Chapitre 2

Composants de
l’électronique de
puissance
plan
I. Introduction
II. Diodes
I. Présentation
II. Caractéristiques statiques
III. Composant idéal
IV. Comportement de diode en régime de commutation
V. Utilisation des diodes
VI. Protection des diodes
III. Thyristors
I. Présentation
II. Caractéristiques statiques réelles
III. Fonctionnement d’un thyristor parfait
IV. Caractéristiques de la gachette
V. Caractéristiques dynamiques
I. Introduction

1. Electronique de puissance

Etude des convertisseurs statiques d’énergie électrique

Energie entrante Convertir l’énergie

Energie sortante
primaire électrique

Convertisseur statique
2. Constitution des convertisseurs
pour contrôler une puissance électrique importante::

Tension importantes
Composants : Courants élevés
Pertes de puissance minimale
4
I. Introduction

 Composants réactifs (inductances couplées ou non , condensateurs

 Eléments non dissipatifs (ne consomment pas de la puissance active)

 Composants semi-conducteurs
 Fonctionnements en commutation de type tout ou rien
 Ils se comportent comme des interrupteurs ouverts ou fermés

3. Interrupteur
b.Etats :
Un dipôle comme les autres  Ouvert
 Résistance très élevés
a. Symbole : notations  Courants très faibles
i(t)
 Fermé
Résistance très faible
u(t) Tension très faible
I. Introduction
4. Deux types de composants
Non commandable Commandablee
L’état est spontané À la fermeture

À l’ouverture

5. Mode d’étude
Fonctionnement : composants parfait sans pertes
Dimensionnement : composants réel tenant compte des
imperfections
7
II. Diode: 1) présentation

1. Symbole : Notations
2. Présentation

Non commandable ni en
ouverture ni en fermeture

3. Deux états
Diode bloqué
tension anode-cathode négative (vAK < 0) à
l’état bloqué.

Diode passants:

Courant anode-cathode positif à

l’état passant (iAK > 0).
 II. Diode : 2) caractéristique statique
1. Caractéristiques statiques réelles d’une diode à l’ouverture et à
la fermeture
IF
VRRM : maximum repetitive Peak reverse Courant direct
voltage maximal
VRSM : maximum no repetitive Peak
reverse voltage
Forward State
VRSM
VF
VR Tension inverse
maximale V(T )
IRRM 0
Tension de
seuil
Courant inverse
Reverse State IR faible
Valeurs maximales pour le courant et la tension :
10
II. Diode : 3) Composant idéalisé
Diode parfaite

Modèle utilisé pour les études de fonctionnement

des convertisseurs
II. Diode: 4) Pertes à l’état passant et à l’état bloqué AQ
1. Analyses des pertes de puissance
Courant direct maximal
Etats passant
Chute de tension
État bloqué Tension inverse maximale
Un courant de fuite
Résultats : dissipation de puissance et échauffement du cristal

Calcul des pertes

En conduction ::

En blocage :
II. Diode: 4) Pertes à l’état passant et à l’état bloqué
1. Analyses des pertes de puissance

Calcul des pertes

En conduction ::

En blocage :
II. Diode: 4) caractéristiques dynamiques : les commutations

la majorité des applications, les diodes sont utilisées en redressement ou en

commutation c'est-à-dire qu’elles sont alternativement rendues conductrice ou
bloquées

2. Le comportement d’une diode lors de l’établissement du courant et du

blocage
2. 1. Commutation à la fermeture : commutation ON

v
i
VFP
IF

VF statique
Vo
t
t
tFR : temps de recouvrement direct
caractéristiques dynamiques de la diode à la fermeture
2. 1. Commutation à la fermeture : commutation ON
v
i
VFP
IF

VF statique
Vo
t
t
tFR : temps de recouvrement direct

15
composants de l'électronique de puissance 16
II. Diode: 4) caractéristiques dynamiques : les commutations

Ordre de grandeurs de VFP et tFR pour différentes diodes :

IF=0.5 A

E=50 v
type Tension VFP tFR
d’avalanche
BAX12 120V 1.4V 8ns
PLQI 150V 1.5V 12ns
PLR816 1100 18 170ns
PYV88 1250V 26V 200ns
BAIJ9 1500V 38V 400ns
IN4007 >1600V 42V 640ns
II. Diode: 4) caractéristiques dynamiques : les commutations

Calcul de pertes d’énergie en commutation à la fermeture ?

iF vF
VFP
IF
VF
t t
tFR tFR

évolution de vF(t) et iF(t)

Exemple::
19
20
II. Diode: 4) caractéristiques dynamiques : les commutations
2. 2. Commutations au blocage : commutation OFF

IF K L IRR

VF E

1. Application d’une tension inverse aux bornes d’une diode en commutation

2. on constate qu’elle ne se bloque pas instantanément

Il s’écoule en effet un certains temps avant qu’elle ne retrouve son pouvoir de

blocage
C’est le temps de recouvrement inverse.

