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ELECTRONIQUE ANALOGIQUE
Cours destin aux Automaticiens

Y.Darbellay
La plus grande partie de ce cours est issue du cours Electronique Automobile de lAMAD. (Association des Mcaniciens en Automobile Diplms) Auteur: M. Gilbert Peignaud, ingnieur ETS en lectronique LETML remercie vivement lAMAD pour son aimable autorisation de reproduction. Bibliographie: Principes d'lectronique Albert Paul Malvino

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1. INTRODUCTION
1.1 Reprsentation des grandeurs

Introduction :

Nombreux sont les systmes qui utilisent des grandeurs en entre, les traitent et dlivrent en sortie des commandes ou des informations pour l'utilisateur. Les grandeurs peuvent tre reprsentes de deux faons :

Reprsentation analogique Reprsentation numrique

1.1.1 La reprsentation analogique La plupart des capteurs transforment une grandeur physique (temprature, pression...) en grandeur lectrique. De mme, le microphone transforme la pression acoustique en grandeur lectrique proportionnelle. Caractristique des grandeurs analogiques : Elles peuvent prendre toutes les valeurs en variant graduellement entre deux limites, par exemple une automobile peut avoir une vitesse variant entre 0 et 220 km/h. 1.1.2 La reprsentation numrique La grandeur mise sous forme numrique n'est plus proportionnelle la grandeur d'entre. Elle s'exprime par symboles ou codes (chiffres) par exemple, le tachymtre (se prononce "takimetre") d'une automobile s'il est numrique, indique une valeur par pas de 1 km/h : la progression est discontinue s'il est analogique ( aiguille) la progression est continue. La reprsentation numrique est donc DISCONTINUE.

1.2 Les systmes analogiques


Les systmes analogiques regroupent les montages utiliss pour le contrle ou pour le rglage. Ils utilisent des composants fonctionnant de manire linaire, sans DISCONTINUITE. Ce sont ces systmes que nous allons tudier dans le prsent cours, les systmes numriques sont traits dans le cours ELECTRONIQUE NUMERIQUE. Cette sparation en deux systmes est faite pour les besoins du cours, dans la pratique, on trouve des circuits composs de systmes numriques et analogiques.

1.3 Outils utiliss


L'tude de ce cours ncessite la matrise des lois suivantes:

Loi d'Ohm Lois de Kirchhoff Thorme de superposition Thorme de Thvenin Thormes de Norton

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2. COMPOSANTS DE BASE
2.1 Introduction

Composants de base :

Les rsistances et les potentiomtres sont des lments passifs, c'est--dire qu'ils n'apportent aucune nergie (amplification) dans le montage o ils sont utiliss. Ils ne peuvent que diminuer l'amplitude d'un signal. Leur action est proportionnelle leur valeur, ils ont un comportement linaire.

2.2

Les rsistances

2.2.1 Les rsistances de faible puissance Ce sont les plus couramment utilises en lectronique. Elles sont marques par bagues de couleur. 2.2.2 Les rsistances couche de carbone On dpose une couche mince de carbone et de rsine sur un btonnet isolant de cramique ou de verre. On trace ensuite une hlice au faisceau laser qui enlve le carbone sur une trs faible largeur. La piste de carbone rsistante est alors semblable au fil d'une rsistance bobine. On place ensuite les capsules de sertissage avec les fils de raccordement aux deux extrmits puis on fait l'enrobage de protection et le marquage de couleur. 2.2.3 Les rsistances film mtallique Procd de fabrication identique aux rsistances couche de carbone l'exception du dpt qui est base d'oxydes mtalliques ou de mtaux prcieux ou d'alliage Nickel-Chrome. 2.2.4 Les rsistances agglomres au carbone Moulage d'un mlange de silice, Baklite et carbone comprims dans un tube de Baklite. Ces rsistances sont de moins en moins utilises cause de leur stabilit mdiocre, tension de bruit importante. On les trouve encore pour des valeurs trs leves de 1 M 100 M . 2.2.5 Les rsistances SMD ou CMS (composants monts en surface) Cette nouvelle technologie utilise des composants trs petits permettant un gain de place important et un encombrement rduit des circuits. Il n'y a plus de fils pour le soudage mais les extrmits des composants permettent le soudage direct sur le cuivre du circuit imprim.

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Composants de base :

2.2.5.1 Montage des CMS sur une face du circuit imprim et soudure par refusion

2.2.6 La puissance des rsistances Sur les petites rsistances, aucun marquage ne donne une indication de puissance, seules les dimensions permettent de savoir quelle puissance maximum peut dissiper une rsistance. Exemples :

1/4 W

1/2 W

2W

Il existe d'autres valeurs (1/8 W, 1 W) moins courantes pour lesquelles on se rfre aux indications du fournisseur. ATTENTION : Ces puissances limites d'utilisation ne sont valables que jusqu' 25C (temprature ambiante). Au-del de cette temprature, il faut se baser sur les courbes de rduction de puissance des fabricants. La plupart des rsistances sont utilisables jusqu' 120C.

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Exemple : Rsistance 2 W
P [W ]

Composants de base :

2 1 ,7 5 1 ,5 1 ,2 5 1 0 ,7 5

0 ,5 0 ,2 5 0 0 20 25 40 60 80 100 120 [C ]

Supposons que la temprature ambiante atteigne 80C.


Par lecture graphique : la rsistance ne peut plus dissiper 2 W, mais seulement 0,85 W Par calcul : on a 2 triangles rectangles semblables : le 1er a pour cots de l'angle droit

En vertical de 0 2 W En horizontal de 25 120C = 95C

Le 2me a pour cots de l'angle droit


En vertical, la valeur cherche x En horizontal de 80 120C = 40C

Il y a proportionnalit de telle faon que

2W 95C 2 40 = x= = 0,84[W] X 40C 95 X = 0,84 W

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Composants de base :

2.2.7 Les rsistances de puissance On trouve ces rsistances dans les valeurs de puissance allant de 4 W 2500 W. Elles supportent des tempratures de service allant jusqu' 350 C. Elles sont soumises aux lois de rduction de puissance entre 25 C et par exemple 350 C. Elles sont ralises en fil bobin (gnralement alliage Fer-Nickel).
Borne Couche tame dmail en alliage vitrifie Bobinage pas uniforme Borne soude b

Support rsiliant

Robuste Fil rsistant mandrin soud la borne de cramique

Rsistances sous couche dmail vitrifie

Cosse Soudure lectrique

Vitrification

Rsistance bobines Type RH-25 1% 25 [W] Type RH-50 1% 50 [W]

Attention : Ces rsistances atteignent des tempratures dpassant le point de fusion de la soudure l'tain (environ 180 C). Dans les cas o la rsistance est fortement sollicite, les connexions se feront sans soudure l'tain (visses, par fiche AMP, etc.). Les rsistances vitrifies avec intrieur creux auront une meilleure vacuation thermique si elles sont montes verticalement avec tube intrieur libre pour le passage de l'air (effet de chemine).

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Composants de base :

2.2.8 Les rseaux de rsistance On peut grouper plusieurs rsistances de faible puissance (0,2 0,3 W par rsistance) dans des botiers semblables ceux des circuits intgrs ou circuits hybrides.

2.3

Les potentiomtres

2.3.1 Les potentiomtres variables (rglages par l'utilisateur) La plupart sont variation linaire, c'est--dire que la variation de rsistance est proportionnelle l'angle de rotation.

L'indication suivante est porte sur le potentiomtre, par exemple pour 10 k 10 k LIN ou 10 KA. La rotation se fait sur 270 (potentiomtre bute min-max), sur 360 (potentiomtre sans bute) ou sur plusieurs tours (systme en hlice 10 tours ou 15 tours). D'autres modles sont variation logarithmique :
% de Rn 100% 1 = courbe lin 2 = courbe log

1 2 % de rotation

L'oreille humaine peroit les bruits au logarithme de leur intensit. Par exemple, un bruit 100 fois plus fort est peru 2 fois plus fort, 1000 fois plus fort peru 3 fois plus fort. D'o l'utilit des potentiomtres progression logarithmique pour le rglage du volume sonore des amplificateurs. Ils sont marqus pour 10 k : 10 k LOG ou 10 kB

100%

2.3.2 Les potentiomtres ajustables On trouve les mmes modles que prcdemment, mais leur rglage ncessite l'usage d'un outil. Dans un appareil, ces potentiomtres, aussi appels "trimmers", sont prvus pour des ajustages ou rglages par des professionnels.

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2.3.3 Quelques modles de potentiomtres

Composants de base :

2.3.4

Quelques modles de trimmers

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2.4 Condensateurs

Composants de base :

Le condensateur est certainement lun des plus importants composants de llectrotechnique, en particulier dans la technique des courants alternatifs. Citons quelques applications de ce composant:

Filtrage dans les circuits courant continu. Protection contre les surtensions sur les composants travaillant en commutation. Couplage B.F. Circuits oscillants. Bascule monostable. Intgrateur, drivateur. ...

2.4.1 Dfinition Le condensateur est un composant qui a la proprit daccumuler une charge lectrique. 2.4.2 Principe Un condensateur se compose de deux plaques mtalliques isoles entre elles. Lisolant peut tre de lair ou tout autre matriau bon isolant. Le matriau isolant sappelle dilectrique.

C=

S r 0 e

avec C: S = a b: e: 0 : r: Capacit en farads. Surface des plaques. Epaisseur de lisolant. Permittivit absolue = 0,885 10-11 Permittivit relative. [F] [m2] [m]
A s Vm

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2.4.3 Symboles

Composants de base :

2.4.4

Charge du condensateur

Q = CU
avec Q: C: U: Quantit dlectricit en coulombs [C] Capacit Tension [F] [V] ou [As]

Si la charge du condensateur est faite par une source de courant alors

Q = CU = It

!
2.4.5

Cette relation nest valable que si le courant est constant.


Energie emmagasine dans un condensateur
1 C U2 2

W=

avec W: C: U: Energie emmagasine Capacit Tension [J] [F] [V]

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2.4.6 Circuit RC
R a C

Composants de base :

Ue b

Uc

Dans le circuit RC srie ci-contre, la tension aux bornes du condensateur varie selon les deux lois suivantes.

2.4.6.1 Charge de condensateur

Le temps de charge dun condensateur dpend de la constante de temps du circuit.

= R C
avec : R: C: Constante de temps Rsistance Capacit [s] [] [F]

Aprs un temps de 1 la tension aux bornes de C est de 63% de la tension dentre E et aprs 5 le condensateur peut tre considr comme charg. La courbe de charge du condensateur est une fonction exponentielle.
Ue E

t Uc E 63%E t=0

t=0

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Composants de base :

2.4.6.2 Dcharge de condensateur Si lon applique une tension nulle entre les points a et b le condensateur est compltement dcharg aprs 5 .
Ue E

t Uc U0 t=0

? t

t=0

2.4.7 Mise en parallle de condensateurs La capacit quivalente de condensateurs monts en parallle vaut la somme de toutes les capacits.

C1

C2

C3

Cqu

Cqu = C1 + C2 + C3

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Composants de base :

2.4.8 Mise en srie de condensateurs Linverse de la capacit quivalente de condensateurs monts en srie vaut la somme de tous les inverses des capacits.

C1

C2

Cqu

C3

1 1 1 1 = + + Cqu C1 C 2 C3

2.4.9 Choix du condensateur Le choix dun condensateur dpend des critres suivants:

Capacit nominale Tension de service Type du dilectrique Encombrement Prix

Le choix du dilectrique est faire selon lapplication le tableau que vous allez remplir ci-dessous rsume les principaux types.

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2.4.10 Les diffrents dilectriques

Composants de base:

Dilectrique

Cmin

Cmax

Tolrances

Umax

Principales Applications

Cramique Multicouche

Cramique Disque et plat

Film mtallis Polyester MKT

Film mtallis Polycarbonate MKC

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Film plastique Polyester KT

Composants de base:

Film mtallis Polypropylne KP/MKP

Film plastique Polystyrne KS

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Tantale

Composants de base:

Electrolytique Liquide

Electrolytique Solide

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2.4.11 Exercice
R

Composants de base:
Reprsenter lallure de la courbe UC = f(t) si au temps t = 0 on ferme le contact.

UC

R = 1 k C = 1000 F E = 15 V

2.4.12 Exercice

Reprsenter lallure de la courbe UC = f(t) si au temps t = 0 on ouvre le contact.


I0 C UC

C = 1000 F I0 = 1 mA

2.4.13 Exercice
VCC R RESET

Le schma ci-contre est utilis pour imposer un niveau logique bas ( < 0,8 V ) au moins 10 ms sur le signal RESET . Dimensionner le condensateur C si R = 100 k et VCC = 5 V. Quel type de condensateur peut-on utiliser pour cette application?

2.4.14 Exercice (Examen dadmission EINEV 1994)


C R P1 E1 R

I1

P2 R

a) Calculer la valeur de UC lorsque le commutateur se trouve depuis trs longtemps dans la position P1. b) Que vaut le courant I1 immdiatement aprs la commutation en position P2? E1 = 5 V E2 = 12 V R = 100 C = 10 F

E2

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Physique des semi-conducteurs:

3. PHYSIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS


3.1 Le matriau de base
Le matriau principalement employ actuellement dans la technologie des semi-conducteurs est le SILICIUM. Il est issu du sable que l'on purifie. Le silicium pur (on admet aprs purification 1 atome tranger pour 109 atomes de silicium) a une couleur anthracite et est cassant comme le verre. Sa rsistivit est importante : 2,3 10 7 m En comparaison, le cuivre a une rsistivit de 1,7 10 silicium pur comme un isolant.
-8

m. On peut donc considrer le

Sa couche priphrique comprend 4 lectrons ce qui est particulier du groupe des semiconducteurs.

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

Le silicium pur (symbole chimique : Si) aussi appel conductibilit intrinsque ne peut tre utilis directement. Pour qu'il devienne conducteur, il faut diminuer sa rsistivit. Il faut donc faire apparatre des lectrons libres ou des lacunes pour avoir un terrain propice au passage du courant lectrique.

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3.2 Le dopage

Physique des semi-conducteurs:

On va mlanger des corps ayant 3 ou 5 lectrons en couche priphrique avec le silicium. Ce mlange, aprs fusion, donne un alliage avec de nouvelles caractristiques. 3.2.1 Le dopage P On mlange au silicium des atomes avec 3 lectrons en couche priphrique (Indium, Gallium, Aluminium). A chaque endroit o s'est gliss un atome trivalent dans l'alliage, il manque une liaison cristalline. Cette lacune ou ce trou reprsente une charge lectrique positive. Un lectron libre (ayant laiss un trou en quittant son orbite) peut combler ce trou. Le phnomne se rptant, on assiste un mouvement de trous, donc un courant lectrique.

+4

+4

+4 trou libre

+4

+4

+4

+4 atome trivalent

+3

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

Le cristal de silicium dop de cette manire a nettement baiss sa rsistivit (de l'ordre de 10-3 m). Cette baisse est due l'adjonction de matire crant des trous. Ces trous reprsentent des charges POSITIVES. On a obtenu du silicium dop P ou Si P. La rsistivit est dpendante de la matire d'apport.

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Physique des semi-conducteurs:

3.2.2 Le dopage N On mlange au silicium des atomes avec 5 lectrons en couche priphrique (phosphore, arsenic, antimoine). L'alliage rsultant laisse apparatre 1 lectron libre pour chaque atome pentavalent dans la structure cristalline. Cet lectron est libre, comme dans le cas prcdent, il abaisse la rsistivit du cristal et participe la conduction lectrique.

+4

+4

+4 lectron libre

+4

+4

+4

+4 atome pentavalent

+5

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

Le cristal ainsi obtenu, s'il est soumis une tension, va laisser circuler le courant en fonction de sa rsistivit.

= lectrons = trous

Les lectrons libres sont attirs par le ple + Les trous sont attirs par le ple -

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3.3 La jonction

Physique des semi-conducteurs:

3.3.1 La jonction lmentaire Si l'on tablit un contact parfait entre un cristal Si P et un cristal Si N, il y a immdiatement mariage entre les lectrons libres de la zone N et les trous de la zone P et ce sur une largeur de 1 m la zone de contact. Les charges lectriques mobiles s'annulent. Il reste les charges lectriques des noyaux d'atomes dsquilibrs par cette opration, les atomes sont immobiles. Dans la zone de 1 m, on voit apparatre un potentiel positif du ct Si N (dominante des protons) et un potentiel ngatif du ct P (dominante des trous combls).
Rgion P Rgion N Rgion P distance +U

Rgion N
Trou Electron libre Ion ngatif Ion positif

jonction

Cette zone la jonction s'appelle BARRIERE DE POTENTIEL. Sur une distance de 1 m, il n'y a plus de porteurs de charges zone isole, plus de conduction possible. La barrire de potentiel repousse les lectrons de la zone N et les trous de la zone P. C'est le statu quo. 3.3.2 La jonction polarise en inverse
Zone P Zone N

Le ple - de la source attire les trous (+) et le ple + attire les lectrons. La barrire de potentiel s'largit. Toute conduction devient impossible, le systme est bloqu.

