Département de Physique Appliquée Année Universitaire : 2023-2024

Filière d'Ingénieur : Génie des Matériaux et Procédés

Module : Physique des Composants à Semi-conducteurs

Série n°1
Exercice 1
On considère un échantillon de Germanium de section 0,01 mm2 et de longueur 20 m.

1- Calculer le nombre d'atomes de Germanium contenus dans l'échantillon.

M=72,6 g d=5,36 g/cm3 N0=6,02.1023 atomes/moles (nombre d'Avogadro)

2- Evaluer le nombre d'états d'énergie par m3 susceptibles d'être occupés par des porteurs à la température
T=300 °K. On prendra la masse effective des porteurs égale à la masse de l'électron.
m=9,1.10-31 Kg h=6,62.10-34 Js

3- Sachant que la bande interdite pour le Germanium à 300 °K est 0,72 eV, calculer le nombre d'électrons dans la
bande de conduction et de trous dans la bande de valence. En déduire le nombre de porteurs libres présents dans
l'échantillon.

Combien faut-il d'atomes de Germanium pour avoir un porteur libre ?

4- Calculer la résistance de l'échantillon. On donne : µn=0,36 m2/Vs et µp=0,18 m2/Vs

Exercice 2
On considère une plaquette de silicium intrinsèque de 250 m d'épaisseur. On rappelle que la densité
d'atomes, les mobilités des porteurs et la résistivité du silicium intrinsèque à la température ambiante sont
respectivement :

N=5.1022 cm-3; n=1200 cm2/V.s; p=300 cm2/V.s; i=4.105 .cm.

1- Calculer la densité de porteurs intrinsèques ni

2- La plaquette est dopée de manière uniforme avec de l'antimoine dans la proportion d'un atome d'antimoine pour
5.105 atomes de silicium.

Calculer les densités d'électrons et de trous

Calculer la résistivité de la plaquette

3- La plaquette précédente est dopée une deuxième fois sur une profondeur de 20 m avec de l'indium dans la
proportion d'un atome d'indium pour 4.105 atomes de silicium.

Calculer les densités d'électrons et de trous

Calculer la résistivité de la plaquette

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Exercice 3
On considère un silicium intrinsèque non dopé, placé à température ambiante. Sachant que la concentration
intrinsèque est voisine de 1010 cm-3 et que les mobilités sont égales à 1500 et 500 cm2/V.s respectivement pour les
électrons et les trous, calculer la résistivité du matériau.

2- On dope uniformément le silicium avec du bore jusqu’à obtenir une résistivité égale à 1,4 .cm. Les nouvelles
mobilités sont n=950 cm2/V.s et p=450 cm2/V.s.

Calculer la concentration de bore introduite ainsi que les concentrations d’électrons et de trous présentes dans le
semi-conducteur.

3- Quelle est la proportion de bore dans le silicium sachant que la masse atomique de Si est M=28 g et que sa densité
est d=2,3 ?
Conclusion.

4- On surdope avec du phosphore jusqu’à obtenir un matériau de type opposé avec une nouvelle résistivité
=0,12 .cm. Les nouvelles mobilités sont n=600 cm2/V.s et p=300 cm2/V.s

Quelle concentration de phosphore a-t-il fallu ajouter ?

5- Si on applique à ce silicium de type N un champ électrique de 200 V/m, quelle est la vitesse moyenne
d’entraînement des électrons ?

Calculer le courant I dans un barreau de 1cm de long et de 1 mm2 de section ainsi que le rapport des contributions de
Ip et de In.

6- Quel gradient de concentration donnerait le même courant (de diffusion) ?

Exercice 4
On considère un échantillon de germanium à 300 K où ni=2,5.1013 cm-3.

1– Calculer la résistivité de cet échantillon s’il est intrinsèque, sachant que n=3800 cm2/V.s et p=1800 cm2/V.s.

En fait, il présente une concentration en atomes donneurs ND=2.1014 atomes/cm3 et une concentration en atomes
accepteurs NA=3.1014 atomes/cm3.

2- Est-ce un semi-conducteur de type P ou de type N ?

3- Même question si la concentration en donneurs et en accepteurs est égale à 1015 atomes/cm3 ?

4- Même question pour une concentration en donneurs de 1016 atomes/cm3 et en accepteurs de 1014 atomes/cm3 ?

5- Un autre échantillon de germanium de type P présente une résistivité de 0.02 Ω.cm. Déterminer la concentration
en trous et en électrons, sachant que n=3800 cm2/V.s et p=1800 cm2/V.s.

6- Calculer la résistivité d’un échantillon de germanium présentant une concentration de 10-8 atomes de type donneur,
sachant que la masse atomique de germanium est M=72.6 g et sa densité 5.32.

Exercice 5
L'expédition spatiale a ramené de son long périple intergalactique un échantillon d'un corps totalement
inconnu. En tant qu'Inspecteur en Méthodes Avancées, vous avez baptisé ce matériau le kacilium et commandé
des analyses et des mesures dont les résultats sont les suivants :

✓ Le corps est noir brillant, très dur (il raye le verre), sa masse spécifique est : 20 g/cm3.

