Matériaux II cours prévu pour la séance du 20 /3 /2020 ( vendredi) à transmettre aux étudiants CVP

II - Le semi-conducteur extrinsèque

Nous avons vu que le semi-conducteur intrinsèque est un matériau pur ( constitué d’un même type
d’atomes). A la température T= 0K c est un isolant :

La bande de conduction est complètement vide et la bande de valence et complètement pleine.

Lorsqu’ on augmente la température T certains électrons peuvent gagner une énergie leur permettant de
passer de la bande de valence (BV) a la bande de conduction (BC), tout en lassant des trous sur la BV.

Le matériau devient conducteur avec deux types de porteurs : les électrons et les trous de densités n et p.

Dans ce type de semiconducteur n =p. a l’équilibre ces deux types de porteur vérifient la relation :

n.p= n i2 dite loi d’action de masse

Le ni veau de Fermi est situé au milieu de la bande interdite E F= ( EC + EV) /2 dans le cas ou les trous et les
électrons ont la même masse ( voir le cours précédent).

La conductivité du semiconducteur intrinsèque est très faible ( ce matériau peut être considéré comme
isolant à l’ambiante) . Pour améliorer les propriétés physiques du semiconducteur on utilise le dopage.

On obtient le semiconducteur extrinsèque.

La technique de dopage c est l’introduction dans le semiconducteurs d’ impuretés ( atomes etrangers), en

proportions très faibles.

Exemple pour le Si la densité intrinsèque des porteurs est de l’ordre de: ni = 10 10 cm-3. Pour que les

impuretés puissent être considérées comme négligeables dans ce matériau, elles doivent être en
quantité beaucoup plus faibles ( 1 / 1000…) , soit en atomes étrangers de l’ordre de 10 ou 10 cm . 7 8 -3

On distingue deux types de Sc extrinsèques :

- Le semiconducteur type N si le centre dopant (atome étranger ) est donneur d’électrons :

Atome de la 5eme colonne du tableau périodique des éléments (Tableau de Mendeleïev ) .

a b

La figure ci-dessus a-montre la position des niveaux d’énergie du centre dopant dans la bande interdite
 ( gap EG)du SC , la figure b montre l’atome du phosphore P ( élément de la 5eme colonne) dans un cristal
du Si type N

- Le semiconducteur type P si le centre dopant (atome étranger ) est accepteur d’électrons :

Atome de la 3eme colonne du tableau périodique des éléments (Tableau de Mendeleïev )

a b

La figure ci-dessus a-montre la position des niveaux d’énergie du centre dopant dans la bande interdite

( gap EG)du SC , la figure b montre l’atome du Bore B ( élément de la 3eme colonne) dans un cristal du Si
type P

Remarque

La loi d’action de masse n.p = ni2 est valable aussi dans le cas du semiconducteur extrinsèque :

A des températures voisines de l’ambiantes on suppose que les impuretés dopantes N D ou NA sont
complètement ionisées.

Dans le cas d’un Sc type N la concentration des impuretés est N D , on suppose que n = ND on calcule p à
partir de la relation :

n.p = ni2 soit p = ni2 /n = ni2 / ND p est appelée concentration des porteurs minoritaire et n concentration
des porteurs majoritaires.

De même dans le cas d’un S.c. type p , la concentration des impureté est N A , on suppose que p= NA

on calcule n à partir de la relation

n.p = ni2 soit n = ni2 /p= ni2 / NA n est appelée concentration des porteurs minoritaire et p concentration
des porteurs majoritaires.
Exercices d’application

Le S.C intrinsèque, ni ; le S.C extrinsèque dopé n, p.

Exercice 1 :
On donne le tableau suivant :
Semiconducteur Eg (eV) Nc (/cm3) Nv(/cm3)
GaAs 1,43 4,7. 1017 7.1018
19
Ge 0,66 1,04 .10 6.1018
Si 1,12 8.1019 1,04.1019
1. Parmi ces trois semi-conducteurs, quel est celui qui présente la concentration intrinsèque la
plus faible ?
2. Calculer ni pour ce semi-conducteur à 300 K.

Exercice 2 :

Le Germanium Ge est caractérisé par :

Masse atomique M = 72,6 g. masse volumique d = 5,32 g/cm . 3

Energie de la bande interdite Eg = 0,67 eV.

Nombre d’Avogadro A = 6,023.10 mol , k = 8,62.10 eV/K.
23 -1 -5

Densité effective d’états énergétiques à 300 K, Nc = 1,04.10 atomes/cm3, Nv = 6.10 atomes/cm .

19 18 3

1. Déterminer le nombre d’atomes par cm . 3

2. Calculer la concentration intrinsèque à 300 K.

3. Quelle est la fraction d’atomes ionisés ?

Exercice3 :

Dans le cas du Silicium, à T = 300 K, avec ni = 1,5.1010 cm-3, nombre total d’atomes par cm 3

N = 5.10 .
22

1. Quel est le rapport du nombre d’atomes ionisés au nombre total d’atomes ?

2. Quelle est la largueur de la bande interdite en eV ?
On donne Nc= 3.10 19 (atomes par cm ) et Nv = 1019 (atomes par cm3).
3

3. Déterminer sans calculs le type de semi-conducteur (n ou p) puis les concentrations des

porteurs à l’équilibre dans les cas suivants :
a) Silicium dopé par 10 atomes de Ga par cm .
15 -3

b) Silicium dopé par 10 atomes de Sb par cm .

12 -3

c) Silicium dopé par 3.10 atomes de In par cm .

10 -3