USTHB-FEI-ELN1 Série n°2- Conducteurs et semi-conducteurs

SERIE N°2
CONDUCTEURS ET SEMI-CONDUCTEURS

EXERCICE N°1
Soit un fil de cuivre de masse atomique 63.5 g, de densité 8.9 et de résistivité =1.6
m.cm.
On demande de calculer :
- La concentration en électrons libres si l'on admet qu'on a un électron libre par
atome.
- La mobilité des électrons libres.

EXERCICE N°2
Un fil de cuivre de diamètre 1mm est traversé par une intensité de 2A. Sachant que la
concentration en électrons libres est de 8.45 1028 e/m3. Déterminer la vitesse d’entraînement
des électrons.

EXERCICE N°3
La mobilité des électrons du germanium a été mesurée expérimentalement, elle est de
0.36 m2 /v.s. Une ddp de 10v est appliquée à travers la plus grande dimension de ce semi-
conducteur qui a une longueur de 2 cm et une section de 2mm  2mm.
- Calculer la vitesse d’entraînement des électrons.

EXERCICE N°4
Le semi-conducteur précédent a une résistivité de 20 .cm.
- Déterminer la concentration en électrons, comparer ce résultat avec celui de
l'exercice N°1. Conclusion.

EXERCICE N°5
Démontrer que la concentration en électrons libres d'un métal a pour expression
V
n  N.d.
A
N : Nombre d'AVOGADRO, d : densité, A : masse atomique, V: Valence (nombre
d'électrons libres par atome).

EXERCICE N°6
Etant donné un fil d'aluminium de masse atomique 27g, de densité 2.7g/cm3 et de
résistivité
 = 3.44 m.cm.

- Calculer la concentration en électrons libres sachant que l'aluminium est trivalent.

N.ACHOUR 1
USTHB-FEI-ELN1 Série n°2- Conducteurs et semi-conducteurs

EXERCICE N°7
Le carbone, le silicium et le germanium ont la même structure cristalline, le tableau
suivant donne leur numéro atomique et leur gap d'énergie. Que Concluez-vous?

Z Eg (ev)
C 6 7
Si 12 1.12
Ge 32 0.70

EXERCICE N°8
En utilisant la méthode des bandes d'énergie, donner la différence entre un métal, un
semi-conducteur et un isolant.

EXERCICE N°9
Soit un semi-conducteur intrinsèque de gap Eg, établir les relations donnant la
concentration des électrons de conduction n et de trous p.
- Déterminer le niveau de Fermi E F de ce semi-conducteur. Les électrons et les
trous sont considérés comme des particules libres de masses effectives me* et
mt*.
A.N : Eg = 0.72 ev, T = 300°K, me* = mt* = m0 = 9.31 10-31 kg (masse de l'électron
au repos).

EXERCICE N°10
Calculer la concentration intrinsèque des porteurs de charges électriques pour le Si, à T
= 10°K, 100°K, 300°K et 500°K.
On donne : Eg = 1.12 eV, me* = 0.5 m0, mt* = 0.9 m0.

EXERCICE N°11
Quelle ddp électrique faut-il appliquer à un morceau de germanium de 1cm de long à
0°K pour qu'il y ait une conduction électronique?
La distance parcourue par un électron entre deux chocs successifs dans le réseau (libre
parcours moyen) est de 100 Å . Conclure quant à la conductivité du germanium à T = 0°K.

N.ACHOUR 2
USTHB-FEI-ELN1

SERIE N°3
LES SEMI-CONDUCTEURS

EXERCICE N°1
Donner la probabilité fp(E) pour qu'un niveau d'énergie E soit occupé par un trou à la
température T. Représenter graphiquement fp(E) pour T = 0°K et pour T différent de
0°K, trouver le point d'inflexion.

EXERCICE N°2
Comme celle des métaux, la conductivité des semi-conducteurs est due au déplacement des
électrons dans le cristal, mais varie en sens inverse avec la température T pour les métaux,
alors qu'elle varie dans le même sens pour les semi-conducteurs. Expliquer ces variations de
la conductivité.

