Travaux Pratiques Energies Renouvelables

(9heures)

ETUDE & MODELISATION

sous
MATLAB R2016b / Simulink
d’une
INSTALLATION PHOTOVOLTAÏQUE
RACCORDEE au RESEAU

F. ROBERT
IUT-GEII TP EnR S3

Présentation générale d’une installation photovoltaïque :

Une installation photovoltaïque raccordée au réseau est composée des principaux éléments
suivants :

 Un champ photovoltaïque comprenant une ou plusieurs branches (strings)

constituées de panneaux associés en série
 Un bloc électronique nommé couramment « onduleur » assurant les fonctions :
o Isolation galvanique ;
o Recherche du point de puissance maximale (MPPT) ;
o Conversion DC/AC ;
o Affichage de l’énergie produite ; liaison vers domotique.

Le synoptique interne de « l’onduleur » - en réalité un hacheur (traqueur MPP) suivi d’un

onduleur en pont - est donné ci-dessous :

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Une telle installation, à Nouméa, présente le schéma ci-dessous :

Durant ces 3 T.P., vous exploiterez sous MATLAB / Simulink les modèles des éléments
suivants :

 La photodiode
 Le panneau photovoltaïque
 Le champ photovoltaïque
 Le hacheur assurant la fonction MPPT
 L’algorithme MPPT « Perturb & Observe »

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1. La course du Soleil à Nouméa :

La course du Soleil est donnée ci-dessous :

1.1) Où se situe Nouméa ?

1.2) Quelle est l’azimut des 4 points cardinaux sur ce document ?

1.3) Quel est la hauteur et l’azimut du Soleil le :

 21 /12 à 12h ? Comment s’appelle la hauteur particulière ? Le Soleil l’atteint-il

à une autre date ?
 21/6 à 13h ?

1.4) Quelle est la durée du jour les 21/03 et 21/09 ? Quelle est la hauteur du soleil
à 12h ?

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2. De la diode à la photodiode :

Une diode de redressement dite « à jonction » a pour équation :

.
Id(A) = Is. [ exp( )–1] (1)
.

dans laquelle :

Id et Vd sont respectivement le courant direct et la tension directe aux bornes de la diode

Is est le courant d’obscurité, courant inverse de quelques nA
q est la charge de l’électron
k est la constante de Boltzmann
T est la température en Kelvin

2.1) En quels matériaux est faite la diode ? Expliquez la structure atomique de

chaque matériau « dopé ». Expliquez ce qu’est la « jonction » et son
fonctionnement.

2.2) Recherchez les valeurs numériques de q, k et la relation entre Kelvin et

degrés Celsius.

2.3) Sur le symbole d’une diode de redressement indiquez où se trouve l’Anode et

la Cathode. Tracez l’allure de Id = f(Vd)

Une photodiode est une diode dont la jonction est éclairée, ce qui produit un courant
inverse Is proportionnel à l’éclairement.
Id
La caractéristique est alors :

Vd
Zone utilisable
de la
caractéristique
de la
photodiode

Pour un usage plus facile, l’habitude est prise de retourner l’axe des intensités. On ne
conserve que les ½ axes positifs ( Iinverse et V ).
La photodiode est l’élément de base d’un panneau photovoltaïque. Son modèle équivalent le
plus simple est :
Rs I
I

Id
Icc Vd V V
Flux lumineux
solaire (W/m2)
Le courant Icc est le photo-courant, mesurable en court-circuit.
Rs est la résistance des contacts électriques puce / bornes du boîtier.

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La mise en équation de ce modèle est donc :

.
Id = Is. [ exp( )–1] (1)
.
Vd = V + Rs.I (2)
Icc = Id + I (3)
Icc = . Flux lumineux (4)

On cherche à exprimer I =f(V, Rs, , Flux, Is). Il n’existe pas de méthode analytique pour
résoudre ce système non linéaire, d’où le recours à un simulateur numérique.

3. De la photodiode au panneau photovoltaïque

Un panneau est un assemblage de photodiodes. Ainsi, le courant de sortie est celui

d’une photodiode, la tension de sortie est la somme des tensions aux bornes de chaque
diode (hypothèse : éclairage homogène du panneau). Un panneau est défini par les
paramètres suivants aux conditions standards de test (STC) : 25°C et éclairage de
1000 W/m² :

Voc (V) : tension en circuit ouvert

Isc (A) : courant de court-circuit
Vmp (V) : tension au point de la puissance maximale
Imp (A) : courant au point de la puissance maximale
Pm (Wc) : puissance maximale = Vmp x Imp en Watt- crête

Exemple : panneau Kyocera Solar KD210GX-LP en silicium polycristallin (voir Annexe).

