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É L E C T R O N I Q U E - P H OTO N I Q U E

Ti350 - Électronique

Électronique de puissance :
conversion et gestion

Réf. Internet : 42283 | 3e édition

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III
Cet ouvrage fait par tie de
Électronique
(Réf. Internet ti350)
composé de  :

Électronique analogique Réf. Internet : 42279

Technologies des dispositifs actifs Réf. Internet : 42286

Architecture et tests des circuits numériques Réf. Internet : 42276

Matériaux pour l'électronique et dispositifs associés Réf. Internet : 42271

Matériaux et dispositifs magnétiques et supraconducteurs Réf. Internet : 42282

Électromagnétisme. Propagation Réf. Internet : 42277

Compatibilité électromagnétique dans les systèmes Réf. Internet : 42580


électroniques

Hyperfréquences. Circuits et émetteurs de puissance Réf. Internet : 42281

Antennes Réf. Internet : 42280

Cartes électroniques  : technologies et conception Réf. Internet : 42287

Électronique de puissance : conversion et gestion Réf. Internet : 42283

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IV
Cet ouvrage fait par tie de
Électronique
(Réf. Internet ti350)

dont les exper ts scientifiques sont  :

Bruno ALLARD
Professeur des universités, département de Génie électrique de l'INSA de Lyon, chercheur au laboratoire
Ampère (CNRS UMR 5005)

Sylvain BALLANDRAS
Président-directeur général, frec|n|sys SAS, Besançon

Xavier BEGAUD
Telecom ParisTech

Jean CHAZELAS
Directeur du département Technologies avancées de Thales Division Aéronautique

Jean-Pierre GANNE
Ingénieur civil des Mines de Paris, docteur ès sciences, Thales Research and Technology France

François GAUTIER
Ancien directeur technique adjoint Thales Systèmes aéroportés

Dominique HOUZET
Professeur Grenoble-INP

Richard LEBOURGEOIS
Docteur de l'INPG (Institut national polytechnique de Grenoble), responsable des études ferrites au
Thales Research and Technology France, ingénieur de l'ENSIEG (École nationale supérieure d'électricité de
Grenoble)

Saverio LEROSE
Hardware Development Engineering, Thales Corporate Services SAS

Olivier MAURICE
Chargé d'études CEM en R et D, Ariane Group, service CEM et Laser, site des Mureaux

André PACAUD
Ingénieur SUPELEC

André SCAVENNEC
Docteur ingénieur, Alcatel Thales III-V Lab

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V
Les auteurs ayant contribué à cet ouvrage sont :

Bruno ALLARD Jean-Paul FERRIEUX Serge PÉLISSIER


Pour les articles : E400 – E3958 – Pour les articles : D3237 – E3975 Pour les articles : E2140 – E2141
E3385
Henri FOCH Jean-Pierre PETIT
Raphaël ARCHES Pour l’article : D3170 Pour l’article : E3952
Pour l’article : D3170
Nicolas GINOT Luong Viêt PHUNG
Christophe BATARD Pour l’article : D3234 Pour l’article : E3960
Pour l’article : D3234
Philippe LAHAYE Jean-François ROCHE
François BERNOT Pour l’article : D3234 Pour l’article : D3117
Pour les articles : E3964 –
E3965 – E3967 Richard LEBOURGEOIS Frédéric ROTELLA
Pour l’article : D2160 Pour l’article : E3969
Maximin BLANC
Pour l’article : E3975 Stéphane LEFEBVRE Nicolas ROUGER
Pour les articles : D3230 – D3231 Pour les articles : D3230 – D3231
Vincent BLEY
Pour l’article : E3385 Yves LEMBEYE Ali SARI
Pour l’article : E3975 Pour les articles : E2140 – E2141
Bernard BOUTOUYRIE
Pour l’article : E380 Pierre MARTY Benoît SARRAZIN
Pour l’article : D3170 Pour l’article : D3237
Cyril BUTTAY
Pour l’article : D3116 Ludovic MÉNAGER Baptiste TRAJIN
Pour l’article : E3385 Pour l’article : E3969
Yvon CHÉRON
Pour l’article : D3170 Michel METZ Pascal VENET
Pour l’article : D3170 Pour les articles : E2140 – E2141
Alexis DERBEY
Pour l’article : D3237 Gérard MEUNIER Paul Étienne VIDAL
Pour l’article : D3237 Pour l’article : E3969
Bernard ESCAUT
Pour l’article : D3170 Bernard MULTON
Pour les articles : D3230 – D3231

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VI
Électronique de puissance : conversion et gestion
(Réf. Internet 42283)

SOMMAIRE

1– Principes de conversion Réf. Internet page

Électronique de puissance : conversion et gestion - Guide de lecture et perspectives E400 11

Gestion de l'énergie électrique dans les produits électroniques. Introduction E3958 13

2– Composants et dispositifs Réf. Internet page

Introduction aux composants de microélectronique de puissance E3960 19

Batteries électriques pour applications portables et embarquées. Fondamentaux E2140 25

Batteries électriques pour applications portables et embarquées. Technologies E2141 29

Commande des composants à semi-conducteurs de puissance : contexte D3230 33

Caractéristiques des composants à semi-conducteur de puissance en vue de leur D3231 39


commande
MOSFET et IGB : circuits de commande, sécurisation et protection du composant à D3234 47
semi-conducteur
Ferrites doux pour l'électronique de puissance D2160 53

3– Technologies d'interconnexion Réf. Internet page

Conditionnement des modules de puissance E3385 59

Modules et boîtiers de puissance (packaging) D3116 63

4– Architectures Réf. Internet page

Convertisseurs continu-alternatif et alternatif-continu D3170 69

Hacheurs : fonctionnement E3964 71

Hacheurs : iltres, commutations et commande E3965 75

Alimentations continues stabilisées E380 79

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VII
5– Modulation et contrôle Réf. Internet page

Modulations MLI et MPI E3967 85

Stratégie et technique pour le pilotage en modulation des convertisseurs statiques E3969 87

6– Dissipation thermique Réf. Internet page

Dissipation thermique dans les systèmes électroniques E3952 93

Déinition d'un dissipateur thermique en milieu industriel D3117 97

7– Applications Réf. Internet page

Transfert d'énergie électrique sans contact par induction en moyenne puissance D3237 103

Dual Active Bridge (DAB) pour la conversion continu-continu E3975 109

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Électronique de puissance : conversion et gestion
(Réf. Internet 42283)


1– Principes de conversion Réf. Internet page

Électronique de puissance : conversion et gestion - Guide de lecture et perspectives E400 11

Gestion de l'énergie électrique dans les produits électroniques. Introduction E3958 13

2– Composants et dispositifs

3– Technologies d'interconnexion

4– Architectures

5– Modulation et contrôle

6– Dissipation thermique

7– Applications

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Électronique de puissance :
conversion et gestion –
Guide de lecture et perspectives

par Bruno ALLARD


Professeur des universités au Département de Génie Électrique, INSA Lyon
Chercheur au laboratoire AMPERE, Univ. Lyon, INSA Lyon, Villeurbanne, France

1. Électronique et électronique de puissance ............................... E 400 – 2


1.1 Convertisseurs à découpage à haute fréquence de découpage ....... — 2
1.2 Convertisseurs de tension à capacités commutées .......................... — 3
1.3 Convertisseurs multi-niveaux à capacités flottantes ........................ — 3
1.4 Convertisseurs et boucles fermées .................................................... — 4
2. Guide de lecture .............................................................................. — 5
3. Conclusion........................................................................................ — 6
4. Sigles ................................................................................................. — 6
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. E 400

C et article présente une courte introduction à l’électronique de puissance


dans son acceptation pour les applications électroniques à faible puis-
sance, c’est-à-dire une très grande gamme de produits où la régulation linéaire
de tension est maintenant prohibée. Pour autant, il existe une étanchéité entre
les mondes de l’électronique bas niveau et l’électronique de puissance. Il est
rare qu’un enseignement sur la conception de circuits analogiques CMOS
couvre les fondements de la conversion statique de l’énergie électrique.
Le contraire est également vrai, mais n’est pas l’objet ici.
Aussi est née l’idée de proposer aux experts non familiers de ces fondements
de l’électronique de puissance une collection dédiée à leur problématique.
Il s’agit souvent de convertir une tension continue ou de l’asservir à une réfé-
rence variable dans le temps, ou encore de produire une image négative d’une
tension, mais avec un rendement énergétique élevé. La conversion statique
couvre ces fonctions et bien d’autres, mais le propos sera volontairement réduit
à quelques concepts choisis, comme par exemple la conversion sans isolation
galvanique.
Le mécanisme de découpage, c’est-à-dire d’interruption brutale d’un chemin
de courant pour en gérer la quantité, n’a pas les faveurs des ingénieurs en
charge de la conception de fonctions électroniques délicates, car ils sont
confrontés à du bruit, plus généralement reconnu sous le terme de Compatibi-
lité ElectroMagnétique ou CEM. Enfin, contrairement au régulateur linéaire sous
la forme d’un circuit intégré, un convertisseur de tension à découpage (à com-
posants discrets) nécessite une boucle de contrôle dont il faut maı̂triser la
bande passante, la stabilité et les performances dynamiques. Une très grande
complexité existe dans ce domaine et la collection a pour but d’aborder quel-
ques principes fondateurs sans excès de détails.
p。イオエゥッョ@Z@ェオゥョ@RPQY

Copyright © - Techniques de l’Ingénieur - Tous droits réservés E 400 – 1

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ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE : CONVERSION ET GESTION – GUIDE DE LECTURE ET PERSPECTIVES ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

Cet article a pour but de brosser un guide de lecture, de rappeler les motiva-
tions et les choix actés pour proposer une palette d’articles, ni trop simplistes,
ni trop compliqués, et introduire la richesse des concepts en électronique de
puissance. La rubrique est appelée à s’étoffer et les perspectives sont évoquées
également. Elle ambitionne de donner aux experts non familiers de l’électro-
nique de puissance l’envie de parcourir les sous-rubriques qui y sont dédiées.
Le lecteur trouvera en fin d’article un tableau des sigles utilisés.

sensibles, s’il était complètement filtré ou bien si les harmoniques


1. Électronique nocifs se trouvaient en dehors de la bande passante des blocs
fonctionnels.
et électronique Il existe plusieurs approches pour rejeter le bruit de découpage,
de puissance les solutions technologiques n’ont donc pas les mêmes
contraintes :
– le filtrage passif est possible mais il implique une certaine sur-
face sur la carte imprimée ;
Les produits électroniques, en particulier fortement intégrés,
– le filtrage actif revient à étaler l’énergie portée par les harmoni-
embarquent des fonctions très sensibles au bruit et aux perturba-
ques en faisant par exemple fluctuer la fréquence de découpage :
tions de tension. Aussi, le régulateur linéaire, particulièrement à
c’est ce que permet les commandes aléatoires de largeur d’impul-
faible chute de tension (Low Drop-Out, LDO) reste le convertisseur
sion (random pulse-width modulation) [3] ;
préférable ou préféré [1]. Avec l’émergence de techniques de réduc- – l’augmentation significative de la fréquence de découpage est sou-
tion de la consommation électrique par l’adaptation dynamique de vent synonyme de rendement énergétique limité, quoique des solutions
la tension d’alimentation, le nombre de niveaux de tension conti- existent pour porter cette fréquence de découpage à plus de 200 MHz
nue à l’intérieur des systèmes a très largement augmenté. Cette tout en maintenant le rendement au-delà de 90 % [4]. Ainsi, un conver-
technique d’adaptation dynamique de la tension de service des tisseur à découpage peut être utilisé pour asservir la tension d’alimen-
fonctions, souvent digitales, s’accompagne d’une adaptation de la tation d’un amplificateur de puissance radiofréquence, en classe D,
fréquence (dynamic voltage and frequency scaling) [2]. Or, le ren- dans le cadre de l’élimination et de la restauration d’enveloppe (Elimi-
dement d’un régulateur linéaire décroı̂t proportionnellement au nation and Envelop Restauration, EER) [5] : combiner convertisseur
rapport entre la tension de sortie (régulée) et la tension d’entrée. à découpage et fonction radiofréquence est donc accessible. Il n’en
Il est donc nécessaire d’adapter cette tension d’entrée pour limiter reste pas moins que le convertisseur devient assez complexe à conce-
l’écart (ou drop) avec la tension de sortie. voir. La description d’un tel système est évoquée par la suite.
La figure 1 présente un exemple d’un tel contexte, mais où un
simple LDO rejette l’ondulation de tension issue du convertisseur
à découpage, porteuse d’un spectre avec des harmoniques impairs 1.1 Convertisseurs à découpage à haute
de la fréquence de découpage, et dont les amplitudes dépendent fréquence de découpage
de la complexité du convertisseur à découpage. Le bruit généré
par le découpage ne perturberait pas les blocs fonctionnels L’exemple de la figure 2 concerne un convertisseur à découpage
continu-continu (ou DC-DC), non isolé [E 3 958]. La configuration
hacheur série, c’est-à-dire où la tension de sortie est plus faible
que la tension d’entrée, est omniprésente dans de nombreux systè-
mes électroniques. La configuration hacheur parallèle permet de
Vbat produire une tension de sortie plus grande que la tension d’entrée.
Quoiqu’il en soit, le convertisseur utilise un filtre L-C pour conduire
Fsw : ~1 MHz →
SMPS 10 MHz → 100 MHz…
une transformation tension-courant puis courant-tension dans la
conversion. On parle de convertisseurs à filtre inductif, ou de
convertisseurs inductifs.
+ VSMPS
Fréquence La figure 3 illustre un produit grand public et il apparaı̂t claire-
fsw 2 fsw 3 fsw
LDO ment qu’une partie non négligeable de la surface de la carte élec-
tronique est dédiée à des fonctions de gestions de l’énergie élec-
Vreg trique, c’est-à-dire de conversion dynamique de tension (en grand
nombre). Aussi, il est intéressant de discuter le coût en surface et
Blocs sensibles (RF, ADC…) nombre de composants d’un convertisseur à découpage inductif.
Des travaux relativement récents ont montré que des architectures
particulières permettent de maı̂triser la taille du condensateur de
sortie d’un convertisseur buck, tout en gagnant sur les performan-
ces dynamiques [6]. La complexité s’invite bien évidemment dans
Figure 1 – Exemple de contexte de conversion DC-DC embarquée la conception d’une telle architecture.

E 400 – 2 Copyright © - Techniques de l’Ingénieur - Tous droits réservés

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Gestion de l’énergie électrique


dans les produits électroniques
Introduction

par Bruno ALLARD


Professeur des Universités au Département de Génie Électrique,
INSA Lyon,
Chercheur au laboratoire Ampère, France

Cet article est la version actualisée de l’article [E 3 958] intitulé « Électronique de


puissance – Introduction » rédigé par François BERNOT et paru en 2000.

1. Principes généraux de la conversion de tension


à découpage, continu-continu...................................................... E 3 958v2 – 3
1.1 Principe du découpage en électronique de puissance ..................... — 3
1.1.1 Concept .................................................................................... — 3
1.1.2 Principe générique ................................................................... — 3
1.2 Boucle fermée .................................................................................... — 5
1.3 Circuits intégrés de contrôle .............................................................. — 5
1.4 En résumé........................................................................................... — 5
2. Différentes structures de convertisseur .................................... — 6
3. Convertisseur buck à contrôle en courant en mode glissant — 7
4. Convertisseur flyback en régime de conduction discontinue
pour les faibles puissances ........................................................... — 8
5. Conclusion........................................................................................ — 9
6. Glossaire ........................................................................................... — 10
7. Sigles ................................................................................................. — 10
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. E 3 958v2

e plus en plus, le concepteur électronicien doit s’approprier la gestion


D pragmatique de l’énergie électrique sur une carte imprimée voire au sein
du circuit intégré. Le régulateur linéaire de tension linéaire (même à faible chute
de tension) est de plus en plus réservé à l’atténuation des bruits superposés à
un niveau continu de tension, et de moins en moins à l’adaptation du niveau de
tension lui-même. Le convertisseur de tension à découpage, ou convertisseur
DC/DC, diffuse très largement au sein de la communauté des ingénieurs n’ayant
pas de liens directs proprement dits avec celle de l’électronique de puissance. À
l’inverse, la communauté de l’électronique de puissance s’intéresse au compor-
tement des convertisseurs aux échelles de la petite puissance voire très faible
puissance. Les principes de l’électronique de puissance se déclinent même
dans les problématiques de récupération d’énergie ambiante pour la micro-
génération d’électricité. Il y a donc un champ assez large d’applications où les
p。イオエゥッョ@Z@ェ。ョカゥ・イ@RPRP

deux communautés se rencontrent et peuvent partager des savoirs.

Copyright © - Techniques de l’Ingénieur - Tous droits réservés E 3 958v2 – 1

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GESTION DE L’ÉNERGIE ÉLECTRIQUE DANS LES PRODUITS ÉLECTRONIQUES –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

De manière simple, l’électronicien est habitué à raisonner au niveau de fonc-


tions électroniques de niveau assez bas et un convertisseur à découpage pourra
être vu comme une fonction non linéaire particulière. Un électronicien de puis-
sance réagit sur la base de grands principes de conversion, déclinés in fine en
réalisation matérielle. Les deux approches sont complémentaires et la collec-
tion Techniques de l’Ingénieur dédié à l’électronique de puissance vise à détail-
ler certains grands principes de l’électronique de puissance dont l’électronicien
peut avantageusement tirer parti lors du choix d’une architecture de conversion

Q ou de la conception d’un convertisseur.


Les notions présentées dans cette introduction générale constituent une sorte
de syllabus autour des convertisseurs continu-continu, dans une perspective de
faible puissance principalement.
La collection « électronique de puissance : conversion et gestion » de Techni-
ques de l’Ingénieur est composée de plusieurs parties assez distinctes qui expo-
sent les principes généraux les plus utiles aux convertisseurs DC/DC. Sont ainsi
couverts les éléments nécessaires à la compréhension des grandes fonctions de
l’électronique de puissance, en fournissant des réponses concrètes aux ques-
tions que doit se poser un utilisateur ou un concepteur, à partir d’un problème
réel. Sont également présentés les composants semi-conducteurs électroniques
de puissance, dont les performances sont souvent décisives dans les choix
structurels. Les perspectives d’avenir dans le domaine, sous un aspect essen-
tiellement scientifique, sont détaillées. Une succession d’applications concrètes
reflètent l’essentiel des problèmes rencontrés aujourd’hui (sécurités, asservis-
sements, choix technologiques…).
Cet article introductif est composé de quatre sections présentant :
– la notion de conversion de puissance à découpage, illustrée par un certain
nombre de problématiques ;
– les principales topologies de convertisseur à découpage, objet de la
rubrique ;
– un exemple simple illustrant l’apport des développements de l’électronique
de puissance au bénéfice de l’implémentation électronique d’un convertisseur ;
– la structure dite Flyback, en régime de conduction discontinue, affichant de
bonnes performances pour la gestion des niveaux faibles de puissance.
Les exemples ont pour but de mettre en évidence les approches issues de
l’électronique de puissance. L’électronique au sens général ne mobilise pas
concrètement dès lors qu’il s’agit de l’alimentation électrique d’une carte élec-
tronique, fonction effectivement secondaire en valeur, mais maintenant
indispensable.
Le lecteur trouvera en fin d’article un glossaire et un tableau des sigles
utilisés.

E 3 958v2 – 2 Copyright © - Techniques de l’Ingénieur - Tous droits réservés

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–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– GESTION DE L’ÉNERGIE ÉLECTRIQUE DANS LES PRODUITS ÉLECTRONIQUES

1. Principes généraux Supply), pourrait être issue d’un convertisseur à découpage, donc
sujette à variation et ondulation.
de la conversion de tension Le transistor (P)MOSFET utilisé dans le circuit synoptique de la
figure 1 fonctionne en régime de saturation pour réguler la tension
à découpage, continu-continu de sortie. Dans notre cas, la conversion de tension s’effectue avec
un rendement énergétique de moins de 50 %.
Pour autant, le remplacement du régulateur linéaire par un conver-
1.1 Principe du découpage tisseur à découpage crée une tension qui n’est plus rigoureusement


en électronique de puissance continue : son spectre s’est enrichi d’un certain nombre de raies liées
au découpage, et d’autres raies liées à la stimulation de composants
parasites du circuit par les variations brusques des courants et ten-
1.1.1 Concept sions. Ce bruit superposé à la tension continue voulue sera sans
L’électronique de puissance représente une discipline, dédiée à la doute nuisible au fonctionnement du système. Il est alors commode
conversion de l’énergie électrique, au sens général, c’est-à-dire au d’insérer un régulateur linéaire à faible chute de tension (ou Low
moyen de fournir précisément à une charge l’énergie électrique Drop-Out, LDO) en amont du système, pour atténuer le bruit [1]. La
dont elle a besoin, – en courant, en tension et en contenu spectrale figure 2 présente le schéma synoptique où des fonctions radiofré-
et cela de manière dynamique – quand cette charge en a besoin, et quences d’un système sont alimentées séparément d’autres fonctions
ce, à partir d’une ou plusieurs sources primaires d’énergie élec- (analogiques – comme un convertisseur A/D –, ou numérique –
trique, plus ou moins précise et persistante. La collection de Tech- comme un microcontrôleur) : des régulateurs à faible chute de tension
niques de l’Ingénieur a l’ambition de souligner les connaissances règlent finement la tension d’alimentation du bloc tout en éliminant
nécessaires à la compréhension des phénomènes mis en jeu au les bruits issus de la tension préparée en amont par le convertisseur
sein des convertisseurs continu-continu, isolés ou pas. En général, à découpage (SMPS). Dans ce cas, le rendement énergétique de la
le principal problème rencontré par un électronicien, face à la pro- conversion sera largement supérieur à 50 %.
blématique de l’alimentation de la carte électronique qu’il déve- Le convertisseur à découpage schématisé dans la figure 2 a pour
loppe, est l’adaptation d’un niveau de tension, sans isolation, mais but d’abaisser la tension depuis une source initiale continue (une
sans doute de manière dynamique et sous contrainte de place et de batterie par exemple). Celui-ci est appelé « hacheur série » ou
pollution électromagnétique. buck. La figure 3 illustre son principe de fonctionnement [D 3 182].
Par ailleurs, la conversion d’énergie primaire non électrique en Les interrupteurs (figure 3) connectent cycliquement la source
électricité couvre des aspects de plus en plus abordés en termes primaire au reste du circuit pour prélever juste l’énergie nécessaire
de « récupération d’énergie » (energy harvesting). Les principes pour alimenter la charge. Utilisés seuls, ces interrupteurs produi-
physiques de la transformation de l’énergie primaire en électricité sent une source d’énergie dont la tension n’est pas constante
ne sont pas traités dans la présente collection. Par contre, la ges- (figure 4), mais dont la valeur moyenne approche le niveau de ten-
tion de cette transformation, notamment pour la rendre la plus effi- sion désirée pour la charge en sortie. En allongeant ou diminuant le
cace possible – ainsi le fameux point de puissance maximale (MPP, temps pendant lequel la source primaire est connectée au conver-
Maximal Power Point) – incombe à un convertisseur électrique, tisseur (figure 3b), au cours du fonctionnement cyclique, il apparaı̂t
objets couverts dans cette même collection. que la valeur moyenne peut être ajustée à une valeur comprise
L’électronique de puissance évolue très vite, et par sauts technolo- entre 0 et idéalement la valeur de la source de tension d’entrée ou
giques. Aussi, le rôle de la collection est également d’offrir un exposé amont. Le rapport de cette durée d’absorption d’énergie côté pri-
concis des applications technologiques les plus pertinentes pour maire du convertisseur (aTcycle) à la durée totale du cycle (Tcycle)
tous les aspects d’un système de puissance. Enfin, les Techniques s’appelle le rapport cyclique a. Ce sera donc la « grandeur » par
de l’Ingénieur ont la mission de faire évoluer l’édition de la collection laquelle la tension en sortie du convertisseur pourra être réglée.
pour refléter l’électronique de puissance de demain : des structures
nouvelles de conversion sont mises au point, la course à l’intégration
pour les petites ou moyennes puissances, ou bien le prélèvement VSMPS
direct de l’énergie électrique sur un réseau continu haute tension. Vref

La collection « Électronique de puissance : conversion et gestion » +
est construite dans un périmètre réduit de notions techniques et scien- Vreg
tifiques, autour de la conversion électrique proprement dite. Il est
entendu qu’une énergie électrique amont est déjà disponible et que
la conversion a pour but de fournir une énergie électrique aval. La Cout Rout
conversion est mise en œuvre par des convertisseurs dits de puis-
sance, même dans le cas où cette puissance est très petite. Il est
expliqué ici que pour des questions de rendement énergétique, ces Figure 1 – Synoptique d’un convertisseur de tension continue
convertisseurs utilisent un principe de découpage de l’énergie, à plus
ou moins haute fréquence. Le lecteur ne trouvera pas dans la collec-
tion les notions relatives à la conversion d’une énergie primaire en
énergie électrique, comme par exemple les principes photovoltaı̈ques.
Pour autant, ces principes sont intimement liés très souvent à un SMPS
convertisseur tel que traité dans les articles de cette même collection.
+
1.1.2 Principe générique LDO LDO
Un convertisseur de tension ou de courant ne peut plus utiliser
une structure linéaire pour une question de rendement énergé-
tique, sauf dans des conditions très particulières. RF Analog. Num.
Considérons le cas simple de la production d’énergie sous une
tension continue « régulée » de 2,5 V à partir d’une source de ten-
sion continue de 5 V (VSMPS), pour alimenter une charge résistive de Figure 2 – Exemple d’un système mixte analogique numérique et d’une
5 W (ROUT). La tension VSMPS, pour SMPS, (Switch Mode Power stratégie d’alimentation

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Électronique de puissance : conversion et gestion
(Réf. Internet 42283)

1– Principes de conversion R
2– Composants et dispositifs Réf. Internet page

Introduction aux composants de microélectronique de puissance E3960 19

Batteries électriques pour applications portables et embarquées. Fondamentaux E2140 25

Batteries électriques pour applications portables et embarquées. Technologies E2141 29

Commande des composants à semi-conducteurs de puissance : contexte D3230 33

Caractéristiques des composants à semi-conducteur de puissance en vue de leur D3231 39


commande
MOSFET et IGB : circuits de commande, sécurisation et protection du composant à D3234 47
semi-conducteur
Ferrites doux pour l'électronique de puissance D2160 53

3– Technologies d'interconnexion

4– Architectures

5– Modulation et contrôle

6– Dissipation thermique

7– Applications

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Introduction aux composants


de microélectronique de puissance

Luong Viêt PHUNG



par
Maı̂tre de conférence des universités
Département de Génie Électrique de l’INSA de Lyon,
Chercheur au laboratoire Ampère, UMR CNRS 5005, Campus Lyon Tech-La Doua,
Villeurbanne, France

1. Physique du semi-conducteur en électronique de puissance E 3 960v2 – 2


1.1 Définition de la fonction « interrupteur » .......................................... — 2
1.2 Fonctions d’interrupteur .................................................................... — 4
2. Phénomènes physiques mis en jeu dans les composants
à semi-conducteur de puissance.................................................. — 4
3. Composants à semi-conducteur de puissance
fondamentaux.................................................................................. — 4
3.1 Diodes bipolaires ............................................................................... — 4
3.1.1 Structure type .......................................................................... — 5
3.1.2 Diode bipolaire à l’état bloqué ................................................ — 5
3.1.3 Diode bipolaire à l’état passant .............................................. — 7
3.1.4 Principales caractéristiques en régime statique ..................... — 7
3.1.5 Étude en commutation ........................................................... — 8
3.2 Transistor bipolaire ............................................................................ — 11
3.2.1 Transistor bipolaire à l’état passant ........................................ — 12
3.2.2 Transistor bipolaire en régime saturé ..................................... — 13
3.2.3 Transistor bipolaire à l’état bloqué ......................................... — 13
3.2.4 Claquage par percement de la base ....................................... — 14
3.2.5 Claquage par avalanche : effet d’un dVCE/dt ........................... — 15
3.3 Transistor MOSFET ............................................................................ — 15
3.3.1 Blocage et mise en conduction du MOSFET .......................... — 15
3.3.2 Transistor IGBT ........................................................................ — 18
3.3.3 Thyristor ................................................................................... — 21
4. Composants de puissance en matériau à large bande
interdite ............................................................................................ — 21
5. Conclusion........................................................................................ — 24
6. Glossaire ........................................................................................... — 24
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. E 3 960v2

l’aube de la transition énergétique, accélérée par la raréfaction des res-


À sources en énergie fossile et à la prise de conscience liée aux enjeux envi-
ronnementaux et écologiques, acheminer aux clients l’énergie électrique sur de
longues distances à partir de multiples sources renouvelables (ou pas) impo-
sent des défis dans la conversion de puissance où les composants actifs de
puissance jouent un rôle essentiel.
L’acheminement en HVDC (courant direct, très haute tension) exige des
convertisseurs dont les tensions de travail pourront avoisiner 10 kV et oblige à
repenser leurs architectures. Ces convertisseurs reposent sur des interrupteurs
p。イオエゥッョ@Z@ェオゥョ@RPQY

Copyright © - Techniques de l’Ingénieur - Tous droits réservés E 3 960v2 – 1

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INTRODUCTION AUX COMPOSANTS DE MICROÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

de puissance réalisés à partir de matériaux semi-conducteurs. Leur étude relève


de la microélectronique de puissance. Ayant les mêmes racines que la microé-
lectronique de signal, la microélectonique de puissance a évolué de son côté
avec le développement de ses propres technologies. Ainsi, il n’existe pas
d’IGBT pour l’électronique de signal tout comme les superjonctions y ont un
intérêt plus que limité.
Alors que le microélectonique de signal privilégiait la miniaturisation des
composants en réduisant toujours plus la « finesse » de gravure des compo-
sants, la microélectronique de puissance, celle privilégiant l’acheminement
de l’énergie électrique jusqu’aux foyers des consommateurs, a toujours
recherché des composants supportant des tensions bien plus élevées (jus-
qu’à plusieurs milliers de volts). Le but a toujours été de parvenir au meilleur
R compromis entre la tension à supporter et la densité de courant admissible
(jusqu’à 100 A.cm-2) en essayant de privilégier des composants verticaux qui
pouvaient tirer profit de tout le volume du substrat semi-conducteur se lequel
ils reposent.
Réalisés ainsi à partir de matériaux semi-conducteurs, ces composants seront
toujours tributaires de leurs propriétés physiques, ce qui explique les limita-
tions en performances telles que des tensions d’avalanche limitées par des
champs électriques critiques insuffisants ou des résistances à l’état passant tou-
jours trop élevées à cause du compromis entre l’état passant et l’état bloqué.
Cet article présente les principaux rouages des diodes bipolaires, des transis-
tors de type bipolaire commandé en courant, puis des transistors de type
MOSFET et IGBT commandés en tension. Les phénomènes d’avalanche et de
conduction sont abordés en fonction de la topologie de la structure et des
mécanismes qui seront mis en œuvre. Cet article se termine par un résumé
sur le développement de matériaux à large bande interdite communément
appelés martériaux semi-conducteurs à grand gap. Ayant des propriétés phy-
siques en tout point supérieures à celles du silicium, les composants dits à
grand gap sont déjà commercialisés, notamment ceux en carbure de silicium
(SiC) et en nitrure de gallium (GaN). Le développement de ces technologies et
leurs défis sont passés en revue.
Le lecteur trouvera en fin d’article un glossaire des termes utilisés.

de la physique du matériau semi-conducteur, des technologies de


1. Physique du semi- la microélectronique et de l’électronique de puissance.
conducteur en électronique
de puissance 1.1 Définition de la fonction
« interrupteur »
En électronique de puissance, les composants actifs fonctionnent
en régime de commutation, régime dicté par l’architecture des
Les composants de puissance à semi-conducteur sont une convertisseurs de puissance. Ils basculent in fine entre deux états :
catégorie de composants à semi-conducteur dont la concep- un état dit bloqué ou ouvert (aucun courant ne peut circuler) et un
tion a été pensée pour la conversion et le contrôle de l’énergie état dit passant ou fermé (un courant peut circuler). Nous n’évo-
électrique. quons pas ici la manière dont l’interrupteur passe d’un état à
l’autre : ce peut être de manière « dure » (passage franc et rapide)
Ayant tout d’abord profité des progrès de l’industrie de la ou « doux » (passage suivant une trajectoire à la forme plus arron-
microélectronique, leur développement s’est poursuivi grâce à des die). En ce sens, leur comportement en tant qu’interrupteur se
technologies qui leur sont propres. Les composants à semi-conduc- devra d’être identique à celui de leur homologue mécanique.
teur de puissance remplissent le rôle d’interrupteur, c’est-à-dire Le basculement de l’état ouvert vers l’état fermé correspond à la
qu’ils sont tantôt ouverts, tantôt fermés. Par conséquent, les phé- fermeture de l’interrupteur (ou mise en conduction), tandis que
nomènes physiques mis en jeu, identiques bien entendus à ceux son ouverture (ou blocage) correspond au basculement inverse.
des autres composants à semi-conducteur, sont mis à contribution Dans leur rôle d’interconnecter les cellules et d’aiguiller le cou-
ici pour remplir ce rôle précis d’interrupteur. La conception des rant, on répertorie onze fonctionnalités possibles indiquées dans la
composants de puissance se situe à l’intersection des domaines figure 1. Les caractéristiques statiques qui y sont présentées

E 3 960v2 – 2 Copyright © - Techniques de l’Ingénieur - Tous droits réservés

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–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– INTRODUCTION AUX COMPOSANTS DE MICROÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE

I I
I

V V

a b c

I I

V V V

d e f

I I

V V V

g h i

I I I

V V V

j k l

Figure 1 – Différents types d’interrupteurs et exemples de réalisation par des éléments à semi-conducteur (d’après [D 3 100])

illustrent un comportement proche de l’idéal pour les états passants atteint une valeur critique, il y a départ en avalanche à partir d’une
et bloqués, c’est-à-dire proches respectivement du circuit fermé et tension spécifiée dans la documentation du constructeur. On parle
du circuit ouvert (figure 1a). Un interrupteur idéal aurait une tension de tension de claquage.
de claquage infinie et une résistance à l’état passant nulle. De plus, alors qu’ils sont censés se comporter comme des
À cause des limitations physiques de tout matériau semi-conduc- interrupteurs ouverts à l’état bloqué, les interrupteurs à semi-
teur, ces cas sont idéaux et des imperfections doivent être prises en conducteur laissent toujours s’échapper un courant de fuite
compte. Par exemple, lorsque le champ électrique dans le composant dans l’état bloqué.

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INTRODUCTION AUX COMPOSANTS DE MICROÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

Enfin, les différentes régions semi-conductrices sont de résis- Ce composant est à conduction commandée et ouverture sponta-
tance non nulle. Les pertes par effet Joule inévitables de ces inter- née, et correspond au comportement de la figure 1e. La perte de
rupteurs fixent des limites en termes d’évacuation de la chaleur l’ouverture commandée de l’interrupteur se fait au profit d’une
(taille des éléments destinés au refroidissement). Les interrup- puissance plus importante (40 kW).
teurs se comportent comme des résistances. On distingue deux
types de commutation : les commutations « commandées » (indi-
quées par des flèches) qui sont imposées par des signaux de com-
mande externe et les commutations « spontanées » où le compo-
sant change d’état spontanément en fonction de la tension ou du 2. Phénomènes physiques mis
courant.
en jeu dans les composants
1.2 Fonctions d’interrupteur à semi-conducteur
de puissance
R Les fonctions d’interrupteur à semi-conducteur sont obtenues
grâce aux propriétés physiques connues que sont :
– l’effet transistor bipolaire ; Le comportement des composants électriques est complexe à
– l’effet de champ de jonction ; étudier et il est difficile d’ignorer les notions de la physique du
– l’effet de champ métal/oxyde/semi-conducteur (MOS). semi-conducteur pour appréhender leur fonctionnement. En effet,
leurs performances et leurs imperfections sont déterminées par
Une distinction par rapport aux composants des circuits intégrés les lois de cette même physique.
est que, en fonction du cahier des charges visé, les composants de Les matériaux tels que le silicium (Si), le germanium (Ge), mais
l’électronique de puissance sont amenés à non seulement tenir une aussi le carbone (C), ont pour point commun de partager la proxi-
tension au blocage importante (plusieurs kilovolts) mais aussi à mité de la colonne du tableau périodique. Le silicium est un élé-
véhiculer d’importantes densités de courant (> 100 A.cm-2). C’est ment de valence 4, ce qui signifie qu’il possède 4 électrons libres
la raison pour laquelle les composants de puissance adoptent sur sa dernière couche ; il est donc dit tétravalent.
dans la mesure du possible une topologie verticale : la tension à
l’état bloqué est supportée dans le volume, au sein d’une couche Les éléments bore (B) et phosphore (P) étant situés dans les
dont les propriétés telles que le dopage et l’épaisseur permettent colonnes voisines, il leur est possible, lorsqu’ils sont introduits en
de loger la tension désirée, tandis que le courant à l’état passant faible proportion dans le matériau semi-conducteur, de céder un
traverse verticalement la structure du composant. électron ou d’en capter. Le premier cas correspond à l’insertion
d’une impureté de type donneur qui va enrichir le semi-conducteur
En fonction du type de commutation mis en jeu, on classifie les en électrons libres donnant lieu à un dopage de type n. L’impureté
composants à semi-conducteur de puissance en deux catégories :
de type donneur le plus courant est le phosphore. À l’inverse, une
– les diodes : ces composants commutent uniquement de façon impureté qui va attirer à lui un électron est une impureté de type
spontanée. Qu’elles soient de type à jonction bipolaire PIN ou de accepteur (type p) dont l’exemple le plus courant est le bore.
type Schottky, elles correspondent au type de commutation de la La « lacune » qui en résulte est un porteur libre appelé « trou ».
figure 1b. Elles sont donc à l’état passant lorsqu’elles sont en pola- Les composants unipolaires (comme les diodes Schottky et les
risation directe (V > 0 V idéalement) et à l’état bloqué en polarisa- MOSFET) conduisent le courant à l’aide d’un seul type de porteurs
tion inverse (V < 0 V idéalement) ; (électrons ou trous), tandis que les composants bipolaires (transis-
– les transistors : munis d’une électrode de commande, leur tor bipolaire, IGBT ou thyristor) font intervenir en même temps les
commutation est donc systématiquement commandée. Que leur deux types pendant leur phase de conduction.
commutation s’appuie sur l’effet de champ de jonction ou sur
celui de type métal/oxyde/semi-conducteur, ou encore sur l’effet
transistor bipolaire, elle correspond au type de commutation de la
figure 1c. Ces composants basculent de manière commandée entre
l’état passant et l’état bloqué de même polarité et vice-versa. 3. Composants à semi-
D’autres types d’interrupteur peuvent être obtenus en associant
les composants précédemment décrits. Ces associations, discrètes
conducteur de puissance
ou intégrées de manière hybride ou monolithique, donnent lieu à fondamentaux
d’autres comportements de commutation. Par exemple, on obtient
le comportement de la figure 1d en associant un transistor avec
une diode en série. Cette association est dite bidirectionnelle en
tension et unidirectionnelle en courant, dans le sens où elle se 3.1 Diodes bipolaires
comporte comme un interrupteur ouvert, quelle que soit la polarité
appliquée, tandis qu’elle ne laisse passer le courant que si la pola- Élément « le plus simple » fonctionnellement des dispositifs
rité à ses bornes est positive. Autre exemple, l’association transis- actifs de l’électronique de puissance, la diode bipolaire affiche une
tor/diode en parallèle correspond au cas présenté en figure 1g où conception et un fonctionnement reflétant souvent les défis ren-
l’interrupteur se comporte comme un circuit ouvert seulement si la contrés par l’industrie de l’électronique de puissance tant du point
polarité à ses bornes est positive. En revanche, il est capable de de vue système (pertes en conduction et en commutation liées au
véhiculer le courant dans les deux sens, quelle que soit la polarité phénomène de recouvrement inverse, tension d’avalanche, courant
appliquée. On parle alors de composant unidirectionnel en tension de fuite), que du point de vue technologique (terminaison de jonc-
et bidirectionnel en courant. tion, qualité des contacts, pureté du matériau semi-conducteur).
Lorsque l’association des éléments à semi-conducteur est mono- La diode sert souvent de démonstrateur pour prouver la faisabilité
lithique (c’est-à-dire associée sur une même puce de semi-conduc- de réalisation d’un composant électronique sur un nouveau maté-
teur), des interactions permises entre les différentes couches semi- riau. Les diodes bipolaires, à l’opposé des diodes Schottky, bénéfi-
conductrices découlent des structures qui ne peuvent être obtenues cient du phénomène de modulation des porteurs qui leur permet-
autrement. Un exemple d’intégration monolithique est le thyris- tent d’atteindre des densités de courant plus élevées, les rendant,
tor constitué de deux transistors bipolaires de type NPN et PNP. ainsi plus aptes aux applications de haute puissance.

