UE Composants

Physique du semiconducteur

Hélène TAP
Mardi 03 octobre 2017
Durée : 1h
Documents interdits
Calculatrice fournie autorisée.
ATTENTION : des documents utiles sont joints à la fin du sujet.

On considère un barreau de silicium de longueur L et de section S dans lequel aucune

impureté n’a été introduite de manière volontaire.
1) Si le silicium est idéalement pur, quelle est la densité de chacun de ses porteurs de
charges et sa résistivité?
2) Où est situé le niveau de Fermi ?
3) On souhaite maintenant doper le silicium de manière à ce qu’il dispose d’une densité
de trous telle que p = 1017 cm-3.
a. Proposer une impureté à introduire et avec quelle densité. Justifier votre choix.
b. Calculer, à l’équilibre thermodynamique, la densité d’électrons du silicium
précédemment dopé.
c. Donner l’expression de la position de Fermi du barreau par rapport au niveau
de Fermi intrinsèque EFi. Faire l’application numérique.
4) Le barreau de silicium est maintenant éclairé de manière uniforme. On suppose que
l’énergie des photons et l’épaisseur du barreau sont telles que l’on peut considérer un
taux de génération de porteurs constant égal à 5.1020 cm-3s-1 dans tout le volume de
semiconducteur.
a. En le justifiant, simplifier les équations de continuité pour les électrons et les
trous en régime permanent.
b. Donner les expressions des densités de porteurs excédentaires. Calculer toutes
les grandeurs impliquées.
5) A l’instant t=0 on coupe le flux lumineux.
a. En le justifiant, simplifier l’équation de continuité pour les minoritaires.
a. Donner l’expression de la densité de porteurs minoritaires et la (les) grandeur
(s) impliquée (s).
6) On place le barreau de silicium dans un circuit et on mesure la tension aux bornes de
ce barreau :
a. Donner l’expression de la tension mesurée en fonction de son admittance G
(inverse de la résistance).
b. Donner l’expression de l’admittance lorsque le barreau n’est pas éclairé.
c. Donner l’expression de l’admittance lorsque le barreau est éclairé dans les
conditions du 4)
d. Donner en % la valeur numérique de la variation de l’admittance (i.e. G/G)
en supposant µn/µp = 3.
Données :
La durée de vie des porteurs en excès est de 1s dans le silicium dopé 1016cm-3 en régime de
faible injection.
Charge de l’électron = q = 1,6 10-19 cm-3
Densité intrinsèque du silicium ni = 1,6 1010 cm-3
Constante de Boltzman = k = 8,617 10-5 eV.K-1
Tension thermodynamique = UT = 26 mV

Densité d’électrons n  N c exp(  E C E F )
kT
L’équation de continuité dans le cas général :
p E p 2 p pˆ
Pour les trous :   p p  pE  Dp 2  g p 
t x x x p

n E n  2n nˆ
Pour les électrons :  n n  n E  Dn 2  g n 
t x x x n

Fig.2 : Total impurities concentration (.cm-3)