Module Electronique Analogique -(302) Série de TD N° 2

2ème Année GTR

Faculté d’Electronique et d’Informatique, USTHB,

Semi-conducteur & Jonction PN

Exercice N :° 1
1. Donner la configuration électronique du fluor (Z = 9), du néon (Z = 10), du sodium
(Z = 11), du magnésium (Z = 12) , de l’aluminium (Z = 13), vanadium (Z = 23) et du
cérium (Z = 58)
2. Donner les configurations électroniques des ions F-, Na+, Mg2+ et Al3+.
3. Quelles conclusions peut-on en tirer ?

Exercice N° :2
Soit un semi conducteur intrinsèque de gap Eg. Déterminer l’expression du niveau
de fermi Ef . Les électrons et les trous sont considérés comme des particules libres
de masse effectives me* et mp*.

Exercice N° :3
Calculer la concertation intrinsèque des porteurs de charges électriques pour le Si, à
T=300°K et T=500°K.
On donne:Eg=1.12 ev, me*=0.5m0, mp*=0.9m0, m0=9.31 .10-31kg( masse de l’électron
au repos)

Exercice N° : 4
- Quelle ddp électrique faut il appliquer à un morceau de germanium de 1 cm de long à
T=300K°, pour qu’il y’ait conduction électronique en sachant que la distance parcourue
par un électron entre deux chocs successifs dans un réseau cristallin est de 100A°.
- Conclure quant à la conductivité du germanium à T=0°K.

Exercice N° : 5
1. Donner la relation qui existe entre n et p pour un semi conducteur intrinsèque
2. En déduire une expression de n et p indépendante de Ef
3. Calculer l’écart en énergie Ef- (Ec+Ev)/2 à T=300°K puis à 1000°K, pour le Si
et Ge.
On donne pour le Si :Eg=1.12 ev, me*=1.05m0, mp*=0.61m0,
pour le Ge :Eg=0.72 ev, me*=0.2m0, mp*=0.37m0,
Soit n=3800 cm2/v.s et n=1800cm2/v.s les mobilités respectives des électrons et des
trous dans le Ge à 300°K.
4. Donner l’expression et calculer la résistivité du germanium intrinsèque
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5. Quelle est l’influence de Eg sur la résistivité.

Exercice N° : 6
Un barreau de Si du type N a pour résistivité 15 cm à 27 °C. Sachant que la mobilité
des électrons est de 0.2 m2/v.s,
1. Déterminer la concentration en électron libres.
2. Calculer le champ électrique et la densité du courant si on lui applique une ddp
de 10V avec L=25 cm.

Exercice N° : 7
Le Germanium est caractérisé par : Masse atomique M = 72,6 g , Masse volumique d =
5,32 g/cm3 ; Energie de la bande interdite Eg = 0,67 eV ; Nombre d’Avogadro A =
6,023.1023 mol-1, k = 8,62.10-5 eV/K ; Densité effective d’états énergétiques à 300 K, Nc =
1,04.1019 atomes/cm3, Nv = 6.1018 atomes/cm3.
1. Déterminer le nombre d’atomes par cm3.
2. Donner l’expression de n puis celle de p puis en déduire l’expression du niveau de
Fermi (EF).
3. Calculer la concentration intrinsèque ni à 300 K.
4. Les mobilités des électrons et des trous dans le germanium sont respectivement de
0,4 m2/V.s et 0,19 m2/V.s. calculer sa résistivité.
5. Le germanium est dopé avec des impuretés d'arsonic(As :Z=33) de telle sorte qu'il y
ait un atome d'impureté pour 103 atomes de germanium. Le matériau dopé sera t-il
de type n ou de type p.

a. Calculer la densité des électrons et des trous

b. Déterminer la barrière de potentiel v0.

Exercice N° : 18

Déterminer dans chacun des cas suivants la concentration en électrons et trous ainsi que la
résistivité d'un échantillon de silicium :
Cas 1 : intrinsèque (non dopé intentionnellement),
Cas 2 : dopé au bore à 1015 cm−3,
Cas 3 : dopé au bore à 5 1015cm−3, au phosphore à 2 1019cm−3.
Conclure sur l'effet du dopage sur la résistivité du silicium.

Do nnées : ni(300 K)=1010 cm−3, μe=1350 cm2.V−1.s−1, μp=450 cm2.V−1.s−1.

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Exercice N° : 13

1. La résistivité du germanium intrinsèque est 0,44  .m à 300 K. Les mobilités des

électrons et des trous dans le germanium sont respectivement de 0,4 m2/V.s et 0,19
m2/V.s. Calculer la densité des électrons et des trous.
2. Le germanium est dopé avec des impuretés d'antimoine de telle sorte qu'il y ait un
atome d'impureté pour 106 atomes de germanium. La densité des atomes de
germanium est de 4,4 1028 m−3. Le matériau dopé sera t-il de type n ou de type p?
Calculer la densité des électrons et des trous. Quelle est la résistance du matériau
dopé? (on supposera que tous les atomes d'antimoine sont ionisés à 300K).

Exercice N° : 14

1. Calculer et représenter la caractéristique i=f(v) d’une diode au Germanium à la

température de 27°C sachant que le courant de saturation inverse est de 10µA. on se
limitera aux tensions d’entrée comprise entre -.025 et + 0.25V avec un pas de
0.05V.
2. Déterminer la tension de seuil et la résistance dynamique de la diode
3. Cette diode est polarisée dans le sens passant par une batterie de 3V qui est en série
avec une résistance de 100. Tracer la droite de charge en déduire les coordonnés
du point de fonctionnement.