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–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– INTRODUCTION AUX COMPOSANTS DE MICROÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE

3.1.1 Structure type diélectrique, s’en retrouve élargie et les quelques porteurs, pro-
duits par génération thermique, sous l’effet du champ électrique
La structure classique d’une diode est de type P+N-N+ ou PIN. important qui y règne, contribuent à ce que l’on appelle le courant
Elle est munie de deux émetteurs que sont l’anode typiquement de fuite (figure 3).
de type P (p+) et la cathode en face arrière typiquement de type
N (n+) – séparés par une zone, la base – où vient s’étaler la zone Ceci dit, ce courant évolue exponentiellement avec la tempéra-
de charge d’espace lorsque la jonction est dans un état bloqué ture. De ce fait, tous les composants à semi-conducteur présentent
(figure 2). une limite en température préconisée par le fabricant. Au-delà de
cette limite, la fonction d’interrupteur ouvert n’est plus garantie :
Cette région de base de dopage est comparativement moins le composant « fuit » tellement qu’il en devient inutilisable.
dopée et plus épaisse que les autres régions de la diode, car c’est
elle qui définit la tenue en tension inverse. On peut communément Polariser une diode en inverse augmente le champ électrique de
admettre qu’une forte épaisseur et un faible dopage permettent la zone de transition. La tension externe VR = VKA appliquée à la
d’augmenter la tension d’avalanche au détriment de la densité de diode vient s’ajouter à la tension de diffusion VD. L’extension de la
courant à l’état passant. zone de transition, qui est liée au champ électrique (figure 4), est


donnée par les relations suivante :
La région n+ est en réalité très épaisse, de quelques centaines de
micromètres, afin de garantir la tenue mécanique de la plaquette. 2 ⋅ ε ⋅ ε0 (VD + VR )
Son dopage, très élevé (aux alentours de 1019 atomes.cm-3), lui xn =
confère une résistance négligeable comparée à celle assurant la ⎛ N ⎞
q ⋅ ND ⋅ ⎜ 1 + A ⎟
tenue en tension (n-). ⎝ ND ⎠
La juxtaposition d’une couche n et une couche p forme une jonc- 2 ⋅ ε ⋅ ε0 (VD + VR )
tion pn, sorte de barrière de potentiel. Une zone de transition, xp =
dépourvue de porteurs libres, y est présente et se comporte ⎛ N ⎞
q ⋅ N A ⋅ ⎜1+ A ⎟
comme un diélectrique. Cette zone se rétracte sous une tension ⎝ ND ⎠
positive pour laisser passer le courant, ou s’étale pour s’opposer à
son passage. La présence d’une différence de potentiel entre les
extrémités de cette zone se traduit par la présence d’un champ
électrique. À l’équilibre, la présence de cette zone de transition est
Anode (A) –
liée à un potentiel de diffusion Vd :
kT N ⋅N p+
Vd = ⋅ ln A 2 D Zone de transition liée
q ni à la barrière de potentiel
formée au voisinage
avec kT/q tension thermique proche de 25 mV à 300 K, de la jonction pn.
q charge élémentaire de l’électron (1,6.10-19 C), Elle s’étale
préférentiellement
n i2 concentration intrinsèque des porteurs n– dans la zone la moins
(1010 cm-3 pour le silicium). dopée si la polarisation
inverse augmente
ou, au contraire, se rétracte.
3.1.2 Diode bipolaire à l’état bloqué
n+
3.1.2.1 Cas où VK > VA
Lorsqu’une tension inverse est appliquée à la diode (VK > VA), la
Cathode (K) +
jonction pn- est polarisée à l’état bloqué. Sa barrière de potentiel
augmente et rend son franchissement nettement plus difficile aux
porteurs. La zone de transition, qui peut être assimilée à un Figure 3 – Extension de la zone de transition dans la base de la diode
si VK > VA

Anode (A)
E
p+
Jonction PN

Emax

n–

VD+VR

(1) (2)

n+ ND NA
VDVD

Cathode (K)
–Xn 0 –Xp

Figure 2 – Coupe schématique d’une structure de diode bipolaire


de puissance verticale Figure 4 – Allure du champ sous polarisation inverse de la diode

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INTRODUCTION AUX COMPOSANTS DE MICROÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

avec e permittivité relative du matériau (11,7 pour le tension élevée. Pour VR = VBR, le courant atteindra la valeur maxi-
silicium), male imposée par le circuit (la source de tension peut être limitée
e0 permittivité du vide (8,85.10-12 F.m-1), en termes de puissance). Au moment du claquage, la puissance
thermique dissipée par le composant est très grande, ce qui
NA et ND valeurs de dopage respectivement dans les entraı̂ne généralement sa destruction.
zones p et n (en cm-3),
Ce phénomène, qui traduit un accroissement du nombre de por-
VD et VR respectivement tensions de diffusion et de teurs de charge (appelé aussi multiplication), est causé par la géné-
polarisation inverse (en V). ration de porteurs sous l’effet de chocs entre les atomes du cristal
et les porteurs mobiles (figure 6).
⎛ ⎛ qVR ⎞ ⎞ Si, au moment d’un choc, un électron (e-) a acquis une énergie
JR = Jσ ⎜ exp ⎜ − −1
⎝ ⎝ k ⋅T ⎟⎠ ⎟⎠ suffisante pour ioniser l’atome (arracher un autre électron), il crée
alors une paire électron-trou (e-, e+), lesquels sont à leur tour accé-
Lorsque VR est grand devant kT/q, (kT/q ª 25 mV pour le silicium lérés et peuvent créer deux nouvelles paires (e+, e-), d’où la multi-

R à T = 300 K), alors JR ª Js. On obtient la caractéristique électrique plication (ou effet d’avalanche) qui provoque la croissance du cou-
I(VKA) de la figure 5. rant (figure 7). Dans un solide, les électrons parcourent une
distance moyenne entre deux chocs appelée libre parcours moyen.
3.1.2.2 Cas où VKA << VBR
Pour une tension inverse VKA << VBR, il existe un sur-courant dû à E
la génération de porteurs dans la zone de transition. C’est la troi-
sième composante du courant inverse. Le courant de génération Jg
est fonction de la température. Pour VR = VBR, le courant (break- N P
down) tend vers l’infini. Dans un circuit, les impédances sont telles
e+
que le composant travaille à son courant nominal IF sous une
K A

IA

e–

VD + VR

– +

IR

VR
VBR VKA

Figure 6 – Génération de porteurs sous l’effet d’un champ électrique


Figure 5 – Caractéristique inverse I(VKA) théorique d’une jonction PN important

N P
e+ E

K J A

e–
1 choc
E
e–
VD + VR

Si

– + …/…
E
J
e–
VR
Si n chocs

Figure 7 – Multiplication de porteurs sous l’effet d’un champ électrique important

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Batteries électriques pour applications


portables et embarquées
Fondamentaux
par Serge PELISSIER
Chargé de Recherche, Université de Lyon, IFSTTAR
Laboratoire LTE, Bron, France R
Ali SARI
Maı̂tre de conférences, Université de Lyon, Université Claude Bernard Lyon 1
Laboratoire AMPERE, UMR CNRS 5005, Villeurbanne, France

et Pascal VENET
Professeur des Universités, Université de Lyon, Université Claude Bernard Lyon 1
Laboratoire AMPERE, UMR CNRS 5005, Villeurbanne, France

1. La cellule........................................................................................... E 2 140v3 – 2
1.1 Définitions .......................................................................................... — 2
1.2 Constitution d’une cellule .................................................................. — 4
1.3 Principe de fonctionnement ............................................................... — 5
1.3.1 Cathode .................................................................................... — 5
1.3.2 Anode ....................................................................................... — 5
1.3.3 Réaction d’oxydo-réduction .................................................... — 5
1.3.4 Tension à l’équilibre ................................................................ — 5
1.3.5 Évolution des potentiels aux électrodes en fonction
du courant ................................................................................ — 6
1.4 Caractérisations et modélisations électriques .................................. — 7
1.4.1 Tension en fonctionnement ..................................................... — 7
1.4.2 Caractérisation électrique temporelle ..................................... — 7
1.4.3 Caractérisation électrique fréquentielle .................................. — 7
1.4.4 Tracé de Nyquist ...................................................................... — 9
1.4.5 Modélisations électriques ....................................................... — 9
1.4.6 Source de tension OCV ........................................................... — 10
1.4.7 Expression de l’impédance ..................................................... — 10
1.5 Taux de défaillance, vieillissement, SOH .......................................... — 11
2. Batterie ............................................................................................. — 13
2.1 Définitions : module, pack ................................................................. — 13
2.2 Capacité, SOC, puissance, énergie, SOF, SOH .................................. — 14
3. Contexte des applications portables et embarquées .............. — 15
3.1 Distinctions entre les applications « énergie » et les applications
« puissance » ...................................................................................... — 15
3.2 Applications à forte quantité d’énergie ............................................. — 15
3.3 Répartition des technologies en présence ........................................ — 16
4. Conclusion........................................................................................ — 16
5. Sigles ................................................................................................. — 16
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. E 2 140v3

e développement d’équipements portables ou nomades, industriels ou de


L loisir, s’accompagne de besoins de plus en plus importants d’autonomie
nécessitant des batteries électriques performantes. Les technologies d’accumu-
lateurs ont connu, ces dernières années, de nombreuses innovations avec
p。イオエゥッョ@Z@ュ。イウ@RPQX

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RU
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BATTERIES ÉLECTRIQUES POUR APPLICATIONS PORTABLES ET EMBARQUÉES –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

l’apparition de nouvelles familles de produits. Si les technologies à base de


nickel cadmium et de nickel métal hydrure sont maı̂trisées depuis de nombreu-
ses années, les batteries à base de lithium sont plus récentes et évoluent très
régulièrement entraı̂nant une augmentation de leurs performances et l’appari-
tion de nouvelles variantes chimiques. Il est donc nécessaire de posséder une
vision claire des enjeux et des contraintes des divers domaines applicatifs, ainsi
que des performances des technologies en présence. Chaque famille d’accumu-
lateurs présente des spécificités au niveau des caractéristiques en puissance
ou en énergie. De plus, les conditions d’usage diffèrent d’une technologie à
l’autre. Choisir une technologie d’accumulateur pour une application don-
née mobilise donc des connaissances et des informations multiples. Cet article
rappelle les notions de base sur les accumulateurs (définitions, constitution,

R principe, caractérisation, modélisation, vieillissement) et précise le contexte en


proposant une cartographie des applications portables et nomades. Un second
article passe en revue les trois principales technologies utilisables dans ces
applications [E 2 141].
Le lecteur trouvera en fin d’article un tableau des sigles utilisés.

1. La cellule La valeur en régime de courant permet donc de savoir immé-


diatement quelle est la cellule qui est la plus typée « puissance »,
c’est-à-dire celle dont la puissance relative est la plus grande.
En effet, si on calcule le rapport puissance/énergie (P/E) d’une
1.1 Définitions cellule en approximant la puissance à Unom x Imax et l’énergie à
Unom x capacité en Ah, on obtient P/E = Imax /capacité en Ah,
cellule (ou élément) : c’est-à-dire justement la valeur de l’intensité exprimée en régime
Forme la plus simple d’un accumulateur électrochimique rechar- de courant.
geable. Ce composant est indivisible et représente le plus petit SOC (State Of Charge ou état de charge) :
composant capable de générer une tension, de stocker et de fournir
de l’énergie. Caractérise le niveau de charge d’une cellule à un instant donné,
avec la valeur de sa charge en Ah à cet instant, en valeur relative
batterie : par rapport à une capacité de référence :
Association de plusieurs cellules en série et/ou en parallèle.
capacité :
SOC (t ) =
charge ( t )
=
∫ i (t )dt (1)
Quantité de charge stockable dans une cellule. Une capacité de capacité de référence capacité de référeence
1 Ah (ampère.heure) correspond en fait à une charge électrique de
3 600 C (coulomb). La capacité est définie par la mesure du temps avec i(t) courant circulant dans la cellule.
pendant lequel un courant d’intensité donnée est délivré par la
cellule sous une tension acceptable précisée par le constructeur. Le SOC est généralement exprimé en pourcent. Le choix de la
La capacité d’une cellule varie avec la valeur du courant débité et capacité de référence doit être explicité pour définir sans ambiguı̈té
il est indispensable d’indiquer ce courant associé à la valeur de la le SOC. Elle peut correspondre à la capacité nominale donnée par
capacité. Le plus souvent, la capacité nominale est mesurée avec le constructeur pour toutes les cellules d’une série, à la capacité ini-
un courant tel que la décharge dure une heure. tiale mesurée de la cellule considérée ou à la capacité réelle mesu-
Nota : La capacité d’un accumulateur ne doit pas être confondue avec la capacité d’un rée en tenant compte d’un vieillissement éventuel de la cellule
condensateur exprimée en Farad (F). considérée. Certains constructeurs utilisent non pas le SOC, mais
régime de courant : le DOD (Depth Of Discharge ou profondeur de décharge) dont la
formule est :
Valeur du courant habituellement exprimée en valeur relative par
rapport au courant qui décharge la cellule en 1 heure de temps. DOD = 1 − SOC (2)
Un tel courant est noté « 1C » (C évoquant ici la première lettre
de « capacité » et non l’unité de charge électrique en coulomb). OCV (Open Circuit Voltage ou tension à vide) :
Pour une cellule de capacité nominale 8 Ah, un courant de 1C cor- Grandeur caractéristique d’une cellule (figure 1) dépendant prin-
respond à 8 A, un courant de 2C à 16 A, un courant de 0,5C ou C/2 à cipalement de la composition électrochimique de la cellule, de son
4 A, etc. Ce régime de courant permet de comparer plus facilement SOC, de sa température et de son état de vieillissement. Sa valeur
les performances de différentes cellules. Ainsi, comparer les cou- est donnée par l’équation de Nernst (§ 1.3.4).
rants de décharge en A n’indique pas obligatoirement quelle cellule
hystérésis :
est la plus apte à fournir intrinsèquement de la puissance.
Phénomène caractérisant le cycle de charge/décharge particulier
Exemple : Soit une cellule B1 de 5 Ah avec un courant maximal de d’une cellule. Pour un SOC donné, la valeur de l’OCV peut être dif-
25 A et une cellule B2 de 100 Ah avec un courant maximal de 200 A. férente si ce SOC a été atteint lors d’une charge ou lors d’une
Pour la cellule B1, le courant maximal est de 5C, alors qu’il n’est que décharge. La courbe de l’OCV en fonction du SOC présente alors
de 2C pour la B2. une zone d’hystérésis caractérisée par une largeur mesurée en

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volt. Un cycle d’hystérésis est parcouru lors d’une charge complète devenue insuffisante pour caractériser un composant du point de
suivie d’une décharge complète. Lors d’une charge/décharge par- vue énergétique. La valeur de l’énergie fournit une information
tielle, on suit un cycle intermédiaire (figure 2). plus complète.
tension nominale : SOE (State Of Energy ou niveau d’énergie) :
Souvent mise en avant par les fabricants, tension de référence De manière similaire au SOC, caractérise l’état d’une cellule en
d’une cellule. Il n’y a pas de définition unique, mais on peut la considérant son niveau d’énergie au lieu de sa valeur relative de
considérer comme étant la tension moyenne calculée sur la plus quantité de charge.
grande partie de la courbe OCV en fonction du SOC.
puissance :
SOE (t ) =
énergie (t )
=
∫ u (t ).i (t )dt (3)
Puissance électrique d’une cellule donnée en watt (W). Il est énergie de référence énergie de référence
important que la durée pendant laquelle cette puissance est dispo-
nible soit indiquée. La puissance en décharge est généralement dif- avec u(t) tension aux bornes de la cellule.


férente de celle en charge.
énergie : Le SOE permet de tenir compte de la variation de la tension en
fonction du niveau de charge, qui ne donne pas la même énergie
Quantité stockée dans une cellule, exprimée généralement en pour un 1 Ah débité en début de décharge qu’en fin de décharge.
watt.heure (Wh avec 1 Wh = 3 600 J). Avec l’apparition de cellules
ayant des tensions très variées, la mention de la capacité en Ah est autodécharge :
Phénomène plus ou moins important suivant la composition chi-
mique de la cellule (de quelques % par jour à quelques % par an),
qui nécessite de recharger la cellule pour restaurer le niveau de
4,1 charge. Une cellule chargée perd de la charge durant un stockage
même sans débiter aucun courant. Cette perte de charge n’est pas
3,9 comparable à une perte de capacité qui peut intervenir lors d’un
Tension à vide (V)

3,7
vieillissement.
rendement faradique :
3,5 –30 ºC
–20 ºC
Rendement traduisant le rapport entre la quantité de charge que
3,3 peut fournir une cellule (Ah déchargés) et la quantité de charge que
–10 ºC
la cellule a emmagasinée (Ah chargés) :
3,1 0 ºC
25 ºC
2,9 40 ºC ∫i (t )dt
décharge
ηF = (4)
2,7
0 20 40 60 80 100
∫i (t )dt
charge
État de charge (%)
Ce rendement est lié aux réactions électrochimiques inter-
nes parasites. Sa valeur varie généralement en fonction du SOC,
Figure 1 – Exemple de courbe de tension à vide en fonction de l’état de la température et de l’état de vieillissement. La figure 3, issue
de charge (d’après [1]) d’une documentation constructeur, montre la diminution de ce

3,4

3,2

3 3,38
Tension à vide (V)

3,36
2,8 3,34

3,32
2,6 Décharge complète
3,3
Charge partielle (6 h)
3,28 Décharge (cycle mineur)
2,4 Charge complète
3,26
Décharge partielle (6 h)
3,24 Charge (cycle mineur)
2,2
0,35 0,4 0,45 0,5 0,55 0,6 0,65

2
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
État de charge (%)

Figure 2 – Exemple de courbe d’hystérésis relevée sur une cellule lithium fer phosphate (d’après [1])

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Séparateur
100

Capacité disponible Connectique


80 Rendement
de la charge

60 Boîtier

40
Charge à courant constant
sous un courant de 0,2C


20
Electrolyte
0
0 20 40 60 80 100 120
Capacité chargée (%)

Figure 3 – Exemple de courbe de rendement faradique d’une cellule


NiCd (d’après [2])

rendement faradique pour une cellule nickel cadmium en fonction


du SOC, y compris pour une surcharge (SOC > 100 %). Collecteur Matière active Matière active Collecteur
rendement énergétique :
Rendement traduisant le rapport entre l’énergie que peut fournir Electrode négative Electrode positive
une cellule (Wh déchargés) et l’énergie que la cellule a emmagasi-
née (Wh chargés) :
Figure 4 – Schéma d’une cellule électrochimique
∫u (t ).i (t ) dt
décharge
ηE = (5) pour construire les cellules une fois que la structure collecteur–
∫u (t ).i (t ) dt matière active–séparateur–matière active–collecteur a été assem-
charge blée. Les deux principales technologies sont :

Contrairement au rendement faradique, ce rendement est affecté – technologie enroulée : la structure est enroulée sur elle-même
par les impédances internes des cellules qui augmentent la tension dans une configuration cylindrique ou plate (figure 5a) ;
nécessaire en charge et réduisent la tension délivrée en décharge. – technologie empilée : la structure est découpée en éléments
Les valeurs des rendements énergétiques sont donc notablement empilés les uns sur les autres pour former un ensemble plat et rec-
inférieures à celles des rendements faradiques. tangulaire (figure 5b).
Il existe également des alternatives qui combinent ou complètent
1.2 Constitution d’une cellule ces deux solutions de base : par exemple, le séparateur peut être
plié en accordéon. Suivant les technologies, les électrodes peuvent
Une cellule électrochimique est schématiquement constituée être séparées ou continues (figure 5c et figure 5d).
comme indiqué sur la figure 4. Les deux électrodes, composées Une fois assemblée et mise en forme, la structure collecteur–
chacune d’un collecteur recouvert de matière active, sont sépa- matière active–séparateur–matière active–collecteur doit être
rées électroniquement (pour éviter les courts-circuits inter-élec- protégée par une enveloppe extérieure. Cette enveloppe peut
trodes) et mécaniquement par un séparateur. La liaison ionique
être un boı̂tier rigide ou une poche souple (le terme pouch est
entre les électrodes est assurée par un électrolyte, soit un liquide
couramment utilisé pour désigner ces cellules). Les boı̂tiers
qui imbibe les électrodes et le séparateur, soit un solide qui fait
sont soit cylindriques, soit prismatiques (figure 6). À l’intérieur
aussi office de séparateur. L’électrode positive (respectivement
d’un boı̂tier prismatique, il peut y avoir plusieurs cellules assem-
négative) est celle dont le potentiel est le plus élevé (respective-
blées en parallèle ou en série. Il n’existe pas de norme ni de
ment le moins élevé).
standard pour les dimensions des cellules prismatiques et
On appelle cathode, l’électrode qui est le siège d’une réduction, chaque fabricant propose la géométrie qui lui convient. Pour les
et anode, celle qui est le siège d’une oxydation. Comme expliqué éléments cylindriques, il existe des dimensions standard dont
dans le paragraphe 1.3, les phénomènes électrochimiques s’inver- les principales sont : 18 650 (diamètre 18 mm – hauteur 65 mm)
sent entre la charge et la décharge, les appellations de cathode et et 26 650 (diamètre 26 mm – hauteur 65 mm). Ces dimensions
d’anode ne sont pas intrinsèquement attachées à une électrode. standardisées sont utilisées pour réaliser des batteries fabri-
Il existe donc une ambiguı̈té lorsque l’on parle de la cathode ou quées en très grande série dans des applications grand public,
de l’anode d’une cellule. L’usage veut que l’on privilégie le fonc- comme les ordinateurs portables, voire même certaines voitures
tionnement en décharge ; dans cette configuration, l’électrode électriques. Cependant, il existe de nombreuses cellules cylindri-
négative est l’anode et l’électrode positive la cathode. Chaque élec- ques de dimensions différentes. Quand les tensions des cellules
trode est déposée sur un collecteur en cuivre ou en aluminium qui sont compatibles avec celles des piles alcalines (cas des cellules
assure la conduction électrique des électrons vers les connecteurs NiMH par exemple), on trouve ces cellules aux dimensions stan-
extérieurs. dardisées pour les piles ; par exemple, de type AAA (ou LR03
Dans le cas de cellules de forte capacité, les surfaces d’électrodes suivant la norme IEC ou 24A suivant la norme ANSI) ou C
sont importantes et il existe plusieurs solutions technologiques (ou LR14 suivant la norme IEC ou 14A suivant la norme ANSI).

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Batteries électriques pour applications


portables et embarquées
Technologies

par Serge PÉLISSIER


Chargé de Recherche, Université de Lyon, IFSTTAR

Laboratoire LTE, Bron, France

Ali SARI
Maı̂tre de conférences, Université de Lyon, Université Claude Bernard Lyon 1
Laboratoire AMPERE, UMR CNRS 5005, Villeurbanne, France

et Pascal VENET
Professeur des Universités, Université de Lyon, Université Claude Bernard Lyon 1
Laboratoire AMPERE, UMR CNRS 5005, Villeurbanne, France

1. Accumulateurs NiCd ...................................................................... E 2 141 – 2


1.1 Principe de fonctionnement ............................................................... — 2
1.2 Caractéristiques .................................................................................. — 3
2. Accumulateurs NiMH ..................................................................... — 4
2.1 Principe de fonctionnement ............................................................... — 4
2.2 Caractéristiques .................................................................................. — 5
3. Accumulateurs lithium .................................................................. — 6
3.1 Différentes familles d’accumulateurs au lithium et principe
de fonctionnement ............................................................................. — 6
3.2 Comparaison des caractéristiques des différentes familles
d’accumulateurs lithium-ion .............................................................. — 8
3.3 Sécurité et gestion de la batterie (BMS) ........................................... — 10
4. Comparaisons des accumulateurs NiCd, NiMH et lithium-ion — 13
4.1 Diagramme de Ragone ...................................................................... — 13
4.2 Avantages et inconvénients des différents accumulateurs .............. — 13
5. Conclusion........................................................................................ — 13
6. Glossaire ........................................................................................... — 14
7. Symboles .......................................................................................... — 15
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. E 2 141

e développement d’équipements portables ou nomades, industriels ou de


L loisir, s’accompagne de besoins de plus en plus importants d’autonomie et
donc de batteries électriques performantes. Les technologies d’accumulateurs
ont connu, ces dernières années, de nombreuses innovations avec l’apparition
de nouvelles familles de produits. Si les technologies à base de nickel cadmium
et de nickel métal hydrure sont maı̂trisées depuis de nombreuses années, les
batteries à base de lithium sont plus récentes et évoluent très régulièrement
entraı̂nant une augmentation de leurs performances et l’apparition de nouvelles
variantes chimiques. Il est donc nécessaire d’avoir une vision claire sur les
enjeux et les contraintes des divers domaines applicatifs, ainsi que sur les per-
p。イオエゥッョ@Z@ヲ←カイゥ・イ@RPQX

formances des technologies en présence. Chaque famille d’accumulateurs

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présente des spécificités au niveau des caractéristiques en puissance ou en


énergie. De plus, les conditions d’usage diffèrent d’une technologie à l’autre.
Choisir une technologie d’accumulateur pour une application donnée mobilise
donc des connaissances et des informations multiples. Dans un premier
article [E 2140], les notions de base sur les accumulateurs (définition, constitu-
tion, principe, caractérisation, modélisation, vieillissement) ont été définies.
Ce second article passe en revue les trois principales technologies utilisables
dans ces applications et détaille pour chacune le principe de fonctionnement,
les caractéristiques électriques, les règles d’usage et de transport.
Le lecteur trouvera en fin d’article un glossaire et un tableau des symboles
utilisés.

En fin de charge ou en régime de surcharge, la production d’oxy-


1. Accumulateurs NiCd gène à l’électrode positive et d’hydrogène à l’électrode négative
apparaı̂t selon les réactions :

2 OH−aqueux → H2Oliquide + 1/ 2 O2gaz + 2 e− (4)


Les batteries nickel-cadmium (NiCd) ont été inventées en 1899
par le suédois Waldmar Jungner et sont produites depuis 1910.
Leurs performances, meilleures que celles des batteries au plomb,
ont entraı̂né une utilisation plus massive depuis 1960, néanmoins H2Oliquide + e − → OH− + 1/ 2 H2gaz (5)
limitée par leur prix plus élevé. Aujourd’hui, elles sont toujours
employées en raison de leurs remarquables durée de vie et fiabi-
lité, en dépit de leur densité énergétique qui reste modeste en com- En fin de décharge, les mêmes réactions existent, mais de par
paraison avec celle d’autres technologies plus récentes (en particu- l’inversion de courant la production d’oxygène intervient à l’élec-
lier les batteries au lithium). Par contre, à cause de la toxicité du trode négative et celle d’hydrogène à l’électrode positive.
cadmium, leur utilisation est interdite en Europe depuis 2006
Du fait de ces dégagements gazeux, la conception des batte-
(directive 2006/66/CE du Parlement Européen) en dehors des systè-
ries NiCd doit intégrer des dispositifs qui limitent les surpres-
mes d’urgence, d’alarme, notamment les éclairages de sécurité, et
sions éventuelles. Des soupapes de sécurité comportant des filtres
les équipements médicaux. Cela autorise en particulier l’emploi de
destinés à retenir les gouttelettes d’électrolyte peuvent être inté-
ces batteries dans les domaines des télécommunications, du ferro-
grées (figure 1). Il est aussi possible de jouer sur des paramètres
viaire et de la défense. L’usage d’accumulateurs NiCd dans l’outil-
lage électroportatif est interdit depuis le 31 décembre 2016. de construction (excès d’hydroxyde de cadmium au niveau des
électrodes, matériaux et géométrie facilitant la diffusion de l’oxy-
gène gazeux entre les électrodes…) qui favorisent la consomma-
tion des gaz émis et limitent ainsi les éventuelles surpres-
1.1 Principe de fonctionnement sions [D 3 353]. Des batteries étanches sans maintenance durant
L’électrode positive est constituée d’hydroxyde de nickel Ni(OH)2 10 ou 20 ans sont aussi proposées par certains constructeurs.
et l’électrode négative de cadmium (Cd). L’électrolyte est une solu-
tion aqueuse d’hydroxyde de potassium (KOH). Les demi-équations
électrochimiques qui décrivent les réactions lors de la décharge
sont :
– pour l’électrode positive :

NiO (OH)solide + H2Oliquide + e− → Ni (OH)2 + OH− (1)


solide

avec un potentiel d’équilibre d’électrode d’environ 0,5 V ;


– pour l’électrode négative :

Cdsolide + 2 OH−aqueux → Cd (OH)2 + 2 e− (2)


solide

avec un potentiel d’équilibre d’électrode d’environ - 0,8 V.


Au bilan, pour la cellule complète en décharge, on obtient une
tension à vide de 1,3 V (à 25  C) et une équation bilan :
Cdsolide + 2 NiO (OH)solide + 2 H2Oliquide
(3)
→ Cd (OH)2 + 2 Ni (OH)2
solide solide
Figure 1 – Exemple de batteries industrielles NiCd avec évent de
Pour la recharge, les équations sont inversées. sécurité (d’après [1])

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1.2 Caractéristiques fortement du courant de décharge. Plus exactement, si la batterie


est typée « puissance », lorsque le courant de décharge augmen-
tera, la capacité déchargée diminuera moins que dans le cas d’une
1.2.1 Tension à vide, densités d’énergie batterie typée « énergie » (figure 4) [E 2140]. Il est à noter que les
et de puissance performances en décharge dépendent de la tension minimale utili-
La tension à vide d’une cellule NiCd varie avec l’état de charge. sée. Pour une cellule typée « énergie », la tension de fin de
La plage d’utilisation usuelle est comprise entre 1,4 et 1 V. décharge est donnée entre 1,00 et 1,14 V, alors que pour une cellule
Les constructeurs indiquent souvent une tension nominale de typée « puissance », on pourra accepter des tensions allant jusqu’à
1,2 V. La courbe de tension en fonction de l’état de charge obtenue 0,65 V. Plus la tension de fin de décharge est faible, et plus la capa-
(C/5, C/20…) sous une décharge à très faible courant donne une cité déchargée peut être élevée.
estimation de la tension à vide (figure 2) [E 2140].
La densité d’énergie théorique est de 211 Wh/kg [D 3353]. 1,40
Les valeurs pratiques de densité d’énergie, au niveau de la cellule,


1,35
sont inférieures 50 Wh/kg et dépendent du type de batterie (énergie
1,30
ou puissance [E 2 140]), de la taille et de la construction. En ce qui
1,25
concerne les densités de puissance, il faut bien préciser pendant
1,20

Tension (V)
quelle durée, à quel SOC et jusqu’à quelle tension minimale corres-
1,15
pond la valeur annoncée. À titre d’exemple, pour une gamme de
1,10
cellules NiCd d’un constructeur, on obtient les valeurs suivantes
1,05
(tableau 1).
1,00
1,95
1.2.2 Usages 1,90
Les batteries NiCd peuvent accepter des courants de décharge 1,85
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
importants (jusqu’à 20C) et fonctionnent dans une large plage de Capacité (% Cn)
température. La plage de température (typiquement - 30 à + 50  C) 0,2C 1C 2C 3C
peut être étendue en basse température vers - 50  C ou en haute
température vers + 65  C. Un exemple de courbes de décharge à
20  C pour différentes valeurs du courant de décharge est donné Figure 3 – Courbes de décharge d’une batterie NiCd à 20  C pour
différents courants (d’après [1])
figure 3. On constate que la capacité déchargée peut dépendre

Tension des éléments (V/élément) 600

1,4
500
Batterie de type « puissance »
Capacité déchargée (Ah)

1,3
400

1,2 300

200
1,1

100
Batterie de type « énergie »
1
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 0
10 210 410 610 810 1 010 1 210 1 410
% de la capacité déchargée C5
Courant de décharge (A)
+ 20º C – 20º C – 40º C

Figure 4 – Capacité disponible en fonction du courant continu de


Figure 2 – Tension à vide d’une batterie NiCd mesurée pour un décharge pour deux batteries NiCd de même capacité nominale mais de
courant de 0,2C à différentes températures (d’après [1]) type « puissance » ou « énergie » (d’après [1])

Tableau 1 – Exemples de valeurs de densité massique d’énergie et de puissance


pour des batteries NiCd industrielles

Densité massique de puissance


Densité massique (en W/kg)
Capacité Tension nominale Poids
d’énergie
(en Ah) (en V) (en kg)
(en Wh/kg) 1 min 1s 1s
U min = 1 V U min = 1 V U min = 0,65 V

510 1,2 21 28 33 45 –

320 1,2 16,5 23 110 162 234

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L’influence de la température sur les courbes de décharge est


illustrée figure 5 pour un courant de décharge de 1C. On y constate
que les batterie NiCd fonctionnent encore correctement, même à
des températures fortement négatives : en passant de + 20 à
- 18  C seulement 15 % de la capacité est perdue.
Une particularité des batteries NiCd est l’apparition d’un effet
mémoire : si une cellule est soumise à plusieurs cycles de
décharge/recharge partiels sans être déchargée complètement,
alors on peut noter une perte apparente de sa capacité. La tension
chute rapidement lors d’une tentative de décharge plus profonde.
Cette perte de capacité est réversible et peut être effacée par un
8
cycle de charge/décharge complet à très faible courant.
En ce qui concerne la charge des batteries NiCd, plusieurs proto-

R coles sont proposés par les constructeurs. Ils dépendent de l’usage


de la batterie (recharge après stockage, recharge après décharge
occasionnelle, recharge flottante…).
Figure 6 – Étiquette de classe 8 à utiliser pour le transport maritime
ou aérien des batteries NiCd

& Charge à très faible courant (appelée parfois trickle charge) : un


courant de l’ordre de C/30 à C/20 peut être appliqué pendant une
2. Accumulateurs NiMH
durée de 30 h ou plus. Cet allongement de la durée n’entraı̂ne pas
une surcharge, car le rendement faradique de ce type d’accumula-
Appartenant à la famille des accumulateurs au nickel, les cellules
teur baisse pour les valeurs élevées de SOC. De plus, une telle
aux nickel et hydrure métallique (NiMH) apparaissent en laboratoire
charge permet d’équilibrer les SOC des différents éléments asso-
dans les années 60. Leur commercialisation débute dans les
ciés en série. années 90 avec l’atout majeur d’une densité d’énergie supérieure
aux accumulateurs NiCd.
& Charge à faible courant : un courant d’une valeur de C/10 peut
être appliqué pendant 15 h au maximum pour les mêmes raisons Basée sur une technologie d’insertion d’hydrogène, sans proces-
que celles évoquées précédemment. sus de dissolution-précipitation comme c’est le cas des accumula-
teurs NiCd, la technologie NiMH est devenue extrêmement répan-
& Charge rapide : un courant de l’ordre de C/2 à 1C peut être utilisé due dans les années 2000, pour être ensuite supplantée par la
avec comme critère de fin de charge soit une élévation de tempéra- technologie lithium dans les applications portables et embarquées.
ture de la cellule supérieure à une dizaine de degré, soit une inver- La figure 7 illustre une batterie industrielle NiMH.
sion de la dérivée temporelle de la tension et donc une décrois-
sance de quelques dixièmes de volt. Cette détection de fin de
charge dans ce cas est primordiale pour éviter une surpression ou
2.1 Principe de fonctionnement
une température excessive. La durée de la recharge peut dans ces Les accumulateurs NiMH utilisent une solution d’hydroxyde de
conditions être réduite à 1 ou 2 h. potassium (KOH) comme électrolyte, un hydrure métallique à
l’électrode négative et le couple hydroxyde de nickel et oxyhydro-
& Charge flottante à tension constante : une charge pendant xyde de nickel à l’électrode positive. Les demi-équations électrochi-
l’usage peut être effectuée en appliquant une tension constante sui- miques qui décrivent les réactions lors de la décharge sont :
vant les indications du constructeur. Par exemple : 1,47 V par cel-
– pour l’électrode positive :
lule à 20  C avec une correction de - 3 mV/  C par cellule.
NiO (OH) + H2O + e − → Ni (OH)2 + OH− (6)
1.2.3 Règles de transport
Les batteries NiCd sont classées par l’Organisation des Nations avec un potentiel d’équilibre d’électrode d’environ 0,5 V ;
Unies en classe 8 des matières dangereuses (UN 2795 : Accumula- – pour l’électrode négative :
teurs électriques remplis d’électrolyte liquide alcalin). Pour le trans-
port maritime ou aérien, il convient de placer une étiquette d’iden- MH + OH− → M + H2O + e − (7)
tification de produit corrosif (figure 6).
avec un potentiel d’équilibre d’électrode d’environ - 0,8 V.
1,40
1,35
1,30
1,25
1,20
Tension (V)

1,15
1,10
1,05
1,00
0,95
0,90
0,85
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
Capacité (% Cn)
C à 20º C C à 5º C C à –18º C

Figure 5 – Courbes de décharge d’une batterie NiCd à différentes Figure 7 – Exemple de batterie industrielle NiMH avec évent de
valeurs de température pour un courant de 1C (d’après [1]) sécurité (d’après [2])

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Commande des composants


à semi-conducteurs de puissance :
contexte
par Stéphane LEFEBVRE


Professeur
SATIE, CNRS, Conservatoire national des arts et métiers, Paris, France
Bernard MULTON
Professeur
SATIE, CNRS, École Normale Supérieure de Rennes, Rennes, France
et Nicolas ROUGER
Chargé de recherche
Laplace, CNRS, Toulouse, France
Note de l’éditeur
Cet article est la réédition actualisée de l’article D3230 intitulé « Commande des semi-
conducteurs de puissance : contexte » paru en 2002, rédigé par Stéphane Lefebvre et
Bernard Multon.

1. Rôle des circuits de commande de CSCP ................................................. D 3 230v2 - 3


2. Le CSCP dans son environnement ............................................................ — 3
2.1 Le CSCP et sa commande dans la cellule de commutation .................... — 3
2.2 Les composants de puissance à semi-conducteur grand gap
et les nouveaux concepts de transistors en silicium ............................... — 7
2.3 L’intégration du CSCP et de ses périphériques ........................................ — 10
3. Le CSCP dans une cellule de commutation.............................................. — 14
3.1 Commutation commandée idéale ............................................................. — 14
3.2 Commutations spontanées et assistées.................................................... — 16
3.3 Influence du circuit de commande sur les vitesses de commutation .... — 16
3.4 Comportement spécifique des CSCP en régime de commutation ......... — 17
3.5 Formes d’ondes expérimentales de commutation .................................. — 18
4. Vers les cellules de commutation réelles et leurs particularités............ — 19
4.1 Interactions spécifiques entre les CSCP et leurs circuits de pilotage ..... — 20
4.2 Impacts du packaging : effets des mailles de puissance
et de commande ......................................................................................... — 20
4.3 Gestion optimale du temps mort............................................................... — 21
5. Conclusion ................................................................................................... — 22
Pour en savoir plus .............................................................................................. Doc. D 3 230v2

es CSCP (composants à semi-conducteurs de puissance) permettent de réa-


L liser des fonctions interrupteur toujours plus fiables et plus performantes.
Pour gérer et moduler les échanges d’énergie électrique via les convertisseurs
électroniques de puissance, chaque CSCP ou chaque groupe de CSCP nécessite
un circuit dédié de commande rapprochée (aussi appelé gate driver) afin de
piloter son état (bloqué ou passant) et d’optimiser les transitions pendant les
changements d’état (commutations au blocage et à l’ouverture).
Les circuits de commande rapprochée comprennent ainsi, a minima, un
p。イオエゥッョ@Z@ョッカ・ュ「イ・@RPQW

étage de contrôle statique et dynamique de l’interface de pilotage du ou des

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COMMANDE DES COMPOSANTS À SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE : CONTEXTE ___________________________________________________________

CSCP. D’autres fonctions complémentaires peuvent être intégrées ou asso-


ciées permettant d’observer, de protéger et plus généralement de garantir le
fonctionnement fiable et optimal du ou des CSCP. Une spécificité des CSCP
réside dans leur mode de fonctionnement en régime de commutation, avec
des contraintes fortes sur l’environnement du CSCP et du circuit de com-
mande rapprochée : celui-ci doit, en particulier, s’adapter à des potentiels
élevés et des variations rapides de tensions et courants. L’assemblage des
CSCP à leur environnement rapproché est lui aussi critique, depuis leurs
commandes rapprochées, les CSCP formant une ou plusieurs cellules de
commutation, jusqu’à leur circuit de refroidissement. Cet environnement des
CSCP est aussi important que ses performances intrinsèques, permettant

R alors de proposer un fonctionnement adapté et optimisé aux compromis


classiques en électronique de puissance (thermique, compatibilité electro-
magnétique, rendement, densité de puissance, fiabilité).
D’autre part, de nouveaux matériaux dits grand gap (tels que SiC et GaN) et
d’autres ruptures sur les architectures des transistors de puissance en silicium
repoussent les contraintes et compromis classiques. Ceci est particulièrement
d’actualité avec la montée en tension, la montée en fréquence et l’augmentation
des vitesses de commutation, ainsi que les ruptures sur les structures de conver-
tisseurs (architectures entrelacées, associations série/parallèle). Les composants
à semi-conducteurs de puissance et leurs périphériques doivent toujours évoluer
afin de permettre d’aller toujours plus loin dans l’amélioration de l’efficacité
énergétique, de la sûreté de fonctionnement, de la fiabilité et de la compacité
des convertisseurs statiques.
Selon la technologie de composants à semi-conducteur de puissance
considérée et son environnement, mais également selon la nature des commu-
tations, la réalisation des fonctions de commande et les possibilités de contrôle
peuvent varier. C’est la raison pour laquelle nous avons séparé les composants
à semi-conducteurs de puissance en trois familles technologiques [D3231] :
– les thyristors et les triacs ;
– les transistors bipolaires et les thyristors GTO ;
– les transistors à grille (MOSFET, IGBT, HEMT GaN et JFET SiC) ;
Pour chacune de ces catégories de CSCP, les circuits de commande seront
détaillés dans les articles suivants [D3232] et [D3233].

Les composants à semi-conducteurs de puissance (CSCP) commandés ont connu une


évolution très rapide depuis l’avènement des premiers thyristors à la fin des années 1950
jusqu’à l’apparition des IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) au cours des
années 1980 puis de l’émergence des matériaux grand gap (SiC et GaN) dans les
années 2010. Les dernières décennies ont été marquées, en outre, par une progression
continue des performances (pertes, rapidité, prix…) des composants de puissance, grâce
aux designs des puces, des boîtiers et de leur connectique, mieux optimisés, mais grâce
également à de nouveaux matériaux semi-conducteurs. Enfin une plus forte intégration
des fonctions et l’accroissement des performances et des fonctionnalités des circuits de
commande rapprochée ont contribué significativement aux progrès constatés. La facilité
apparente de la commande des composants à grille isolée, qui a fortement contribué à
leur succès, cache en réalité de nombreuses difficultés, surtout en haute fréquence et/ou
en forte puissance. En réponse à la demande, de nombreux fabricants se sont mis à pro-
poser toutes sortes de circuits (intégrés ou hybrides ou encore imprimés) destinés à la
commande des composants à semi-conducteurs de puissance. C’est ainsi que le concep-
teur de convertisseur est devenu de plus en plus fréquemment un assembleur de fonc-
tions ; il est néanmoins tenu de comprendre, ne serait-ce que pour conserver un esprit
critique par rapport aux propositions des fournisseurs, comment fonctionnent ces com-
mandes, quels sont les compromis rencontrés et quelles en sont les limites.
Les convertisseurs statiques d’énergie nécessitent, pour avoir des rendements compa-
tibles avec nos exigences énergétiques et économiques, de fonctionner en commutation.
À la suite des systèmes à commutation mécanique et des tubes à gaz, les CSCP ont per-
mis de réaliser des fonctions « interrupteur » toujours plus fiables, plus compactes et
énergétiquement plus efficaces. Ces progrès ont conduit à l’essor rapide de l’électronique
de puissance que l’on connaît, des faibles puissances (microwatts) jusqu’aux très
grandes (gigawatts), et qui joue un rôle majeur dans la transition énergétique en marche.

