Ministre de lenseignement suprieur, de la recherche scientifique

et de la technologie

Institut Suprieur des Etudes Technologiques de Nabeul

Dpartement : Gnie Electrique

Support de cours :

ELECTRONIQUE GENERALE

Adel SAID
Technologue lISET de Nabeul

Anne universitaire 2013 / 2014

 SOMMAIRE

pages

Chapitre 1 : Notions sur les semi-conducteurs 1

1- Introduction 1

2- Les semi-conducteurs 1

3- Les semi-conducteurs purs ou intrinsques 1

4- Les semi-conducteurs dops ou extrinsques 2

Chapitre 2 : La diode jonction 5

1- Dfinition 5

2- Polarisation de la diode 5

3- Caractristique statique courant-tension de la diode 5

4- Schmas quivalents de la diode 6

5- La diode Zener 7

Chapitre 3 : Redressement, Filtrage et Stabilisation 8

1- Redressement 8

2- Filtrage 10

3- Stabilisation 11

Chapitre 4 : Le transistor bipolaire en rgime statique 12

1- Prsentation du transistor 12

2- Effet transistor 12

3- Rseaux des caractristiques dun transistor mont en Emetteur commun 12

4- Polarisation du transistor 13
Chapitre 5 : Le transistor bipolaire en rgime dynamique 16

1- Introduction 16

2- Schma quivalent du transistor en rgime dynamique 16

3- Amplificateur transistor mont en Emetteur commun 17

4- Autres montages amplificateurs 18

Chapitre 6 : Le transistor effet de champ 19

1- Transistor effet de champ jonction (J.FET) 19

2- Transistor effet de champ Grille isole (MOS.FET) 20

3- Transistor effet de champ en amplification 20

4- Le transistor effet de champ en rsistance commande 21

Chapitre 7 : Fonction commutation 22

1- Dfinition 22

2- Diode en commutation 22

3- Transistor bipolaire en commutation 22

4- Exemples de ralisation de fonctions logiques 23

5- Utilisation du transistor dans la commutation de puissance 24

Bibliographie 25
Chapitre 1 : Notions sur les semi-conducteurs
1- Introduction
Pour comprendre le fonctionnement des composants lectroniques, il faut tout dabord tudier les
semi-conducteurs matriaux qui ne sont ni conducteurs, ni isolants.

2- Les semi-conducteurs
- Ils se placent entre les conducteurs et les isolants.
- Ils possdent une rsistivit intermdiaire entre celle des conducteurs et celle des isolants :
Ils se comportent comme des isolants aux basses tempratures lorsque lagitation thermique est
faible et comme des conducteurs aux tempratures leves.
- La rsistivit dun semi-conducteur diminue quand la temprature augmente.

3- Les semi-conducteurs purs ou intrinsques

Lorsque le corps est parfaitement pur, il est qualifi dintrinsque.
Exemples : Silicium (Si), Germanium (Ge), Slnium (Se)

Si
S
i

Figure 1 : Atome de Silicium

Le Silicium est un atome ttravalent : Il possde 4 lectrons de valence qui vont se mettre en
commun avec dautres atomes de Silicium pour avoir la forme cristalline (Figure 2).

Si Si Si

Si Si Si

Si Si Si

Figure 2 : Cristal de Silicium

A la temprature 0 K toutes les liaisons covalentes sont maintenues. Cest un bon isolant : pas
dlectrons libres.
Lorsque la temprature du cristal augmente, certains lectrons de valence quittent leurs places,
certaines liaisons covalentes sont interrompues. On dit quil y a rupture de la liaison covalente et par
consquent :
- libration de certains lectrons qui vont se dplacer librement conduction du courant lectrique.
- il reste une liaison rompue (un ion Si +) naissance dune paire de charge : lectron libre (charge
ngative) et trou (charge positive).

Electronique gnrale 1 Adel.S

 4- Les semi-conducteurs dops ou extrinsques
4-1- Dopage des semi-conducteurs
Le dopage est lintroduction dans un semi-conducteur intrinsque de trs faible quantit dun corps
tranger appel dopeur.
Pour les semi-conducteurs usuels (Si , Ge), les dopeurs utiliss sont :
- soit des lments pentavalents : ayant 5 lectrons priphriques.
Exemples : lArsenic (As), lAntimoine (Sb), le Phosphore (P),
- soit des lments trivalents : ayant 3 lectrons priphriques.
Exemples : le Bore (B), le Gallium (Ga), lIndium (In),
Ces dopeurs sont introduits trs faible dose (de lordre de 1 atome du dopeur pour 106 atomes du semi-
conducteur).
Aprs le dopage, le semi-conducteur nest plus intrinsque mais extrinsque.