EXERCICE N°3
Soient n et p les concentrations respectives d'électrons dans la bande de conduction et de
trous dans la bande de valence d'un semi-conducteur à la température T.
- Donner la relation qui existe entre n et p pour un semi-conducteur intrinsèque.
- En déduire une expression de n et p indépendante de E F.

E C E V
- Calculer l'écart en énergie EF  à 300°K puis 1000°K, pour le Si
2
et le Ge.
On donne :
Pour le Si : Eg = 1.12 ev, me* = 1.05 m0 , mt* = 0.61 m0.
Pour le Ge : Eg = 0.72 ev, me* = 0.20 m0 , mt* = 0.37 m0

Soient n = 3800 cm2/v.s et p = 1800 cm2/v.s les mobilités respectives des électrons et
des trous dans le Ge à 300°K.
- Donner l'expression et calculer la valeur numérique de la résistivité du
germanium intrinsèque.
- Quelle est l'influence de Eg sur la résistivité.

EXERCICE N°4
Montrer que pour un semi-conducteur avec un dopage quelconque de type N, on
obtient :
2
N N
p(ou n )       (n i ) 2
2 2

N.ACHOUR 3
USTHB-FEI-ELN1

N
E F  E Fi  KT. log
ni
EFi étant le niveau de Fermi dans un semi-conducteur intrinsèque.

EXERCICE N°5
Soit un barreau de Si de 2 cm de long et de 1 cm de section. Le cristal est de type N
(dopage 1015 porteurs/cm 3), on évalue la résistance à 10 .
- Quelle est la mobilité des électrons.

EXERCICE N°6
La résistivité d'un semi-conducteur à la température T est donnée par  = C.exp (B/T), où
C et B sont des caractéristiques du semi-conducteur.
Sachant que  (la résistivité) du semi-conducteur devient 20 fois plus petite quand la
température passe de 25°C à 100°C, déterminer la constante B.
- Quelle est à 25°C la valeur numérique du coefficient de température.

1 

 T

N.ACHOUR 4
USTHB-FEI-ELN1 Jonction P-N

SERIE N°4
JONCTION P-N

EXERCICE 1
Dans une diode à jonction P-N, la région I est dopée par 1022 atomes d'Indium par m3, la
région II est dopée par 10 20 atomes d'antimoine par m3.
1. Quelle est la région de type P et la région de type N.
2. Où sont situés les niveaux de Fermi des régions N et P à 17°C
3. Quelles sont les conductivités des régions N et P.
n = 3600 cm2/V.s et p = 1800 cm2/V.s.
4. Quelle est la valeur V0 de la barrière de potentiel à la jonction.
5. Quelle est la capacité de la diode polarisée en sens inverse par une tension de 3V,
sachant que la surface de la jonction est de 10-7 m2.
r = 16, 0 = 8.84 10-12 F/m.
6. Quelles sont les épaisseurs xn et xp des couches de charges + et - de part et d'autre
de la jonction.

EXERCICE 2
24
On considère une jonction P-N de germanium avec N A = 10 at/m3 pour la région P et
ND = 1021 at/m3 pour la région N.
On donne: Nc(T) = 2.016 1021 T3/2 m-3
et Nv(T) = 1.174 1021 T3/2 m-3
1. Calculer à l'équilibre T = 300°K la ddp électrique entre les régions N et P de la
jonction. Eg = 0.665 eV à 300°K.
2. Calculer les largeurs dn et dp de la zone déserte. On donne 0 = 8.85 10-12 F/m,
r = 16. Expliquer pourquoi xn est 10 fois plus grande que xp .
3. On applique une tension directe de 180 mV à 300°K. Que devient la zone
déserte?. Calculer le courant de saturation et le courant direct sachant que :
p = n =  = 10-6 s et n = 2p = 3600 cm 2/V.s
La section de la jonction est de 10 -6 m2.

EXERCICE 3
Donner sans démonstration l'expression mathématique de la caractéristique courant -
tension d'une diode à jonction.
1. De quels paramètres physiques dépend le courant inverse de saturation I S.
2. Pour une diode au Si, on a à 25°C IS = 0.05 A. Donner la valeur de IS à 75°C.
3. Une diode au Ge présente-t-elle une variation relative de IS plus grande ou plus
petite (par rapport à la diode au Si) pour un même écart de température.
Eg = 0.72 eV pour le Ge.
Eg = 1.09 eV pour le Si.

