http://www.ucadjds.

org Journal des Sciences

MODELISATION ET SIMULATION SOUS MATLAB/SIMULINK DE LA CHAINE

D’ALIMENTATION D’UNE STATION RELAIS DE TELECOMMUNICATIONS EN ENERGIE
SOLAIRE PHOTOVOLTAIQUE DANS UNE ZONE ISOLEE DU RESEAU ELECTRIQUE

Souleymane NDOYE+, Ibrahima LY++, Fabé Idrissa BARRO+, Ould Habiboulahi LEMRABOTT+++,
Grégoire SISSOKO+*
+
La o atoi e de Se i o du teu s et d E e gie Solai e, D pa te e t de Ph si ue,
Faculté des Sciences et Techniques, Université Cheikh Anta Diop, Dakar, SENEGAL
++
Département Génie Electromécanique, Ecole Polytechnique de Thiès, Sénégal
+++
Ecole Supérieure Multinationale de Télécommunications, Sénégal

Abstract:
Theorical study of the solar cell is based on one diode
representation. The temperature and irradiance effects on the
solar cell are studied, particularly on the short circuit current
Icc, the open circuit voltage Vco, the photovoltaic conversion
efficiency η, and the fill factor FF.
Depending on the load (a base transmitter station BTS, I=60A,
V=48V)) direct current, and the operating conditions
(temperature, irradiance), we can found a highly gap between
the potential peak power and the real power transferred to the
BTS.
A maximum power point tracker (MPPT) based on a boost
converter driven by a Pulse Width Modulation (PWM) is used
for extracting the maximum power from the solar photovoltaic
generator.
The modeling and simulation of the system (photovoltaic
generator, boost converter, Pulse Width Modulation and MPPT
algorithm P&O) is then made with Matlab / Simulink software.
Keywords: Photovoltaic generator, BST, Boost converter, PWM, Mots clés: Générateur photovoltaïque, BTS, Hacheur Boost, MLI,
MPPT MPPT.
Résumé:
L Etude th o i ue de la photopile est as e su u e
représentation à une diode de la photopile. Les effets de la
températu e, de l i adiatio su la photopile so t tudi s, e
particulier, sur les grandeurs telles que le courant de court circuit
I , la te sio de i uit ouve t V o, le e de e t η et le fa teu
de forme FF. Selon les caractéristiques de la charge à courant
continu (3kW) , qui est une station relais de télécommunications
BTS (I=60A, V=48V) et les conditions de fonctionnement
(température, Irradiation), nous pouvons trouver un très fort
écart entre la puissance maximale potentielle du générateur et
elle elle e t t a sf e à la BTS. Afi d e t ai e à ha ue
instant le maximum de puissance disponible aux bornes du GPV
et de la t a sf e à la BTS, o utilise u tage d adaptation
o pos d u ha heu Boost commandé par une modulation de
la geu d i pulsio MLI .
La modélisation puis la simulation du système (générateur
photovoltaïque, hacheur Boost, Modulation de largeur
d I pulsio de e ue l algo ith e MPPT est ensuite
effectuée grâce au logiciel Matlab/Simulink.

I. INTRODUCTION
Nous étudions dans cet article le meilleur moyen de transférer toute la puissance utile du générateur
photovoltaïque à une station relais de télécommunications (BTS) [1]. Sachant que sur la caractéristique
courant-tension du g ateu ui d pe d des o ditio s d lai e e t, de te p atu e, de vieillisse e t ,
il existe un point de fonctionnement où la puissance débitée est maximale, l opti isatio o siste à se fixer
sur ce point en permanence en agissant de façon automatique sur la charge vue par le générateur. Cette
adaptatio de ha ge s effe tue à l aide d u o ve tisseu stati ue do t les pe tes doive t t e aussi fai les
ue possi le et ui peut, pa ailleu s, assu e u e fo tio de ise e fo e d u e g a deu de sortie
(conversion continu-continu avec modification de tension).
Nous avo s hoisi d utilise la te h ologie de e he he du poi t de puissa e a i ale MPPT [2, 3],
as e su l algo ith e « Perturb and Observ (P&O)» [4], commandé par un signal en Modulation de largeur
d I pulsio (MLI) [4-6].
Une modélisation sous Matlab/Simulink des différentes parties du système est proposée.

