CHP 01 - Les Semi-Conducteurs PDF

ELECTRONIQUE GENERALE
Chapitre 1
Semi-conducteurs
Chapitre 1: Semi-conducteurs
Configuration atomique
Exemples d’atomes
Isolants: (dernière couche pleine)

Conducteurs : (électrons libres)

Conducteurs : (électrons libres)

Silicium: Silicon Si14

L’Atome de silicium isolé non stable
Atome stable : 8 électrons sur la couche externe (gaz rares)
Formation du cristal : association avec quatre voisin

Système cristallin et réseau cristallin
- Cristal représenté à partir d’une cellule de base
- Cellule de base répétée périodiquement
- Il existe sept systèmes cristallins dont le système cubique
Cristal cubique
Il existe trois réseaux différents

Cristal cubique
Les semi-conducteurs de la colonne IV (Ge, Si) = Réseau diamant
Les électrons d’un atome isolé prennent des valeurs d’énergie discrètes
Pour chaque niveau : nombre limité d’électrons (2n2)
Les niveaux les plus proches du noyau sont occupés
Pour le silicium :
Numéro atomique Z = 14
2 électrons sur la première couche (n = 1)
8 sur la seconde (n = 2)
4 sur la dernière (nombre de places = 18) (n = 3)
Cristal Si : deux réseaux cubiques faces centrées imbriqués (décalés du quart de
la diagonale principale du cube)
Système cristallin et réseau cristallin
- Cristal représenté à partir d’une cellule de base
- Cellule de base répétée périodiquement
- Il existe sept systèmes cristallins dont le système cubique
Cristal cubique
Il existe trois réseaux différents

Bandes d’énergie
Si on approche N atomes :
Apparition de bandes d’énergies (niveaux discrets très rapprochés)

Si une bande à p places et n électrons : N.p places et N.n électrons
Si la couche externe est saturée : pas de courant
Bandes de conduction et de valence (électrons des niveaux 3s et 3p)

Apparition d’une bande interdite ou Gap
Distance interatomique
Conduction par électron ou par trou
Semi-conducteur intrinsèque
Semi-conducteur non pollué(volontairement ou non) par des impuretés
Pour T ≠ 0, des électrons peuvent devenir libres
La densité d’électrons (resp. trous) libres est notée ″n″ (resp. ″p″) = ni
Chapitre 1
Semi-conducteurs
Apport d’une énergie à une liaison de valence
On arrache un ou plusieurs électrons
Cet électron de la BV passe dans la BC
L’électron se comporte comme une particule ″quasi-libre″ (sous l’influence du réseau)
Il peut participer à la conduction électrique
On lui affecte une masse effective mn différente de m0 (0,91 10-30 kg)
En fait, il apparaît aussi un trou libre

Semi-conducteur
Nc et Nv sont les densités d'états effectives respective des électrons dans la bande de conduction et des
trous dans la bande de valence.
Ces densités Nc et Nv dépendent faiblement de la température Ec  EF


n  Nce KT
E F  Ev

p  Nve KT
EF : Le niveau de Fermi est une caractéristique propre à un système qui traduit la

répartition des électrons dans ce système en fonction de la température.
Le niveau de Fermi est une fonction de la température mais il peut être considéré comme
une constante, laquelle équivaudrait alors au niveau de plus haute énergie occupé par
les électrons du système à la température de 0 K.
Semi-conducteur
Loi d’action de masse
Eg

n.p  N c .N v e KT
Le produit n.p est indépendant de EF.

La seule origine des porteurs est la rupture de liaisons covalentes : lorsque l’électron
reçoit une énergie suffisante (>Eg) (thermique ou lumineuse) il passe dans la bande de
conduction et laisse un trou dans la bande de valence, il y a création d’une paire
électron-trou.
n=p = ni concentration intrinsèque (caractéristique du S.C.)