Causes : présence d’une certaine quantité de charge

emmagasiné dans la diode durant la conduction

Cette charge est appelée charge stocké Qs

II. Diode: 4) caractéristiques dynamiques : les commutations
Allure du courant et de la tension pendant le phénomène de
recouvrement inverse
IF
Io
VF t2
Vo t3
to t1
Q2 t
IRR
IRM dI RR
Q1 dt VR
-E V
VRM

Paramètres caractéristiques de la commutation OFF:

 II. Diode: 4) caractéristiques dynamiques : les commutations
Allure du courant et de la tension pendant le phénomène de
recouvrement inverse
IF
Io
VF t2 t
Vo
to t 3 Q2 t
IRR dI RR
IRM 1
Q1 dt VR
- V
VERM

Paramètres caractéristiques de la commutation OFF:

24
II. Diode: 5) Utilisation des diodes

1. diode de redressement au secondaire des transformateurs des

alimentations à découpage

2. diodes de roue libre

IF
K L
t
E D
IRM VR =
E
Absence de
surtension
inverse
II. Diode: 6)Exemples

A. La diode Schottky
Symbole:

A K

Principale particularités :
•temps de recouvrement direct tFR réduit
•faible chute de tension : 0.3V < VF < 0.6V
•courant moyen direct IFAV < 200A
•tension inverse en régime répétitif limitée à 50V
Applications :
•redressement basse tension
•haute fréquence
II. Diode : 6) Exemples
B. DIAC

La diac (diode alternatif current Switch)

A K

La diac ne conduit qu’à partir d’une certaine tension seuil VBR

quelque soit le sens de polarisation

Ve(y) Vs(y)
II. Diode: 7) Protection du composant
Protection contre les surintensités
Cette protection est assurée par un fusible ultra rapide (UR)
dont la contrainte thermique est plus faible que celle de la
diode. (Si bien qu’il « fond » avant la diode.)

Protection contre les surtensions

Les surtensions peuvent être atténuées en insérant un circuit RC-
série en parallèle avec le commutateur (Figure 13), elle dissipe
l’énergie de la surtension.

Protection en dv/dt et di/dt

Les semi-conducteurs sont très sensibles aux variations brutales de
tension et de courant qui apparaissent lors des commutations.
Contre les variations de courant, on utilise une inductance (qui
retarde le courant) tandis que le condensateur retarde la tension
II. Diode
II. Diode
III. Thyristor : 1) présentation
1. Symbole : Notations 2. Présentation
Commandable?

Réversible?
3. trois états
état passant:

état bloqué en direct

état bloqué en inverse

32
33
III. Thyristor: 2) Caractéristiques statistiques d’un th réel
Caracteristiques statiques d’un th reel
état passant:

état bloqué en direct

VRRM état bloqué en inverse

VRSM IRRM
35
III. Thyristor: 2) Caractéristiques statistiques thyristor ideal
Parametres limites d’utilisations

1. l'état passant
 IFAV = ITAV = courant direct moyen maximal (
Forward Average)
 IFRMS = ITRMS = courant direct efficace maximal (
Forward Remote Mean Square)
 IFSM = ITSM = courant direct maximum( Forward
current Max)

2. l'état de blocage direct

 VDRM = tension directe répétitive maximale

(Direct Repetitive Max)

3. l'état de blocage inverse

 VRRM = tension inverse répétitive maximale ( Reverse Repetitive Max)
VRSM = tension inverse accidentelle maximale ( Reverse Surge Max)
III. Thyristor: 2) Caractéristiques statistiques réelles
2.1. En polarisation directe (vAK > 0)
b. Amorçage de Th avec commande de la gâchette Paramètres caractérisant
IF (IAK) L’amorçage à l’etat reel

IL courant d’accrochage au
dessus duquel le th devient
passant (s’amorce) (latch
current)
IL
Ig3> Ig2> Ig1> Ig = 0
IM
IM courant hypostatque ou
VFM VF (VAK) courant de maintient (holding
current) au dessous duquel le
thyristor se désamorce

Igmax ou Vgmax : courant ou

IR tension nécessaire pour
rendre le th passant
38
39
III. Thyristor : 2) Caractéristiques statistiques réelles
Blocage de thyristor
Deux méthodes sont possibles
le blocage naturel

le blocage forcé
41
composants de l'électronique de puissance 42
III. Thyristor : 3)fonctionnement d’un thyristor parfait
Caractéristique statiques
État de blocage inverse (1)

État de blocage direct (2)

État passant (3)

Remarque:

On peut remarquer que le thyristor, à la différence de la diode, a une

caractéristique à trois segments, c’est à dire qu’une des grandeurs est
bidirectionnelle (ici la tension).
44
III. Thyristor: 3) fonctionnement d’un thyristor parfait
Fonctionnement et commutatiobs

à la fermeture ou amorçage

à l'ouverture
on distingue deux types de blocage

Blocage naturel

Blocage forcé
III. Thyristor: 3) fonctionnement d’un thyristor parfait

Exemple de Blocage naturel

chronogramme illustrant d’une commutation naturelle

III. Thyristor: 3) fonctionnement d’un thyristor parfait
Exemple de Blocage naturel

chronogramme illustrant d’une commutation naturelle

48
III. Thyristor: 3)fonctionnement d’un thyristor parfait

Exemple de Blocage forcé

montage avec circuit d’extinction

chronogramme issue d’une commutation

forcée
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52
53
III. Thyristor : 5) caractéristiques dynamiques
1. Amorçage
iG

10%
o t
IF
90%
10%
o t

VAK
90%
10%
o t
td t 
Ton
P

o t
Caractéristiques dynamiques de
thyristor : amorçage
III. Thyristor : 5) caractéristiques dynamiques
1. Amorçage

Evolution de courant iAK à l’amorçage

III. Thyristor : 5)caractéristiques dynamiques
1. Blocage

ia
I Toff ou tq
trr tGR
o t
-Irr

-Vak Evolution de tension vAK au blocage

t
t1 t2 t3 t4 t5
-E
-Vrr

Caractéristiques dynamiques :
blocage
III. Thyristor : 5) caractéristiques dynamiques
1. Amorçage

Evolution de courant iAK à l’amorçage

III. Thyristor : 5)caractéristiques dynamiques
1. Blocage

ia
I Toff ou tq
trr tGR
o t
-Irr

-Vak Evolution de tension vAK au blocage

t
t1 t2 t3 t4 t5
-E
-Vrr

Caractéristiques dynamiques :
blocage
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