FACULTE DES Travaux Dirigés de semiconducteur

SCIENCES DE Niamey SERIE 2

Département de Physique
SECTION: MI2/L2EEA
A.U: 2022-2023
Exercice 1
Une plaquette en Si dopé avec 1017cm−3atomes de As , la longueur de la plaquette est de 2 mm et
la section de 1 mm2
Calculer la résistance de cette plaquette ?
On donne : µ = 1, 4103cm2V−1s−1
n
Exercice 2
Un semi-conducteur au Si de type N de longueur 2 mm et de section de 1 mm2.
Sa résistance à T=300°K est de 100Ω :
1. Calculer la résistivité du semi-conducteur ?
2. Calculer les concentrations des porteurs majoritaires et minoritaires ?
3. A quelle température T1, le nombre d’électrons provenant de la rupture des liaisons de valence
est-il égale au nombre d’électrons provenant de l’ionisation des donneurs.
Nc et Nv sont supposées indépendantes de la température
On donne : Eg = 1, 12 eV , µ = 1, 4103cm2V−1s−1, µ = 0, 5103cm2V−1s−1, N = N =
n p C V

2, 51025m−3et k = 1, 381023JK−1
Exercice 3
Dans un cristal de silicium intrinsèque, les électrons et les trous ont
2 2
respectivement les mobilités : μn=1400 cm /Vs et μp=500 cm /Vs à 300 K.
1 – Calculer pour le silicium intrinsèque:
a) Sa concentration en porteurs ;
b) sa conductivité électrique.
On dope le cristal de silicium en lui injectant 1017 atomes/cm3 d’arsenic.
2 – Calculer la concentration des porteurs majoritaires et celle des porteurs
minoritaires. 3 – Sachant que le temps entre deux collisions est ι=5.10-13
s, déterminer la mobilité des électrons.
4 – Calculer la conductivité électrique du silicium
extrinsèque. 5 – Comparer les résultats obtenus en
1b) et 4).
Que peut-on en conclure?
6 – Calculer :
a) la valeur moyenne de la vitesse thermique des électrons ;
b) le module de la vitesse de déplacement des électrons dans un barreau
de silicium de 50 cm de long, soumis à une tension de 5 V.
Que peut-on en conclure?
7 – Trouver le libre parcours moyen des électrons.
On donne me* = 1,05m0, mt* = 0,61m0
Exercice 4
A – Soit un cristal de silicium dopé avec du bore à raison de 1016 atomes/cm3.
1 – En supposant qu’à 50 K, tous les atomes de silicium sont
neutres, quelle est la concentration des atomes ionisés et celle
des atomes neutres de bore, si la concentration des porteurs
 majoritaires vaut 1015 trous/cm3?
2 – Déduire la concentration des porteurs minoritaires.
B – On porte la température du cristal de 50 à 300 K de sorte que tous les
atomes additifs trivalents deviennent ionisés.
1 – Calculer la concentration :
a. intrinsèque ;
b. des trous libres ;
c. des électrons libres.
2 – Déterminer la position du niveau de Fermi par rapport au niveau intrinsèque.
3 – Trouver la température pour laquelle la concentration intrinsèque
devient égale à la concentration des atomes accepteurs. Pour faciliter
les calculs, on néglige la variation des concentrations effectives Nc et
Nv avec la température.
Exercice 5
On considère un cristal de germanium à 300 K, qu’on dopera avec une concentration
16 3
d’atomes de phosphore Nd=5 10 atomes/cm .
1 – Calculer la concentration des électrons libres et celle des trous libres.
2 – Déterminer la position du niveau de Fermi par rapport à Ec (bas
de la bande de conduction) ?
3 – Pour quelle concentration d’atomes donneurs, EF se confond avec Ec ?
4 – A quelle température, le nombre d’électrons de conduction provenant de
la rupture des liaisons de valence est-il égal au nombre d’électrons
provenant de l’ionisation des atomes additifs pentavalents? Pour faciliter
les calculs, on néglige la variation des concentrations effectives Nc et Nv
avec la température.
On donne : Eg = 0,66 eV, me* = 0,55m0, mt* = 0,36m0
Exercice 6
Soit un monocristal de silicium dopé par des additifs trivalents avec une concentration
Na et des additifs pentavalents avec une concentration Nd. Ces additifs introduisent dans
la bande interdite deux niveaux d’énergie Ea et Ed.
1 – Etablir le bilan des charges
présentes sur :
a – le niveau d’énergie Ea,
b – le niveau d’énergie Ed,
c – les niveaux d’énergie de la bande de valence ;
d – les niveaux d’énergie de la bande de conduction.
En déduire l’équation de neutralité électrique la plus générale pour un semi-
conducteur dopé par des additifs tri et pentavalents.
2 – Que devient cette équation dans
le cas :
a – d’un semi-conducteur
intrinsèque ;
b – d’un semi-conducteur extrinsèque de
type N ;
c – d’un semi-conducteur extrinsèque de
type P ;
d – d’une ionisation complète de tous les
additifs.
Exercice 7
Une jonction PN abrupte au Germanium (Ge) est dopée d’un côté avec 1020atomes de Bore par
m3et de l’autre côté avec 1021atomes de Phosphore par m3 .
Si Eg = 0, 66 eV à T=300°K ,NC = 1, 041019cm−3, NV = 61018m−3et εr = 16 calculer :
1. La concentration intrinsèque ni
2. La concentration en majoritaires et minoritaires de chaque côté
3. Le potentiel de diffusion Vd
4. La largeur de la ZCE
Exercice 8
Une jonction PN abrupte au (Si) est dopée d’un côté avec 1014atomes de Bore par m3et de l’autre
côté avec 1015atomes de Phosphore par m3.
Si Eg = 1, 12 eV à T=300°K , NC = 2, 81019cm−3, NV = 1, 041019m−3et εr = 11, 8 ,
calculer :
1. La concentration intrinsèque ni
2. La concentration en majoritaires et minoritaires de chaque côté
3. Le potentiel de diffusion Vd
4. La largeur de la ZCE