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Physique des semi-conducteurs:

3.3.2.1 Limite physique du blocage L'paisseur du dispositif restant dans la pratique de quelques diximes de mm, il arrive un moment o la tension positive devient suffisamment grande pour arracher des lectrons dans la zone neutre. Ces lectrons sont fortement acclrs, et leur grande vitesse libre d'autres lectrons par chocs. Les lectrons, de plus en plus nombreux, rendent toute la masse conductrice. Le montage se trouve tout coup en court-circuit. Ce phnomne est appel "effet d'avalanche ou, vu ses effets dsastreux sur le silicium, "claquage". Il est comparable la rupture d'une bute de clapet hydraulique par la pression.

bute

Pression

Pression Rupture de vanne

Vanne bloque

Remarque : tout comme un clapet en position ferme n'assure pas une tanchit parfaite (passage de quelques gouttes de fluide), une jonction bloque n'a pas une rsistance infinie. Elle laisse passer un trs faible courant de quelques nA (nanoampre = 10 -9 A) d aux lectrons ou trous librs par agitation thermique temprature ambiante. Ce courant est appel "COURANT DE FUITE EN INVERSE". 3.3.3 La jonction polarise en direct

Zone P (+++) I

Zone N (---)

Le ple + de la source attire les lectrons et apporte des trous dans le circuit. Le ple - de la source attire les trous et apporte des lectrons dans le circuit. Au fur et mesure que la tension s'lve, la barrire de potentiel se rtrcit. Elle finit par disparatre et le courant peut circuler.

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On constate dans le silicium :

Physique des semi-conducteurs:

Dbut de la conduction vers 0,5 V (fin barrire) Nette augmentation de la conduction vers 0,6 V Conduction admise normale 0,7 V

Dans le germanium, aujourd'hui peu utilis, les comportements sont semblables au Si mais le seuil est 0,3 V au lieu de 0,7 V. 3.3.3.1 Analogie hydraulique

Pression bute

Ressort

Pression

La pression est trop faible pour vaincre la force du ressort Dans la jonction U < 0,5 V pas de courant

La pression est suprieure la force du ressort. Il y a dbit de liquide Dans la jonction U = 0,7 V il y a un courant I

3.4

Un semi-conducteur nouveau ?

On s'est aperu qu'en prenant du gallium (mtal liquide 300 C - 3 lectrons en couche priphrique - symbole chimique : Ga) et en le mlangeant l'arsenic (5 lectrons en couche priphrique - symbole chimique : As) on obtenait 1240 C, un compos intermtallique : l'arsniure de gallium : Ga As, se comportant comme un semi-conducteur (avec 4 lectrons en couche priphrique). Il est donc utilis pour fabriquer des transistors, diodes, circuits intgrs. Il convient pour des frquences trs leves (domaine des GHz) (tlcommunications par satellite) il peut, s'il est convenablement dop, atteindre les longueurs d'onde de la lumire (diodes lumineuses ou LEDs). Son seuil de tension de la barrire de potentiel est lgrement suprieur 2 V contre 0,7 V pour le silicium. Il ne s'agit donc pas d'un semi-conducteur mais d'un compos intermtallique se comportant comme un semi-conducteur. Son dveloppement commercial est dj trs important et on le trouve dans de nombreuses applications.

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4. LA DIODE
4.1 Diode idale

La diode :

Une jonction qui bloquerait totalement en inverse sans courant de fuite et sans claquage et qui conduirait un courant infini en direct sans chute de tension serait une diode idale.

Cette diode est thorique, elle n'existe pas. Symbole :

P N
Sens passant

P N
ANODE CATHODE Sens passant Sens bloqu

4.2 Diode relle


La diode relle se distingue de la diode idale par

Un seuil de tension dans le sens direct (0,7 V pour Si). Une chute de tension en direct qui dpend du courant (rsistance du silicium dop). Un seuil de tension qui varie en fonction de la temprature : il diminue de 2 mV chaque fois que la temprature augmente de 1 C. C'est un coefficient de temprature ngatif qui posera quelques problmes dans le cas du transistor. Le blocage en inverse n'est pas parfait. Les courants de fuite de quelques nA 20 C double tous les 8 C lorsque la temprature augmente. La tension inverse n'est pas infinie, le claquage apparat en fonction de la construction de la diode.

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Schma quivalent de la diode relle :
rd

La diode :

Diode idale

Source de + 0,7V = seuil

Rsistance dynamique augmentant la chute de tension quand I augmente

4.3 Caractristique directe de la diode


Soit le montage ci-dessous :

A
E = 12V

Si l'on reporte sur graphique les rsultats de la mesure, on obtient la fonction IF = f(UF) (F pour forward (direct)).
IF
[A]

11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 = 70C IF Drive thermique ( augmente) IF
MAX

= 20C

UF

0,94 0,9 1

1.1

1.2

UF [V]

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La diode :

On trouve une zone jusqu' 0,5 V o le courant est nul, on n'a pas vaincu la barrire de potentiel. A partir de 0,5 V, le courant s'tablit et on est en prsence d'un coude. A partir de 0,65 V et jusqu' 1 V, la droite est comparable celle d'une rsistance. IFMax est la limite max. de courant impose par le fournisseur de la diode mesure. Au del, il ne garantit plus que la diode puisse dissiper la puissance sans dpasser la limite de temprature de 150 C. Cette puissance est gale ID UD = 10 1 = 10 W (pour 70 C).

Dtermination de la rsistance dynamique pour I = 6 A (voir graphique) : On trace une tangente la caractristique par rapport au point IF = 6 A. On forme un triangle rectangle donnant l'cart UF pour l'cart correspondant IF et la rsistance dynamique :
rd = U F 0,16 = = 40 10 3 I F 4

rd = 40 m On retrouve la chute de tension IF = 6 A par l'quation de la diode. UF = Useuil + rd ID = 0,7 + (40 10 -3 6) = 0,94 V UF = 0,94 V Ce qui correspond la lecture graphique.

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La diode :

Nous constatons que la valeur standard de 0,7 V pour UF prise dans la plupart des calculs est suffisante, mais il faut savoir que la chute de tension aux bornes d'une diode d'alternateur automobile qui dbite par exemple 30 A est suprieure 0,7 V.

Caractristique d'une diode d'alternateur (exemple)


IF [A] 40 35 30 25 20 15 10 5 0 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 UF [V]

4.4 La drive thermique


Lorsque la temprature d'une diode au silicium augmente, on constate que son seuil de tension diminue. Le seuil de tension diminue de 2 mV chaque fois que la temprature augmente de 1 C. Si une diode a un seuil de tension de 0,7 V 20 C, ce seuil pour 120 C sera = 120 - 20 = 100 C U = 2 10 -3 V = 2 10 -3 100 = 0,2 V Seuil : 0,7 V - 0,2 V = 0,5 V De mme, pour une temprature infrieure 20 C, le seuil de tension va augmenter.

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4.5 Caractristique inverse de la diode
VR VRM 100V 20V 15V 10V 5V 1A 2A

La diode :

IR
En inverse, la diode se prsente comme une valve ferme. Il existe un lger courant de fuite en inverse de l'ordre des dizaines de nanoampres quelques microampres. Attention : ce courant de fuite double tous les 8 C d'augmentation de temprature. Le blocage est assur jusqu' un certain point dpendant de la construction de la diode. Ce point va de quelques volts plusieurs milliers de volts. Lorsqu'on atteint cette tension de blocage ou tension d'avalanche, la diode se met conduire brutalement et si aucune prcaution n'est prise pour limiter le courant, elle sera dtruite, d'o l'appellation courante de tension de claquage. Certaines diodes sont construites pour travailler dans cette zone de claquage (diodes Zener, diodes de protection).

4.6 La diode Zener


C'est une diode destine la rgulation de tension, c'est--dire qu'utilise correctement, elle assure une tension constante et stable. 4.6.1 Symbole graphique

ANODE

CATHODE

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La diode :

4.6.2 Fonctionnement En sens direct : cette diode fonctionne comme une diode conventionnelle et ne prsente pas d'intrt particulier.

En sens inverse : c'est le domaine d'utilisation de la diode Zener.

La tension d'avalanche ou tension Zener* est bien dfinie, elle est prcise et se situe, selon le modle de diode, entre 2,4 et 200 V. Le courant que peut supporter la diode Zener en inverse varie de quelques mA quelques ampres. Toujours se rfrer aux indications du fabricant. 4.6.3 Comparaison hydraulique
I

UZ

Il y a dbit d'eau seulement si le niveau atteint et dpasse lgrement la hauteur du barrage. De mme, la diode Zener conduira seulement partir du moment o la tension qui lui est applique est suprieure la tension Zener. Ds que la diode conduit, elle offre trs peu de rsistance au passage du courant. Attention respecter les limitations de courant en ajoutant une rsistance en srie. Sans cela, la diode Zener peut tre dtruite. Remarque : On parle de tension Zener entre 2,4 et 6 V, le passage en conduction inverse est progressif. On parle de tension d'avalanche partir de 6 V, le passage en conduction inverse est brutal. 4.6.4 Courbe caractristique de la diode Zener

UZ
Effet d'avalanche

6V Effet Zener

Zone directe

Domaine utile

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4.6.5 Exemples d'application
Ue

La diode :

Tension instable Max 18V Min 6V

R Ue

Limitation du courant dans la diode Zener

18V 12V 6V 0V t Us 18V 12V 6V 0V t Ue 60V

Zener 9V

Us

U stable 9V

R Ue
t Us

Zener 50V

Us
50V

R Ue 12 V DZ US 3V

On veut crer une tension de rfrence de 3 V partir d'une source de 12 V. On choisit une diode Zener de 3 V pour laquelle le fabricant recommande un courant nominal de 15 mA. Quelle devra tre la valeur de R ?

Tension aux bornes de R : UR = Ue - Us = 12 - 3 = 9 V Courant dans R = 15 mA :


R= UR 9 = = 600 I 15 10 3

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4.7 Les diodes de protection

La diode :

Ces diodes sont principalement destines protger les semi-conducteurs contre les surtensions dangereuses. Une construction particulire leur permet de conduire un courant important en inverse (jusqu' 1/3 du courant direct en permanence). Comme les diodes Zener, on les branche en inverse.

Module inductif crant des surtensions Diode de protection conduisant partir de 80V et protgeant le transistor

Transistor

La mise en conduction des diodes de protection est rapide, elle assure ainsi une protection immdiate. Il est noter que les diodes destines au redressement sont parmi les plus lentes se mettre conduire (construites pour le redressement de 50 Hz et jusque vers 500 Hz).

Diode de roue libre

Si la mise en conduction de la diode est trop lente au moment de la surtension, une tension dangereuse a le temps d'apparatre sur le transistor pouvant entraner des dommages.

4.8 Les diodes Schottky


4.8.1 Symbole

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4.8.2 Principe
Anode Mtal Silicium N Cathode

La diode :

Dans ce cas, il n'y a plus de jonction silicium N - silicium P. On a une plaquette de silicium N sur laquelle on dpose un mtal :

Chrome (Cr)

ou

Platine-Nickel (Pt-Ni)

On obtient les proprits suivantes :

Faible seuil de tension en direct de 0,2 0,3 V. Cette diode remplace les diodes au germanium.

Temps de mise en conduction pratiquement nul, c'est la plus rapide de toutes les diodes.

Elle convient pour la commutation rapide, pour les frquences leves.

4.9 La VDR
Les varistances ou VDR (V............... D................. R...............) sont des rsistances dont la valeur est fonction de la tension. Elles sont constitues de poudre de carbure de silicium, fritte des tempratures leves en faisant intervenir des liants. La rsistance de contact entre les particules de carbure de silicium est largement dpendante de la tension. Le fonctionnement d'une varistance s'explique par le nombre lev de jonctions PN dont elle est compose :

4.9.1 Caractristique d'une VDR


I

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4.9.2 Symbole de la VDR
R1
U

La diode :

R1
U

4.9.3 Botier dune VDR

4.9.4 Application de la VDR Les VDR sont surtout utilises dans les circuits pare-tincelles et dans les circuits stabilisateurs de tension. Lorsque utilise dans les circuits en pare-tincelles, la VDR peut tre monte en .......................... la fois sur la charge inductive et sur le contact de commutation. Dans les deux cas, la VDR joue le mme rle que la diode de roue libre, elle empche que toute la tension d'induction arrive la hauteur du contact.

4.10 Rsistances NTC


Les rsistances NTC ont une valeur de rsistance qui diminue lorsque la temprature augmente, d'o la dsignation qui se traduit par C................................. de T..................................... N......................................... La conductivit d'une substance dpend du nombre de porteurs de charges libres et de leur mobilit, celle-ci diminuant lorsque la temprature augmente, cause de la plus grande agitation des atomes. La rduction de la valeur de rsistance dpend de l'accroissement du nombre de porteurs de charges libres. Dans un semi-conducteur, il y a augmentation d'lectrons libres et de trous lorsque la temprature augmente. C'est pourquoi les rsistances NTC sont faites de matriaux semi-conducteurs. Les semi-conducteurs ne comprennent pas que des lments comme le germanium et le silicium, ils comprennent galement des composs chimiques ayant des proprits semi-conductrices. Les rsistances sont fabriques aussi partir d'oxyde de fer, de nickel et de cobalt, auxquels sont adjoints d'autres oxydes pour augmenter la stabilit des composants. Ces oxydes sont fritts, c'est--dire presss avec un liant sous haute pression des tempratures leves.
4.10.1 Caractristique de la rsistance d'une NTC
R

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4.10.2 Symbole de la NTC
R1
+t

La diode :

R1

4.10.3 Botier dune NTC

4.10.4 Applications de la NTC Il existe deux possibilits de varier la rsistance des composants NTC, soit en agissant sur la temprature ambiante soit en faisant varier la charge lectrique du composant. Dans le premier cas, le courant doit tre infime si l'on veut viter toute hausse de temprature dans le composant due la puissance lectrique dissipe. C'est selon cette mthode que l'on utilise les rsistances NTC pour mesurer les tempratures ou les rgler. On exploite la deuxime possibilit pour allonger le temps de commutation dans les relais.

La caractristique I = f (U) ci-dessous, nous montre que pour une NTC ayant une rsistance 20C de 20 k, aucun effet d'auto-chauffement ne se produit jusqu' environ 14 V (10 mW). La NTC peut donc tre utilise dans cette porte pour raliser des mesures de tempratures. A des tensions plus leves, la dissipation d'nergie est plus grande, la temprature de la NTC devient beaucoup plus leve et sa valeur de rsistance diminue.
I [mA] 1W 400R 160C 50 40 30 20 10 0 10 20 30 40 U [V] 10mW 20k 20C 580mW 935R 130C

180mW 7k2 50C

4.11 Rsistances PTC


Les rsistances PTC ont une valeur de rsistance qui augmente lorsque la temprature augmente, d'o la dsignation qui se traduit par C................................. de T..................................... P.......................................... Les rsistances PTC sont composes de titanate de baryum fritt, mlang d'oxydes mtalliques ou autres additifs. Ce n'est que dans une plage de temprature relativement rduite, autour de la temprature de Curie, que la valeur de rsistance augmente lorsque la temprature augmente. Dans cette rgion de la courbe, une trs lgre hausse de la temprature entrane un accroissement considrable de la rsistance. Le coefficient de temprature, dans cet cart, varie jusqu' + 0.6/K, c'est dire que pour un accroissement de 1% de la temprature, la rsistance augmente de 60%. La rsistance
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La diode :

froid des rsistances PTC est comprise entre 20 et 100, l'accroissement de rsistance le plus prononc a lieu entre 50C et 120C et la rsistance chaud est de quelques dizaines de k.
4.11.1 Symbole de la PTC
R1
-t

R1

4.11.2 Botier dune PTC

4.11.3 Caractristique de la PTC

La caractristique R = f () nous montre la variation de la rsistance PTC lors d'un chauffement extrieur, partir de la temprature ambiante. Pour effectuer cette mesure, il faut s'assurer que la puissance lectrique dissipe dans la rsistance PTC soit suffisamment basse et qu'elle ne provoque pas de hausse de la temprature.