4-2- Semi-conducteur extrinsque type N

Le dopeur utilis appartient la famille des pentavalents (As, Sb, P,).
Latome dopeur sintgre dans le cristal de semi-conducteur, cependant, pour assurer les liaisons entre
atomes voisins, 4 lectrons sont ncessaires : le cinquime est donc en excs et n pas de place pour lui.
On dit que le dopeur est un donneur (N) dlectrons (porteurs de charge Ngative). Il faut noter que cet
lectron lorsquil quitte son atome, il laisse sa place un ion positif fixe (Figure 3).

Electron libre
Si Si Si

Si As Si

Si Si Si

Figure 3 : Un atome dArsenic incorpor dans le cristal de semi-conducteur

Reprsentation simplifie dun semi-conducteur type N :

: ion positif fixe du dopeur.

: lectron libre (porteur de charge ngative).

4-3- Semi-conducteur extrinsque type P

Le dopeur utilis appartient la famille des trivalents (B, Ga , In ,).
Latome dopeur sintgre dans le cristal de semi-conducteur, cependant, pour assurer les liaisons entre
atomes voisins, 4 lectrons sont ncessaires alors que le dopeur ne porte que 3, il y a donc un trou
disponible susceptible de recevoir un lectron. Un lectron dun atome voisin peut occuper ce trou.
Latome du dopeur devient un ion ngatif fixe. Latome quitt aura un trou et une charge positive
excdentaire. On dit que le dopeur est un accepteur (P) dlectrons. (Figure 4).

Electronique gnrale 2 Adel.S

 Trou
Si Si Si

Si In Si

Si Si Si

Figure 4 : Un atome dIndium incorpor dans le cristal de semi-conducteur

Reprsentation simplifie dun semi-conducteur type P:

: ion ngatif fixe du dopeur.

: trou disponible (porteur de charge positive).

5- Jonction P-N
5-1- Dfinition
Lunion dans un mme cristal dun semi-conducteur type P et dun semi-conducteur type N fait
apparatre la limite des zones P et N, une zone de transition appele : Jonction P-N (Figure 5).

Figure 5 : Jonction P-N

5-2- Jonction P-N non polarise
Au niveau de la jonction P-N :
- les lectrons libres de la partie N diffusent vers les trous disponibles de la partie P
- les trous disponibles de la partie P diffusent vers la partie N et pigent des lectrons.
Il y a recombinaison lectron-trou.
Les parties P et N tant initialement neutres, la diffusion des lectrons et des trous a pour effet de
charger positivement la partie N, ngativement la partie P do la cration dun champ lectrique
interne. Ce champ repousse les porteurs majoritaires de chaque partie et arrte la diffusion (Figure 7).
Entre les deux parties P et N apparat alors une d.d.p. appele aussi barrire de potentiel de lordre de
0,7 V pour le Silicium, 0,3 V pour le Germanium.

Electronique gnrale 3 Adel.S

 P Jonction P-N N

Ei

1 m

Figure 6 : Jonction P-N non polarise lquilibre

7-3- Jonction P-N polarise

7-3-1- Polarisation en direct
Lorsquune tension positive est applique entre la partie P et la partie N (UPN > 0), la jonction P-N est
polarise en direct (Figure 7). Cela revient superposer au champ interne Ei, un champ externe E, le
champ rsultant a pour effet de diminuer la hauteur de la barrire de potentiel et par consquent, le
nombre de porteurs majoritaires capables de franchir la jonction augmente.

Ei
+
E

UPN > 0
Figure 7: Jonction P-N polarise en direct
A partir dun certain seuil de tension Uo de lordre de 0,7 V pour le Silicium, les porteurs de charge
peuvent franchir librement la jonction P-N, celle-ci devient passante et un courant direct stablit.

7-3-2- Polarisation en inverse

Lorsquune tension ngative est applique entre la partie P et la partie N (UPN < 0), la jonction P-N est
polarise en inverse (Figure 8). Le champ rsultant a pour effet dempcher la circulation des porteurs
majoritaires. La jonction est bloque. Le courant inverse est pratiquement nul.