*
Auteur correspondant : Email : gsissoko@yahoo.com
S. Ndoye et al / J. Sci.Vol. 9, N° 2 (2009) 45 – 55 - 45 -
 http://www.ucadjds.org Journal des Sciences

II. MODELISATION DU SYSTEME

Le système étudié est constitué par le générateur PV, le convertisseur DC-DC (hacheur de type survolteur) et la
BTS, de puissance égale à 3kW. Le convertisseur DC-DC est commandé par un signal à modulation de largeur
d i pulsio ave u e st at gie de e he he du poi t de puissa e a i ale MPPT.
La figure ci-dessous p se te le s opti ue de l e se le du système :

Figure 1 : Schéma synoptique du système PV contrôlé par

MPPT

La o a de MPPT d liv e l a tio de o t ôle app op i e afi de suiv e le poi t de puissa e a i ale e
ha ue i sta t. Ce o t ôle, da s le as d u t a sfo ateu DC, agit directement sur le rapport cyclique du
convertisseur DC-DC.
II.1 Modèle du module photovoltaïque
Dans le as id al, la jo tio PN sou ise à l lai e e t photovoltaï ue o e t e à u e ha ge peut t e
schématisée par un générateur de courant Icc en parallèle avec une diode. Sous o s u it , l uatio de la
diode est donnée par [7, 8]:
�
� = � [ exp ��
− 1] (1)
Sous éclairement, on aura :
�
�=� − � [exp ��
− 1] (2)

Avec : Is, courant de saturation inverse de la diode ; , la ha ge de l le t o (1.6 10-19C) ; k, la

constante de Boltzmann (1.38 10-23J/K) ; n, le facteur de non idéalité de la photopile (1< n <2) ; T, la
température de la jonction en K ; i, le courant circulant dans la diode ; I, le courant de sortie, et V la tension de
sortie.
En ci uit ouve t, la ha ge te d ve s l i fi i et V te d ve s Vco, qui est la tension en circuit ouvert.
Lorsque les résistances de contacts et les pertes ohmiques sont prises en compte comme dans le cas réel,
nous devons associer au schéma équivalent une résistance série (Rs) et une résistance parallèle (Rp), le
modèle de la cellule devient :

Figure 2 : Mod le d u e ellule elle

Ai si l uatio devie t :

�+� � �+� �
�=� −� exp ��
− 1 − � (3) avec � = �

S. Ndoye et al / J. Sci.Vol. 9, N° 2 (2009) 45 – 55 - 46 -

 http://www.ucadjds.org Journal des Sciences

Da s le as id al, o a ‘s ui te d ve s et ‘p ui te d ve s l i fi i.
Ces résistances (Rs et Rp) donnent dans le cas réel une évaluation des imperfections de la diode ; en
considérant que Rs présente une valeur faible et que Rs<<Rp, les pentes de la caractéristique I(V) sous
illumination, calculées en I=0 (circuit ouvert) et V=0 (court circuit), donnent respectivement les valeurs
inverses des résistances série et shunt.
II.1.1 Influence de la température
L uatio de Boltz a do e : Is = Io e p eVo/kT . L e p ie e o tre que la tension de circuit ouvert
d u e ellule solai e di i ue ave l aug e tatio de la te p atu e de la ellule. U o d e de g a deu
courant de la perte est de 2.3mV/°C/cellule [8]. Nous présentons ci-dessous la caractéristique I-V d u odule
photovoltaï ue pou u iveau d e soleille e t G do et pou diff e tes te p atu es :
Courbe I-V du module à G constant pour diverses températures
5
PPM
4.5

4 0°C
25°C
3.5 50°C
Courant Module en A

75°C
3

2.5

1.5

0.5

0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
Tension Module en V

Figure 3 : Caractéristique courant-tension pour différentes

valeurs de la température
Le courant de court circuit, par contre, augmente légèrement avec la température de la cellule (environ 0.05%
par degré Celsius).
II.1.2 Influence du rayonnement
Nous avo s fait va ie le iveau d e soleille e t G et t a les a a t isti ues I-V associées :
Courbe I-V du module à T constante pour divers ensoleillements
5
1000W/m2
4.5

