Université IBN TOFAIL Année 2019-2020

Faculté des Sciences TD de physique des composants

Department de Physique Master
Kenitra

Série 3

Exercice 1- (1) Calculer Vbi dans une jonction silicium pn à T = 300 K pour Nd = 1015 cm-3 and Na =
(i) 1015, (ii) 1016, (iii) 1017, (iv) 1018 cm-3. (2) Reprendre la question (1) pour Nd = 1018 cm-3.
Exercice 2- (1) Tracer la barrière de potentiel de diffusion pour une jonction pn au silicium
symétrique (Na = Nd) à T = 300 K sur la plage 1014  Na = Nd  1019 cm-3. (2) Reprendre la
question (1) pour une jonction GaAs pn.
Exercice 3- Soit Une jonction pn à base de silicium de concentration de dopage type p : Na = 8 
1017 cm-3. Dans la région de déplétion il n'existe pas de porteurs libres et le semi-conducteur
passe brusquement à une région neutre en dehors de la zone de charge d’espace. Cette
approximation est adéquate pour la plupart des applications, mais la transition brusque n'existe
pas. La longueur de Debye dans la région n est donnée par :
1/ 2
  kT 
LD   2s 
 e Nd 
1- Calculez LD et trouvez le rapport LD / xn pour les concentrations de dopage de type n
suivante (a) Nd = 8  1014 cm-3, (b) Nd = 2.2  1016 cm-3, et (c) Nd = 8  1017 cm-3
Exercice 4-
a) Le pic maximum du champ électrique, dans une jonction pn à base de silicium en polarisation
inverse, est de max = 3  105 V/cm. Les concentrations de dopage sont Nd = 4  1015 cm-3 et Na
= 4  1017 cm-3. Trouvez l'amplitude de la tension de polarisation inverse.
b) même question que a) pour Nd = 4  1016 cm-3 et Na = 4  1017 cm-3.
c) même question que a) pour Nd = Na = 4  1017 cm-3.
Exercice 5- Soit une jonction pn au silicium avec le dopage illustré dans la figure à T = 300K.
a- Calculer la tension de polarisation inverse appliquée
nécessaire pour que la région de charge d’espace
s'étende entièrement à travers le coté p.
b- Déterminer la largeur de la charge d’espace dans le
coté n+ avec la tension de polarisation inverse
calculée dans la partie (a).
c- Calculer le pic du champ électrique pour cette tension
appliquée