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1. Rôle des circuits 2. Le CSCP dans son


de commande de CSCP environnement
Les fonctions essentielles du circuit de commande rapprochée
d’un composant à semi-conducteur de puissance sont : 2.1 Le CSCP et sa commande
– la conversion d’une information logique (0-1) de com- dans la cellule de commutation
mande (donc sans énergie) en grandeurs électriques adaptées
(courant, tension) aux électrodes de commande du CSCP, pour La fonction interrupteur de puissance est construite autour de la
puce semi-conductrice elle-même couplée à un boîtier ou un subs-
obtenir les états passant et bloqué ainsi que des transitions opti-
trat d’assemblage, associé à un dissipateur de chaleur. Le CSCP
misées ;
est éventuellement connecté à un circuit d’aide à la commutation
– l’exploitation maximale des possibilités physiques du CSCP
compte tenu du contexte de commutation. Il s’agit en fait, si l’on se
réfère à un cahier des charges, d’utiliser des semi-conducteurs
que l’on peut considérer comme faisant partie intégrante de la
fonction interrupteur. Cet ensemble constitue la partie puissance
de la fonction. Le CSCP doit s’intégrer parfaitement au sein de la

dont les calibres en tension et courant sont les mieux ajustés au cellule de commutation de puissance, cellule regroupant deux
besoin, et de permettre le meilleur compromis entre les pertes et CSCP et une capacité de découplage pour les cellules de commu-
les perturbations générées ; tation de tension : la figure 1 présente un convertisseur statique
typique, basé sur une association parallèle de cellules de commu-
– sa protection en cas de défaut (surintensité, surtension) tation de tension, comprenant deux CSCP (qui peuvent être une
pouvant le mettre en danger et l’information du système de association de composants) et une capacité de découplage haute
commande éloignée sur la prise de décision de la commande rap- tension (bras de pont). Cette architecture de puissance est la base
prochée ; des convertisseurs électroniques de puissance tels que les ondu-
– la séparation galvanique entre la partie puissance et la par- leurs, redresseurs ou alimentations continues à découpage, ser-
tie commande logique, lorsque les électrodes de référence des vant par exemple pour les chargeurs de batterie, les onduleurs
différents composants à semi-conducteurs se trouvent à des pour les machines tournantes, etc. D’autres architectures de
potentiels différents et/ou si l’on souhaite, éventuellement pour convertisseurs peuvent aussi utiliser une association série ou
parallèle de cellules de commutation ou de CSCP [1][2][3][4].
des raisons de sécurité, une isolation entre puissance et com-
mande ; Pour commuter de façon commandée, chaque CSCP requiert
une commande rapprochée elle-même approvisionnée en énergie
– la compatibilité avec son environnement, notamment sur le
par une alimentation. C’est la partie commande de la fonction
plan électromagnétique interrupteur. Son rôle est défini dans le paragraphe 4 et les fonc-
– la montée en fréquence de découpage permise par les évolu- tions nécessaires pour le pilotage d’un CSCP sont présentées à la
tions récentes dans le domaine (composants grand gap et intégra- figure 2. Selon le niveau de tension du convertisseur de puissance,
tion) ; le type de CSCP et les performances souhaitées, la commande rap-
prochée peut être réalisée aujourd’hui par un seul circuit intégré
– l’autoprotection du circuit de commande rapprochée contre les pilotant, soit chaque CSCP, soit chaque cellule de commutation,
sous-tensions d’alimentation, les températures prohibitives… soit tout le convertisseur de puissance. Les problématiques et les
– son adaptabilité et sa flexibilité (adaptation des temps morts, choix associés à ces modes de réalisation et d’assemblage seront
adaptation et réglage des vitesses de commutation, adaptation en détaillés plus loin dans ce paragraphe ainsi que dans les articles
fonction du point de fonctionnement…). [D3232] et [D3233] correspondants au type de CSCP.
La figure 2 présente les éléments constitutifs de la fonction inter-
Selon le type de composants et la nature des commutations,
rupteur, depuis la puce de puissance jusqu’au circuit de commande
la réalisation des fonctions et les possibilités de contrôle varient rapprochée ainsi que les fonctions périphériques. Ici, un transistor
beaucoup. Pour prendre deux extrêmes, si l’on considère un de puissance de type MOSFET a été considéré à titre d’exemple,
thyristor, commandable seulement à l’amorçage, fonctionnant avec les trois broches classiques (grille, drain, source, notées res-
dans un redresseur assisté, par exemple par la source d’énergie pectivement G, D et S) mais aussi une reprise de potentiel de
à 50 Hz, ou un IGBT commutant à haute fréquence dans un source au plus proche de la puce de puissance (« Sk » pour source
onduleur pour moteur asynchrone, les problèmes sont très dif- kelvin en référence à la technique dite de mesure Kelvin), permet-
férents. tant de limiter l’influence de la commutation du courant dans le cir-
cuit de puissance drain-source sur le contrôle de la différence de
C’est la raison pour laquelle nous avons séparé les composants potentiel entre grille et source. Cette reprise de potentiel SK permet
à semi-conducteurs de puissance en trois catégories où, dans cha- d’améliorer les performances en commutation du transistor de
cune d’entre elles, les contraintes et les problèmes sont com- puissance et la protection du circuit de commande rapprochée.
muns : Cette technique est utilisée par les fabricants de composants de
– les thyristors et les triacs, fonctionnant aujourd’hui quasi puissance, par exemple sur les MOSFET SiC [5] et MOSFET silicium
exclusivement dans des convertisseurs où les blocages sont assis- [6], ces composants pouvant présenter de fortes vitesses de com-
tés par le réseau (redresseurs, gradateurs) ou par la charge (sys- mutation, ou sur les modules de puissance MOSFET et IGBT pré-
tèmes résonants) ; sentant des inductances parasites de source significatives. Un
capteur de température peut également être intégré sur l’embase,
– les transistors bipolaires et les thyristors GTO dont les caracté- avec une ou deux broches supplémentaires, permettant la détection
ristiques sont très proches ; de surchauffe de la puce de puissance (ou tout du moins celle du
– les transistors à grille (MOSFET, HEMT et IGBT) auxquels substrat sur lequel sont reportées les puces) et autorisant une
l’entrée capacitive confère un comportement tout à fait particu- action en conséquence du circuit de commande rapprochée. Ce
type de capteur de température est utilisé par exemple dans les
lier.
modules de puissance intelligents tels ceux du fabricant Mitsubishi
Enfin, nous avons cherché à traiter les spécificités, notamment [7]. Il peut être également intégré à la puce de puissance, c’est le
vue de leur commande, des composants émergents à base de car- cas notamment pour les composants de type smart power et il per-
bure de silicium et de nitrure de gallium. met dans ce cas une mesure ponctuelle au niveau de la puce.

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COMMANDE DES COMPOSANTS À SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE : CONTEXTE ___________________________________________________________

Bus de
tension
CSCP

CSCP

CSCP

CSCP
Contrôle
(0, 1) de l’état et
des transitions
Phase 1 Phase 2 Phase 3 High Side
Vbus Charge / Source Potentiel Vbus


de puissance flottant
CSCP

CSCP

CSCP

CSCP
IPh1 Contrôle
IPh1 de l’état et
(0, 1) des transitions
Low Side

Cellule de
Cellule de
commutation
commutation
a pont triphasé faisant apparaître trois cellules de commutation b détail d’une cellule de commutation de tension, avec deux CSCP
de tension permettant de moduler les transferts d’énergie entre une source
de courant et une source de tension

Figure 1 – Exemples de structures de convertisseurs électroniques de puissance, faisant apparaître une ou plusieurs cellules de commutation de
tension

Schéma
transistor D
de puissance
CSCP

G
Alimentation en Puce
Sk Embase
énergie des circuits S Bonding
de commande Capteur
Température
Vss GND Vdd
Circuit de
Autoprotection Puissance
Autoprotection
Sous-alimentation Température

Adaptation et
Contrôle
Commande logique Isolation
S

amplification
protection
en courant
DG

Protection
rapprochée
T– T+ k
S

GND
Mesures
Information d’état Tension
Isolation
diagnostic Courant
Température
Dissipateur thermique
Commande rapprochée – « Gate driver »

Figure 2 – Éléments constitutifs de la fonction interrupteur statique de puissance (avec un seul CSCP)

En lien avec la figure 1b et introduisant l’ensemble des fonctions de commande rapprochée. Les composants à semi-conducteurs de
nécessaires au pilotage des CSCP et la place occupée par la com- puissance du bras d’onduleur peuvent être assemblés dans un
mande rapprochée, la figure 3 présente deux approches possibles module de puissance. Par soucis de clarté, les connexions avec le
selon que chaque CSCP nécessite un circuit de commande ou selon capteur de température et les remontées d’informations de dia-
que chaque cellule de commutation est pilotée par un seul circuit gnostic ne sont pas représentées. De façon plus synthétique, la
de commande. La figure 3a décrit la structure de commande d’un figure 3b est l’illustration de circuits de commande distincts pour le
bras d’onduleur lorsque chaque CSCP possède son propre circuit pilotage d’un bras d’onduleur, nécessitant des convertisseurs isolés

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____________________________________________________________ COMMANDE DES COMPOSANTS À SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE : CONTEXTE

pour l’alimentation en énergie des circuits de commande rappro- faible car ce type de transistor repose sur un courant de porteurs
chée et l’isolation des informations de commande. La figure 3c, en majoritaires de type trou. Or dans le silicium, les trous ont une
revanche, montre un circuit de commande unique pilotant les deux mobilité environ trois fois inférieure à celle des électrons [D3102],
transistors du bras. Cette solution impose des contraintes spéci- ce qui a pour conséquence de créer une résistance à l’état passant
fiques à la technologie du circuit de commande rapprochée (isola- des MOSFET de type P trois fois plus élevée que celle d’un MOS-
tion électrique, tenue en tension, optimisation des mailles de FET de type N, à surface identique. L’électronique de puissance
commande), et dans ce cas de figure particulier de commande ayant des objectifs élevés de rendement énergétique, les perfor-
unique des transistors High Side et Low Side. Des circuits spéci- mances moindres de composants de type P les écartent. Ceci
fiques tels que des pompes de charge, des montages bootstrap, ou explique leur faible disponibilité et par suite, l’utilisation quasi
encore des circuits de décalage de niveaux, pourront être utilisés exclusive de transistors de type N pour la réalisation de cellules
(cf. [D3233]), avec l’opportunité de maîtriser précisément la syn- de commutation. En revanche, ce choix de se restreindre unique-
chronisation des signaux de commande. ment à des transistors de type N impose des spécificités aux cir-
cuits de commande rapprochée d’une cellule de commutation de


Qu’il soit dédié à un seul CSCP ou à une ou plusieurs cellules
de commutation, le circuit de commande rapprochée assure prin- puissance de type bras de pont (voir figure 3).
cipalement la fonction d’interface entre la commande logique Dans le cadre des transistors de puissance à grille (MOSFET,
externe et les grandeurs électriques de commande requises par le IGBT, HEMT), l’état du transistor est contrôlé par une différence
CSCP. Mais cette fonction peut rapidement se compliquer de potentiel entre une électrode (la grille) et une électrode de réfé-
lorsqu’elle assure également l’isolation entre les circuits logiques rence (la source pour les MOSFET et HEMT ou l’émetteur pour les
de commande et la partie puissance ainsi que différentes protec- IGBT). En fonction de l’état du transistor de puissance, le potentiel
tions du CSCP telles que : de source peut être amené à varier, et par suite, le circuit de com-
– une autoprotection contre le risque de sous-tension d’alimen- mande rapprochée devra suivre et s’adapter à une valeur éven-
tation ; tuellement élevée, mais aussi aux perturbations dynamiques
– une protection contre les surtensions et/ou surintensités au rapides de ce potentiel de référence.
niveau du CSCP ; Comme présenté dans les figures 1, 3 et 5, la cellule de com-
– une maîtrise des temps de propagation et de fourniture de mutation de puissance fait ainsi apparaître un potentiel flottant,
l’énergie de changement d’état du CSCP ; selon l’état des CSCP. Dans la figure 5, le potentiel flottant est VS1
– une modification paramétrable et variable du mode de pilotage (identique au potentiel VSk1 si l’on néglige les inductances para-
du CSCP par le circuit de commande ; sites introduites par la connectique). Ainsi, une dissymétrie appa-
– un diagnostic des défauts et un retour d’informations avec iso- raît entre les deux CSCP intervenants dans la cellule de
lation galvanique. commutation, introduisant par suite la notion de CSCP « High
Side » (HS) et CSCP « Low Side » (LS) (cf. figures 1, 3 et 5). La
La figure 4 détaille les figures 2 et 3, et introduit la place de la particularité du CSCP en position « high side » est que son circuit
fonction interrupteur au sein d’un système de conversion d’énergie de commande (driver) doit être référencé par rapport à un poten-
électrique. Cette figure 4 permet de prendre conscience de l’impor- tiel flottant VSk1, subissant de fortes variations instantanées et
tance des interactions entre la commande rapprochée et l’ensemble pouvant atteindre des valeurs élevées, au-delà de la tension Vbus
du système, notamment sur les plans de la compatibilité électroma- de la cellule de commutation pour les applications à faible tension
gnétique et de la thermique. La commande rapprochée impose,
de bus. Quant au CSCP en position « low side », le potentiel de
dans une large part, les vitesses de commutation, donc les pertes
référence de son circuit de commande rapprochée VSk2 peut être
par commutation mais aussi les perturbations conduites et rayon-
référencé à un potentiel fixe (la masse de puissance soit VS2 dans
nées (les perturbations de mode commun sont notamment en partie
la figure 5) ou à une référence flottante proche de la masse de
conduites par les liaisons capacitives entre les boîtiers des compo-
puissance mais ne subissant ni une valeur élevée ni une variation
sants et leur dissipateur relié à la terre). De plus, le circuit de com-
temporelle rapide. Par suite, il existe une différence de potentiel
mande est également vecteur propre de perturbation mais aussi
variable entre la référence du circuit de commande du transistor
parfois victime, les perturbations qui remontent le circuit de com-
High Side VSk1 = VGND_HS et la référence du circuit de commande
mande pouvant être à l’origine de dysfonctionnements. Pour respec-
du transistor Low Side VSk2 = VGND_LS. La différence maximale de
ter les normes CEM (compatibilité électro-magnétique) et limiter le
potentiel entre les deux références flottantes des deux circuits de
volume des filtres CEM généralement placés sur le réseau d’alimen-
commande est de l’ordre de la tension du bus de puissance Vbus.
tation, les concepteurs de dispositifs de conversion d’énergie
doivent prendre en compte ces contraintes dès la phase de concep- La figure 5 présente les formes d’onde clés pour mettre en
tion. Ainsi, les perturbations conduites et rayonnées peuvent être avant la problématique de la commande des transistors de puis-
réduites au détriment des pertes par commutation en ralentissant sance à potentiel de référence flottant. La valeur maximale du
les vitesses de commutation. Cela peut aller, dans quelques cas potentiel de référence flottant (d’une dizaine de volts à quelques
d’applications, jusqu’au contrôle même de la forme du courant lors dizaines de kilovolts) ainsi que la vitesse de variation de ce poten-
des phases de commutation pour réduire significativement les per- tiel (de quelques centaines de volts par microseconde à quelques
turbations de mode différentiel. Une analyse similaire peut être centaines de volts par nanoseconde) vont fixer le choix du CSCP
conduite sur le dimensionnement de l’environnement thermique du mais aussi des circuits de commande rapprochée associés et de
CSCP : une augmentation de la température de fonctionnement du leurs modes d’intégration et d’assemblage, voire des circuits
CSCP peut permettre une réduction du volume du système de snubber qui devront leur être associés (pour les composants de la
refroidissement [D3116], mais au détriment d’une augmentation des famille des thyristors notamment).
pertes du CSCP et aux dépens de la fiabilité. Pour illustrer les aspects CEM évoqués sur la figure 4, deux
À la différence des circuits inverseurs en technologie complé- effets représentatifs de l’impact de la commutation de puissance
mentaire basse tension de la microélectronique (technologie sur le circuit de commande rapprochée et sur le contrôle du CSCP
CMOS [E2432]), le contrôle de l’état d’un CSCP et d’une cellule de sont présentés sur la figure 6 : la variation de courant di/dt va
commutation de puissance nécessite des circuits spécifiques. En créer une tension d’auto-induction aux bornes de tout élément
effet, dans un inverseur CMOS de microélectronique, deux tran- inductif parasite, dans la boucle de puissance mais également
sistors fonctionnant en régime complémentaire sont associés en dans celle de commande. Cela est d’autant plus critique concer-
série, utilisant un transistor MOSFET de type P avec un transistor nant l’inductance LS commune aux boucles de puissance et de
de type N et permettant d’utiliser un même signal de commande commande, qui peut modifier l’état du CSCP, limitant d’une part
pour piloter l’état de ces deux transistors. En électronique de puis- la dynamique de charge du CSCP, et pouvant créer d’autre part
sance, la disponibilité de MOSFET de type P en silicium est très des réouvertures ou remises en conduction parasites du CSCP.

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Caractéristiques des composants


à semi-conducteur de puissance
en vue de leur commande
par Stéphane LEFEBVRE
Professeur
SATIE, Conservatoire national des arts et métiers, Paris, France

Bernard MULTON
Professeur
SATIE, École Normale Supérieure de Rennes, Rennes, France
et Nicolas ROUGER
Chargé de recherche
Laplace, CNRS, Toulouse, France
Note de l’éditeur
Cet article est la réédition actualisée de l’article D3231 intitulé « Commande des semi-conduc-
teurs de puissance, principe » paru en 2002, rédigé par Stéphane Lefebvre et Bernard Multon.

1. Caractéristiques des thyristors et triacs en vue de leur commande ..... D 3 231V2 - 2


1.1 Spécificités de commande des thyristors ................................................. — 2
1.2 Thyristors à amorçage optique (LTT) ........................................................ — 5
1.3 Spécificités de commande des triacs ........................................................ — 7
2. Caractéristiques des transistors bipolaires et thyristors blocables
(GTO) en vue de leur commande .............................................................. — 8
2.1 Transistors bipolaires de puissance .......................................................... — 8
2.2 Thyristors GTO et GCT ............................................................................... — 15
3. Caractéristiques des transistors à grille en vue de leur commande...... — 23
3.1 Influence du circuit de commande sur les performances
des composants à grille.............................................................................. — 23
3.2 Principales caractéristiques de commande des transistors MSFET
de puissance................................................................................................ — 24
3.3 Commutations............................................................................................. — 26
3.4 Spécificités des transitors IGBT ................................................................. — 29
3.5 Spécificités des transitors MOSFET SiC.................................................... — 30
3.6 Spécificités des transitors HEMT Gan ....................................................... — 32
4. Conclusion ................................................................................................... — 37
Pour en savoir plus .............................................................................................. Doc. D 3 3 231v2

ans cet article, nous étudions les spécificités des composants à semi-
D conducteurs de puissance, déjà présentés en [D 3230] :
– les thyristors et les triacs, qui fonctionnent aujourd’hui quasi exclusive-
ment dans des convertisseurs où les blocages sont assistés par le réseau
(redresseurs, gradateurs) ou par la charge (systèmes résonants) ;
– les transistors bipolaires (BJT) et les thyristors GTO et GCT dont les carac-
téristiques sont très proches ;
– les transistors à grille (notamment MOSFET, IGBT et HEMT) auxquels
l’entrée capacitive confère un comportement tout à fait spécifique.
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CARACTÉRISTIQUES DES COMPOSANTS À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE EN VUE DE LEUR COMMANDE ________________________________________

Pour chacun de ces composants nous spécifierons également les propriétés


spécifiques des composants émergents à matériaux grand gap (SiC et GaN) et
notamment des BJT et MOSFET SiC et des HEMT GaN
Pour chacune de ces catégories de composants à matériau semi-conducteurs
de puissance, les circuits de commande seront détaillés dans les articles [D 3232]
et [D 3233].

synchronisation des commandes à l’amorçage des thyristors d’un


1. Caractéristiques même interrupteur doit être particulièrement soignée.

R des thyristors et triacs
en vue de leur commande
Les triacs (« Triode for Alternating Current ») [4] offrent, dans un
seul composant à électrode de commande unique, la fonction de
deux thyristors tête-bêche et, à quelques particularités près, que
nous décrirons plus loin, ils se commandent sensiblement de la
même façon que les thyristors et rencontrent les mêmes risques
Les thyristors, composants à commande uniquement à l’amorçage,
d’amorçage parasite par dv/dt et la même limite de di/dt à l’amor-
sont les plus anciens composants à semi-conducteurs de puissance
çage. Les triacs restent cantonnés aux petites puissances essentiel-
commandés (fin des années 1950). Ils sont normalement unidirection-
lement dans des applications grand public en variation de
nels en courant et bidirectionnels en tension mais se déclinent dans
puissance, en mode gradateurs (éclairage y compris à LED,
quelques variantes technologiques, notamment les thyristors asymé- moteurs universels, moteurs asynchrones monophasés, etc.) ou en
triques qui ne supportent que de très faibles tensions inverses mais commutation statique (commande d’électrovannes, de petits
sont plus rapides au blocage (actuellement destinés à des usages moteurs asynchrones, de résistances chauffantes, etc.). Les cou-
impulsionnels et à des onduleurs à résonance). Ils sont parfois inté- rants et tensions commutés n’excèdent pas une dizaine d’ampères
grés à une diode antiparallèle (thyristors à conduction inverse). Il et 1 000 V environ. Les contraintes de coût sont alors prépondé-
existe également des thyristors dits bidirectionnels (sur la même pas- rantes et les circuits de commande sont souvent conçus dans cet
tille, deux thyristors sont intégrés en montage tête-bêche, BCT pour esprit ; l’isolement galvanique est plus rare.
Bidirectionally Controlled Thyristors). Le blocage des thyristors
n’étant pas commandable, il s’effectue à l’annulation du courant et
nécessite un temps minimal d’application de tension inverse noté tq.
Ainsi, les thyristors sont essentiellement utilisés en « commande de
1.1 Spécificités de commande
retard à l’amorçage » ou « commande de phase » (avec des valeurs des thyristors
de tq pouvant s’élever jusqu’à quelques 100 μs) dans les redresseurs
et onduleurs assistés par la source alternative. Mais ces derniers sont 1.1.1 Conditions de mise en conduction
en déclin et se trouvent désormais confinés dans les convertisseurs
de très forte puissance, par exemple pour les liaisons à courant Avant de décrire les caractéristiques requises de commande à
continu haute tension (HVDC) de plusieurs milliers de mégawatts [1]. l’amorçage, nous proposons un bref rappel du principe du thyris-
Les thyristors sont également encore utilisés en montages tête-bêche tor qui permettra de bien comprendre l’origine physique des spé-
dans les gradateurs absorbeurs (sur inductance) pour les compensa- cifications techniques [D3107] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11]. La
teurs statiques de puissance réactive de très forte puissance [2] ainsi figure 1 montre notamment la coupe d’un thyristor classique au
que dans les dispositifs de mise sous tension progressive de charges silicium (structure P+N–PN+) ainsi que le schéma équivalent à
de forte puissance (démarrage de machines asynchrones en moteur deux transistors imbriqués qui permet d’expliquer simplement
ou générateur, transformateurs…) et, d’une façon générale, dans les quelques aspects de son comportement.
interrupteurs statiques en courant alternatif, comme dans les bypass Le thyristor peut en effet être représenté par une association
des alimentations ininterruptibles. Quant aux thyristors rapides (faible de deux transistors bipolaires TA et TK, respectivement d’anode
tq et faible charge recouvrée au blocage, quelques microsecondes à et de cathode, interconnectés pour obtenir une réaction posi-
quelques dizaines de microsecondes), ils sont encore utilisés pour tive. Notons que certains thyristors au carbure de silicium
certains onduleurs à résonance moyenne fréquence comme dans le (GeneSiC) ont adopté des structures N+P–NP+ dont le contrôle
chauffage par induction de forte puissance (dizaines de mégawatts) s’effectue par un courant de gâchette négatif dans une jonction
[3]. Les avantages majeurs des thyristors, comparativement aux gachette-anode. Dans toute la suite, nous continuerons à raison-
autres composants blocables (GTO et IGBT), résident dans leur faible ner avec des structures classiques P+N–PN+ nécessitant un cou-
chute de tension à l’état passant, qui conduit à des rendements de rant de gâchette positif. Si αA et αK sont les rendements
conversion élevés, ainsi que dans leur grande fiabilité, notamment d’émetteur des transistors et Icb0A et Icb0K sont les courants de
liées aux boîtiers pressés (press-pack) employés. fuites de leur jonction collecteur-base, on obtient l’expression
Il existe cependant encore un marché pour les petits thyristors sen- suivante du courant d’anode IA :
sibles car ils permettent de réaliser des fonctions très économiques
dans certaines applications (disjoncteurs différentiels, électroména-
ger). Ainsi les calibres en courant s’étalent sur une plage allant de Alors :
moins de 1 A à plus de 6 000 A pour une seule « puce » ; quant aux
tensions, elles vont de 400 V environ à plus de 10 kV. À ces derniers
niveaux de tension, on rencontre également des commandes
optiques directes (thyristors à amorçage optique ou Light Triggered
Thyristors LTT). La mise en série ou/et en parallèle est couramment À faible courant d’émetteur, le rendement d’émetteur α d’un
pratiquée et permet de contrôler des puissances très élevées que l’on transistor bipolaire est faible. Ainsi, pour le thyristor, à faible cou-
peut considérer illimitées. Les principales contraintes concernant la rant IA d’anode (ce qui n’est pas le fonctionnement normal du thy-
commande sont relatives à l’isolement galvanique nécessaire dans ristor), celui-ci est contrôlé par le courant de gâchette dans un
presque toutes les applications, compte tenu des niveaux de tension mode de fonctionnement linéaire (en amplificateur). Il existe ainsi
et des normes de sécurité. Lors de la mise en série et en parallèle, la une valeur IL du courant d’anode, dite d’accrochage (latching),

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a boîtier press-pack et image d’un wafer b coupe de la structure verticale (épaisseur disproportionnée

process (diamètre 6 pouces, 8,5 kV – 5 kA) sur ce dessin) et schéma de principe à deux transistors imbriqués.
(ABB [1]) montrant l’interdigitation Symbole
de jonction gâchette-cathode

Figure 1 – Thyristor

Tableau 1 – Ordre de grandeurs des courants de déclenchement IGT de différents thyristors

Calibres Thyristors sensibles (faible IGT)

Courant direct moyen nominal VRRM 100 à 400 V 200 à 800 V < 1 kV < 1 kV < 1 kV 1,5 à 8 kV

Tension inverse maximale IFAV 0,8 A 8 A 0,3 A 10 A 25 A > 500 A

IGT 1 μA 200 μA 200 μA 10 mA 20 mA 300 à 400 mA

IFAV/IGT 800 000 40 000 1 500 1 000 1 200 1 000 à 10 000

telle que la somme des rendements d’émetteur atteint la valeur 1. qu’à 150 °C, il est environ 2 fois plus faible. Enfin, si le courant
Dans ce cas, d’après l’expression précédente, le courant d’anode d’anode redescend en dessous d’une valeur IH (courant de main-
n’est plus contrôlé (dénominateur nul), la réaction positive atten- tien, « holding current »), légèrement différente de IL pour cause
due est enclenchée, le thyristor s’amorce, c’est-à-dire que la ten- d’un phénomène d’hystérésis, le composant se désamorce. Dans
sion à ses bornes s’effondre et que l’évolution du courant d’anode ce contexte, le courant de déclenchement IGT possède un coeffi-
est dictée par l’environnement du composant. cient de température négatif d’environ –5 %/°C.
Il faut cependant que l’amplitude de l’impulsion de courant de Pour toutes ces raisons, afin de garantir la conduction sur la
gâchette ainsi que sa durée soient suffisantes. En effet, pendant la plage désirée, et en dehors des applications impulsionnelles
phase où le courant d’anode est inférieur à IL, on a un fonctionnement (décharges), on préfère généralement envoyer des trains d’impul-
linéaire et au courant IL correspond un courant de gâchette de sions de courant de gâchette sur cette plage.
déclenchement noté IGT (gate triggering). En outre, dynamiquement, Le tableau 1 donne, pour divers calibres de thyristors, des ordres
il faut injecter une quantité de charges suffisante, c’est pourquoi il de grandeur des courants de déclenchement de gâchette IGT.
existe aussi une durée minimale tGT d’injection dans la gâchette. Il
faut ensuite que le circuit environnant permette au courant d’anode Exemple de spécifications du thyristor ABB 5SYA1074-01
de dépasser IL pour obtenir l’amorçage, alors, dans ces conditions, (8 500 V – 3 660 A) [11] 
l’injection de courant de gâchette peut être arrêtée. Cette précaution
– courant de gâchette de déclenchement : à TJ = 25 °C, IGT-
est importante en cas de charge très inductive (par exemple, grada-
teur pour compensateur statique) et, dans le cas des redresseurs à max = 400 mA ;
commande de retard à l’amorçage débitant sur charge inductive – tension de gâchette de déclenchement : à TJ = 25 °C,
(compensateurs de puissance réactive par exemple), au démarrage et VGT = 2,6 V ;
en régime de conduction discontinue. En dehors de ces cas, la vitesse – courant de gâchette de non-déclenchement : à TJ = TJmax
de croissance de IA est déterminée par les inductances de commuta- (110 °C) VD = 0,4 VFRM IGDmax = 10 mA ;
tion (phénomène d’empiètement) généralement faibles. – tension de gâchette de non-déclenchement : à TJ = TJmax,
Notons que, comme le rendement d’émetteur α d’un transistor VD = 0,4 VFRM VGDmax = 0,3 V ;
possède un coefficient de température positif, le courant d’accro- – courant de maintien à TJ = 25 °C, IHmax = 300 mA et TJ = 110 °C,
chage IL sera d’autant plus faible (amorçage plus aisé) que la tem- IHmax = 150 mA ;
pérature sera élevé. Le coefficient de température du courant
d’accrochage est donc négatif. Ainsi, c’est à froid que l’amorçage – courant d’accrochage à TJ = 25 °C, ILmax = 2 A et TJ = 110 °C,
est le plus difficile. Bien que son évolution ne soit pas linéaire avec ILmax = 1,5 A.
la température, on peut dire qu’à −40 °C, IL est environ 2 fois plus IGM = 0,6 A, dIG/dt = 0,6 A/μs, tG = 20 μs
élevé qu’à 25 °C (généralement température de spécification) alors

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avec IGTmax valeur maximale (compte tenu des dispersions de courant d’anode atteigne la valeur IL d’accrochage. Le faible
caractéristiques) du courant de gâchette temps de montée ainsi que l’amplitude du pic très supérieure à
permettant l’amorçage, IGT sont nécessaires pour assurer un effondrement rapide de la
IGM amplitude du courant de gâchette, tension pendant la montée du courant (vitesse limitée par le cir-
cuit externe). En effet, tout particulièrement lorsque le courant
RA résistance d’anode, d’anode croît rapidement (tout en restant dans les limites impo-
RGK résistance entre grille et cathode, sées par le fabricant : dIA/dt maximal, ici 100 A/μs à 50 Hz, voire
tG durée de l’impulsion de gâchette, 1 000 A/μs à 1 Hz), il est nécessaire que le croisement « tension
anode cathode – courant d’anode » conduise à une dissipation
TJ température de jonction, d’énergie et un échauffement acceptables pour le composant.
VD tension de polarisation pendant l’amorçage (influe D’une façon générale, compte tenu des dispersions de caracté-
sensiblement sur l’amorçage), ristiques, des contraintes de température et d’échauffement tran-


VFRM tension directe répétitive maximale. sitoire, les fabricants préconisent une impulsion dont le temps de
montée est inférieur à 1 μs et possédant un pic d’amplitude envi-
ron 3 fois IGTmax. Précisons que cette valeur de IGTmax correspond,
Amorçages indésirables non pas à une valeur à ne pas dépasser, mais à l’amplitude du
courant de gâchette de déclenchement du moins sensible des thy-
Les variations brutales de tension aux bornes d’un thyristor, ristors d’une série, compte tenu des dispersions de caractéris-
lorsqu’il est en polarisation directe, produisent des courants tiques et pour une température donnée, 25 °C en général. À des
capacitifs internes susceptibles de l’amorcer. Le constructeur températures plus basses, la valeur de IGTMax sera encore plus
spécifie ainsi un dVAK/dt critique (dans l’exemple du thyristor élevée.
ABB précédent : 2 000 V/μs à 110 °C). Dans les thyristors sen- La figure 3 décrit un schéma de test d’amorçage : la résistance
sibles (ne nécessitant qu’une faible valeur de IGT), les risques de charge R permet de régler l’amplitude du courant final d’anode
d’amorçages incontrôlés par dV/dt sont plus élevés (plus après amorçage et l’inductance L permet d’ajuster sa pente à la
faible valeur du dVAK/dt critique). Pour immuniser les thyris- croissance (au départ : dIA/dt = U/L). On a représenté sur ce
tors contre ce phénomène, on peut, par construction, les schéma le conducteur de reprise de cathode dédié au circuit de
« désensibiliser », mais en contrepartie les valeurs d’IGT sont commande.
considérablement augmentées. Notons que c’est seulement
pour les petits calibres en courant que l’on rencontre la possi- La figure 4 montre, à l’amorçage, les formes d’onde idéalisées
bilité de choisir le compromis sensibilité à l’amorçage-sensibi- de la tension anode-cathode, du courant d’anode et du courant de
lité aux dV/dt. gâchette, dans trois situations typiques (amorçage réussi, amor-
çage destructif et amorçage manqué). Rappelons qu’avant que le
Rappelons qu’il existe une seconde cause d’amorçage indé-
courant d’anode IA n’atteigne le courant d’accrochage IL, il est par-
sirable provoquée par d’éventuelles surtensions directes
tiellement contrôlé par le courant de gâchette IG, ensuite, lorsque
(dépassement de la tension VFRM). Plus la température est éle-
la tension VAK s’est effondrée, c’est le circuit extérieur qui dicte
vée, plus le risque est important. Ainsi, la tension maximale
complètement son évolution (à la chute de tension du thyristor, à
répétitive directe VFRM que peut supporter un thyristor est
l’état passant, près).
spécifiée à la température maximale (125 °C souvent, voire
110 °C dans l’exemple retenu), valeur relativement basse par Les conditions d’un amorçage réussi sont représentées sur la
rapport aux autres CSCP à cause de ce problème. figure 4a.
La plupart du temps, des circuits « snubber » RC série En cas de dIA/dt supérieur à la valeur critique spécifiée par le
doivent être placés aux bornes des thyristors ou des triacs, fabricant (figure 4b), la puissance dissipée, très localement, est
d’une part, pour limiter les dV/dt (ils agissent alors avec les anormalement élevée car l’amorçage est localisé aux contours de
inductances de commutation) et, d’autre part, pour réduire les la jonction gâchette-cathode et l’expansion du plasma s’effectue à
surtensions de blocage dues au recouvrement inverse. une vitesse limitée à environ 0,1 mm/μs. Il en résulte des points
chauds et un endommagement irréversible voire une destruction
immédiate. Notons que la valeur critique du dIA/dt dépend des
1.1.2 Interprétation et exploitation caractéristiques d’amorçage, notamment du temps de montée de
de la caractéristique VG(IG) l’impulsion et de sa valeur crête IGM. Si les constructeurs préco-
nisent un temps de montée inférieur à 1 μs et une amplitude
Théoriquement, la caractéristique courant-tension de gâchette d’impulsion supérieure à 3 IGT, c’est pour que le thyristor sup-
(vers la cathode) devrait être celle d’une jonction PN. Pratique- porte sans risque le [dIA/dt]crit spécifié. Cette dernière valeur
ment, le procédé technologique de désensibilisation du thyristor dépend également de la technologie du thyristor et peut être amé-
contre les risques d’amorçage par dV/dt conduit à une dégrada- liorée (par le fabricant) grâce à une interdigitation plus poussée de
tion considérable de cette caractéristique. Le schéma équivalent la jonction gâchette-cathode, telle que l’on peut l’observer sur la
résultant est alors plutôt celui d’une faible résistance en parallèle photographie de la « puce » de 6 pouces de la figure 1.
sur une jonction. La technologie de fabrication (réalisation de Enfin, la figure 4c montre une situation d’amorçage manqué car
« courts-circuits de cathode ») conduit, en outre, à une importante le courant d’accrochage n’a pas été atteint à la fin de l’impulsion
dispersion des caractéristiques de gâchette, ce qui explique les de gâchette faute d’une impulsion suffisamment longue eu égard
deux courbes limites (haute et basse) du graphique de la figure 2. à la faible vitesse de montée du courant d’anode (circuit inductif).
Sur la caractéristique de gâchette (figure 2a), on remarque des Dans ce cas, le thyristor retourne à l’état bloqué.
hyperboles de puissance maximale dissipable dans la jonction Pratiquement, le courant de déclenchement IGT des gros thyris-
gâchette-cathode. Comme il s’agit de régime impulsionnel, tors (au-delà de 100 A) est spécifié pour une durée d’impulsion de
notamment du point de vue thermique, ces valeurs de puissance gâchette donnée tG sans que tGT ne soit spécifié en tant que tel.
dépendent de la durée des impulsions. Dans le cas des « petits » thyristors, la situation est sensiblement
Ici (figure 2b), le constructeur préconise (à 25 °C) des impul- différente car leur amorçage peut être relativement rapide (l’envi-
sions avec un pic initial d’environ 5 A à montée rapide (moins ronnement de puissance est souvent tel qu’il n’y a pas besoin de
d’une microseconde) et d’une durée de 10 à 20 μs, puis l’impul- limiter le dI/dt) et le comportement est plus dynamique. Autre-
sion d’amorçage proprement dite (amplitude 1,5 × IGT soit environ ment dit, le raisonnement sur le modèle à deux transistors est
600 mA à 25 °C) dont la durée est liée au temps requis pour que le insuffisant pour décrire un amorçage rapide, l’impulsion de

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IG [t] IGM ≈ 5A
VFG [V]
8 IGon ≥ 1.5 IGT
Taux de répétition f = 60 Hz 100 % IGM tr ≤ 1 μs
7 PG(RMS) = 3 W; tp > 10 ms 90 % tp(IGM) ≈ 10...20 μs
PG(RMS) = 7 W; 10 ms > tp > 1 ms
6 PG(RMS) = 20 W; tp < 1 ms
5
P
G(

IFGM
4 RM
S ) =2
PG

0W dIG/dt


P G(R

IGon
(R

3 S)
M

=7
M

2 = W
S)

3W 10 %
1
tr t
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 tp(IGM) tp(IGon)
IFG [A]
a caractéristiques d’amorçages b préconisation d’impulsion d’amorçage

Figure 2 – Exemple de caractéristiques d’amorçage d’un thyristor 8 500 V – 3 660 A (ABB 5SYA1074-01) et de préconisation d’impulsion
d’amorçage (d’après [11])

réduire tq et par conséquent d’atteindre des performances en fré-


quence plus intéressantes.

1.2 Thyristors à amorçage optique (LTT)


La commande des thyristors de très forte puissance passe sou-
vent par une interface opto-électronique qui permet de satisfaire
les contraintes d’isolement liées aux hautes tensions. Les LTT
(Light Triggered Thyristors), quant à eux, permettent d’être amor-
cés directement par une impulsion optique. En 2014, Infineon a
commercialisé un LTT 8 kV – 540 A (référence T533N80TOH),
nécessitant une impulsion lumineuse de 40 mW pour l’amorcer, et
Figure 3 – Schéma de spécification d’amorçage d’un thyristor principalement destiné aux compensateurs statiques de puissance
réactive. En 2015, c’est un LTT 7,5 kV – 6 250 A (figure 5) qui a été
présenté pour des transmissions HVDC [12]. Un raccordement par
gâchette doit véhiculer une charge suffisante et l’amplitude IGT fibre optique permet une commande directe par impulsion lumi-
dépend de la durée tG de l’impulsion. neuse. À l’autre extrémité de la fibre, c’est une diode laser qui
■ Extinction ou blocage effectue la conversion du signal électrique de commande. C’est
durant les années 1980 que cette technologie est arrivée à matu-
Comme nous l’avons dit précédemment, la commande ne per- rité avec, au début des années 1990, le franchissement des 10 kV
met pas d’agir sur le blocage, c’est grâce à l’action du circuit exté- de tenue en tension (12 kV, Mitsubishi). À leurs débuts, les LTT
rieur que le courant s’annule et que l’état bloqué peut être obtenu. souffraient d’une faible tenue en dV/dt et en dI/dt ; depuis,
Cependant, lorsque l’on considère le schéma à deux transistors d’importants progrès ont été faits pour atteindre les niveaux des
représentant le fonctionnement d’un thyristor, on pourrait penser thyristors conventionnels.
que l’extraction d’un courant de gâchette suffisant est capable
d’entraîner le blocage du transistor TK et par là même le blocage Exemple : LTT Infineon (T 2563 N80) 7,5 kV – 2,3 kA
de tout le thyristor. C’est le principe du thyristor GTO blocable par Impulsion minimale requise de 40 mW optiques avec un temps de
la gâchette (voir § 2). Mais cette méthode de blocage n’est viable montée de 0,5 μs, via une diode laser InGaAs/GaAs émettant à
que si la jonction gâchette-cathode possède une structure très 905 nm et capable de délivrer une puissance maximale de 4 W avec
interdigitée. Pour minimiser les phénomènes de second claquage un courant de 5 A (en régime impulsionnel).
pendant la remontée de la tension, il est également nécessaire
[dV/dt]crit = 2 000 V/μs, [dI/dt]crit = 5 000 A/μs.
d’accélérer, par construction (réglage de la durée de vie et implan-
tation de centres de recombinaisons), les recombinaisons dans
l’émetteur du transistor TA dont on aurait annulé le courant de Ces dispositifs sont réservés aux applications de très forte puis-
sance pouvant nécessiter la mise en série de plusieurs thyristors
base.
de forte tension de claquage, comme pour le transport d’énergie
Avant l’apparition du thyristor GTO, on avait déjà compris en courant continu haute tension (liaison 100 kV et plus). L’isola-
qu’extraire un courant négatif de gâchette au blocage permettait tion optique, insensible aux champs magnétiques parasites, aug-
une amélioration des performances, notamment une réduction de mente considérablement l’immunité du circuit de commande aux
tq. Cette méthode d’extraction de charges est parfois utilisée dans perturbations générées par les commutations des thyristors. Mais
les thyristors rapides (jonction gâchette-cathode interdigitée). Le certains fabricants (ABB) continuent à préférer les thyristors à
courant de gâchette négatif au blocage permet de fortement amorçage électrique pour ces mêmes gammes de puissance.