4 800W/m2

3.5
Courant Module en A

3 600W/m2

2.5

2 400W/m2

1.5

1 200W/m2

0.5

0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
Tension Module en V

Figure 4 : Caractéristique courant-tension pour différentes valeurs

du rayonnement

II.2 Modélisation du générateur photovoltaïque

S. Ndoye et al / J. Sci.Vol. 9, N° 2 (2009) 45 – 55 - 47 -

 http://www.ucadjds.org Journal des Sciences

La puissa e d liv e pa u e ellule e suffit pa pou ali e te u e ha ge DC de la taille d u e statio

relais de télécommunications (BTS). Il va falloir interconnecter plusieurs cellules en série et en parallèle pour
former un module photovoltaïque et atteindre la puissance désirée.
A leu tou , l i te o e io de odules e t e eu e s ie et e pa all le, pou o te i u e puissa e
encore plus grande, définit la notion de générateur photovoltaïque (GPV).
Pour chaque module, le constructeur, le constructeur donne le courant de court-circuit (Icc) et la tension de
circuit couvert (Vco) aux conditions standards (T=25°C et Es=1000W/m2).
Si on pose Ns, le nombre de modules connectés en série dans une branche et Np, le nombre de
branches connectées en parallèle.
Le schéma équivalent du générateur photovoltaïque devient :

Figure 5 : Modèle du générateur

photovoltaïque
L uatio gissa t e od le de g ateu photovoltaï ue est o te ue à pa ti de l uatio :
�
� + � �
�
� =� � −� � exp � ��
−1 (4)
Ce qui donne
�
� +� � �
� � exp −1 = � � −�
� ��
�
(� + � � ) � � −�
�
et : exp( )= +1
� �� � �
puis :
� � �� � � −�
� + � � = ln +1
� � �
d où :
�
� �� � − �
�
� = ln +1 − � � (5)
� �
A pa ti de l uatio 5 , ous ta lisso s le od le Si uli k du g ateu photovoltaï ue do pa la
figure suivante :

-K-
25
Beta
Tref

0.7 11/2
Vref
1 Rs Ns/Np 35 1
Product3
del V Vnew
T Ns

2
-K- 4 2
G del I
Iref Product1 Inew
Product alpha Np

1000

Subsystem Gref
1 Product2

1 2.41

Isc

Figure 6: Modèle Simulink du générateur photovoltaïque

II.3 Modélisation du hacheur boost

S. Ndoye et al / J. Sci.Vol. 9, N° 2 (2009) 45 – 55 - 48 -
 http://www.ucadjds.org Journal des Sciences

Le convertisseur continu-continu est un hacheur à transistor de type parallèle donc élévateur de tension.
Il est dimensionné pour une puissance de 3kW correspondant aux valeurs nominales I=60A, V=48V, coté BTS,
et I=172A et V=17.4V, coté générateur. So appo t de t a sfo atio est, e appela t α le appo t li ue
(rapport du temps pendant lequel le transistor est fermé, à la période de hachage) :
� 1
�
= 1−�
ave α <
Pour une puissance incidente, la puissance optimale transférée à la charge ne pourrait être maximale que
pour un rapport cyclique bien défini.
Ce modèle de hacheur Boost ou Hacheur survolteur, est utilisé pour augmenter la tension de sortie, par
rapport à la source. Sa forme la plus simple est présentée comme suit [9]:

Figure 7: Forme simple du hacheur Boost

Ce hacheur comporte trois composants :

Une inductance L, une capacité C et un interrupteur qui peut prendre deux états, u=1 et u=0.
Son principe peut être expliqué de la manière suivante :
Quand l i te upteur est en position 1, le circuit est séparé en deux parties : à gauche, la source charge
l i du ta e, pe da t e te ps, la apa it à d oite ai tie t la te sio de so tie utilisa t l e gie
précédemment stockée. Quand l i te upteu change de position ve s , la sou e DC et l e gie sto k e
da s l i du ta e vo t e se le ali e te le i uit à d oite, d où u e aug e tatio de la te sio de so tie.
Da s les o ditio s id ales, est à di e : interrupteur idéal, capacité idéale et inductance idéale, le hacheur
Boost peut être modélisé en utilisant les équations différentielles ordinaires suivantes :
� � ��
� = 1− �� − − � (6) � = �� − 1 − � (7)
�
V0 = Ri (8)

