
Ve R1 + R2

Vs R1 + R2 R2
Av = = = 1+
Ve R1 R1

Ons Ben Rhouma 60


Amplificateur inverseur INDP1

R2

R1 ie
ie N
-

+
Ve Rch Vs

VN = 0
Ve − VN Ve R2
ie = =
R1 R1 Av = −
VN − Vs Vs
R1
ie = =−
R2 R2
Ons Ben Rhouma 61
Sommateur inverseur INDP1

V1 R1 i R
i1
i N
i2 V2 R2 -

+
Rch Vs
in Vn Rn

V1 V2 V3 Vn
i = i1 + i2 + i3 + ... + in = + + + ... +
R1 R2 R3 Rn
VN − Vs Vs
i= = −  Vs = − R.i
R R
 V1 V2 V3 Vn 
Vs = − R.  + + + ... + 
 R1 R2 R3 Rn 
Ons Ben Rhouma 62
Sommateur non inverseur INDP1

V1 R1
i1
- S
i2 V2 R2 
i +
Rch Vs
Vn Rn
in

V1 − Vs V2 − Vs V3 − Vs Vn − Vs
i1 + i2 + i3 + ... + in = 0  + + + ... + =0
R1 R2 R3 Rn
n n
1 Vk
 Vs . =
k =1 Rk k =1 Rk

Ons Ben Rhouma 63


Intégrateur de tension INDP1

R
i
-

+
Ve Rch Vs

Ve
i = t
1
R
1
Vs (t ) − Vs (0) = − 
R.C 0
Ve (t ).dt
Vs = −
C  i.dt

Ons Ben Rhouma 64


Dérivateur de tension INDP1

i R
C
i -

+
Ve Rch Vs

dVe
i = C.
dt dVe
Vs = − R.C
dt
Vs = − R.i

Ons Ben Rhouma 65


Domaine d’application INDP1

• Amplification

• Adaptation d’impédance

• Mixage

• Opérations mathématiques

• Générateurs de signaux (triangle, carré)

• Oscillateurs (sinusoïdal)

Ons Ben Rhouma 66


Types de montages INDP1

• Boucle ouverte (comparateur)

• Réaction négative (Ampli., Filtres, Adaptation


d'impédance, Intégrateur, Dérivateur, Redresseur)

• Réaction positive (Bascules, Générateurs de


signaux carrés et triangulaires)

• Réactions négative et positive (Oscillateurs)

Ons Ben Rhouma 67


AOP en boucle ouverte INDP1

VS
VCC
E+ VSat=VCC

VS
E- E+ - E -

-V
cc
-V Sat=-VCC
Comparateur

• Si E+ > E- alors VS vaut +VCC

• Si E+ < E- alors VS vaut -VCC

Ons Ben Rhouma 68


AOP en réaction négative INDP1

R2

R1
-
VS R2
Ve
+
VS
=−
Ve R1

L’inverseur

Ons Ben Rhouma 69


Adaptation d’impédance INDP1

-
VS = Ve
+
VS
Ve
Ze = 
AOP idéal
Zs = 0
Suiveur

Ons Ben Rhouma 70


INDP1

Les Filtres Actifs

Ons Ben Rhouma 71


Principe INDP1

Z2

Z1
-
+
Ve VS

VS Z2
H ( j ) = =− Fonction de transfert
Ve Z1

Ons Ben Rhouma 72


INDP1
Montage intégrateur
C

Étude temporelle :
R i t
1
-
Vs ( t ) = −  Ve dt
+ RC 0
Ve VS Étude fréquentielle :
VS Z2
H ( j ) = =−
H ( j ) (dB) Ve Z1
1
Z2 =
jC
1
 (Log) H ( j ) = −
jCR
1/RC

Ons Ben Rhouma 73


INDP1
Filtre passe-bas

R1

Z2 C Z1 = R
R1
R i Z2 =
- 1 + j R1C

+
R1 1
Ve VS H ( ) = −
R 1 + j R1C

Ons Ben Rhouma 74


INDP1
Diagramme de Bode
R1
•→0 H ( ) = − Limitation du gain
R
1
•>
1
H ( ) = − Comportment d’un intégrateur
R1C j R C

H ( j ) dB

Pente de
-20 dB/dec

 (Log)

1/R1C 1/RC

Ons Ben Rhouma 75


INDP1
Filtre dérivateur
R
Étude temporelle :
C
i dVe
- VS = − RC
+ dt
Ve VS
Étude fréquentielle :

VS Z2
H ( j ) (dB) H ( j ) = =−
Ve Z1
H ( j ) = − jRC
Bruit hautes fréquences
 (Log)
1/RC Limitation de gain

Ons Ben Rhouma 76


Filtre passe-haut INDP1

H ( j ) (dB)
Z1 R

C R1
- Pente de
20 dB/dec
+
Ve VS
 (Log)