N.ACHOUR 5
USTHB-FEI-ELN1 Jonction P-N
EXERCICE 4 (examen 2002)
On réalise une jonction P-N dont la surface de contact est S = 10-6 m2 à l’aide d’impuretés
pentavalentes et trivalentes tels que N A/ ni = 104 et ND = 5 1018 at/m3.
1. Déterminer l’expression de la barrière de potentiel, puis donner sa valeur
numérique.
2. Calculer les largeurs W, xn et xp de la jonction.
3. Calculer l’amplitude maximale du champ électrique au niveau de la jonction.
4. Soient Vn et Vp les potentiels respectifs à x = xn et x =-xp . Si on suppose que Vp =
0 v, quel type de polarisation faudrait-il appliquer et quelle en est la valeur si on
désire avoir Vn = 3.35V.
5. Que devient dans ce cas la largeur de la zone déserte ?
6. Calculer dans ce cas la capacité de la jonction.
7. Etablir l’expression du courant de saturation (des minoritaires) et en déduire sa
valeur.

Données : Eg = 1.12 eV, k = 1.38 10-23 J/°K, ni = 7 1015 m-3, kT  1/40 eV à T = 300°K.
Durée de vie des porteurs minoritaires : n = p = 1.0 10-7 s.
Permitivité du silicium :  = 1.0 10-12 F./cm.
n = 1.5 103 cm2.V-1.s-1 ; p = 4.5 102 cm2.V-1.s-1

EXERCICE 5 (examen 2003)

PARTIE I
On considère un échantillon silicium. La concentration intrinsèque des porteurs est de
21020/m3. La mobilité des électrons est de 1500 cm2/V.s et celle des trous de 1300 cm2/V.s.
1. Calculer sa résistivité.
2. Pour une variation de température de 6°, calculer la variation de la concentration
en porteurs libres autour de la température T = 300°K.
PARTIE II
On réalise une jonction PN de surface S = 10-6 m2 à l’aide d’impuretés pentavalentes et
trivalentes telles que N A = 2 1023 atomes/m3 et ND = 6.25 1020 atomes/m3.
1. Tracer le diagramme des énergies le plus complet possible.
2. Déterminer l’expression de la barrière de potentiel puis donner sa valeur numérique.
3. Calculer les largeurs W, xn et xp de la jonction.
4. Quel type de polarisation doit-on appliquer à la jonction et quelle est sa valeur si nous
voulons obtenir une largeur de la zone déserte de 0.5 m.
5. Calculer dans ce cas la capacité de la jonction.
On donne : e = 1.6 10-19 C, KT  1/40 eV à 300°K, Eg = 1.12 eV, r = 16, 0 = 8.84 10-12
F/m.
Note : les données numériques sont valables pour tout l’exercice.

N.ACHOUR 6
USTHB-FEI-ELN1 Jonction P-N

SERIE N°5
DIODE SIMPLE ET DIODE ZENER

EXERCICE N°1
On veut faire passer une intensité Id = 10mA dans une diode au silicium (Si) de résistance
interne 400 . On dispose pour cela d'un générateur de tension constante U = 4.5V.
- Calculer la valeur de la résistance limitatrice de courant (protectrice) R p .

EXERCICE N°2
Dans le schéma ci-dessous, P est un potentiomètre et x est la résistance comprise entre le
curseur C et l'extrémité M.
A

R1

D
C B
R

x R2

1. Calculer x pour que la diode D soit à la limite du blocage. La tension de seuil de la

diode étant de 0.7V.
2. On déplace le curseur du potentiomètre de manière que x soit égal à 90 K.
- Quelle sera l'intensité du courant dans la diode?
- Quelles seront les tensions UBM et UCM ?
On donne : R = 100 K; R1 = 22 K; R2 = 82 K; UAM = 12V.