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amorçage réussi :

Figure 4 – Formes d’onde idéalisées pour mettre en évidence les conditions de bon amorçage d’un thyristor

C
r=0 R n+

p– p

n–

a photographie montrant le boîtier press-pack et la fibre optique de commande b structure interne du composant

Figure 5 – LTT 7,5 kV – 6,25 kA (Infineon) (d’après [13])

En contrepartie, la commande optique directe empêche tout diode BOD (Break Over Diode), intégrée au centre du thyristor
contrôle actif par le circuit de commande, notamment contre les comme cela est indiqué à la figure 6b et qui se charge de
surtensions apparaissant lors des mises en conduction non remettre en conduction le thyristor en cas de surtension. La ten-
simultanées des différents LTT connectés en série. Pour cette sion de claquage de la diode BOD intégrée doit être inférieure à
raison, les LTT peuvent intégrer une protection interne contre celle « théorique » du thyristor. Par exemple, un LTT spécifié
les surtensions qui se charge de mettre en conduction le thyris- pour tenir 7,5 kV intègre une diode BOD de 7,5 kV alors que la
tor lorsque la tension qu’il supporte dépasse une certaine fonction thyristor est dimensionnée pour supporter au moins
valeur. La protection contre les surtensions est réalisée par une 8 kV.

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Figure 6 – Symbole et schéma de principe d’un LTT intégrant


une diode BOD (break over diode) assurant la mise en conduction
Figure 8 – Définition des quadrants d’amorçage d’un triac R
et donc la protection du thyristor en cas de surtension anode-
cathode Pour répondre aux diverses exigences du marché, les fabricants
proposent différents compromis de conception :
Lorsque la tension aux bornes du LTT atteint la tension VBOD – des composants dits « sensibles » ou encore « logic level »
(VBOD = VRRM), la diode BOD passe en avalanche et met en dont les caractéristiques ont été optimisées pour minimiser le cou-
conduction le thyristor. rant de déclenchement IGT ;
Notons que cette protection, extrêmement utile à l’amorçage – des composants capables d’une bonne résistance aux dV/dt
de plusieurs LTT connectés en série, ne dispense pas du circuit (« high immunity » ou encore « snubberless ») permettant de
de protection du convertisseur contre les surtensions venant du réduire ou de se passer de circuits RC de protection ;
réseau. En effet, les thyristors ne doivent pas être mis en – des composants standards offrant un compromis entre les
conduction à l’occasion de ces surtensions, sans quoi ils occa- deux critères précédents.
sionneraient de dangereux dysfonctionnements du convertis-
seur. Le choix de la catégorie la mieux adaptée, pour une application
aux contraintes données, résulte d’un optimum économique fai-
sant intervenir les circuits de commande, le triac lui-même et son
1.3 Spécificités de commande des triacs circuit snubber RC.
Dans le cas des triacs sensibles (il en est d’ailleurs de même
Comme le montre la figure 7, la structure du triac comprend pour les thyristors sensibles), une résistance RGK, entre la
deux thyristors intégrés en montage tête-bêche [14] [15] mais gâchette et l’électrode MT1, est préconisée pour obtenir une endu-
une seule électrode de gâchette est sortie du côté de l’électrode rance suffisante aux dV/dt. En son absence, le courant de déclen-
de puissance notée A1 ou MT1 (MT = Main Terminal), parfois chement est encore plus faible mais la tenue en dV/dt est
également appelée COM (Common) puisque c’est l’électrode de généralement très insuffisante et peut requérir des circuits RC de
référence pour la commande. Cette structure va entraîner une limitation très surdimensionnés.
asymétrie de la commande et, notamment de la sensibilité à
l’amorçage. La figure 8 donne la définition des quadrants Avec les triacs sensibles et standards, l’amorçage est possible
d’amorçage du triac selon le signe de la tension V21 entre les dans les quadrants tels qu’ils sont définis à la figure 8. Mais les
deux électrodes principales MT2 et MT1 et le signe du courant triacs « snubberless » sont privés de l’amorçage dans le quadrant
de gâchette IG. Compte tenu de la structure présentée, il est clair IV, ils sont parfois appelés « triacs 3 quadrants ». Un amorçage
que l’amorçage le plus efficace est obtenu lorsque la tension V21 dans les quadrants I et III (signe du courant de gâchette identique
et le courant de gâchette sont tous deux positifs. à celui de la tension V21) est utilisé dans certains gradateurs éco-
nomiques à commande non isolée. La capacité de fonctionner
dans le quadrant IV peut permettre de simplifier les circuits
d’amorçage isolés en autorisant un courant de gâchette unidirec-
tionnel quel que soit le signe de V21.
Il existe également des variantes permettant de réduire les
besoins de protection en surtension ainsi que la commande, tels
que les ACS (AC Switch, 1999), commandables uniquement
dans les quadrants II et III, puis les ACST (AC Switch Trigger)
supportant également le quadrant I. Ces évolutions technolo-
giques, proposées par STMicroelectronics [16], permettent de
réduire encore les coûts et de maintenir une place pour ce com-
posant, en apparence rudimentaire, sur le marché de la conver-
sion d’énergie électrique.

Exemple
Une comparaison de spécifications de quelques triacs STMicroelec-
tronics, de mêmes calibres 4 A, montre les différents compromis de
conception dans le tableau 2.
La figure 9 montre un exemple de l’influence de la température sur
Figure 7 – Principe de la structure du triac, schéma fonctionnel les caractéristiques d’amorçage d’un triac T435 (snubberless) pour
équivalent et symbole les trois quadrants possibles.

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CARACTÉRISTIQUES DES COMPOSANTS À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE EN VUE DE LEUR COMMANDE ________________________________________

Tableau 2 – Comparaison des spécifications de triacs STM (calibre 4A)


IGT [mA]
Triacs et ACST
[A/ms]
4 A – 600 V et 800 V QI QII QIII QIV [V/μs]

T405Q-600 : sensible 5 5 5 10 10 1,8

T405 sensible 5 5 5 – 20 0,9 @ dV/dt = 10 V/μs

T410 standard 10 10 10 – 40 2 @ dV/dt = 10 V/μs


T435 « snubberless » 35 35 35 – 400 2,5 sans snubber

ACST410 (sensible) 10 10 10 – 500 2 @ dV/dt = 15 V/μs

ACST435 (high immunity) 35 35 35 – 1 000 5 sans snubber

Thyristor) qui ressemblent plus à de très gros transistors bipolaires


qu’à des thyristors. C’est pourquoi nous avons choisi de traiter leurs
IGT, VGT[Tj]/IGT, VGT[Tj = 25 °C]
3,0 commandes dans un même article.
Valeurs typiques Rappelons enfin que le transistor bipolaire a été évincé, non pas
IGT Q3 à cause de ses pertes (conduction et commutation) mais, principa-
2,5
lement à cause de la complexité de sa commande de base (stan-
dardisation de circuits dédiés quasi impossible), de la
2,0 consommation énergétique de cette dernière et, enfin, à cause du
IGT Q1-Q2
temps de stockage qui, même s’il n’introduit pas de pertes, accroît
1,5 les difficultés de contrôle du processus dans lequel le transistor
commute.
1,0 VGT Q1-Q2 -Q3
2.1 Transistors bipolaires de puissance
0,5
Tj[°C]
2.1.1 Structures des transistors et formes d’ondes
0,0 typiques
–40 –30 –20 –10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130
Au cours de ces vingt dernières années, les domaines d’applica-
tion des transistors bipolaires [17] [18] se sont considérablement
Figure 9 – Influence de la température sur les caractéristiques
d’amorçage d’un triac « snubberless » 4 A (STMicrolectronics réduits. Ils ne sont plus utilisés aujourd’hui que dans des applica-
T435T-600 4 A – 600 V) selon les quadrants tions très spécifiques dans lesquelles le critère économique est
prépondérant et lorsqu’une très faible chute de tension à l’état
passant est requise. La structure conventionnelle des transistors
bipolaires silicium est à jonction base-émetteur interdigitée. Des
2. Caractéristiques structures technologiques plus fines sont encore employées, on
peut notamment retenir les structures verticales à doigts d’émet-
des transistors bipolaires teur perforés (figure 10) utilisées aujourd’hui pour l’obtention de
transistors à faibles VCESAT ou de structures multicellulaires [19]
et thyristors blocables [20].
Le faible gain du transistor bipolaire, dans le cas d’une tension
(GTO) en vue de leur de claquage élevée, a généralisé en haute tension l’emploi de dar-
commande lingtons intégrant deux, voire dans le passé trois (triple darling-
ton) ou quatre transistors, selon les dispositions de la figure 11.
Aujourd’hui on trouve encore quelques fabricants proposant des
Les premiers transistors de puissance étaient bipolaires, leur darlingtons par exemple pour l’allumage électronique dans des
maturité technologique fut atteinte à la fin des années 1970, lorsque applications automobiles ou la maintenance de convertisseurs.
le niveau de compréhension de leur comportement complexe per- Sur la figure 11a, les résistances R1 et R2 servent à réaliser une
mit de les améliorer sensiblement. Jusque là, ils se partageaient, polarisation négative des jonctions base-émetteur des deux tran-
avec les thyristors, le marché des composants à semi-conducteurs sistors à l’état bloqué. Dans le montage de plus forte puissance
de puissance. Puis, progressivement et successivement, les MOS- (figure 11b), on remarquera une électrode supplémentaire pour
FET et les IGBT les détrônèrent de leurs domaines d’applications. Au pouvoir extraire un courant, directement de la base du transistor
début du XXIe siècle, ils n’occupent plus que quelques niches. En de plus forte tenue en courant.
particulier, on les rencontre dans des applications « grand public » Les figures 12 et 13 montrent respectivement les formes
telles les ballasts électroniques pour l’alimentation de tubes fluores- d’ondes typiques en commutation d’un transistor bipolaire de
cents ou halogènes, ou encore dans les afficheurs cathodiques (TV, puissance ainsi que le trajet de son point de fonctionnement
moniteurs vidéo), eux-mêmes en déclin. Il pourrait donc sembler dans le plan (IC, VCE) lors des commutations d’amorçage et de
inutile de les traiter en détail. Mais en fait, nombre des problèmes blocage. Ce dernier revêt une importance tout à fait particulière
qu’ils soulèvent se retrouvent dans les thyristors GTO (Gate turn-Off dans le cas du transistor bipolaire car il doit s’inscrire à l’inté-

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D 3 231v2 – 8

TV
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MOSFET et IGBT : circuits


de commande, sécurisation
et protection du composant
à semi-conducteur
par Nicolas GINOT R
Professeur des Universités
Laboratoire IETR (Institut d’Électronique et de Télécommunications de Rennes)
IUT de Nantes, Nantes, France
Christophe BATARD
Maitre de Conférences HDR (Habilité à Diriger des Recherches)
Laboratoire IETR (Institut d’Électronique et de Télécommunications de Rennes)
IUT de Nantes, Nantes, France
et Philippe LAHAYE
Ingénieur d’études
ECA GROUP, Nantes, France

1. Du driver élémentaire au driver évolué .................................................... D 3 234 - 2


1.1 La fonction driver élémentaire................................................................... — 2
1.2 Les fonctions d’un driver évolué ............................................................... — 3
1.3 Produits industriels ..................................................................................... — 6
2. Transmission des ordres de commande................................................... — 6
2.1 Génération et transmission des impulsions d’amorçage et de blocage... — 7
2.2 Étage de sortie des commandes rapprochées ......................................... — 10
3. Mise en œuvre des fonctions de surveillance .......................................... — 15
3.1 Choix des tensions de référence................................................................ — 15
3.2 Méthodes de surveillance de la tension aux bornes du composant
de puissance................................................................................................ — 17
4. Mécanismes de protection associés ......................................................... — 20
4.1 Gestion de l’erreur ...................................................................................... — 20
4.2 Mise en œuvre du Soft Shut Down (SSD) ................................................ — 22
4.3 Structure à Active Clamping ...................................................................... — 26
5. Conclusion ................................................................................................... — 29
Pour en savoir plus .............................................................................................. Doc. D 3 234

et article s’intéresse aux circuits de commandes évoluées des composants


C de puissance de type MOSFET et IGBT sur silicium, communément
appelés « drivers » ou « gate drivers ». Après un bref rappel portant sur la
fonction élémentaire de commande rapprochée, l’article se focalise sur la
structure des drivers industriels en analysant en détail les fonctions évoluées
qu’ils renferment. L’approche proposée est très pragmatique et s’appuie sur de
multiples relevés expérimentaux permettant de comprendre en profondeur les
nombreux schémas électroniques des fonctions internes des drivers. Une
analyse structurelle permet d’en faire ressortir les principales fonctions, à
savoir la transmission des ordres de commande à travers une barrière d’isola-
tion galvanique et la protection des composants de puissance. Par la suite,
p。イオエゥッョ@Z@。ッエ@RPQW

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TW
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MOSFET ET IGBT : CIRCUITS DE COMMANDE, SÉCURISATION ET PROTECTION DU COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR _________________________________

seule la transmission des ordres de commande à base de transformateurs est


étudiée. Quatre schémas électroniques répondant à ces besoins sont analysés
en profondeur. Deux principaux étages de pilotage de la grille, fréquemment
mis en œuvre, sont étudiés. Le premier renferme deux MOSFET complémen-
taires et le second exploite un étage à transistors bipolaires de type push-pull.
Les avantages et inconvénients de ces deux structures sont discutés à travers
des mesures montrant en détail leurs mécanismes de fonctionnement. La deu-
xième partie de cet article concerne la mise en œuvre des fonctions de
surveillance et de protection des composants de puissance. Les auteurs
montrent clairement que l’isolation galvanique des ordres de commande ainsi
que la structure des étages de pilotage de la grille ont une incidence directe

R sur la mise en œuvre des mécanismes de protection internes aux drivers. Deux
structures électroniques assurant la détection du court-circuit franc dans une
cellule de commutation sont présentées. Cette surveillance de la croissance
rapide et anormale du courant s’appuie sur la mesure de la tension aux bornes
du composant de puissance. La détection d’un état de conduction ou d’une
commutation anormale déclenche différents mécanismes de protection. La
fonction de blocage en douceur du composant de puissance, appelée soft shut
down, est analysée pour les deux structures d’étage de pilotage de la grille
évoquées précédemment. L’implémentation de la variation de la résistance de
grille ou le contrôle de la durée du plateau de Miller par courant constant est
étudié. Enfin, en dernière partie, la protection du composant de puissance par
sa remise en conduction est abordée. L’implémentation de cette fonction,
appelée active clamping, est discutée pour l’étage de pilotage de la grille à
transistors bipolaires seulement.

1. Du driver élémentaire
au driver évolué Collecteur (C)
Drain (D)

1.1 La fonction driver élémentaire


Grille (G) Grille (G)
Pour commuter, les composants à semi-conducteur de puis-
sance nécessitent un circuit de commande alimenté en énergie
par une alimentation. Ces éléments sont regroupés dans une Source (S)
structure couramment appelée « driver » ou « gate driver ». Dans Émetteur (E)
la suite de cet article, et pour faciliter la lecture de cet article, seul
le terme driver sera employé.
Dans cette première partie, nous nous intéresserons à la fonc- Figure 1 – Composants MOSFET et IGBT
tion driver élémentaire sans y associer les fonctions secondaires
assurant, par exemple, l’intégrité du composant à semi-conduc-
teur. Cette partie est donc proposée dans le but de poser le pro- liaison drain-source ou collecteur-émetteur représente le chemin
blème lié à la fonction driver dans le contexte de l’électronique de de circulation du courant commuté. La fonction driver élémentaire
puissance. nécessite donc uniquement un accès aux connexions grille-source
Les convertisseurs statiques sont constitués de composants à ou grille-émetteur. Par la suite, l’article se focalisera sur le compo-
semi-conducteurs dont l’état de conduction dépend soit du contexte sant de type MOSFET. Comme évoqué plus haut, les schémas
électrique dans lequel ils sont connectés (composants dits à com- électroniques étudiés et les analyses proposées peuvent être pro-
mutations spontanées), soit de la commande qui leur est appliquée longés aux IGBT.
(composants dits commandés). Dans cette dernière famille, on peut
Le driver est l’interface entre les signaux de commande à bas
recenser, de manière non exhaustive, les composants nommés
niveau, issus de l’électronique de supervision, et la partie « éner-
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ou encore MOSFET (Metal
Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor). Ces deux catégories gie » du convertisseur statique. Ainsi, il lui est parfois confié l’iso-
de composants se distinguent dans leurs applications mais très peu lation galvanique afin de séparer électriquement ces deux parties.
dans les méthodes de pilotage et de surveillance. Les symboles et Ce choix dépend de l’application, des normes imposées (telle que
notations utilisés sont présentés à la figure 1. la EN 50178) et est très lié aux niveaux de tension mis en jeux et
aux risques de contacts directs ou indirects avec les utilisateurs.
Le pilotage des composants MOSFET et IGBT s’effectue en
contrôlant respectivement la tension VGS et VGE. En première
approximation, mais suffisante pour l’étude de la fonction driver, 1.1.1 Les structures non isolées
l’impédance vue entre la grille et la source ou entre la grille et
l’émetteur s’apparente à une capacité dont la valeur dépend de la Les structures non isolées sont nombreuses et largement discu-
tension qui lui est appliquée. Cette non-linéarité est largement dis- tées dans [D3233]. Pour les applications à très basse tension, com-
cutée dans les documentations techniques des composants. La patibles avec les niveaux électriques des circuits logiques CMOS

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TX
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_________________________________ MOSFET ET IGBT : CIRCUITS DE COMMANDE, SÉCURISATION ET PROTECTION DU COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR

ou TTL, et drainant des courants de l’ordre de quelques ampères,


un étage « buffer » est souvent suffisant. Cette structure impose
évidemment que le potentiel de la source du MOSFET soit fixe
(figure 2a).
Dans le cas des structures présentées à la figure 2a, il est néces-
saire que les sources des composants pilotés (ici des MOSFET)
soient connectées à un des deux potentiels de l’alimentation du
buffer. Dans le cas d’un MOSFET canal N le potentiel commun est
le potentiel bas de l’alimentation. Inversement, dans le cas d’un
MOSFET canal P, le potentiel commun correspond au potentiel
haut de l’alimentation.
Pour les applications nécessitant une cellule de commutation, le


Buffer
pilotage du composant dit « high side » est plus délicat. Des cir-
cuits intégrés dédiés assurent le décalage de niveau ainsi que l’ali-
mentation du secondaire du driver à l’aide d’une structure à
pompe de charge (figure 2b).

1.1.2 Nécessité d’une isolation galvanique


Au delà de quelques centaines de volts, une barrière d’isolation
galvanique entre le primaire et le secondaire du driver est très fré-
quente. Comme évoqué précédemment, les contraintes norma-
tives imposent un niveau d’isolement fonctionnel mais aussi
sécuritaire pour les utilisateurs. Cette barrière d’isolement
s’applique tant à l’alimentation du driver qu’à l’électronique per- Buffer
mettant le transfert des ordres de commande du primaire au
secondaire du driver. Pour ce dernier cas, l’isolation par opto- a commande de composants à semi-conducteur à l’aide
coupleur, fibre optique ou transformateur d’impulsions est cou- d’un « buffer »
ramment implantée. La figure 3a montre une commande
élémentaire isolée par transformateur.
L’isolation galvanique est nécessaire sur des structures en bras
de pont, par exemple onduleur monophasé ou triphasé, pont en
« H », structures multiniveaux….
La structure d’alimentation isolée galvaniquement présentée à Vcc Vb
la figure 3b est fréquemment utilisée. Bien que cette structure ne
semble, à priori, pas respecter les règles élémentaires d’inter- Vin HO
connexion des sources, il est possible de l’exploiter pour de très
IR2184

faibles puissances de l’ordre de quelques watts. Son principal SD Vs


atout, outre sa simplicité, est la faible dépendance de sa tension 0V LO
de sortie au courant débité. Nous n’exposerons pas plus en détail
le fonctionnement de cette structure.
Pompe de charge et
En plus de l’isolation galvanique, d’autres fonctions sont égale- level-shifter
ment implémentées dans les drivers dits évolués. Le paragraphe
suivant est consacré à la présentation détaillée de ces fonctions.
b commande d’une cellule de commutation avec une structure à
« level shifter » et pompe de charge
1.2 Les fonctions d’un driver évolué
Figure 2 – Différentes structures non isolées de commande de com-
1.2.1 Surveillances aux secondaires posants à semi-conducteur
et mécanismes de protection
Pour maintenir une sureté optimale de fonctionnement des
convertisseurs, il est indispensable de mettre en œuvre des fonc-
tions de surveillance et de protection rapides et efficaces des com- 1.2.2 Structure d’un driver évolué
posants de puissance. Les principales fonctions sont la protection
contre les courts-circuits, la protection contre les températures Le synoptique d’un driver évolué est illustré à la figure 4a. Ce
excessives et la surveillance des tensions d’alimentation internes driver permet la commande d’un seul MOSFET (ou IGBT) dans
au driver. Les fonctions de protection sont indépendantes de une cellule de commutation de type hacheur unidirectionnel en
l’unité centrale qui gère la commande de composants de puis- courant et en tension ou la commande de deux MOSFET (ou
sance en fonctionnement normal. Ces fonctions de protection sont IGBT) dans un bras d’onduleur.
donc localisées au plus près des commandes de grilles des com- Le driver est constitué de trois principaux blocs isolés galvani-
posants. De plus, lorsqu’un défaut sur un composant est constaté, quement :
une information appelée « erreur driver » doit être envoyée à – les deux premiers blocs, appelés « étage secondaire haut » et
l’unité centrale afin que celle-ci puisse prendre les mesures adé- « étage secondaire bas », constituent les commandes rapprochées
quates concernant la commande des autres composants. des MOSFET (ou IGBT) et sont à proximité des jonctions grille-
Ces différentes fonctions de surveillance et de protection seront source. Ils fournissent les signaux de commande des composants
détaillées aux paragraphes 3 et 4. de puissance et assurent leurs protections ;

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MOSFET ET IGBT : CIRCUITS DE COMMANDE, SÉCURISATION ET PROTECTION DU COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR _________________________________

Isolation


galvanique

a commande élémentaire par transformateur

Primaire Secondaire VP

Q
Vcc

Osc. GND
COM
ref.
Q\

GND
VN
Isolation
galvanique

b structure d’alimentation très répandue pour les drivers

Figure 3 –  Exemples de structures isolées concernant la commande de composants de puissance et son alimentation en énergie

– le troisième bloc, appelé « étage primaire », effectue le lien des composants de puissance mais également l’énergie néces-
entre l’unité de gestion centrale et la commande rapprochée des saire à la commande des grilles.
composants de puissance.
L’isolation galvanique des signaux de commande peut être réa-
lisée par trois technologies distinctes : optocoupleur, transforma-
1.2.2.1 Isolation galvanique
teur d’impulsions ou fibre optique. Les principaux critères de
L’isolation galvanique entre les différents étages doit respecter choix sont la capacité de tenir la tension statique d’isolement, la
les normes relatives à l’application visée. On peut citer, par robustesse aux dv/dt et le coût. Dans la suite de cet article, seule
exemple, les normes EN 50178 et CEI 61800. Pour synthétiser, la solution à base de transformateur d’impulsions est développée.
l’isolation entre les étages primaires et les secondaires concerne Avec cette technologie, la transmission des ordres d’amorçage et
la sécurité des personnes et nécessite une protection dite double de blocage s’effectue classiquement par des impulsions positives
ou renforcée. Cela se traduit par une distance d’isolement solide ou négatives de quelques centaines de nanosecondes (100 à
minimale à respecter entre les étages primaire et secondaires. 500 ns) alors que la transmission d’une erreur driver est réalisée
L’isolation entre les deux étages secondaires est qualifiée d’isola- par une impulsion positive d’une durée plus longue (1 à 2 μs). Cet
tion fonctionnelle. Pour respecter le critère relatif aux lignes de aspect sera traité aux paragraphes 2.1 et 4.1.
fuite, un usinage entre les deux étages secondaires est générale-
ment réalisée dans le circuit imprimé. Cela se traduit par des L’alimentation en énergie permettant de commander le compo-
contraintes fortes de routage et de placement des composants sant de puissance est toujours réalisée à base de transformateurs.
constituant le driver. Côté primaire, un oscillateur fournit une tension alternative de
À titre d’exemple et pour un driver fonctionnant avec une cel- plusieurs centaines de kilohertz au transformateur. Côté secon-
lule de commutation alimentée en 1500V, la norme EN 50178 daire, on retrouve un pont redresseur suivi d’un étage de filtrage
impose : de la tension, avec parfois la mise en œuvre d’un régulateur. Cet
– un isolement solide double d’environ 250 μm de PCB en FR4 ; article ne s’intéresse pas à l’étude des structures d’alimentation.
– une distance d’isolement de 17 mm ;
– une ligne de fuite de 13 mm. 1.2.2.2 Étage primaire
L’isolation galvanique entre les étages primaire et secondaires Outre l’oscillateur intégré au(x) primaire(s) des transformateurs
concerne la transmission des signaux d’amorçage et de blocage permettant de transférer l’énergie nécessaire à l’électronique des

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_________________________________ MOSFET ET IGBT : CIRCUITS DE COMMANDE, SÉCURISATION ET PROTECTION DU COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR

Étage secondaire haut : commande rapprochée du transistor haut (QPh)


Grille
Amplificateur QPh
Génération de l’impulsion Mise en forme de l’impulsion
de puissance
de commande de Th (écrêtage et mémorisation) Étage
de
Blocage en
Génération logique
Douceur
Pulse Erreur
Détection (SSD)
Logique Détection
INh d’erreur
+ mémo VPh VDS_h


(Single/HB) Alimentation
Pulse COMh Alimentation
voie haute Mesures
Erreur VNh
INb Dead time T

Pulses RAZ
Mode courtes

VPb VDS_b
Gestion
Détection Alimentation Mesures
Erreur des erreurs COMb Alimentation
+ mémo voie basse
VNb T
… Pulse Détection
Erreur Grille
d’erreur
Génération Amplificateur QPb
Pulse Erreur de puissance
Étage
Génération de l’impulsion de
Blocage en
de commande de Tb Mise en forme de l’impulsion logique
Douceur
(écrêtage et mémorisation) (SSD)
Vcc
Isolation
Alim. Oscillateur Étage secondaire bas : commande rapprochée du transistor bas (QPb)
GND galvanique

Étage primaire
a synoptique d’un driver évolué

Étage secondaire haut

Drain QPh

INh

De et vers INb Grille QPh


l’unité Source QPh
centrale Mode

Erreur
Grille QPb
Source QPb

Drain QPb
Isolation
Étage primaire Étage secondaire bas
galvanique

b exemple de réalisation

Figure 4 – Synoptique et exemple de réalisation d’un driver évolué

commandes rapprochées, l’étage primaire est constitué de plu- – les temps morts. Pour éviter les courts-circuits dans une cellule
sieurs blocs. Le bloc logique gère plusieurs fonctionnalités : de commutation de type de bras d’onduleur, la commande à
– la sécurité de la logique de commande. L’unité de gestion cen- l’amorçage du composant de puissance est retardée d’une durée
trale fournit les signaux INh et INb correspondant aux ordres appelée « temps mort » par rapport à la commande au blocage de
d’amorçage et de blocage des transistors haut et bas. Dans la l’autre composant de puissance. Selon le type de composant à
configuration indésirable (mais non improbable) où INb = INh = 1, semi-conducteur et l’application visée, le temps mort peut varier
ces deux ordres simultanés d’amorçage sont alors transformés en de quelques centaines de nanosecondes à quelques micro-
deux ordres de blocage afin d’éviter le court-circuit de bras ; secondes. Lorsqu’un seul composant de puissance est commandé

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MOSFET ET IGBT : CIRCUITS DE COMMANDE, SÉCURISATION ET PROTECTION DU COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR _________________________________

(exemple de la cellule de commutation type hacheur), cette fonc- puissance est appelé Soft Shut Down (SSD) et sera étudié au para-
tion est inhibée. À titre d’exemple, la note d’application d’Infineon graphe 4.2. Le bloc « Étage de logique » permet, en cas d’erreur,
(AN2007-04) donne l’équation : d’inhiber le signal de commande à l’amorçage du composant de
puissance et d’activer le SSD ;
(1) – la seconde action est l’envoi d’une information d’erreur au pri-
maire du driver. La gestion de ce signal d’erreur sera étudiée au
où Td_off_max est le maximal turn off delay time, Td_on_min est le paragraphe 4.1.
minimal turn off delay time, Tpdd_max est le maximal propagation
delay time of driver et Tpdd_min est le minimal propagation delay
time of driver ; 1.3 Produits industriels
– la suppression des impulsions courtes. Afin d’éviter l’interpré-
tation d’une impulsion parasite comme étant un ordre d’amorçage De nombreux produits industriels intègrent les fonctions évo-
ou de blocage ou pour empêcher de véhiculer des signaux de


luées présentées précédemment. Les tableaux 1, 2 et 3 indiquent
commande trop courts susceptibles de ne pas être interprétés par quelques marques répandues dans le domaine des drivers ainsi
l’électronique, un étage de conditionnement filtre les pulses indési- que leurs principales caractéristiques en termes de structure.
rables (cet étage est souvent nommé SPS pour Short Pulse Sup-
pression). Les différentes solutions technologiques de SPS ne
seront pas présentées dans cet article, cette fonction n’étant pas
toujours implémentée selon les fabricants et les modèles ;
– la gestion des impulsions d’erreur : si un problème est détecté
2. Transmission des ordres
par une des deux commandes rapprochées, une impulsion
d’erreur est envoyée d’un étage secondaire vers l’étage primaire.
de commande
Lorsqu’un message d’erreur a été identifié, le bloc « Logique »
envoie un ordre de blocage aux deux transistors haut et bas (mise Comme indiqué précédemment, seule l’isolation galvanique des
en sécurité de la cellule de commutation) ainsi qu’une information signaux de commande des composants à semi-conducteurs par
à l’unité centrale. Il est à noter qu’aucun driver massivement com- transformateurs sera considérée. Cela implique que les signaux
mercialisé ne permet d’indiquer le type d’erreur rencontré (sous- de commande sont à valeur moyenne nulle et que la forme
alimentation, court-circuit de bras…). Lorsque l’origine du pro-
blème a été traitée, un signal remise à zéro (RAZ) émis par le bloc
« Logique » désinhibe la mémorisation de l’erreur. Selon les dri-
vers utilisés la RAZ est soit effectuée par un signal extérieur, soit Tableau 1 – Types de composants pilotés
par un passage par zéro des pulses de commande pendant un et références de drivers
temps donné.
Comme indiqué précédemment, la transmission des ordres Types de composants
Marques Référence
d’amorçage et de blocage du primaire vers les secondaires pilotés
s’effectue à l’aide de pulses de quelques centaines de nanose-
condes. Cette fonction est assurée au primaire par le bloc intitulé SEMIKRON SKHI22 IGBT / MOSFET
« Génération de l’impulsion de commande ». La transmission des
ordres est abordée au paragraphe 2.1. INFINEON 2ED020I12 IGBT / MOSFET

1.2.2.3 Étage secondaire CREE PT62SCMD17 MOSFET SiC


On y trouve une alimentation fournissant l’énergie et les ten- POWER INT. 2SC0650P IGBT / MOSFET
sions de référence à toute l’électronique de commande, des blocs
servant à la transmission des ordres de commande ainsi que leur TEXAS ISO5810 IGBT / MOSFET
mise en œuvre et d’autres blocs constituant les fonctions de sur- INSTRUMENT
veillance et de protection rapide des composants de puissance.
En fonctionnement normal, le bloc « Étage de logique » est trans- AGILESWITCH EDEM3 MOSFET SiC
parent. Les impulsions de commande sont mises en forme et
mémorisées avant d’être amplifiées en puissance pour polariser cor-
rectement la jonction grille-source ou grille-émetteur du transistor.
Lorsqu’un problème est constaté sur un composant de puis- Tableau 2 – Types d’isolation électrique
sance, il faut réagir très rapidement (dans un temps inférieur à
10 μs pour les IGBT et MOSFET en technologie silicium) sans tou- Marques Référence Types d’isolation
tefois aggraver le problème détecté. Aussi, chaque commande
rapprochée dispose de systèmes permettant la mesure de diffé- SEMIKRON SKHI22 Transformateur
rents paramètres tels que la tension VDS à l’état passant, la valeur
des tensions d’alimentations, éventuellement la température du INFINEON 2ED020I12 Transformateur
dissipateur… Dès qu’une erreur est détectée, deux actions sont CoreLess
déclenchées en parallèle :
– la première action est un blocage immédiat du composant de CREE PT62SCMD17 Transformateur
puissance avec un mécanisme permettant le blocage en douceur
du composant. Par exemple, lorsqu’un court-circuit de bras POWER INT. 2SC0650P Transformateur
d’onduleur est constaté, il est impératif de bloquer rapidement, et
avec un di/dt maîtrisé, les composants de puissance du bras consi- TEXAS ISO5810 Capacitive
déré. En effet, à cause des différentes inductances parasites répar- INSTRUMENT
ties au sein de la cellule de commutation, le blocage du composant
de puissance, avec un fort di/dt entraîne une forte surtension AGILESWITCH EDEM3 Optocoupleur
((V = L dicc/dt) qui peut lui être préjudiciable. Le mécanisme qui et transformateur
permet de bloquer rapidement et en douceur le composant de

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D 3 234 – 6

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Ferrites doux pour l’électronique


de puissance

par Richard LEBOURGEOIS


Docteur de l’Institut national polytechnique de Grenoble
Ingénieur de l’École nationale supérieure d’électricité de Grenoble

Responsable des Études ferrites à Thales Research and Technology France

1. Propriétés physiques des ferrites........................................................ D 2 160 - 4


1.1 Structure cristallographique et compositions chimiques ........................ — 3
1.2 Propriétés électromagnétiques .................................................................. — 4
1.2.1 Polarisation magnétique à saturation ............................................... — 4
1.2.2 Température de Curie......................................................................... — 5
1.2.3 Magnétostriction................................................................................. — 5
1.2.4 Résistivité électrique .......................................................................... — 5
1.2.5 Permittivité diélectrique ..................................................................... — 5
1.2.6 Perméabilité magnétique ................................................................... — 7
1.2.7 Pertes dans les applications de puissance ....................................... — 8
1.3 Autres propriétés physiques....................................................................... — 9
2. Synthèse des ferrites .............................................................................. — 9
3. Choix du matériau et du format du noyau
en fonction de l’application .................................................................. — 10
3.1 Choix en fonction de la fréquence de fonctionnement ............................ — 10
3.2 Choix en fonction de la température de fonctionnement ........................ — 11
3.3 Choix en fonction de la puissance de fonctionnement ............................ — 12
3.4 Choix du format ........................................................................................... — 12
4. Les ferrites de manganèse-zinc et leurs applications ................... — 12
4.1 Ferrites Mn-Zn pour applications de puissance ........................................ — 13
4.2 Ferrites Mn-Zn pour applications de puissance à haute fréquence ........ — 13
4.3 Ferrites Mn-Zn haute perméabilité pour antiparasitage........................... — 14
5. Comparaison des ferrites spinelles Mn-Zn
avec les alliages métalliques doux nanocristallins ........................ — 15
6. Ferrites Ni-Zn-Cu à basse température de frittage
pour composants inductifs intégrés .................................................. — 16
7. Évolution future des ferrites doux pour l’électronique
de puissance.............................................................................................. — 17
Pour en savoir plus ........................................................................................... Doc. D 2 160

es ferrites sont des oxydes magnétiques présentant un magnétisme parti-


L culier appelé ferrimagnétisme. Louis Néel, prix Nobel de Physique en 1970,
a largement contribué à l’explication et à la compréhension de leurs propriétés.
Il existe deux grandes familles de ferrites industriels : les ferrites doux et les
ferrites durs que l’on trouve essentiellement à l’état polycristallin, sous forme
de céramique massive. Cette appellation tire son origine des premiers aimants
techniques qui étaient fabriqués à partir d’aciers au début du XX e siècle. En effet,
p。イオエゥッョ@Z@ヲ←カイゥ・イ@RPPU

le fer métallique, lorsqu’il contient des impuretés, comme par exemple des

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FERRITES DOUX POUR L’ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE _______________________________________________________________________________________

inclusions de carbone, présente à la fois un champ coercitif élevé et une dureté


mécanique importante ; lorsqu’il est pur, son champ coercitif est faible et sa
dureté mécanique diminue (matériau doux, traduction de l’anglais « soft
material »).
Les ferrites durs sont donc employés comme aimants permanents (cf.
article [1] des TI). Les ferrites doux sont utilisés comme noyaux magnétiques
faibles pertes pour la réalisation de transformateurs et d’inductances en élec-
tronique de puissance. Leur résistivité électrique élevée (> 1 Ω · m) et leur faible
coût de fabrication sont à l’origine des nombreuses applications industrielles de
ces matériaux. Leur polarisation magnétique à saturation Js est inférieure à
0,60 T donc plus faible que celle des métaux tels que le fer ou le cobalt. Les

R champs coercitifs les plus faibles sont proches de 10 A/m, donc 10 fois plus
grands que les alliages métalliques les plus doux. Malgré cela, leurs perfor-
mances à fréquence élevée (f > 100 kHz) sont nettement supérieures à celles de
tous les autres matériaux magnétiques.
Les ferrites doux regroupent trois familles de matériaux :
• La 1re famille est celle des ferrites spinelles de manganèse-zinc (Mn-Zn) uti-
lisés pour des fréquences allant de 10 kHz à 1 MHz. Ces matériaux sont princi-
palement utilisés dans les domaines de la conversion d’énergie ou le traitement
du signal. Leur résistivité électrique vaut typiquement 1 Ω · m.
• La 2e famille est celle des ferrites spinelles de nickel-zinc et de nickel-
zinc-cuivre utilisés entre 1 et 500 MHz. Leur résistivité électrique peut atteindre
10 8 Ω · m. Comme les ferrites Mn-Zn, ils sont utilisés pour la réalisation de
transformateurs ou d’inductances.
• Enfin, la 3 e famille est celle des ferrites dits « hyperfréquences » (0,1 à
100 GHz). On trouve dans ce groupe des ferrites de type spinelle et de type
grenat. Ils sont utilisés pour la réalisation de composants hyperfréquences spé-
cifiques tels que les circulateurs (ou isolateurs), les filtres accordables et les
déphaseurs (cf. article [2] des TI).
Si aujourd’hui les ferrites spinelles de manganèse-zinc constituent la plus
grande partie de la production mondiale des ferrites doux, il faut se rappeler
qu’avant l’avènement des alimentations à découpage et la montée en fréquence
des télécommunications, les ferrites « haute fréquence » de nickel-zinc étaient
les plus utilisés. L’industrie des ferrites doux évolue comme le monde de l’élec-
tronique et on peut penser que les années qui viennent verront encore des muta-
tions profondes dans ce secteur.
Outre leur bas coût de fabrication, le succès industriel des ferrites est dû aux
innombrables compositions chimiques qu’il est possible de réaliser et qui
conduisent à autant de propriétés magnétiques différentes. Pour chaque type
d’application (niveau de puissance, gamme de fréquence, gamme de tempéra-
ture...), il existe un matériau optimisé et son optimisation passe par une analyse
détaillée de son environnement électrique. Dans le paragraphe 5, nous tenterons
de situer les différentes variétés de ferrites doux par rapport aux autres types
de matériaux magnétiques utilisables en électronique de puissance, notamment
les alliages métalliques nanocristallins, sous forme de ruban enroulé.
Pour finir, il est bon de préciser que le nom « ferrite » désignant les oxydes
magnétiques est masculin et qu’il ne faut pas confondre avec la ferrite qui désigne
une variété allotropique du fer contenant des inclusions de carbone en faible
quantité.
(0)

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_______________________________________________________________________________________ FERRITES DOUX POUR L’ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE

Symboles et notations
Symbole Unités Désignation Valeur Formule
Champ d’anisotropie
Ha A · m–1 magnétocristalline
Hc A · m–1 Champ coercitif
Js T Polarisation magnétique à saturation Js = µ0 Ms
Constante d’anisotropie
K1 J· m–3 magnétocristalline du 1er ordre
Ms A · m–1 Aimantation à saturation
Pv
TC
W · m3
oC
Puissance dissipée volumique
Température de Curie

Épaisseur de peau ρ
δ m (ou profondeur de pénétration) ------------------------
π f µ0 µ ′
ε Permittivité initiale complexe relative ε ′ – j ε ′′
ε0 F· m–1 Permittivité absolue du vide (36π)–1 · 10–9
µ Perméabilité initiale complexe relative µ ′ – j µ ′′
µ0 H · m–1 Perméabilité du vide 4π · 10–7

µs Perméabilité initiale complexe statique µ (f = 0)


(à fréquence nulle)
ρ Ω·m Résistivité électrique
(0)