Eg

n. p  N c N v e KT
 ni2
Eg

ni  Nc N v e 2 KT
T=300K Si Ge GaAs
ni(cm-3) 1,5.1010 2,5.1013 3.106
Le niveau de Fermi
n  ni
Ec EF Eg
 
N ce KT
 Nc Nv e 2 KT
3 m *p
Eg 3 m *p
E Fi  E c   KT ln *  E i  KT ln *
2 4 mn 4 mn
Conductibilité électrique
Lorsqu’on applique un champ électrique E au Semi-conducteur, les porteurs seront

animés d’une vitesse : vn= -μn.E
Pour les trous : vp= μp.E
Pour Si : μn= 1350cm2/V.s ; μp= 480cm2/V.s

Semi-conducteur
à T= 0°K : un isolant et un S.C ne conduisent pas le courant.

Si T≠ 0°K : l’énergie thermique n’est pas suffisante pour libérer les électrons pour un isolant,
alors que pour un S.C. quelques électrons vont être libérés et assureront la conduction.
Semi-conducteur extrinsèque
Notion de dopage :
Le semi-conducteur intrinsèque n'est pas exploitable (faible conductivité). Pour pallier

ces contraintes, des "impuretés" sont introduites au sein du solide lors de sa fabrication.
Ces impuretés introduites sont des atomes choisis pour leur propriétés physico-chimiques.
On parle de semi-conducteur extrinsèque quand les populations des électrons et des

trous sont contrôlées par les impuretés.
Semi-conducteur
Densités de porteurs libres dans un S.C. :
Concentration des électrons dans la bande de conduction

Ec  EF

n  Nce KT
Dans un semi-conducteur, la conduction électrique se fait par les électrons et les trous.
Le déplacement des électrons de valence est équivalent au déplacement des trous.
Concentration des trous dans la bande de valence
EF  Ev

p  Nve KT
Dopage N:
à 0°K, le cinquième électron reste sur le niveau ED, la bande de

conduction reste vide.
Pour des températures relativement basses (>100°K) tous les
atomes donneurs sont ionisés, la bande de conduction contient
ND électrons provenant du dopage.
Dans un S.C. type N, les électrons sont les porteurs majoritaires

et les trous les porteurs minoritaires.
Origine des porteurs :
e- : ionisation des impuretés + rupture des liaisons covalentes.

p : rupture des liaisons covalentes.
En pratique ND>> ni donc n>>p
Dopage de type P:
Si on ajoute des atomes trivalents (Bore B) (accepteurs), ces

atomes se substituent aux atomes du cristal et mettent les trois
électrons de valence dans des liaisons, il y aura donc
apparition d’un trou. On aura un semi-conducteur de type p.
L’atome accepteur introduit un niveau d’énergie EA proche de

la bande de valence. Il suffit d’une faible énergie pour qu’un Ec
électron d’un atome voisin occupe le niveau EA et donne un
trou dans la bande de valence.
A 0°K, le semi-conducteur reste isolant car aucun atome ne sera

ionisé, pour T>100°K, pratiquement tous les atomes accepteurs
EA
seront ionisés.
Dopage de type P:
Dans un semi-conducteur de type P, les trous seront

les porteurs majoritaires et les électrons les porteurs
minoritaires.
Remarque
Le dopage permet d’ajuster la résistivité du semi-conducteur. Ec
EA
Concentration des porteurs et niveau de Fermi
Equation de neutralité :
Soit un semi-conducteur contenant ND donneurs et NA accepteurs, il est électriquement

neutre (sa charge électrique est nulle).
n  NA  p  ND
- S.C. de type N : n  NA  p  ND
Considérons un S.C. dopé avec ND>NA
n.p  n i2
- S.C. de type P : NA>ND
(N A  ND )  4ni2 
p 2  ( N A  N D )p  n i2  0 p 1  1  2 
2  ( N A  N D ) 
Chapitre 1
Semi-conducteurs
Un semi-conducteur intrinsèque est un matériau semi-conducteur pur : le

matériau est parfaitement régulier et ne contient aucune impureté.
Son comportement électrique ne dépend alors que de sa structure et de
l'excitation thermique :
- à 0 K, le matériau est isolant ;
- plus on chauffe, plus le nombre d'électrons arraché à la bande de valence
augmente et plus le matériau est conducteur.
La densité d’électrons (resp. trous) libres est notée