N T C

PT C

N T C

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La diode :

La figure suivante reprsente la caractristique I = f (U) d'une rsistance PTC. Dans le cas de faibles tensions, il est impossible de dceler l'auto-chauffement et la rsistance PTC reste un niveau faible. Ds que le point de transition est atteint, on observe une forte augmentation de la rsistance et le courant diminue malgr l'augmentation de la tension. Si la temprature ambiante est plus leve, le point de transition est dj atteint de basses valeurs de dissipation. (Voir courbe en trait till)
I [mA] 0.5W 50R 70C 100 80 60 40 20 0 20 40 60 80 100 0.75W 1k 90C 1W 20k 100C

U [V]

Comme pour les rsistances NTC, on a pour les rsistances PTC des applications soit avec chauffement externe par temprature ambiante, soit avec auto-chauffement d la dissipation.

4.12 Exercices
4.12.1 Exercice Soient les montages ci-dessous :
V1 100

10 V V3 330

V2

V1 = V2 = V3 Useuil = 0,7 V Rdyn = ngligeable I=?

100 V1 10 V V2

330

V1 = V2 = V3
V3

I=?

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4.12.2 Exercice

La diode :

On dsire brancher un rasoir lectrique de voyage sur la prise allume-cigares d'une voiture. Ce rasoir fonctionne sous une tension de 4,5 V et tire un courant I de 500 mA. Dessiner le schma d'une petite alimentation diode Zener, et dimensionner les lments ?
4.12.3 Exercice Calculer le courant dans la diode si E1 = + 20V et -20 V.

R1 E1 R2

R2

R1

R1 = 330

R2 = 220

UD = 0,7 V

4.12.4 Exercice Calculer le courant dans la diode Zener si E1 = + 20V et -20 V.

R1 E1 R2

R2

R1

R1 = 330

R2 = 220

UD = 0,7 V

UZ = 2,7 V

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4.12.5 Exercice Calculer le courant I.

La diode :

R1 56 E1 15 V

R3 100 I 2,7 V

R2 47 E2 2,5 V

15 V

4.12.6 Exercice Calculer UO pour les tensions Ui suivantes:

a) +15 V b) +3 V c) 0 V d) -10 V

+5 V

V1 Ui 10k UO

Diode: tension de seuil 0,6 V rsistance dynamique nulle


V2

GND

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4.12.7 Exercice diode et droite de charge

La diode :

+15 V

Dterminer le courant, la tension et la puissance dissipe dans V1 en utilisant la courbe du bas de la page.

R1 560

V1

GND

+15 V

4.12.8 Exercice diode et droite de charge


R1 150

Dterminer la valeur de R2 pour que le courant dans la diode V1 soit de 50 mA en utilisant la courbe cidessous.
R2

R3 100

V1

GND

GND

I [mA] 60 50 40 30 20 10 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 U [V]

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4.12.9 Applications de la NTC Donner une brve explication des schmas ci-dessous.

La diode :

a)
R1 R2

U1

R3

R4

b)

c)

M
N

d)
K1 K1

K1

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4.12.10 Applications de la PTC Donner une brve explication des schmas ci-dessous.

La diode :

a)

b)

c)
S

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d)

La diode :

e)

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5. LE FILTRAGE
5.1 Dfinition

Le filtrage :

Supposons un tamis avec des trous calibrs et contenant des boules en bois de diffrents diamtres. Toutes les boules d'un diamtre infrieur celui du trou vont tomber du tamis dans un bac. Toutes les boules d'un diamtre suprieur celui du trou vont rester dans le tamis. Il y a donc eu filtrage ou tri des boules en deux catgories. De mme, un filtre de frquence laissera passer des signaux certaines frquences et bloquera des signaux d'autres frquences. Un filtre est un slecteur de frquence et la bande de frquence transmise s'appellera "bande passante" (non transmise = bande coupe). Le gain en tension peut tre dfini par le rapport entre la tension de sortie et la tension d'entre:
Gu = US Ue

5.1.1 Filtre idal Un filtre idal serait celui qui transmettrait toutes les frquences utiles d'un signal en liminant toutes les autres. Ce filtre n'existe pas.
GU Zones attnues

Zone non attnue

5.1.2 Filtre rel Le filtre rel ne coupe pas brusquement les frquences en deux zones. L'attnuation est progressive. La zone o l'amplitude du signal commence diminuer s'appelle "frquence de coupure" et se note fC.
GU fC1 = frquence de coupure infrieure fC2 = frquence de coupure suprieure Zone Zone non attnue Zone ou plateau attnue attnue

fC1

fC2

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5.2 Le filtre passe-bas

Le filtrage :

Tout comme notre tamis laisse passer les boules jusqu' un certain diamtre, ce filtre laissera passer les frquences partir de la frquence nulle (continue) jusqu' une certaine frquence de coupure suprieure. 5.2.1 Le filtre passe-bas R-C

R C

GU 1

UE ~

US

f fC
La frquence de coupure se calcule par :
fc = 1 2 R C

fC en [Hz] R en [] C en [F]

Les frquences infrieures fC ne seront pas ou peu attnues. Les frquences suprieures fC seront attnues et ceci d'autant plus qu'elles seront leves. En raisonnant aux limites extrmes, on peut admettre que : a) frquence nulle, la ractance de capacit est infinie et correspond un interrupteur ouvert.

R
pour f = 0 Us = Ue

UE ~

US

b) frquence trs grande, la ractance de capacit est pratiquement nulle et correspond un interrupteur ferm ou un court-circuit.

R
pour f = Us = 0V

UE ~

US

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5.2.2 Le filtre passe-bas L-R

Le filtrage :

GU 1

UE ~

US

f fC

La frquence de coupure se calcule par :

fC =

R 2 L

fC en [Hz] R en [] L en [H]

Le comportement est identique celui du filtre R-C mais ce systme est moins rpandu du fait des inconvnients de la bobine :

Rayonnement lectromagntique Encombrement et masse Prix lev

Pour les limites extrmes, on obtient : a) frquence nulle, la bobine a une impdance pratiquement nulle (rsistance du cuivre) et correspond un interrupteur ferm.

L
pour f = 0 US = UE

UE ~

US

b) frquence trs grande, l'impdance de la bobine est infinie et correspond un interrupteur ouvert.

L
pour f = US = 0V

UE ~

US

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5.2.3 Exemple

Le filtrage :

R C

UE ~

US

Soit un filtre passe-bas compos de R = 2,2 k et C = 0,1 F Sa frquence de coupure sera 1 1 fC = = 2 R C 2 2200 0,1 10 6 fC = 723,4 Hz

GU 1

723,4Hz
Pour obtenir le mme rsultat avec une bobine, il faudrait :
fC = R 2 L L= R 2 fC

L=

2200 = 0,48H 2 fC

Les frquences jusqu' 723 Hz ne seront pas attnues. Les frquences partir de 723 Hz seront attnues et ce d'autant plus qu'elles seront leves. Ce type de filtre permettra l'limination des parasites haute frquence.
5.2.3.1 Exemple d'application du filtre passe-bas Filtre sur la ligne d'alimentation d'un autoradio : empche les perturbations HF de pntrer dans la radio par le cble d'alimentation.

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5.3 Le filtre passe-haut

Le filtrage :

Si nous reprenons l'exemple du tamis, nous devrons considrer comme limines les boules ayant pass dans les trous et comme retenues les boules de plus grand diamtre que le trou, restant dans le tamis. De la mme faon, un filtre passe-haut va liminer les frquences infrieures une certaine frquence de coupure (y compris le continu) et laissera passer les frquences suprieures cette frquence de coupure.
5.3.1 Le filtre passe-haut C-R

C UE ~ US

GU 1

f fc
Comme pour le filtre RC, la frquence de coupure se calculera par : fC = 1 2 R C

Les frquences infrieures fC seront attnues et ce d'autant plus qu'elles seront faibles. Les frquences suprieures fC ne seront pas ou peu attnues. Pour les limites extrmes, on obtient : a) frquence nulle, la ractance de capacit est infinie et correspond un interrupteur ouvert.

C
pour f = 0 Us = 0V

UE ~

US

b) frquence trs grande, la ractance de capacit est nulle et correspond un interrupteur ferm.

C
pour f = US = UE

UE ~

US

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5.3.2 Le filtre passe-haut R-L

Le filtrage :

GU 1

UE ~

US
f fc

La frquence de coupure se calcule par :


fC = R 2 L

comme pour le filtre LR passe-bas

On constate donc qu'il suffit de croiser R et L ou R et C pour passer d'un filtre passe-bas un filtre passe-haut et vice versa en gardant la mme frquence de coupure.
5.3.3 Exemple

On dispose de R = 1 k et on veut une frquence de coupure 1500 Hz pour un filtre passehaut. 1re version : filtre CR
fc = 1 1 1 C = = 2 R C 2 R fc 2 1000 1500

C = 0, 1 F 2me version : filtre RL


fC = R 2 L L= R 1000 = 2 f C 2 1500

L = 0,1 H Ce filtre laissera passer les frquences suprieures 1500 Hz et attnuera les frquences infrieures 1500 Hz.

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5.4 Le filtre passe-bande

Le filtrage :

Il est possible d'liminer des frquences basses ainsi que des frquences hautes en gardant seulement une bande de frquence entre les deux zones attnues.
5.4.1 Principe
R GU

Filtre passe-bas
f

GU

Filtre passe-haut

f GU R C

Filtre passe-bande

R
Bande passante FC2 FC1

La mise en srie d'un filtre passe-bas et d'un filtre passe-haut donne un filtre passe-bande dont la bande passante est comprise entre fC1 (frquence de coupure passe-haut) et fC2 (frquence de coupure passe-bas). Condition : Il est impratif d'avoir fC2 > fC1 sans cela il n'est pas possible d'obtenir une zone non attnue.

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5.5 Complment

Le filtrage :

5.5.1 Amplitude des signaux de sortie Pour les reprsentations graphiques, on exprime l'amplitude du signal d'un filtre en dcibels.
[dB ]soit 1 Bel[ B] 10

Le dcibel est un rapport entre la tension d'entre et la tension de sortie. Il se calcule par : A = attnuation en [dB]
A = 20 log US Ue

US = tension de sortie en [V] Ue = tension d'entre en [V]

Sur les graphiques galement, la frquence est porte sur une chelle logarithmique. On a donc le mme espace entre : 0,1 Hz - 1 Hz - 10 Hz - 100 Hz - 103 Hz - 104 Hz - etc. Sur un graphique, on aura 0 dB dans le plateau ou en bande passante. On aura -3 dB la frquence de coupure et dans la zone d'attnuation, l'amplitude diminuera de 20 dB chaque fois que l'on franchit une dcade (de 1 Hz 10 Hz, de 10 Hz 100 Hz, de l00 Hz 103 Hz, etc.).
5.5.2 Phase des signaux de sortie Dans la zone non attnue, le signal de sortie est en phase avec le signal d'entre.

A la frquence de coupure, le signal de sortie est dphas de 45 par rapport au signal d'entre :

en retard pour les filtres passe-bas en avance pour les filtres passe-haut Dans la zone attnue, le dphasage va atteindre 90 entre signal d'entre et signal de sortie : en retard pour les filtres passe-bas en avance pour les filtres passe-haut

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5.6 Rappels

Le filtrage :

5.6.1 L'intgrateur Lorsqu'un filtre passe-bas reoit un signal rectangulaire, il en modifie la forme en fonction du temps de charge du condensateur travers la rsistance. C'est un intgrateur.
R

UE

US

UE

US

La constante de temps du circuit s'exprime par : en [S] = RC R en [] C en [F] On admet que le signal de sortie US a atteint le niveau de Ue aprs une dure de 5 . La tension US peut se calculer tout instant :

pour un front de tension montant US = Ue = e= t= = tension de sortie en [V] tension d'entre en [V] nombre de Neper ( e = 2,718) temps au bout duquel on veut connatre Us en [s] constante de temps en [s]

U S = U e (1 e )

pour un front de tension descendant US = tension de sortie en [V] Ue = tension aux bornes de C avant le front descendant en [V] e = nombre de Neper ( e = 2,718) t= temps au bout duquel on veut connatre Us en [s] = constante de temps en [s]

U S = Ue e

Remarque : on obtient le mme comportement avec le circuit L-R. La constante de temps est alors :

L R

= L= R=

constante de temps en [s] inductance en [H] rsistance en []

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Le filtrage :

5.6.2 Le drivateur Lorsqu'un filtre passe-haut reoit un signal rectangulaire, il en modifie la forme en fonction du temps de charge du condensateur travers la rsistance. C'est un drivateur.
C UE US

C UE US

La constante de temps et le temps de stabilisation du signal de sortie sont identiques ceux de l'intgrateur. La tension US se calcule par :

pour un front de tension montant


US = Ue e pour un front de tension descendant U S = U e e
t t

Remarque : on obtient le mme comportement avec le circuit R-L pour lequel =


5.6.3 Rsum

L R

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5.7 Exercices
5.7.1 Exercice Calculer la frquence de coupure du filtre ci-dessous

Le filtrage :

R C
R = 100 k C = 10 nF

UE ~

US

5.7.2 Exercice Calculer et dessiner la courbe de rponse du filtre ci-dessous

C UE ~ US
R = 1,5 k C = 10 nF

5.7.3 Exercice Soit le filtre ci-dessous :

3
fc = 18 kHz R ohmique 1-2 = 1 k

2
Quel genre de filtre est-ce ? Quelle est la valeur de L ?
5.7.4 Exercice

R
U 5V

UE ~
2 ms t

US

Calculer et dessiner l'impulsion de sortie si R = 1k2 et C = 100nF

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6. LES MONTAGES A DIODES
6.1 Introduction

Les montages diodes:

Les diodes sont principalement utilises pour le redressement des tensions alternatives, on les appelle alors "redresseurs" (en anglais : "rectifier").

6.2 Le redressement mono alternance


6.2.1 Modle hydraulique La roue aubes, reprsentant la charge du circuit, ne tournera que dans un sens. Dans notre exemple, ce sera le sens horaire.

Piston avec fuites !

6.2.2 Montage diode

Oscilloscope Trace B V 9Veff

230V 50Hz

R charge

Oscilloscope Trace A

Remarque U2 = Tension du secondaire du transformateur UO = Tension de sortie du montage Ces deux tensions seront diffrentes si le transformateur est point milieu (Pleine onde)

06 MONTADIO_04/ 4 JUILLET 2006

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6.2.3 Diagramme des temps

Les montages diodes:

U [V] +12,7 Tension au secondaire du transformateur 0 9Veff = 12,7VP -12,7 U [V] +12 Oscilloscope Trace A aux bornes de R 0 U [V] +0,7 0 Oscilloscope Trace B aux bornes de V -12,7
6.2.4 Description a) Alternance positive La diode laisse passer le courant ds que son seuil de tension est dpass. On admet une chute de tension moyenne de 0,7 V. Cette chute de tension dpend de :

Courant dans la diode.

Lorsque le courant atteint les possibilits max. de la diode, la chute de tension peut atteindre 1 V 1,5 V (dpend de la rsistance dynamique).

Temprature de la jonction de diode.

Lorsque la diode atteint sa limite de temprature suprieure, le seuil peut tre infrieur 0,5 V. b) Alternance ngative La diode ne conduit pas, il n'y a plus de courant dans la charge, toute la tension apparat aux bornes de la diode. Avec ce montage, la charge est alimente par un courant positif puls.

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Les montages diodes:

Attention : Deux critres sont respecter lors du choix de la diode : La diode doit supporter le courant direct maximum du circuit o elle est monte. La diode doit avoir une tension de claquage plus grande que la tension inverse maximum du circuit sans quoi elle peut tre dtruite.

Ceci correspond la rupture de la valve en sens bloqu dans le modle hydraulique. Ne pas hsiter monter un lment dissipateur (radiateur) sur la diode si elle est soumise une forte lvation de temprature (la limite de la plupart des modles se trouve 150C). 6.2.5 Valeur de crte La valeur de crte aux bornes de la charge gale la valeur de crte du secondaire du transformateur. =U = 2 U U O 2 2 eff 6.2.6 Valeur efficace Par dfinition la tension efficace gale la tension continue qui produirait la mme nergie calorifique dans la mme rsistance et pendant le mme temps. 6.2.7 Valeur moyenne Pour le redresseur demi-onde, la valeur moyenne ou en courant continu du signal redress s'crit:
VCC = U 2

Cette tension moyenne permet de calculer le courant moyen ou courant continu de charge ICC:
I CC = VCC RL

6.2.8 Courant limite de diode Le courant moyen traversant la diode doit tre infrieur au courant limite de la diode, not I0 dans les fiches signaltiques. Pour le redresseur demi-onde: I0 = ICC 6.2.9 Tension inverse de crte La tension inverse de crte PIV (Peak Inverse Voltage) est gale la valeur de crte de la tension du secondaire. Pour viter le claquage, la PIV doit tre infrieure la PIV limite de la diode. (Voir fiche signaltique)
PIV = U 2

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Les montages diodes:

6.2.10 Exemple La tension efficace du secondaire d'un transformateur est de 24V. On alimente une rsistance de charge RL de 50 au travers d'un redresseur mono alternance. Calculer: a) La tension de crte entre les bornes RL. b) La tension moyenne aux bornes de RL. c) Le courant moyen traversant RL. d) Le courant moyen dans la diode. e) La PIV entre les bornes de la diode.