Gammes de fréquence
Gamme Symbole Fréquence Ondes
Moyennes fréquences MF 300 kHz à 3 MHz hectométriques
Hautes fréquences HF 3 MHz à 30 MHz décamétriques
Très hautes fréquences VHF 30 MHz à 90 MHz métriques
Ultra hautes fréquences UHF 300 MHz à 3 GHz décimétriques
Hyperfréquences, 300 MHz
UHF, SHF, EHF déci-centi-millimétriques
micro-ondes à 300 GHz

valents (Ti4+, Sn4+) pourvu que leurs rayons ioniques soient


1. Propriétés physiques compatibles avec le volume des sites interstitiels disponibles (sites
des ferrites tétraédriques A ou octaédriques B) et que l’électroneutralité soit
respectée. Citons pour les plus importants :
— les ferrites de manganèse-zinc :
1.1 Structure cristallographique Mnx Zny Fe2+z O4
et compositions chimiques avec x + y + z = 1
— les ferrites de nickel-zinc ou de nickel-zinc-cuivre :
Les ferrites sont des composés ioniques dont les principaux
constituants sont le fer trivalent et l’oxygène. Les ferrites doux uti- Nix Zny Cuz Fe2 O4
lisés pour leur perméabilité élevée et/ou leurs faibles pertes ont une avec x + y + z = 1.
structure cristallographique cubique, semblable à celle du spinelle
La masse volumique théorique, assimilée abusivement à la den-
MgAl2O4 .
sité par les céramistes, varie respectivement de 5 100 kg/m3 à
Les formules chimiques des ferrites de structure spinelle s’écri- 5 400 kg/m3 pour les ferrites Mn-Zn et Ni-Zn.
vent MeFe2O4 . Dans la structure la plus simple, Me représente un Les propriétés magnétiques des ferrites dépendent fortement
cation métallique divalent, le fer se trouvant dans un état trivalent. des ions métalliques situés dans les interstices mais également de
Les ferrites les plus intéressants pour les applications sont leur répartition. Pour préciser la position des différents cations, on
complexes et Me représente alors une association d’ions divalents écrit la formule chimique de la façon suivante :
(Mn2+, Ni2+, Zn2+, Fe2+, Co2+, Cu2+...), mais également des combi-
naisons d’ions monovalents (Li+), trivalents (Fe3+, Mn3+) voire tétra- [Me2+]1–∂ [Fe3+]1+∂ (Me2+)∂ (Fe3+)1–∂ O4

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FERRITES DOUX POUR L’ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE _______________________________________________________________________________________

Les ions entre crochets sont situés dans les sites octaédriques et tiques à raison d’un magnéton de Bohr par électron célibataire sur
les ions entre parenthèses sont situés dans les sites tétraédriques. la couche 3d. Parmi toutes les énergies à prendre en compte pour
Lorsque ∂ = 1, la structure spinelle est dite normale (cas de décrire un état d’équilibre, l’énergie d’échange est la plus impor-
MgAl2O4) et lorsque ∂ = 0, elle est dite inverse. La majorité des fer- tante. Dans les oxydes ferrimagnétiques, elle est du type indirect
rites de type spinelle utilisés dans les applications magnétiques pré- puisque les ions métalliques interagissent au travers du réseau
sente une structure proche de la structure inverse. d’ions oxygène : on appelle également ce type d’échange super-
Toutefois, le coefficient ∂ dépend des traitements thermiques échange. On montre que, dans ces cristaux, l’énergie d’échange est
appliqués au matériau. Il peut être compris entre 0 et 1, une répar- maximale entre les cations des sites A et ceux des sites B et qu’elle
tition équiprobable correspondant à ∂ = 1/3. Lorsque la structure est est négative de sorte que l’énergie la plus basse est obtenue pour
inverse, on trouve autant de Fe3+ en sites A qu’en sites B : c’est donc un alignement antiparallèle. Cela a conduit Louis Néel à postuler
le métal divalent qui détermine « l’état magnétique » du ferrite. que l’aimantation résultante totale est la différence de l’aimantation
du réseau A et du réseau B, postulat qui a été par la suite vérifié
Lorsqu’il n’y a pas d’ion porteur de moment magnétique en site A par un grand nombre d’expérimentateurs. Pour une structure


ou en site B, les interactions d’échange entre les deux sites sont nulles inverse dans laquelle on trouve autant de Fe3+ en site A qu’en site
et le magnétisme disparaît. C’est le cas du ferrite de zinc et du ferrite B, la contribution moyenne de cet ion à l’aimantation est nulle et
de cadmium qui sont des ferrites normaux paramagnétiques. Toute- le moment est déterminé par le cation divalent Me2+ occupant le
fois, lorsque le zinc ou le cadmium sont associés à des ions porteurs site octaédrique (voir tableau 1).
de moments magnétiques, non seulement la polarisation magnétique
résultante n’est pas nulle mais elle peut être réglée en fonction du Les ferrites mixtes contenant du zinc présentent des aimantations
rapport ions magnétiques/ions amagnétiques. Cette propriété fait que supérieures au ferrite simple correspondant, à condition de ne pas
les ferrites doux de structure spinelle les plus performants sont les dépasser une certaine quantité de zinc. L’ion Zn2+, qui n’est pas por-
ferrites mixtes de manganèse-zinc Mnx Zny Fe2+z O4 , de nickel-zinc teur de moment magnétique, se place en site tétraédrique, ce qui
Nix Zny Fe2O4 ou de nickel-zinc-cuivre Nix Zny Cuz Fe2O4 . dans un premier temps augmente la différence de l’aimantation
entre les deux sous-réseaux. Cela se produit jusqu’à une proportion
limite de zinc pour laquelle les interactions ne sont plus suffisantes
pour conserver les moments magnétiques des sous-réseaux
1.2 Propriétés électromagnétiques antiparallèles à la température considérée. Le tableau 2 illustre ceci
dans le cas des ferrites mixtes de nickel-zinc.
1.2.1 Polarisation magnétique à saturation Les maxima d’aimantation d’un grand nombre de ferrites mixtes
de composition Mex Zn1–x Fe2O4 sont obtenus pour x proche de 0,5.
La structure spinelle est constituée de cations métalliques répartis Le cas des ferrites de manganèse-zinc est plus complexe car le fer
dans des sites cristallographiques tétraédriques (sites A) et octa- et le manganèse peuvent se trouver à l’état 2+ et 3+, dans des sites
édriques (sites B). Ces cations sont porteurs de moments magné- octaédriques pour Fe2+ et tétraédriques pour Mn3+. (0)

Tableau 1 – Moment magnétique à saturation à 0 K en magnéton de Bohr ( ␮ B ) par unité de formule


pour les principaux ferrites simples à structure spinelle. Fe3O4 peut s’écrire également FeFe2O4 (magnétite)

Moment Moment
Moment calculé
Cations Cations magnétique magnétique Moment observé
Ferrite (Néel)
en site A en site B site A site B ( ␮B )
( ␮B )
( ␮B ) ( ␮B )

MnFe2O4 Fe3+/Mn2+ Mn2+/Fe3+ 5 5+5 5 4,6


Fe3O4 Fe3+ Fe2+/Fe3+ 5 4+5 4 4,1
CoFe2O4 Fe3+ Co2+/Fe3+ 5 3+5 3 3,7
NiFe2O4 Fe3+ Ni2+/Fe3+ 5 2+5 2 2,3
CuFe2O4 Fe3+ Cu2+/Fe3+ 5 1+5 1 1,3

(0)

Tableau 2 – Influence du taux de zinc sur la structure magnétique


et la polarisation magnétique à saturation des ferrites de nickel-zinc
Polarisation à saturation
Structure magnétique
Formule chimique x Zn/mole J s à 25 oC
à 25 oC
(T)

Ni0,2 Zn0,8 Fe2O4 0,8 paramagnétique ≈0


Ni0,5 Zn0,5 Fe2O4 0,5 ferrimagnétique 0,53

NiFe2O4 0 ferrimagnétique 0,33

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UV
Électronique de puissance : conversion et gestion
(Réf. Internet 42283)

1– Principes de conversion

2– Composants et dispositifs

3– Technologies d'interconnexion Réf. Internet page

Conditionnement des modules de puissance E3385 59

Modules et boîtiers de puissance (packaging) D3116 63

4– Architectures

5– Modulation et contrôle

6– Dissipation thermique

7– Applications

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Conditionnement des modules


de puissance
par Ludovic MÉNAGER
Docteur en Génie électrique de l’Institut national des sciences appliquées de Lyon
Bruno ALLARD
Professeur des universités à l’Institut national des sciences appliquées de Lyon
Chercheur à AMPERE / CNRS de Lyon
Vincent BLEY
Maître de conférences à l’université Paul Sabatier de Toulouse
Chercheur au LAPLACE / CNRS de Toulouse S
1. Puces semi-conductrices ...................................................................... E 3 385 - 2
1.1 Constitution ................................................................................................. — 2
1.2 Exemples de composants de puissance à grand gap.............................. — 3
2. Substrats.................................................................................................... — 3
2.1 Substrat métallique isolé............................................................................ — 3
2.2 Substrat céramique DCB ............................................................................ — 3
2.3 Substrat céramique brasé .......................................................................... — 5
3. Semelles..................................................................................................... — 5
3.1 Fonction ....................................................................................................... — 5
3.2 Matériaux utilisés pour les semelles ......................................................... — 5
4. Brasures ..................................................................................................... — 6
4.1 Brasures traditionnelles basse et haute température .............................. — 6
4.2 Brasures sans plomb basse et haute température................................... — 6
4.3 Modes de défaillance.................................................................................. — 7
5. Assemblage par poudre d’argent frittée à basse température .. — 8
5.1 Principe ........................................................................................................ — 8
5.2 Performances électriques et thermiques. Fiabilité................................... — 9
6. Connexions électriques ......................................................................... — 9
6.1 Connexions internes ................................................................................... — 9
6.2 Connexions externes .................................................................................. — 13
7. Encapsulant............................................................................................... — 13
7.1 Fonction ....................................................................................................... — 13
7.2 Procédé d’encapsulation ............................................................................ — 13
8. Gestion thermique .................................................................................. — 14
8.1 Origine de la chaleur et mécanismes de transfert de chaleur................. — 14
8.2 Systèmes de refroidissement .................................................................... — 15
9. Conclusion................................................................................................. — 16
Pour en savoir plus .......................................................................................... Doc. E 3 385

es modules de puissance sont très répandus dans les convertisseurs de puis-


L sance. Plusieurs fonctions électriques, telles qu’une cellule de commutation,
un interrupteur bidirectionnel en courant, un onduleur ou un pont redresseur,
sont assurées par les modules de puissance disponibles dans le commerce.
Un module de puissance est constitué de puces semi-conductrices qui sont
brasées sur un substrat céramique métallisé. Ce dernier intègre les pistes
conductrices et assure une isolation électrique entre les puces et le support sur
p。イオエゥッョ@Z@ュ。ゥ@RPQP

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est strictement interdite. – © Editions T.I. E 3 385 – 1

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CONDITIONNEMENT DES MODULES DE PUISSANCE _______________________________________________________________________________________

lequel le module de puissance est fixé. Le substrat céramique est ensuite fixé
sur une semelle qui assure le maintien mécanique de l’assemblage et le trans-
fert thermique vers la source froide. Les connexions électriques à l’intérieur du
module de puissance sont assurées par des fils de liaison, ou bonding. Enfin,
l’assemblage est mis en boîtier et encapsulé grâce à un gel silicone pour pro-
téger les constituants du module de puissance des agressions externes. Pour
maintenir la température de jonction des composants en dessous d’une valeur
critique pendant le cycle de fonctionnement, le module de puissance est fixé
sur un système de refroidissement en utilisant généralement une pâte
thermique.
Depuis le début des années 2000, dans de nombreux domaines tels que le
ferroviaire et l’avionique, un intérêt considérable est porté sur le développe-
ment de modules de puissance avec une densité de puissance élevée et
fonctionnant à haute température (supérieure à 200 °C). Pour répondre à ce
besoin, des améliorations sur le conditionnement (packaging) du module de


puissance sont à apporter notamment grâce à l’utilisation de nouvelles
technologies d’interconnexion alternatives aux fils de liaison (bonding) et
de nouveaux matériaux pouvant supporter des contraintes thermiques
élevées.
Dans cet article, les différents constituants d’un module de puissance
(puces semi-conductrices, substrats céramiques métallisés, semelles, bra-
sures, joints de poudre d’argent frittée à basse température, connexions
électriques, encapsulant et systèmes de refroidissement) sont présentés en
détail avec leurs procédés de mise en œuvre, leurs performances et leurs
limites. Des solutions technologiques pour l’augmentation de la densité de
puissance dans les modules de puissance et la haute température sont
notamment avancées.

1. Puces semi-conductrices cium (Si). Une couche de passivation recouvrant la face supé-
rieure de la puce permet de réduire les risques de rupture
diélectrique et de limiter les courants de fuite de surface de la
puce.
1.1 Constitution La limite théorique en température du silicium est de l’ordre de
Les puces semi-conductrices sont les éléments actifs d’un 150 °C pour des composants haute tension (tension de claquage
module de puissance (figure 1). Elles sont constituées, d’une d’environ 1 000 V), contre 250 °C environ pour des composants
part d’un matériau semi-conducteur dont l’épaisseur est de basse tension (tension de claquage inférieure à 100 V) (figure 2)
quelques centaines de micromètres, d’autre part de deux métal- [1]. Pour des tensions supérieures à 200 V et des températures au-
lisations de quelques micromètres d’épaisseur : une sur la face delà de 200 °C, l’utilisation de matériaux semi-conducteurs à large
arrière pour le report de la puce sur le substrat céramique bande interdite (grand gap), à savoir le carbure de silicium (SiC),
métallisé, et une sur la face supérieure où sont réalisées les le nitrure de gallium (GaN) ou le diamant, est donc nécessaire
connexions électriques (fils de bonding, rubans, solder bumps (figure 2). Le tableau 1 [2] [3] montre les propriétés physiques des
…). Le matériau semi-conducteur généralement utilisé est le sili- matériaux semi-conducteurs.

Connectique de commande

Puce Puce Gel silicone


Carte de commande
Fil de bonding Connectique de puissance
Boîtier
Puce Puce
Céramique
Métallisation
Brasure
Semelle

Figure 1 – Structure classique d’un module de puissance

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E 3 385 – 2 est strictement interdite. – © Editions T.I.

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_______________________________________________________________________________________ CONDITIONNEMENT DES MODULES DE PUISSANCE

Schottky verticales 600 V et des transistors MOSFET latéraux haute


Tableau 1 – Propriétés physiques des matériaux tension (940 V) sont des exemples de composants de puissance en
semi-conducteurs à 25 °C [2] [3] nitrure de gallium développés en laboratoire.
Conductivité Tenue Énergie Malgré leurs bonnes propriétés thermiques et électriques, les
Matériau thermique diélectrique de gap composants de puissance en diamant actuels [diodes Schottky
(W.m–1.K–1) (kV/cm) (eV) 2 500 V, transistors MISFET (Metal Insulator Semiconductor FET)
…] sont seulement des prototypes réalisés en laboratoire.
Si 150 200 1,1
SiC-3C 450 1 200 2,2
SiC-4H 450 2 000 3,26 2. Substrats
SiC-6H 450 2 400 3
Le substrat intègre les pistes conductrices et assure une isolation
GaN-3C 130 1 000 3,27
électrique entre les puces semi-conductrices et le support sur
GaN-2H 130 3 300 3,29 lequel le module de puissance est fixé. Il doit aussi favoriser
l’extraction des calories des puces vers le système de refroidisse-


diamant 2000 à 2200 5 600 5,45 ment. Enfin, son rôle d’un point de vue thermomécanique est
d’homogénéiser les coefficients de dilatation thermique (CTE) entre
la semelle et les puces. L’isolation électrique est assurée par des
diélectriques organiques ou des céramiques. Les différents subs-
trats utilisés dans les modules de puissance sont décrits ci-après.
Température (K)

SiC-4H
1 600
SiC-6H 2.1 Substrat métallique isolé
1 400 GaN Le Substrat Métallisé Isolé (SMI) est constitué d’un support
SiC-3C
métallique (0,5 à 3 mm), qui est recouvert d’une faible couche de
1 200 diélectrique (50 à 100 µm) et d’une couche de cuivre (35 à 240 µm).
Le support métallique en aluminium ou en cuivre joue le rôle de
1 000 semelle. Concernant le diélectrique, il peut être une résine verre
époxy pour des raisons économiques, une résine époxy chargée ou
800 un polyimide permettant d’atteindre des températures proches de
Si 200 °C. Malgré un procédé de mise œuvre simple et un coût accep-
JFET 1,8 KV - 350 °C
600 SOI 80 V COOLMOS table, le SMI est difficilement utilisable dans les environnements où
220 °C IGBT 1,2 KV - 175 °C les contraintes thermiques sont importantes. En effet, dans le cas
VDMOS
400 600 V - 200 °C de la résine époxy, une étude montre que ses propriétés sont
10 102 103 104 dégradées au-delà de 160 °C [5]. Par ailleurs, les solutions polyimi-
Tension de claquage (V) des, dont les températures d’utilisation sont proches de 200 °C, ont
des propriétés thermiques, électriques et mécaniques qui ne per-
Figure 2 – Tenue en tension de matériaux semi-conducteurs en fonc- mettent pas de les utiliser dans des environnements sévères.
tion de la température d’emballement thermique (données internes
du laboratoire AMPERE)
2.2 Substrat céramique DCB
Le substrat DCB (Direct Copper Bonding), très répandu dans les
1.2 Exemples de composants modules de puissance, est constitué d’une céramique [alumine poly-
de puissance à grand gap cristalline (Al2O3) à 96 ou 99 %, nitrure d’aluminium (AlN) ou oxyde
de béryllium (BeO)] sur laquelle est déposée sur les deux faces une
Concernant les composants de puissance en carbure de silicium, métallisation en cuivre. L’épaisseur standard est de 635 µm pour la
des diodes Schottky haute température (600 V et 1 200 V) et des céramique et 300 µm pour la métallisation en cuivre. Le tableau 2
transistors JFET (J u n c tion Field Effect Transistor) haute température [2] présente les propriétés physiques des céramiques isolantes.
sont disponibles actuellement dans le commerce. Les problèmes
rencontrés pour la mise en œuvre de wafers en carbure de silicium
présentant un taux de défauts encore trop important, ainsi que les Tableau 2 – Propriétés physiques des céramiques
difficultés de passivation et de tenue des oxydes, limitent toujours le isolantes à 25 °C [2]
développement de composants en carbure de silicium pour le
Matériau
domaine de la forte puissance. Toutefois, de nombreux prototypes Propriété
avec des grands calibres en tension et en courant, tels que des tran- Al2O3 AlN BeO
sistors MOSFET (Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor)
SiC 350 V – 10A et des diodes PIN (Positive Intrinsic Negative) haute CTE ...............................(ppm/°C) 7,5 à 8,1 4,2 à 5,2 6,8 à 7,5
tension de 4 à 8 kV, sont en cours de développement dans les labo- Conductivité 20 à 30 170 à 260 250
ratoires. Bien que le convertisseur tout carbure de silicium ne soit thermique ................(W.m–1.K–1)
pas encore commercialisé, des recherches menées sur ce thème
démontrent déjà le fort potentiel de cette solution pour les applica- Tension de claquage ... (kV/mm) 11 à 16 14 à 17 10 à 14
tions de puissance à haute température [4].
Module de Young............. (GPa) 300 à 400 300 à 310 300 à 350
Du fait des difficultés technologiques qu’il engendre, le nitrure
de gallium, pourtant répandu dans le secteur de la photonique, est Contrainte maximale 250 à 300 300 à 500 170 à 250
encore très peu utilisé dans les composants de puissance. Des diodes à la flexion.........................(MPa)

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CONDITIONNEMENT DES MODULES DE PUISSANCE _______________________________________________________________________________________

D’après les données qu’il présente, on constate que l’alumine a Afin de réduire les contraintes dans la céramique, différentes
une faible conductivité thermique, ce qui limite son utilisation à solutions sont possibles [6] [7] :
des applications de faible densité de puissance. Cependant, l’alu- – utilisation d’une céramique plus rigide telle que le nitrure de
mine par rapport aux autres céramiques est la moins onéreuse, ce silicium ;
qui la rend intéressante pour des applications où le facteur écono- – diminution de l’épaisseur des métallisations en cuivre et plus
mique est important. particulièrement celle de la face supérieure du substrat DCB ;
Concernant le nitrure d’aluminium, il a d’une part une bonne – remplacement de la métallisation en cuivre par l’aluminium,
conductivité thermique par rapport à l’alumine. D’autre part, son qui offre une limite d’élasticité plus faible et une plasticité plus
CTE proche de celui du silicium (4,2 ppm/°C) permet de réduire les marquée que le cuivre ;
contraintes thermomécaniques au niveau de la brasure utilisée – réalisation de déformations (dimples) qui permettent de
pour la fixation de la puce sur le substrat céramique métallisé. Les réduire localement l’épaisseur de la métallisation, en particulier
performances électriques, thermiques et mécaniques du nitrure dans la zone où les contraintes sont les plus élevées, en l’occur-
d’aluminium compensent le coût important des substrats DCB AlN rence aux bords des métallisations (figure 5) [6].
par rapport à celui des substrats DCB Al2O3, et permettent une uti-
lisation de celui-ci dans les applications haute température (supé-
rieure à 400 °C).
Malgré une conductivité thermique comparable à celle du nitrure


d’aluminium, le béryllium est très rarement utilisé pour des rai-
sons de toxicité lors de son usinage et d’un coût non négligeable Métallisation Cu
(dix fois supérieur à celui de l’alumine).
Le procédé de fabrication d’un substrat DCB Al2O3 est présenté
310 µm
sur la figure 3 [6]. La céramique Al2O3 est portée sous une atmo-
sphère pressurisée de dioxygène, à une température proche de la
fusion des films de cuivre (entre 1 065 et 1 080 °C), qui sont en
contact avec la céramique. Une liaison mécanique très forte entre
la céramique et les métallisations en cuivre est garantie en mettant
l’ensemble céramique – cuivre à une température proche de la
fusion du cuivre. Concernant la réalisation d’un substrat DCB AlN, Fracture
céramique
le procédé est identique à celui utilisé pour l’alumine, mais aupara- Céramique AIN
vant une étape d’oxydation du nitrure d’aluminium est nécessaire
pour créer la couche d’alumine permettant l’adhésion.
Durant des cyclages thermiques de grande amplitude, le subs- Figure 4 – Fracture d’une céramique AlN dans un substrat DCB [2]
trat DCB subit des contraintes thermomécaniques liées aux diffé-
rences de CTE entre les métallisations cuivre et la céramique. Au
cours du temps, la fatigue et le durcissement de la métallisation
cuivre entraînent le décollement du cuivre du substrat DCB. Ce
décollement engendre des contraintes dans la céramique se tradui-
sant par une fissuration de cette dernière (figure 4) [2].

Cuivre

Céramique

Cuivre
Oxyde de cuivre
a vue de dessus
O2 Céramique

Chauffage

Cuivre
État eutectique
du cuivre
Céramique

Diffusion de O2
et refroidissement
Cuivre

Céramique
b vue en coupe

Figure 3 – Procédé de fabrication d’un substrat DCB Al2O3 [6] Figure 5 – Substrat DCB avec des dimples [6]

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Modules et boîtiers de puissance


(packaging)
par Cyril BUTTAY
Docteur en génie électrique, ingénieur INSA de Lyon
Chargé de recherche au CNRS


1. Rôle du packaging.................................................................................... D 3 116 - 2
1.1 Tenue mécanique......................................................................................... — 2
1.2 Gestion thermique ....................................................................................... — 2
1.3 Connexions électriques ............................................................................... — 3
1.4 Isolation électrique interne et externe........................................................ — 3
2. Critères de choix d’un boîtier ............................................................... — 3
2.1 Fiabilité.......................................................................................................... — 3
2.2 Performances électriques ............................................................................ — 4
2.3 Performances thermiques ........................................................................... — 6
3. Types de boîtiers ...................................................................................... — 6
3.1 Composants discrets ................................................................................... — 7
3.2 Modules ........................................................................................................ — 8
4. Matériaux et fabrication......................................................................... — 8
4.1 Puce............................................................................................................... — 9
4.2 Brasures ........................................................................................................ — 9
4.3 Fils de bonding ............................................................................................. — 10
4.4 Substrat......................................................................................................... — 11
4.5 Semelle ......................................................................................................... — 13
4.6 Connectique.................................................................................................. — 14
4.7 Encapsulation ............................................................................................... — 15
5. Conception ................................................................................................. — 15
5.1 Dimensionnement électrique ...................................................................... — 15
5.2 Dimensionnement thermique ..................................................................... — 15
5.3 Effets couplés ............................................................................................... — 17
6. Évolutions futures .................................................................................... — 17
6.1 Nouvelles applications ................................................................................ — 17
6.2 Nouveaux matériaux ................................................................................... — 17
6.3 Nouveaux procédés ..................................................................................... — 17
6.4 Nouvelles structures .................................................................................... — 18
Pour en savoir plus ........................................................................................... Doc. D 3 116

es composants de puissance à semi-conducteurs ont fait leur apparition il y


L a maintenant plus de 50 ans. Durant cette période, leur technologie a extra-
ordinairement progressé, pour arriver à des niveaux proches dans certains cas
des limites théoriques du matériau : les densités de puissance manipulées
peuvent largement dépasser la centaine de watts par centimètre carré, et une
puce d’à peine plus d’un centimètre de côté peut supporter des tensions de
plusieurs kilovolts ou des courants de plus d’une centaine d’ampères.
Dans ces conditions, il apparaît que l’environnement rapproché de la puce de
puissance (son boîtier, ou dans un sens plus générique, son packaging) joue
un rôle primordial dans son fonctionnement. C’est en effet lui qui assure les
connexions électriques de la puce et l’évacuation de la chaleur qu’elle dissipe.
p。イオエゥッョ@Z@ュ。ゥ@RPQP

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MODULES ET BOÎTIERS DE PUISSANCE (PACKAGING) ______________________________________________________________________________________

Avec les excellentes performances des semi-conducteurs de puissance actuels,


il est courant que le boîtier constitue le principal facteur limitant du composant
dans son ensemble.
Cela peut sembler surprenant au premier abord : pourquoi un élément totale-
ment passif comme le boîtier, qui fait appel à des technologies a priori moins
avancées que la microélectronique, n’a-t-il pas fait autant de progrès que les
puces ? La réponse réside dans la multiplicité des fonctions du packaging. Ici,
peut-être plus qu’ailleurs, le travail de conception consiste à trouver un
compromis entre des impératifs souvent antinomiques : s’il est relativement
aisé de concevoir un boîtier efficace d’un point de vue thermique ou électrique,
ou encore de trouver une solution peu coûteuse, atteindre les trois objectifs à
la fois relève de la quadrature du cercle !
Pour assurer ses différents rôles, un boîtier doit ainsi faire appel à une multi-
tude d’éléments, de matériaux et de techniques divers. C’est ce que nous vous


présentons dans ce dossier.

1.2 Gestion Thermique


Tableau de sigles
La prise en compte de la gestion thermique d’un composant de
AMB Active Metal Brazes
puissance est primordiale puisque, dans la majorité des cas, c’est la
température de jonction des puces (et le calibre en tension) qui en
CMS composants montés en surface
délimite le domaine de fonctionnement (Safe Operating Area, SOA).
DBC Direct Bonded Copper La température maximale admissible par une puce en silicium
dépend de son calibre en tension (figure 1), et elle est habituel-
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor lement comprise entre 125 oC et 175 oC. Au-delà de cette limite, le
composant risque de devenir incontrôlable, entraînant sa
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect défaillance en court-circuit. Pour les composants de plus faible ten-
Transistor sion nominale (en théorie inférieure à 1 kV), la température maxi-
male est limitée par le boîtier, dont les matériaux et les procédés
SOA Safe Operating Area d’assemblage standard (notamment les brasures) ne supportent
que rarement des températures supérieures à 200 oC (figure 2).
SMI substrat métallique isolé

TLPB Transient Liquid Phase Bonding


Température de jonction (oC)

1. Rôle du packaging
1 000
Si la puce semi-conductrice constitue le « cœur » d’un
composant actif de puissance, celle-ci ne peut fonctionner indé-
pendamment de son boîtier ou, dans un sens plus large, de son
packaging. C’est ce packaging qui la protège et l’isole de son envi-
ronnement, évacue la chaleur qu’elle dissipe et fournit des termi-
naux de connexion avec le reste du circuit.
SOI 80 V
IGBT 1 200 V
1.1 Tenue mécanique IGBT 6 500 V
100
Le rôle premier du boîtier d’un composant de puissance est la 10 100 103 104
protection : les puces semi-conductrices sont en effet très Tenue en tension maximale (V)
sensibles à l’humidité, la poussière, et l’électricité statique Silicium
(notamment dans le cas de composants de type MOSFET et IGBT, Carbure de silicium 4H
à grille isolée). Cette protection est assurée mécaniquement par
une enceinte close (en matière plastique, céramique, ou métal) Les carrés correspondent à des composants existants
empêchant l’entrée de corps étrangers.
Le boîtier fournit également les moyens (vissage, clipsage) de Figure 1 – Évolution théorique de la température de jonction
que peut supporter un composant en fonction de son calibre
solidariser le composant au reste du système, le plus souvent à un en tension, pour les composants en silicium et en carbure
système de refroidissement. de silicium (doc. Laboratoire Ampère)

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______________________________________________________________________________________ MODULES ET BOÎTIERS DE PUISSANCE (PACKAGING)

300
2. Critères de choix
d’un boîtier
250
Température de jonction ( oC)

Toutes les solutions de packaging assurent les fonctions élé-


Limite du boîtier
200 mentaires listées dans le paragraphe 1. En revanche, toutes
Lim n’offrent pas des performances identiques. Le choix de son packa-
ite d
u si ging va donc avoir une influence primordiale sur le comportement
150 liciu
m final du composant.

100 Zone de fonctionnement nominal


2.1 Fiabilité
50
2.1.1 Mécanismes de défaillance


0
100 103 104 Sortir de la zone de sécurité du composant (figure 2) entraîne à
plus ou moins brève échéance sa destruction. Cependant, l’inverse
Tenue en tension maximale (V)
n’est pas vrai : demeurer à l’intérieur de cette Safe Operating Area
(SOA) n’assure pas une durée de vie infinie à notre composant. En
Figure 2 – Domaine d’utilisation des composants de puissance
en silicium suivant leur tenue en tension nominale effet, son fonctionnement normal active des mécanismes de
vieillissement et de fatigue thermomécanique qui, à long terme
(habituellement plusieurs milliers ou dizaines de milliers d’heures
Il faut en outre noter que les puces sont le siège d’une forte dis- de fonctionnement), entraînent eux aussi la défaillance du
sipation de chaleur, causée par les pertes en commutation et en composant.
conduction du composant [cf. [D 3 112] Semi-conducteurs de puis-
sance. Problèmes thermiques (partie 1)]. Des niveaux de pertes Le mécanisme élémentaire à l’origine de la fatigue thermoméca-
supérieurs à 100 W/cm2 de silicium sont courants. nique est décrit (figure 3). Lorsque deux matériaux ayant des coef-
ficients de dilatation différents sont associés, l’assemblage réagit
Le refroidissement d’un composant de puissance fait donc aux variations de température en se déformant (principe du
l’objet de toutes les attentions. Le boîtier doit fournir un chemin de bilame). L’interface entre les deux matériaux (l’un soumis à des
faible résistance thermique pour l’évacuation de la chaleur dissi- contraintes en compression, l’autre en traction) subit une
pée par la ou les puces qu’il contient. contrainte de cisaillement. C’est cette contrainte, répétée de nom-
breuses fois au cours de la vie de l’assemblage, qui cause la
fatigue puis la délamination de l’interface ou la fissuration d’une
1.3 Connexions électriques des couches.
Lorsque l’on observe la coupe d’un composant discret
Il s’agit là de la troisième fonction réalisée par le boîtier, qui (figure 4b) ou d’un module (figure 5b), on peut retrouver la struc-
consiste tout simplement à fournir un moyen (via des pattes, des ture de bilame à de nombreux endroits. Par exemple, dans le cas
cosses ou des terminaux avec ou sans vis) d’accéder aux élec- du module, on peut citer les interfaces :
trodes des puces. Ces connexions doivent être dimensionnées
pour avoir une influence aussi réduite que possible sur le – fil de bonding-puce ;
comportement électrique du composant : leur résistance doit être – puce-brasure ;
faible, de même que leur inductance et capacité parasites. Elles
– brasure-métallisation supérieure ;
doivent en outre offrir une tenue en tension suffisante, au moins
identique à celle des puces qu’elles alimentent. – métallisation supérieure-couche diélectrique ;
– couche diélectrique-métallisation inférieure ;
– métallisation inférieure-brasure ;
1.4 Isolation électrique interne – brasure-semelle.
et externe
Cette fonctionnalité prend des formes différentes suivant les
cas : Température de repos T1
– pour les composants discrets (une puce par boîtier), elle α1
consiste à isoler les terminaux et certaines parties du boîtier seule-
α1 > α2
ment. Les autres surfaces, notamment celles destinées au refroi-
dissement, sont reliées directement à l’un des potentiels de la α2
puce ; à charge pour l’utilisateur d’assurer l’isolation électrique
avec l’environnement. Il existe également des boîtiers offrant une Température T2 > T1
isolation complète (hormis les terminaux de sortie), mais ce n’est
pas le cas le plus fréquent car il se traduit par des performances Compression
thermiques dégradées ;
– pour la quasi-totalité des modules (plusieurs puces par boî-
tier), l’isolation complète (hors terminaux électriques) est par Traction Traction
contre la règle. La face arrière du module, destinée à recevoir un
dissipateur thermique, n’est reliée à aucun potentiel électrique Figure 3 – Assemblage de deux matériaux ayant des coefficients
interne. de dilatation ␣ différents

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MODULES ET BOÎTIERS DE PUISSANCE (PACKAGING) ______________________________________________________________________________________

a vue écorchée

Puce Fil de bonding Terminal électrique


(patte extérieure)
Encapsulant


Patte centrale

100 µm
Semelle Brasure
b vue en coupe
Figure 6 – Fissuration de la brasure entre la puce (couche supérieure)
Figure 4 – Boîtier discret TO220 montrant les connexions par fils et la métallisation du substrat (en bas) (doc. Université Nottingham)
de bondings pour les pattes extérieures, et la connexion directe
entre la patte centrale et la semelle

2.1.2 Augmentation de la durée de vie


Estimer la durée de vie d’un composant est un exercice
périlleux : nous avons vu que le cyclage thermique entraîne la
fatigue du packaging, mais ce cyclage dépend de l’environnement,
et n’est que très grossièrement prévisible. La température
ambiante (et donc la météo !), la puissance consommée, la qualité
du refroidissement, etc. vont avoir un effet sur le profil de tempé-
rature vu par le composant.
La solution courante pour faire face à ces incertitudes est de
considérer un « pire cas », dans lequel le cyclage de température
est maximal tout au long de la vie du composant. Une telle simplifi-
cation, qui mène probablement au surdimensionnement des struc-
tures, permet cependant de faire des comparaisons qualitatives lors
de la conception d’un boîtier pour faire les meilleurs choix.
Le concepteur d’un boîtier peut en effet jouer sur de nombreux
a vue écorchée paramètres pour en augmenter la robustesse vis-à-vis du cyclage.

Terminal électrique Exemple


Couvercle Puce Brasure supérieure
Métallisation Citons (cf. § 3 et 4 pour plus de détails) l’utilisation de matériaux
supérieure dont le coefficient de dilatation est proche des autres éléments du
Fil boîtier (semelle en composite aluminium-carbure de silicium plutôt
de bonding Couche Substrat
diélectrique qu’en cuivre) ou la modification des structures (substrat céramique
Gel plus épais, avec des métallisations plus fines, gravure de motifs spé-
Métallisation
diélectrique cifiques).
inférieure
Semelle Il est intéressant de noter que, bien souvent, les choix de
Brasure inférieure conception qui améliorent la fiabilité sont en complète opposition
b vue en coupe avec ceux offrant les meilleures performances électriques et ther-
miques. Il y a donc là une recherche de compromis global qui ne
se limite pas au choix performance/prix : même en y mettant les
Figure 5 – Module de puissance montrant les substrats DBC équipés
de leurs puces moyens financiers, il n’existe pas à l’heure actuelle de solution
offrant de bonnes performances dans tous les domaines
(électrique, thermique et fiabilité pour citer les principaux, aux-
quels on peut ajouter l’encombrement et le poids).
Notez que les interactions sont nombreuses, et que l’on ne peut
bien évidemment pas considérer que le comportement de chacune
de ces interfaces est indépendant des autres couches. 2.2 Performances électriques
Puisqu’il fournit le circuit de connexion entre ses terminaux
Exemple externes et la ou les puces, le boîtier a une influence sur les perfor-
On peut voir figure 6, une fissure se propageant au cœur de la bra- mances électriques : un circuit long va avoir une inductance et une
sure (et non pas à l’interface), causée par le cyclage thermique de résistance parasites importantes, et si les métallisations ont une
l’assemblage puce/brasure/substrat métallisé. surface importante, leur capacité parasite ne sera pas négligeable.

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Électronique de puissance : conversion et gestion
(Réf. Internet 42283)

1– Principes de conversion

2– Composants et dispositifs

3– Technologies d'interconnexion

4– Architectures Réf. Internet page

Convertisseurs continu-alternatif et alternatif-continu D3170 69

Hacheurs : fonctionnement E3964 71

Hacheurs : iltres, commutations et commande E3965 75

Alimentations continues stabilisées E380 79

5– Modulation et contrôle

6– Dissipation thermique

7– Applications

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Convertisseurs continu-alternatif
et alternatif-continu

par Henri FOCH


Professeur à l’Institut National Polytechnique de Toulouse
Directeur du LEEI (URA au CNRS)
Yvon CHÉRON
Responsable de l’Équipe de Recherche Convertisseurs Statiques
et Raphaël ARCHES
Bernard ESCAUT
Pierre MARTY
Michel METZ

Enseignants Chercheurs de l’Équipe de Recherche Convertisseurs Statiques

1. Commutateur de courant ou onduleur de tension ......................... D 3 170 - 2


2. Caractéristiques ....................................................................................... — 3

our adapter la forme et les caractéristiques de l’énergie électrique, et


P satisfaire ainsi à la très grande diversité des applications, la nécessité de
la conversion statique de l’énergie électrique a été mise en évidence dans
l’introduction générale aux articles consacrés à l’Électronique de puissance
[D 3 000]. Les grandes familles de convertisseurs sont rappelées sur la figure 1.
Outre les modes de conversion directs, apparaissent également, sur cette
figure, les modes de conversion indirects qui font appel à des associations de
convertisseurs directs.
p。イオエゥッョ@Z@ウ・ーエ・ュ「イ・@QYYS@M@d・イョゥ│イ・@カ。ャゥ、。エゥッョ@Z@ェオゥャャ・エ@RPQU

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Hacheurs : fonctionnement

par François BERNOT


Ingénieur de l’École supérieure d’électricité
Docteur en sciences pour l’ingénieur
Professeur des universités à l’École d’ingénieurs de Tours

1. Hacheur abaisseur à un quadrant........................................................ E 3 964 - 2


1.1 Analogie hydraulique .................................................................................. — 2
1.2 Étude avec des éléments idéaux ................................................................ — 2
1.3 Montage complet avec ses filtres d’entrée et de sortie............................ — 3
2. Hacheur élévateur à un quadrant ........................................................ — 3
2.1 Analogie hydraulique .................................................................................. — 3
2.2
3.
Étude du fonctionnement ...........................................................................
Hacheur réversible à deux quadrants.................................................


4
6 T
3.1 Construction de la structure ....................................................................... — 6
3.2 Quadrants de fonctionnement du hacheur................................................ — 7
3.3 Hacheur réversible connecté à un moteur à courant continu.................. — 7
4. Hacheur réversible à quatre quadrants.............................................. — 8
5. Autres structures de hacheurs............................................................. — 10
5.1 Hacheur de courant et hacheurs à stockage intermédiaire ...................... — 10
5.2 Hacheur asymétrique .................................................................................. — 11
5.3 Hacheur à stockage capacitif ...................................................................... — 11
5.4 Hacheurs isolés............................................................................................ — 11
5.5 Hacheurs résonants..................................................................................... — 13
5.6 Bilan .............................................................................................................. — 14
6. Conclusion ................................................................................................. — 15

récisons tout de suite que le terme hacheur représente la classe des conver-
P tisseurs continu/continu. Ils peuvent être modulés en MLI (modulation de
largeur d’impulsions) ou en MPI (modulation de position d’impulsions), en
anglais respectivement PWM (Pulse Width Modulation) et PPM (Pulse Position
Modulation).
D’un point de vue structurel, un onduleur MLI triphasé sera constitué de six
hacheurs simples continu/continu, regroupés en trois hacheurs réversibles du
même type. Il est donc important de bien comprendre le fonctionnement des
hacheurs, avant d’aborder celui des onduleurs traité dans un autre article.
Le hacheur est indispensable lorsque la source est continue (batterie, caté-
naire...). Mais il est aussi largement utilisé en robotique industrielle (alimenta-
tion secteur + redresseur), car sa fréquence de découpage élevée donne un
motovariateur à bande passante large.
L’article [E 3 964] a pour objet l’étude du fonctionnement des hacheurs abais-
seurs et élévateurs de tension à un quadrant, dont sera déduit le fonctionnement
du hacheur de tension réversible dans deux et quatre quadrants. Les autres
variantes de hacheurs sont abordées rapidement : à stockage intermédiaire, iso-
lés, résonants...
La modélisation fine des accessoires des structures rencontrées, ainsi que leur
commande font l’objet de l’art ic le [ E 3 9 6 5 ] .
p。イオエゥッョ@Z@ュ。ゥ@RPPR

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HACHEURS : FONCTIONNEMENT __________________________________________________________________________________________________________

1. Hacheur abaisseur
à un quadrant
Le schéma structurel du hacheur abaisseur à un quadrant est
donné sur la figure 1.
Ce hacheur utilise un couple transistor-diode (T1-D1 ), qui connecte
périodiquement la source de tension vers la charge inductive. L’éner-
gie transite de façon unidirectionnelle depuis la source de tension
vers la charge, comme l’indique le quadrant de fonctionnement
représenté dans le plan (V s , Is ) de la figure 1.
Vanne ouverte
Nous allons introduire notre étude par l’image d’un barrage
hydraulique, dont le fonctionnement rappelle celui de notre disposi-
tif. Cette analogie a ses limites, mais elle évoque correctement le
fonctionnement envisagé.

