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THEORIE DES SEMI CONDUCTEURS

INTRODUCTION
Les charges lectriques lmentaires (protons, lectrons) sont plus ou moins libres
de circuler sous linfluence dun champ lectrique externe ; nous pouvons distinguer
ainsi :
Les isolants (liaisons robustes, charges lectriques trs peu mobiles) ;
Les conducteurs (liaisons fragiles, charges trs mobiles).
Les semi conducteurs se situent entre ces deux extrmits. On obtient les
caractristiques dsires en appliquant les transformations physico-chimiques
adquates .Il en rsultera plusieurs sortes de semi conducteurs que lon pourra
combiner pour obtenir des fonctionnements bien dtermins.

I GENERALITES SUR LES SEMI CONDUCTEURS

1.1 Semi conducteurs intrinsques :

a) Dfinition : Un semi conducteur est constitu par un rseau cristallin de


Matriau trs pur. On utilise soit des lments du tableau priodiques possdant
chacun 4 lectrons de valence, soit des combinaisons de matriaux qui possdent
3 et 5 lectrons de valence .Ces liaisons sont robustes ,ce qui fait que pour
arracher des lectrons des atomes, il faut fournir une nergie assez importante.

b) Types de semi conducteurs : Les trois principaux semi conducteurs utiliss


en lectronique sont
Le silicium (Si) : cest le matriau le plus utilis actuellement pour la fabrication des
composants lectroniques.
Le germanium (Ge) : il est dlaiss cause de sa trs grande sensibilit la
temprature.
Larsniure de gallium (AsGa) : il est utilis dans la fabrication de composant opto
lectronique, et permet aussi de fabriquer des composants plus rapides que ceux en
silicium ; ces applications sont cependant rares

C Proprits : Lagitation thermique fait que certains lectrons quittent leur


liaison et deviennent des lectrons libres. Ils crent alors un trou qui ne demande
qu tre rebouch par un autre lectron libre, surtout si on applique un champ
lectrique sur le cristal : lectrons et trous se dplacent en sens inverse, engendrant
ainsi un courant lectrique
Contrairement ce qui se passe dans les conducteurs, la rsistivit des semi
conducteurs diminue quand la temprature augmente : en effet,plus la temprature
est leve,plus le nombre de trous et dlectrons libres augmente,et plus le courant
produit est intense quand on branche un gnrateur sur le cristal.
UN SEMI CONDUCTEUR EST DONC TRES SENSIBLE A LA
TEMPERATURE ET NECESSITERA DES MOYENS EXTERNES DE
STABILSATION. SANS QUOI UN EMBALLEMENT THERMIQUE
ENTRAINE TRES VITE LA DESTRUCTION DU SEMI CONDUCTEUR.

1.2 Semi conducteurs extrinsques :


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a) Dfinition : Les semi conducteurs intrinsques nont pas une grande utilit en
tant que tels ; ils servent de base aux semi conducteurs dops : on y rajoute
des impurets pour modifier leur comportement. Il existe deux types de semi
conducteurs extrinsques :

b) Les semi conducteurs de type P : On dope le cristal intrinsque avec un


lment possdant un nombre infrieur dlectrons de valence : on peut doper
du silicium (4 lectrons de valence) avec du bore, de lindium, du gallium, ou
de laluminium qui possdent 3 lectrons de valence (atome accepteur).
Ces atomes vont prendre la place dun atome de silicium dans le cristal. Comme ils
possdent 1 lectron de valence en moins, il va se crer des trous dans le semi
conducteur. Les trous deviennent des porteurs de charges mobiles : le semi
conducteur est de type P. Il subsistera quelques lectrons libres dans le cristal
(porteurs minoritaires)
Les trous ainsi crs vont tre susceptibles dtre bouchs par des lectrons
prsents dans le cristal.

c) les semi conducteurs de type N : Le principe est le mme que pour le semi
conducteur de type P, sauf quon dope le cristal avec des lments ayant un
lectron de valence de plus (atomes donneurs) : le phosphore, larsenic, et
lantimoine, qui possdent 5 lectrons de valence pour doper le silicium par
exemple. 4 lectrons vont faire des liaisons covalentes avec les atomes de
silicium environnant, et le 5ime sera un lectron libre ; tous ces lectrons libres
seront les porteurs majoritaires. Il existera encore quelques trous, mais en
faible quantit.
Les lectrons libres seront pratiquement aussi mobile que dans le cas des liaisons
mtalliques (conducteurs).Latome donneur devient un ion positif, mais ceci ne cre
pas un trou porteur comme dans le cas du silicium P, car cette charge positive ne
peut pas se dplacer dans le cristal.

d) proprits : Dans le deux cas (types N et P) le cristal reste globalement


neutre, car le noyau des atomes donneurs comporte un proton de plus que
latome du cristal intrinsque, et un de moins dans le cas des atomes
accepteurs. Le dopage permet davoir beaucoup plus de porteurs dune
espce donne que de lautre et il a apport une fragilit supplmentaire
dans les liaisons atomiques :

II CONDUCTION
En pratique, seuls les lectrons se dplacent. Au niveau mobilit, pour le silicium
N, les charges mobiles sont des lectrons libres, dont lnergie de liaison se situe
dans la bande de conduction : ils vont donc tre trs mobiles.
Pour le silicium P, le dplacement de trous se fera en fait par dplacement
dlectrons qui seront obligs des autres liaisons, donc de la bande de valence : ils
vont tre beaucoup moins mobiles que les lectrons libres du silicium N, ce qui
explique la conductivit du silicium P soit plus que celle du N.
La conduction est le rsultat de trois termes :

2.1 Conduction par champ lectrique :


Un champ externe va fournir suffisamment dnergie aux lectrons libres (N) ou aux
trous (P) : en fait les lectrons de valence voisins du trou pour quils se dplacent.
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On a une conduction dans un barreau de silicium monocristal (N ou P). La


conduction est meilleure dans le N que dans le P.

2.2 Conduction par diffusions de porteurs :


Nexiste pas dans un cristal homogne. Ce phnomne est d lhtrognit du
matriau (jonction, dopage non homogne) : il y a un gradient de concentration des
charges qui se dplacent pour se rpartir de faon homogne dans le cristal la
manire des gaz.

2.3 Conduction par cration/ recombinaison de charges :


Ceci concerne les charges libres minoritaires, qui peuvent tre cres de diverses
manires : mission photoniques, avalanche, passage de la barrire de potentiel
dune jonction. Ces charges en excs se recombinent avec des porteurs
majoritaires selon une loi exponentielle de constante de temps gale la dure de
vie des porteurs.
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