Chapitre II Les Composants Semi-Conducteurs

Chapitre II Les composants semi-conducteurs
Les principales caractéristiques externes des composants.
Les composants peuvent être classés en trois groupes :

1. Diodes: Etats fermé ou ouvert contrôlés par le circuit
de puissance.
2. Thyristors: Fermé par un signal de commande, mais
doit être ouvert par le circuit de puissance.
3. Interrupteurs commandables: à l'ouverture et à la
fermeture. Ouverts et fermés par un signal de
commande.
1
La catégorie des interrupteurs commandables inclut
de nombreux types de composants:
· Transistors Bipolaires à Jonctions (Bipolar Junction
Transistors - BJTs);
· Transistors à effet de champ Metal-Oxyde-Semi
conducteur (MOSFETs);
· Thyristors commandés à l'ouverture (Gate-Turn-Off
Thyristors - GTO Thyristors);
· Transistors bipolaires à grille isolée (Insulated Gate
Bipolar Transistors - IGBTs);
· Thyristors MOS Commandés (MOS-Controlled
Thyristors - MCTs).
2
3
LA DIODE
Caractéristiques statiques:
La diode est l’interrupteur électronique non commandé
réalisant les fonctions suivantes :
• Fermé dans un sens (direct),
• Ouvert dans l’autre (inverse).
D’où les caractéristiques statiques idéales, figure :
4
LA DIODE
Les caractéristiques réelles des composants disponibles
diffèrent sensiblement de ces courbes.
• En direct: la diode présente une chute de tension VF
non nulle, fonction croissante de la température du
cristal et de l’intensité du courant IF
• F
5
LA DIODE
Loin du coude correspondant aux très faibles valeurs de iF , la
caractéristique directe se confond rapidement avec son asymptote et on
peut exprimer vF = f(iF ) sous la forme :
vF = v(T0) + rF iF
Où v(T0): tension de seuil (de 0.8V à 1.4V ) et rF : résistance
dynamique apparente de la diode de (de 0.1à 100m ).
Le constructeur indique les valeurs maximales acceptables :
• de l’intensité moyenne du courant direct : IFAV,
• de l’intensité efficace du courant direct : IFRMS,
• de l’intensité de pointe non répétitive : IFSM,
• de la température de jonction en régime permanent : TVj
La puissance développée dans la diode du fait des pertes en
conduction :
6
LA DIODE
• En inverse: A l’état bloqué, la diode est traversée par un
courant inverse, de fuite, d’intensité très petite devant
celle du courant nominal direct (quelques µA à
quelques mA suivant la valeur de IFAV),
7
LA DIODE
Dans la majorité des applications, les

diodes sont utilisées en redressement ou
en commutation; c’est-à-dire qu’elles
sont alternativement rendues
conductrices ou bloquées.
Il est donc important de connaitre le
comportement d’une diode lors de
l’établissement du courant et du blocage.
8
Diode : Commutation à l’établissement
Description:
Lorsqu’on établit un courant à travers une diode
initialement bloquée, sa chute de tension n’atteint pas
immédiatement sa valeur statique VF, mais passe par une
valeur transitoire notablement plus élevée et le courant
direct iF ne s’établit pas nécessairement plus vite que le
permettent les autres éléments de la maille.
9
Diode : Commutation à l’établissement
Grandeurs caractéristiques de l’établissement du courant
direct
La surtension à la fermeture
VFP (qq dizaines de V pour allant jusqu’à 500A/µs)
Elle est essentiellement due au comportement résistif de la
zone centrale de la jonction
Le temps de recouvrement direct tfr

C’est la durée qui s’écoule entre l’application de la
tension ou du courant d’attaque et le passage de VF (t) à
une valeur de référence Vr soit définie en fonction de
VF ou arbitraire.
10
COMMUTATION D’UNE DIODE
Grandeurs caractéristiques de l’établissement du courant direct
Ordre de grandeurs de VFP et de tfr (iF = 0,5; = 50A/µs ; E=50V)
11
Pertes d’énergie en commutation à l’établissement
On peut simplifier l’évolution iF(t) et de vF(t), entre 0 et tfr en

admettant que ces grandeurs s’expriment:
12
Pertes d’énergie en commutation à l’établissement
L’énergie dissipée dans la diode au cours de la transition est :
Si la fermeture est idéale
Les pertes d’énergie supplémentaire s’exprime donc par :
La puissance supplémentaire développée dans le composant se

calcule donc par :
Où f désigne la fréquence de fermeture.
13
Conséquences:
Le comportement à la fermeture d’une diode n’a pas d’effet
préjudiciable sur le composant lui-même mais peut nuire
aux autres éléments du montage.
- Le ralentissement de la montée du courant direct peut
augmenter la durée de fermeture d’un composant piloté
par la diode.
- La surtension de fermeture, importante aux fortes vitesses
d’établissement du courant direct, peut augmenter la
tension supportée par un autre composant du montage.
14
Conséquences:
15
Comportement au blocage
Description du phénomène
Lorsqu‘une diode est traversée par un courant direct d’intensité
permanente iF sa jonction n’est pas électriquement neutre et
stocke une charge QS telle que :
τ : durée moyenne de vie des porteurs minoritaires dans la zone de la jonction.