1.1 Analogie hydraulique

T Le barrage hydraulique représenté sur la figure 2 est composé


d’un réservoir supérieur qui accumule de l’énergie potentielle,
d’une conduite qui véhicule l’eau et d’une turbine qui produit de
l’énergie cinétique ; un alternateur pourrait ensuite transformer Vanne fermée
cette énergie en électricité.
Figure 3 – États successifs de la vanne

Is Nous avons « amélioré » ce dispositif en y incluant une vanne de


régulation du débit tout ou rien. Ce robinet à découpage contrôle
ainsi la puissance fournie, sans gaspiller l’énergie précieuse accu-
Énergie
mulée plus haut.
La figure 3 illustre le fonctionnement de ce hacheur hydraulique.
Lorsque la vanne est ouverte, l’eau transite directement dans la
T1 U Vs turbine. L’énergie cinétique reçue est alors égale, aux pertes de
charge près, à l’énergie potentielle fournie.
Is
U Si le clapet est maintenant coupé, la source se retrouve dans un
Source D1 état de puissance nulle, ainsi que la turbine. Mais les énergies ciné-
capacitive tiques de l’eau et de la roue doivent être maintenues, sous peine
Charge
Vs inductive d’un « coup de bélier » destructeur. C’est le rôle du clapet de
décharge (diode) qui autorise une circulation continue de l’eau.
Ainsi, la turbine reste en eau et ne cavite pas.
Si nous commutons régulièrement entre ces deux états, avec une
Figure 1 – Hacheur abaisseur à un quadrant périodicité inférieure aux constantes de temps du système, la tur-
bine verra un débit d’eau équivalent à celui qui aurait été obtenu
avec une vanne à ouverture progressive.

Barrage = source L’intérêt du découpage apparaît clairement ici, car le robinet pro-
de potentiel portionnel (vanne à ouverture progressive) est le siège d’une chute
de pression importante, donc d’une perte de rendement. Mais nous
pouvons aussi pondérer l’intérêt du découpage par la difficulté à fer-
mer et à ouvrir rapidement la vanne, ainsi que par l’énergie appelée
par ces manœuvres périodiques.

Eau = courant
électrique Clapet de décharge
de la turbine 1.2 Étude avec des éléments idéaux
Vanne de
régulation
tout ou rien Remplaçons chacun des éléments du convertisseur par son
homologue idéal. Le transistor et la diode sont des interrupteurs
Turbine = charge idéaux (chute de tension et temps de commutation nuls) et l’induc-
inductive tance de la charge est remplacée par une source de courant
réceptrice car les variations de courant y sont négligeables. Nous
Figure 2 – Analogie hydraulique obtenons alors le schéma de la figure 4.

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E 3 964 − 2 © Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique

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_________________________________________________________________________________________________________ HACHEURS : FONCTIONNEMENT

Vs
Charge inductive
T1 =
source de courant
Is U

U T1 on T1 off
Source D1
capacitive Vs
0 αT T Temps

Figure 4 – Hacheur abaisseur à un quadrant

U
U
De la même façon que pour le barrage, deux états distincts appa-
raissent dans le fonctionnement : Vs = U Vs = 0
— T1 est fermé et D1 est ouvert ;
— T1 est ouvert et D1 est fermé.
Dans le premier cas, la source de tension est connectée directe-
ment sur la charge, tandis que dans le deuxième cas, la source de Figure 5 – Fonctionnement du hacheur abaisseur à un quadrant


tension d’entrée est au repos et la charge ne reçoit pas d’énergie.
Nous vérifions que ces deux états respectent bien les règles de
topologie classiques, qui interdisent la connexion directe de deux
sources de même nature.
Nous retrouvons sur la figure 5 ces deux états stables du conver-
tisseur, α étant le rapport cyclique de conduction (toujours compris Inductance
T1
entre 0 et 1). =
Nous observons, comme pour le barrage, l’état de repos de la + Is filtre de sortie
charge, dont la tension est annulée durant la phase de non-conduc- U
tion de l’interrupteur. Capacité D1
+ inductance Charge
La diode est dite « diode de roue libre » car elle écoule le courant = filtre d'entrée Vs active
de sortie lorsque l’interrupteur est ouvert. ou non

Énergie
La meilleure image à ce sujet est celle de la roue libre d’une
bicyclette : si le cycliste pédale, il entraîne son vélo, mais s’il se
repose, la roue continue de tourner, tandis que son pédalier est Figure 6 – Hacheur abaisseur à un quadrant complet avec ses filtres
bloqué. L’absence de roue libre lui imposerait de pédaler en per-
manence.
Nous reconnaissons un filtre d’entrée de tension du second ordre,
Nous pouvons maintenant calculer la valeur moyenne de la ten- qui lisse le courant fourni par la source de tension d’entrée continue.
sion de sortie Vs , que nous noterons Vso. Elle vaut soit U (de 0 à αT) Son condensateur découple les inductances parasites de câblage et
soit 0 (de αT à T). En négligeant la durée des commutations, nous permet aux interrupteurs de voir une vraie source de tension dyna-
pouvons écrire : mique. L’inductance de sortie joue le rôle dual de filtre de courant du
premier ordre.
T αT
1 1
V so = ---
T ∫
0
V s ( t ) dt = ---
T ∫
0
U dt = α U (1)

Cette valeur est indépendante du courant de charge Is. Nous en


2. Hacheur élévateur
concluons que le convertisseur étudié se comporte vis-à-vis de sa
charge comme une source de tension variable, de valeur :
à un quadrant
Vs0 = αU (2)
Considérons le hacheur abaisseur à un quadrant, étudié dans le
Reprenons maintenant le schéma de base du convertisseur afin paragraphe 1, et formons son image au travers d’un miroir, comme
d’y introduire des éléments réels. le suggère la figure 7.
Nous obtenons une source d’entrée en courant et une source de
sortie en tension. Nous devons aussi permuter le transistor et la
diode afin de maintenir en entrée un élément commandable, qui
1.3 Montage complet avec ses filtres puisse contrôler l’énergie.
d’entrée et de sortie

La figure 6 présente les filtres utilisés le plus couramment. Nous


2.1 Analogie hydraulique
voyons que seuls des éléments réactifs ont été employés, alors que
des réseaux RC auraient pu convenir. La raison qui a guidé ces choix L’analogie de ce type de hacheur serait le bélier hydraulique,
est celle du rendement de conversion. décrit sur la figure 8.

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WT
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Hacheurs : filtres, commutations


et commande

par François BERNOT


Ingénieur de l’École Supérieure d’Électricité
Docteur en sciences pour l’ingénieur
Professeur des universités à l’école d’ingénieurs de Tours

1. Filtre de courant....................................................................................... E 3 965 - 2


1.1 Modélisation et valeurs instantanées des grandeurs............................... — 2
1.2 Réponse fréquentielle ................................................................................. — 2
1.3
1.4
1.5
Ondulation du courant de sortie ................................................................
Analyse spectrale.........................................................................................
Conclusion....................................................................................................



3
3
4

2. Filtre de tension ....................................................................................... — 4
2.1 Modélisation et valeurs instantanées des grandeurs............................... — 4
2.2 Réponse fréquentielle ................................................................................. — 4
2.3 Ondulation de la tension d’entrée.............................................................. — 5
2.4 Ondulation du courant d’entrée ................................................................. — 5
3. Commutation dans le hacheur abaisseur.......................................... — 6
3.1 Conditions de commutation des transistors et des diodes ..................... — 6
3.2 Commutation à l’ouverture du transistor .................................................. — 7
3.3 Commutation à la fermeture du transistor................................................ — 8
3.4 Circuits de protection .................................................................................. — 8
4. Modes de commande des hacheurs à deux quadrants.................. — 10
4.1 Commande complémentaire des bras....................................................... — 10
4.2 Séquences de fonctionnement................................................................... — 10
5. Modes de commande des hacheurs à quatre quadrants .............. — 10
5.1 Commande complémentaire des bras....................................................... — 10
5.2 Commande indépendante des interrupteurs ............................................ — 12

n premier article (E 3 964) concerne l’étude du fonctionnement des


U hacheurs abaisseurs et élévateurs de tension à un seul quadrant et celle du
fonctionnement des hacheurs réversibles à deux et à quatre quadrants.
Dans ce deuxième article, on s’intéresse aux filtres de courant et de tension de
ces hacheurs ainsi qu’à la commutation des interrupteurs et à la commande des
hacheurs réversibles à deux et à quatre quadrants. Cette approche technolo-
gique donnera au lecteur l’ensemble des connaissances nécessaires pour réa-
liser un hacheur.
p。イオエゥッョ@Z@。ッエ@RPPR

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WU
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HACHEURS : FILTRES, COMMUTATIONS ET COMMANDE _______________________________________________________________________________________

1. Filtre de courant Vs _ ac (t )
+ Is L

Considérons le hacheur abaisseur que nous avons étudié en +


[E 3 964, § 1 et figure 6]. Il comporte en sortie un filtre de courant.
L’analyse qui suit reste valable pour tous les autres convertisseurs, αU Vs R
qui réclament un filtre de courant en sortie. En adaptant notre rai-
sonnement qui suit, il est même possible d’étendre les résultats à un
filtre d’entrée en courant (hacheur élévateur). Dans toute cette par-
tie, nous négligerons l’influence du filtre d’entrée. Cela revient à α rapport cylindrique de conduction
considérer qu’il fournit une vraie source de tension au hacheur. U tension d'entrée (cf. [E 3964, figure 6])

Nous utiliserons dans nos calculs le théorème de superposition, Figure 1 – Filtre de sortie
qui nous permet de séparer l’étude des grandeurs, en celles de leurs
composantes continues et celles de leurs composantes alternatives.

Vs , Is
Mais avant de détailler ce filtre, il est très important de pré-
ciser qu’un des buts de l’inductance de lissage de sortie est de
rendre la conduction continue dans la charge. Cette condition
est indispensable à la récupération de l’énergie. Ce point se U Vs
transpose par dualité aux capacités de filtrage des hacheurs de T1 off
(1 – α) U Is


courant (fly-back, cuck, etc.). Vso = αU

αU
T1 on

1.1 Modélisation et valeurs instantanées 0 αT T Temps


des grandeurs
Figure 2 – Tension et courant de sortie réels

Redessinons le schéma équivalent du hacheur [E 3 964, figure 6]


associé à son filtre de sortie, en séparant les sources alternative et
continue (figure 1).
Transmittance Ts = Is /Vs

La figure 2 présente le chronogramme des courants et tension fc = R /(2πL) Fréquence de découpage


0
dans le filtre correspondant au hacheur de [E 3 964, figure 6].
Ce filtre lisse le courant de sortie ; il a comme paramètre d’entrée
la tension Vs et comme grandeur de sortie le courant Is. −1

L’analyse en régime continu se limitera à celle du réseau constitué Ts = 1/R


de la source continue Vso = αU et de la résistance R, tandis que
l’analyse en régime alternatif n’utilisera que la source alternative
Vs_ac(t) et l’inductance L.
L’étude du régime continu se résume à l’application de la loi

Is = (1/L) Vs (t ) dt

d’Ohm, sachant que si la charge est active (présence d’un moteur), fdec < fc
sa force électromotrice devra être prise en compte. La composante
Filtre
continue du courant voit une résistance pure ; elle donne alors : passe tout
Iso = Vso /R = αU/R (1)

La composante alternative Vs_ac(t) est la différence entre la valeur


instantanée de Vs(t) et sa valeur moyenne Vso, donnée en [E 3 964, fdec > fc
équation (1)] (figure 4).
Atténuation de
Nous en déduisons la formule (2) : – 20 dB/décade

V s_ac ( t ) = V s ( t ) – α U
Figure 3 – Réponse fréquentielle du filtre de sortie
= ( 1 – α )U pour 0 < t < α T (conduction du transistor) (2)
– αU pour α T < t < T (conduction de la diode)
Sa nature filtre passe-tout, aux fréquences faibles, justifie
l’approximation du régime continu, à condition que la résistance de
l’inductance soit négligeable.
1.2 Réponse fréquentielle
Pour l’étude du régime alternatif, nous supposerons que la fré-
quence de découpage fdec est suffisamment élevée pour se situer
Examinons la réponse fréquentielle du réseau inductance-charge dans la zone intégrateur (fdec > fc), définie par une pente normalisée
alimenté par la seule source Vs_ac(t). Nous nous trouvons en pré- de − 1. Cette caractéristique intégrale justifie concrètement la
sence d’un filtre passe-bas du premier ordre, de type RL, qui a la deuxième approximation, ainsi que l’assimilation de la charge à une
transmittance fréquentielle présentée sur la figure 3. source de courant.

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_______________________________________________________________________________________ HACHEURS : FILTRES, COMMUTATIONS ET COMMANDE

Vs_ac , Is_ac Pente : 1


∆Is_ac
– αU /L
Vs _ ac 0,8 2 kHz
(1 – α) U Is
0 T 0,6
Is_ac αT Temps
– αU 0,4
5 kHz
Pente : 10 kHz
(1 – α) U /L 0,2

0
Figure 4 – Composantes alternatives du courant et de la tension
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
α
Ces justifications nous permettent d’admettre la réponse suivante Figure 5 – Exemple de l’influence du rapport cyclique
du filtre vis-à-vis du régime alternatif : sur l’ondulation de courant à diverses fréquences de découpage
(2 kHz, 5 kHz, 10 kHz)
1
I s = ---
L ∫ V s ( t ) dt (3)

qui décrit une inductance.


0,8

Amplitude X
Précisons qu’une capacité peut être connectée en parallèle à la


résistance de charge afin d’obtenir une caractéristique du type
source de tension en sortie. Mais la présence de cette dernière induit 0,53
un risque de mise en résonance du filtre par le découpage.
0,27

1.3 Ondulation du courant de sortie 0


0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Appliquons la relation (3) au calcul de la composante alternative Harmonique n
du courant. La réponse intégrale des créneaux de tension de la
figure 2 donne un courant composé de portions de droites, de pen- Figure 6 – Spectre de Vs pour le rapport cyclique α = 0,7
tes respectives :

( 1 – α )U
dI s_ac ( t )
----------------------- pour 0 < t < αT 1
L
----------------------- = (4) 10
– αU

dt ------------- pour αT < t < T X
L n
n=1
Construisons sur la figure 4 les courbes correspondant à ces com-
posantes alternatives. 0,5

Les droites qui composent le courant sont raccordées lors des


transitions de la tension, aux instants 0, αT et T .
L’excursion du courant durant chaque créneau de tension
s’obtient par deux formules : 0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
α TV s_ac α
---------------------- pour 0 < t < α T (conduction du transistor)
∆I s_ac = L (5) Figure 7 – Évolution du spectre intégré de Vs , en fonction du
( 1 – α )TV s_ac rapport cyclique
------------------------------------ pour α T < t < T (conduction de la diode)
L
ce qui conduit heureusement à la même expression dans les deux
cas, soit : 1.4 Analyse spectrale
α ( 1 – α )U
∆I s_ac = --------------------------- (6) Les résultats précédents se retrouvent par une analyse du spectre
Lf dec
de la tension de sortie Vs.
Cette formule montre que la valeur de la résistance de charge n’a La figure 6 représente le spectre obtenu pour le rapport cyclique
pas d’influence sur l’ondulation de courant ; en effet, seuls les élé- α = 0,7.
ments réactifs interviennent dans les calculs.
La figure 5 présente l’évolution de cette ondulation en fonction du Nous voyons que l’amplitude des harmoniques décroît avec leur
rapport cyclique, pour plusieurs fréquences de découpage. rang. Il est possible de démontrer que ce spectre varie en fonction
du rapport cyclique, car la forme du signal correspondant change.
Nous voyons que l’ondulation est toujours maximale pour le rap-
port cyclique α = 0,5, et qu’une augmentation de la fréquence de La somme des amplitudes des harmoniques divisée par leur rang
découpage f dec permet de réduire la taille de l’inductance de lissage, (figure 7) représente la sollicitation du filtre intégrateur par la ten-
à ondulation égale. sion Vs.

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Alimentations continues stabilisées

par Bernard BOUTOUYRIE


Ingénieur de l’École supérieure d’électricité (Supélec)
Ancien président-directeur général de Coutant Électronique

1. Principes..................................................................................................... E 380 – 2
1.1 Alimentations à régulation série ................................................................ — 2
1.2 Alimentations à découpage ........................................................................ — 2
2. Bruit dans les alimentations à découpage........................................ — 4
2.1 Perturbations conduites par les conducteurs............................................ — 5
2.2
2.3
2.4
Perturbations conduites par le châssis ......................................................
Perturbations rayonnées à fréquences radio ............................................
Mesure du bruit ...........................................................................................



5
5
6

2.5 Forme d’onde de sortie ............................................................................... — 6
3. Normalisation des perturbations......................................................... — 6
3.1 Classes, réglementation et label ................................................................ — 6
3.2 Normes ......................................................................................................... — 6
4. MTBF et fiabilité ....................................................................................... — 7
4.1 MTBF calculé ou démontré......................................................................... — 7
4.2 Fiabilité ......................................................................................................... — 8
4.3 Composants limitant la fiabilité.................................................................. — 8
4.4 Nouvelles méthodes de tests et de vieillissement.................................... — 8
5. Rendement et refroidissement............................................................. — 8
5.1 Rendement et puissance dissipée.............................................................. — 8
5.2 Refroidissement........................................................................................... — 9
6. Applications .............................................................................................. — 10
6.1 Courant d’entrée .......................................................................................... — 10
6.2 Télérégulation (sense)................................................................................. — 10
6.3 Découplage .................................................................................................. — 10
6.4 Limitation de courant .................................................................................. — 10
6.5 Mise en parallèle.......................................................................................... — 11
6.6 Mise en redondance d’alimentations......................................................... — 11
6.7 Charge de batterie ....................................................................................... — 11
6.8 Utilisation avec charge inductive ............................................................... — 12
6.9 Correction du facteur de puissance (PFC) ................................................. — 12
6.10 Alimentations modulaires........................................................................... — 12
7. Quelques conseils .................................................................................... — 14
Pour en savoir plus........................................................................................... Doc. E 380

es alimentations destinées aux équipements électroniques, dans une gamme


L de puissance d’environ 10 W à 5 000 W, avec une entrée alternative (50 Hz à
400 Hz) ou continue et une ou plusieurs sorties continues inférieures à 200 V
environ font l’objet de cet article. Cela exclut des domaines très importants, tels
que :
— alimentations non interruptibles (UPS : uninterruptible power supply) ;
— alimentations haute tension ;
— onduleurs (entrée continue, sortie alternative) ;
— changeurs de fréquence ;
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ALIMENTATIONS CONTINUES STABILISÉES _________________________________________________________________________________________________

— alimentation de forte puissance ;


— chargeurs de batteries, etc.
Les problèmes techniques sont abordés dans les grandes lignes. Un accent
particulier est mis sur les paramètres intéressant l’utilisateur dans ses appli-
cations et sur les précautions à prendre pour éviter les problèmes les plus cou-
rants rencontrés dans les systèmes d’alimentations d’ensembles électroniques.
Je dois remercier très sincèrement la société Coutant-Lambda (groupe Invensys)
pour l’aide considérable qu’elle m’a apportée dans la rédaction de cet article, en
autorisant la reprise et la mise à jour des documents techniques.
En particulier, je remercie Daniel Pujol (directeur général Invensys Europe Sys-
tèmes d’énergie), Adam Rawicz-Szerbo (directeur général Coutant-Lambda) et
Robin Jeffery (directeur technique Coutant-Lambda) dont les conseils m’ont été
très précieux.

1. Principes
1.1 Alimentations à régulation série

Ventrée

Vsortie
Le circuit équivalent d’une alimentation linéaire est présenté
figure 1. La tension continue V entrée alimente un diviseur de tension
formé par R s et R c . La tension V sortie se trouve aux bornes de la
charge R c .
Généralement, R s est constituée par un transistor de puissance,
ce qui permet de maintenir automatiquement la tension V sortie Figure 2 – Régulation série
constante.
Le rendement est :
1.2 Alimentations à découpage
Rc
η = ------------------
- (1)
Rc + Rs
Les alimentations à découpage sont de plus en plus utilisées dans
Rc les systèmes actuels. Elles sont moins volumineuses que les ali-
V sortie = ------------------- V entrée (2) mentations linéaires. En effet, elles fonctionnent à des fréquences
Rc + Rs comprises entre 20 kHz et 1 MHz, au lieu de 50 Hz. De plus, la régu-
Si V entrée est très supérieure à V sortie , le rendement est très fai- lation a un meilleur rendement dans les alimentations à découpage
que dans les alimentations linéaires.
ble car R s dissipe une grande puissance. La tension du secteur est
redressée et filtrée. Un échantillon de V sortie est comparé à la ten- Nous avons vu précédemment que le régulateur linéaire consom-
sion de référence d’une diode Zener. mait sur le secteur plus de deux fois la puissance demandée, le sur-
plus de puissance étant dissipé en chaleur surtout par les transistors
Cette tension est amplifiée et utilisée pour contrôler le transistor de régulation. Dans les alimentations à découpage, le rendement
de puissance. Celui-ci maintient ainsi la tension de sortie constante. dépend du transistor de découpage.
Pour un tel circuit, on obtient un rendement : La conception de ces alimentations a été soigneusement étudiée
η = 50 % pour V entrée = 220 V – 10 % de façon à minimiser les pertes en tension ainsi que la puissance
consommée par le circuit de contrôle.
et η = 40 % pour V entrée = 220 V + 10 %
La figure 3 montre le principe de base des alimentations à décou-
Les alimentations à régulation série (figure 2), malgré leur faible page. La charge R c est alimentée par une tension découpée. La
rendement, sont toujours utilisées en raison de leur très bas niveau de valeur de la tension de sortie est déterminée par la largeur des cré-
bruit et d’ondulation résiduelle sur la sortie, et de leur très faible cou- neaux de la tension à découpage.
rant de fuite, ce qui les rend particulièrement adaptées aux applica- Si V entrée est constante, on a :
tions médicales, aux chaînes de mesures industrielles et aux systèmes
de tests automatiques utilisant des circuits analogiques sensibles. t
V sortie (moyen) = ----- V entrée (3)
T

avec t le temps pendant lequel la tension de découpage


Rs est non nulle,
+ T la période de découpage.
L’équation (3) suppose qu’il n’y ait pas de pertes (cas idéal) :
η = 100 % .
Ventrée Rc Vsortie

– Nous étudions par la suite les deux types d’alimentations à


découpage : le convertisseur de type Forward (§ 1.2.1) et le
convertisseur de type Flyback (§ 1.2.2).
Figure 1 – Schéma équivalent à une régulation série

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_________________________________________________________________________________________________ ALIMENTATIONS CONTINUES STABILISÉES

t
+

Ventrée Rc Vsortie


T

Figure 3 – Principe de l’alimentation à découpage

1.2.1 Convertisseur type Forward

Le convertisseur de type Forward (figure 4) fournit une ou plu- Figure 4 – Convertisseur Forward
sieurs tensions de sortie à partir d’une tension continue.
La tension d’entrée alternative est redressée par un pont de dio-
des et appliquée au travers du transformateur haute fréquence au
collecteur du transistor à découpage. Un échantillon de la tension
de sortie est prélevé aux bornes du pont diviseur et envoyé grâce à Module 1
un photocoupleur sur un régulateur de tension. Ce régulateur est
utilisé en comparateur de la tension de sortie et d’une tension de
référence. Il contrôle la largeur des créneaux du découpage.
Régulation

Vsortie 1
S’il y a plusieurs sorties (figure 5), le régulateur est placé sur la
sortie principale (habituellement 5 V). Les autres sorties sont
connectées sur le transformateur.
Ce système permet de maintenir constantes toutes les tensions de Module 2
sortie malgré les variations de tension d’entrée. Cependant, il peut y Régulation
avoir une chute de tension de sortie due aux variations de charge

Vsortie 2
dans les sorties auxiliaires. Ce phénomène, appelé cross régulation,
peut être éliminé en ajoutant un deuxième régulateur.
Il ne faut pas oublier que généralement, une charge trop faible sur la
sortie principale entraîne une mauvaise régulation sur toutes les sor-
ties. En effet, la valeur moyenne de la tension de découpage est trop Ventrée AC
Module 3
faible et l’énergie devient insuffisante pour réguler les sorties. Dans la
plupart des alimentations, on ajoute un circuit qui élimine ce défaut.

Vsortie 3
De plus, il faut éviter de débrancher une sortie secondaire car la
tension de pic apparaît en sortie. Celle-ci étant deux à trois fois plus
importante que la tension nominale, cela risque d’endommager les
capacités réservoir de sortie.
Contrôle
principale

1.2.2 Convertisseur type Flyback


Sortie

La figure 6 montre la grande différence entre le convertisseur de


type Forward et le convertisseur de type Flyback.
Isolement
Le sens des enroulements du primaire et du secondaire sont choi-
sis pour que le courant ne circule pas dans le secondaire quand
l’interrupteur est fermé. Quand on ouvre l’interrupteur, l’énergie Figure 5 – Convertisseur Forward multisortie
stockée dans le noyau du transformateur passe dans l’enroulement
secondaire. Le circuit de régulation en tension est placé sur la sortie
principale et est relié électriquement au circuit primaire. Les autres
sorties sont asservies à la tension de contrôle, éliminant ainsi la
chute de tension dans les diodes.

Vsortie
1.2.3 Avantages et inconvénients Ventrée AC

Contrôle
Le convertisseur Flyback prend du courant sur les capacités réser-
voir afin d’avoir une conduction continue. Il en résulte une tension
résiduelle de sortie supérieure à celle du convertisseur Forward. De
Les points noirs indiquent le sens de l'enroulement.
plus, la charge minimale pour une bonne régulation est plus grande
sur le Flyback, l’influence de l’effet cross regulation est plus impor-
tant. Figure 6 – Convertisseur Flyback

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XR
Électronique de puissance : conversion et gestion
(Réf. Internet 42283)

1– Principes de conversion

2– Composants et dispositifs

3– Technologies d'interconnexion

4– Architectures

5– Modulation et contrôle Réf. Internet page

Modulations MLI et MPI E3967 85

Stratégie et technique pour le pilotage en modulation des convertisseurs statiques E3969 87

6– Dissipation thermique

7– Applications

 Sur www.techniques-ingenieur.fr
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• Retrouvez la liste complète des ressources documentaires

XS

XT
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Modulations MLI et MPI

par François BERNOT


Ingénieur de l’École supérieure d’électricité
Docteur en sciences pour l’ingénieur
Professeur des universités à l’École d’ingénieurs de Tours

1. Modulation de largeur d’impulsions................................................... E 3 967 - 2


1.1 Définition ...................................................................................................... — 2
1.2 Modulation du rapport cyclique ................................................................. — 2
1.3 Analyse spectrale......................................................................................... — 2
1.4 Couplage à une charge réelle ..................................................................... — 3
2. Modulation de position d’impulsions................................................. — 4
2.1 Définitions .................................................................................................... — 4
2.2 Analyse spectrale......................................................................................... — 6


2.3 Modulation du rapport cyclique ................................................................. — 6
3. Conclusion ................................................................................................. — 7

ous avons démontré l’intérêt du découpage par rapport à la régulation pro-


N portionnelle dans l’article [E 3 958, § 1.1]. Cette notion implique une répé-
tition périodique des ordres d’amorçage et de blocage des interrupteurs, qui ne
peut être aléatoire. Nous allons examiner dans cet article les deux modulations
les plus courantes :
— la modulation de largeur d’impulsions (MLI) ;
— la modulation de position d’impulsions (MPI).
p。イオエゥッョ@Z@ュ。ゥ@RPPS

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MODULATIONS MLI ET MPI ______________________________________________________________________________________________________________

1. Modulation de largeur

Commande d'un
interrupteur
Largeur variable
d’impulsions on on
Position fixe
on
X0 off off off
0 αT T (1 + α) T 2T (2 + α) T
1.1 Définition Temps

Figure 1 – Modulation de largeur d’impulsions

La modulation de largeur d’impulsions consiste à appliquer


aux interrupteurs des créneaux de commande de largeur varia-
ble avec une périodicité constante. α = 0,5 ⫹ 0,48 sin (ω t ) X (t, 0,48)
1,2

La figure 1 introduit cette notion. 1

Avec ce type de modulation, le signal découpé par les interrup- 0,8 αmax = 0,48
teurs a une valeur moyenne 〈 X 〉 :
0,6
〈 X 〉 = α X0 (1) 0,5
0,4

avec α rapport cyclique, 0,2


X0 valeur de la source continue découpée. 0
Précisons que, en fonction des applications, l’expression qui défi-
– 0,2
nit le courant ou la tension peut prendre un forme légèrement diffé-


0 2 5 10 15 20
rente de celle donnée à la formule (1), comme par exemple :
t (s) ⫻ 10–3
〈 X 〉 = ( 1 ⁄ α )X 0
Figure 2 – Modulation sinusoïdale MLI
La figure 2 met en évidence la possibilité de faire varier le rapport
cyclique α dans le temps. Si cette variation est suffisamment lente,
nous pouvons formuler l’hypothèse du régime lentement variable Nous pouvons définir ici deux paramètres :
où la valeur moyenne du signal évolue lentement comme α. Le
grand intérêt de cette hypothèse est de permettre de traiter les pro-
• Indice de modulation : rapport entre les fréquences de
blèmes en décomposant l’étude en deux étapes :
découpage et de modulation.
— étude en basse fréquence en oubliant le découpage, au travers • Profondeur de modulation : amplitude du signal modulant.
de la valeur moyenne (hacheurs) ou du fondamental (onduleurs) ;
— étude en haute fréquence du découpage même (taux d’ondula-
tions, circuits de protection, filtres...). Ces notations ne sont évidemment valables que dans le cas d’une
modulation sinusoïdale ; elles seront donc surtout utiles dans
En se plaçant loin de la limite imposée par le théorème de Shan- l’étude des onduleurs et dans la définition de la bande passante des
non, l’ingénieur n’a plus besoin des outils complexes de la théorie hacheurs.
du signal. En reprenant la formule (2), et en l’appliquant à la figure 2, nous
voyons que :
— la profondeur de modulation est αmax = 0,48 ;
— l’indice de modulation est égal à 500 Hz/50 Hz = 10.
1.2 Modulation du rapport cyclique
La décomposition du signal MLI de la figure 1 en fonctions sinu-
soïdales montre que ce signal a un large spectre. La figure 3 donne
Cette modulation MLI présente l’intérêt de limiter l’étalement du sa répartition en fonction du rang des harmoniques pour une pro-
spectre fréquentiel vers le bas. Par exemple, un hacheur inséré dans fondeur de modulation égale à 0,1.
une boucle d’asservissement ne recevra jamais de consigne cons- Nous voyons que ce spectre ressemble à celui obtenu avec une
tante. Au contraire, cette dernière évoluera afin de compenser les modulation de fréquence en radiodiffusion. Le pic à 50 Hz
dérives du système ou de suivre la volonté de son organe de (harmonique 1) correspond au signal modulant, tandis que celui à
contrôle : la vitesse d’un bras de robot variera pour suivre la trajec- 500 Hz (harmonique 10) correspond à la porteuse. Des harmoniques
toire voulue. Nous allons donc examiner l’influence d’une variation suivent ensuite, qui sont tous les multiples de la porteuse. Les
périodique du rapport cyclique, la plus simple étant sinusoïdale. autres fréquences qui apparaissent sont des sous-produits de
modulation.
La figure 2 présente l’influence d’une modulation sinusoïdale. Le
signal MLI (dessiné en trait plein bleu sur la figure 2) est découpé à
500 Hz ; il est modulé par une sinusoïde à 50 Hz (en pointillés).
Le rapport cyclique suit donc la loi temporelle :
1.3 Analyse spectrale
α = 0,5 + αmax sin(ωt) (2)
La figure 4 présente une comparaison entre les spectres fréquen-
avec ω = 2πf = 2π × 50 Hz, tiels du signal précédent, pour une profondeur de modulation égale
à 0,1 puis à 0,48 ; elle est représentée en échelle logarithmique pour
αmax = 0,48. les fréquences.

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E 3 967 − 2 © Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique

XV
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Stratégie et technique
pour le pilotage en modulation
des convertisseurs statiques
par Paul-Étienne VIDAL
Enseignant chercheur – Maı̂tre de conférence – HDR,
Laboratoire Génie de Production, École Nationale d’Ingénieurs de Tarbes,
Université Fédérale Toulouse Midi Pyrénées,
Institut National Polytechnique de Toulouse, France

Baptiste TRAJIN
Enseignant chercheur – Maı̂tre de conférence,
École Nationale d’Ingénieurs de Tarbes, France

et Frédéric ROTELLA
Enseignant chercheur – Professeur des Universités,
École Nationale d’Ingénieurs de Tarbes, France

1. Modulation et convertisseur statique d’énergie électrique ... E 3 969 – 2


1.1 Convertisseurs statiques considérés ................................................. — 2
1.2 Expression du modèle linéaire d’une cellule de commutation ........ — 3
1.3 Principe de la modulation .................................................................. — 4
1.3.1 Quelques éléments pour la définition de la modulation ....... — 4
1.3.2 Technique de modulation pour les onduleurs de tension ..... — 5
1.3.3 Modulation et rendement de conversion ............................... — 6
2. Approche mathématique pour un modèle de la modulation.. — 6
2.1 Expression d’un modèle linéaire générique ..................................... — 6
2.2 Application à la SVM.......................................................................... — 7
3. Expression générique des solutions du modèle linéaire
du système convertisseur – modulation..................................... — 8
3.1 Ensemble des solutions ..................................................................... — 8
3.1.1 Notion de solution ................................................................... — 8
3.1.2 Application du critère de compatibilité .................................. — 8
3.1.3 Utilisation de l’inverse généralisée pour la résolution
de systèmes linéaires .............................................................. — 8
3.1.4 Application à un onduleur triphasé à deux niveaux de tension . — 8
3.2 Expression des degrés de liberté ...................................................... — 9
3.3 Expression des limites de validité pour les solutions ...................... — 9
3.3.1 Modulation avec porteuse ....................................................... — 9
3.3.2 Modulation sans porteuse ....................................................... — 9
3.4 Schéma de mise en œuvre en vue de l’application .......................... — 9
4. Application ....................................................................................... — 10
4.1 Application à un onduleur triphasé à 2 niveaux de tensions
sur charge inductive ........................................................................... — 10
4.1.1 Modulation sinusoı̈dale (SPWM) et injection d’harmonique
de rang trois (THIPWM) ........................................................... — 11
4.1.2 Modulation Zero-Sequence Signal (ZSSPWM) ....................... — 12
4.1.3 Modulation discontinue (DPWM) et discontinue généralisée
(GDPWM) ...................................................................................... — 12
4.1.4 Synthèse .................................................................................. — 12
4.2 Application à un bras d’onduleur à 3 interrupteurs ......................... — 12
5. Conclusion........................................................................................ — 15
6. Symboles et sigles .......................................................................... — 15
p。イオエゥッョ@Z@、←」・ュ「イ・@RPQY

Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. E 3 969

Copyright © - Techniques de l’Ingénieur - Tous droits réservés E 3 969 – 1

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STRATÉGIE ET TECHNIQUE POUR LE PILOTAGE EN MODULATION DES CONVERTISSEURS STATIQUES –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

n électronique de puissance, la modulation de largeur d’impulsion est sou-


E vent utilisée avec les onduleurs de tension [D 3 176]. Cette technique de
pilotage, qui consiste à appliquer aux interrupteurs de puissance des ordres de
commande, permet de maı̂triser les échanges d’énergie électrique entre une
source et un récepteur. Les séquences successives des ordres de commande
sont générées par le biais des schémas de modulation. Effectivement, pour
une structure de conversion donnée, il existe souvent plusieurs solutions qui
permettent d’obtenir les séquences d’ordre de commande. S’il est communé-
ment admis un panel d’indicateurs pour quantifier la performance d’un schéma
de modulation par rapport à un autre, l’état de l’art ne fait pas nettement appa-
raı̂tre une méthode, pour la modélisation des convertisseurs statiques à modu-
lation, qui facilite l’expression des solutions pour les schémas de modulation.
Cet article propose une méthode pour obtenir le modèle générique linéaire
d’un convertisseur à modulation de largeur d’impulsion, et la manière dont les
techniques de l’algèbre linéaire conduisent à exprimer les solutions admissibles.
De cette manière, toutes les architectures de conversion et leurs schémas de
modulation pourront être représentés par une approche unique de modélisa-
tion. Ainsi exprimé, le problème à résoudre consistera à chercher l’ensemble
des modulations, ou solutions, du modèle. Le caractère linéaire du modèle faci-
lite la détermination de la solution par l’utilisation des outils de traitement des
systèmes linéaires.
Ces outils permettent de démontrer qu’il existe une infinité de modulations de
largeur d’impulsion, solutions du modèle exprimé sous la forme d’un système

U linéaire générique, mais également de le résoudre. Ainsi, l’ensemble des solu-


tions, quels que soient le nombre m d’équations et le nombre n d’inconnues,
sont obtenues. Un degré de liberté est exhibé et permet d’explorer l’ensemble
des solutions. L’expression de valeurs limites physiques pour les grandeurs asso-
ciées aux architectures de conversion définies détermine les limites admissibles
pour les solutions. La démarche méthodique conduit à relier explicitement l’ex-
pression du degré de liberté à des indicateurs de qualité de la fonction de modu-
lation, mais également aux valeurs limites. Des exemples pratiques d’utilisation
de la méthode sont proposés. Notamment, l’application de la méthode à une
structure multiniveaux, dont la cellule de commutation possède trois interrup-
teurs, est décrite. Ceci permet de vérifier la généricité de la méthode, mais éga-
lement son emploi particulièrement avantageux lorsque la structure de conver-
sion possède plusieurs degrés de liberté à fixer.
Le lecteur trouvera en fin d’article un glossaire et un tableau des symboles et
des sigles utilisés.

conducteurs. Ce sont ces derniers qui, par leur changement d’état,


1. Modulation permettent la circulation ou l’interruption du courant électrique, et
et convertisseur statique la connexion d’un nœud du circuit électrique interne au CS à un
point de potentiel. Le transfert d’énergie pouvant être réversible, à
d’énergie électrique des fins de généricité, les termes de source d’entrée (SE) et source
de sortie (SS) sont utilisés en lieu et place de générateur et récep-
teur respectivement. Comme illustré figure 1, le CS s’insère entre
SE et SS. Selon la complexité de l’application, plusieurs sources
peuvent être présentes et interconnectées. Ainsi, plusieurs CS peu-
1.1 Convertisseurs statiques considérés vent être définis et seront à associer en série ou en parallèle.
La définition retenue d’un convertisseur statique (CS) est celle Dans cette approche, tous les éléments sont considérés comme
d’un dispositif qui, associé à un pilotage adapté, permet la gestion idéaux. Plus particulièrement, les sources continues auront des
des échanges d’énergie électrique entre un générateur et un récep- valeurs constantes, alors que les sources alternatives auront un
teur. Pour les dispositifs de conversion considérés, générateur et comportement sinusoı̈dal. Les principales applications nécessitant
récepteur s’imposent respectivement des tensions et des courants, la mise en œuvre d’une stratégie de modulation incluent cette der-
ou l’inverse. Le CS est constitué a minima d’interrupteurs à semi- nière dans l’architecture de commande pour la maı̂trise des

E 3 969 – 2 Copyright © - Techniques de l’Ingénieur - Tous droits réservés

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–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– STRATÉGIE ET TECHNIQUE POUR LE PILOTAGE EN MODULATION DES CONVERTISSEURS STATIQUES

Cellule élémentaire

V1

K
SE CS SS

v = V1 – V2 i
Cj C’j
K’ Vio
Modulation

Commande V2

Chaîne élémentaire de conversion


Plusieurs chaînes de conversion Figure 2 – Cellule élémentaire de commutation d’un CS

Figure 1 – Schéma générique pour la définition d’un CS Tc

échanges énergétiques, ou la déportent au sein d’architectures K


matérielles dédiées, souvent nommées commandes rapprochées.
C’est ainsi le cas de la plupart des applications de variation de t
vitesse dans les moteurs électriques. Comme la plupart du temps
dans ces applications, les CS considérés connecteront SE, une K’
source de tension continue DC, à SS, une source de courant alter-
native AC ou continue DC. Ces architectures réalisent une conver-
sion tension (SE) vers courant (SS). Les fonctions de conversion
réalisées DC-AC ou DC-DC sont associées au nom de l’architecture Vio
t

type, onduleur pour la conversion DC-AC [D 3 176], et hacheur pour E
la conversion DC-DC [D 3 160]. Il est précisé que ces dispositifs peu-
vent recouvrir plusieurs architectures différentes [1].
t
Dans les configurations usuelles, les architectures des ces dispo-
sitifs s’appuient sur une structure élémentaire : la cellule de com- 0 tK t’K
mutation. Pour une phase notée i, la cellule élémentaire de commu-
tation, considérée comme isolée, est constituée de deux Figure 3 – Tension possible à la sortie de l’architecture
interrupteurs, K et K′, pilotés de manière complémentaires, comme
illustré figure 2. V1 et V2 sont les deux valeurs de potentiel assurées lequel l’interrupteur du haut est fermé, la tension de sortie prend
par SE. La continuité de circulation du courant I imposé par SS doit
les valeurs imposées par SE : dans cet exemple, 0 ou E. Pour une
être assurée au nœud i, reliant la ou les cellule(s) élémentaire(s) de
phase i, le rapport cyclique associé à la cellule élémentaire de com-
commutation à la phase correspondante de SS. Le choix des tech-
mutation est noté ai. Il est le ratio du temps de fermeture d’un inter-
nologies à adopter pour les composants semi-conducteurs K et K′
rupteur au cours d’un cycle de commutation, et est défini par :
peut être fait selon les règles de conception préconisées
dans [D 3 152] et ne sera pas discuté ici. Ils sont réputés présenter tK′ − tK
un comportement idéal et être commandable (au moins pour l’un αi = (2)
Tc
deux). L’architecture matérielle de commande rapprochée est égale-
ment idéale. Ceci permet de formaliser la relation entre les ordres
Si Tc est choisie telle que sa valeur soit petite devant la constante
de commande envoyés aux interrupteurs cK et cK′ et l’état des inter- de temps d’évolution du courant, alors la grandeur de commande
rupteurs K et K′ par : pour l’asservissement est la valeur moyenne de la tension calculée
⎧cK = 1 cK′ = 0 ⇒ K est à l'état ON sur une période de commutation Tc et est notée Vio ⭐ υio (t ) > Tc.
⎨ (1) Ainsi :
⎩cK = 0 cK′ = 1 ⇒ K ′ est à l'état ON
1 t + Tc
Notons que dans certaines applications, il peut être nécessaire Vio = ∫t υio (t ) dt = E αi (3)
Tc
d’utiliser plusieurs cellules élémentaires de commutation au sein
d’un bras (donc associé à une phase i), ou au sein d’un CS (par
L’expression (3) est la formulation scalaire d’un problème linéaire
exemple si il y a plusieurs phases à alimenter).
de type ax = b, où x = ai est l’inconnue, avec a = E et b = Vio, les
données [2]. Par généralisation de la définition, un modèle linéaire
1.2 Expression du modèle linéaire est un ensemble de m équations linéaires en n inconnues, qui s’ex-
prime sous la forme matricielle par :
d’une cellule de commutation
Ainsi, avec la cellule élémentaire dans la configuration de la Ax = b (4)
figure 2, l’alternance périodique de valeurs de cK influe sur la
valeur de la tension de sortie comme illustré sur la figure 3. En La matrice Am,n et le vecteur b de m composantes constituent les
définissant Tc comme la durée d’un cycle de commutation et données, le vecteur x regroupe les n inconnues. Ainsi, dans un
convertisseur à plusieurs cellules de commutation, il sera possible
1
fc = la fréquence de commutation, (tK′ − tK ) le temps pendant de généraliser l’équation (3) sous une forme matricielle.
Tc