Ei
+
E

UPN < 0
Figure 8: Jonction P-N polarise en inverse

Electronique gnrale 4 Adel.S

Chapitre 2 : La diode jonction
1- Dfinition
Une diode jonction est un composant lectronique constitu de deux lectrodes : lAnode (A) et la
Cathode (K).
Symbole :
Anode Cathode

A K

Figure 1 : Symbole dune diode jonction

2- Polarisation de la diode
2-1- Polarisation directe 2-2- Polarisation inverse

A K A K

VAK VAK

+ +
Figure 2 : Polarisations directe et inverse de la diode jonction

En polarisation directe, la tension applique (VAK > 0 ) permet le passage dun courant lectrique de
lanode vers la cathode appel courant direct.
En polarisation inverse, la tension applique (VAK < 0 ) empche le passage du courant. Le courant
inverse est pratiquement nul.

3- Caractristique statique courant-tension de la diode

Cette caractristique dcrit lvolution du courant traversant la diode en fonction de la tension ses
bornes en courant continu.

I
A I K Caractristique directe

VAK

VAK

Claquage

Caractristique inverse

Figure 3 : Caractristiques statiques courant-tension

Electronique gnrale 5 Adel.S

 4- Schmas quivalents de la diode
4-1- Caractristique linarise de la diode
La caractristique de la diode peut se rapprocher par deux portions de droites :
I
A I K

VAK pente (1/Rd)

VAK
Uo
Figure 4 : Caractristique linarise de la diode

Uo et Rd : tension de seuil et rsistance dynamique de la diode.

- En polarisation directe et pour I > 0, la diode est quivalente un rcepteur de f.c..m Uo et de

rsistance interne (Rd = VAK/I ).
Rd
A I K A I K

VAK Uo Rd I
VAK
Figure 5 : Schma quivalent de la diode polarise en direct

- En polarisation inverse : pour VAK < 0, I = 0, la diode est quivalente un interrupteur ouvert.

A I K A K

VAK

Figure 6 : Schma quivalent de la diode polarise en inverse

4-2- Caractristique idalise de la diode

En polarisation directe : La diode est passante (I > 0 et VAK = 0 ).
En polarisation inverse : La diode est bloque (I = 0 et VAK < 0 ).

0 VAK

Figure 7 : Caractristique idalise de la diode

Electronique gnrale 6 Adel.S

 5- La diode Zener
5-1- Dfinition
Une diode Zener est une diode spcialement conue pour exploiter le claquage inverse. La tension de
claquage est appele tension Zener.
Symbole :
A I K

VAK
Figure 8 : Symbole de la diode Zener

5-2- Caractristique statique courant-tension

I(A K)

Ui (VKA) Uz Uo VAK

Ii ( K A)

Figure 9 : Caractristique courant-tension de la diode Zener

En polarisation directe, une diode Zener est quivalente une diode normale.
En polarisation inverse, la diode conduit lorsque la tension inverse Ui devient suprieure la tension
Zener Uz. La caractristique linarise conduit lquation : Ui = Uz + Rz Ii o Rz est la rsistance
dynamique inverse. Dans ce cas La diode Zener est quivalente au modle suivant :

K Ii A K Ii A

Ui Uz Rz Ii
Ui

Figure 10 : Schma quivalent une diode Zener polarise en inverse

Remarque:
Si la rsistance dynamique Rz est nglige, la tension aux bornes de la diode lorsquelle conduit en
inverse est constante quelque soit le courant qui la traverse. La diode Zener est idale.

K Ii A K Ii A

Ui Ui = Uz

Figure 11 : Schma quivalent dune diode Zener idale passante en inverse.

Electronique gnrale 7 Adel.S

Chapitre 3 : Redressement, Filtrage et Stabilisation

1- Redressement
1-1- Dfinition
Le redressement consiste transformer une tension bidirectionnelle en une tension unidirectionnelle
appele tension redresse.
1-2- Redressement simple alternance
1-2-1 Schma de montage :

D
i

ud avec : u = UM sin t
u R uR et = 2f

Figure 1 : Redresseur simple alternance

1-2-2 Principe de fonctionnement :

Hypothse : On suppose que la diode est idale.
Pendant lalternance positive de la tension u ( u > 0 ), la diode D est polarise en direct donc elle est
passante ( i > 0 et ud = 0 ) donc uR = u ud = u
Pendant lalternance ngative de la tension u ( u < 0 ), la diode D est polarise en inverse donc elle
est bloque ( i = 0 et ud < 0 ) donc uR = 0.

u , uR

Figure 2 : Allures des tensions u et uR

1-3- Redressement double alternance deux diodes et transformateur point milieu

1-3-1 Schma de montage :
D1
u = u1 u2 = UM sin t avec = 2f
u1 R i
u u
u2 u1 = et u2 = -
2 2

D2
Figure 3 : Redresseur double alternance deux diodes et transformateur point milieu

