Classe des matériaux Année 2020-2021

Fiche d’exercices

A- Effet Hall dans les semi conducteurs

1- Rappeler le principe de la mesure par effet Hall. Qu’elle grandeur est accessible par cette
mesure ?
2- On applique un courant de 29,9 mA dans un échantillon ayant une taille transverse de 1 mm.
a- On mesure une tension de Hall de -20,1 mV pour un champ magnétique appliqué de
0,098T. Calculer la densité de porteurs ainsi que la nature des porteurs.
b- Pour un second échantillon la tension de Hall mesurée est de 25,2 mV pour un champ
magnétique appliqué identique.
c- Quelle application pratique peut-on faire de l’effet Hall ?
3- On mesure pour de l’InSb (antimoniure d’indium) traversé par un courant de 0,1 A et de
dimention transverse de 0,3 mm une tension de Hall de 88 mV.
a- Sachant que la constante de Hall (CH=1/ne) vaut 375x10-6 SI en déduire la valeur du
champ magnétique appliqué. Calculer la densité de porteurs du InSb.
b- Quelle application pratique peut-on faire de l’effet Hall ?

B- Semi conducteurs

1- On considère un semi-conducteur intrinsèque dont les densités équivalentes d’états

énergétiques dans la bande de conduction et de valence sont notées respectivement NC et
NV.
a- Rappeler les expressions de la densité d’électrons n dans la bande de conduction et la
densité de trous p dasn la bande de valence.
b- En déduire l’expression de la densité intrinsèque ni et la position du niveau de Fermi
intrinsèque EF.
c- Le semi conducteur considéré est du silicium de largeur de bande interdite (ou gap)
Eg=1,1 eV pour lequel NC=2,7x1019 cm-3 et NV=1,1x1019 cm-3.
Calculer la densité intrinsèque et la position du niveau de Fermi à 27°C, 127°C, 227°C
sachant que kT vaut 26 meV à 300K. On prendra le haute de la bande de valence comme
référence énergétique (0 eV).

2- Le silicium est dopé avec une concentration de 1018 cm-3 en Phosphore.

a- De quel type de dopage s’agit-il ?
b- Calculer à 27°C la concentration en électrons.
c- En déduire la concentration en trous.
d- Calculer la position du niveau de Fermi du semiconducteur dopé.

3- A l'équilibre thermodynamique, la densité des porteurs libres d'un semiconducteur dopé par
ND atomes donneurs (supposés tous ionisés) est déterminée par 2 lois fondamentales.
a- Rappeler ces deux lois.
b- En associant ces 2 relations et en ne tenant compte que de la solution physique (n est
toujours positif) exprimer n en fonction de ND et ni.
c- Le terme ND est indépendant de la température, alors que ni2 évolue très rapidement,
montrer qu’il existe deux cas limites.

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C- Semiconducteurs dopés

1- Calculer l’énergie des fluctuations thermiques à 300 K.

2- Représenter le schéma des bandes pour un semi conducteur intrinsèque, dopé n et dopé p.
Quel est le rôle du dopage ?
3- Expliquer pourquoi le silicium est isolant à température ambiante et le silicium dopé N ou P
est généralement conducteur à T ambainte ?
4- Rappeler l’expression des densités d’états NV et NC par cm-3. Exprimer leur valeur à 300K en
considérant la masse lcassique de l’électron.
5- On donne les concentration en donneurs ND = 1x1015 cm-3 et en accepteurs NA = 5x1016 cm-3.
Exprimer la position du niveau de Fermi pour chaque cas, en précisant s’il s’agit d’un type n
ou d’un type p.

D- Propriétés optiques des matériaux

Etablir la relation permettant de calculer l’énergie d’un photon exprimée en eV à partir de sa

longueur d’onde exprimée en nanomètre. Donner les bornes du spectre visible en longueur
d’onde exprimée en nm et calculer l’énergie correspondante en eV.

E- Courbes de transmission optique des semi conducteurs

1- Décrire et expliquer l’évolution des propriétés optique de l’InSb en fonction du dopage.

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F- Relation de Hagen Rubens

1- Exprimer la vitesse de l’électron dans le modèle de Drude et montrer qu’elle s’exprime par :

 
 dx eE0  ( i )eit 
v 
dt m    2  i 

2- Approximer cette expression lorsque -> 0 et en déduire la conductivité électrique du

matériau à fréquence nulle sachant que la relation entre a densité de courant et la
  
conductivité électrique est donnée par : J  Nev   DC E
N correspond à le densité d’électrons par unité de volume.
v la vitesse des électrons
e la charge des électrons
 DC la condictivité électrique
E le champ électrique.
3- Déterminer les valeurs de ’ et ’’ lorsque  -> 0
4- L’indice optique est une grandeur complexe reliée à la constante diélectrique par :
n~  n  ik   'i ' '
Exprimer ’ et ’’ en fonction de n et k puis en fonction de p,  et 
5- En déduire l’expression de n à fréquence nulle, cette expression portant le nom de Hagen
Rubens et s’exprime par :
p  DC
n 
2 2 0

6- L’écart entre la relation de Hagen Rubens avec les mesures expérimentales est présenté sur
la figure ci-dessous. Que pouvez vous en conclure ?

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Achim Seifter, TC12, Proceedings, XVII IMEKO World Congress, June 22 – 27, 2003, Dubrovnik, Croatia

7- Quelle grandeur peut-être mesurée à partir de la réflectivité optique ?