″n″ (resp. ″p″) = ni
Jonction PN
On distingue deux types de semi-conducteurs :
- Type N :
Au Silicium pur, on ajoute une particule ( par 10 millions de Si ) élément
pentavalent ( Arsenic ou le Phosphore ). On constate un excès des électrons dans le
cristal :
le dopage type N
- Type P :
Au Silicium pur, on ajoute une particule ( par 10 millions de Si ) élément
trivalent ( Aluminium, Gallium, Indium ). On constate un manque désignés
par les trous : un excès des charges positives, le dopage est du type P.
La mise en contact de deux SC extrinsèques de types différents entraîne un gradient de
concentration très important et par suite nécessairement des courants de diffusion.
la jonction PN,
Jonction PN
Définition de la jonction PN
La jonction est la juxtaposition de deux régions de type opposé.
Selon les matériaux utilisés, on distingue:
homojonction:
hétérojonction : contact entre deux matériaux de nature différente (exp : métal-S.C)

Jonction métallurgique : surface séparant les deux régions.
Jonction PN
N=ND-NA
Il existe deux types de jonction selon le dopage
Jonction Abrupte
x
N=ND-NA
Jonction Graduelle
x
Jonction PN
Dans ce cours, nous nous intéresserons à -jonction PN abrupte
Remarque
En pratique, la jonction s'établit en formant par des moyens techniques spéciaux une
zone P dans un monocristal N ou inversement, une zone N dans un monocristal P. Par
contre, il est impossible d'unir deux cristaux de types différents pour former une
jonction P.N.
Jonction PN
S-C type P jonction S-C type N

Porteurs + (trous) Porteurs -(électrons)
majoritaires majoritaires
Jonction PN
Jonction PN
Champ électrique E
Déplacement des
porteurs
minoritaires
Jonction PN
Les électrons diffusent vers la région où ils

sont minoritaires (région P) et les trous vers la
région N.
Il y aura donc apparition zone dépeuplée

de porteurs appelée zone de charge
(ou zone de transition).
Cette zone contient les ions des atomes dopants, donc elle sera positive dans la région N et négative dans
la région P.
une barrière de potentiel
porteurs.
Jonction PN
thermodynamique est atteint

lorsque le courant de diffusion est égal au
courant dû au champ électrique interne .
- Régime transitoire (très bref) : diffusion des porteurs.

- Régime permanent : arrêt de la diffusion et apparition de la barrière de potentiel.
Jonction PN
Diagramme énergétique tension de diffusion
1- Diagramme énergétique :
A thermodynamique le niveau de
Fermi doit être constant dans toute la structure.
Vd : tension de diffusion barrière de potentiel.
2- Tension de diffusion :
- En utilisant le diagramme énergétique :

Nous avons dans la région N :
E CN E F
nN N ce KT
ND
Jonction PN
Selon les matériaux utilisés, on distingue:
homojonction:
hétérojonction : contact entre deux matériaux de nature différente (exp : métal-S.C)

Jonction métallurgique : surface séparant les deux régions.
Jonction PN
Calcul du champ et du potentiel

Equation de Poisson :
1° intégration donne E(x) et 2° intégration donne V(x).