6.3 Le redressement double alternances ou pleine onde


Ce type de redressement ncessite l'utilisation d'un transformateur avec secondaire point milieu.

230V 50Hz

V1 point milieu

R charge

V2
Le point milieu est pris comme rfrence des tensions.

Lorsqu'on a une alternance positive sur V1, elle est ngative sur V2. Lorsqu'on a une alternance ngative sur V1, elle est positive sur V2.

6.3.1 Diagramme des temps

U [V] Tension entre Anode V1 et point milieu t

La tension entre anode V2 et point milieu est en opposition de phase la tension ci-dessus.

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UL [V] UL aux bornes de RL

Les montages diodes:

V1

V2

V1

V2

V1 t

6.3.2 Description 1er cas : Alternance positive sur V1 et alternance ngative sur V2.

V1 conduit avec une chute de tension admise 0,7 V. V2 est bloque.

2me cas Alternance ngative sur V1 et alternance positive sur V2. V1 est bloque et V2 conduit avec une chute de tension admise 0,7 V. La charge est alimente par un courant positif puls dont la frquence est double de celle du montage mono alternance. Avantage : Meilleur rendement, plus grande facilit de filtrage. Inconvnient : Ncessit d'utiliser un transformateur double secondaire plus coteux que le modle simple. 6.3.3 Valeur de crte La valeur de crte de la tension redresse est gale la moiti de la valeur de crte du secondaire du transformateur.

= U2 = U O 2

2 U 2eff 2

6.3.4 Valeur moyenne Pour le redresseur pleine onde, la valeur moyenne ou en courant continu du signal redress s'crit:
VCC = 2 U O

U 2

Cette tension moyenne permet de calculer le courant moyen ou courant continu de charge ICC:
I CC = VCC RL

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Les montages diodes:

6.3.5 Courant limite des diodes Le courant moyen traversant la diode vaut la moiti du courant moyen de charge et doit tre infrieur au courant limite de la diode, not I0 dans les fiches signaltiques :
I0 = I CC 2

6.3.6 Tension inverse de crte La tension inverse de crte PIV (Peak Inverse Voltage) est gale la valeur de crte de la tension du secondaire. Pour viter le claquage, la PIV doit tre infrieure la PIV limite des diodes.(Voir fiche signaltique)
PIV = U 2

6.3.7 Exemple La tension efficace du secondaire d'un transformateur est de 24V. On alimente une rsistance de charge RL de 50 au travers d'un redresseur pleine onde. Calculer: a) La tension de crte entre les bornes RL. b) La tension moyenne aux bornes de RL. c) Le courant moyen traversant RL. d) Le courant moyen dans les diodes. e) La PIV entre les bornes des diodes.

6.4 Le redressement double alternances en pont


6.4.1 Modle hydraulique La roue aubes reprsentant la charge tournera seulement dans le sens horaire.

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6.4.2 Montage diodes (pont de Graetz)

Les montages diodes:

V1 V4

V2 V3 R

V1 U V4

V2

V3

Si nous prenons comme rfrence (0 V) le bas du secondaire du transformateur : 1er cas : Alternance positive Le courant s'tablit travers V2 - R - V4. V2 et V4 produisent une chute de tension admise 1,4 V.

V2 V4

2me cas : Alternance ngative

V1 R

Le courant s'tablit travers V3 - R - V1. V3 et V1 produisent une chute de tension admise 1,4 V.

V3

Remarque : Le sens du courant dans R n'a pas chang d'une alternance l'autre. Le montage donne le mme rsultat que le systme double alternance 2 diodes mais en utilisant un transformateur secondaire simple.

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6.4.3 Diagramme des temps
U2eff [V]

Les montages diodes:

UR [V]

1,4 [V] V2 + V4 V1 + V3 V2 + V4 V1 + V3 V2 + V4 t

ATTENTION : Ce montage n'a pas de point commun entre l'entre alternative et la sortie continue. Ceci est important lors de mesures l'oscilloscope. Les masses des 2 sondes doivent tre au mme potentiel. 6.4.4 Valeur de crte La valeur de crte de la tension redresse est gale la valeur de crte du secondaire du transformateur. =U = 2 U U O 2 2 eff 6.4.5 Valeur moyenne Pour le redresseur en pont, la valeur moyenne ou en courant continu du signal redress s'crit :
VCC = 2 U O

2 U 2

Cette tension moyenne permet de calculer le courant moyen ou courant continu de charge ICC :
V I CC = CC RL

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Les montages diodes:

6.4.6 Courant limite des diodes Le courant moyen traversant la diode vaut la moiti du courant moyen de charge et doit tre infrieur au courant limite de la diode, not I0 dans les fiches signaltiques:
I0 = I CC 2

6.4.7 Tension inverse de crte La tension inverse de crte PIV (Peak Inverse Voltage) est gale la valeur de crte de la tension du secondaire. Pour viter le claquage, la PIV doit tre infrieure la PIV limite des diodes.(Voir fiche signaltique)
PIV = U 2

6.4.8 Exemple La tension efficace du secondaire d'un transformateur est de 24V. On alimente une rsistance de charge RL de 50 au travers d'un redresseur en pont. Calculer: a) La tension de crte entre les bornes RL. b) La tension moyenne aux bornes de RL. c) Le courant moyen traversant RL. d) Le courant moyen dans les diodes. e) La PIV entre les bornes des diodes. 6.4.9 Redresseurs en pont encapsuls Les redresseurs en pont se trouvent galement sous forme encapsule dans un botier hermtique.

6.4.10 Symbole CEI du redresseur en pont encapsul

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6.5 Comparaison
Demi-onde Nombre de diode Tension de crte de sortie 1
U 2

Les montages diodes:

Pleine onde 2
U 2 2 U 2

Pont 4
U 2

Tension continue de sortie

U 2

2 U 2

Courant continu de diode

ICC
U 2

I CC 2
U 2

I CC 2
U 2

PIV Frquence dondulation

50 Hz

100 Hz

100 Hz

6.6 Filtre condensateur en tte


Le signal de sortie des redresseurs que nous venons dtudier est une tension continue pulse. Lutilisation de ce type de tension est limite la charge des batteries, aux moteurs courant continu et quelques autres applications. La plupart des circuits lectroniques ncessitent une tension continue constante avec une ondulation la plus faible possible. Pour cette raison, il est indispensable de rajouter un filtre aux montages tudis. 6.6.1 Filtrage dun signal demi-onde

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6.6.2 Tension continue obtenue
UL

Les montages diodes:

6.6.3 Explications

6.6.4 Filtrage dun signal pleine-onde

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6.6.5 Tension continue obtenue
UL

Les montages diodes:

6.6.6 Explication

6.6.7 Angle de conduction dune diode Pour les redresseurs pleine onde sans filtrage, langle de conduction de chaque diode est de 180 alors que pour ces mmes redresseurs avec condensateur en tte cet angle nest que de quelques degrs. Les diodes de ces montages ne conduisent que brivement prs de la crte pour recharger le condensateur et sont bloques tout le reste du cycle. 6.6.8 Calcul de londulation La tension dondulation aux bornes du condensateur est proportionnelle au courant continu de charge, inversement proportionnelle la capacit du condensateur et inversement proportionnelle la frquence dondulation ( frquence du secteur !)

U ond =

I f C

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6.7 Choix du condensateur

Les montages diodes:

En analysant la relation ci-dessus, on se rend compte que plus la capacit de C est grande, plus la tension dondulation diminue. Malheureusement, le volume du condensateur augmente et il faudra donc trouver un compromis. Une mthode est la rgle des 10%, qui consiste choisir C de manire avoir une ondulation 10% de la valeur de crte. Cette valeur peut paratre grande, mais les montages tudis sont en principe suivis dun rgulateur de tension dont le but est dobtenir une grande stabilit de la tension indpendamment de la charge. 6.7.1 Courant limite I0 (Montage pleine onde) Le courant moyen ou continu circulant dans un condensateur tant nul, le calcul de I0 est:
I0 = I CC V U 2 = CC = 2 2 RL 4 RL

6.7.2 PIV Pour bien comprendre cette valeur prenons lexemple du redresseur demi-onde avec filtre condensateur en tte.

Le mme raisonnement peut tre fait pour les redresseurs pleine onde et en pont.

6.8 Comparaison avec condensateur en tte


Demi-onde Nombre de diode Tension continue de sortie 1
U 2

Pleine onde 2
U 2 2

Pont 4
U 2

Courant continu de diode

ICC
2U 2

I CC 2
U 2

I CC 2
U 2

PIV Frquence dondulation

50 Hz

100 Hz

100 Hz

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Les montages diodes:

6.8.1 Courant de surcharge Avant la mise sous tension, le condensateur de filtrage nest pas charg et ressemble donc un court-circuit. Le courant initial de charge est donc trs grand car la rsistance vue du condensateur est trs petite. (Rsistance de lenroulement et rsistance statique des diodes)
Dans le pire des cas, si la mise sous tension a lieu au moment o la tension secondaire vaut U 2 le courant de surcharge est maximum:

I Surch arg e max =

U 2 RTH

Si le condensateur est de valeur trs leve, il est possible que les diodes se dtruisent lors de la mise sous tension. Un moyen de limiter le courant de surcharge est dajouter une rsistance de surcharge selon le schma ci-dessous. Cependant leur prsence va diminuer la tension continue de charge. On peut galement remplacer cette rsistance par une NTC.

6.9 Multiplicateurs de tension


Les multiplicateurs de tension sont constitus de plusieurs redresseurs de crte qui produisent une tension continue gale un multiple de la tension de crte du secondaire. Ces dispositifs sont utiliss comme alimentation haute tension (HT) bas courant tels les tubes rayons cathodiques. (25 kV) 6.9.1 Doubleur de tension demi-onde

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6.9.2 Explication

Les montages diodes:

En rajoutant des cellules en srie, il est possible dobtenir des tripleurs et des quadrupleurs de tension. Thoriquement il est possible dajouter indfiniment des cellules mais londulation deviendrait de plus en plus importante. 6.9.3 Tripleur de tension

6.9.4 Quadripleur de tension

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6.10 Exercices

Les montages diodes:

6.10.1 Exercice Calculer la tension continue de charge, le courant continu de charge, le courant continu qui circule dans chaque diode et la PIV entre les bornes de chaque diode.

24VAC

220R

6.10.2 Exercice Calculer les tensions continues de charge, les courants continus de charge, le courant continu qui circule dans chaque diode et la PIV entre les bornes de chaque diode.

48VAC

R1 47R

R2 220R

6.10.3 Exercice Calculer la tension continue de charge, londulation de crte crte, le courant limite des diodes ainsi que la PIV si U2eff = 24 V RL = 400 C = 220 F

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Les montages diodes:

6.10.4 Exercice Soit une alimentation fractionne. En raison de la mise la masse de la prise mdiane, les tensions de sorties sont gales et de polarits opposes. Supposer que la tension secondaire efficace est de 36 V et que les condensateurs ont une capacit de 1000 F, calculer les tensions continues des sorties, l'ondulation de crte crte et le courant Io limite minimal ainsi que la PIV limite minimale des diodes.

330R

330R

6.10.5 Exercice Calculer la tension idale de charge ainsi que la PIV aux bornes de chaque diode si U2eff = 9 V.

C1

V2

V1

C2

RL

6.10.6 Exercice Dcrire le fonctionnement du montage ci-dessous et donner la valeur de UL si la tension secondaire efficace est de 12 V.
V1

C1 RL C2

V2

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7. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
7.1 Principe physique

Le transistor bipolaire:

Associons ensemble trois plaques de silicium dopes pour avoir successivement : zone N - zone P - zone N et effectuons le branchement suivant :
Zone N Zone P Zone N lectrons lacunes

EMETTEUR E1

BASE

COLLECTEUR E2

Schma quivalent :
EMETTEUR BASE s E1 E2 COLLECTEUR

Situation 1 :

linterrupteur S est ouvert. Aucun courant ne circule entre les points appels "Base" et "Emetteur". La jonction dans le circuit form entre les bornes "Base" et "Collecteur" est polarise en inverse. Cette jonction est donc bloque. Il ne circule que le courant de fuite de quelques nanoampres.

Situation 2 :

linterrupteur S est ferm. Il suffit que la source E1 ait un potentiel lgrement suprieur la tension de seuil (0,7 V) et la diode Base - Emetteur conduit. Il stablit un mouvement ou courant dlectrons de lmetteur vers la base. Ceci correspond un sens conventionnel du courant lectrique de base vers lmetteur. Cest ici quapparat leffet transistor. La zone P de base a une paisseur extrmement faible. Lorsque le courant d'lectrons s'tablit de l'metteur vers la base, on ne voit pas apparatre la base la totalit des lectrons partis de l'metteur. L'explication est la suivante :

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Le transistor bipolaire:
Lorsque les lectrons arrivent dans la zone de base, cette dernire tant trs mince, ils sont attirs par la tension positive de collecteur plus leve que la tension de base. Ils traversent la zone base collecteur qui est pour eux une diode en inverse et se retrouvent au collecteur.

On rcolte ainsi au minimum 98 % des lectrons partis de l'metteur sur le collecteur et au maximum 2 % de ces lectrons sur la base. Ceci se traduit par le schma ci-dessous :

Emetteur 100% des lectrons mis

Collecteur au moins 98% des lectrons mis

Base pas plus de 2% des lectrons mis

En gnral, on considre

Courant de collecteur : Courant de base :

99,8 98 % du courant d'metteur. 0,2 2 % du courant d'metteur.

7.2 Symbole graphique


Le transistor que nous venons de dcrire est de type NPN (alternance des couches). Son symbole est le suivant :
C B

Collecteur = C Base = B

Emetteur = E

E Analogie diodes

Transistor NPN

Malgr la symtrie apparente sur le schma quivalent diodes entre le collecteur et l'metteur, on ne peut pas croiser ces deux bornes. Le collecteur a la plus grande tension ses bornes et la puissance qu'il doit dissiper est importante (P = U I). Il a une grande surface pour cela. L'metteur a une faible tension ses bornes et pour un courant sensiblement gal celui du collecteur, la puissance dissipe est beaucoup plus faible. Sa surface est faible. A noter que la flche sur la borne metteur indique le sens direct de la diode base metteur.

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7.3 Schma lectrique

Le transistor bipolaire:

Le montage ci-dessous est un montage de principe lmentaire du transistor NPN avec sens conventionnel des courants.
IC IB UCE VB UBE IE VCC

De cette figure, on dduit la relation fondamentale du transistor :

IE = IB + IC

Si UB est infrieure 0,4 V, il n'y aura pas de courant IB, donc pas de courant IC car IC dpend de IB C'est le courant IB qui commande le courant IC ou Un petit courant d'entre (IB) commande un grand courant de sortie (IC)

7.4 Modle hydraulique

Canal principal en haut Canal principal en bas Canal latral Poids du clapet - contrepoids sur levier

: comparable au collecteur : comparable l'metteur : comparable la base : comparable la tension de seuil de 0,7 V

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Le transistor bipolaire:

Fonctionnement : En l'absence de dbit latral, le dbit principal ne peut s'tablir. Ds que le liquide est prsent dans le canal latral avec une pression suffisante (analogue au seuil), il peut pousser le volet de fermeture du canal principal. Plus la pression du canal latral sera forte donc plus le dbit de ce dernier sera important et plus le dbit du canal principal sera important (jusqu'au dbit maximum). Il y a une proportion entre le dbit du canal latral (base) et le dbit du canal principal (collecteur). Le dbit total se retrouve dans le canal principal en aval du volet de commande (c'est la zone de l'metteur).

7.5 L'autre transistor : le PNP


7.5.1 Principe physique

Zone P

Zone N

Zone P lectrons

lacunes

EMETTEUR E1

BASE

COLLECTEUR E2

7.5.2 Schma quivalent


EMETTEUR BASE S E1 E2 COLLECTEUR

Le comportement physique est similaire celui du transistor NPN avec les diffrences suivantes :

Nous avons affaire un courant de trous (charges positives) au lieu d'un courant d'lectrons (charges ngatives) Les polarits des alimentations sont inverses. C'est cette fois le ple ngatif de E2 qui attire les trous de l'metteur vers le collecteur. Le sens physique du mouvement des charges correspond au sens conventionnel du courant.

