UJKZ/ UFR-SEA Master 1 Physique Pr I.

ZERBO Année universitaire 2021- 2022

TD Physique des Semi-conducteurs et Composants Electroniques

Exercice 1
On donne pour le germanium :
- la masse volumique : μGe = 5.43 g/cm3 ;
- la masse atomique : MGe = 72.6 g ;
- la mobilité des électrons à 300 K : μn = 3800 cm2/Vs ;
- la mobilité des trous à 300 K : μp = 1800 cm2/Vs.
1. Déterminer la concentration d’atomes de germanium.
2. Sachant qu’à 300 K, tous les atomes de phosphore et de bore peuvent être ionisés, calculer la résistivité
lorsqu’on ajoute à raison :
2.1 d’un atome de phosphore pour 105 atomes de germanium ;
2.2 d’un atome de bore pour 105 atomes de germanium. Que peut-on en conclure ?
3. Quelle doit être la concentration des atomes de bore pour que la résistivité soit égale à celle de 2.1 ?

Exercice 2
Un semi-conducteur au Si de type N de longueur 2 mm et de section de 1 mm2. Sa résistance à T = 300 K
est de 100 Ω :
1. Calculer la résistivité du semi-conducteur
2. Calculer la concentration des porteurs majoritaires et minoritaires
3. A quelle température T1, le nombre d’électrons provenant de la rupture des liaisons de valence est-il
égale au nombre d’électrons provenant de l’ionisation des donneurs.
Nc et Nv sont supposées indépendantes de la température
On donne : Eg = 1,12 eV, µn = 1,4×103 cm2V−1s−1, µp = 0,5×103 cm2V−1s−1, NC = NV = 2,5×1025 m−3 et
k = 1,38×1023 JK−1

Exercice 3
On considère un barreau de silicium intrinsèque. On donne :
- e = 1,6.10-19 C, k = 1,38.10-23 J/K, nombre d’Avogadro = 6,02.1023, h = 6,6.10-34 J.s.
- Masse atomique = 28,08 g.
- Masse volumique = 2,33.103 kg.m-3.
- Largeur de la bande interdite Eg = 1,1 eV (supposée indépendante de la température).
- Concentration effective des porteurs dans la bande de conduction,
NC = 3×1019 (T/300)3/2 atomes par cm3 , NV = 1019 (T/300)3/2 atomes par cm3
1. Calculer la concentration ni des porteurs à 300 K.
2. Le barreau est maintenant dopé à raison d’un atome d’antimoine (Sb) pour 5×1012 atomes de silicium.
Déterminer la concentration des impuretés introduites. Quel type de semi-conducteur obtient-on ? (Dans
quelle colonne de la classification périodique se situe cet atome ?)
3. Après avoir rappelé comment on établit les expressions générales donnant les concentrations des
porteurs n et p en fonction de ni et des concentrations des impuretés acceptrices et donatrices, déterminer
ces concentrations à 300 K.
4. On admet que le barreau de silicium redevient pratiquement intrinsèque lorsque ni dépasse de 10 fois la
valeur de la concentration des impuretés introduites. A quelle température minimum doit-on chauffer le
barreau pour se trouver dans un tel cas ?

Exercice 4
On considère un cristal de germanium à 300 K, qu’on dopera avec une concentration d’atomes de
phosphore ND = 5×1016 atomes/cm3.
1. Calculer la concentration des électrons libres et celle des trous libres.
2. Déterminer la position du niveau de Fermi par rapport à Ec (bas de la bande de conduction)
3. Pour quelle concentration d’atomes donneurs, EF se confond avec Ec ?

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4. A quelle température, le nombre d’électrons de conduction provenant de la rupture des liaisons de

valence est-il égal au nombre d’électrons provenant de l’ionisation des atomes additifs pentavalents ?
Pour faciliter les calculs, on néglige la variation des concentrations effectives Nc et Nv avec la
température. On donne : Eg = 0.66 eV, me* = 0.55×m0 , mt* = 0.36×m0

Exercice 5
Des porteurs minoritaires sont injectés dans un semiconducteur homogène de type N. Un champ
électrique de 50 V.cm-1 est appliqué à l’échantillon, et sous l’effet de ce champ, ces porteurs se déplacent
de 1 cm en 100 µs.
Déterminer la mobilité et le coefficient de diffusion de ces porteurs minoritaires.

Exercice 6
Soit un barreau de silicium de type N à la température ambiante (ND = 1016 cm-3) de section a.b et de
longueur L très supérieur à a et b, tel que ni = 1010 cm-3 ; kT = 0.025 eV. On admettra que µe = 3µt.
1. Déterminer la concentration des porteurs à l’équilibre et la position du niveau de Fermi.
2. La résistance du barreau dans l’obscurité vaut R0 = 6,5 Ω. Quelle est la mobilité des porteurs ?
3. L’échantillon est éclairé uniformément avec une lumière créant 1021 paires électron-trou par cm3 et
par seconde. Quelle est la résistance de l’échantillon ainsi éclairé sachant que la durée de vie des porteurs
minoritaires est de 10 µs ?
4. A l’instant t = 0, on éteint la source de lumière et l’échantillon se trouve dans l’obscurité.
4.1 Représenter les variations de sa conductivité au cours du temps.
4.2 En combien de temps retrouve-t-elle sa valeur à l’équilibre à 1% près ?
4.3 Quelle est alors la concentration des porteurs minoritaires ?

Exercice 7
Une lame mince semiconductrice de type N (ND = 1017 cm-3) est éclairée par un rayonnement
monochromatique qui crée des paires électron-trou avec un taux de génération GL = 1020 cm-3s-1 que l’on
peut considérer comme homogène en volume.
1. Sachant que la durée de vie des porteurs minoritaires dans l’échantillon est égale à τp = 10-9 s,
déterminer les concentrations de porteurs libres en régime stationnaire.
2. La surface en x → +∞ possède un taux de recombinaison de surface très élevé, de sorte que l’on peut
considérer que la concentration de porteurs excédentaires y est constamment nulle.
2.1 Etablir l’expression qui détermine dans ces conditions la variation de la concentration de porteurs
libres avec la position en régime stationnaire.
2.2 A quelle distance de la surface la concentration retrouve-t-elle sa valeur en volume (à 5% près) ? On
prendra pour valeur du coefficient de diffusion des trous Dt = 5 cm2s−1.
3. En déduire l’expression du courant des trous à proximité de la surface.