Ouvrez MATLAB.

Ouvrez le fichier model_KD210. Double-cliquez sur l’icône. La fenêtre « Block

Parameters » s’ouvre. Sélectionnez le modèle KD210GX-LP. Les graphes
s’obtiennent en exploitant la partie droite de la fenêtre :

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3.1) Pour les STC : Ga = 1000 W/m2 et T = 25°C, lancez la simulation : vous
obtenez la caractéristique I[A] = f(V[V]) et P[W] = f(V[V]). A l’aide de la
commande Edit  Axis Properties, mettez en forme les courbes (titre, nom &
unité des axes, quadrillage,…).

3.2) Comparez les résultats de cette simulation avec la fiche technique

constructeur fournie en annexe : Pmax, Voc, Isc.

3.3) Tracez l’asymptote pour 0 < V < Vmp. Quel modèle rend compte du
comportement dans cette zone (géné de tension, de courant, …) ? Donnez
l’équation du modèle équivalent.

3.4) Même question quand Vmp < V < Voc.

3.5) Ce panneau débite sur une résistance R. Tracez sa droite de charge dans le
même plan I[A] = f(V[V]) obtenu précédemment; donnez son équation et
indiquez où se trouve le point de fonctionnement.

3.6) Obtenez les réseaux I[A] = f(V[V]) et P[W] = f(V[V]) pour Ga = 1000, 800,
600, 400 et 200 W/m² à 25°C. Même travail de mise en forme avant de copier
l’image dans votre traitement de texte. Comparez alors les résultats de cette
simulation avec la fiche technique constructeur fournie en annexe.

3.7) Obtenez ensuite les réseaux I[A] = f(V[V]) et P[W] = f(V[V]) pour les
températures de 0, 25, 50 et 75°C sous Ga = 1000W/m². Comparez les
résultats de cette simulation avec la fiche technique constructeur fournie en
annexe.

3.8) Calculez le rendement du panneau aux STC à l’aide de la définition :

[ ]
=
. [ ]

3.9) Conclure sur l’influence du niveau d’irradiance et de la température sur la

production de puissance électrique d’un panneau en silicium.

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4. Du panneau photovoltaïque au champ photovoltaïque

Ouvrez le fichier KD210_debit_R qui utilise ce modèle. Cette application permet :

 De modéliser, à partir du modèle utilisé précédemment, un champ photovoltaïque

constitué de P branches parallèles comportant chacune S panneaux câblés en série,
l’ensemble débitant sur une résistance de charge Rch.
 De trouver manuellement la valeur optimale Ropt de la résistance Rch permettant
d’obtenir la puissance maximale correspondant à l’illumination fixée. Cette recherche
porte le nom de : Max Power Point Tracker (MPPT).

4.1) Faites le schéma équivalent de l’installation de Nouméa : 1 branche (P = 1)

comportant 14 panneaux (S = 14), l’ensemble connecté à une résistance de
charge Rch.
Tous les panneaux sont à 25°Cet reçoivent la même illumination Ga = 1000 W/m².

Soit U la tension aux bornes d’un panneau et I son courant. Soit UR la tension aux bornes de
Rch et IR le courant qui la traverse.

4.2) Placez I, IR, U et UR sur votre schéma. Trouvez alors la relation liant I et IR,
ainsi que celle liant U à UR. Pensez à Messieurs Ohm et Kirchhoff… !

Réglez le modèle pour simuler l’installation :

4.3) Affichez la caractéristique I(V) du champ photovoltaïque, placez la droite de

charge et le point de fonctionnement au MPP. Calculez alors la valeur Ropt de
Rch.

4.4) Quelle puissance maximale attend-on pour les STC d’après les résultats des
simulations précédentes ?

4.5) Remplissez le tableau suivant en exploitant le modèle, de façon à mettre en

évidence le point de puissance max. : P  Pmax puis P.

Rch () 0 10 20 …. R opt ……

U_pv (V)
P (W)

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4.6) Même travail pour une irradiance Ga = 500 W/m2.

4.7) Tracez P[W] = f(Rch[]) et P[W] = f(U_pv[V]) pour les 2 valeurs de Ga.
Analyse, comparaisons.