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Les mmes proportions de courant sont respectes. 7.5.3 Symbole graphique

Le transistor bipolaire:

C Collecteur = C Base = B B

Emetteur = E

E Analogie

Transistor PNP

La flche sur la borne metteur indique le sens de la diode base metteur. 7.5.4 Schma lectrique

IC IB UEC VB UEB IE VCC

Les mmes remarques que pour le transistor NPN s'appliquent au transistor PNP.

7.6 Les paramtres des transistors


Nous savons qu'en entre du transistor un petit courant de base commande un grand courant de collecteur en sortie. Le transistor est donc un composant actif command en courant et amplifiant ce courant entre l'entre et la sortie. Il serait intressant de connatre le rapport de dmultiplication de ce courant = hFE =
IC IB

que nous appellerons rapport d'amplification. Il se note par :


(bta) hFE que l'on trouvera plus couramment dans les catalogues de donnes techniques.

Ce coefficient d'amplification sera le rapport du courant de sortie sur le courant d'entre.

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=
98 = 49 2

Le transistor bipolaire:

Si on a 98 99,8% du courant dans IC et 2 0,2% dans la base, alors : jusqu =


99,8 = 499 0,2

ce qui donne 50 < < 500 On trouve dans la gamme commerciale entre 20 et 900. Ce qui signifie que IC peut tre 20 fois (transistors de forte puissance) 900 fois (transistors petits signaux) suprieur IB. Un autre paramtre se note (alpha)

IC IE

avec 0,98 < < 0,998

Cela signifie que pour 100% des lectrons partant de l'metteur, 98% 99,8% se retrouvent au collecteur.

7.7 Rseau de caractristiques


7.7.1 Le courant de collecteur IC en fonction du courant de base IB et de la tension collecteur metteur UCE 7.7.1.1 Schma du montage de mesure
Mesure de IC Mesure de IB A VB A

Mesure de UCE

VCC

7.7.1.2 Rseau obtenu

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Le transistor bipolaire:

Chaque courbe correspond un courant IB maintenu constant pendant la mesure. On constate qu' partir de 2 V et jusqu' 30 V dans notre exemple, IC dpend peu de UCE mais se trouve dans un rapport = 100 par rapport IB. C'est la zone d'amplification. On distingue galement une zone de saturation pour UCE = 0 2 V. C'est une zone comportement rsistif : La tension UCE doit vaincre la rsistance du silicium avant d'atteindre le courant IC impos par IB .

Enfin, une troisime zone, dite zone de claquage. Si la tension UCE dpasse la tension maximum admissible entre collecteur et metteur, on a, comme dans une diode en inverse, une brutale augmentation du courant entranant la destruction du transistor si elle n'est pas contrle. Il faut bien choisir le transistor en fonction de l'application pour ne pas atteindre cette zone.

7.7.2 Le courant IB en fonction de la tension base metteur UBE 7.7.2.1 Schma du montage de mesure

A V
C'est la mesure de la caractristique de diode base metteur analogue la caractristique directe d'une diode au silicium

7.7.2.2 Rseau obtenu


I B [A] 700 600 500 400 300 200 100 0 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 U BE [V]

IMPORTANT : il est retenir que la diode base metteur d'un transistor ne supporte pas de grandes tensions inverses. La tension de claquage se situe vers -5 V -20 V.

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Le transistor bipolaire:

En cas de risque d'impulsions ngatives sur la base, on adaptera le montage ci-dessous.

V1

En plaant la diode V1, la tension ngative UBE ne dpassera pas - 0,7 V

7.8 Influence de la temprature


Lorsqu'un transistor est travers par un courant, sa temprature augmente. Ceci a pour effet de diminuer le seuil de tension de la diode B-E ce qui correspond en hydraulique baisser la hauteur d'un barrage de rgulation de dbit au fil de l'eau. Consquence : si UBE diminue, le courant IB augmente (comme le dbit du cours d'eau pris en exemple).

Si IB augmente, IC augmente aussi. Si IC augmente, le transistor chauffe davantage.

Ceci entrane une nouvelle diminution du seuil UBE . C'est l'emballement thermique d au coefficient de temprature ngatif des semi-conducteurs au silicium et au germanium. Cet emballement peut entraner la destruction du transistor si aucune disposition n'est prise dans le montage.

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7.9 Test statique d'un transistor

Le transistor bipolaire:

Le test peut se faire l'aide d'un ohmmtre ou mieux avec un vibreur lectronique ou la position "test diode" d'un multimtre numrique. Le courant dlivr par l'appareil ne doit pas dpasser quelques dizaines de microampres. 7.9.1 Test du transistor NPN

BEEP

R IE N

7.9.2 Test du transistor PNP

+ + + -

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7.10 Identification des bornes

Le transistor bipolaire:

Le montage dans un circuit ou le test du transistor ne peut se faire si l'on ne peut identifier les bornes de base, collecteur et metteur. Le meilleur moyen d'identifier un transistor est de disposer du livre de donnes techniques d'un fabricant ou d'un lexique international. Les botiers les plus courants figurent ci-aprs. 7.10.1 Les botiers mtalliques

Attention : le collecteur des transistors botier mtallique est reli au botier. Un contact entre ce dernier et le chssis ou un point la masse provoque un court-circuit.

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7.10.2 Les botiers plastiques

Le transistor bipolaire:

Attention : Les ailettes ou surfaces mtalliques de fixation des transistors de puissance en botiers plastiques sont relies au collecteur. Une fixation non isole sur le chssis provoque un court-circuit.

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7.11 Exercices

Le transistor bipolaire:

7.11.1 Exercice Supposer que seulement 2 % des lectrons injects dans l'metteur d'un transistor se recombinent avec les trous de la base et qu'un million d'lectrons pntrent dans l'metteur par ms. Calculer le nombre d'lectrons qui sortent par ms, par le conducteur de la base et par celui du collecteur ?

7.11.2 Exercice Le gain type hFE d'un transistor 2N 3298 est de 90. Supposez un courant d'metteur IE de 10mA. Calculer IC et IB

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Polarisation et amplification :

8. Polarisation et amplification
8.1 Dfinition
8.1.1 Polarisation Polariser un transistor, c'est placer les composants ncessaires pour le prparer amplifier des signaux variables. La polarisation impose au transistor les valeurs de courant et de tension en continu. 8.1.2 Amplification Un signal plac l'entre du transistor (base) va se retrouver la sortie (gnralement collecteur) avec une amplitude plus grande mais en conservant sa forme. Si le signal est dform, on dit qu'il y a distorsion. L'amplification peut se faire en courant ou en tension.

8.2 Polarisation en courant


Comme exemple, nous allons prendre un montage o le transistor commande le courant d'une rsistance de 60 . Le montage est aliment en 12 V.

RB IB

VCC 12V RL 60 UL IC UCE UBE

On connat hFE (ou ) du transistor = 100 UBE = 0,7 V On dsire au repos faire circuler un courant de 100 mA dans le collecteur du transistor. On a donc un courant de 100 mA dans RL. La tension aux bornes de RL vaut : UL = RL IC = 60 0,1 = 6 V Ne pas oublier que le courant de collecteur est la consquence du courant de base. Sachant que IC vaut 0,1 A et que hFE vaut 100, alors IB vaut :

I I = C = 1 10 3 = 1 mA B h FE
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Si UBE = 0,7 V, la tension aux bornes de RB vaut URB = VCC - UBE = 12 - 0,7 = 11,3 V Donc, nous obtenons RB
RB = U RB 11,3 = = 11,3 103 = 11,3k IB 1 10 3

Polarisation et amplification :

Ceci nous permet de calculer RB pour satisfaire cette condition.

En rsum : Notre transistor est polaris. Un courant de 1 mA la base impose un courant de 100 mA au collecteur. La tension est de 6 V aux bornes de RL, elle peut varier entre 0 et 12 V et le courant entre 0 et 200 mA. La situation du transistor polaris (100 mA et 6 V) est une situation d'attente des signaux variables en entre.

8.3 Amplification
8.3.1 Schma

VCC +12 V RL 60

Nous avons ajout notre schma de base polaris un condensateur CB. Ce condensateur CB permet de transmettre la base du transistor un signal variable qui s'ajoute la polarisation. D'autre part, CB vite que le courant continu de polarisation soit partiellement absorb par le gnrateur de signaux variables.

RB CB

8.3.2 Fonctionnement Si le signal d'entre augmente :

Il ajoute des lectrons la base, le courant IB augmente donc IC = IB hFE augmente de faon plus importante (multiplication de l'augmentation de IB par hFE) et la puissance dans RL augmente.

Si le signal d'entre diminue : Il y a moins d'lectrons la base, le courant IB diminue et la puissance dans RL diminue.

C'est L'AMPLIFICATION EN COURANT qui se rsume ainsi :

Si IB Si IB

, IC , IC

(Voir Exercice 8.8.1)

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8.4 La polarisation en tension
VCC +12 V RL 60 UL IC IB UCE UBE Condition pour la stabilit du montage :

Polarisation et amplification :

R1 IP R2

Dans ce cas, c'est un pont diviseur form par R1 et R2 qui impose une tension constante de l'ordre de 0,7 V sur la base du transistor. Le courant IB rgl par R1 et R2 commande le courant IC.

Le prlvement par le transistor du courant IB ne doit pas influencer la tension du pont diviseur dans de grandes proportions. On prendra IP = 10 20 fois IB Si on reprend les mmes donnes que prcdemment, soit IC hFE IB UL UBE = 100 mA = 100 = 1 mA = UCE = 6 V = 0,7 V

= 60 RL Alors nous pouvons calculer R1 et R2 a) Calcul de R2 Le courant dans R2 sera pris 15 fois IB soit 15 mA La tension UR2 = UBE = 0,7 V Donc : R2 =
0,7 U BE = = 46,7 15 10 3 IP

b) Calcul de R1 Le courant dans R1 sera IP + IB soit 16 mA La tension aux bornes de R1 sera VCC-UBE = 12 - 0,7 = 11,3 V Donc : R1 =
11,3 U R1 = = 706,3 I R1 16 10 3

Ce montage est maintenant polaris et prt amplifier.

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8.5 L'amplification

Polarisation et amplification :

Si on impose une faible variation de UBE par Ue travers CB (CB conserve le mme rle que pour l'amplification en courant), on va retrouver une forte variation de US.

VCC +12 V R1 RL IC CC

CB

Ue

UCE R2

US

a) Si Ue augmente

UBE augmente IB augmente IC augmente (IC = IB hFE) UL augmente car le courant a augment dans RL (UL = RL IC) UCE diminue de la valeur dont UL a augment, car tout instant VCC = 12 V = UL + UCE, donc si l'une augmente, l'autre diminue et vice versa. La tension US diminue d'une valeur absolue suprieure l'augmentation de Ue. C'est l'amplification en tension.

Remarque : Le condensateur CC ne laisse passer que les variations du collecteur sur la sortie US. La composante continue de polarisation de 6 V n'apparat pas sur US. On n'y retrouve que le signal d'entre amplifi. b) Si Ue diminue UBE diminue

IB diminue IC diminue Ul diminue (le courant diminue dans RL) UCE augmente de la valeur dont UL a diminu La tension Us augmente d'une valeur absolue suprieure la diminution de Ue

Il est noter que le signal de sortie est en opposition de phase par rapport au signal d'entre (dphasage de 180). Ceci est caractristique ce montage appel metteur commun, car l'metteur est la masse et sert de point de rfrence aux autres bornes du transistor. C'est le montage le plus rpandu.

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VCC +12 V

Polarisation et amplification :

8.6 Le transistor en tant que rsistance


VCC +12 V

R1 Ue CB V R2

RC US Ue

R1

RC US P

V R2

Le transistor agit comme une rsistance qui varie en fonction du signal d'entre Ue. Ceci lui a valu son nom car TRANSISTOR est la contraction de TRANSFER RESISTOR ou rsistance de transfert. Un signal d'entre agissant sur la rsistance de passage d'un transistor dtermine le signal de sortie. La rsistance variable du transistor assure le transfert de l'entre vers la sortie. De mme en hydraulique, le transistor correspond un robinet commandant un dbit important command par la poigne du robinet correspondant la base. Cette poigne peut tre remplace par un systme pistons agissant la faible pression d'une source hydraulique extrieure au circuit principal.

8.7 La drive thermique


Nous retrouvons dans les amplificateurs transistor ce phnomne dj voqu prcdemment. Tout tage amplificateur peut tre soumis une lvation de temprature. Si la temprature augmente, le seuil de tension UBE de 0,7 V diminue. Ceci entrane une augmentation de IB. Le transistor conduit plus, s'chauffe plus et c'est l'emballement thermique pouvant entraner la destruction du transistor. Ce phnomne n'est pas souhait, il faut donc chercher l'annuler. Il suffira pour cela d'une rsistance RE et d'un condensateur CE.
VCC +12 V R1 RC CC B UBE R2 UE Q E RE CE US

CB Ue

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Polarisation et amplification :

RE stabilise le montage en cas de variation de temprature. Si la temprature augmente : La tension au UBE a tendance diminuer. Le courant de base, donc de collecteur va augmenter. Le courant d'metteur IE = IB + IC augmente. Dans ce cas, la chute de tension dans RE augmente, ce qui a pour effet de remonter la tension en E.

Ceci a pour effet de compenser la tendance de UBE diminuer en stabilisant IB et le fonctionnement du montage.
1 1 RE est prise de telle faon que U E = VCC 3 10 CE court-circuite la masse les variations du signal d'entre Ue. Le potentiel au point E est stable (niveau continu). Les variations de Ue ne se rpercutent qu'au collecteur.

8.8 Exercices
8.8.1 Exercice On dsire UCE = 6 V, IC = 3,6 mA avec VCC = 12 V et un transistor polaris par un courant de base dont le gain hFE = 80.

Calculer RB et RC thoriques et en valeurs normalises ?


8.8.2 Exercice
VCC +24 V IP R1 4k7 IB R3 2k2

UBE IP

= - 0,7 V = 20 IB

Calculer UEC et IC ?

R2 18k

R4 4k7

0V

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8.8.3 Exercice polarisation
VCC

Polarisation et amplification :

Calculer
R1 10k IP IB R3 1k

a) UCE b) IC c) hFE si VCC = 12 V UBE = 0,7 V IP = 20 IB

R2 22k

R4 3k9

8.8.4 Exercice PNP - NPN


R1 18k R3 500R IC2 V2 R2 10k

E2 5V

E1 20 V

V1

Si V1 et V2 ont une chute de tension UBE = 0,7 V et un gain en courant = 100, calculer le courant IC2 et la tension UCE2.

8.8.5 Exercice avec LED


VCC = 12 V

Calculer le courant dans la LED si UBE = 0,7 V.


R1 680R V RE 220R

6V2

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8.8.6 Exercice NPN PNP

Polarisation et amplification :

R2 R1 + E1 10 V V1 82k 1k2 R3 16R US V2

Calculer US si UBE = 0,7 V hFE = 50

8.8.7 Exercice

V2 RL + E1 12 V V1 5V6 R1 2k 100R UL

Dterminer UL, IL, UCE et PV2 si hFE = 100

8.8.8 Exercice charge de condensateur


S1 RE V1 5V6 + 10 V E1 R1 10k C 100n V2 390R

1. Calculer IE condensateur. 2. Calculer IC condensateur.

sans avec

3. Calculer UC 20 s aprs la fermeture de S1.

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Le transistor en commutation :

9. LE TRANSISTOR EN COMMUTATION
9.1 Gnralits
L'utilisation du transistor en tant qu'interrupteur est une de ses applications principales en lectronique industrielle. Dans cette situation, il n'y a que deux tats de fonctionnement :

Le transistor ne conduit pas. C'est l'tat bloqu. Il correspond un interrupteur ouvert. Le courant de base est nul donc : IC = 0

Le transistor conduit totalement. C'est l'tat satur. Il correspond un interrupteur ferm. Il existe une chute de tension de l'ordre de 0,1 V 0,4 V entre metteur et collecteur du transistor. C'est la tension de saturation due la rsistance du silicium.
VCC VCC Lampe allume UCE = 0,1 0,4 V

VCC RB UCE = VCC Condition de blocage : Il suffit que UBE 0,4 V Lampe teinte

VCC

RB

IB IC / UBE = 0,7 V

Condition de saturation :

On qualifie galement ce montage de "tout ou rien". Le transistor conduit totalement ou ne conduit pas. Les avantages du transistor sur l'interrupteur sont les suivants :

fonctionnement statique - pas de pices en mouvement grande vitesse de commutation, peut fonctionner dans le domaine des MHz ce qui est impossible pour un interrupteur mcanique dure de vie pratiquement infinie pas de rebonds car il n'y a plus de contacts.

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Le transistor en commutation :

L'interrupteur dessin sur le schma de principe ne sera bien sr que peu utilis en pratique. Dans nombre d'applications, la base du transistor recevra un signal provenant d'un circuit numrique (travaillant avec des niveaux 1 ou 0 c'est--dire VCC ou masse). En hydraulique, le transistor en commutation devient comparable une vanne 2 positions (position ouverte et position ferme).