Le modèle Simulink du hacheur idéal est alors le suivant :

IL
V0,iL

1
-K -
s
Subtract 1/C Integrator 2
MOSFET IL
1/R
1
1/6 V0
V0

1
-K-
s
1/L Integrator 1

MOSFET 1

0 Masse 5 Vin

1 MLI

Figure 8 : Modèle Simulink du hacheur idéal

Da s le as g al, u e sista e i te e à l i du ta e, ‘L et une résistance interne à la capacité RC,
peuvent être ajoutées au modèle précédent.
Les équations (6) et (7) deviennent :
� �0 ��
� = 1− − − � (9) � = �� − 1 − � − ���� (10)
�

S. Ndoye et al / J. Sci.Vol. 9, N° 2 (2009) 45 – 55 - 49 -

 http://www.ucadjds.org Journal des Sciences

�
� =� +� � (11)
En insérant (11) dans (6) :
� � � � �
� = 1− �� − − − � − �
� � �
Ce qui donne :
� � �
(1 + )C = 1− �� − �
� �
et,
�+� � �
� = 1− �� − − �
� �
d où
� � � ��0
� = 1− �� − − (12)
�+� �+� �+�
L e p essio devie t :
�� � ��
� =� + 1− �� − � − �
�+� �+� �+�

En développant cette expression de V0 on obtient :

�� + � � − � � ��
� = + ( )[ 1 − �� − � ]
�+� �+�

et donc,
�� ��
� = �+�
+ �+�
[ 1− �� − � ] (13)
L e p essio devie t :
1
�� = � �� − 1 − �0 − ���� (14)
A partir des équations (13) et (14), on définit le modèle Simulink du hacheur Boost DC-DC réel.
Integrator 1/C
1
-K -
s

0.7
1/5
Rc Product
Divide 1/R
1
5 V0
R 1

Product 1 Rc1

IL
V0,iL

2
MOSFET IL
5 i0

V0

1
s
-K -
Integrator 1
1/L

MOSFET 1 RL

0.7

0 Masse 5 Vin

1 MLI

Figure 9 : Modèle Simulink du Hacheur Boost réel

II.4 Modélisatio de l’algorith e de co a de

S. Ndoye et al / J. Sci.Vol. 9, N° 2 (2009) 45 – 55 - 50 -

 http://www.ucadjds.org Journal des Sciences

Si plus g ale e t, o d si e suiv e le poi t de puissa e a i ale e s aff a hissa t de la

o aissa e des pa a t es ui odifie t sa positio , o doit e ou i au te h i ues d asse visse e t, e
utilisa t la plus souple, elle de pe tu atio et o se vatio , PαO [10].
C est l algo ith e de pou suite du point de puissance maximale (PPM) le plus utilisé, et comme son nom
l i di ue il est as su la pe tu atio du s st e pa l aug e tatio ou la di i utio de V ef ou e agissa t
directement sur le rapport cyclique du convertisseur DC-DC, puis l o se vatio de l effet su la puissa e de
sortie e vue d u e ve tuelle o e tio de e appo t li ue.
Si la valeur de la puissance actuelle P(k) du générateur est supérieure à la valeur précédente P(k-1) alors on
garde la même direction de perturbation précédente sinon on inverse la perturbation du cycle précédent. La
figu e suiva te do e l o ga ig a e de et algo ith e.

Figure 11: O ga ig a e de l algo ith e Pe tu atio et O se vatio Pa dO .

Cette figure montre l'organigramme de l'algorithme de P&O tel qu'il doit être implémenté dans le
microprocesseur de contrôle ; Son modèle Simulink est donné par la figure ci-dessous :
1
[P]
i
Product Goto

2
u
>0
1 Add 2
z Compare
Unit Delay Add To Zero 1

Constant 1

-1 1
incr
Constant 2
Multiport
[P ] Switch Product 1
>0 2
1
From
Compare Gain
z
To Zero
Unit Delay 1
Add 1 2
1