EXERCICE N°3
La diode utilisée dans le schéma ci-après est au silicium. Son seuil est de 0.7V et sa
résistance interne négligeable.
- On demande de calculer UCM puis UBM .
On donne : R1 = 10 K; R2 = 33 K; R3 = 20 K.

N.ACHOUR 7
USTHB – FEI – ELN1

R1

B C 12 V

R2 R3

EXERCICE N°4
Soit le montage ci-dessous :
La caractéristique de la diode passe par les points suivants :
A ( 0.6 V, 0 mA) et B ( 1.1 V, 50 mA). Idmax = 50 mA.

R = 180
D
V2
V1
E

1. On fixe V1 à 20 V et E à 15 V. Calculer le courant I d qui traverse la diode et la d.d.p

entre ses bornes.
2. En faisant varier V1 de 0 à V1max, tracer la courbe V2 = f (V1).

EXERCICE N°5
Soit le circuit suivant avec V1 = 50V.

4K

V1 VZ = 25 V UZ

Déterminer UZ lorsque :

N.ACHOUR 8
USTHB – FEI – ELN1

- la diode zener est idéale.

- l'impédance rz est de 10 .

EXERCICE N°6 (Régulation amont)

La diode zener du circuit de la figure ci-dessous est telle que Vz =15V et PZmax = 0.5 W.
1. On suppose que V1 = 40V, déterminer la valeur minimale de R qui protège la diode
de la destruction.
2. Si la résistance R est égale à 2 K, déterminer le courant de zener et la puissance
dissipée Pz.
3. Le même circuit est tel que : Vz = 18V, rz = 2 , R = 68  et V1 = 27 V. Déterminer :
- iZ et U’z .
- U'z si V 1 devient égal à 40 V. Que concluez-vous sur U'z?
R

V1 UZ
EXERCICE N°7
Soit le montage de la figure ci-dessous. On donne R1= 3 k R2 = 7 kLa diode D a une
tension de seuil Vseuil = 1.2V et une résistance interne négligeable.
1. Pour E = 1V, calculer le point de fonctionnement de la diode.
2. Pour E = 10V, Calculer graphiquement puis théoriquement le point de
fonctionnement.

R1

E
D R2

EXERCICE N°8 (Emd 2004)

Soit le montage de la figure ci-contre. On considère que les diodes utilisées sont idéales.
- Tracer VS(t). On notera sur le graphe les valeurs numériques caractéristiques. Un
raisonnement est exigé. On donne :
Ve(t)= 20 sint ; E = 5V.

N.ACHOUR 9
USTHB – FEI – ELN1

D
Ve(t) D VS(t)

E
PROBLEME N°1
Le tableau ci-après donne la correspondance tension - intensité du courant (en valeur
absolue) pour une diode zener Dz sous tension inverse, à une certaine température 1.

UZ(v) 0 7 7.6 8 8.1 8.3 8.5

iZ(mA) 0 0.1 0.5 4 10 30 50

Question 1
a- tracer la caractéristique statique de Dz ( iZ en fonction de UZ ).
b- déterminer les constantes Vz et rz de la relation (1) :
Uz = Vz + rz .iz (1)
Celle-ci représentera l'équation de la caractéristique lorsque U z  8V. Quel schéma
équivalent proposez-vous pour illustrer la relation (1)?
Question 2 (Régulation amont)
On admet maintenant comme le suggère la question 1 que la caractéristique est
assimilable à deux tronçons rectilignes. La diode Dz précédente est utilisée dans le montage
de la figure 1 en série avec une résistance R = 190 . La température ambiante étant
toujours 1.
R

U1 DZ U2

On applique une tension U1 positive et croissante à partir de 0V, et on obtient la tension U 2

Figure 1 de U2 en fonction de U1. La courbe représentative
aux bornes de Dz. Etudier les variations
sera limitée au domaine pour lequel l'intensité dans Dz ne dépasse pas 50 mA. Tracer la
courbe représentative.
Echelle 1V 1 cm

Question 3 (Régulation aval)

N.ACHOUR 10
USTHB – FEI – ELN1

A présent, on fixe U1 = 18V et on relève avec le montage de la figure 2, la caractéristique

U2 en fonction de i2 au moyen d'une résistance auxiliaire Rc réglable. R conserve la
valeur précédente.
Etudier cette caractéristique lorsque Rc varie de l'infini à zéro. Tracer la courbe
représentative.
Echelle : 1V  1 cm 10 mA 2 cm
R
i2

U1 U2 RC
DZ

PROBLEME N°2
Figure 2
Soit le montage à diode zener suivant :

R’

E DZ RL VS

Dz est une diode idéale: Vz = 40 V, et RL = R’. Tracer VS = f (E).