9.2 L'inverseur
VCC La RB +12V 12V 2,4W US Circuit logique UE

1er cas : Interrupteur ouvert = transistor satur. Le transistor est aliment par VCC travers RB On connat La 12 V / 2,4 W RLa = 60 hFE = = 100 UCEsat = 0,1 V En conduction, la lampe laisse passer un courant IC de 200 mA. Elle est allume. Ceci permet de dduire IB minimum pour saturer le transistor.
Etant donn la large plage de hFE et les diffrences entre plusieurs transistors ayant la mme rfrence, on assure en prenant
IB = IC = 20 mA 10

On est ainsi certain que le transistor sera bien satur, mme si on effectue un remplacement en dpannage. Dans notre cas : URB = VCC - UBE = 12 - 0,7 = 11,3 V

RB =

U RB 11,3 = = 565 choix:680 IB 20 10 3

Dans ce cas, le transistor conduit totalement et US = UCEsat = 0,1 V Cette valeur peut-tre nglige et on admet US = 0 V On appellera niveau logique 1

ct base UBE 0,7 V ct collecteur UCE = VCC

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On appellera niveau logique 0

Le transistor en commutation :
ct base UBE 0,4 V ct collecteur UCE = UCEsat (0,1 0,4 V)

Dans notre cas Le niveau logique d'entre est 1 (UBE = 0,7 V) Le niveau logique de sortie est 0 (UCE = 0,1 V) Le systme fonctionne donc bien en inverseur 2me cas : Interrupteur ferm = transistor bloqu UBE = 0 V aucun courant de base IC = 0 A la lampe est teinte L'espace collecteur - metteur du transistor est un interrupteur ouvert US = VCC = 12 V On a donc : niveau logique d'entre = 0 (UBE = 0 V) niveau logique de sortie = 1 (US = VCC) Le systme fonctionne en inverseur. Remarque : Dans le cas o une tension ngative infrieure -5 V peut apparatre sur la base du transistor, il faudra protger ce dernier par la diode V2. Si la charge de collecteur est inductive il faudra protger le transistor contre les surtensions par la diode V3 (Diode de roue libre).

VCC RB

+12V V3

V1 V2

Remarque :

Lorsqu'il est bloqu, le transistor ne dissipe pas de puissance. Lorsqu'il est satur, le transistor ne s'chauffe pratiquement pas car la tension collecteur (entre 0,1 et 0,4 V) est faible. Le produit U I = P reste faible, par contre pendant les transitions d'un tat un autre, la puissance dissipe est plus importante mais ces commutations sont rapides.

A frquence faible, la puissance dissipe est ngligeable. La puissance dissipe augmente quand la frquence de commutation augmente et elle peut devenir importante. L'chauffement du transistor n'est plus ngligeable et il doit tre mont sur refroidisseur si ncessaire.

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9.3 Le transistor Darlington

Le transistor en commutation :

Le Darlington peut tre considr comme le super amplificateur de courant. Les fabricants de transistors montent deux transistors connects en paire selon schma ci-aprs dans un seul botier de transistor.

B B

E Modle NPN

C Modle PNP

Le premier transistor est un modle faible puissance avec un gain en courant lev. Le deuxime transistor est gnralement un modle de puissance avec un gain en courant plus faible et pouvant conduire un courant important. On peut galement raliser ce montage avec deux transistors spars.
9.3.1 Fonctionnement

VCC RS P IB1

+12V IC V1

IB2 R2

V2

R1

Commande Puissance

M =

Dans ce montage, un potentiomtre fournit un faible courant la base de V1. Aprs double amplification, le courant fourni par l'metteur de V2 alimente un moteur courant continu consommant un courant lev.

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Le transistor en commutation :

Sachant que UBEV1 = 0,7 V et UBEV2 = 0,7 V, la chute de tension entre le point milieu du potentiomtre et le moteur sera de 1,4 V. Ce systme permet donc de rgler la vitesse du moteur en lui imposant une tension rglable. Regardons de plus prs l'tage Darlington : Le courant fourni par le potentiomtre au transistor V1 sera IB1.

A l'metteur de V1, on admet IC1 = IE1 car IB << IC. IE1 = IB1 hFE1 = IB2.

A l'metteur de V2, en admettant la mme simplification : IE2 = IB2 hFE2 mais comme IB2 = IB1 hFE1. IE2 = IB1 hFE1 hFE2.

Le courant d'entre est multipli par le produit des gains en courant de chaque transistor du Darlington. On trouvera ainsi des gains de 2'000 20'000 pour les transistors Darlington disponibles sur le march.

Rle de RS : scurit, vite d'appliquer directement VCC sur la base de V1 si le potentiomtre est au maximum suprieur. Rle de R1 et R2 : au blocage, quilibrage des potentiels, principalement entre V1 et V2.

9.3.2 Exemple

Soit le montage ci-dessous :

VCC

IB1=2 mA

V1

IC2 = ? IB2=0,2A

V2 R1 R2
IR2 = 10 mA

Que valent IC1, hFE1, hFE2 On admet le courant dans R1 ngligeable

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IE1 IE1 Dans ce cas IC1 IC1 = IE1 - IB1 = 210 - 2 = 208 mA = IB2 + IR2 = 200 + 10 = 210 mA

Le transistor en commutation :

On peut calculer le courant IC1 car on connat :

Calculons hFE2. IC2 = I - IC1 = 10 - 0,208 = 9,79 A hFE2 = IC2 / IB2 = Calculons hFE1 hFE1 =
I C1 208 = =104 100 2 I B1
9.79 = 48.96 50 0,2

Gain en courant total de l'tage Darlington hFETOT = hFE1 hFE2 = 100 50 = 5000 Remarque : On peut galement calculer le gain en courant total de l'tage Darlington :
10 IC2 = = 5000 IB1 2 10 3 hFETOT = hFE1 hFE2

hFETOT =

Donc hFE1 = hFETOT / hFE2 = 5000 / 50 = 100 Calculons IC1 IC1 = IE1 - IB1 IE1 = IR2 + IB2 = 0,2 + 10 10-3 = 0,21 A = 210 mA IB1 = 2 mA IC1 = 210 - 2 = 208 mA = 0,208 A Remarque : Lorsque le transistor Darlington conduit en saturation, il y a une chute de tension minimum de 1 1,4 V aux bornes collecteur - metteur de V2 (UBE1 + UBE2).

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9.4 Exercices
9.4.1 Exercice Darlington

Le transistor en commutation :

VCC = 10 V +5V V1

Si UBE = 0,7 V pour V1 et V2 a) Calculer la bornes de RE. tension aux

V2

b) Si 2 = 150, calculer le courant de collecteur approximatif de V1. c) Si 1 = 100 et 2 = 150, calculer le courant de base de V1.

RE 100R

9.4.2 Exercice commande de LED

VCC = 10 V RC1 240R RB1 2k4

Si UBE = 0,7 V pour V1 et V2 Calculer le courant de la LED si a) VBB = 0 V


5V RE2 100R

VBB

b) VBB = 10 V

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Le transistor effet de champ :

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10. LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP


10.1 Dfinition
Par rapport au transistor bipolaire (Deux jonctions de polarits diffrentes), ce nouveau transistor sera dit "unipolaire", car il ne travaille qu'avec un seul type de charge : les trous (canal P) ou les lectrons (Canal N). Par dfinition, nous avions, dans le transistor bipolaire, un courant d'entre qui commandait un courant de sortie. Dans le cas du transistor effet de champ, la situation est toute autre : UNE TENSION D'ENTREE COMMANDE UN COURANT DE SORTIE Ceci est fondamental dans le raisonnement d'analyse du transistor effet de champ. Nous le nommerons FET, contraction de provenance anglaise pour Field Effect Transistor.

10.2 Principe physique pour un canal N


Soit un cylindre de silicium de polarit N sur lequel on ajoute un anneau de silicium de polarit P.

Si N Si P

Si N Si P

Vue en coupe
On raccorde les deux extrmits du cylindre une source de tension, l'anneau extrieur n'est pas aliment.

I D Flux d'lectrons S E

Un courant d'lectrons prend naissance et s'tablit du bas vers le haut du barreau, ce qui correspond un sens inverse du courant lectrique. Le barreau se comporte comme une rsistance (rsistivit du silicium dop) et offre un canal au passage des lectrons. Nous appellerons la borne suprieure DRAIN, la borne infrieure SOURCE et la zone conductrice du silicium CANAL.

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Le transistor effet de champ :

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Appliquons maintenant une tension ngative sur l'anneau de silicium P.

Drain Grille

La borne de raccordement de l'anneau s'appellera GRILLE (en anglais : GATE). La jonction Grille - Canal constitue une diode qui est polarise en inverse par la tension Grille Source. Le courant de grille est nul (tout au plus une fuite de quelques nA).

Source

Par contre la tension de grille ngative repousse les lectrons ce qui a pour effet de rtrcir le canal, donc d'en augmenter la rsistance et finalement diminuer le courant drain source.

D
D

G
G S

D G pincement total S

Si la tension ngative devient plus importante, on va avoir le pincement total du canal et le courant ID devient nul. C'est donc bien l'effet du champ lectrique de la tension de grille qui va rgler le courant de drain, donc la rsistance du canal. Contrairement au transistor bipolaire, il n'y a pas de puissance de commande.

10.3 Structure et symbole du J FET


La vraie structure dun FET est diffrente de celle utilise pour le principe physique.
Contact mtallique de Grille

Contact mtallique de Source

Contact mtallique de Drain


CANAL Si N SUBSTRAT Si P

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Le transistor effet de champ :

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Le substrat et la grille, de mmes polarits, sont relis lectriquement. Ce type de transistor s'appelle J FET (Junction FET) transistor effet de champ jonction car il existe une jonction formant une diode entre la grille et le canal. Le symbole est le suivant :

D G S JFET canal N G

D S JFET canal P

Il existe un J FET canal P c'est--dire que le canal est du silicium dop P, la grille est du silicium dop N. On l'alimente avec une polarit ngative sur le drain et positive sur la grille. Remarque : Dans le cas d'un J FET canal N, une tension positive sur la grille cre un courant grille - source non dsir et dangereux pour le transistor. Cette situation ne doit pas se produire. De mme il ne faut pas appliquer de tension ngative sur la grille d'un J FET canal P.

10.4 Analogie hydraulique

R
Membrane souple Pression extrieure variable
U

D
0
t

G S

Le J FET est l'quivalent d'une membrane souple fermant plus ou moins le passage du liquide dans le circuit principal, permettant ainsi de rgler le dbit. Le liquide de commande est totalement indpendant du circuit principal montrant ainsi la trs grande rsistance qui existe entre la grille et le canal.

L'absence de pression laissera le dbit maximum s'couler librement. Une forte pression va fermer le circuit principal, il n'y aura plus de dbit.

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Le transistor effet de champ :

10

10.5 Caractristique du J FET canal N

Ces caractristiques ressemblent beaucoup celles du transistor. Il faut cependant noter que c'est la tension entre grille et source VGS qui dtermine le courant ID. Il est important de constater que lorsque le J FET conduit plein canal (VGS = 0), le courant maximum est limit une valeur finie, par exemple 10 mA dans notre exemple. Il n'y a pas de situation de court-circuit comme dans le transistor bipolaire. Pour une tension grille de -4 V dans notre exemple, le canal est pinc, le J FET est bloqu. ID = 0.

10.6 Le J FET en amplificateur


Le problme apparent, c'est que l'on doit disposer d'une source de tension positive pour l'alimentation drain - source et d'une source de tension ngative pour l'alimentation grille-source. En ralit, on utilise une seule source :

VCC +12V RD

Ue

RG 1

Rs

Cs

Us

La rsistance d'entre d'un J FET entre grille et source est de plusieurs centaines de M (diode en inverse). La rsistance RG, gnralement prise vers 1 M a pour but de fixer le potentiel de la grille 0 V en l'absence de signal d'entre. Dans ces conditions, pour que la grille apparaisse un potentiel ngatif par rapport la source, il suffit de donner la source un potentiel positif. C'est le rle de RS.

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Le transistor effet de champ :

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Si par exemple RS provoque une chute de tension de 2 V en l'absence de signal d'entre, la source est + 2 V. Mais si la source est prise en rfrence, on voit la grille - 2 V. Ceci vite d'avoir utiliser une deuxime source. A noter que le J FET dphase de 180 le signal amplifi comme l'amplificateur transistor bipolaire mais le gain en tension avec un J FET est plus modeste (de 5 20). Le J FET est intressant lorsque le signal amplifier ne peut fournir un courant suffisant pour commander un transistor bipolaire. Le J FET est employ en instrumentation pour les appareils de mesure ne devant pas influencer le signal mesurer. On le trouve essentiellement dans les circuits intgrs linaires (A.O.)

10.7 Le J FET en commutation


L'utilisation du J FET en interrupteur est une de ses principales applications. Comme le transistor bipolaire, on va l'utiliser en rgime satur ou bloqu.

Lorsque VGS = 0 V, le courant drain - source est son maximum, le transistor J FET est satur, il est quivalent un interrupteur ferm. Lorsque VGS est suffisamment ngatif pour pincer le canal, le transistor J FET est bloqu, il est quivalent un interrupteur ouvert. En gnral, on applique sur la grille une tension un peu plus ngative que la tension VGS donnant ID = 0, ceci pour garantir le blocage du J FET.

10.7.1 Rsistance du J FET en saturation Lorsque le J FET est satur, ce n'est pas un interrupteur ferm parfait car il prsente une faible rsistance au passage du courant ID. Cette rsistance est note rDS(ON), elle peut varier de quelques ohms quelques centaines d'ohms pour les J FET standard. rDS(ON) peut se mesurer avec un ohmmtre de la faon suivante :

Placer la pointe de contrle positive sur la borne Drain du J FET (canal N) Placer la pointe de contrle ngative sur les bornes Grille et Source groupes (par grippe - fil par exemple) Les polarits sont inverses pour un J FET canal P

L'ohmmtre indique la valeur de rDS(ON)

10.7.2 J FET en interrupteur shunt Schma de principe

Entre

Sortie

Entre

Sortie

Tension de commande

RDS(ON)

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Principe :

Le transistor effet de champ :

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Si le J FET est bloqu : le signal variable de l'entre se retrouve en sortie Si le J FET conduit : le signal variable de l'entre n'est plus prsent la sortie condition que RD >> rDS(ON)

10.7.3 J FET en interrupteur srie Schma de principe

Entre

Sortie

Entre

RDS(ON)

Sortie

R Tension de commande
Principe :

Si le J FET est bloqu : le signal variable d'entre n'est pas transmis la sortie. Si le J FET conduit : le signal variable d'entre se retrouve en sortie condition que RD >> rDS(ON)

Remarque : Ces deux montages sont aussi appels "interrupteurs analogiques" (analog switches) et existent en circuits intgrs pour transmettre ou non des signaux variables. 10.7.4 Le J FET en limiteur de courant
Vcc

Lorsque la grille est relie la source (VGS = 0), le J FET laissera passer un courant ne pouvant dpasser le courant maximum drain source IDSS.
R charge

IDSS : Shorted Source - Drain Current

Exemple : Selon le schma ci-dessus, admettons que la charge absorbe un courant de 1 mA. Le transistor J FET a pour caractristique rDS(ON) = 180 et son courant max. IDSS = 10 mA. En condition normales de fonctionnement, il provoque une chute de tension de

UJ FET = IDSS rDS(ON) = 180110-3 = 0,18 V Si maintenant la charge prsente un court-circuit accidentel : Le courant est alors limit 10 mA par le J FET. Ce dernier se comporte en source de courant (I = constante quelle que soit la valeur de R charge). On trouve dans le commerce des J FET avec grille relie la source (et n'ayant donc que deux bornes) sous l'appellation "Diodes rgulatrices de courant".

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Application :

Le transistor effet de champ :

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Le J FET BF 245 B a un courant IDSS compris entre 6 et 13 mA. Il peut donc tre utilis pour contrler le courant dans une LED sans se soucier de VCC (variations sans effet si VCC >3 V). Ceci donne le schma suivant :
Vcc 5V .... 25V BF245B

LED

10.8 La technologie MOS


L'appellation MOS vient de l'anglais "METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR" ce qui se rapporte la disposition de 3 couches superposes avec les matriaux suivants : Mtal (Aluminium : Al) puis oxyde (dioxyde de silicium : Si O2) et enfin semi-conducteur (Silicium dop P ou N). On fabrique partir de cette technologie un transistor MOSFET se prtant trs bien la technique de commutation. Il est trs utilis dans les circuits intgrs numriques, microprocesseurs, mmoires d'ordinateurs.
10.8.1 Le MOSFET Le type de MOSFET que nous allons tudier s'appelle MOSFET enrichissement. Sa structure est la suivante :
Source Grille isole Drain Aluminium Si N Substrat Si P Si N Dioxyde de Si O2 isolant

a) En l'absence de tension de grille, il n'y a pas de canal donc pas de courant drain source. b) Si on applique une tension positive sur la grille : Cette tension attire les charges de signe oppos, c'est--dire les lectrons compris entre la zone Si N de drain et la zone Si N de source.

