UJKZ / UFR-SEA Master 1 Physique Pr I.

ZERBO Année universitaire 2022-2023

CORRIGE DEVOIR DE CONVERSION PV (1ère SESSION)

Exercice 1 (7 pts)
1.1 Schéma électrique équivalent et caractéristique I-V d’une cellule PV idéale.

(0,5) (0,5)

1.2 Caractéristique I-V d’une cellule PV réelle, schéma électrique équivalent

(0,5) (0,5)
Equation de la caractéristique
Vj
I  I cc  I D  I Rsh  I  I cc  I s  exp  qV j k BT   1  avec V  RS I  V j  0  V j  V  RS I soit
Rsh
  q V  RS I    V  RS I
I  I cc  I s exp    1  (1)
  nk BT   Rsh
1.3 Résistances du modèle électrique équivalent de la cellule PV
- Rs : résistance série qui caractérise les pertes ohmiques dues à la résistance du matériau de la photopile
et à la résistance des contacts électriques. (0,5)
- Rsh : résistance shunt qui caractérise la fuite de courant au niveau de la jonction de la cellule PV. (0,5)
4
2.1 Photocourant Ig pour une puissance E de 1 kW/m2 I g  0,34  4  10  1000  0,14 A (0,5)
VM 0,5
2.2 Résistance de charge optimale Ropt Ropt   Ropt   3,846  (0,5)
IM 0,13
PM 0,5  0,13
2.3 Rendement de conversion de la cellule PV  c   c  3  0,16 (0,5)
ES 10  4  10 4
PM 0,5  0,13
2.4 Facteur de forme de la cellule PV FFc   FFc   0,885 (0,5)
I cc  Vco 0,136  0,54
2.5 Résistances série et shunt :

0,5
Rsh =  83,33 (0,5) et R s  0 ,54  0 ,5  0 ,124  (0,5)
0,136  0,13 0 ,136 0 ,1 3

1
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Exercice 2 (13 pts)
1) Comportement des porteurs minoritaires de charge dans la base de la cellule PV : (2)
Sous l’effet de l’excitation lumineuse :
- absorption de photons d’énergie supérieure à l’énergie du gap du silicium (Eph > 1,2 eV) (0,25)
- création de paires électrons-trous dans la base (0,25)
- diffusion des électrons vers la jonction (x = 0), du au gradient de concentration (0,25)
- migration des électrons vers la jonction (x = 0), du au champ électrique (0,25)
- collecte des électrons à la jonction (x = 0) : Sf taux d’électrons collectés (0,25)
- recombinaison des électrons dans le volume de la base : Ln ou τn (0,25)
-recombinaison des électrons à la face arrière de la base (x = H) : Sb taux d’électrons recombinés (0,25)
- électrons non recombinés à la jonction sont aidés par le champ électrique de la ZCE et envoyés dans
l’émetteur pour être collectés par les grilles. (0,25)
2) Equation aux densités de courant des porteurs minoritaires dans la base de la cellule PV :
  
Equation de magnéto-transport dans la base de la photopile : jn  eDn   en E (1)

Suivant les trois axes du repère, on a le système d’équations suivant :

 
 jx  eDn x  e µ n E0

  
 j y  eDn 0 (0,5) soit jx  eDn  e µ n E0
 y x
 
 jz  eDn 0
 z

3) Equation de continuité des porteurs minoritaires et résolution :

1  j x   x
  G  x   0 (1)
e x n

   x  n E0   x    x  G  x
2
En remplaçant jx par son expression, on obtient :   2  (0,5)
x 2
Dn x Ln Dn

La dérivé première dans l’équation de continuité met en évidence un phénomène d’amortissement de la

densité des électrons (0,5)
4. Résolution de l’équation de continuité en supposant que la cellule PV est éclairée par une lumière
multispectrale
3
G  x    ai e  bi x (0,5)
i 1

   x   n E0   x    x 
2
Equation homogène :   2  0 (0,5)
 x2 Dn x Ln
2
 n E0 1  E  4
Equation caractéristique : r  2
r  2  0 (0,5) discriminant :   n 0  2
Dn Ln  Dn  Ln

2
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2
n E0  E  4
   n 0  2
Dn  Dn  Ln
Racines de l’équation caractéristique : r1      (0,5)
2
2
n E0  E  4
   n 0  2 2
Dn  Dn  Ln  n E0 1   n E0  4
et r2      (0,5) avec    (0,25) et      2 (0,25)
2 2 Dn 2  Dn  Ln
Solution homogène :  h  x   e x  A1ch   x   A2 sh   x   (0,25)
3
Solution particulière :  p  x    K i e bi x (0,5) à injecter dans l’équation différentielle pour obtenir
i 1
a i
Ki  (0,5)
 2 n E0 1
Dn bi  bi  2 
 Dn Ln 
3
Solution générale de l’équation différentielle :   x   e x  A1ch   x   A2 sh   x     K i e  bi x (0,25)
i 1
5.1 Expression de la densité de photocourant en fonction de la vitesse dynamique à la jonction et des
paramètres de migration :
   x     x 
J ph  q  Dn   n E0  0   (1) or à la jonction Dn  Sf   0  (0,5) donc la densité de
 x x  0  x x 0
photocourant devient : J ph  q  0   Sf  n E0  (0,5)
5.2 Expression de la densité de photocourant en circuit ouvert : J ph  Sf  0   q  0   n E0 (0,5)
Ce courant passe dans la résistance shunt. (0,5)