Module : Electronique générale Niveau : 2 ème année

Serie de TD NO 01

Exercice 1

Sachant que la concentration de porteurs intrinsèques de InSb (Eg=0.18 eV) est de 1x10 15 cm-3
à température ambiante (300 K), si nous avons maintenant un échantillon dopé avec une
concentration de 1016 cm -3 donneurs, quelle sera la concentration de trous ?

Exercice 2

Pour doper un échantillon de silicium, on peut utiliser des composés tels que le phosphore (P)
ou bien encore le bore (B).

1) Déterminer quel est le type de dopage induit par ces composés, dès lors qu'on les introduit

dans un monocristal de silicium.

2) Pour chacun des trois cas suivants, déterminer les concentrations (et le type) des porteurs

majoritaires, minoritaires ainsi que la position du niveau de Fermi dans le gap (dessin).

Cas 1 : dopage au phosphore à 1016 cm−3

Cas 2 : dopage au bore à 1015 cm−3

Cas 3 : codopage au phosphore à 1016 cm−3 et au bore à 1015cm−3

Données : ni (300 K)=1.1010 cm−3, Nv(300 K) = 1,04.1019 cm−3, Nc(300 K) = 2,8.1019 cm−3.

Exercice 3

Un semi-conducteur est en silicium de largeur de bande interdite (ou gap) Eg=1,1eV et pour
lequel les densités équivalentes d'états énergétiques dans la bande de conduction NC=2,7.10 19
cm -3 et dans la bande de valence NV=1,1.1019 cm -3.

1- Calculez sa densité intrinsèque et la position du niveau de Fermi à 27°C, 127°C et 227°C.

On rappel qu'à 300K, kT= 0.026 eV, on prendra comme référence énergétique, le haut de la
bande de valence (EV = 0 eV).

Le silicium est dopé avec du phosphore de concentration 1018 cm -3

2- Calculez à 27°C, la densité d'électrons du Si ainsi dopé. En déduire la densité de trous.

Quel est le type de semi-conducteur ainsi obtenu ?

Exercice 4

Dans le cas du Silicium, à T= 300 K, avec ni= 1.5.1010 cm-3, nombre total d’atomes par cm3=
5.1022.
 1. Quel est le rapport du nombre d’atomes ionisés au nombre total d’atomes ?
2. Quelle est la largeur de la bande interdite en eV ?
3. Déterminer sans calculs le type de semiconducteur (n ou p) puis les concentrations des
porteurs à l’équilibre dans les cas suivants :
a) Silicium dopé par 1015 atomes de Ga par cm-3.
b) Silicium dopé par 1012 atomes de Sb par cm-3.
c) Silicium dopé par 3.1010 atomes de In par cm-3.

Nc = 3.1019 atomes/cm-3 Nv = 1019 atomes/cm-3

Exercice 5

Soit une jonction PN abrupte issus d'un même cristal.

1- Donnez le schéma de la variation de la différence de densités de donneurs et

d'accepteurs pour une jonction abrupte.
2- Donnez la représentation schématique des liaisons électroniques pour une jonction PN
de semi-conducteurs en silicium (Si). Le dopage N est obtenu par de l'arsenic (As) et
le dopage P par du Bohr (B) déplétion).
3- Donnez l’expression du courant du aux électrons libres qui traversent la jonction pour
un modèle à une dimension, en déduire l’équation différentielle de la concentration de
porteurs en fonction de x et la relation d’Einstein.
4- Calculez la d.d.p. VD (la tension de diffusion et le champ électrique dans la zone de
déplétion.
5- Calculez de la largeur de la zone de déplétion.