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 ✓ Il est composé d'atomes de masse molaire 12,04 g, répartis selon une structure diamant quasiment
parfaite.
✓ Il est très pur, cependant, on peut détecter la présence d'un atome de Phosphore pour environ 1010
atomes de kacilium.
✓ Sa résistivité aux températures ultra-basses est indéterminable, tellement elle est grande.
✓ Sa résistivité à la température ambiante est de 12,5 cm.
✓ Une augmentation de 1 % de la température ambiante entraîne une augmentation de 0,25 cm.
✓ Une diffusion dans le kacilium de 2.1014 atomes de Bore par cm3 amène la résistivité à la valeur :
125 cm et celle-ci augmente de 3,75 cm quand la température augmente de 1%.
✓ Une diffusion dans le kacilium de 1.1014 atomes de Bore par cm3 amène la résistivité à la valeur :
1,1 Mcm.
✓ Le champ d'avalanche dans le kacilium a été évalué à 120 kV/cm.

Pour résoudre votre problème, vous allez devoir répondre aux questions suivantes :

1- le kacilium est-il un semi-conducteur ? Pourquoi ?

2- Combien le kacilium possède-t-il d'atomes par cm3 ?

3- Quelle est la valeur de la mobilité des électrons dans le kacilium à la température ambiante ?

4- Quelle est la loi de variation de la mobilité des électrons dans le kacilium en fonction de la température de
l'échantillon ?

On sait que la mobilité s’écrit : n(T)=n(T0).(T/T0)-

5– Quelle est la concentration des trous dans le kacilium à la température ambiante ?

6- Quelle est la valeur de la mobilité des trous dans le kacilium à la température ambiante ?

7- Quelle est la loi de variation de la mobilité des trous dans le kacilium en fonction de la température de
l'échantillon ?

8- Quelle est la valeur du nombre intrinsèque de kacilium à la température ambiante ?

9- Quelle est la hauteur de la bande interdite de kacilium ?

10- Quelle est la valeur du libre parcours moyen des électrons dans le kacilium à la température ambiante ?

Pour que l’ionisation puisse se faire, il faut au minimum que l’électron acquière du champ électrique, pendant le
libre parcours moyen, une énergie égale à Eg.

11- Quelle est la valeur de la masse effective des électrons libres dans le kacilium à la température ambiante ?
q . n
On prendra que : n =
m *n
On connaît :
• Étendue du spectre visible : 0,4 m <  <0,8 m.
• Constante de Planck : 6,6.10-34 Js.
• Vitesse de la lumière : 3.108 m/s
• Charge élémentaire : 1,6.10-19 C.
• Masse de l'électron dans le vide : 0,9.10-30 kg.
• Nombre d'Avogadro : 6,02.1023.
• La température ambiante T0 est telle que kT0=1/40 eV.
• Faute de renseignements, on prendra à T0 : Nc=Nv=N0=2,5.1025 m-3.

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Remarque :
Tout ceci n’est qu’élucubrations, car il n’y a pas de place pour le kacilium dans le tableau de classification
périodique de MENDELEÏEV. Ce corps n’existe pas et n’existeras jamais !!!!!!

Exercice 6
On considère un barreau de semi-conducteur de type P, de longueur W que l’on éclaire à une extrémité de
façon à maintenir dans le plan x=0 un excès de porteurs n-n0 dont la durée de vie est. Ln est la longueur de diffusion
des électrons.

1– On se place dans le cas où W>>Ln. Calculer la répartition des porteurs n(x) et le courant de diffusion.

2– On suppose que le barreau a une longueur quelconque, mais que le nombre excédentaire de porteurs en x=W est nul
par suite d’un intense phénomène de recombinaisons (par exemple, une grande densité de «pièges ») ou d’un
entrainement rapide des porteurs en W.

Calculer la répartition des porteurs n(x), en déduire l’expression du courant de diffusion.

3– Étudier le cas particulier où W<<Ln. (pour n(x) et le courant de diffusion).

Exercice 7
Des électrons diffusent dans la direction Ox de vecteur unitaire ex avec la constante de diffusion Dn. La
température est T et n(x) la concentration au point d'abscisse x.

1- Donner en fonction de n(x) et de dn/dx les expressions :

a) du vecteur densité de courant de diffusion Jnd et du vecteur vitesse v n des électrons.
b) du champ interne E et du potentiel V.

L'origine des potentiels est pris en x=0, où n(x=0)=n0

2- En supposant que n(x) varie linéairement en fonction de x pour x≤x1, puis reste constante.

La loi de variation de n(x) a la forme suivante :

n1 − n0
Pour x≤x1 n( x ) = .x + n0
x1

Déterminer les fonctions vn(x), Jnd(x), E(x) et V(x) pour x ≤ x1 et pour x≥x1.