PHY233 :Fonction électronique de base ⃝

c 2023-2024

Faculté des Sciences Année académique 2023/2024

Département de physique
Université de Douala
PHY233 Fonction Electronique de Base

TD N°1 : Théorèmes généraux de l’analyse des circuits et le code de couleur

na
Exercice 1
Déterminer le nombre de nœuds, le nombre de branches , le nombre
de mailles et le nombre de mailles indépendante dans le circuit ci-contre

t-A
Exercice 2
1) Utiliser le théorème de diviseur de tension pour exprimer U1 et U2 en fontion de e et des résistances
de la figure a) et b).
2) Utiliser le théorème de diviseur de tension et le théorème de diviseur de courant pour déterminer les
expressions des grandeurs I, U, I1 et I2 de la figure c)

c
Exercice 3
Ele
1) Utiliser la méthode de superposition pour déterminer l’expression de I2 du circuit de la figure a)
D–
2) Déterminer la résistance équivalente vue entre A et B du circuit de la figure b)
3-T

Exercice 4 Déterminer le générateur de Thevenin vue entre A et B

3
Y2

Exercice 5
PH

1) Calculer le générateur de Thévenin vu des bornes C et D

2) Déduire le courant I0
3) Déduire un schéma équivalent plus simplifié du circuit
4) Déduire la valeur du courant I débité par le générateur E
5) Appliquer directement le théorème de Kennely au circuit pour
calculer I R1 = R2 = R3 = R4 = 1Ω

1 Par :Dr Kemgang Kana Lucas Z.

 PHY233 :Fonction électronique de base ⃝
c 2023-2024

Faculté des Sciences Année académique 2023/2024

Département de physique
Université de Douala
............
PHY233 Fonction Electronique de Base

na
TD N°2 : Bande d’énergie- courant électrique-semi-conducteur

Exercice 1
Soit un barreau de silicium intrinsèque de section S égale à 2 cm2 et de longueur L égale à 10 cm auquel

t-A
on applique une tension V à ses extrémités de valeur égale à 10 V. On donne les valeurs des paramètres
suivants :
Concentration intrinsèque à T = 300K :ni = 1, 5 1010 porteurs/cm3
Mobilité des électrons :µn = 1350 cm2 /V s
Mobilité des trous : µp = 500 cm2 /V s

c
1) Calculer la conductivité, la résistivité, la vitesse de déplacement des porteurs de charge et le courant
traversant le barreau.
Dopage du silicium

Ele
On introduit alors des atomes de bore dans le silicium en quantité égale à 1016 atomes de bore/cm3 .
2) Quel est alors le type de conductivité du silicium et le courant traversant le barreau dopé ?
Exercice 2
1) déterminer le nombre d’atome dans 1cm3 de Si sachant que la masse volumique du Si est ρSi =
2, 33g/cm3 et qu’un atome gramme de Si a une masse de 28, 086g/mol On donne ℵ = 6, 021023 atomes
D–
2) le cuivre a une résistivité ρ = 1, 6 106 ΩCm . En prenant pour nombre d’électrons libres ne =
1023 cm−3 . Calculer µn et vn pour une densité de courant de 1A mm−2
3) Déterminer la valeur de la résistivité ρ pour un cristal de Si dopé avec na = 1016 atomes de bore
4) réciproquement soit un barreau de Si de type N et de résistivité ρ = 10ΩCm trouver le dopage de ce
3-T

barreau
5) soit un barreau de Silicium dopé N avec 1016 atomes de phosphore. On donne ni = 1, 5.1010 Cm−3 ;
µSi = 1350Cm3 V −1 S −1 Calculer la densité des trous P, la conductivité σ et la résistivité ρ
Exercice 3
◦
1. Calculer la conductivité intrinsèque et la résistivité intrinsèque dans le cas du Silicium à 300 K où
ne = 1, 51010 Cm−3 ; µn = 1350cm2 /V s ; µp = 500cm2 /V s sachant que la statistique de Fermi-
3

Dirac permet d’écrire ni = A.T 3/2 exp(−EG /2KT )

Y2

◦
2. Calculer ni pour une température quelconque supérieure à 300 K Un fil de cuivre de diamètre 1mm
est parcourue par un courant de 3A la densité des porteurs libres étant où ne = 8, 45.102 8m−3

3. Calculer la vitesse d’entrainement des porteurs

PH

4. Calculer la mobilité des porteurs et la conductivité du fil

Exercice 4
On considère une bande métallique homogène de longueur L et de section S comportant une densité
volumique de n électrons libres par Cm3 . On applique une différence de potentiel U entre les deux faces de
la barre.