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L'espace MOS travaille comme un condensateur :

Le transistor effet de champ :

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La grille est l'armature positive. Le dioxyde de silicium est le dilectrique. Le silicium P forme l'armature ngative.

L'accumulation d'lectrons sous la grille va former une zone Si N (inversion de la polarit de dopage). Cette nouvelle zone Si N est le canal conducteur entre drain et source. Si on coupe l'alimentation de grille, le canal disparat et le transistor est bloqu. Inconvnient : Il faudra atteindre une certaine tension de grille avant d'obtenir un canal. Les MOSFET enrichissement ont donc un seuil qui varie de 0,8 V 6 V selon les modles. Attention : La couche d'isolant sous la grille a une paisseur de quelques microns. Cette couche est facilement transperce par des dcharges statiques lors de manipulations. Le MOSFET est dtruit. Il existe de nombreux modles protgs par diodes. Pour les autres, les prcautions suivantes doivent tre prises :

Stocker ces transistors avec l'emballage ou la protection d'origine. Les dballer et les manipuler en dehors des zones charges statiques, sur plaques conductrices relies la terre. Utiliser un fer souder avec protection antistatique, antimagntique et mise la terre. Ne retirer les ventuelles bagues de protection qu'aprs soudage.

10.8.2 Symbole du MOSFET enrichissement

D C C = botier (Case) G S G S

D C

MOSFET canal N
10.8.3 Caractristique du MOSFET Canal N
UGS = +15 V

MOSFET canal P

UGS = +10 V UGS = +7 V UGS = +4 V

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Le transistor effet de champ :

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Cet exemple montre un seuil de 4 V et une possibilit de commander un courant de 16 A avec une tension d'entre de 15 V. En effet, les MOSFET en tant que transistor sont surtout disponibles dans la gamme des transistors de puissance. On les trouve en catalogue sous l'appellation POWER MOSFET pour des courants allant jusqu' plus de 100 A.
10.8.4 Structure des POWER MOSFET Technologie TMOS et HEXFET

Remarque : une jonction diode existe entre source + Substrat et Drain. On l'appelle diode intrinsque. Elle est utile car elle joue le rle de diode de protection si la tension drain source devient trop grande (conduction par effet d'avalanche).

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Le transistor effet de champ :

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10.8.5 Avantages et inconvnients des POWER MOSFET 10.8.5.1 Avantages : Rsistance d'entre considre infinie (condensateur grille - source)

Lgret de la commande (prix et puissance) Tension rsiduelle drain - source en saturation ngligeable car RDSON trs faible (jusqu' 14 m). RDSON ID reste faible en basse tension (jusqu' environ 60 V) Faibles pertes de commutation (commutation trs rapide) Coefficient de temprature positif : on peut monter en parallle plusieurs POWER MOSFET pour augmenter le courant command. Trs dlicat avec des transistors de puissance bipolaires en raison de leur coefficient de temprature ngatif.

10.8.5.2 Inconvnients : Sensibilit aux charges statiques sur la grille (pour UGS >20 V)

En mode linaire, prcautions prendre pour vacuer la puissance dissipe Pertes de conduction leves pour les modles haute tension (RDSON crot environ au carr de la tension de blocage)

10.8.6 Commande d'un relais par POWER MOSFET (HEX FET)


Vs +12 V ou +24V

IRLZ 14 Circuit logique donnant 0V ou +5V

Ce transistor sert d'adaptateur de commande entre le circuit logique et le relais sous +12 V ou +24 V. Une diode intrinsque existe naturellement entre source et drain (substrat reli la source de polarit P et Drain de polarit N). Cette diode se comporte comme une diode Zener et protge le transistor contre d'ventuelles surtensions entre drain et source.

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+12V

Le transistor effet de champ :

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10.8.7 Schma de principe d'un convertisseur 12 VDC / 230 VAC

V1
Circuit logique de commande

Us 230V

V2

Le circuit logique de commande provoque la conduction alterne de V1 et V2 une frquence de 50 Hz. On obtient 230 VAC / 50 Hz au secondaire. L'augmentation de puissance est possible en branchant deux autres transistors en parallle sur V1 et sur V2.

10.9 Transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)


Ce transistor peut tre considr comme un combinaison d'un transistor MOSFET et d'un transistor bipolaire.
10.9.1 Schma quivalent simplifi
C

Protection en surintensit

10.9.2 Symbole
Collector (Collecteur) Gate (Grille) Emitter (Emetteur)
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Le transistor effet de champ :

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10.9.3 Proprits similaires au transistor MOSFET Grille contrle en tension


Capacit d'entre Danger de destruction par dcharges lectrostatiques

10.9.4 Proprits similaires au transistor bipolaire Tension collecteur - metteur de saturation peu dpendante du courant de collecteur. Pas de RDS(ON) augmentant avec la temprature.

Pas de diode interne. (Certains fabriquants ajoutent cette diode dans le mme botier)

10.9.5 Qualits de l'IGBT Impdance d'entre leve. Circuit de commande simple et bon march.

Possibilit d'tre enclench et dclench contrairement au thyristor. Trs grands courants IC. ( 500 A) VCESAT 3 V Grande tension collecteur - metteur ( 1700V) Commutation trs rapide ( 40ns) Protg contre les surintensits

10.9.6 Avantages de l'IGBT sur le transistor MOSFET VCE plus lev en mode bloqu

IC plus lev en mode satur Prix plus bas Pertes par effet Joule plus petites

10.9.7 Avantages de l'IGBT sur le transistor bipolaire Plus rapide


Plus simple commander VCE plus lev en mode bloqu

10.9.8 Applications de l'IGBT Le transistor IGBT a t conu pour travailler en mode tout ou rien (satur ou bloqu) et les fabriquants dconseillent son utilisation en amplificateur linaire.

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10.10 Exercices
10.10.1 Exercice Soit le schma ci-dessous :

Le transistor effet de champ :

10

+15V RD

RG

RS

La tension UGS = -2 V

RS = 220

On dsire polariser ce transistor JFET de faon obtenir UDS au repos : 8 V. L'impdance d'entre doit tre de 1 M. Calculer les valeurs de RG et RD.

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10.10.2 Exercice
Vi Vo

Le transistor effet de champ :

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VCommande

1k8

La rsistance RDSON du JFET V1 est de 200 . Sachant que Vi = 50 mV, calculer VO lorsque Vcommande est nulle. Que vaut VO si Vcommande est plus ngative que VGS blocage ?

10.10.3 Exercice

2K7 Vi Vo

La rsistance RDSON du JFET V1 est de 150 . Sachant que Vi = 50 mV, calculer VO lorsque Vcommande est nulle. Que vaut VO si Vcommande est plus ngative que VGS blocage ?

V commande

10.10.4 Exercice Un MOSFET a un courant de fuite de grille de 20 pA pour une tension grille source de 10 V.

Dterminer sa rsistance grille - source.

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Les dispositifs multicouches :

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11. LES DISPOSITIFS MULTICOUCHES


11.1 Principe
Les deux jonctions extrieures ne posent pas de problme pour laisser passer le courant puisqu'elles sont quivalentes des diodes en direct. Par contre, la jonction centrale correspond une diode en inverse. Pour que l'ensemble devienne conducteur il faut que la tension aux bornes atteigne la tension de claquage de la diode en inverse.

P UD

} }

N } P
N

ID

On obtient alors la caractristique suivante :

ID

IH 0

B A UH UF

De 0 A : la jonction centrale est bloque. Le courant ID est faible et correspond au courant de fuite de la diode bloque. Au point A : la diode centrale part en avalanche et devient conductrice. On appelle ce point la tension de retournement. De A B : le courant augmente et la tension diminue, on se trouve dans une zone rsistance dynamique ngative. A partir du point B : on a l'effet des deux diodes en direct. Le courant augmente quand UD augmente. Lorsque la tension diminue, on suit la mme courbe jusqu'au point B. Au point B : on atteint un point caractristique, appel point de maintien (indice H pour Hold) si le courant descend en dessous de IH, ou en dessous de UH on repasse immdiatement au point 0 et le systme est de nouveau bloqu.

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Les dispositifs multicouches :

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11.2 Le thyristor (ou SCR pour Silicon Controlled Rectifier)


Il comporte 4 zones alternativement P et N comme l'exemple prcdent, mais sur la zone P centrale est monte une lectrode de commande ou gchette.
Anode P Gchette G Cathode

N P N K

En l'absence de courant de gchette, le comportement est identique l'exemple prcdent. Une impulsion de courant sur la gchette fait conduire le thyristor avant qu'il ait atteint la tension de retournement. Le courant est limit par la charge extrieure. Lorsqu'il est conducteur, le thyristor provoque une chute de tension d'environ 1 V entre anode et cathode. Une fois amorc, le thyristor reste conducteur. Il agit comme une mmoire, la gchette n'a plus aucune influence. Pour dsamorcer le thyristor, il est ncessaire :

soit de descendre le courant en dessous de IH soit de rendre la tension ses bornes < UH

11.2.1 Symbole du thyristor


A G K

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11.2.2 Modle relais du thyristor

Les dispositifs multicouches :

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R G A
Bobine 2

En appuyant sur le poussoir de gchette, l'enroulement grande rsistance du relais provoque la fermeture du contact. Lorsqu'on relche le poussoir, le contact du relais est maintenu ferm par l'enroulement faible rsistance. Le courant peut alors circuler dans R. Le circuit ne peut s'interrompre que si le courant passe en dessous du courant de maintien de la bobine faible rsistance (coupure d'alimentation ou court-circuit de la bobine). Ce modle a un fonctionnement comparable celui du thyristor.

Bobine 1k

11.2.3 Exemple d'application du Thyristor Dispositif de protection contre les surtensions sur un circuit de bord 24 V

Si ses bornes, il se produit une pointe tension ou une surtension dpassant 31 32 V, la diode Zener ZD conduit, le transistor T conduit son tour et enclenche au travers de R1 le thyristor Th. En quelques millisecondes, le rgulateur et l'alternateur sont court-circuits par les bornes D+ et D-. Un courant de forte intensit circule dans Th sans toutefois le dtruire. La lampe tmoin s'allume et avertit le conducteur. La lampe s'teindra nouveau seulement lorsque l'on aura coup le contact et arrt le moteur. Les rsistances R1, R2 et le condensateur C assurent le retard en rponse ncessaire. La diode DS fait qu'en cas d'inversion des bornes D+ et D-, la lampe tmoin reste allume et l'alternateur ne charge pas, avertissant ainsi d'un dfaut dans l'installation.

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11.3 Le thyristor en alternatif

Les dispositifs multicouches :

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11.3.1 Commande de la variation de lumire d'une lampe


B RS 1k5 V2 V1 R 47k C 220n

230 V 50 HZ

circuit de circuit de commande i En agissant sur R, on rgle l'angle de passage du courant de 0 180 environ.

Les diodes V1 et V2 protgent le thyristor. RS protge la gchette au cas o R = 0 . Supposons que l'angle de passage ou angle de phase soit de 45 c'est--dire que le thyristor commence conduire lorsque l'alternance positive a atteint 45 et observons les signaux sur l'oscilloscope :
U [V]

Entre
t

45
U [V]

A
t

U [V]

B
t

Le rseau de commande constitu par R et C agit comme un filtre et cre un dphasage du signal en fonction de la valeur de R. Ds que la tension sur la gchette est suffisante, celle-ci conduit et entrane la conduction du thyristor.

Signal A : tant que le thyristor ne conduit pas, c'est un interrupteur ouvert, toute la tension apparat ses bornes (jusqu' 45 dans l'exemple). Ds que le thyristor conduit, la tension ses bornes tombe environ 1 V. Ds que l'alternance passe par 0, le thyristor se bloque.

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Les dispositifs multicouches :

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Pour les tensions ngatives, le thyristor se comporte comme une diode, il ne conduit pas jusqu' sa tension de claquage en inverse. L'alternance ngative est bloque puis le cycle recommence la prochaine alternance positive.

Signal B : jusqu' 45, il n'y a aucun courant qui traverse la lampe, il n'y a pas de tension ses bornes. A partir de 45 jusqu' la fin de l'alternance positive, le courant traverse la lampe, presque toute la tension apparat ses bornes puis le thyristor se bloquant , il n'y a plus de courant dans la lampe.

Remarque : la somme des signaux A + B restitue le signal d'entre.

Ce montage ne permet de travailler que sur l'alternance positive. La lampe n'atteint donc jamais sa luminosit maximum.
11.3.2 Amlioration du systme
ULa RS R 230 V 50 Hz UTh Ue C

Forme des signaux, on considre un angle de passage de 90.


Ue [V]

Uth [V]

Ula [V]

Avantage de ce montage par rapport au prcdent :


Chaque alternance est utilise. La lampe peut varier jusqu' sa luminosit maximale. Le passage zro aprs chaque alternance permet toujours de rebloquer le thyristor.

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11.4 Application
Un dispositif d'allumage simple
V1 V2

Les dispositifs multicouches :

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C V3
Vers bougies

L1

L2

Un aimant fix sur un arbre tournant induit, chaque tour, une tension dans L1. Cette tension, lorsqu'elle est positive charge C travers V1 La tension ngative est tout simplement court-circuite par V2. Ensuite, le mme aimant induit une tension dans L2. Cette tension agit sur la gchette du thyristor qui devient rapidement conducteur et provoque brutalement la dcharge de C travers le primaire de la bobine d'allumage. Une tension leve apparat au secondaire, provoquant l'tincelle d'allumage. Les applications des thyristors sont de plus en plus nombreuses. Un grand usage en est fait en lectrotechnique car on trouve actuellement des thyristors pouvant conduire des courants de plus de 2000 A.

11.5 Le Diac
11.5.1 Dfinition Le diac est un lment bidirectionnel prsentant pour chaque sens de passage du courant un seuil de conduction vers 20 35 V et une zone rsistance ngative. Il se prsente comme une diode mais n'est pas polaris. 11.5.2 Symbole

11.5.3 Caractristique
I+

V+ Seuil 20 35V 8 10V Zone Rdyn ngative

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Les dispositifs multicouches :

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11.5.4 Utilisation Le diac est utilis comme oscillateur et comme gnrateur d'impulsions (surtout pour les triacs). 11.5.4.1 Oscillateur
VCC +50V R 27R US 30V 20V C US t V 8

C se charge travers R. Ds que la tension atteint 30 V, le diac conduit, ramenant la tension 20 V, C est dcharg partiellement. Le diac se bloque et C reprend sa charge jusqu' 30 V. La priode dpend de R et de C.
11.5.4.2 Gnrateur d'impulsions Cette application sera utilise pour la commande des triacs.
Ue 230V 50Hz

t R1 2k2 UC

Ue 230V 50Hz

C UC R2 US US

11.6 Le SBS (Silicon Bilateral Switch)


11.6.1 Dfinition Le SBS est un lment bidirectionnel prsentant pour chaque sens de passage du courant un seuil de conduction vers 8 V et une zone rsistance ngative. Ses caractristiques sont trs proches du diac. 11.6.2 Symbole
A1 A2

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11.6.3 Caractristique
I+

Les dispositifs multicouches :

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V- 8 V

1V 1V 8V

V+

I-

11.6.4 Schma quivalent Ce composant est un circuit intgr contenant les composants ci-dessous. La borne "Gate" permet de modifier le point de dclenchement du SBS.

Anode 1

6V8

15k

Gate

6V8 15k

Anode 2

11.6.5 Utilisation Le SBS est utilis comme oscillateur et comme gnrateur d'impulsions (surtout pour les triacs).

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11.7 Le Sidac

Les dispositifs multicouches :

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11.7.1 Dfinition Le Sidac est un lment bidirectionnel haute tension prsentant pour chaque sens de passage du courant un seuil de conduction entre 104 V et 280 V et une zone rsistance ngative. Ses caractristiques sont trs proches du diac. 11.7.2 Symbole
MT1 MT2

11.7.3 Caractristique
I+

V-

V(BO)

1.1 V 1.1 V

V+ V(BO)

I-

11.7.4 Exemple d'utilisation Le Sidac peut tre utilis pour crer un angle de conduction fixe, dpendant du type du Sidac.

Signaux obtenus sur la position "Low"


230 V 50 Hz

UL P

USida

USidac

High

Low
UL

N
t

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11.8 Le triac

Les dispositifs multicouches :

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11.8.1 Dfinition Le triac est un commutateur statique bidirectionnel. Il correspond deux thyristors monts en antiparallle.