Electronique gnrale 8 Adel.S

 1-3-2 Principe de fonctionnement:
Hypothse : les diodes sont supposes idales.
Pendant lalternance positive de u :
u
u1 est positive, D1 conduit donc uR = u1 =
2
u2 est ngative, D2 bloque
Pendant lalternance ngative de u :
u
u2 est positive, D2 conduit donc uR = u2 = -
2
u1 est ngative, D1 bloque.

u , uR

Figure 4 : Allures des tensions u et uR

1-4- Redressement double alternance pont de Graetz

1-4-1 Schma de montage :

D1 D4

u uR R
D3 D2

Figure 5 : Redresseur double alternance pont de Graetz

1-4-2 Principe de fonctionnement:

Hypothse : les diodes sont supposes idales.
Pendant lalternance positive de u :
D1 et D3 conduisent, D2 et D4 bloques donc uR = u
Pendant lalternance ngative de u
D2 et D4 conduisent, D1 et D3 bloques donc uR = - u
u , uR

t
T T

Figure 6: Allures des tensions u et uR

T
La priode dune tension redresse double alternance est T = .
2

Electronique gnrale 9 Adel.S

 2- Filtrage
2-1- Dfinition
Le filtrage dune tension redresse consiste rduire au maximum londulation donc avoir une
tension aussi constante que possible. Cette fonction peut tre ralise par un condensateur.

2-2- Schma de montage

u : tension sinusodale de frquence f

u C + uc R

Redresseur
Figure 7: Filtrage dune tension redresse

2-3- Principe de fonctionnement

Ds la premire alternance, le condensateur C se charge puis, ds que la tension ses bornes devient
suprieure la tension redresse, il se dcharge travers la rsistance R.

Allures de la tension uc pour un redresseur double alternance

uC
UM
Um

T
Figure 8: Allure de la tension filtre uC
2-4- Taux dondulation
U c Uc : ondulation de la tension filtre uc
Cest le rapport : = avec 2Uc = UM - Um: ondulation crte crte
U c moy
Uc moy : tension filtre moyenne.

UM Um
Pour les faibles ondulations : Uc moy
2

2-5- Dtermination de la capacit de filtrage

Pendant la charge du condensateur, la tension filtre passe de Um UM donc : Q = C (UM Um ).
Cette charge va tre restitue la rsistance R pendant le temps de dcharge td soit Q = Imoy td avec
U c moy I moy t d U t
Imoy = . Do: C = = c moy d
R UM Um 2 U c R
Si on nglige le temps de charge devant le temps de dcharge, alors td T. On peut crire donc :
U c moy T
C=
2 U c R
La priode T de la tension filtre est gale :
1/f : pour un redresseur simple alternance,
1/2f : pour un redresseur double alternance.

Electronique gnrale 10 Adel.S

3- Stabilisation
3-1- Dfinition
La stabilisation dune tension ondule consiste obtenir une tension pratiquement constante. Cette
fonction peut tre ralise par une diode Zener.

3-2- Stabilisation par diode Zener

3-2-1 Schma de montage
RP

u : tension ondule

u DZ R uS RP : rsistance de polarisation
de la diode Zener.

Figure 9: Montage Stabilisateur de tension par diode Zener

3-2-2 Principe de fonctionnement

On suppose que la rsistance R dconnecte et que la rsistance RZ de la diode Zener
est nglige ( RZ = 0 ),
Si u > UZ alors uS = UZ
Si u < UZ alors uS = u.
Il faut donc que u > UZ pour que la tension de sortie soit constante (stabilise).
A rsistance R non dconnecte et rsistance RZ non nglige,
Lorsque u est suffisamment suprieure UZ , le schma quivalent du montage est le suivant :
iE RP iS
iZ
RZ
u R uS
UZ

Figure 10: Montage Stabilisateur de tension par diode Zener

uS U Z uS
Les quations: u = RP iE + uS , iE = iZ + iS avec iZ = et iS = mnent :
RZ R
RP
1 RZ
uS u UZ
1 1 1 1
1 R P ( ) 1 R P ( )
RZ R RZ R

u S
On dfinit le coefficient de rgulation K = iS constant
u
1 RZ
Donc : K u et K Si RZ << R
1 1 R R
1 R P ( ) Z P
RZ R
u S
La rsistance interne du stabilisateur est = - u constante
i S
RZ .RP
= RZ // RP =
RZ RP

Electronique gnrale 11 Adel.S

Chapitre 4 : Le transistor bipolaire en rgime statique

1- Prsentation du transistor
1-1- Dfinition
Le transistor est un composant lectronique compos de 3 lectrodes :
Le Collecteur ( C ) , lEmetteur ( E ) et la Base ( B ).