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STRATÉGIE ET TECHNIQUE POUR LE PILOTAGE EN MODULATION DES CONVERTISSEURS STATIQUES –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

Dans une cellule élémentaire de commutation, agir sur le rap- Le choix d’une stratégie est souvent effectué pour optimiser des cri-
port cyclique est équivalent à régler la valeur moyenne de ten- tères parmi lesquels la littérature distingue : l’extension de la zone de
sion de sortie du fait de la relation linéaire (3). linéarité, la réduction des pertes par commutation, la diminution du
bruit acoustique, la richesse du spectre harmonique de la tension de
sortie. Parmi ces critères, celui permettant d’évaluer la zone de fonc-
1.3 Principe de la modulation tionnement linéaire du convertisseur est primordial, notamment pour
les convertisseurs DC-AC. Dans ces architectures, plusieurs structures
1.3.1 Quelques éléments pour la définition élémentaires de commutation sont associées. Les tensions désirées
de la modulation pour la charge sont regroupées dans le vecteur Vref de composantes Vin,
où n désigne le point de connexion neutre. La valeur de l’amplitude
La modulation est une méthode proposée, lorsque la question de Vmax du fondamental des tensions qui doivent être appliquées à la
la transmission d’un message entre un expéditeur et un destinataire charge est extraite. Ensuite, Vmax est comparée à la valeur maximale
se pose [E 3 450]. Ainsi, le signal modulant ou à transmettre, dans
du fondamental des tensions de bras Vinmax d’une tension non modulée
notre cas ai de fréquence f0, le signal porteur ou porteuse, noté hi
de fréquence fc, et le signal modulé, dans notre cas cj, sont définis. de fréquence f0 produite par un onduleur deux niveaux. Cette analyse
Ces signaux sont évidemment dépendants du temps t. La modula- permet d’évaluer la zone de linéarité. Le critère est nommé indice de
tion consiste à modifier une ou plusieurs caractéristiques de hi(t) modulation, mi. La valeur maximale Vinmax = Vsix − step , avec
par ai(t) pour en véhiculer l’information, et obtenir ainsi cK(t) tel 2E
qu’il soit « compréhensible » par le destinataire, dans notre cas un Vsix − step = pour un onduleur triphasé non modulé, est prise
π
interrupteur à semi conducteur K. Le dispositif de modulation est
comme valeur de référence dans le calcul de mi [3]. Le critère mi est
donc l’architecture matérielle qui permet de mettre en forme et
évalué par le ratio Vmax sur Vsix-step tel que :
transmettre l’information de ai(t) par l’intermédiaire de cK(t). Dans la
suite, nous n’aborderons pas l’aspect mise en œuvre matérielle à Vmax
proprement parlé. Effectivement, nous concentrerons notre attention mi = (5)
Vsix − step
sur la relation entre les architectures de conversion, et la génération
des rapports cycliques ai(t) ou des instants de commutations. Dès
lors, le terme modulation désignera la modulation de largeur d’im-
pulsion (MLI). Un choix de schéma de modulation qui étend la zone de linéarité


Les schémas de modulation de largeur d’impulsion ont fait leur consiste à rendre maximale l’amplitude du fondamental de la ten-
apparition de manière simultanée avec l’emploi des Insulated Gate sion de sortie qui pourra être appliquée au récepteur. Les zones de
Bipolar Transistors (IGBT) et l’arrivée de premiers onduleurs à fré- linéarité et de non-linéarité sont définies relativement aux relations
quence de découpage élevée. D’autres classifications sont basées qui lient Vio, Vin à travers le vecteur Vref, et ai. Ces relations sont à
sur le caractère continue ou discontinue des rapports cycliques pro- expliciter lorsque les architectures de conversion sont définies.
duits par le schéma de modulation. Dans cet article, le propos sera
illustré par différents exemples de modulation : Un choix de modulation qui minimise les pertes des interrup-
teurs (pertes par conduction et commutation) est déterminant
– des modulations continues : modulation sinusoı̈dale (SPWM),
pour optimiser le rendement de conversion et minimiser la puis-
modulation avec injection d’harmonique trois (THIPWM), modula-
sance du système de refroidissement. Généralement, cela consiste
tion avec injection d’une tension médiane (ZSSPWM),
– des modulations discontinues : modulation discontinue simple à bloquer la commutation d’un interrupteur pour une ou plusieurs
(DPWM) puis modulation discontinue tenant compte des valeurs périodes de commutation. Enfin, un choix de modulation qui mini-
du courant (GDPWM). mise le contenu harmonique présente un intérêt d’un point de vue
acoustique, mais également relativement à la qualité des formes
Le terme modulation continue est employé par opposition au d’onde des signaux. Cela permet d’envisager la mise en œuvre de
terme modulation discontinue. Avec une modulation avec porteuse filtres passifs optimisés.
et discontinue, on autorise une saturation de la modulante à une de
ses valeurs limites, 0 ou 1, et ce, pour plus d’une période de com- La classification proposée, sans que celle-ci soit exhaustive, se
mutation. Enfin, l’application à une modulation de type Space Vec- base sur la distinction entre modulations développées par compa-
tor Modulation (SVM) sera initiée. La figure 4 représente une pro- raison entre une modulante et une porteuse, et celles sans signal
position de classification pour les modulations à fréquence fixe [3], porteur. Relativement aux critères de choix, l’analyse sera faite
relativement aux modulations prises en exemple. comparativement à la solution la plus simple à savoir la MLI sinu-
soı̈dale. La première amélioration a consisté à ajouter au signal
sinusoı̈dal de base, des composantes alternatives à des fréquences
Schéma multiples de la fréquence du signal désiré en valeur moyenne.
Type de modulation
de modulation Ainsi, la THIPWM, qui est l’ajout d’un sinus à 3*f0 et la ZSSPWM,
dont l’utilisation permet l’extension de la zone de fonctionnement
SPWM linéaire de l’onduleur par action dynamique sur un degré de liberté,
seront analysées. Les autres catégories de modulation discutées
Continue THIPWM dans cet article seront les modulations discontinues. Effectivement,
elles présentent l’intérêt de minimiser les pertes en maintenant
ZSSPWM
fermé ou ouvert, pour plus d’une période de commutation un inter-
Modulation
avec porteuse rupteur. Enfin, les schémas de modulation sans signal porteur sont
notamment utilisés dans les techniques associées aux représenta-
DPWM
tions vectorielles des signaux. Elles sont regroupées sous l’intitulé
Discontinue Space Vector Modulation ou modulation vectorielle. Il a par ailleurs
GDPWM été démontré par des représentations graphiques, que ces schémas
de modulation étaient équivalents à ceux avec signal porteur [4].
Modulation
SVM Nous expliquerons dans la suite de l’article que tous ces schémas
sans porteuse
sont décrits par un unique modèle. Nous utiliserons ce même
modèle pour définir comment des degrés de liberté sont identifiés
Figure 4 – Exemple de classification des schémas de modulation et associés à des critères à optimiser.

E 3 969 – 4 Copyright © - Techniques de l’Ingénieur - Tous droits réservés

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Électronique de puissance : conversion et gestion
(Réf. Internet 42283)

1– Principes de conversion

2– Composants et dispositifs

3– Technologies d'interconnexion

4– Architectures

5– Modulation et contrôle

6– Dissipation thermique Réf. Internet page



Dissipation thermique dans les systèmes électroniques E3952 93

Déinition d'un dissipateur thermique en milieu industriel D3117 97

7– Applications

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Dissipation thermique
dans les systèmes électroniques

par Jean-Pierre PETIT


Professeur à l’École Centrale Paris

1. Modes de transfert .................................................................................. E 3 952 - 2


1.1 Conduction ................................................................................................... — 2
1.2 Rayonnement............................................................................................... — 3
1.3 Convection ................................................................................................... — 4
2. Caractéristiques thermiques des composants ................................ — 5
2.1 Composants à semi-conducteur................................................................. — 5
2.2 Composants passifs .................................................................................... — 6
2.3 Tubes électroniques .................................................................................... — 6
3. Dispositifs de transfert .......................................................................... — 6
3.1 Caloducs ....................................................................................................... — 7
3.2 Modules thermoélectriques........................................................................ — 7
3.3
3.4
3.5
Radiateurs thermiques ................................................................................
Refroidissement forcé par air .....................................................................
Refroidissement forcé par liquide ..............................................................



8
9
10

3.6 Refroidissement par changement de phase.............................................. — 12
4. Simulation.................................................................................................. — 14
4.1 Méthode nodale........................................................................................... — 15
4.2 Exemples de modélisations possibles....................................................... — 15
5. Conclusion ................................................................................................. — 16
Pour en savoir plus ........................................................................................... Doc. E 3 952

’évolution de l’électronique conduit à une intégration de plus en plus pous-


L sée. Si en 1958 il n’y avait qu’un transistor par circuit, il y en a maintenant au
moins un demi-million par pastille de silicium (puce) des circuits intégrés. La
technologie utilisée dans la réalisation des transistors des puces a évolué en
diminuant la consommation par transistor, on observe néanmoins une augmen-
tation de la puissance dissipée par unité de surface de puce. L’augmentation très
rapide du nombre de transistors n’a pu être compensée par la diminution de la
dissipation thermique. En réalité, les problèmes thermiques que l’on rencontre
dans les équipements ne sont pas liés à la puissance mais à la température ; or,
celle-ci est une fonction directe de la densité de puissance. Dans certains ordina-
teurs, la puissance dissipée par unité de surface de puce est de l’ordre de
500 kW/m2, c’est-à-dire tout à fait comparable aux densités de flux rencontrées
au nez d’une navette spatiale lorsqu’elle rentre dans l’atmosphère.
Dans la vie d’un matériel quelconque, les défaillances ont deux causes
principales :
— celles dues à sa conception et/ou aux éléments qui le composent ;
— celles dues à l’environnement dans lequel il est placé.
Les contraintes climatiques résultent principalement des effets dus :
p。イオエゥッョ@Z@ヲ←カイゥ・イ@RPPQ

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DISSIPATION THERMIQUE DANS LES SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES _______________________________________________________________________________

— à la température ;
— à l’action de l’humidité : elle favorise la corrosion, entraîne des modifica-
tions de résistances d’isolement et intervient au cours des échanges thermiques
au niveau des conductivités thermiques qui varient avec la teneur en eau ;
— à la pression atmosphérique : intervenant dans la ventilation destinée à
évacuer la puissance dissipée ainsi que dans le renouvellement d’air ;
— au rayonnement solaire qui peut provoquer un échauffement supplémen-
taire non négligeable.
D’autres contraintes climatiques peuvent intervenir telles la pluie, le vent, la
neige, le verglas, la rosée, le brouillard... suivant le lieu et la période d’utilisation.
Tous les composants électroniques sont sensibles à la température : ils ont des
performances médiocres en dehors de certaines limites de température et peu-
vent être détruits si la température est largement en dehors de ce domaine de
fonctionnement. Les domaines de fonctionnement sont spécifiés par les fabri-
cants et sont couramment les suivants :
— industrie : 0 à 70 ˚C ;
— civil : − 20 à + 85 ˚C ;
— militaire : − 55 à 125 ˚C.
La température maximale de fonctionnement garanti est toujours mentionnée
par le fabricant. L’influence de la température se manifeste sur :
— les performances électriques : la température peut être une valeur limite au-
delà de laquelle le fonctionnement n’est plus garanti, des dérives des paramè-
tres provoquent une diminution des performances pouvant aller plus ou moins
brutalement jusqu’à la défaillance ;
— le packaging qui est soumis à des gradients de température très importants.
Il existe des températures critiques pour lesquelles se produisent des change-


ments d’état, de structure physique... Le fluage et le relâchement des contraintes
dans les matériaux sont accélérés par la température et peuvent conduire à des
ruptures d’éléments ;
— les cycles thermiques auxquels sont soumis des matériaux reliés entre eux
et de coefficient de dilatation différent induisent des forces très importantes qui
peuvent conduire à une rupture instantanée ou créer une fatigue qui provoque
une rupture à plus ou moins long terme ;
— le taux de défauts des composants suit une loi d’Arrhenius en fonction de la
température.
L’évacuation de la chaleur est donc un problème crucial. L’objectif du refroidis-
sement des équipements électroniques est donc de maintenir la température de
chaque élément à sa température nominale de fonctionnement.

1. Modes de transfert On distingue trois modes de transfert de chaleur : conduction,


rayonnement, convection naturelle ou forcée avec ou sans change-
ment de phase. Ces trois modes coexistent généralement dans un
problème donné.
La température du composant électronique ou électrique est
déterminée par :
Tcomposant = ∆Tconduction + ∆Ttransfert + Texterne
1.1 Conduction
avec ∆Tconduction différence de température nécessaire pour
conduire la chaleur du composant aux surfa- La conduction est un transfert qui se produit à l’échelle des
ces de refroidissement, atomes ou des molécules (transfert par contact direct entre
molécules). C’est le transfert thermique fondamental qui se pro-
∆Ttransfert différence de température nécessaire entre duit dans tout système matériel et aux interfaces de systèmes
les surfaces d’échanges et l’environnement matériels dès qu’existe un gradient de température.
pour évacuer le flux thermique venant par
conduction du composant.
Le flux conductif Φ (W) entre deux sections de surface S (m2) et
D’après cette relation, on voit que les problèmes de refroidisse-
distantes de L (m) est donné par la loi de Fourier :
ment en électricité et en électronique se réduisent à de la conduc-
tion de la chaleur du composant aux surfaces d’échange et à un
S
transfert thermique (convectif et radiatif) des surfaces d’échange Φ = λ ---- ∆ T
vers l’environnement. L

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______________________________________________________________________________ DISSIPATION THERMIQUE DANS LES SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES

avec ∆T l’écart de température entres les deux surfaces.


(0)

∆Tconduction = Rconduction Φ
Tableau 1 – Conductivité thermique de quelques matériaux
L
R conduction = ------- résistance thermique conductive (K · W−1). λ
λS Matériau
(W · m−1 · K−1)
La conductivité thermique λ (W · m−1 · K−1) d’un corps caractérise
sa propriété à transmettre la chaleur. Généralement, les bons con- Métaux et alliages
ducteurs thermiques sont aussi de bons conducteurs électriques.
Fréquemment, on a besoin d’isoler électriquement un circuit tout en Acier inox 321 14,5
assurant un bon contact thermique, on utilise alors une feuille iso- 410 24
lante de faible épaisseur et de matériau bon conducteur de la cha-
leur comme l’oxyde de béryllium (tableau 1). Acier bas carbone 67
La recherche du champ de température dans un système matériel Aluminium 216,5
se fait par la résolution, dans tous les matériaux, de l’équation de la Argent 417,5
chaleur avec les conditions initiales et aux limites. Entre deux maté-
riaux, le schéma du contact imparfait avec la notion de résistance Béryllium 177
thermique de contact correspond le mieux aux conditions réelles. Cuivre-béryllium 106,5
Les problèmes de conduction peuvent être classés en deux grandes
catégories : Cuivre 394
— les problèmes permanents où le champ de température est Étain 63
indépendant du temps et où la notion de résistance thermique est Fer 67
très importante et utile ;
— les problèmes dépendant du temps : transitoires et/ou périodi- Kovar 17
ques dans lesquels les notions de diffusivité thermique, d’effusivité Laiton 122
et de constante de temps jouent un rôle important.
Magnésium 157,5
Les différents paramètres qui interviennent en conduction sont
donc : Molybdène 130
— la nature du matériau ; Monel 20
— la géométrie du conducteur de la chaleur ;
— les interfaces thermiques entre les différents conducteurs. Nickel 90,5
Or 291,5


1.2 Rayonnement Plomb 34,5
Titane 16
Le rayonnement est la seule transmission d’énergie sans Tungstène 197
aucun support matériel. Tout corps matériel, à une température Zinc 102,5
différente du zéro absolu, émet à sa surface un rayonnement
fonction de sa température et de son état de surface. Il peut éga- Semi-conducteurs
lement absorber tout ou partie du rayonnement qu’il reçoit des Arséniure de gallium 59
surfaces environnantes, de l’atmosphère ambiante et du rayon-
nement solaire. Le bilan thermique entre les flux partant et inci- Silicium pur 145,5
dent avec introduction de facteurs de forme constitue l’échange Silicium dopé (ρ = 0,0025 Ω · cm) (1) 98,5
de chaleur au niveau de ce corps.
Isolateurs
Air 0,03
Les facteurs d’émission et d’absorption dépendent généralement
de la longueur d’onde. On définit des corps gris, à émission diffuse, Alumine 99,5 % 27,5
par une émissivité constante, l’absorptivité a alors même valeur. 85 % 12
Dans de très nombreux cas, nous aurons affaire en électronique à
des corps gris (tableau 2). Béryllia 99,5 % 197
Le flux transféré par rayonnement dépend de : 97 % 157,5
— la température de la surface rayonnante (en kelvin) ; 95 % 118
— la température de l’environnement (en kelvin) ;
— l’état de surface ; Nitrate de bore 39,5
— la présence ou non d’écrans protecteurs (facteurs de forme). Diamant 630
Φ = S 1 F 12 σ [ T 14 Ð T 24 ] Époxy 0,20
avec Φ le flux (W) échangé entre deux surfaces S1 et S2 Époxy conducteur thermique 0,80
(m2), de températures T1 et T2 (K), Mica 0,70
σ la constante de Stéfan (5,67 · 10−8 W · m−2 · K−4), Mylar 0,20
F12 le facteur de forme gris, qui dépend de la Phénolic 0,20
géométrie des surfaces, de leur position relative,
de leur nature ainsi que de leur état de surface : Graisse de silicone 0,20
1 Ruban de silicone 0,20
F 12 = -----------------------------------------------------------
1 Ð ε1 1 1 Ð ε2 S1 Téflon 0,20
-------------- + ------- + -------------- ------
ε1 f 12 ε2 S2 Verre 0,80
avec f12 facteur de forme purement géométrique. (1) ρ résistivité électrique

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DISSIPATION THERMIQUE DANS LES SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES _______________________________________________________________________________

(0)

Tableau 2 – Émissivité de quelques matériaux R


Matériau ε b
1 L =1
b L
Aluminium commercial, poli 0,05 0,8
L =2 a
Aluminium anodisé 0,80 b
0,6
Acier inox poli 0,17
0,4
Acier inox oxydé 0,85 L =∞
Cuivre commercial, poli 0,07 0,2 b
Cuivre oxydé 0,85 0
0 1 2 3 4 5 6 7 b
Émail (couleur indifférente) 0,85
a
Feuille d’acier laminé 0,66
Figure 1 – Facteur de réduction d’aire
Noir de fumée 0,95
Peinture d’aluminium 0,27 à 0,67
Peinture à l’huile (couleur indifférente) 0,92
1.3 Convection
Vernis 0,90
Zirconium enduit sur molybdène 0,65
La convection apparaît lorsqu’une partie d’un système non
Il existe des tables donnant f12 pour des configurations géométri- isotherme est en mouvement par rapport à une autre : un trans-
ques variées. Citons celles rencontrées le plus souvent en électroni- fert macroscopique de masse entraîne un transfert de chaleur à
que. l’échelle macroscopique, qui se trouve couplé au transfert à
l’échelle élémentaire par conduction. L’existence d’un champ de
■ Deux plans infinis et parallèles ou deux surfaces en influence
vitesse modifie considérablement le transfert conductif. L’effet
totale :
de la convection est, en général, d’autant plus important que les
1 vitesses sont élevées.
F 12 = ---------------------------
1 1
----- + ----- Ð 1
ε1 ε2
On distingue deux types de convection suivant la cause du
ainsi


mouvement :
σ [ T 14
Ð T 24 ] S 1 — la convection forcée lorsque le mouvement est dû à une action
Φ = ------------------------------------- externe : ventilateur, pompe... ;
1 1
----- + ----- Ð 1 — la convection naturelle lorsque le mouvement est dû aux
ε1 ε2 variations de masse volumique (poussée d’Archimède) dans un
champ de forces massiques (pesanteur, force centrifuge, force de
■ Rayonnement entre un plan et une masse gazeuse (H2O, CO2, Coriolis...).
CO... de l’air ambiant absorbent et émettent du rayonnement) :
Un problème de convection est régi par les équations de conser-
Sσ [ T p4 Ð T g4 ] vation de la masse, de la quantité de mouvement et de l’énergie.
Φ = ----------------------------------- Ainsi, le problème thermique est couplé à un problème de mécani-
1 1
----- + ----- Ð 1 que des fluides. Les écoulements convectifs peuvent être laminaires
εp εg (filets fluides bien parallèles) ou turbulents (fluctuations de vitesse
Si la surface S est très faible devant la masse gazeuse (ce qui est aléatoires en grandeur et fréquence mais statistiquement station-
le cas en électronique, le volume du composant est faible devant le naires). Le passage du régime laminaire au régime turbulent dans
volume de l’air ambiant) : des situations simples se fait pour des valeurs critiques de groupe-
ments sans dimension : le nombre de Reynolds Re en écoulement
Φ = Sε p σ [ T p4 Ð T g4 ] forcé et le nombre de Grashof Gr en écoulement naturel. L’appari-
tion de la turbulence, comme en électronique, est bien souvent due
■ Radiateur composé d’ailettes : à la présence d’aspérités.
Φ = RSε Pσ [ T 4P Ð T g4 ] Le flux thermique pariétal est relié à l’écart de température carac-
téristique de l’échange thermique paroi-fluide par la relation de
avec S surface externe du radiateur (m2), Newton :
TP température de cette surface (K), Φp = hS (Tp − Tf)
εP émissivité de cette surface,
avec Φp flux pariétal (W),
Tg température du gaz (K),
h coefficient de transfert convectif ou coefficient
R facteur de réduction d’aire dû au phénomène d’échange convectif (W · m−2 · K−1),
d’écran entre les ailettes, donné par la figure 1.
Tp température de la paroi (K),
Pour linéariser l’expression du flux thermique échangé, on intro- Tf température du fluide au loin (convection
duit un coefficient d’échange radiatif hray : externe) ou température de mélange du fluide
Φ = Sh ray [ T p Ð T g ] (convection interne) (K).
Ce coefficient, en électronique, est de l’ordre de 0,5 à 10 W · m−2 · K−1 : convectif = R convectif Φ
∆ T transfert transfert
radiatif = R radiatif Φ
1
∆ T transfert transfert
convectif
avec R transfert = -------- résistance thermique de transfert convectif.
hS
1
radiatif
avec R transfert = --------------- résistance thermique de transfert radiatif. La détermination du coefficient h passe par le calcul du nombre
h ray S de Nusselt Nu.

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Définition d’un dissipateur


thermique en milieu industriel

par Jean-François ROCHE


Directeur technique, ARCEL

avec la collaboration de Bruno ALLARD

1. Situation ..................................................................................................... D 3 117 - 3


1.1 Cahier des charges ...................................................................................... — 3
1.2 Mode de refroidissement ou transmission de chaleur............................. — 3
1.3 Simulation .................................................................................................... — 5
1.4 Calcul académique et réalité industrielle................................................... — 5
2. Étapes principales de conception d’un convertisseur................... — 5
2.1 Modélisation des composants.................................................................... — 5
2.2 Utilisation des fiches techniques et modèles de pertes ........................... — 6
2.3 Boîtiers ......................................................................................................... — 7
2.4 Choix des composants ................................................................................ — 9
2.5 Dimensionnement d’un onduleur .............................................................. — 9
2.6
2.7
2.8
Résistance thermique minimale.................................................................
Choix du dissipateur....................................................................................
Dissipateurs particuliers .............................................................................



10
10
12

2.9 Ventilateurs .................................................................................................. — 12
2.10 Chambres à eau ........................................................................................... — 13
2.11 Systèmes autonomes.................................................................................. — 13
3. Cas particuliers ........................................................................................ — 14
3.1 Notion d’impédance thermique ................................................................. — 14
3.2 Notion de constante de temps thermique................................................. — 14
4. Conclusion ................................................................................................. — 16
Pour en savoir plus ........................................................................................... Doc. D 3 117

’une des étapes, lors de la détermination des différents éléments


L constituant un convertisseur de puissance, est le choix du dissipateur, afin
de préserver l’intégrité thermique des semi-conducteurs de puissance. Celle-ci
est réalisée en maintenant la température de jonction du composant en
dessous de sa valeur critique pendant le cycle de fonctionnement.
Le coût du dissipateur, ou plus globalement de la fonction refroidissement,
est étroitement lié au couple dissipateur-composant.
Par exemple, pour maintenir à température un ou deux boîtiers TO3, le coût
du couple « dissipateur + ventilateur » est souvent plus important que la
somme des coûts des composants à refroidir. En règle générale, plus l’applica-
tion est de forte puissance, plus le couple « semi-conducteur + étages de
commande » est prépondérant, face au poste dissipateur. Cela est dû en partie
au coût des semi-conducteurs de puissance.
Le choix du dissipateur ne peut être effectué qu’en connaissance des
éléments suivants :
— nombre et type des composants à refroidir, donc connaissance du boîtier
utilisé pour chaque composant (composant discret, module, presspack...) ;
p。イオエゥッョ@Z@。ッエ@RPPW

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DÉFINITION D’UN DISSIPATEUR THERMIQUE EN MILIEU INDUSTRIEL _____________________________________________________________________________

— pertes générées par chaque composant (dépendent du cycle de fonction-


nement et de la topologie du montage), surcharges éventuelles ;
— mode de refroidissement souhaité (convection naturelle, ventilation forcée,
chambres à eau...) ;
— contraintes mécaniques et intégration du système dans son environnement
final (contraintes diélectriques, fixation du montage, mise en coffret).
L’objet de ce dossier est de développer la démarche industrielle de choix d’un
dissipateur, compromis entre le calcul académique et la simulation parfois
laborieuse.

Notations et symboles Notations et symboles

Symbole Unité Définition Symbole Unité Définition

B W· m–2 intensité du rayonnement t s temps


c J ·kg–1 · K–1 capacité thermique massique T K température
C th J · K–1 capacité thermique Tj K température de jonction
D indice de modulation u m/s vitesse de l’air
e m épaisseur v V tension électrique
E off J énergie dissipée à la fermeture du V0 V tension
composant V ak V tension entre l’anode et la cathode
E on J énergie dissipée à l’ouverture du d’un thyristor
composant V bus V tension du bus d’alimentation
E rec J énergie de recouvrement continu d’un onduleur
F Hz fréquence du courant de sortie V cc V tension continue aux bornes du


thyristor lors de l’ouverture
F sw Hz fréquence de commutation
V ce V tension entre le collecteur et
i A intensité électrique l’émetteur d’un IGBT
Iak A intensité traversant un thyristor V ces V tension
Iav , Imoy A intensité moyenne Vd V tension de diode
Ic A intensité traversant un transistor V dc V tension de bus
IGBT
V ds V tension entre le drain et la source
Id A intensité traversant une diode d’un MOSFET
Ieff A intensité du courant de sortie V GE V tension entre la grille et l’émetteur
efficace de l’IGBT
In A intensité du courant nominal Vn V tension nominale
Ioff A intensité du courant coupé V t0 , V t V tension de diode ou thyristor
Ion A intensité du courant à la mise en W J énergie
conduction
α W · m–2 · K–1 coefficient de convection thermique
I peak A intensité de courant crête
β W · m–2 · K–1 coefficient de rayonnement
l m largeur
ε émissivité
L m longueur
φ W flux thermique de conduction
m kg masse
Φ rad angle de déphasage
P W pertes dans un composant
λ W · m–1 · K–1 conductivité thermique
Pcom W pertes en commutation
σ W · m–2 · K–4 constante de Stefan
P cond W pertes en conduction σ = 5,669 · 10–8 W · m–2 · K–4
P rec W pertes par recouvrement τ s constante de temps thermique
Q W flux thermique de convection θ K température
Q rr C charge électrique stockée dans une
diode
R0 Ω résistance Indices
Rd Ω résistance de diode
Rt Ω résistance de diode ou thyristor a ambiante
R thj–c K/W résistance thermique c case, boîtier
jonction-boîtier h heatsink, dissipateur
R thj–h K/W résistance thermique j junction, jonction
jonction-dissipateur
D diode
S m2 surface
Q IGBT

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1. Situation
Bounding Puce Boîtier
plastique

Aperçu historique
Gel isolant
L’évolution constante des semi-conducteurs permet la Connexion
conception de systèmes dont les performances ne cessent de métallique
croître. Il est loin le temps où le tube électronique utilisé en Connexion
diode ou bien le transistor régnaient en maîtres. métallique
À cette époque, presque révolue (certaines applications uti- Isolant
lisent encore des tubes, comme des ballasts haute tension ou Brasures
les amplificateurs audiophiles par exemple), les joules dissipées Semelle
par le tube rayonnaient à travers le verre, dans l’air ambiant. La Graisse
seule solution pour ne pas détériorer les composants était de thermique
contrôler la température ambiante du local industriel. Compte
tenu du nombre de composants employés, des températures
mises en jeu, et du volume des montages, des systèmes réfri- Dissipateur
gérants étaient communément utilisés. Le volume occupé par
l’ensemble montage – refroidissement était conséquent, et une Figure 1 – Vue en coupe d’un module IGBT
mise en défaut du système de ventilation entraînait une dégra-
dation rapide de l’installation.
— contraintes normatives : fonction du domaine d’application du
Les composants de puissance de type semi-conducteur présen- convertisseur (médical, ferroviaire...), fige souvent les diélectriques,
tent l’avantage de ne pas utiliser l’air comme vecteur thermique, les lignes de fuites, le cheminement, l’indice de pollution... ;
mais un substrat qui est lui-même plaqué sur une semelle — contraintes spécifiques liées à l’utilisation : taux de charge,
composée d’un matériau présentant une bonne conduction thermi- enveloppe de courant, surcharges ponctuelles, tenue aux courts-
que. La figure 1 montre en coupe un module IGBT (insulated gate circuits ;
bipolar transistor). Cette structure permet l’utilisation de dissipa- — contraintes financières : l’estimation du coût de la fonction
teurs, dont le rôle est d’évacuer les joules produites par la puce. De peut être un critère de choix entre deux solutions.
plus, l’évolution des semi-conducteurs autorise la réalisation de
montages de plus en plus performants, donc l’augmentation des
pertes à évacuer par les jonctions. Une grande diversité de dissi-
pateurs permet d’obtenir dans chaque cas le compromis optimal.
1.2 Mode de refroidissement
ou transmission de chaleur V
Il existe plusieurs manières pour la chaleur d’échanger avec le
1.1 Cahier des charges milieu ambiant : conduction, convection et rayonnement. La
chaleur se déplace du corps le plus chaud vers le corps le plus
Le choix du refroidisseur dépend des éléments fournis dans le
froid, par ces trois modes simultanément.
cahier des charges du convertisseur. Les éléments de base que l’on
doit connaître sont la nature du convertisseur et son environnement. L’énergie W nécessaire pour élever la température d’un corps est
proportionnelle à sa masse m, à la différence de température entre
l’état initial (T 1) et final (T 2) et à une constante c, nommée chaleur
1.1.1 Nature du convertisseur
massique (ou capacité thermique massique, en J · kg–1 · K–1), qui
C’est la fonction électrique que doit assurer le convertisseur. indique la quantité d’énergie utile pour élever la température
Onduleur, redresseur ou hacheur, ces fonctions sont décrites par de 1 kg du composant considéré de 1 K :
un vocable approprié issu de la norme CEI/TR 60971. Le tableau 1
W = mc (T 2 – T 1) (1)
(0)
résume les fonctions simples issues ou adaptées de cette norme.
À la nature du convertisseur sont associées les grandeurs dW dθ
électriques suivantes : P = ---------- = mc -------- (2)
dt dt
— courant d’entrée et de sortie ;
— surcharges en courant en fonction du temps ; C’est cette énergie, issue de la jonction du semi-conducteur, que
— tension d’alimentation, tension de bus ; le refroidisseur doit évacuer.
— surcharges en tension et répétition dans le temps ;
— fréquence de découpage pour les hacheurs ou onduleurs ; 1.2.1 Conduction
— fréquence de sortie pour les onduleurs ;
— valeurs des éléments qui influencent le comportement du La chaleur se transmet par contact direct entre deux pièces ou
montage, tels que les inductances, transformateurs, condensateurs ; bien par propagation à l’intérieur d’un même matériau [BE 8 200].
— éventuellement une indication sur le type de composant à La variation de température est linéaire à l’intérieur d’un matériau
utiliser est fournie ; homogène. La conductibilité d’un matériau est caractérisée par une
— isolation électrique requise. conductivité thermique notée λ (W · K–1 · m–1) (tableau 2).
Le flux thermique (en watts), qui traverse une paroi constituée
(0)
1.1.2 Environnement du convertisseur d’un seul matériau de conductivité thermique λ, d’épaisseur e (en
mètres) et de surface S (en mètres carrés), est donné par la for-
L’environnement est constitué des contraintes suivantes : mule suivante :
— contraintes thermiques : température ambiante, type de S
refroidissement imposé, température du fluide ; φ = λ ⋅ ----- ⋅ ( θ 2 – θ 1 ) (3)
e
— contraintes mécaniques : volume et masse imposés pour le
montage, orientation et intégration du convertisseur dans son θ 2 – θ 1 représente la différence de température entre les deux
environnement ; faces du matériau.

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DÉFINITION D’UN DISSIPATEUR THERMIQUE EN MILIEU INDUSTRIEL _____________________________________________________________________________

Tableau 1 – Codification des principaux convertisseurs


Type de montage Désignation Représentation
Deux diodes en série L1U

Deux thyristors en série L1C

Pont redresseur monophasé à diodes B2U

Pont redresseur triphasé à diodes B6U

Gradateur triphasé W3C

Bras interrupteur L1CT

Onduleur monophasé B2CT


à interrupteurs
U V

Onduleur triphasé B6CT


à interrupteurs
U V W

1.2.2 Convection
Tableau 2 – Conductivité thermique et capacité thermique
massique de matériaux usuels (1) Cet échange de chaleur se produit entre un solide et un gaz ou
un liquide par déplacement de particules [BE 8 205].
Conductivité Capacité thermique
Le cas le plus simple est celui d’une résistance électrique qui
Matériau thermique massique
échange avec l’air ambiant. La convection est dans ce cas naturelle.
(W · K–1 · m–1) (J · K–1 · kg–1) L’air s’échauffe au contact des parois de la résistance et s’élève. Il
est possible d’améliorer l’échange thermique en accélérant la
Aluminium 238 917 vitesse de passage de l’air au contact de la résistance. Dans ce cas,
on dit que la convection est forcée.
Cuivre 397 386
Soit un flux thermique transmis par convection Q (W), à travers
Acier 78,2 456 une paroi de surface S, qui présente une différence de température
de (θ 2 – θ 1). (0)
Argent 425 234 α est le coefficient de convection (W · K–1 · m–2). Il représente le
flux thermique reçu par une surface de 1 m2 pour une différence de
Or 315,5 130 température entre la surface et l’air de 1 K. α varie avec la nature
de la surface et la vitesse du fluide :
AlSiC 150 à 200
Q = (θ 2 – θ 1)S α (4)
Silicium 148 700

Eau 0,585 4 185 1.2.3 Rayonnement


Air 0,023 1 000 C’est la transmission directe de la chaleur par radiation d’un
corps chaud sur un corps froid [BE 8 210]. Cet échange thermique
(1) Entre 0 et 100 oC.
est réalisé par l’émission d’ondes électromagnétiques et ne

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D 3 117 − 4 est strictement interdite. − © Editions T.I.

QPP
Électronique de puissance : conversion et gestion
(Réf. Internet 42283)

1– Principes de conversion

2– Composants et dispositifs

3– Technologies d'interconnexion

4– Architectures

5– Modulation et contrôle

6– Dissipation thermique

7– Applications Réf. Internet page W


Transfert d'énergie électrique sans contact par induction en moyenne puissance D3237 103

Dual Active Bridge (DAB) pour la conversion continu-continu E3975 109

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QPQ

QPR
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dSRSW

Transfert d’énergie sans contact


par induction en moyenne puissance
par Jean-Paul FERRIEUX
Professeur des Universités
Laboratoire de Génie Électrique de Grenoble (G2Elab), Grenoble INP
Université Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble, France
Gérard MEUNIER
Directeur de Recherche
Laboratoire de Génie Électrique de Grenoble (G2Elab), Grenoble INP
Université Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble, France
Benoît SARRAZIN
Ingénieur de Recherche
Laboratoire de Génie Électrique de Grenoble (G2Elab), Grenoble INP
Université Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble, France
et Alexis DERBEY
Ingénieur d’Études
Laboratoire de Génie Électrique de Grenoble (G2Elab), Grenoble INP
Université Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble, France

1. Contexte ...................................................................................................... D 3 237 - 2


1.1 Techniques de transmission d’énergie à distance ................................... — 2
1.2 Positionnement de l’étude ......................................................................... — 4
2. Modèles électromagnétiques simplifiés et compensation ..................... — 5
2.1
2.2
2.3
Modélisation du coupleur ..........................................................................
Choix de la compensation..........................................................................
Évaluation du rendement ...........................................................................



5
6
7

3. Méthodologie de pré-dimensionnement.................................................. — 8
3.1 Puissance transmissible pour une compensation série-série ................. — 9
3.2 Processus de pré-dimensionnement......................................................... — 10
4. Étude du convertisseur et mise en œuvre................................................ — 12
4.1 Support de l’étude ...................................................................................... — 12
4.2 Étude du convertisseur............................................................................... — 13
4.3 Mise en œuvre............................................................................................. — 15
5. Conclusion ................................................................................................... — 18
Pour en savoir plus ............................................................................................. Doc. D 3 237

e transfert d’énergie sans contact, ou encore le transfert d’énergie sans fil,


L est un terme générique pour désigner différentes techniques permettant de
transférer de l’énergie électrique à distance, sans liaison physique, d’un dispo-
sitif émetteur (ou antenne émettrice) vers un dispositif récepteur (ou antenne
réceptrice). Ce mode de transfert d’énergie peut prendre différentes formes :
induction magnétique, influence électrique, rayonnement électromagnétique
(ondes radio, micro-ondes, laser infrarouge) [1] [2].
Le transfert d’énergie sans contact (WPT pour Wireless Power Transfer)
trouve des applications dans de nombreux domaines, allant de l’électronique
mobile (recharge de smartphones, ordinateurs portables, tablettes, GPS…), au
p。イオエゥッョ@Z@ュ。ゥ@RPQX

Copyright © – Techniques de l’Ingénieur – Tous droits réservés


D 3 237 – 1

QPS
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dSRSW

TRANSFERT D’ÉNERGIE SANS CONTACT PAR INDUCTION EN MOYENNE PUISSANCE ____________________________________________________________

secteur des transports (voitures, bus, tramways, etc.), en passant par les
implants actifs en médecine (stimulateurs cardiaques, défibrillateurs, prothèses
auditives, pompes à insuline, valves cérébrales…). Dans ce type d’applications,
l’énergie électrique transmise va servir à charger une batterie. Le WPT trouve
également des applications dans les systèmes de chauffage [3] :
– chauffage par induction électromagnétique de métaux et de matériaux
semi-conducteurs dans les domaines de la métallurgie et de la mécanique
(four de fusion à creuset, chauffage avant formage, traitement thermique
superficiel), de la chimie (fusion directe des verres et d’oxydes, etc.), ainsi que
dans les applications grand public (plaques chauffantes de cuisine) ;
– chauffage par rayonnement micro-onde (four à micro-ondes) ;
– chauffage par rayonnement infrarouge dans l’habitat (radiateurs, pan-
neaux infrarouges).

