Université IBN TOFAIL Année 2019-2020

Faculté des Sciences TD de physique des composants

Département de Physique Master
Kénitra

Série 2

Exercice 1- Un semi-conducteur de silicium à T = 300 K est dopé de manière homogène avec

ND = 5  1015 cm-3 et NA = 0 cm-3.

a- Déterminer les concentrations des électrons libres et des trous libres à l'équilibre thermique.
b- Calculer la densité du courant de dérive pour un champ appliqué de 30 V/cm.
c- Répéter les parties a) et b) pour ND = 0 et NA = 5  1016 cm-3.

Exercice 2-

a- Un semi-conducteur au silicium a la forme d'une barre rectangulaire d'une section transversale

de 10 m  10 m, d'une longueur de 0,1 cm, et est dopé avec 5  1016 cm-3 atomes d'arsenic.
La température est T = 300 K. Déterminer le courant si une tension de 5 V est appliquée sur la
longueur.
b- Répéter la partie a) si la longueur est réduite à 0,01 cm.
c- Calculer la vitesse moyenne de dérive des électrons dans les parties a) et b).

Exercice 3-

a- Calculer la résistivité à T = 300 K des semi-conducteurs intrinsèque :

i. silicium,
ii. germanium et
iii. arséniure de gallium.
b- Si des barres rectangulaires de semi-conducteurs sont fabriquées avec les matériaux mentionnés
à la partie a), déterminer la résistance de chaque barre si sa section transversale est de 85 m2
et sa longueur de 200 m.

Exercice 4- Trois mécanismes de diffusion sont présents dans un matériau semi-conducteur particulier.
Si seul le premier mécanisme de diffusion était présent, la mobilité serait de 1 = 2000 cm2/V-s, si seul
le second mécanisme était présent, la mobilité serait de 2 = 1500 cm2/V-s, et si seul le troisième
mécanisme était présent, la mobilité serait de 3 = 500 cm2/V-s. Quelle est la mobilité nette ?

Exercice 5- Considérer un échantillon de silicium à T = 300 K. Supposer que la concentration des

électrons varie linéairement avec la distance, comme le montre la figure 1. La densité du courant de
diffusion est Jn = 0.19 A/cm2. Si le coefficient de diffusion des électrons est Dn = 25 cm2/s, déterminer
la concentration des électrons à x = 0.

5  1014
n (cm-3)

n(0) Figure 1
1
0 x (cm) 0.010
Exercice 6- La concentration du trou dans le germanium à T = 300 K varie comme suit :

  x  3
px   1015 exp cm
 22.5 
où x est mesuré en m. Si le coefficient de diffusion des trous est Dp = 48 cm2/s, déterminer la densité
du courant de diffusion du trou en fonction de x.

Exercice 7- Considérons un semi-conducteur en équilibre thermique (sans courant). Supposons que la

concentration des donneurs varie de façon exponentielle au fur et à mesure que le

N D  x   N D 0 exp(ax)

sur la plage 0  x  1/ où ND0 est une constante.

a- Calculer le champ électrique en fonction de x pour 0  x  1/.

b- Calculer la différence de potentiel entre x = 0 et x = 1/.

Exercice 8- L'arsenic est diffusé dans un échantillon de silicium intrinsèque et présente le profil général
illustré à la figure 2. Dessinez le diagramme de la bande d'énergie d'équilibre. Indiquer la direction du
champ électrique.
Arsenic dopage

Figure 2

Exercice 9- Considérons un semi-conducteur dans lequel n = 1015 cm-3 et ni = 1010 cm-3. Supposons que
la durée de vie du support en excès est de 10-6 s. Déterminer le taux de recombinaison électron-trou si
la concentration excessive du trou est p = 5  1013 cm-3.

Exercice 10- Un échantillon de silicium de type n contient une concentration de ND = 1016 cm-3. La
durée de vie des porteurs minoritaires (trous) est p = 20 s.

a- Quelle est la durée de vie des électrons porteurs majoritaires ?

b- Déterminer le taux de génération à l’équilibre thermique pour les électrons et les trous dans ce
matériau.
c- Déterminer le taux de recombinaison des électrons et des trous dans ce matériau à l'équilibre
thermique.