Constant Constant 3

~= 0

Compare
To Zero 2

Figure 12 : Mod le Si uli k de l algo ith e P&O

II.5 Modélisation de la commande MLI

S. Ndoye et al / J. Sci.Vol. 9, N° 2 (2009) 45 – 55 - 51 -

 http://www.ucadjds.org Journal des Sciences

L le t o i ue de gulatio et o a de d te i e, à pa ti des o sig es i pos es de l e t ieu et des

esu es p lev es su le g ateu et la ha ge, la s ue e de o du tio et de lo age de l i te upteu et
élabore les signaux logiques nécessaires à sa commande en fonction du type de convertisseur utilisé.
Dans le cas de la commande MLI [11], o fait va ie l tat de l i te upteu à u e ade e ui e
dépend pas de la manière dont évoluent les grandeurs relatives aux systèmes interconnectés par le
convertisseur électronique de puissance, cette cadence étant fixée essentiellement en fonction de la vitesse
de o utatio de l i te upteu .
Co e toute o utatio evie t à odifie le pote tiel d u e o e d a s du s st e à a a t e
de sou e de ou a t e la o e ta t d u e o e à u e aut e du s st e à aractère de source de tension,
la o a de pa odulatio e la geu d i pulsio s ou o a de MLI o siste à hoisi u e f ue e de
o utatio pou l i te upteu et à fi e à l i t ieu de la p iode de o utatio les i te valles de
conduction des inte upteu s o e t es à u e o e de la « sou e de ou a t » e fo tio d u sig al de
référence qui correspond au potentiel souhaité pour cette borne.
Sous fo e u i ue e t pe de o a de est alis e fi a t à l aide de « ti e s » les i te valles
de conduction des différents interrupteurs sur chaque période ou chaque demi-période de modulation,
comme le montre la figure suivante.

Figure 13 : G atio d u sig al a à la so tie

du comparateur
Le comparateur permet de générer à sa sortie une tension rectangulaire modulée en largeur (rapport cyclique
va ia le: sig al MLI . Ce i est le sultat de la o pa aiso e t e le sig al à la so tie de l i t g ateu V ef et
celui généré par un générateur triangulaire, ou en dent de scie, de fréquence fixée par le fonctionnement du
convertisseur .
Lorsque la tension Vref augmente (diminue), le rapport cyclique α augmente (diminue). Les variations de la
tension Vref induisent, pour un éclairement et une température donnés, le déplacement du point de
fonctionnement sur la caractéristique puissance – tension.
Un driver est inséré entre la sortie du comparateur et le convertisseur DC-DC, et son rôle est de transmettre,
sa s d fo atio , le sig al odul e la geu à l i te upteu t a sisto Mosfet o a da t le
o ve tisseu d e gie.
Ceci nous permet de modéliser la commande MLI sous Matlab/Simulink, de la manière suivante :
0.5

Constant
<=

5
Signal Relational
Constant 1 1
Generator Operator 1
MLI
0 Switch

Constant 2

Scope

Figure 14 : Modèle Simulink de la commande MLI

II.3 RESULTATS
S. Ndoye et al / J. Sci.Vol. 9, N° 2 (2009) 45 – 55 - 52 -
 http://www.ucadjds.org Journal des Sciences

La simulation a été réalisée en considérant la station de relais de télécommunications comme une charge
résistive.
La figure 5 o t e l volutio du poi t de fo tio ement dans la caractéristique Puissance-Tension pour
diff e ts iveau d e soleille e t.
(a) Courbe de Puissance en fonction de la tension
160

140

120
Puissance de sortie Module(W)

100

80

60

40

20

0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
Tension Module (V)

Figure 15 : Caractéristique Puissance - tension pour différents

ensoleillements
Nous présentons maintenant la caractéristique Puissance-Tension pour différentes températures. Elle est
donnée par la figure suivante :
Courbe P-V du module à G constant pour diverses températures
5

4.5

4
0°
3.5
Puissance Module en W

25°
3

50°
2.5

2 75°

1.5

0.5

0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
Tension Module en V

Figure 16 : Caractéristique Puissance - tension pour différentes

températures

Les elev s d i adiatio et de te p atu e su ot e site de test , ous o t pe is de t a e les ou es

(figures 17- a et b) suivantes de la température et de l e soleille e t e fo tio du te ps. Nous avo s
obtenu 1492 mesures effectuées sur une journée ensoleillée, de 00h00 à 23h59.