1. Contexte 1.1.1 Transmission d’énergie par induction


magnétique
Ce mode de transfert d’énergie en champ proche exploite les
1.1 Techniques de transmission d’énergie lois d’Ampère et de Faraday. D’après la loi d’Ampère, une bobine
à distance parcourue par un courant alternatif, génère un champ magnétique
variable dans le temps qui, lorsqu’il est intercepté par une autre
Les techniques de transfert d’énergie à distance peuvent être bobine, induit une force électromotrice aux bornes de cette der-
nière (loi de Faraday). Cette force électromotrice engendre alors
classées en différentes catégories, selon la distance à laquelle on
un courant permettant d’alimenter une charge électrique. La
se place de la source, relativement à la longueur d’onde λ. On dis-
figure 1 illustre ce principe et montre les lignes de champ magné-
tingue d’une part les techniques dites de champ proche et d’autre tique entre deux bobines distantes de plusieurs centimètres. C’est
part celles dites de champ lointain. Lorsque les distances à par- ce principe que l’on retrouve dans le fonctionnement des transfor-
courir sont faibles devant λ, le transfert d’énergie se déroule dans mateurs et des machines tournantes.
des conditions de champ proche. À l’inverse, lorsque les distances
à parcourir sont très grandes devant λ, le transfert d’énergie a lieu Le couplage entre deux bobines se mesure à l’aide d’un coeffi-
dans des conditions de champ éloigné. Il existe également une cient de couplage k, défini comme le rapport de l’inductance
zone intermédiaire, appelée zone de transition, dans laquelle le mutuelle M entre les deux bobines sur la racine carrée du produit
champ électromagnétique (EM) présente à la fois des caractéris- des inductances propres de chaque bobine, L1 et L2 :
. Suivant la valeur du coefficient k, comprise entre 0


tiques de champ proche et de champ lointain.
et 1, on parlera de bobines faiblement couplées ou fortement cou-
On distingue trois techniques de transfert d’énergie sans plées.
contact, au sein desquels il peut exister une ou plusieurs techno-
Les systèmes de transfert d’énergie par induction s’apparentent
logies : en général à des transformateurs faiblement couplés (i.e. avec des
– la transmission d’énergie par champ magnétique ou couplage fuites magnétiques non négligeables). Ces fuites magnétiques
inductif ; provoquent des chutes de tension aux bornes des enroulements,
– la transmission d’énergie par champ électrique ou couplage entraînant un appel de courant réactif sur le réseau électrique afin
capacitif ;
– la transmission d’énergie par ondes électromagnétiques.
Les techniques de transfert d’énergie par couplage magnétique
ou capacitif sont des techniques en champ proche, tandis que
celles par propagation d’ondes électromagnétiques relève essen-
tiellement de la zone de champ lointain. Les techniques en champ Conversion B Conversion
proche permettent de réaliser des transferts d’énergie avec des primaire secondaire
rendements élevés, mais uniquement sur de faibles distances
(jusqu’à plusieurs centimètres). Au-delà, le rendement décroît de
manière exponentielle avec la distance. Les fréquences mises en
jeu varient généralement de plusieurs dizaines de kilohertz à
quelques mégahertz, suivant la technologie considérée. De leur
côté, les techniques en champ éloigné permettent de réaliser des
transferts d’énergie sur des distances aussi bien courtes que lon-
gues, allant de quelques millimètres à plusieurs kilomètres. La
divergence naturelle de l’onde électromagnétique au cours de sa
propagation affecte cependant l’efficacité de la transmission sur
les longues distances. Il est néanmoins possible de limiter cette
divergence en utilisant des ondes courtes (micro-ondes, lasers
infrarouges), qui peuvent être focalisées sous formes de fais-
ceaux, à l’aide de lentilles et de réflecteurs. L’utilisation d’ondes
courtes permet, en outre, de réduire la taille des antennes. Les fré-
quences mises en jeu sont généralement dans la plage du
gigahertz. Figure 1 – Schéma de principe de l’induction magnétique

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Source de
B
puissance AC
alimentant
le résonateur
E
Transfert d’énergie

+
hautement résonant

Résonateur
conçu
spécifiquement

Figure 2 – Transmission d’énergie par couplage magnétique hautement résonant : schéma de principe et expérience du MIT (d’après [4])

de les compenser. Il est alors souvent nécessaire de surdimen- du circuit. Les deux électrodes forment alors une capacité dite de
sionner les câbles électriques, les éléments actifs et passifs afin de couplage. On distingue deux topologies pour ce mode de transfert
tenir compte de ce surplus de courant. Pour remédier à ce pro- d’énergie :
blème, on ajoute un ou des condensateurs de résonance afin de – une topologie dite bipolaire, dans laquelle les deux électrodes
compenser partiellement ou complètement la puissance réactive de terminaison de chaque circuit (transmission et réception) sont
consommée dans les enroulements des bobines : on parle alors toutes les deux actives et participent au transfert de puissance
de couplage magnétique résonant. Cette solution permet de trans- (figure 3) ;
férer de l’énergie efficacement sur des distances pouvant – une topologie dite unipolaire, dans laquelle une seule des deux
atteindre le diamètre de la bobine de transmission. Les fré- électrodes est active, l’autre, passive, est reliée à un circuit de
quences mises en jeu varient généralement de quelques dizaines masse.
à plusieurs centaines de kilohertz.
D’abord utilisé comme une méthode d’isolation galvanique
Pour des distances supérieures au diamètre de la bobine – sur pour transmettre les signaux analogiques dans les circuits de
plusieurs mètres par exemple – on exploite plutôt la self-réso- commande, ou comme une méthode de détection et de localisa-
nance des bobines (cellule de résonance formée par l’inductance


tion de position pour souris, stylets ou tablettes, le couplage capa-
de la bobine et ses capacités parasites), comme le fit Nikola Tesla citif investit ensuite progressivement le domaine de la puissance
en son temps avec la bobine qui porte son nom. En 2007, une [6] [7]. Cette montée en puissance reste cependant entravée par la
équipe du MIT est parvenue à transférer 60 W sur ce principe faiblesse des capacités de couplage, qui dans ce genre d’applica-
(figure 2), sur une distance de 2,4 m, soit quatre fois le diamètre tions sont limitées par la distance de couplage et la surface dispo-
de la bobine de transmission [4], pour un rendement d’environ nible. La capacité de couplage varie généralement de quelques
30 %. Ce mode de transfert d’énergie est désigné sous le terme de dizaines à plusieurs centaines de picofarads. Elle peut atteindre le
couplage magnétique « hautement » résonant. Les bobines sont nanofarad, si l’on souhaite réaliser des transferts de puissance
réalisées de telle sorte qu’elles présentent la même fréquence de dans la plage du kilowatt, mais à condition de minimiser la dis-
résonance. Lorsque les valeurs des capacités parasites ne suf- tance de couplage [8].
fisent pas pour travailler à la fréquence envisagée [4], une capa-
cité supplémentaire peut être ajoutée et intégrée au design des L’intensité du courant électrique est aussi un facteur limitant la
bobines. L’ajout de ce condensateur permet également de confi- montée en puissance, essentiellement pour des raisons de tenue
diélectrique. En effet, la tension aux bornes de la capacité de
ner le champ électrique au sein du résonateur ainsi formé, et donc
couplage doit rester inférieure à la tension de claquage du milieu
de limiter le rayonnement électromagnétique à l’extérieur. Les fré-
diélectrique. Deux possibilités se présentent pour limiter la ten-
quences mises en jeu sont généralement dans la plage du
sion aux bornes du condensateur de couplage : soit augmenter en
mégahertz.
fréquence, mais cela entraînerait des pertes supplémentaires dans
Ce mode de couplage permet de réaliser des transferts d’éner- les éléments actifs et passifs ; soit limiter l’intensité du courant. Il
gie à mi-distance, c’est-à-dire sur des distances supérieures ou en résulte que le transfert d’énergie par couplage capacitif est
égales au diamètre de la bobine de transmission, mais avec des
rendements plus faibles que ceux obtenus par couplage magné-
tique (champ proche), et limités à 50 % [5]. Ce transfert d’énergie
à mi-distance est de ce fait réservé aux faibles puissances
(< 100 W).

Conversion Conversion
1.1.2 Transmission d’énergie par influence E
primaire secondaire
électrique
Ce mode de transfert d’énergie sans contact repose sur le
même principe de fonctionnement qu’un condensateur, à savoir la
circulation d’un courant de déplacement JD entre deux armatures
métalliques (ou électrodes), soumises à une différence de poten- Figure 3 – Schéma de principe d’un système de transmission de
tiels variable dans le temps, afin d’assurer la continuité électrique puissance par couplage capacitif

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TRANSFERT D’ÉNERGIE SANS CONTACT PAR INDUCTION EN MOYENNE PUISSANCE ____________________________________________________________

mieux adapté à des charges de type faible courant sous tension


élevée.
Durée théorique de recharge complète d’un véhicule électrique d’une
Le transfert de puissance capacitif permet naturellement de capacité de 25 kWh
confiner le champ électrique entre les plaques métalliques,
compte tenu des faibles distances de couplage mises en jeu, et Durée théorique pour un plein de 25 kWh
ainsi de limiter le rayonnement électromagnétique émis. Ces Nombre de km récupérés en 5 minutes de charge
armatures métalliques constituent une solution de blindage légère 25 km
et à moindre coût, contrairement au transfert de puissance induc-
tif où il est nécessaire d’ajouter des matériaux ferromagnétiques,
en plus des plaques de blindage, pour canaliser le champ magné- 12,5 km
tique. Le confinement du champ électrique contribue à rendre le 8 heures
transfert capacitif moins sensible aux défauts de position, à la dif-
férence du transfert de puissance inductif. 1 à 2 km 1 heure 30 min
Charge normale Charge accélérée Charge rapide
1.1.3 Transmission d’énergie par faisceau d’ondes 3 kVA 22 kVA 43 kVA
électromagnétiques CVΛ

Cette technique de transfert d’énergie sans contact n’entre pas Ces données sont fournies pour une batterie de capacité moyenne
dans le contexte de notre étude. Elle repose sur la propagation 25 kWh/150 km d’autonomie.
d’ondes électromagnétiques et est particulièrement adaptée à des
transferts d’énergie sur des longues distances (figure 4). Figure 5 – Durées de charge en fonction des paliers de puissance
Les principales applications envisagées ont longtemps concerné (source : Corporate Value Associates)
et concernent toujours le domaine aérospatial, allant de la propul-
sion thermique par faisceau laser ou la propulsion à micro-ondes
des fusées, à la capture de l’énergie solaire par des centrales – la charge intermédiaire ou accélérée à 22 kW (1 h environ,
solaires orbitales et son acheminement sur Terre, en passant par réseau triphasé 400 V-32 A) ;
l’alimentation de plates-formes d’observation dans la stratos- – la charge rapide à 43 kW avec un réseau 400 V-63 A.
phère, capable de fonctionner de nombreuses heures durant [9]. Le système étudié se limitera à la conversion DC-DC à travers
Dans les années 1990, les chercheurs ont commencé à s’intéres- un coupleur magnétique sans contact, moyenne fréquence. La
ser à de nouveaux débouchés. En 1994, un projet pilote de fourni- source continue d’entrée est générée par la borne de recharge
ture d’électricité dans un village isolé sur l’île de la Réunion a été (partie fixe) alors que le secondaire (partie embarquée) délivre
lancé. À partir d’une ligne EDF située à 700 m du village, une puis- une puissance continue directement ou non à la batterie
sance de 10 kW avec un rendement de 20 % a pu être transférée (figure 6). Cette chaîne de conversion pourra être réversible pour
par faisceaux de micro-ondes jusqu’au village. En 2000, un institut autoriser la possibilité de transfert d’énergie du véhicule vers le
de recherche de l’université de Kyoto au Japon, le RISH, particu- réseau (Vehicle to Grid, V2G).
lièrement en pointe sur le transfert d’énergie par micro-ondes, a La principale difficulté concernera l’étude, le dimensionnement


lancé une série de projets pilotes visant à évaluer le potentiel des et l’optimisation du coupleur associé à son convertisseur à réso-
micro-ondes. Parmi ces projets, on peut en citer un sur la nance. La garde au sol du véhicule imposera un entrefer impor-
recharge sans contact des téléphones portables, un autre sur celle tant et donc un couplage médiocre. Cet entrefer pourrait être
des véhicules électriques [10] ou encore un autre sur la distribu- réduit avec un système de positionnement complexe ; néanmoins,
tion d’électricité sans fil dans un bâtiment. ceci diminuerait l’intérêt de ce type de transfert. Par ailleurs, la
sensibilité au positionnement sera un aspect à considérer.
Des travaux antérieurs ont déjà largement abordé ces problé-
1.2 Positionnement de l’étude matiques en particulier via des collaborations industrielles. On
L’étude présentée ci-après se rapporte au transfert d’énergie peut citer en particulier :
sans contact par couplage magnétique en moyenne puissance (de – le projet Praxitèle avec EDF et la thèse de Rachid Laouamer
l’ordre de la dizaine de kilowatts) ; toutefois, les concepts et [11]. Une solution de recharge des batteries par induction a été
modèles présentés pourront s’appliquer à d’autres niveaux de développée pour automatiser la position du coupleur et celle de la
puissance. L’application qui servira de fil directeur est la recharge charge des batteries ;
accélérée de véhicules électriques (VE). Pour un véhicule embar-
quant une énergie de l’ordre de 25 kWh, trois types de charge
sont communément admis (figure 5) :
– la charge lente à 3 kW pour une durée de 8 h, qui nécessitera
un réseau classique monophasé 230 V-16 A ;

ACHF BMS + pack


DC batteries
Conversion Propagation Conversion
primaire secondaire Récepteur

DC/RF RF/DC Émetteur

AlGaN/GaN Diode Réseau


AC DC
HFET Schottky
DC ACHF

Figure 4 – Schéma de principe d’un système de transmission de Figure 6 – Chaîne de conversion d’énergie d’un système de recharge
puissance par micro-ondes sans contact pour un véhicule électrique

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L1 L2

L1, L2 : inductances propres


M : mutuelle inductance
M
k= : coefficient de couplage
√L1 . L2

Figure 7 – Schéma inductif équivalent d’un coupleur à deux enroulements

– le projet Flytram avec Alstom et la thèse de Jean-Romain


Sibué [12]. Ce projet vise à supprimer partiellement ou complète-
ment les caténaires le long des lignes de tramways, et à fournir
des solutions de recharge sans contact (batteries, supercondensa- Φ22 = Φ21 + Φf2
teurs) pendant les phases d’arrêt en station ;
– le projet CINELI (chargeur inductif électrique interopérable) et
la thèse de Mohammad Ibrahim [13]. Ce projet vise à mettre au
point un système complet de recharge sans contact, y compris la
communication sans fil pour une Renault Kangoo.

Φf2/2 Φf2/2

2. Modèles Φ12 = Φ21

électromagnétiques Φf1/2 Φf1/2

simplifiés et compensation
2.1 Modélisation du coupleur

Φ11 = Φ12 + Φf1
2.1.1 Couplage magnétique
Le coupleur est un système magnétique à deux enroulements
qui peut se représenter de façon générale par deux inductances, Figure 8 – Représentation simplifiée 2D des flux
primaire et secondaire, et une inductance mutuelle, notées respec-
tivement L1, L2 et M (figure 7).
Le coefficient de couplage, noté k, permet de quantifier la qua- Il est possible d’exprimer les flux globaux Φ à partir des flux par
lité du transfert du flux d’un enroulement à l’autre. Lorsque les cir- spire φ. On obtient les relations suivantes :
cuits magnétiques primaire et secondaire sont de géométries
différentes, ce qui peut être le cas pour le transfert d’énergie sans (3)
contact par induction, il est nécessaire d’introduire les coefficients
de couplage rapportés au primaire et au secondaire [14], notés (4)
respectivement k1 et k2.
(5)
La figure 8 représente de façon schématique les différents flux
présents dans le coupleur magnétique afin d’exprimer les diffé- (6)
rents coefficients de couplage :
• Φ11 et Φ22 : flux d’auto-induction (flux globaux, embrassés L’expression générale du coefficient de couplage global est
par les enroulements primaire et secondaire) ; égale à la racine carrée du rapport entre le produit des flux
d’inductions mutuelles et le produit des flux d’auto-induction.
• Φ12 et Φ21 : flux d’induction mutuelle ; On en déduit les expressions des coefficients de couplage pri-
• Φf1 et Φf2 : flux de fuites primaire et secondaire. maire et secondaire :
Les flux d’auto-induction s’expriment en fonction du flux
d’induction mutuelle et des flux de fuites de la manière suivante : (7)
(1)
Les inductances mutuelles M21, M12 sont égales, l’inductance
(2) mutuelle obtenue est notée M. Par conséquent, on obtient les

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Dual Active Bridge (DAB)


pour la conversion continu-continu

par Maximin BLANC


Ingénieur de recherche
SIREPE, GreEn-ER, 21 avenue des Martyrs, Grenoble, France

Yves LEMBEYE
Professeur des Universités
Univ. Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP (Institute of Engineering Univ. Grenoble
Alpes), G2Elab, Grenoble, France

et Jean-Paul FERRIEUX
Professeur des Universités
Univ. Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP (Institute of Engineering Univ. Grenoble
Alpes), G2Elab, Grenoble, France

1. Présentation et intérêts de la structure ..................................... E 3 975 – 2


1.1 Contexte de l’étude ............................................................................ — 2
1.2 Avantages et limites du Dual Active Bridge ...................................... — 3
2. Étude détaillée du Dual Active Bridge........................................ — 3
2.1 Étude exacte du fonctionnement en mode phase-shift .................... — 3
2.2 Contraintes imposées aux composants actifs et passifs .................. — 5
2.3 Mise en évidence des limites des plages de tension entrée/sortie .. — 11


2.4 Règles implicites ................................................................................ — 11
3. Autres lois de commande.............................................................. — 12
3.1 Objectif : amélioration du rendement, étude au premier
harmonique ........................................................................................ — 12
3.2 Sélection des meilleures modulations en vue d’optimiser
le rendement ...................................................................................... — 13
3.3 Améliorations générales du convertisseur ........................................ — 15
4. Extensions du DAB ......................................................................... — 15
4.1 Dual Active Bridge à résonance ......................................................... — 15
4.2 Triple Active Bridge (TAB) : connexion de trois sources avec un seul
transformateur ...................................................................................... — 20
5. Conclusions...................................................................................... — 22
6. Glossaire ........................................................................................... — 23
7. Sigles et symboles .......................................................................... — 23
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. E 3 975

C et article présente une étude détaillée du convertisseur Dual Active Bridge


(DAB). Il s’agit, au sein de la conversion continu-continu, d’une topologie
associant une source et une charge de nature capacitive. Elle possède de ce fait
un élément inductif qui sera le point-clé du dimensionnement.
Cette structure connaı̂t un regain d’intérêt de par les performances qu’elle
peut atteindre, mais également grâce à sa bidirectionnalité. L’étude détaillée
pour le mode de commande le plus simple, communément appelé phase-
p。イオエゥッョ@Z@ヲ←カイゥ・イ@RPQY

shift, permet de cerner toutes les caractéristiques principales et d’établir les

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DUAL ACTIVE BRIDGE (DAB) POUR LA CONVERSION CONTINU-CONTINU ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

contraintes sur les composants de puissance (actifs et passifs) en vue de leur


dimensionnement.
La présence de deux onduleurs en pont offre de nombreuses possibilités de
commande qui sont analysées en vue d’améliorer le rendement. À cette occa-
sion, la méthode d’étude au premier harmonique est employée pour simplifier
l’approche afin d’établir des tendances. À partir de celles-ci, une modélisation
exacte est menée pour proposer une modulation optimale.
Les extensions de ce convertisseur sont ensuite présentées. En particulier,
le convertisseur DAB à résonance série affiche des particularités liées à la réso-
nance et deux méthodes de dimensionnement du circuit résonant sont propo-
sées. Par ailleurs, des variantes sont discutées afin d’envisager, d’une part, la
réalisation de convertisseurs directs alternatif-continu et, d’autre part, la conne-
xion de trois réseaux continus, utile lorsqu’on désire associer un moyen de
stockage.
Le lecteur trouvera en fin d’article un glossaire et un tableau des sigles et des
symboles utilisés.

(Flyback) ou à sa démagnétisation (Forward), ainsi qu’au mauvais


1. Présentation et intérêts usage du composant à semi-conducteur (tensions et courants crê-
de la structure tes importants relativement à la puissance du montage).
Les structures symétriques basées sur le synoptique de la
figure 1 peuvent être classées en trois familles selon la position
de l’inductance de liaison nécessaire au couplage entre la source
1.1 Contexte de l’étude et la charge de nature capacitive. Ces trois configurations sont
résumées ci-après.
Le convertisseur Dual Active Bridge (DAB) entre dans le cadre de
la conversion continu-continu à isolation galvanique. Cette classe 1.1.1 Convertisseurs avec une entrée en tension
de convertisseur à découpage permet, à partir d’une source d’éner-


(voltage fed)
gie continue (batteries, réseau alternatif redressé…), de contrôler la
tension et/ou la puissance d’une charge continue avec un très bon La structure générale (figure 2) est construite autour de deux
rendement (entre 80 et 95 % selon le niveau de puissance), tout en ponts complets, onduleur en entrée et redresseur (commandé ou
garantissant une puissance volumique ou massique élevée. non) en sortie. Des variantes sont possibles telles que le pont à
Les applications sont nombreuses ; on peut citer les alimentations point milieu capacitif en entrée, le push-pull ou bien le doubleur
de laboratoire, la conversion DC-DC au sein de réseaux embarqués de courant en sortie.
(avionique, ferroviaire) ou les chargeurs de batterie pour véhicules Ce type de structure fonctionne en commutation dure et présente
électriques. Cette fonction peut être réalisée par de nombreuses des courants fortement discontinus à l’entrée, qu’il sera nécessaire
structures de conversion DC-DC, éventuellement précédées par un de filtrer.
étage AC-DC. Ces topologies s’organisent selon le synoptique de la
figure 1 et présentent de façon générale un étage onduleur permet-
tant l’alimentation en haute fréquence d’un transformateur, suivi
1.1.2 Convertisseurs avec une entrée en courant
d’un redresseur, rôles pouvant être inversés lorsque la bidirection-
(current fed)
nalité en puissance est requise [1]. Ces topologies sont similaires aux précédentes si l’on per-
Il existe au sein de cette classe de conversion les structures asy- mute entrée et sortie. Un exemple est donné à la figure 3 pour
métriques telles que le convertisseur Flyback et le convertisseur la réalisation d’un convertisseur à faible tension d’entrée [3]
Forward ou leurs variantes [2]. Ces structures présentent l’avantage
de la simplicité, mais sont généralement réservées aux faibles puis-
sances ; en effet, ces structures à un seul interrupteur présentent LDC
L1
des inconvénients liés à l’inductance de fuites du transformateur
V1 V2
n
+ C1 C2
Onduleur Redresseur –
+ +
V1 DC Transformateur AC V2
Filtre Filtre
– AC + impédance HF DC –
Source
Redresseur Onduleur

Figure 1 – Synoptique de la conversion DC-DC isolée Figure 2 – Convertisseur DC-DC symétrique en pont complet

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– DUAL ACTIVE BRIDGE (DAB) POUR LA CONVERSION CONTINU-CONTINU

pour piles à combustible. Le montage primaire peut être vu 1.2 Avantages et limites du Dual Active
comme un doubleur de courant avec un fonctionnement qui
s’apparente à deux structures boost entrelacées. Ces structures
Bridge
sont bien adaptées aux forts courants en entrée, mais présentent
l’inconvénient de l’inductance de fuites du transformateur qui 1.2.1 Avantages
engendre des surtensions au blocage des semi-conducteurs. La structure Dual Active Bridge n’est pas nouvelle (1991) [4] [5],
Comme pour le convertisseur Flyback, ces surtensions impose- toutefois celle-ci est restée en retrait depuis, en raison de ses diffi-
ront l’utilisation de moyens d’écrêtage de la tension, voire de la cultés de pilotage et de sa réversibilité, pas forcément nécessaire,
récupération de l’énergie de fuite. mais qui entraı̂ne l’emploi de quatre interrupteurs commandés
supplémentaires. Les techniques de commande et les besoins évo-
1.1.3 Convertisseurs symétriques tension – luant, un certain nombre d’avantages ont contribué à un regain
tension d’intérêt. Parmi ses caractéristiques bénéfiques, on peut citer :
– le stockage inductif : l’inductance de liaison est placée sur la
Les structures symétriques tension-tension présentent une source partie alternative haute fréquence ce qui conduit à la réduction de
de courant (inductance ou circuit résonant) placée sur la partie alter- l’énergie stockée et, en conséquence, à une masse et un volume
native haute fréquence. La figure 4 représente un convertisseur à réduit. Ce dernier point est à relativiser par le fait que cette induc-
résonance série non réversible, alors que le figure 5 montre le tance est contrainte par un courant alternatif à haute fréquence et
Dual Active Bridge réalisé avec deux ponts complets commandés, sera le siège de pertes. Par ailleurs, cela entraı̂nera, à fréquence éle-
qui fera l’objet de notre étude. vée de découpage, un meilleur comportement dynamique ;
Ces structures autorisent l’emploi du transformateur dans de – la réversibilité en courant, donc en puissance, procurée par les
bonnes conditions, de façon symétrique, et dont l’inductance de deux ponts commandés ;
fuites peut participer à la fonction inductive nécessaire au fonction- – le fonctionnement possible en commutation douce : cette topo-
nement. Dans le cas de la résonance série, le condensateur permet- logie peut opérer en mode de commutation à zéro de tension (Zero
Voltage Switching, ZVS) sous certaines conditions de commande ;
tra d’éviter la saturation du transformateur.
– cette structure présente des degrés de liberté importants sur la
commande (rapports cycliques des deux ponts, déphasage entre
ceux-ci) qui peuvent être mis à profit pour des structures AC-DC
LDC ou DC-AC mono-étage [6].

V1 L1a L1b V2 1.2.2 Inconvénients


n
La principale limitation de la structure DAB est liée à la struc-
+ C2 ture même qui est de type tension-tension. Cela entraı̂ne des cou-
– rants fortement discontinus en entrée et en sortie qui nécessite-
ront des filtres capacitifs contraints et qui pourront pénaliser
cette topologie vis-à-vis de la compatibilité électromagnétique en
mode différentiel [3].
Par ailleurs, l’étude montre que les contraintes sont fortement


Source
dépendantes des plages de tension d’entrée et de sortie, ce qui
peut limiter l’intérêt de cette structure selon les cahiers des
Figure 3 – Convertisseur DC-DC avec une entrée en courant charges.

L1
2. Étude détaillée du Dual
V1
L C n V2 Active Bridge
+ C1 C2

2.1 Étude exacte du fonctionnement
en mode phase-shift
Source
Composé de deux onduleurs, le DAB est adapté à la forte puis-
sance. Le circuit haute fréquence est constitué d’une inductance
Figure 4 – Convertisseur à résonance série non réversible connectée en série avec le transformateur. Cette association permet
en outre d’utiliser l’inductance de fuite soit seule, soit en la renfor-
çant avec un composant magnétique extérieur. La structure symé-
L1 I1 i
ϕ trique du DAB autorise par nature la bidirectionnalité. Des filtres
1red i2red I2
capacitifs viennent compléter le convertisseur pour obtenir, vu de
V1 T1 T3 T5 T7 V2
l’extérieur, des sources de tension. Outre le filtrage des courants à
iL L n haute fréquence, ces filtres assurent l’écrêtage de la tension aux
iC1 iC2
D1 D2 bornes des transistors MOSFETs. La figure 5 présente le schéma
+ VAC1 VAC2
– électrique de cette structure dont le fonctionnement sera décrit de
C1 C2 façon analytique dans cette partie [7] [8]. Les conventions de signes
sont choisies arbitrairement pour un transfert de puissance d’une
T2 T4 T6 T8 source (pont 1) vers une charge (pont 2).
Source
Un regain d’intérêt récent, motivé par l’utilisation propice de
modulations originales, a montré qu’il était possible d’améliorer
Figure 5 – Dual Active Bridge ses performances en tirant profit des commutations douces en

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DUAL ACTIVE BRIDGE (DAB) POUR LA CONVERSION CONTINU-CONTINU ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

mode ZVS [9] [10] et de réduire les courants efficaces dans le Dans un fonctionnement en pleine onde, uAC1 et uAC2 sont des
convertisseur pour maximiser le rendement. créneaux de valeur ± Vi. Le système d’équations qui suit donne
Considérant dans un premier temps des filtres capacitifs de l’expression du courant pour chaque phase de fonctionnement :
grande valeur (filtre parfait) et des commutations instantanées et
V1 + nV2 nV2 (2 ϕ − π ) + πV1
sans perte, le schéma électrique du DAB peut être simplifié en ⎧ ϕ
celui du schéma équivalent de la figure 6. ⎪ t− si 0 < t ≤
⎪ L 4 πLf 2πf
Chaque pont complet peut être vu comme une source de tension ⎪ V1 − nV2 ⎛ ϕ ⎞ V1 (2 ϕ − π ) + πnV2 ϕ 1
créneau de fréquence fixe et dont l’ouverture (rapports cycliques ⎪⎪ ⎜⎝ t − ⎟ + si <t ≤
L 2πf ⎠ 4 πLf 2πf 2f
que l’on notera D1 et D2) dépend du déphasage entre les deux iL (t ) = ⎨ (2)
bras du pont. Le rapport cyclique permet donc d’obtenir les trois ⎪ − V1 − nV 2 ⎛ 1 ⎞ nV2 (2 ϕ − π ) + πV1 1 1 ϕ
⎜⎝ t − ⎟+ si < t ≤ +
niveaux de tension [- Vi ; 0 ; + Vi] permis par le pont complet où i ⎪ L 2f ⎠ 4 πLf 2f 2f 2πf
représente l’indice du réseau DC (1 ou 2). On note j le déphasage ⎪ − V + nV
⎪ 1 2⎛ 1 ϕ ⎞ V1 (2 ϕ − π ) + πnV2 1 ϕ 1
entre les fondamentaux des tensions primaire (référence) et secon- ⎜⎝ t − − ⎟− si + <t ≤
⎪⎩ L 2f 2πf ⎠ 4 πLf 2f 2πf f
daire. Le sens de transfert de puissance dépendant alors du signe
de j. L’inductance L joue un rôle crucial dans cette structure. Son
dimensionnement sera présenté plus en détails ultérieurement. Ce système d’équations rend possible le calcul analytique du
courant efficace dans l’inductance IL en intégrant chaque phase du
Parmi toutes les commandes autorisées par l’utilisation de pont
système. Les bornes des intégrales a et b correspondent aux limi-
complet, la modulation la plus simple est celle communément
tes temporelles de validité de la phase considérée.
appelée « phase-shift » [11]. Cette commande est réalisée à fré-
quence fixe et avec des rapports cycliques maximaux D1 = D2 = 1/2.
Ces valeurs sont caractéristiques d’une commande en pleine onde 1 b
∑ ∫a iL (t ) dt
2 (3)
d’un onduleur en pont complet. La puissance sera alors contrôlée IL =
T
uniquement grâce au paramètre j représentant le déphasage entre
chaque pont complet. Dans cette modulation, le déphasage peut se Le résultat de ce calcul littéral est alors :
lire graphiquement entre deux fronts montants de tension. Cepen-
dant, nous préférons représenter le déphasage entre les fondamen-
taux de tension pour conserver la même convention avec les autres 1 ⎡ ⎛ ϕ⎞
3
⎛ ϕ⎞ ⎤
2
3 ⎢(V1 − nV2 ) − 64 nV1V2 ⎜ ⎟ + 48 nV1V2 ⎜ ⎟ ⎥
2
modulations présentées par la suite. IL = (4)
12Lf ⎢ ⎝ 2π ⎠ ⎝ 2π ⎠ ⎥
⎣ ⎦
À partir du logiciel de calcul formel MathCAD‚ et sur la base des
conditions de périodicité et de symétrie, les formes d’ondes sont
construites de façon à déterminer l’expression analytique par mor- Ensuite, il est pertinent d’exprimer le courant redressé côté
ceaux du courant dans l’inductance sur toute la période. À partir du secondaire du transformateur pour déduire ensuite le courant
schéma de la figure 7, la tension aux bornes de l’inductance permet continu circulant dans la charge.
d’exprimer l’équation différentielle du courant AC :
⎧ ϕ
υL = L
diL
= υAC1 − n ⋅ υAC2 (1) ⎪ − n ⋅ iL (t ) si 0 < t ≤
2πf
dt ⎪ 1


ϕ
⎪⎪ + n ⋅ iL (t ) si <t ≤
i 2 red (t ) = ⎨ 2πf 2f (5)
1 1 ϕ
⎪+ n ⋅ iL (t ) si <t ≤ +
⎪ 2f 2f 2πf
iL L ⎪ − n ⋅ i (t ) 1 ϕ 1
si + <t ≤
⎪⎩ L
2f 2πf f

VAC1 n.VAC2 On peut noter ici que la partie de l’équation en noir correspond
au courant AC côté primaire. Le coefficient n permet de se ramener
au secondaire du transformateur et le signe + ou - représente le
redressement des signaux après le passage du pont complet
Figure 6 – Schéma simplifié du DAB secondaire.
Le courant transmis à la charge I2 s’exprime alors comme suit.
Il s’agit de la valeur moyenne du courant redressé, puisque la
partie alternative du signal est parfaitement filtrée par les
condensateurs :
1 T
I2 red (t ) dt
T ∫0
I2 = (6)

En résolvant cette intégrale, on obtient l’expression analytique


du courant moyen dans la charge, ainsi que l’expression de la puis-
sance en fonction du point de fonctionnement.

nV1 ϕ ⎛ ϕ⎞
I2 = 1− ⎟ (7)
Lf 2π ⎝⎜ π⎠

nV2V1 ϕ ⎛ ϕ⎞
P= 1− ⎟ (8)
Lf 2π ⎜⎝ π⎠
Figure 7 – Forme d’onde d’une commande phase-shift

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– DUAL ACTIVE BRIDGE (DAB) POUR LA CONVERSION CONTINU-CONTINU

L’utilisation d’interrupteurs commandés permet la bidirectionna- Chacun de ces sous-ensembles est soumis à des contraintes élec-
lité du convertisseur. Le sens de transfert est indiqué par le signe triques qu’il est nécessaire d’étudier pour garantir leur aire de
du déphasage j : sécurité (courant et tension maximum). Par ailleurs, comme tous
les systèmes, ces composants actifs et passifs ne sont pas parfaits
P < 0 si ϕ < 0 (9) électriquement et sont le siège de pertes qui se traduisent par des
échanges de chaleur avec l’extérieur. Ces calories s’accompagnent
d’une élévation de leur température qu’il convient de maintenir à
P > 0 si ϕ > 0 (10) un niveau acceptable sous peine d’amoindrir les performances ou
d’aller jusqu’à la rupture physique du composant.
avec :
La mise en équation du DAB précédemment établie sera le point
⎛ de départ du dimensionnement de ces éléments actifs et passifs.
π 8f L P ⎞
ϕ = ⋅ signe (P ) ⎜ 1 − 1 − ⎟ (11)
2 ⎝ nV1V2 ⎠ 2.2.1 Composants à semi-conducteur
La puissance de sortie est tracée sur la figure 8 et présente des Les formes d’ondes imposées aux composants à semi-conduc-
extrema pour des angles j = ± p/2 dont il est possible de trouver teur Ti obligent le concepteur à sélectionner des composants capa-
les valeurs en résolvant l’équation ∂P/∂j = 0. Chaque courbe cor- bles d’assurer la continuité du courant dans les deux sens de trans-
respond à un doublet (V1, V2). La puissance et le courant de sortie fert. Cependant, la tenue en tension inverse n’est pas requise
maximum transmissible en commande phase-shift s’exprime puisque le convertisseur interface deux réseaux à courant continu.
alors par : La tension maximale aux bornes des composants à semi-conduc-
teur correspond à la tension maximale des réseaux DC auxquels ils
nV V
Pmax = 1 2 (12) sont connectés. Leur tension est alors écrêtée par les filtres capaci-
8Lf tifs qui assurent un bon découplage entre les sources/charges éloi-
gnées du lieu de conversion et le convertisseur.
nV1
I2 max = (13) VT −HT max = V1max (14)
8Lf

L’avantage principal de cette modulation réside dans sa simplicité.


VT −BT max = V2max (15)
Une seule variable est nécessaire pour ajuster le niveau de puissance.
Les inconvénients proviennent de la forte dépendance des pertes et
du courant efficace aux niveaux des tensions d’entrée et de sortie. La mise en équations de la structure dans la partie précédente
En effet, s’éloigner du fonctionnement uAC1 (t) = n.uAC2 (t) (n est alors permet de déduire les contraintes en courant crête et efficace.
fixé lors du dimensionnement du transformateur et les tensions sont Les composants à semi-conducteur du côté haute tension commu-
amenées à varier fortement), nous fait perdre rapidement la commu- T
tent aux instants t0 et t 0 + . Le courant commuté s’exprime par :
tation douce en mode ZVS lorsque la puissance diminue. Cette notion 2
sera présentée par la suite. On voudrait pouvoir adapter n ou L en
fonction de la puissance et des niveaux de tension, mais ces éléments nV2 (2 ϕ − π ) + πV1
I (t 0 ) = − (16)


doivent être fixes a priori ; c’est pourquoi la piste d’amélioration privi- 4 πLf
légiée est l’utilisation d’autres modulations.
Sur le réseau basse tension, les composants à semi-conducteur
T
commutent aux instants t1 et t1 + un courant dont la valeur
2.2 Contraintes imposées s’exprime par : 2
aux composants actifs et passifs
V1 (2 ϕ − π ) + πnV2
Le dimensionnement de convertisseurs statiques, en particulier I (t1) = (17)
4 πLf
la conversion active, repose sur l’utilisation propice de compo-
sants à semi-conducteurs commandables et d’éléments de stoc- La symétrie des formes d’ondes permet de montrer que les qua-
kage d’énergie sous forme électromagnétique ou électrostatique. tre composants à semi-conducteur de chaque pont complet suivent
ces équations quel que soit le point de fonctionnement.
Le courant efficace est également déduit de l’étude exacte des
P (kW) formes d’ondes :
10
IL
440 V, 55 V IT −HTeff = (18)
2
5 400 V, 48 V

2,5 360 V, 45 V IL
IT −BTeff = n (19)
0 2

où IL est le courant circulant dans l’inductance.


–5 Les pertes dans les composants à semi-conducteur sont disso-
ciées en deux contributions que l’on nomme conduction, lorsque
le canal conduit le courant, et commutation, lorsque que le com-
posant à semi-conducteur change d’un état (passant ou bloqué)
–10
–π –π/2 0 π/4 π/2 π ϕ à l’autre. La caractérisation de ces pertes devient de plus en plus
un enjeu essentiel pour répondre à l’intégration croissante des
systèmes de conversion, puisque le concepteur tend vers les limi-
Figure 8 – Puissance en fonction du déphasage pour trois différents tes des matériaux et des composants en allant plus haut en fré-
doublets (V1, V2) quence et plus haut en température. Pour s’approcher des limites

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DUAL ACTIVE BRIDGE (DAB) POUR LA CONVERSION CONTINU-CONTINU ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

technologiques, sans les dépasser, il faut être capable de prédire à Notons que cette résistance dépend de plusieurs paramètres
l’avance les formes d’ondes avec une grande précision. dont le tableau 1 donne les tendances.
La littérature propose une grande variété de méthodes de prédic-
tion de pertes. Par exemple, la caractérisation des phases de com- 2.2.1.2 Pertes en commutation
mutation par des schémas simplifiés, l’utilisation directe des don- L’augmentation des fréquences de découpage rend les pertes par
nées des constructeurs, la simulation ou encore la caractérisation commutation importantes voire prépondérantes, et peuvent être
expérimentale avec des mesures électriques ou thermiques, avec regroupées en trois catégories [14]. Le premier terme est indépen-
pour chaque méthode ses avantages et ses inconvénients. Rappe- dant du courant principal et représente des charges stockées dans
lons également qu’en électronique de puissance, un composant à les capacités parasites des semi-conducteurs. Le deuxième, propor-
semi-conducteur ne commute jamais seul. Son courant est tionnel au courant, est l’image du produit V.I caractéristique du
« détourné » ; la tension à ses bornes « basculée » de l’interrupteur croisement entre la tension et le courant donnant lieu à une puis-
à son voisin. Vouloir mesurer les pertes d’un composant à semi- sance non transmise à la charge et que l’on considère alors
conducteur seul, hors de toute influence du circuit extérieur, n’a comme des pertes. Enfin, un terme quadratique avec le courant
donc aucun sens. Ceci est d’autant plus vrai que les énergies à qui provient des inductances de maille excitées par des variations
mesurer sont faibles. En d’autres termes, les pertes par commuta- brutales de courant. L’énergie est alors emmagasinée sous forme
tion dans un interrupteur dépendent de l’ensemble des consti- magnétique.
tuants de la cellule de commutation. Il est donc illusoire, en toute Il est important de noter que les charges stockées dans les capa-
rigueur, de vouloir caractériser les pertes par commutation d’un cités et dans les inductances peuvent éventuellement être recy-
interrupteur seul, cela ne peut être fait qu’au niveau d’une cellule clées d’une commutation à l’autre et donc ce ne sont pas forcé-
complète. ment des pertes.
La forme générale des pertes en commutation est :
2.2.1.1 Pertes en conduction
Lorsqu’un composant à semi-conducteur conduit le courant de (
Pcommutation = f A + B .I + C .I 2 ) (22)
puissance, il est le siège de pertes nommées « pertes en conduc-
tion », car l’impédance du chemin est non nulle. Les pertes en La méthode la plus simple pour prédire les pertes en commuta-
conduction s’expriment simplement à l’aide du modèle électrique tion dans le cas de commutation dure s’appuie sur les fiches des
constructeurs en faisant l’approximation de fronts linéaires pour le
de la figure 9, où R0 représente la résistance dynamique et V0 la
courant et la tension. Les formes d’ondes ainsi proposées sont
tension de seuil du composant à semi-conducteur [2] [12].
représentées sur le schéma de la figure 10.
À partir de ce modèle, la chute de tension aux bornes du compo-
La linéarisation des formes d’ondes conduit à une formulation
sant à semi-conducteur s’écrit : simple des pertes :
υ (t ) = V0 + R0 ⋅ i (t ) (20) 1
PcomON = f V I (tri + t fυ ) (23)
2
Les pertes s’expriment en intégrant la puissance instantanée sur
une période T :
1
1 T PcomOFF = f V I (trυ + t fi ) (24)


υ (t )i (t ) dt = V0 Imoy + R0 Ieff 2
T ∫0
Pconduction = (21) 2
Certaines de ces grandeurs sont disponibles dans les fiches des
La relation précédente est considérée dans le cas de compo- constructeurs. Parfois, les fabricants donnent directement des cour-
sants bipolaires (IGBT ou diode) [13] [14]. Pour un composant bes d’énergie de commutation en fonction du courant commuté.
unipolaire comme le MOSFET, seul le terme en R0Ieff2 sera retenu Cependant, ces informations sont dépendantes des conditions de
avec R0 = Rds,ON que l’on peut trouver dans les fiches des test et il est assez rare que le concepteur fonctionne avec les
constructeurs. mêmes paramètres. De plus, cette version très simpliste ne prend
en compte que la composante proportionnelle au courant. Pour-
tant, d’autres éléments assez essentiels peuvent être à l’origine de
υ(t) pertes non négligeables (capacités parasites des composants à
semi-conducteur, inductance de maille, drivers…).
R0 Pour améliorer la précision, l’auteur [15] reprend la méthode
i (t) basée sur l’équation suivante :
V0

1 1
Figure 9 – Schéma équivalent d’un composant à semi-conducteur Pcom = f V I (t ON + t OFF ) + C ossV 2f (25)
bipolaire dans son état passant 2 2

Tableau 1 – Dépendance de la résistance Rds,ON à quelques paramètres courants

Paramètre Dépendance (
Tendance RDS,ON ր )
Température de jonction Tj forte Pour Tj ր

Tension drain-source max VDS max forte Pour VDSmax ր

Tension grille-source VGS moyenne Pour VGS ց

Courant drain-source IDS faible Pour IDS ր

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