1. Dessiner le graphe de la répartition du potentiel V (x) dans la barre métallique.

2. Donner l’expression du vecteur champ électrique E. En déduire le vecteur force qui s’exerce sur un
électron libre entre deux chocs.

2 Par :Dr Kemgang Kana Lucas Z.

 PHY233 :Fonction électronique de base ⃝
c 2023-2024

3. Déterminer l’expression de la densité de courant j (A.Cm2 ) en fonction de q, N , t et S puis exprimer

j (A.Cm2 ) en fonction de q, n , et V

4. En tenant compte de la mobilité µ (Cm2 /V S) des électrons libres, montrer que la densité de courant
est proportionnelle au champ électrique E. Représenter la conductivité du matériau

na
5. Calculer la résistance de la barre

Exercice 5
Sachant que l’aluminium (Al) possède :

t-A
- Trois électrons de valence
- Une masse atomique de 26,98g/mol
- Une masse volumique de 2, 7g/Cm3
- Une résistivité de 2, 65µΩCm
Calculer la mobilité μ des électrons dans l’aluminium (une mole représente 6, 02 1023 atomes)

c
Exercice 6
Le cuivre est un métal qui libère en moyenne un électron par atome. Nous supposons que le nombre
d’atomes par m3 est de 1029 .

notée rv . Ele
1. Calculer la densité moyenne « n » des porteurs. En déduire la densité volumique des charges mobiles,

2. Un fil de cuivre cylindrique de 1 mm2 de section est parcouru par un courant continu de 1 A. Calculer
la densité de courant J . En déduire la vitesse des charges mobiles v .
3. La résistivité du cuivre utilisé vaut : ρ = 1, 5.10−8 V.m. Calculer la résistance d’un tronçon du fil
D–
précédent long de 10 m et déterminer la valeur du champ électrique dans le conducteur.
3 3-T
Y2
PH

3 Par :Dr Kemgang Kana Lucas Z.

 PHY233 :Fonction électronique de base ⃝
c 2023-2024

Faculté des Sciences Année académique 2023/2024

Département de physique
Université de Douala
............
PHY233 Fonction Electronique de Base

na
TD N°3 : Jonction PN : la diode

Exercice 1
On considère le montage de la Figure ci-contre dans lequel

t-A
les diodes ont pour caractéristique la courbe ID = f (VD ) de la
figure 2. On donne E = 5V, R1 = 10kΩ, R2 = 100kΩ et V0 =
0,7V. V1 et V2 sont des tensions égales à 0V ou 5V.
1) Déterminer l’état des diodes et calculer les valeurs des
tensions VD1, VD2, Vs dans chacun des cas suivants :

c
a)V1 = 0V et V2 = 0V ; b)V1 = 5V et V 2 = 0V ; c)
V 1 = 0V et V2 = 5V ; d) V1 = 5V et V2 = 5V

des tensions comprises entre 3V et 5V,

2) donner la table de vérité de ce montage.
3) Quelle est la fonction logique réalisée ?
Ele
En supposant que l’on attribue le niveau logique 0 à des
tensions comprises entre 0V et 0,8V et le niveau logique 1 à
D–
Exercice 2
Dans le montage de la Figure ci-contre, les diodes sont sup-
posées parfaites (tension de seuil et résistance dynamique né-
3-T

gligeables). E1 = 30V ; E2 = 10V ; E3 = 15V ; E = 10V ;

R = 20Ω
1. Montrer qu’une seule des trois diodes est passante et pré-
ciser laquelle est passante.
2. Déterminer l’intensité dans la résistance R ainsi que les tensions UD1 , UD2 et UD3 aux bornes des
diodes.
3

3. Quelle sera la d.d.p. aux bornes de R et le courant qui la traverse ?

Y2

Exercice 3 Soit le montage ci-contre :

1. Si la diode est passante, quelle est l’expression de VS ?
2. Même question si la diode est bloquée A quelle condition la diode
est elle passante ?
PH

3. Tracer le chronogramme de VS
4. Tracer la caractéristique VS = f (Ve )

Exercice 4 On considère le circuit suivant :

La diode est considérée réelle (Rd = 5Ω ,Vd = 0, 7V ) .
R1 = R2 = 10KΩ ; RL = 1KΩ ; E = 12V Exprimer la ten-
sion de sortie (aux bornes de RL ) VS en fonction de E