4.8) Paramétrez le modèle pour générer un saut d’irradiance (un gros nuage
passe) : 1000 W/m2  500 W/m2 pour 25°C. Passe-t-on d’un MPP à l’autre ?
Conclure sur la nécessité d’un MPPT.

∆
4.9) Trouvez comment évolue sur P[W] = f(U_pv[V]) pour V < VMP,
∆
V = VMP, V > VMP. En déduire l’algorithme « Perturb & Observe » pour trouver

le point de puissance maximale quelque soit Ga et T°C.

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5. Modèle champ PV + hacheur

On associe le champ photovoltaïque étudié précédemment avec un tel hacheur :

fichier DCDC_converter_structure.

Le hacheur présente une résistance d’entrée Re = Ve/Ie et qui joue le rôle de Rch de
l’étude précédente. Evidemment, Re ne chauffe pas (à justifier). Re est ajustable grâce au
rapport cyclique  de la commande MLI des interrupteurs électroniques T1 et T2.

Créez le champ de P branches parallèles de S panneaux série en double-cliquant sur

l’icône PHOTOVOLTAIC FIELD. Saisissez la valeur de la fréquence sous MATLAB :
>> F = 25000.

Aidez-vous de l’Annexe pour répondre aux 2 questions suivantes.

5.1) Déterminez la valeur de la résistance de sortie du hacheur Rs pour que la

puissance maximale soit obtenue pour  = 70%, Ga = 1000 W/m2 et T = 25°C

5.2) Dimensionnez l’inductance pour que IL < 0,4 A pour cette même valeur de .

5.3) Pour  = 70%, observez le chronogramme de IL. Mesurez IL à travers

l’inductance et vérifiez que la condition IL < 0,4 A est respectée en régime
permanent.

5.4) Pour  = 70%, mesurez Vs et Ve, Is et IL en régime permanent. Vérifiez alors

les relations liant Vs à Ve, Is à IL et comparez aux relations théoriques.

5.5) Utilisez le simulateur pour relever puis tracer l’évolution de Re() et P(W) en
fonction de α, pour les STC.

NB : Les écrans des Scopes seront recopiés dans des Figures afin d’améliorer le rendu
(supprimer le fond noir, changer la couleur du tracer, etc….).
Ouvrir le Scope : File  Print to Figure ; fermer le Scope.
Dans la figure : Edit  Figure Properties et/ou Axes Properties.

5.6) Justifiez la présence des condensateurs en entrée et sortie du hacheur.

Pour terminer : ouvrir le modèle DCDC_conv_mppt. Paramétrez le champ, réglez la valeur

de L et Rs. Placez-vous aux STC. Double-cliquez sur le bloc ‘Digital MPPT’ et réglez le
temps entre 2 mesures à 100 ms et  = 2.

5.7) Lancez la simulation pour Ga = 1000 W/m².Observez les Scopes. Analysez

les courbes. Comparez aux résultats obtenus avec les simulations
précédentes.

5.8) Basculez l’interrupteur sur le saut d’irradiance ; lancez la simulation ; analyse

des résultats. Comparez aux résultats obtenus avec les simulations
précédentes.

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Annexe : Etude théorique du hacheur survolteur :

Soit le hacheur survolteur parfait suivant :
I (A) L T1 Is (A)
L

Rs
Ve (V) T2 Vs (V)

IL_max

IL_min
t(s)
0 αT T
t’(s)
0 T(1-)
T1 : ouvert fermé
T2 : fermé ouvert

Vous supposerez Ve et Vs constantes. On suppose qu’en régime permanent la conduction

est continue ( 0 < IL min < IL < IL max) :

 Déterminez IL (t) pour 0 < t < αT  équation (a)

 En posant t’ = t – αT, déterminez IL (t’) pour 0 < t’ < (1-α)T  équation (b)

 Exprimez IL max à partir de (a)  équations (c)

 Montrez alors que l’ondulation IL = IL _max – IL_min= . .

 Exprimez IL min à partir de (b)  équation (d)

 En écrivant que (c) = (d), montrez que Vs =  équation (e)

 En admettant le rendement du hacheur = =100%, montrez alors à
é
l’aide de l’équation (e) que Is = IL.(1-)  équation (f)

La sortie du hacheur est connectée à une charge de résistance Rs = Vs/Is

 En exploitant (e) et (f) montrez que Re = Rs.(1-)²

 Montrez alors qu’il est possible, en ajustant , d’obtenir Re = Ropt

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Annexes Techniques :

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