1/RC 1/R1C

j RC
H ( ) = −
1 + j R1C

Ons Ben Rhouma 77


INDP1

Les Filtres Actifs de


2ème ordre

Ons Ben Rhouma 78


INDP1

Ons Ben Rhouma 79


INDP1

Ons Ben Rhouma 80


INDP1

Ons Ben Rhouma 81


INDP1

Ons Ben Rhouma 82


INDP1

Ons Ben Rhouma 83


INDP1

Ons Ben Rhouma 84


INDP1

Ons Ben Rhouma 85


INDP1

Ons Ben Rhouma 86


INDP1

Ons Ben Rhouma 87


INDP1

Ons Ben Rhouma 88


INDP1

Ons Ben Rhouma 89


INDP1

Plan du cours
1. Les Diodes
2. Les Transistors
→ Bipolaire
→ FET
3. Amplificateurs Opérationnels
4. Circuits pour le traitement analogique des signaux
→ Filtrage actif
→ Oscillateur

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INDP1

I. Introduction

Les oscillateurs sont constitués par un amplificateur sur lequel on


effectue une réaction de la sortie sur l'entrée .

Suivant la nature des signaux fournis, les oscillateurs se divisent


en deux grandes familles :

Ø les oscillateurs sinusoïdaux (ou harmoniques) qui produisent un


signal sinusoïdal de fréquence fixe ;

Ø les oscillateurs de relaxation ( ou multivibrateur astable) qui


produisent un signal non sinusoïdal (créneaux, dents de scie, etc ) .

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II . Les oscillateurs sinusoïdaux à réaction INDP1

1/ Structure générale et conditions d'oscillations

En général , les oscillateurs sinusoïdaux sont constitués par un


amplificateur [A] à transistor ou à amplificateur opérationnel
comportant une boucle de retour additive [B] .

Comparateur
positif [A]
V(j)
Ve(j) + Av(j) Vs(j)
+

Vr(j)
B(j)

[B]

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INDP1
Soit AV le gain complexe de l'amplificateur .

On peut écrire : V = Ve + Vr ; Vr = B(jω) . Vs et Vs = A v(jω) . V

A v(jω)
 A v = Vs =
Ve 1 - A v(jω).B(jω)

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INDP1

Pour obtenir l'équivalent d'un retour différentiel, il suffit de


remplacer [B] par [-B] .

Comparateur
négatif [A]
V(j)
Ve(j) + Av(j) Vs(j)
-

Vr(j)
- B(j)

[B]

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INDP1

Par définition, un oscillateur fonctionne sans signal variable


appliqué à l'entrée , donc Ve = 0 .

On en déduit immédiatement la condition de fonctionnement du


montage, en régime sinusoïdal : Vr(j) = V(j)

Or Vr(j) = B(j) . Vs(j) = B(j) . Av(j) . V(j)

La condition d'oscillation est alors :

Av(j) . B(j) = 1 : C'est la condition de BARKHAUSEN

Le produit Av(j) . B(j) est appelé transmittance de boucle ,


elle est notée : T(j) .
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INDP1

Cette relation complexe se traduit par les deux conditions suivantes :

Av (jω). B(jω) = 1 & Arg Av (jω) + Arg B (jω) = 0

Remarques :
A cause de la tolérance des composants et des dérives , la condition théorique
Av(j) . B(j) =1 doit être remplacée par la condition d'oscillations :

Av (jω). B(jω)  1

L'amplitude des oscillations est limitée par la saturation et les limitations des
composants .

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2/ Etude théorique de quelques oscillateurs INDP1

a/ Oscillateur RC à pont de Wien


R2

R1 [A]
-
Av
C
R Vs

V2 Z1 V1
R C

Z2

[A] est un amplificateur opérationnel dont le gain Av est réglable par la


résistance R2 de contre-réaction .

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INDP1

Calculons la fonction de transfert du pont :

B(jω) = V2 = Z2
V1 Z1 + Z2
R
Z1 = R + 1 = 1 + j RC ω ; Z2 =
jC ω
= R
jC ω jC ω R + 1 1 + j RC ω
jC ω
D'où : B(jω) = R . 1
1 + j RC ω 1 + j RC ω R
+ +
jC ω 1 j RC ω

( )
B(jω) = 1
3 + j . RC ω - 1
RC ω

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INDP1

Le gain de l'amplificateur [A] tel qu'il est monté est égal à :

Av( jω) = 1 + R 2
R1

Le signal V2 étant appliqué à l'entrée non inverseuse de


l'amplificateur opérationnel, le gain Av est donc réel positif, son
argument est par conséquent nul .

Pour satisfaire les deux conditions établies précédemment, il faut


que B(j) soit de telle manière que :

B( jω) = 1 & Arg B ( jω) = 0


Av

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INDP1

Autrement dit, il faut que B(j) soit réel positif . D'où :

RC ω o - 1 = 0
RC ω o

 (RC ω )o
2
=1 D'où RC ω o = 1  ωo = 1
RC
&
B ( jω) = 1 Donc Av = 3
3

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INDP1

Conclusion :

Pour qu'il y'ait oscillations, il faut régler R2 de sorte que


Av = 3 , c'est-à-dire :

R2 = 2 donc R 2 = 2.R1
R1

Si Av  3  il n'y a pas d'oscillations ;

Si Av  3  il y a tout de même oscillations, mais


le signal est distordu .
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Exercice (1/2) INDP1

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Exercice (2/2) INDP1

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