L’alimentation est à présent un générateur de f.e.m e = 100 sin t, et 2 diodes zener
identiques à la précédente sont montées en ‘’tête-bêche’’.

R’

DZ
e(t) RL VS(t)
- Tracer VS(t).
DZ’

N.ACHOUR 11
USTHB – FEI – ELN1

SERIE N°6
UTILISATION DES DIODES
REDRESSEMENT-FILTRAGE-STABILISATION

EXERCICE N°1
Une alimentation simple alternance comporte:
- Un transformateur parfait
- Une diode de résistance rd = 25 .
- Une charge Ru = 400 .
Sachant que la tension sinusoïdale aux bornes du secondaire a pour valeur efficace
Veff = 300 V. On demande :
1. Le courant moyen à travers la charge.
2. Le courant efficace.
3. Le facteur de forme du courant.
4. Le taux d'ondulation du courant.

EXERCICE N°2
Soit le montage :

Ud
e(t) C u (t)

Le condensateur C étant initialement déchargé, on applique une tension e(t) = E max.sin

t. La diode est supposée idéale.
1. Tracer les graphes e(t), Ud(t), u(t).
2. Que deviennent ces graphes si l'on charge le montage par une résistance R.

EXERCICE N°3
Soit le schéma :
i
iC iR
Ud(t)
e(t) C R u(t)

La diode D est idéale.

N.ACHOUR 12
USTHB – FEI – ELN1

e = Emaxsin t; R = 1K; C = 10 F; E = 200 V; = 100  rd/s.

1. Déterminer l'angle  = t correspondant à l'instant où la diode cesse de conduire.
2. Expliquer en fonction de , le fonctionnement de ce montage.
3. Tracer les courbes i, i R, et i C, et u en fonction du temps.
4. Si R = 1 K, C = 200 F; que devient la forme de u(t)?
5. Calculer la tension d'ondulation 2 U (crête à crête), et le facteur d'ondulation.

EXERCICE N°4
Dans un redresseur à deux alternances, la capacité de filtrage branchée en parallèle avec la
résistance de charge est de 8 F, la composante continue du courant de charge étant de 1 mA.
La tension d'alimentation est sinusoïdale et sa fréquence est de 50 Hz. La tension
d'ondulation étant de faible amplitude, on demande:
1. La valeur efficace de la tension d'alimentation nécessaire pour obtenir une tension
continue de 100 V.
2. La valeur efficace de la tension d'ondulation.
3. Le taux d'ondulation.
4. La tension inverse maximale aux bornes de chacune des diodes.

EXERCICE N°5
En considérant que les diodes sont idéales, tracer pour chacun des montages suivants :
1. La caractéristique de transfert Us = f(Ue).
2. Le graphe Us(t) lorsque Ue(t) = Ue max. sin t, avec Ue = 15V et E = 5V.
D R

R D
Ue(t) Us(t) Ue(t) Us(t)
E D
) E

R R

D1 D2
R D R US(t)
Ue(t) US(t) Ue(t)
E E -E

D1 E

Ue(t) R Us(t)
D2 -E

N.ACHOUR 13
USTHB – FEI – ELN1

EXERCICE N°6
Soit le montage:
10 K

600  D1 D2 E1 = 3 V; E2 = 4 V
La résistance de la diode est :
US(t) 200 en direct
E1 E2
Ue(t) 500 K en inverse

1. Calculer la tension de sortie US sachant que Ue(t) = 10 sin t

2. Calculer le courant maximal I max qui traverse la résistance de 10 K.

N.ACHOUR 14