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Question 1
Question 2
Les électrons se déplacent en sens contraire du sens conventionnel du courant donc ils partent
de B pour arriver à A.
Question 3
AN : vd = 8 10-3 /(0.1 10-6 * 1.6 10-19 * 8.0 1028) = 1.0/1.6 10-5 m/s donc vd 6.2 10-6 m/s.
Question 4
t = 2 L / vd donc t = 2.0 1.6 105 = 3.2 105 s. soit 3.7 jours (3 jours 17 h)
Question 5
Question 6
Mobilité porteurs positifs : 4.5 10-2 m2.V-1.s-1., résistivité : p = 47 * 1.0 10-6/2.0 10-3 .m.
A.N. : NA = 2.0 10-3 /(1.6 10-19 * 47 * 1.0 10-6 * 4.5 10-2) = 5.9 1021 m-3 .
ni2 = 1.0 1032 m-6 donc NA2 >> 4 ni2 alors NA = 5.9 1015 cm-3
Question 7
VAB est une petite variation de VAB créée par une petite variation T de T0. Le circuit est
alimenté à courant constant donc I = 0 et µp(T) = k T-3/2 alors :
VAB/VAB R/R = - p/p = - µp/µp = 1.5 T/T0 donc : VAB/T = 1.5 VAB /T0
A.N. VAB/T = 1.5 * 0.38/300 = 1.9 10-3 V/° C et : VAB/T = 1.9 mV/°C.
Question 8
mais NcNv = ni2 exp(Eg/kBT) ; en remplaçant NcNv dans l’expression de qVb on trouve :
Question 9
Dans on fait NA = 100 ND = 100 N ; on obtient :
A.N. N = 1.0 1015 exp(0.65 *20) = 4.4 1020 m-3 donc ND = 4.4 1014 cm-3 , NA = 4.4 1016 cm-3
Question 10
W = xp + xn (1)
le champ décroît linéairement d’une valeur nulle à la valeur la plus négative : Ep(0).
On applique la loi de GAUSS du côté N :
;
Le champ croît linéairement de la valeur la plus
négative : En(0) à 0.
ND xn = NA xp (2)
A.N. W 1.4 µm
EM= - 2 Vb/W A.N. EM= - 2 *0.65/1.4 10-6 - 9.6 105 V/m EM - 9.6 kV/cm.
Question 11
; en utilisant et
A.N. =
3.5 10-6 A/m2. = 3.5 10-10 A/cm2
Question 12
Calcul de la tension aux bornes du générateur :
A.N. VAB = 0.025 Log(8.0 10-3/3.0 10-13) = 0.60 V. + 50 *0.008 = 1.0 V VAB = 1.0 V.
(B) et
mais VAB = Vj + Rt ID. Ce qui donne pour une petite variation T autour de T0 :
VAB(T0)/T = [VAB(T0) + 0.5 Rt(T0) ID(T0) - Eg/q – 3 kBT0/q]/T0
A.N. : VAB(T0)/T = [1.0 + 0.5 50 8.0 10-3- 1.12 – 3 0.025]/300 = 1.7 10-5 V/°C.
Le coefficient de température est très faible cela signifie que la tension varie très peu en
fonction de la température.
EXERCICE 2 CORRECTION
Question 1
Question 2
Pour que le contact métal-semiconducteur de type N présente une barrière il faut que le travail
de sortie du métal soit supérieur au travail de sortie du semiconducteur ‘N’.
Question 3
Question 4
A.N.
ND = 1.0 1022 m-3; s = 1.0 10-10 F/m; Vb = 0.53 V W = 0.26 µm et Cj/S = 3.9 104 pF.cm-2
Question 5
Pour polariser une barrière métal-semiconducteur 'N', il faut porter, à l'aide d'une source
extérieure, le métal à un potentiel positif par rapport au semiconducteur.
Si ID est le courant traversant la barrière et I0 le courant d'émission des électrons du métal vers
le semiconducteur et Vj la tension appliquée par le source extérieure sur la barrière on a :
Donc :
Vj = kBT/q Log(ID/I0)
A.N.
ID/I0 = 1.0 106 ; Vj = 0.025 Log 106 = 0.345 V.; donc Vj = 0.35 V.
Question 6
Sans polarisation extérieure, le champ maximum dans la barrière se situe sur l'interface métal-
semiconducteur et sa valeur est : EM = - 2 Vb/W.
Quand une tension inverse est appliquée (métal à un potentiel négatif par rapport au
semiconducteur), le champ maximum va augmenter et il atteindra la valeur du champ
d'avalanche Eav pour une valeur de la tension extérieure appelée Vz : tension de claquage
inverse.
Vz = - Vb[(Eav/EM)2 – 1]
A.N.
Question 7
Pour réaliser un contact ohmique métal-semiconducteur 'N' deux cas sont possibles :
1°) on dispose d'un métal dont le travail de sortie est inférieur au travail de sortie du
semiconducteur dopé N. Dans ce cas, le dépôt de métal sur le semiconducteur réalise un
contact ohmique.
2°) le métal utilisé ne répond pas à la condition précédente. Dans ce cas, par diffusion
d'impuretés donneuses on réalise une couche très dopée (couche tampon) et la barrière métal-
semiconducteur obtenue est tellement mince qu'elle peut être traversée par les porteurs grâce à
l'effet tunnel.
Correction de l'exercice.
Question 1
A.N. ni2 = (2.5 1025)2 (0.023 * 0.4)3/2 exp- 0.36/0.0253 = 3.641041 m-6 ; ni = 6.04 1020 m-3 donc :
Question 2 .
A.N.
A partir de maintenant on considère l'InAs dopé N avec ni = 2.0 1020 m-3 et la densité des
porteurs négatifs dix mille fois plus grande que la densité des porteurs positifs donc n = 104 p
Question 3
A.N.
Question 4
A la température ambiante, la densité des porteurs majoritaires négatifs est donc dix mille fois
plus grande que la densité des porteurs minoritaires positifs donc :
N = q n µn = q ND µn = 1/ N
A.N.
N = 1.6 10-19 2.0 1022 3.3 = 10.6 103 (.m)-1 donc : N = 9.5 10-3 .cm
Question 5
La diode réalisée à une surface S = (1.0 10-4)2 = 10-8 m2, le dopage de la partie N est ND = 2.0
1022 m-3. La durée de vie des trous du côté N et la durée de vie des électrons du côté P valent
toutes les deux 1.0 10-5 s.
A.N.
NA = (2.0 1020)2/2.0 1022 * exp(0.045/0.0253) = 1.06 1026 m-3 donc : NA = 1.0 1020 cm-3
Remarque le dopage de la partie P de la jonction est beaucoup plus fort que le dopage de la
partie N, on a affaire à une diode P+N.
Question 6
La jonction est supposée abrupte donc l'épaisseur de la zone désertée peut se mettre sous la
forme :
A.N.
= 0r = 8.84 10-12 * 14.6 F/m, W = 0.19 µm; Cj = 6.8 pF
Question 7