4 Par :Dr Kemgang Kana Lucas Z.

 PHY233 :Fonction électronique de base ⃝
c 2023-2024

Exercice 5 On considère le circuit suivant :

La diode est considérée parfaite (Rd = 0Ω ,Vd = 0V ) est alimentée par
un générateur e(t) = 24Sinωt débite à travers une résistance R = 2Ω,
dans une force contre- électromotrice E = 12V

na
1. Calculer les valeurs de θ(t) = ωt correspondant à un changement
d’état de la diode
2. Donner l’expression du courant électrique. Et déduire les ddp VR et VD aux bornes de la résistance R
et aux bornes de la diode

t-A
3. Quelle est la tension inverse maximale supportée par la diode ?
4. Tracer sur un même graphe e(t),VR et VD

Exercice 6 On considère le circuit suivant :

La diode est considérée idéale. ve (t) = 5Sinωt (V ) et Vr = 1V
1) Exprimer la tension vs (t)

c
2) Esquisser les formes d’ondes de vs et ve

Ele
Exercice 7 Etude complète du redressement simple alternance avec filtrage :
On considère le montage suivant, où la diode est sup-
posée idéale. Le secondaire du transformateur de ré-
D–
sistance nulle délivre une tension alternative ve (t) =
VM Sinωt (V )
1. Dessiner la forme d’onde de sortie vs (t) lorsque le
condensateur C est supprimé
2. Le condensateur C permet de filtrer la tension vs (t).
3-T

On suppose que le début de la charge du condensateur est

t = 0 où (θ = ωt = 0)
2a) Ecrire l’expression du courant i(t). On posera θ = ωt
2b) Déterminer l’instant de fin de conduction de la diode θ1 = ωt1
3. Représenter le circuit équivalent du montage lorsque la diode cesse de conduire.
4. Ecrire l’équation régissant ce circuit sous forme différentielle et donner la solution de cette équation.
3

La valeur de is (t1 ) est connue.

5. En déduire l’expression de la tension vs (θ) pour la phase de décharge du condensateur
Y2

6. On désire déterminer l’instant θ2 = ωt2 de la fin de décharge du condensateur est t = 0 où (θ = ωt = 0)

6a) Ecrire la condition mathématique correspondant à cet instant
6b) Déterminer l’instant de fin de décharge du condensateur
7. Par extrapolation de la forme d’onde du signal vs (t), déduire la forme de la tension filtrée issue du
montage de départ.
PH

8. A votre avis, quelle est la condition sur le produit RL C pour que cette forme se rapproche d’une droite
pour t ≫ t1 ?

5 Par :Dr Kemgang Kana Lucas Z.

 PHY233 :Fonction électronique de base ⃝
c 2023-2024

Faculté des Sciences Année académique 2023/2024

Département de physique
Université de Douala
............
PHY233 Fonction Electronique de Base

na
TD N°4 : Polarisation d’un transistor bipolaire et Amplificateur à transistor

Exercice 1 Polarisation d’un transistor bipolaire

Le transistor est de type 2N1711 (β = 150 ). Déterminez les résistances de polarisation pour chacun des

t-A
montages suivants, pour un courant IC0 = 10mA et en prenant VBE0 = 0, 6V

c
Ele
D–
Exercice 2 Soit le montage suivant
1) Déterminer le point de fonctionnement du montage.
2) Calculer la résistance dynamique re = VIBE E
c’est à dire
la résistance vue entre la base et l’émetteur
3) Donner le schéma équivalent du montage et déterminer
3-T

l’équation de l’entrée et l’équation de la sortie.

4) Calculer l’impédance d’entrée (Ze), l’impédance de sor-
tie (Zs) et le gain du montage (AV ).
′
5) On met en parallèle avec RE un condensateur C3 = 10µF , calculer re , l’impédance d’entrée (Ze),
l’impédance de sortie (Zs) et le gain du montage (AV ).
3

Exercice 3 Soit le montage ci-contre :

Y2

1) Déterminer le générateur de Thevenin vue entre A et B

2) Calculer le courant ICsat et déterminer le point de fonc-
tionnement idéal du montage.
3) Déterminer le point de fonctionnement du montage.
4) Calculer re
PH

5) Quel est le gain en tension du circuit ?

6) Quelle est la tension de sortie ( VS = Esin(ωt + φ) si eg = 0, 25Sinωt (mV ) ?
7) Calculer la tension maximale crête que l’on peut appliquer à eg sans que la tension de sortie vs ne soit
écrêté par le montage.
8) Tracer la caractéristique VS = f (Ve )

6 Par :Dr Kemgang Kana Lucas Z.