UNIVERSITÉ FRÈRES MENTOURI -

CONSTANTINE 1
Faculté: Sciences Exactes
Département : Physique
Section : Fondamentale
UEM 13 : physique des semi-conducteurs

Correction de l’ Examen final 2018/2019

Question du cours (4pts)

Sachant que la concentration de porteurs intrinsèques de InSb (Eg=0.18 eV) est de 1x1015
cm-3 à température ambiante (300 K), si nous avons maintenant un échantillon dopé avec une
concentration de 1016 cm-3 donneurs, quelle sera la concentration de trous ?

On a InSb : Eg = 0,18 eV , ni = 1015 cm-3 , ND = 1016 cm-3 à T = 300 °K

On sait que pour un matériau intrinsèque : n.p = ni2 (1pt)

A cette température : n = ND , alors : (1pt)

n n
p= = 1pt → p = 10 cm 1pt
n N

Exercice n°1 : (8pts)

Un semi-conducteur est en silicium de largeur de bande interdite (ou gap) Eg=1,1eV et

pour lequel les densités équivalentes d'états énergétiques dans la bande de conduction
NC=2,7.1019cm-3 et et dans la bande de valence NV=1,1.1019cm-3.
1- Calculez sa densité intrinsèque et la position du niveau de Fermi à 27°C, 127°C et
227°C. On rappel qu'à 300K, kT= 0.026 eV, on prendra comme référence
énergétique, le haut de la bande de valence (EV = 0 eV).

On a : Eg=1,1eV, NC=2,7.1019cm-3, NV=1,1.1019cm-3 , kT= 0.026 eV à T = 300 °K

La densité intrinsèque et la position du niveau de Fermi.

On sait que :
!
= − %
2 #$
! #$
& = + ( ) *
2 2

T(°C) 27 127 227

T 300 400 500

ni 1,12 1010 3,42 1012 1,26 1014
Efi 0,538 0,534 0,5.31
 ium est dopé avec du phosphore de concentration 1018cm-3.
Le silicium

2- Calculez à 27°C, la densité d'électrons

d'électrons du Si ainsi dopé. En déduire la densité de trous.
Quel est le type de semi-conducteur
conducteur ainsi obtenu ?

La densité d'électrons du Si dopé :

N = 10 0 cm
Lee phosphore est une impureté de type donneur :
N ≫ 2
Donc la densité d'électrons est égale à la densité de donneurs
n = N = 10 0 cm
La densité des trous à T =300 K :
On sait que :
n n 1,012 10 4
p. n = n → p = = → p= = 102,414
102 cm
n N 10 0

le semi-conducteur est de type n

3- Calculez à 27°C la position du niveau de Fermi EF puis donnez une représentation du

diagramme de bandes du silicium ainsi dopé.

La position du niveau de Fermi :

L’énergie de Fermi peut être déduite de la densité d’électrons comme suit :
− − + −
= ND =
& & & &
-− .= -− .
#$ #$
− − −
ND =
& & & & &
--− . -− . = . -− .
#$ #$ #$
ND − ND − ND
→ ( 5 →
& & & &
= -− . 6=− & = & + #$. ( 5 6
#$ #$

AN :
10 0
= 0,538 + 0,026. ( 5 6 = 1,0166 eV
eV
1,012 10 4
/

Représentation du diagramme de bandes du Silicium dopé :

Exercice n°2 : (8pts)

Soit une jonction PN abrupte issus d'un même cristal.

1- Donnez le schéma de la variation
v de la différence de densités dee donneurs et
d'accepteurs pour une jonction abrupte

2- Donnez la représentation
eprésentation schématique des liaisons électroniques pour une jonction
PN de semi-conducteurs
conducteurs en silicium (Si). Le dopage N est obtenue par de l'arsenic
(As) et le dopage P par du Bohr (B) et indiquer la zone de charge d'espace (zone de
déplétion)

3- Donnez l’expression du courant

cou dû aux électrons libres qui traversent la jonction
pour un modèle à une dimension, en déduire l’équation différentielle de la
concentration de porteurs en fonction de et la relation d’Einstein.

A l’équilibre et pour un modèle à une dimension

D
= 0 ⟺ BC@ ' B µ@ 0
D
>?@ + > @

D

µ@
D C@
Avec la relation d'Einstein :
4- Calculez la d.d.p. VD (la tension de diffusion)
diffusion et le champ électrique dans la zone de
déplétion.

Et on intégre le long de la zone de déplétion :

dn qE OP
dn q OP
n ⟺ N N E dx
dx kT OQ n kT OQ
q q
ln nOP ln n OQ RVOP V OQ S V
kT kT
nO N q
ln P ln V
n OQ n kT
5N 6
T

D’où :
kT NT N
V ln
q n
Calcul du champ électrique dans la zone de déplétion :
La relation de Poisson liant les grandeurs charges d'espace ρ [C.cm-3] , champ électrique E et
potentiel électrostatique V est (dans le cas à une dimension):
D U D V
D D H4 HI
Où H4 HI est la permittivité du milieu (10-10 F/m pour le silicium).
Dans la zone de déplétion : On a la densité de charge dans la région P (accepteurs chargés
négativement) ρp= - qNA en C.cm-3 et dans la région N (donneurs chargés positivement) ρn= +qND
en C.cm-3
Vu la neutralité électrique, la charge totale est nulle :
qND A xn - qNA A xp = 0 ( A est l’aire de la jonction) donc ND xn =NA xp
5- Calculez de la largeur de la zone de déplétion.

Le potentiel de diffusion se calcul à partir de E(x)

[\
UW U @ UX YZ N D
[]
4
B ^ [\
B W
N X ' Y Z D N D
[] H4 HI 4 H4 HI @

B ^ 1 B W 1
) * ) *
H4 HI 2 Y Y
H4 HI 2 @ @

B ^ 1 B W 1
) *' ) *
H4 HI 2 Y
H4 HI 2 @
1
UW | ` |X Y ' @Z
2

Avec la neutralité électrique, la largeur de la zone de déplétion W :

2H4 HI 1 1
a ' b ) ' * UW
Y @
B ^ W