1-2- Symboles
Collecteur Collecteur

Base Base

Emetteur Emetteur
Transistor PNP Transistor NPN

Figure 2: Symboles des transistors PNP et NPN

1-3- Equations
C
VCB IC IC : courant Collecteur,
IB : courant de Base,
B IB VCE IE : courant Emetteur.

IE = IC + IB
VBE IE VCE = VCB + VBE
E
Figure 3: Transistor NPN et ses grandeurs lectriques

2- Effet transistor
Cest le fait de vhiculer un fort courant collecteur partir dun faible courant de base ( IC >> IB ).
I
On dfinit lamplification statique en courant : = C
IB

3- Rseaux des caractristiques statiques dun transistor mont en Emetteur commun

Soit le schma du transistor et de ses grandeurs lectriques principales.

C
IC
B IB Grandeurs
. Grandeurs VCE de sortie
dentre VBE

E E
Figure 4: Schma du transistor et de ses grandeurs lectriques principales

Electronique gnrale 12 Adel.S

 En fonction des grandeurs lectriques principales du transistor, on peut tablir les caractristiques
statiques suivantes :

Caractristique de transfert IC Caractristiques de sortie

en courant
IC = f (IB) VCE = cte IC = f (VCE) IB = cte

IB2 > IB1

IB1

IB VCE

VBE = f (IB) VCE = cte VBE = f (VCE) IB = cte

Caractristique dentre VBE C. de transfert en tension

Figure 5: Caractristiques statiques du transistor

5-Polarisation du transistor
5-1- Dfinition
La polarisation consiste dfinir le point de fonctionnement statique (point de repos) du transistor
caractris par les valeurs VBEo, IBo, ICo et VCEo.
Il existe diffrents procds de polarisation
5-2- Polarisation par deux sources de tension
5-2-1 Schma de montage

C RC

IC
RB B IB
VCE VCC

VBB VBE

E E
Figure 6: Polarisation du transistor par deux sources de tension

5-2-2 Droite dattaque statique

Cest lquation dfinie par: VBE = VBB - RBIB
Lintersection de cette droite avec la caractristique dentre du transistor donne le point (IBo , VBEo ).

5-2-3 Droite de charge statique

VCC VCE
Cest lquation dfinie par: IC =
RC

Electronique gnrale 13 Adel.S

Lintersection de cette droite avec la caractristique de sortie du transistor donne le point (VCEo , ICo ).

IC Droite de charge statique

VCC/RC

ICo

IB VBB/RB VCE
IBo VCEo VCC

VBEo

VBB
Droite dattaque statique
VBE
Figure 7: Dtermination du point de fonctionnement statique

5-3- Polarisation directe par rsistance de base

5-3-1 Schma de montage

RC
RB
C
IC VCC
B IB VCE

VBE

E
Figure 8: Polarisation directe par rsistance de base

5-3-2 Droite dattaque statique

Cest lquation dfinie par: VBE = VCC - RBIB
5-3-3 Droite de charge statique
V V
Cest lquation dfinie par: IC = CC CE
RC
5-4- Polarisation par rsistance entre base et collecteur
5-4-1 Schma de montage

RC
. RB
C
IC VCC
IB VCE
B

VBE
E
Figure 9: Polarisation par rsistance entre base et collecteur

Electronique gnrale 14 Adel.S

 5-4-2 Droite dattaque statique
Dans ce cas de polarisation, VBE = VCE - RBIB et VCE = VCC RCIC
avec IC = IB, il vient : VBE = VCC (RB + RC ) IB : cest lquation de la droite dattaque statique.

5-4-3 Droite de charge statique

VCC VCE
Cest lquation dfinie par: IC = si on nglige IB devant IC.
RC
5-5 Polarisation par pont de rsistances de base
5-5-1 Schma de montage

R1 RC

IC
C
IB
B VCC
IP VCE

R2 VBE
E

Figure 10: Polarisation par pont de rsistances de base

5-5-2 Droite dattaque statique

Dans ce cas de polarisation, on peut crire:
V VBE V
IP + IB = CC avec IP = BE
R1 R2
Do lquation de la droite dattaque statique :
R2 R .R
VBE = .VCC 1 2 .I B
R1 R 2 R1 R 2

5-5-3 Droite de charge statique

VCC VCE
Cest lquation dfinie par: IC = .
RC

Electronique gnrale 15 Adel.S

Chapitre 5 : Le transistor bipolaire en rgime dynamique

1- Introduction
En rgime dynamique, les grandeurs dentre et de sortie rsultent de la superposition de grandeurs
continues ou statiques (VBEo, IBo, ICo et VCEo) et de grandeurs alternatives qui sont leffet de source
alternative.

