Utilisation des courbes ID / VD

Chapitre 4

Utilisation des courbes ID / VD

Lors de l’établissement d’un projet, le technicien doit pouvoir prévoir par le calcul le
comportement des dispositifs qu’il va mettre en œuvre.

Il a, à cet effet, deux moyens à sa disposition :

• le graphique caractéristique ;
• le modèle électrique du dispositif à utiliser.

Nous allons dans ce chapitre étudier en détail la caractéristique de la diode, ainsi que sa mise en
œuvre. Le modèle électrique de la diode fera l’objet du chapitre suivant. Notez toutefois que la
méthodologie traitée dans ces deux chapitres est commune à tous les dispositifs électroniques.

1. GRAPHIQUE CARACTÉRISTIQUE D’UNE DIODE

1.1. Définition
C’est le graphique qui donne la tension aux bornes de la diode en fonction de l’intensité du
courant qui la traverse (figure 4.2).

1.2. Comment tracer ce graphique

A l’aide du dispositif décrit à la figure 4.1, grâce au générateur G réglable manuellement on

soumettra la diode à diverses intensités IAK. Pour chacune d’entre elles on portera sa valeur,
ainsi que celle de la tension anode-cathode UAK , sur un graphique.

Circuits analogiques G.Vloeberghs Page - 59 -

Chapitre 4

La résistance Rp doit être calculée en fonction de la tension maxima de G pour ne pas

dépasser l’intensité maxima prévue par le fabricant de la diode. Le voltmètre doit avoir une
résistance interne très élevée pour que l’intensité qui le traverse soit négligeable vis-à-vis de celle
qui passe dans la diode.

Figure 4.1

Figure 4.2 : Caractéristique expérimentale de la diode

Page - 60 - G.Vloeberghs Caractéristique de la diode

 Utilisation des courbes ID / VD

1.3. Utilisation de la caractéristique

Quand on dispose de la caractéristique d’une diode il est possible de résoudre certains
problèmes. Nous allons en voir un exemple.

Soit une diode D dont la caractéristique est donnée

(à la figure 4.4).
On veut brancher cette diode à un générateur G de
tension constante E = 1V par l’intermédiaire d’une
résistance R = 10 KΩ (voir figure 4.3). Quelle sera
l’intensité qui s’établira dans le circuit ?

Figure 4.3

Le dipôle actif de bornes NM qui alimente la diode possède, lui aussi une caractéristique U → I
que nous pouvons tracer sur le même graphique que celle de la diode (cette caractéristique est
souvent appelée droite de charge)

Il suffit d’en déterminer 2 points.

U = E - R.I

E 1
• Pour U = 0 I= = = 100 µA .
R 10 ⋅ 10 3

• Pour I = 0 → U = E = 1 V.

Les deux dipôles étant branchés l’un sur l’autre ils

sont soumis à la même tension et parcourus par le
même courant. Le fonctionnement ne peut s’établir
qu’au point d’intersection des deux caractéristiques.

Nous lisons en ce point (figure 4.4) :

U = 0,6 V I = 40 µA

Figure 4.4

Circuits analogiques G.Vloeberghs Page - 61 -

Chapitre 4

2. INTERPRÉTATION DE LA CARACTÉRISTIQUE
La plupart du temps, les constructeurs nous donnent les caractéristiques des diodes sous la
forme représentée à la figure 4.5; avec :

• IF = courant direct (Forward) exprimé en mA

• UF = tension directe (Forward) exprimée en V

• IR = courant inverse (Reverse) exprimé en µA

• UR = tension inverse (Reverse) exprimée en V.

Figure 4.5

2.1. Caractéristique directe

• Zone OA : Zone des courants et tensions très faibles. Dans cette zone, la diode présente
une résistance équivalente très élevée. L’équation de cette portion de courbe est
plus ou moins celle d‘une parabole, mais aux environs immédiats de l’origine on
peut la considérer comme une droite.

• Zone AC : Zone de transition entre la parabole et la variation linéaire. Le point B correspond

à la compensation par la source extérieure de la différence de potentiel à cause
interne.

• Zone CD : Zone des grands courants. Dans cette zone, la diode présente une résistance
équivalente faible et de faibles variations de tension entraînent donc de grandes
variations de courant. Cette partie de la caractéristique est assimilable à une
droite.

Page - 62 - G.Vloeberghs Caractéristique de la diode

 Utilisation des courbes ID / VD

2.2. Caractéristique inverse

• Zone OE : Zone des courants et des tensions inverses très faibles. L’équation de cette
portion de courbe est assimilable à une parabole. Par contre, aux environs
immédiats de l’origine, elle est assimilable à une droite comme dans la zone OA:
l’effet redresseur n’existe donc pas dans les environs immédiats de l’origine.

• Zone EF : Le courant inverse tend vers une valeur de saturation. La résistance équivalente
de la diode est très élevée, mais jamais infinie.

• Zone FG : Zone du genou. Le courant croit considérablement pour une légère augmentation
de la tension inverse.

• Zone G... : Cette zone correspond au claquage de la jonction. La diode n’est plus capable de
contrôler le courant inverse et celui-ci peut prendre une valeur considérable
risquant d’amener la destruction du dispositif.

2.3. Caractéristiques limites

Dans les catalogues, les constructeurs indiquent notamment :

• Le courant direct maximal (IFM) au-delà duquel la température de la jonction s’élèverait au

point de la détruire.

• La tension inverse maximale (URM) au-delà de laquelle se produit le claquage de la

jonction.

2.4. Comparaison des diodes Si et Ge

• Caractéristiques directes :

La compensation par la source extérieure de la différence de potentiel à cause interne (pt. B) est
obtenue à 0,3 V pour les diodes Ge et à 0,7 V pour les diodes Si.

