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Les capteurs photométriques

1. Photorésistance
1.1. Constitution
Elle est constituée d’une plaque de verre ou de mica sur laquelle est déposée une couche de semi-conducteur tels que
le Sulfure de Cadium (CdS). La partie sensible du capteur est une piste de semi-conducteur qui serpente à la surface
du capteur.
Piste de semi-conducteur
1.2. Principe
Lorsque le semi-conducteur est soumis à une radiation lumineuse,
l'énergie apportée par les photons peut libérer certains électrons utilisés
dans les liaisons covalentes entre atomes du semi-conducteur.
Plus le flux lumineux  est intense, plus le nombre d'électrons disponibles 
pour assurer la conduction est grand. La conductance   q
(q la charge élémentaire et µ la mobilité) augmente et par la suite la résistance S
l 1 l
R  diminue. D’où le nom de photorésistance. On le nomme aussi l
S  S
résistance photo-dépendante ou light-dependent resistor (LDR), photoconducteur ou
cellule photosensible.

1.3. Caractéristique R  f (  )
Symbole
Cette caractéristique n’est pas linéaire et on voit bien que la résistance diminue
avec l’éclairement. A l’obscurité elle a une très grande valeur.
108
1.4. Exemple d’utilisation
107
Résistance R en Ω

Commande de l’éclairage publique


R4 106
La tension V   V R 4  E est réglée à une valeur constante
R3  R 4
par le potentiomètre R3 . 105

L’AOP est dans ce cas alimenté avec une tension (+12V, 0V) et 104
fonctionne en saturation. 10-2 10-1 100 101 102 103
Eclairement en lux
- Lorsqu’il fait jour la photorésistance est éclairée, sa résistance R2 diminue
et la tension entre ses bornes devient inferieur à V  , ( VR2  V  )  V  . La tension de sortie de l’AOP est Vs  0V .
Le transistor T1 est bloqué, alors la lampe L est éteinte.
- Lorsqu’il fait nuit la photorésistance n’est pas éclairée, sa résistance R2 augmente et la tension entre ses bornes
devient supérieur à V  , ( VR2  V  )  V  . La tension de sortie de l’AOP est Vs  12V .Le transistor T1 est saturé,
donc la bobine du relais est excitée et la lampe L s’allume.

D2
R1 R3
KA
- Rb
E =12V T1 U =220V
+

R4 Vs L
R2

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2. Photodiode
2.1. Constitution
En effet, c’est une diode à jonction, rappelons qu’elle est obtenue en dopant la moitié d’une plaque de silicium avec
des atomes accepteurs (région P), et l’autre moitié avec des atomes donneurs (région N). La frontière entre les deux
régions dopées est appelée jonction métallurgique ou jonction PN. Des contacts métalliques sont déposés sur le semi-
conducteur pour constituer l’anode (contact avec la région P) et la cathode (contact avec la région N).

Au voisinage de la jonction métallurgique, les trous qui ont envahi la région N (où ils ont disparu par recombinaison
avec les électrons majoritaires dans cette région) ont laissés derrière eux des ions fixes ionisés négativement. De
même, les électrons de la région N qui sont passés du côté P ont laissé derrière eux des ions fixes ionisés positivement.
Ces ions fixes, forment de part et d’autre de la jonction métallurgique, une barrière de potentiel provoquant
l’apparition d’un champ électrique interne dans une zone de déplétion. Ce champ s’oppose à la diffusion des porteurs
majoritaires.
Ei

A K
Symbole
A K
2.2. Principe
En absence d’un flux lumineux (obscurité), et puisque le champ électrique créé par la source d’alimentation, renforce
le champ électrique intérne et s’oppose aux porteurs majoritaires. La photodiode polarisée en inverse ne laisse passer
aucun courant due aux porteurs majoritaires, Il existe un très faible courant, due essentiellement aux porteurs
minoritaires, il est de l’ordre de quelques µA.
Sous l'action de photons, des paires électrons trous vont être générées dans la zone de déplétion et être entraînées par
le champ électrique, d’où la circulation d’un courant I à travers le circuit extérieur. La photodiode fonctionne en mode
photoconducteur  Ei

A K A K
Vd
Eext I R
I R

2.3. Caractéristique U  f (  )
Le courant I à travers la photodiode varie avec la valeur du flux lumineux est indépendant de la tension Vd. La
photodiode se comporte comme une source de courant. Pour une valeur donnée flux lumineux la caractéristique est
linéaire.
I(mA)

Polarisation
Obscurité
en directe
Vd(V)

E1
E1< E2< E3
E2

E3
Photoconducteur Cellule photovoltaïque

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Le courant à travers la photodiode est I = I ph + I 0 avec :
Io courant d'obscurité
Ip courant d'origine photoélectrique
R
2.3. Exemple d’utilisation
-
Luxmètre I
La tension de sortie Vs  RI . Le courant I est proportionnel à l’éclairement E +
donc la tension de sortie est aussi proportionnelle à l’éclairement.
Vs
Un voltmètre placé à la sortie de ce montage va mesurer une tension qui est en
réalité l’image de l’éclairement. Donc on a réalisé un luxmètre ; les graduations
seront en (Lux).
3. Phototransistor
3.1. Constitution
C’est un transistor bipolaire, de type NPN.
C

Collecteur (C)
Ei
B Base (B)
Ei

Emetteur (E)

Symbole
3.2. Principe E

Lorsque la région voisine de la jonction base-collecteur est éclairée, elle se comporte comme une photodiode en mode
photoconducteur dont le courant est I B = I ph + I 0 ou I B le courant de base.

Sous l’effet du champ électrique externe les électrons sont poussés de l’émetteur vers le collecteur d’où la circulation
d’un courant I C =  .I B ou  est le gain en courant du transistor. D’où le courant I C =  (I ph + I 0 )
Courant d'obscurité I C0 =  .I 0
Courant photoélectrique I Cph =  .I ph

C IC
 IB
R
Ei IC IC
B Eext U R R
VCE VCE
Ei U U

Représentation équivalente
IE E

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3.3. Caractéristique I C  f ( VCE ) IC(mA)
E1< E2< E3< E4< E5< E6< E7
Les caractéristiques ne sont pas linéaires
U  VCE
IC 
E7
On a
R E6

E4
Si l’éclairement est faible, le courant I B est faible et par conséquent le
E3
courant I C =  .I B l’est aussi. On dit que le phototransistor est bloqué E2
et on peut le comparé à un interrupteur ouvert.
E1
Si l’éclairement est intense la tension VCE est très faible VCESAT  0.2V . VCE(V)
E1<
On dit que le phototransistor est saturé et on peut le comparé à un interrupteur fermé.
3.3. Exemple d’utilisation
Détection des objets
R1 Objet R2
En absence de l’objet la base du phototransistor T1 est éclairée par
le faisceau lumineux émis par la LED. E  5V
LED T1
Il est donc saturé et VCE  VCESAT  0V . VCE
En présence de l’objet (entre la LED et T1) la base n’est pas éclairée.
Le phototransistor est bloqué et VCE  5V .
Donc lorsque l’objet est détecté la tension VCE passe du niveau bas VCE  0V au niveau haut VCE  5V avec lequel
on peut commander un système (un compteur en cas ou on veut compter ces objets par exemple).

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