C
iC
B iB
vCE Grandeurs
Grandeurs de sortie
dentre vBE

E E
Figure 1: Le transistor et ses grandeurs dynamiques principales

Grandeur variable = Grandeur continue + Grandeur alternative

Exemples : vBE = VBEo + vbe
iC = ICo + ic

2- Schma quivalent du transistor en rgime dynamique petits signaux

Le point de repos tant dfini par les valeurs VBEo, IBo, ICo et VCEo qui correspondent 4 points fixes
sur le rseau des caractristiques statiques.
Lorsque les petits variations alternatives autour du point de repos sont respectivement vbe, ib, ic et vce ;
on peut crire :
vbe = h11e ib + h12e vce
ic = h21e ib + h22e vce

Les hij sont appels paramtres hybrides du transistor mont en metteur commun. Ces paramtres sont
dtermins graphiquement sur le rseau des caractristiques du transistor autour du point de repos.

IC

-1
ICo

IB VCE
IBo VCEo

VBEo

r -1
VBE
Figure 2: Dtermination des paramtres hybrides du transistor

Electronique gnrale 16 Adel.S

* h11e = r = (vBE / iB ) : r est la rsistance dentre du transistor.
* h12e = = (vBE / vCE ) : -1 est lamplification en tension du transistor.

* h21e = = ( iC / iB ) : reprsente lamplification en courant du transistor

* h22e = -1 = ( iC / vCE ) : reprsente la rsistance de sortie du transistor.
Connaissant ces paramtres, on peut tracer le schma quivalent du transistor en rgime dynamique
petits signaux basses frquences.
B ib r ic C

ib
vbe vce vce

E E
Figure 3: Schma quivalent du transistor en rgime dynamique petits signaux
Remarque :
En pratique est de trs faible valeur donc la source de tension vce est souvent nglige.

3- Amplificateur transistor mont en Emetteur commun

3-1- Schma du montage

R1 RC C2
i2
C1 C
i1 B VCC
v2 RL
.
v1 R2
E

Figure 4: Amplificateur transistor mont en metteur commun

C1 et C2 sont des condensateurs de liaison. Ils se comportent comme des courts-circuits aux frquences
des signaux amplifier.

3-2- Schma quivalent du montage en rgime dynamique petits signaux

On remplace le transistor par son schma quivalent et on suppose court-circuite la source de tension
continue Vcc, on obtient ainsi :

i1 ib ic i2

ib
v1 R1 R2 vbe r vce RC v2 RL

Figure 5: Schma quivalent du montage amplificateur EC en rgime dynamique

Electronique gnrale 17 Adel.S

 3-3- Paramtres caractristiques du montage amplificateur
Rsistance dentre : Re = v1/i1 = RB//r avec RB = R1//R2
Rsistance de sortie: Rs = v2/i2 = RC //
Amplification en tension: Av = v2/v1 = - Req/r avec Req = RL//RC// .
Amplification en courant: Ai = i2/i1 = -(v2/RL) / (v1/Re) = -Av Re/RL.
4- Autres montages amplificateurs
4-1 Amplificateur metteur commun charge rpartie (Rsistance metteur non dcouple)

R1 RC C2
i2
C1 C VCC
i1

E v2 RL
v1 R2
RE

Figure 6: Amplificateur metteur commun rsistance metteur non dcouple

4-2 Amplificateur transistor mont en collecteur commun

C1 R1
i1 C2
i2 VCC

v1 R2
RE v2 RL

Figure 7: Amplificateur transistor mont en collecteur commun

4-3 Amplificateur transistor mont en Base commune

RC C2
. R1 i2
CB
VCC
C1 i1 v2 RL

R2
RE v1

Figure 8: Amplificateur transistor mont en base commune

Electronique gnrale 18 Adel.S

Chapitre 6 : Le transistor effet de champ

1- Transistor effet de champ jonction (J.FET)

1-1- Dfinition
Le J.FET est un composant lectronique semi-conducteurs. Il possde trois lectrodes : le Drain (D),
la Grille (G) et la Source (S).
1-2- Symboles
D D

G G

S S
Figure 1 : J.FET canal N J.FET canal P

1-3- Polarisation
Le J.FET canal N doit tre aliment de faon ce que la tension Grille-Source soit ngative ( VGS < 0 )
et la tension Drain-Source soit positive ( VDS > 0 ).
Le J.FET est command par la tension VGS (le courant IG tant nul).