Dans la zone des grand courants (CD), les diodes Si présentent une pente plus grande que les
diodes Ge.

• Caractéristiques inverses :

La résistance inverse d’une diode Ge atteint rarement plus de 1 MΩ , alors qu’une valeur de
10 MΩ est chose courante pour les diodes Si.

La zone du genou est très étroite dans le cas des diodes Si et beaucoup moins marquée pour les
diodes Ge.

Circuits analogiques G.Vloeberghs Page - 63 -

Chapitre 4

3. INFLUENCE DE LA TEMPÉRATURE

Nous avons vu précédemment que le taux de formation thermique de paires électron

libre/trou dépend de la température. Ce fait a comme conséquence que la température affecte
la caractéristique d’une diode.

3.1. Influence sur la caractéristique inverse

En se rappelant que le courant de fuite est d’origine purement thermique (puisque dû aux
porteurs minoritaires), on comprendra aisément que la caractéristique inverse d’une diode dépend
fortement de la température.

Pour une diode Ge, le courant inverse double de valeur tous les 10°C
et, pour un élément Si, il double tous les 7°C.

Par ailleurs, si l’on compare deux diodes, l’une Si et l’autre Ge, à performances identiques, le
courant inverse de la diode Si est de 100 à 10000 fois plus petit que celui de la diode Ge. Ceci
explique le fait que les diodes Si peuvent travailler à des températures maximales nettement plus
importantes que celles autorisées pour les diodes Ge (195°C contre 75°C).

3.2. Influence sur la caractéristique directe

Le courant direct est dû principalement aux porteurs majoritaires et ceux-ci proviennent
essentiellement du dopage. Il s’en suit que la température n’aura qu’une faible influence sur le
nombre de porteurs majoritaires présents et donc n’affectera que peu la caractéristique directe
d’une diode.

IF IF
IF
UR UR T2>T1
UF UF

Ge Si
T1<T2 UF
T1<T2 IR IR

Figure 4.6

Page - 64 - G.Vloeberghs Caractéristique de la diode

 Utilisation des courbes ID / VD

4. CLAQUAGE

Claquage d’une jonction : si l’on applique à une jonction une tension inverse croissante, le
courant inverse reste pratiquement constant puis il augmente brusquement et n’est plus limité que
par le circuit extérieur, c’est le claquage de la jonction.
On distingue plusieurs mécanismes de claquage.

4.1. Claquage par effet thermique

La puissance dissipée dans la jonction vaut par le produit du courant qui la traverse par la
tension à ses bornes :

Pj = U R . I R

On sait que le courant inverse est directement dépendant de la température. Or la température

atteinte par la jonction dépend à la fois de la puissance qui y est dissipée et de la manière dont
elle est refroidie. Si la quantité de chaleur produite peut être évacuée, alors un équilibre s’établit.
Par contre, si la tension de blocage dépasse VRM, l’équilibre thermique risque fort d’être rompu :

L’effet cumulatif conduit rapidement à une température telle que les structures du semi-conducteur
se transforment de façon irréversible; la diode est détruite.

4.2. Claquage par champ électrique ou par effet Zener

La valeur du champ électrique dans la zone de déplétion est proportionnelle à la tension

inverse appliquée et inversement proportionnelle au carré de l’épaisseur de cette zone.

Ainsi, si la zone de déplétion est de faible épaisseur (ce qui se produit lorsque le cristal est
fortement dopé), le champ électrique peut y atteindre une valeur telle qu’il rompt des liaisons
et fait donc apparaître des porteurs dans la zone de déplétion. Lorsque cela se produit, le
courant inverse croît fortement du fait de l’apparition de ces porteurs. Le claquage par effet Zener
s’observe jusqu’à environ 5 V et il n’est pas forcément destructif : il suffit que le courant ne
prenne pas une valeur exagérée.

Circuits analogiques G.Vloeberghs Page - 65 -

Chapitre 4

4.3. Claquage par effet d’avalanche

Le claquage par effet d’avalanche se produit à des tensions inverses plus élevées.
Lorsque la tension inverse est suffisante, les porteurs minoritaires (qui constituent le courant
inverse) à un point tel que, lors de leurs collisions avec les atomes, ils détruisent des liaisons
et créent des porteurs supplémentaires. Ces porteurs supplémentaires peuvent eux-mêmes
acquérir une énergie suffisante pour détruire des liaisons et libérer d’autres porteurs qui ... (effet
d’avalanche). L’apparition des ces porteurs supplémentaires provoque une brusque augmentation
du courant inverse. Le claquage par effet d’avalanche, comme le claquage par effet Zener, peut
ne pas être destructif si le courant est convenablement limité.

4.4. Claquage par contournement ou par effet Corona

Dans le claquage par contournement, l’air autour de la diode s’ionise sous l’action du champ
électrique et le courant passe ainsi à la surface du semi-conducteur. Après un claquage par
contournement, la diode est « hors service » (court-circuitée). On l’évite par une forme
appropriée de la surface, son enrobage dans des plastiques, une atmosphère convenables
d’encapsulation.
Le danger subsiste cependant, mais pour des tensions inverse très élevées ( > 1200V ).

Page - 66 - G.Vloeberghs Caractéristique de la diode

 Utilisation des courbes ID / VD

5. QUESTIONNAIRE

Q.4.1 On branche une diode (dont la caractéristique vous est donnée) sur un
générateur de tension constante E = 0,75 V . Calculer la résistance R
nécessaire, pour limiter le courant I du circuit à 40 µA.

Circuits analogiques G.Vloeberghs Page - 67 -

Chapitre 4

Q.4.2 Pour le circuit présenté ci-contre, déterminez

graphiquement la valeur de U et de I.

Page - 68 - G.Vloeberghs Caractéristique de la diode