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Des Matériaux (3 édition) Corrigé des exercices

Chapitre 9 – Propriétés physiques


EXERCICE 9-10
a) Type de liaison dans le SiC :
Le carbure de silicium SiC étant formé de carbone (C) et de silicium (Si) qui sont tous deux des
éléments à liaisons covalentes (colonne IVb du tableau périodique), ce composé aura donc des liaisons
covalentes.
Liaisons covalentes

b) Nombre de porteurs de charges par unité de volume à 20 ºC :

La conductibilité σ intrinsèque d’un semi-conducteur est donnée par l’équation 9.57 du livre Des
Matériaux :

σ = n e eµ e + n t eµ t (9.57)

avec ne = nt = ni = nombre d’électrons libres = nombres de trous = nombre de porteur de charges,


µe et µt étant la mobilité respective des électrons et des trous.
On obtient ainsi le nombre de porteurs de charges ni :

σ 8
ni = = = 8,32x10 20 m -3
e(µ e + µ t ) 1,602 x10 (0,04 + 0,02 )
−19

ni = 8,32x1020 m-3

c) Température pour avoir une conductivité de 1000 S/m :

La conductivité σ varie en fonction de la température selon l’équation 9.63 du livre Des Matériaux :
 − Eg 
σ = σ 0 exp  
 2kT 
Si σT1 est la conductivité à 20 °C (T1 = 293 K) et σT2 est la conductivité à la température T2 cherchée, on
peut faire le rapport σT2/σT1 et prendre le logarithme de ce rapport :

 σT  − Eg  1 1
ln 2 =  − 
 σT  2k  T2 T1 
 1 
−1
 − 2k  σ T  1
Donc : T2 =  ln 2 + 
 E g  σ T1  T1 

 
T = 47 °C
Avec les valeurs données, on obtient ainsi la température cherchée (320 K):

© Jean-Paul Baïlon – Presses Internationales de Polytechnique 1


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d) Type de semi-conducteur si le SiC est dopé à l’azote :


Appartenant à la colonne Vb du tableau périodique, l’azote est un élément pentavalent. L’azote sera
donneur d’électrons quand il est en solution solide dans le SiC. Le SiC devient donc un semi-conducteur
extrinsèque de type n.
Type n

e) Quantité d’azote à ajouter pour avoir une conductivité de 1000 S/m à 20 ºC :

La conduction extrinsèque σe (= 1000 S/m), qui est due aux électrons supplémentaires introduits par
l’azote, est bien supérieure à la conduction intrinsèque σi (= 8 S/m) du SiC. Dans l’équation 9.57 donnée ci-
dessus, on aura donc ne >> nt et l’équation 9.57 devient :

σ ≅ n e eµ e (9.57b)

σ
On en déduit donc le nombre d’électrons par unité de volume : ne =
eµ e
Comme un atome d’azote contribue d’un électron à la conduction, le nombre d’atomes d’azote N requis
par unité de volume sera égal à ne :

σ 1000 S/m
N = ne = = = 1,56x10 23 atomes/m 3
( −19
)(
2
eµ e 1,602 x10 C 0,04 m /V.s )
N = 1,56x1023 atomes/m3

Remarque : on constate bien que ne >> nt

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