1-4- Caractristiques statiques ( J.FET canal N)

Du fait que le courant Grille IG = 0, les caractristiques du J.FET se limiteront :
ID = f (VGS) VDS = constante : Caractristique de commande.
ID = f (VDS) VGS = constante : Caractristique de sortie.

ID = f (VGS) VDS = cte ID ID = f (VDS) VGS = cte

IDSS VGS = 0

gm VGS1 < 0

VGS2 < VGS1

VGS VGSoff 0 VP VDS

Figure 2 : Caractristiques statiques du J.FET canal N

VGSoff: tension de blocage.

IDSS : courant drain de saturation maximale ( VGS = 0).
VP : tension de pincement.
gm : pente en un point de la caractristique ID = f (VGS).

On distingue deux zones utiles dfinissant deux rgimes de fonctionnement :

Pour VDS < VP : zone ohmique, le J.FET se comporte comme une rsistance dpendant de VGS.
Pour VDS > VP : zone de saturation, dans laquelle le courant ID est pratiquement constant.
1-5- Equations
Approximation parabolique de ID = f (VGS) VDS = cte :
V
ID = IDSS (1 GS )2
VGSoff
VGSoff et IDSS sont donnes par le constructeur.

Electronique gnrale 19 Adel.S

 Rsistance diffrentielle : RDS = (VDS /ID) VGS = cte.

Transconductance : gm = (ID /VGS) VDS = cte :

On dmontre que gm = gmo (1 VGS/VGSoff) = gmo (ID/IDSS)1/2.

2- Transistor effet de champ Grille isole (MOS.FET)

2-1- Dfinition
Le MOS.FET est un transistor effet de champ dont la grille est isole du semi-conducteur par une
couche isolante (Silice : SiO2).

2-2- Symboles
D D

G G

S S
MOS.FET canal N MOS.FET canal P
Figure 3 : MOS.FET enrichissement

2-3- Caractristiques statiques

Du fait que le courant Grille IG = 0, les caractristiques du J.FET se limiteront :
ID = f (VGS) VDS = constante : Caractristique de commande.
ID = f (VDS) VGS = constante : Caractristique de sortie.

ID = f (VGS) VDS = cte ID ID = f (VDS) VGS = cte

IDSS VGS1

VGS2 < VGS1

Tension de seuil thermique VGS3 < VGS2

VGS VTh 0 VP VDS

Figure 4 : Caractristiques statiques du J.FET

3- Le transistor effet de champ en amplification

3-1 Schma quivalent du J.FET en rgime dynamique
En rgime dynamique petits signaux, on peut crire : id = vds/rds + gm vgs
Do lon en dduit le schma quivalent du J.FET en source commune :
G ig = 0 id D
gmvgs

vgs rds vds

S S
Figure 5 : Schma quivalent du J.FET

Electronique gnrale 20 Adel.S

 3-2 Montage amplificateur Source-commune
Soit le montage amplificateur suivant :

RD C2
i2
C1 D
i1 G VDD
v2
S RL
v1 RG
RS CS

C1 et C2 sont deux condensateurs de liaison et CS est un condensateur de dcouplage.

Figure 6 : Montage amplificateur source commune

3-3 Schma quivalent du montage amplificateur Source-commune

On remplace le transistor par son schma quivalent et on suppose court-circuit la source de tension
continue Vcc, on obtient ainsi :
i1 ig = 0 id i2

gmvgs
v1 RG vgs rds vds RD v2 RL

Figure 7 : Schma quivalent du montage amplificateur source commune

3-4 Paramtres caractristiques du montage amplificateur

Rsistance dentre : Re = v1/i1= RG (rsistance trs leve).
Rsistance de sortie : Rs = v2/i2 = RD// rds
Amplification en tension: Av = v2/v1 = - gmvgs Req/vgs = - gmReq avec Req = RL//RD// rds.
Amplification en courant: Ai = i2/i1 = -(v2/RL) / (v1/Re) = -Av Re/RL.
4- Le transistor effet de champ en rsistance commande
Pour des tensions VDS infrieures la tension de pincement, le J.FET se comporte comme une
rsistance dont la valeur dpend de VGS.

ID ID = f (VDS) VGS = cte

IDSS VGS = 0 D D

VGS1 < 0
G G
VGS2 < VGS1 (VGS)
S S
0 VP VDS

Figure 8 : Fonctionnement du JFET en rsistance command

Electronique gnrale 21 Adel.S

Chapitre 7 : Fonction commutation

1- Dfinition
La fonction commutation consiste tablir ou interrompre brusquement lintensit du courant dans un
circuit lectrique.
En lectronique, cette fonction peut tre ralise par des composants pouvant avoir deux tats distincts :
lun passant, lautre bloqu.
Exemples: Transistor bipolaire, MOS.FET, ...