Il s'écoule alors un certain temps avant que la diode retrouve son
pouvoir bloquant (c’est le temps de recouvrement inverse trr) et
que cette charge en excès soit évacuée : c'est ce que l'on appelle la
phase de recouvrement inverse.
16
Pendant la commutation, une partie de ces charges

s’évacue par recombinaison. L’autre partie,
appelée charge recouvrée QR est évacuée par le
courant inverse circulant dans la diode. C’est
celle-ci qui produit le courant inverse de
recouvrement ainsi que toutes ces conséquences.
Si la vitesse de variation du courant est
extrêmement grande, la recombinaison interne est
négligeable et la charge recouvrée QR est très
voisine de la charge stockée QS .
17
Figure Recouvrement inverse au blocage

18
Le phénomène de recouvrement inverse peut être

décomposé en deux phases :
Phase d'évacuation de QS (de t'0 à t1):
le courant direct dans la diode s’annule, il s’établit un courant
irr qui passe par son maximum IRM à l'instant t1. A cet instant
la majorité de la charge stockée a été évacuée.
Phase d'évacuation de QR (de t1 à t2):
A l'instant t1 le courant irr change de sens et la diode
commence à retrouver son pouvoir de blocage. A t2 la
charge recouvrée QR a été évacuée et la diode retrouve son
pouvoir de blocage.
19
Pendant cette phase la vitesse de montée du

courant de recouvrement ne dépend que de la
diode et de la tension inverse appliquée. Elle sera
d'autant plus grande que la charge QR sera faible et
l’amplitude IRM sera grande.
La définition du temps de recouvrement inverse
varie selon les constructeurs : généralement il
représente le temps au bout duquel le courant
inverse a atteint 25% de la valeur max I RM.
20
On distingue deux types de diodes selon l’allure de

remontée du courant de recouvrement :
- les diodes à remontée brutale (Snap off),
- les diodes à remontée progressive (Soft record).
diodes à remontée brutale (Snap off) diodes à remontée progressive (Soft record)
21
Conséquence
Lors de chaque blocage, la diode est parcourue par un courant