S. Ndoye et al / J. Sci.Vol. 9, N° 2 (2009) 45 – 55 - 53 -

 http://www.ucadjds.org Journal des Sciences

Température en fonction du temps journée ensoleillée Ensoleillement en fonction du temps journée ensoleillée
34 900

33 800

700
32

Ensoleillement en W/m 2
600
Température en °C

31

500
30
400
29
300
28
200

27
100

26 0
0 500 1000 1500 0 500 1000 1500
1428 mesures de temps de 00h00 à 23h59 1428 mesures de temps de 00h00 à 23h59

Figure 17- a : Courbe de Température en fonction du Figure 17- b : Cou e d e soleille e t e fo tio du
temps temps

La figure 18 montre la relation entre la puissance de sortie du convertisseur et son rapport cyclique. Nous
avons la puissance maximale pour un rapport cyclique égal à 0,5.
(c) Puissance de sortie en fonction du rapport cyclique
160

140

120
Puissance de sortie(W)

100

80

60

40

20

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Rapport cyclique

Figure 18 : Courbe de Puissance en fonction du rapport

cyclique
La figure 19 montre la relation entre le courant et la tension de sortie du convertisseur qui est égale à la
charge de la BTS.
(d) Courant de sortie en fonction de la tension
6

4
Courant de sortie (A)

0
0 5 10 15 20 25 30 35
Tension de sortie(V)

Figure 19 : Caractéristique I-V à la sortie du

convertisseur

S. Ndoye et al / J. Sci.Vol. 9, N° 2 (2009) 45 – 55 - 54 -

 http://www.ucadjds.org Journal des Sciences

III. CONCLUSION
Pour avoir le meilleur transfert de puissance e t e le g ateu photovoltaï ue GPV et la ha ge, nous
avo s od lis l e se le de la hai e de o ve sio sous Matla et l algo ith e de e he he du poi t de
puissance maximale (MPPT) a été conçu puis simulé. Il force le générateur GPV à travailler à son Maximum
Power Point (MPP), induisant une amélioration globale du rendement du système de conversion électrique.
Bien que satisfaisante par rapport à une connexion directe GPV-BTS, u e a lio atio de l algorithme P&O
peut s av e essai e da s le as de us ues ha ge e ts de te p atu e et d e soleille e ts.
REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES
[1] Gerard Barué, « Télécommunications et Infrastructures : liaisons hertziennes, spatiales, optiques »,
Ellipses, 2003
[2] Dezso Sera, Remus Teodorescu, Tamas Kerekes, « Teaching Maximum Power Point Trackers Using a
Photovoltaic Array Model with Graphical User Interface, Institute of Energy Technology, Aalborg University,
Denmark, December 2008
[3] Vikrant. A. Chaudhari, « Automatic Peak Power Tracker for Solar Pv Modules using Dspace Software »,
Thesis, Energ Centre Deemed University, BHOPAL, 2005
[4] Angel Cid Pastor, « Conception et Réalisation de Modules Photovoltaïques électroniques », Thèse de
Doctorat, INSA Toulouse, 2006
[5] K. Kassmi, M. Hamdaoui, et F. Olivié, « Co eptio et Mod lisatio d u s st e photovoltaï ue adapt
par une commande MPPT », revue des Energies Renouvelables, Vol10.N°4 (2007) pp. 451-462
[6] C. Boisvineau, M. Nougaret et J Terard, « Opti isatio du fo tio e e t d u g ateu
photovoltaïque : Asservissement extrémal de la puissance », Revue de Physique Appliquée 17 (1982) pp329-
336
[7] Kalogirou, Soteris, « Solar energy engineering: processes and systems » / 1st ed., Academic Press 2009.
[8] Antonio Luque, Steven Hegedus, « Handbook of Photovoltaic Science and Engineering », 2003, John Wiley
& Sons Ltd
[9] Guang Yi Cao, « Mathematical Models of Dc-Dc Converters », Journal of Zhejiang University, pp263-270,
China, 2009
[10] H. Buhler, « Convertisseur Statique », Presses Polytechniques Romandes, Lausanne, 1991
[11] Michel Pinard, « Convertisseurs et Electronique de Puissance », Dunod, 2007.

S. Ndoye et al / J. Sci.Vol. 9, N° 2 (2009) 45 – 55 - 55 -