2- Diode en commutation
Lorsque la diode fonctionne en commutation, elle est soit passante soit bloque.
Dans le montage ci-aprs, la diode D est aliment par un gnrateur dlivrant un signal carr (basculant
entre les deux valeurs 0 et +E ), elle fonctionne donc en commutation.
D

ud
ue us
L

Figure 1: Diode fonctionnant en commutation

3- Transistor bipolaire en commutation

3-1 Introduction
Soit le montage suivant :

RB L

K IC VCC
IB VCE
B

VBE

Figure 2: Transistor fonctionnant en commutation

Ltat de la lampe L dpend de ltat du transistor (bloqu ou satur); donc de ltat de linterrupteur K.
Si K est ouvert : IB = 0 donc L teinte.
Si K est ferm : IB 0 donc L allume.
Le transistor joue le rle dun interrupteur ouvert lorsquil est bloqu, dun interrupteur ferm lorsquil
est satur.

Electronique gnrale 22 Adel.S

 3-2 Interprtation
Les points de fonctionnement du transistor sont choisis dans les zones de blocage et de saturation.

IC IC = f (VCE) IB = cte

S
Droite de charge statique

Zone de saturation

B VCE

Zone de blocage

Figure 3: Zones de fonctionnement en commutation

Dans la zone de saturation : VCE = VCE sat 0 et IC = IC sat = IC max. Le transistor est dit satur.
Dans la zone de blocage : VCE VCC et IC 0. Le transistor est dit bloqu.
Lorsque le transistor fonctionne en commutation parfaite son point de fonctionnement est :
Soit en S, le transistor est parfaitement satur : VCE = 0 et IC = IC sat 0.
Le transistor est quivalent un interrupteur ferm (figure 4).
Soit en B, le transistor est parfaitement bloqu : VCE = VCC 0 et IC = 0.
Le transistor est quivalent un interrupteur ouvert (figure 5).
C C
IC 0 IC = 0
IB IB
B VCE = 0 B VCE 0

E E
Figure 4 : Transistor satur Figure 5 : Transistor bloqu

4- Exemples de ralisation de fonctions logiques

4-1- Fonction logique ..
a- Schma de principe

RC
e
RB s E
T
Us
Ue

Ltat du transistor (passant ou bloqu) dpend de ltat de linterrupteur e (ferm 1 logique ou

ouvert 0 logique).

Electronique gnrale 23 Adel.S

 b- Table de fonctionnement

Tension dentre Valeur logique Tension de sortie Valeur logique Etat du transistor
Ue dentre e Us de sortie s T

. . . . .

. . . . .

c- Equation logique : s =

4-2- Fonction logique ..

a- Schma de principe
Vcc > E

RB RC
e1 D1 s D5 E
D3 D4
U1 T
e2 US
U2 D2 VA VBE

Les diodes Di sont identiques et ont pour tension de seuil 0,7 V.

Le transistor T fonctionne en commutation. Sa tension VBE = 0,7 V lorsquil est satur.
RC et RB sont choisies de faon que VCEsat = 0 V.

b- Table de fonctionnement et Table de vrit

U1 U2 VA US e1 e2 S
0 0 0 0 ..
0 E 0 1 ..
E 0 1 0 ..
E E 1 1 ..

c- Equation logique : S =

5- Utilisation du transistor dans la commutation de puissance

Le transistor fonctionne en commutation et son tat dpend du signal prsent cot Base.
VCC
Commande
Signal de commande
en puissance
(faible puissance)

Electronique gnrale 24 Adel.S

 BIBLIOGRAPHIE

[1] S. Curdacier, Electronique :Tome 1 : Les composants discrets non linaires

Edition : Dunod 1979

[2] F. Manneville et J. Esquieu, Electronique : Thorie du signal et composants

Edition : Dunod 1989

[3] J M. Fouchet et A. Perez-Mas, Electronique pratique

Edition : Dunod 1996

[4] A. P. Malvino, Principes dlectronique

Edition : Ediscience international 1997

[5] F. Milsant, Cours dlectronique : Composants lectroniques

Edition : Eyrolles, 1992

[6] T. L. Floyd, Electronique : Composants et systmes dapplication

Edition : Reynald Goulet Inc., 1999

[7] C. Cimelli, R. Bourgeron, Guide du technicien en lectronique

Edition : Hachette technique, 1995

Electronique gnrale 25 Adel.S