Jonction PN

Equation de Poisson :
-xp x 0: -qNA
Jonction PN
x > xn : E=0 et V=VN
x < -xp : E=0 et V= VP
La continuité de E(x) en x=0 donne
E(0-) = E(0+)
Jonction PN
Variation linéaire de E et variation parabolique de V
La continuité de V(x) en x=0 donne :
qN D 2 qN A 2
xn VN x p VP
2 2
qN A 2 qN D 2 q
Vd V N VP xp xn N A x 2p N D xn2
2 2 2
Jonction PN
Largeur de la zone de
charge Z.C.E
Jonction PN
Une zone désertée entre deux zones conductrices et

assimilable à un condensateur plan de section S
(surface de la jonction) tel que

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Isolants: (dernière couche pleine)

Conducteurs : (électrons libres)

Conducteurs : (électrons libres)

Silicium: Silicon Si14

L’Atome de silicium isolé non stable

Atome stable : 8 électrons sur la couche externe (gaz rares)

Formation du cristal : association avec quatre voisin

- Cristal représenté à partir d’une cellule de base

- Cellule de base répétée périodiquement

- Il existe sept systèmes cristallins dont le système cubique

Il existe trois réseaux différents

Les semi-conducteurs de la colonne IV (Ge, Si) = Réseau diamant

Pour chaque niveau : nombre limité d’électrons (2n2)

Les niveaux les plus proches du noyau sont occupés

- Cristal représenté à partir d’une cellule de base

- Cellule de base répétée périodiquement

- Il existe sept systèmes cristallins dont le système cubique

Il existe trois réseaux différents

Apparition de bandes d’énergies (niveaux discrets très rapprochés)

Bandes de conduction et de valence (électrons des niveaux 3s et 3p)

Semi-conducteur non pollué(volontairement ou non) par des impuretés

Pour T ≠ 0, des électrons peuvent devenir libres

Apport d’une énergie à une liaison de valence

On arrache un ou plusieurs électrons

Cet électron de la BV passe dans la BC

L’électron se comporte comme une particule ″quasi-libre″ (sous l’influence du réseau)

Il peut participer à la conduction électrique

On lui affecte une masse effective mn différente de m0 (0,91 10-30 kg)

En fait, il apparaît aussi un trou libre

Ces densités Nc et Nv dépendent faiblement de la température Ec  EF

EF : Le niveau de Fermi est une caractéristique propre à un système qui traduit la

Loi d’action de masse

Le produit n.p est indépendant de EF.

n=p = ni concentration intrinsèque (caractéristique du S.C.)

Lorsqu’on applique un champ électrique E au Semi-conducteur, les porteurs seront

Pour les trous : vp= μp.E

Pour Si : μn= 1350cm2/V.s ; μp= 480cm2/V.s

à T= 0°K : un isolant et un S.C ne conduisent pas le courant.

Le semi-conducteur intrinsèque n'est pas exploitable (faible conductivité). Pour pallier

On parle de semi-conducteur extrinsèque quand les populations des électrons et des

Densités de porteurs libres dans un S.C. :

Concentration des électrons dans la bande de conduction

Concentration des trous dans la bande de valence

à 0°K, le cinquième électron reste sur le niveau ED, la bande de

Dans un S.C. type N, les électrons sont les porteurs majoritaires

Origine des porteurs :

e- : ionisation des impuretés + rupture des liaisons covalentes.

Si on ajoute des atomes trivalents (Bore B) (accepteurs), ces

L’atome accepteur introduit un niveau d’énergie EA proche de

A 0°K, le semi-conducteur reste isolant car aucun atome ne sera

Dans un semi-conducteur de type P, les trous seront

Le dopage permet d’ajuster la résistivité du semi-conducteur. Ec

Concentration des porteurs et niveau de Fermi

Soit un semi-conducteur contenant ND donneurs et NA accepteurs, il est électriquement

Un semi-conducteur intrinsèque est un matériau semi-conducteur pur : le

La densité d’électrons (resp. trous) libres est notée

On distingue deux types de semi-conducteurs :

Selon les matériaux utilisés, on distingue:

hétérojonction : contact entre deux matériaux de nature différente (exp : métal-S.C)

S-C type P jonction S-C type N

Les électrons diffusent vers la région où ils

Il y aura donc apparition zone dépeuplée