inverse transitoire. Comme elle est soumise, pendant ce même
temps, à une tension inverse qui peut être assez grande, le
phénomène s'accompagne d'une dissipation d'énergie qui n'est
pas toujours négligeable. La perte de puissance qui en résulte
est proportionnelle à la fréquence de commutation qui croît en
fonction de la tension inverse appliquée lors du blocage.
Dans certains dispositifs d'électronique de puissance, le
courant inverse de blocage peut créer, pour les composants
associés, une surcharge transitoire importante.
22
COMPARAISON DES DIFFERNTS INTERRUPTEURS UTILISES EN EP
23
LE THYRISTOR
Présentation:
Le thyristor, appelé aussi redresseur contrôlé au silicium ou
redresseur au silicium à électrode de commande, est un
dispositif semi-conducteur comportant quatre couches
superposées alternativement P et N:
24
LE THYRISTOR
25
LE THYRISTOR
Présentation:
Les quatre couches du thyristor sont:
- La couche d'anode de type P, moyennement épaisse et
moyennement dopée;
- La couche de blocage de type N, la plus épaisse et la plus
faiblement dopée des quatre couches;
- La couche de commande de type P, mince et moyennement
dopée, d'où part l'électrode de commande appelée gâchette
(en anglais, Gate);
- La couche de cathode de type N, très mince et très dopée.
- 26
LE THYRISTOR
Présentation:
Le thyristor comporte trois jonctions:
- La jonction d'anode JA est située entre la couche d'anode et
la couche de blocage; elle laisse passer un faible courant
inverse et supporte une tension inverse élevée;
- La jonction de commande Jc est située entre la couche de
commande et la couche de blocage à l'état bloqué (avant
l'amorçage), elle supporte toute la tension d'alimentation;
- La jonction de cathode Jk est située entre la couche de
commande et la couche de cathode; elle possède un
courant inverse élevé mais ne supporte qu'une faible
tension inverse.
27
LE THYRISTOR
Caractéristique statique des thyristors
Un thyristor possède deux états stables :
•Etat bloqué : Un thyristor est bloqué dans deux situations :
Il est polarisé sous tension négative VAK  0, il peut
supporter une tension inverse VRRM ou VRROM en régime
répétitif ou VRSM en régime non répétitif.
Il est polarisé en direct VAK  0 mais l’intensité du
courant de gâchette iG est maintenue nulle.
• Etat passant : On l’obtient si le thyristor, initialement
polarisé en direct (point B), reçoit une impulsion de courant
suffisante dans la jonction G− K. Le point vient en C et
l’intensité iA est fixée par les autres éléments du montage.
28
LE THYRISTOR
29
LE THYRISTOR
30
LE THYRISTOR
Le thyristor se comporte alors comme une diode, même après
extinction du courant de gâchette à condition que son
courant d’anode reste supérieur à celle du courant de
maintien IH. La chute de tension directe aux bornes du
thyristor est :
vAK = v(T0) + rT iF
Où v(T0): tension de seuil et rT : résistance dynamique du thyristor.
La puissance instantanée développée dans le composant est :
Sa valeur moyenne est :
31
Caractéristique dynamique des thyristors
• Pendant la fermeture : C’est le passage d’un état direct à
un état passant ; Il nécessite un courant de gâchette iG(t)
ayant une certaine intensité pendant une certaine durée. La
fermeture est caractérisée par la durée tG = td + tr
s’écoulant entre l’instant où iG vaut 10% de sa valeur
maximale et celui où vAK est ramenée à 10% de sa valeur
initiale.
Le retard à l’amorçage td diminue lorsqu’on augmente iG et
sa vitesse ou si on augmente vAK .
Le temps de montée tr dépend de .
32
Pendant la fermeture :
Le courant s’établit d’autant plus vite
que la maille fermée par le thyristor est
moins inductive. Pour simplifier, on
admet que l’écoulement de vAK
commence à t = tf + td;
on a :
33
On en déduit la puissance instantanée
pendant la fermeture :
L’énergie consommée durant la

fermeture vaut :
34
L’énergie dissipée à la fermeture augment e avec

diA/dt; le constructeur indique une valeur
maximale critique (di/dt)crit au-delà de laquelle la
sécurité n’est plus assurée en commutation.
35
• Pendant l’ouverture (blocage):
On peut bloquer un thyristor
en le mettant sous tension
inverse. Le constructeur
indique la valeur minimale
tq (temps de recouvrement)
de la durée de l’ouverture
sous tension nulle ou
inverse au-delà de laquelle
le blocage d’une tension
directe est possible.
36
• Pendant l’ouverture (blocage):
37
Les transistors bipolaires
Un transistor travaillant en commutation ne peut
occuper de façon stable que deux états :
• état bloqué, il suffit théoriquement de ne pas
alimenter sa base,
• état saturé, il faut envoyer à sa base un courant
supérieur à où β est le gain statique.
Pratiquement les procédés d’amorçage et de blocage
sont complexes et mènent généralement à une
polarisation inverse de base vBE durant les phases de
blocage du transistor.
Les transistors bipolaires: commutation à l'amorçage
Les transistors bipolaires: commutation à l’ouverture
Les transistors bipolaires: commutation à l‘ouverture
Les transistors bipolaires: problèmes posés par la commutation
Les transistors à effet de champ
Les transistors à effet de champ
Les transistors IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor)
Les transistors IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor)
GTO : Gate Turn-Off thyristor
. TRIACS: Caractéristiques des triacs

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Chapitre II Les composants semi-conducteurs

Les principales caractéristiques externes des composants.

Les composants peuvent être classés en trois groupes :

Dans la majorité des applications, les

Le temps de recouvrement direct tfr

Ordre de grandeurs de VFP et de tfr (iF = 0,5; = 50A/µs ; E=50V)

On peut simplifier l’évolution iF(t) et de vF(t), entre 0 et tfr en

L’énergie dissipée dans la diode au cours de la transition est :

Si la fermeture est idéale

Les pertes d’énergie supplémentaire s’exprime donc par :

La puissance supplémentaire développée dans le composant se

Où f désigne la fréquence de fermeture.

τ : durée moyenne de vie des porteurs minoritaires dans la zone de la jonction.

Pendant la commutation, une partie de ces charges

Figure Recouvrement inverse au blocage

Le phénomène de recouvrement inverse peut être

Pendant cette phase la vitesse de montée du

On distingue deux types de diodes selon l’allure de

Lors de chaque blocage, la diode est parcourue par un courant

Sa valeur moyenne est :

L’énergie consommée durant la

L’énergie dissipée à la fermeture augment e avec

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