La gchette ragit aux impulsions positives et ngatives. Le triac peut conduire aussi bien dans le domaine positif que dans le domaine ngatif. Il est principalement destin contrler la puissance fournie diffrents types de charges travaillant en alternatif.
11.8.2 Symbole
A2, B2, MT2 ou T2

quivalent

A1, B1, MT1 ou T1

On trouve sur le march des triacs pouvant conduire des courants jusqu' environ 60 A. Au-del, on utilise les thyristors en montage antiparallle.
11.8.3 Caractristique et commande 11.8.3.1 Caractristique :
I+

point de retournement
VV+

Commande par gchette avant retournement


I-

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11.8.3.2 Les diffrents modes de commande :
MT2(+)
Mode II

Les dispositifs multicouches :

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Mode I

MT2(+) G(-) MT1(-) G(-) MT2(-) G(-) MT1(+)


Mode III

MT2(+)

G(+)

MT1(-) G(+) MT2(-)

G(+)

MT1(+)
Mode IV

MT2(-)

Ce sont les modes I et III qui sont les plus utiliss (cas de notre systme). En systmes industriels asservis, on utilise galement les modes II et III. Les autres modes sont dconseills.
11.8.4 Exemple d'application Contrle d'intensit lumineuse - variateur ou gradateur de lumire.
ULa RS R 230V 50 Hz UTr

circuit de puissance

circuit de commande

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230 V 50 Hz

Les dispositifs multicouches :

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11.8.4.1 Signaux obtenus pour un angle de passage de 45

UTr

ULa

Le triac, comme le thyristor, cre une chute de tension d'environ 1 V lorsqu'il est conducteur. Le fait de pouvoir conduire de faon bidirectionnelle permet de nombreuses applications domestiques telles que contrle de vitesse de petits moteurs universels, interrupteur statique sans rebonds, rgulateur etc.

11.9 Inconvnients des montages thyristors et triacs


Les montages thyristors et triacs ont un point commun, c'est leur grande vitesse de commutation. Ces commutations rapides produisent des parasites et l'on retrouve ces interfrences sur les lignes du rseau. Pour viter de perturber l'environnement lectrique, il est ncessaire de dparasiter les montages utilisant des thyristors ou des triacs. On obtient de bons rsultats avec des inductances et des condensateurs.

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11.10 Exercices
11.10.1 Exercice
VCC +30V

Les dispositifs multicouches :

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RA 2k RG E 50k

Le courant d'amorage de ce thyristor est de 0,1 mA. On admet dans ce cas la tension de gchette 0,8 V. Quelle est la tension E ncessaire pour faire conduire le thyristor ?
11.10.2 Exercice Dans ce montage, le diac entre en conduction quand la tension aux bornes de C1 atteint 32 V. C1 atteint ces 32 V en une constante de temps . Calculer le temps mis pour mettre le triac en conduction aprs fermeture de l'interrupteur S.

Quel est le courant traversant le triac lorsqu'il est conducteur ?


S R1 50k 50V C1 1uF 1k Rla = 10

R2

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Amplificateur oprationnel et comparateur:

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12. L'AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL


12.1 Introduction
Lorsque l'on veut amplifier un signal, nous savons utiliser les transistors pour cela. Il existe un autre moyen trs performant et de mise en oeuvre simple pour amplifier un signal : l'amplificateur oprationnel. Il s'agit d'un circuit intgr ayant des caractristiques d'amplificateur gain lev du continu jusqu'au domaine des MHz. Le gain en tension et la bande passante de ce circuit sont ajusts en fonction des besoins par des rsistances externes. Il existe sur le march plusieurs milliers de modles d'amplificateurs oprationnels.

12.2 Brochage des circuits intgrs


L'amplificateur oprationnel constitue notre premire rencontre avec les circuits intgrs. Il est donc utile de prciser comment identifier le brochage de ces circuits. (nous abrgerons dornavent circuit intgr par "IC"). 12.2.1 Les botiers DIL (Dual in Line)
Repres

1 2 3 4 5 6 7

14 13

Vue de dessus
12 11 10 9 8

A partir du repre plac en haut, on lit les bornes partir de la premire toujours prise en haut gauche puis en suivant jusqu' la dernire en haut droite. Il peut y avoir 4, 6, 8, 10, 12, 14, 16, 18, 20 pattes selon les circuits.

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12.2.2 Les botiers TO-99
Ergot 8 1 2 3 4 5 7

Amplificateur oprationnel et comparateur:

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Vue de dessus
6

En partant de l'ergot et sans compter la borne sous l'ergot (ce sera la dernire), on compte les bornes en tournant dans le sens inverse des aiguilles de la montre.

12.3 Caractristiques principales d'un amplificateur oprationnel


12.3.1 Les symboles 12.3.1.1 Ancien symbole (encore trs utilis) 1
1 3 2

2 3

Entre inverseuse : le signal de sortie amplifi sera en opposition de phase par rapport au signal d'entre 1 Entre non inverseuse : le signal de sortie amplifi sera en phase par rapport au signal d'entre 2 Signal de sortie amplifi

Remarque : dans la reprsentation de l'amplificateur oprationnel dans les schmas, il est recommand de placer l'entre inverseuse en haut et la non inverseuse en bas (comme sur le dessin ci-dessus). 12.3.1.2 Symbole CEI (actuellement en vigueur)

Comme prcdemment, on retrouve 1 Entre inverseuse 1 2 Entre non inverseuse 3 Sortie amplifie 3
2

Avec la mme remarque que pour l'ancien symbole en ce qui concerne la position des entres 1 et 2.

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Amplificateur oprationnel et comparateur:

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12.3.2 Principe de fonctionnement Ce dispositif a 2 entres. C'est la diffrence de tension entre les 2 entres qui est amplifi (elles sont de ce fait appeles entres diffrentielles). L'amplificateur oprationnel est prvu pour tre aliment par deux tensions de mme valeur mais de signes opposs, par exemple +12V et -12V. Ceci permet au signal amplifi d'tre positif ou ngatif par rapport la masse, dans l'exemple ci-dessus, le signal de sortie pourrait varier entre environ + et -12V. Il existe des versions alimentation simple positive (par exemple +12 V en masse).

Le signal de sortie ne peut pas dpasser le niveau des tensions d'alimentation, s'il devait par exemple atteindre +16V, il serait limit environ 12V en sortie. On dit qu'il y a saturation ou crtage du signal de sortie. Si une entre est mise la masse, c'est la tension prsente sur l'autre entre par rapport la masse qui est amplifie.

12.3.3 Caractristiques principales 12.3.3.1 Tension d'alimentation +Vcc est la tension d'alimentation positive par rapport la masse. -Vcc ou -VEE est la tension d'alimentation ngative par rapport la masse. Dans la plupart des cas, la tension d'alimentation ne pas dpasser est de 18V. 12.3.3.2 Impdance d'entre L'impdance d'entre des amplificateurs oprationnels est toujours trs leve (dans les M) Nous prendrons pour nos exemples l'IC de type LM358 son impdance d'entre vaut 125 M. (1012 pour le LF411)Cette grande impdance est un avantage car l'amplificateur oprationnel prlve ainsi peu d'nergie sur la source du signal amplifier. 12.3.3.3 Gain en tension Ce gain est toujours trs lev, par exemple pour le LM358, il est de 1 000 000. (200 000 pour le LF411) Ce gain s'appelle gain en boucle ouverte, il est la plupart du temps trop important et devra tre adapt aux besoins de l'application ; il s'appellera alors gain en boucle ferme, c'est ce que nous allons tudier par la suite. 12.3.3.4 Impdance de sortie L'impdance de sortie d'un amplificateur oprationnel est toujours faible. Par exemple, pour le LM358, elle est de 100 . (10 pour le LF 411) Ceci permet d'alimenter des charges de faible impdance. Remarque : la plupart des IC sont protgs contre les courts-circuits en sortie et contre un chauffement excessif. 12.3.3.5 Tension de dcalage l'entre ou tension d'offset Il peut arriver, lorsque les deux entres sont au mme potentiel (tension de mode commun) que la tension de sortie ne soit pas nulle. Dans ce cas il faut appliquer l'entre une petite diffrence de tension entre les 2 entres pour avoir une tension de sortie nulle au repos. On l'appelle tension de dcalage l'entre ou tension d'offset. ( 2mV pour le LM358 et 0.3mV pour le LF411A)

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Amplificateur oprationnel et comparateur:

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12.4 La contre-raction
On dit qu'il y a raction dans un systme amplificateur lorsque l'on prlve une partie de la tension de sortie pour la ramener l'entre. Ce signal de raction modifie les performances de l'amplificateur. Il y a deux cas principaux :

La fraction du signal prlev en sortie est en phase avec le signal d'entre. Les signaux s'ajoutent, il y a emballement de l'amplification. L'amplificateur a toutes les chances de devenir un oscillateur. Ceci explique que l'on trouve les principales applications de la raction positive dans la conception des oscillateurs et des triggers de Schmitt. Autre exemple : effet Larsen ou couplage de raction positive entre haut-parleur et micro d'un systme amplificateur.

La fraction du signal prlev en sortie est en opposition de phase avec le signal d'entre. Les signaux se soustraient, il y a diminution et stabilisation du gain ainsi qu'un largissement de la bande passante. La distorsion est galement rduite, c'est le cas qui nous intresse. On appellera cette raction par soustraction raction ngative ou contreraction.

signal d'entre

signal d'entre signal d'entre dcroissant

signal d'entre signal d'entre croissant

CONTRE REACTION
division par 60 pas de raction

REACTION POSITIVE
division par 150

x60

x60

60

x60

150

signal de sortie (entre x 60)

signal de sortie (entre x 30)

signal de sortie (entre x 100)

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A0 1 + r A0

Amplificateur oprationnel et comparateur:

12

La formule suivante s'applique la contre-raction : A AO r = gain avec contre-raction (ou gain en boucle ferme) = gain sans la contre-raction (ou gain en boucle ouverte) = coefficient de report de la contre-raction

A=

En appliquant cette formule la figure prcdente : cas de la contre-raction AO = 60 et r =


1 60

A=

60 = 30 1 1 + 60 60

La contre-raction permet d'ajuster le gain des amplificateurs oprationnels la valeur voulue entre la valeur max. en boucle ouverte et le gain unit. La contre-raction tablit une boucle entre la sortie et l'entre de l'amplificateur oprationnel. On parlera alors du gain en boucle ferme du montage.

12.5 L'amplificateur non-inverseur


12.5.1 Principe Le signal amplifier est appliqu sur l'entre non inverseuse de l'amplificateur oprationnel.

Une fraction du signal de sortie est ramene sur l'entre inverseuse par un diviseur de tension deux rsistances. Ce signal est donc en opposition de phase avec le signal d'entre. Il y a contre-raction.
12.5.2 Schma
R1 R2

Entre signal

RL

12.5.3 Caractristiques

L'expression du gain est A =

R1 + R 2 R1 = +1 R2 R2 alors A =

R1 100 +1 = + 1 = 101 R2 1 Le signal de sortie est en phase avec le signal d'entre. Ce montage augmente l'impdance d'entre, diminue l'impdance de sortie et stabilise le gain une valeur ne dpendant que de R1 et R2 et non de l'IC.

Si par exemple R1 = 100 k et R2 = 1k

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Amplificateur oprationnel et comparateur:

12

12.6 L'amplificateur inverseur


12.6.1 Principe Le signal amplifier est appliqu sur l'entre inverseuse de l'amplificateur oprationnel.

Le signal de sortie est en opposition de phase avec le signal d'entre. On ramne une fraction du signal de sortie sur l'entre inverseuse. La contre-raction est tablie.
12.6.2 Schma
R1 Entre signal
R2

RL

12.6.3 Caractristiques

L'expression du gain est

A=-

R1 R2

Le signe - indique l'inversion du signal entre entre et sortie. Dans ce montage, le point M est particulier. Sur ce point, on trouve la tension qui sera multiplie par le gain en boucle ouverte de l'amplificateur. Cette tension est de quelques microvolts par rapport l'entre non inverseuse qui est la masse. On va donc considrer la tension au point M comme nulle. Le courant absorb par l'amplificateur oprationnel sur son entre inverseuse est galement admis comme nul. Le point M s'appelle masse virtuelle (point dont la tension est nulle et n'absorbant aucun courant).
Remarque : Il est dconseill de faire des mesures au point M (avec oscilloscope ou multimtre). Les niveaux sont trop faibles et la mesure risque de perturber le fonctionnement du montage.

A cause de la masse virtuelle en M, l'impdance d'entre de ce montage est faible, elle est gale R2.

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12.7.1 Principe

Amplificateur oprationnel et comparateur:

12

12.7 L'amplificateur suiveur


C'est une variante de l'amplificateur non-inverseur dans lequel R1= 0 et R2= Dans ce cas, la formule du gain donne : A=0+1=1 Le signal de sortie est l'image du signal d'entre.
12.7.2 Schma

Entre signal

RL

12.7.3 Caractristiques Circuit contre-raction totale


A=1 Impdance d'entre trs grande Impdance de sortie trs faible

Ce montage est utilis comme adaptateur d'impdance entre une source grande impdance et une charge faible impdance.

12.8 L'additionneur ou sommateur


12.8.1 Principe Si plusieurs signaux se trouvent simultanment sur l'entre inverseuse, on en retrouve la somme la sortie mais inverse. 12.8.2 Schma
R2 U1 R3 U2 Us R1

RL

12.8.3 Caractristiques Expression du signal de sortie


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U s = U1 R1 R U2 1 R2 R3

Amplificateur oprationnel et comparateur:

12

Dans le cas o R1 = R2 = R3

U s = U1 U 2

ou

U s = U1 + U 2

12.9 Les filtres actifs


12.9.1 Le filtre passe-bas
R1 R2 R Us

Ue

frquence de coupure :

fc =

1 2 R C R1 +1 R2
R1

Gain dans la zone non attnue :


12.9.2 Le filtre passe-haut

A=

(amplificateur non-inverseur)

R2 Ue C Us

frquence de coupure :

fc =

1 2 R C R1 +1 R2

Gain dans la zone non attnue :

A=

(amplificateur non-inverseur)

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12.9.3 Le filtre passe-bande

Amplificateur oprationnel et comparateur:


R1 R2 Ue CA RB Us

12

RA

CB

frquence de coupure infrieure

f c1 =

1 2 R A CA 1 2 R B CB R1 +1 R2

frquence de coupure suprieure

f c2 =

Gain en bande passante

A=

(amplificateur non-inverseur)

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12.10 Le comparateur

Amplificateur oprationnel et comparateur:

12

12.10.1 Principe Le comparateur est un dispositif qui permet de comparer deux tensions en entre en donnant une rponse sur la sortie.

En pratique, on veut simplement savoir si une tension est plus grande ou plus petite qu'une autre. la rponse souhaite est "oui" ou "non". L'amplificateur oprationnel fonctionnera avec son gain maximum (en boucle ouverte).

Si la tension non inverseuse est plus grande que la tension inverseuse, la tension de sortie est sature au niveau haut. Ceci reprsente la rponse "OUI". Si la tension non inverseuse est plus petite que la tension inverseuse, la tension de sortie est sature au niveau bas. Ceci reprsente la rponse "NON".

12.10.2 Schma
R1
-V EE R1

+VCC

R2

U s
Ue R2

Us

Ue

a)

b)

12.10.3 Caractristiques a) Le point de basculement se situe entre +VCC et la masse, il est rgl par R1 et R2. b) Le point de basculement se situe entre -VEE et la masse, il est rgl par R1 et R2. 12.10.4 Comparateur une alimentation Dans ce cas, la borne -VEE de l'IC est mise la masse, on alimente seulement avec VCC par exemple 12 V.

+VCC

R1

La tension de seuil est dfinie par R1 et R2.

Us

R2 Ue

U Seuil = VCC

R2 R1 + R 2

Le niveau bas sera d'environ 1 V et le niveau haut d'environ 11 V.

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Amplificateur oprationnel et comparateur:

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12.10.4.1 Indicateur de niveau de carburant (principe)

+12V R5 U4 K4 RV LD4

Conditions pour que l'affichage s'teigne jusqu' et y compris : LD1 : Ux < U1 LD2 : U1 < Ux < U2

R4 U3 K3 RV

LD3 : U2 < Ux < U3


LD3

LD4 : U3 < Ux < U4

R3 U2 K2 RV

LD2

R2 de la jauge essence Ux Ux lev => Rservoir plein Ux faible => Rservoir vide 0 R1 LD1 U1 K1 RV

Il s'agit d'un affichage par LED en ligne (LED-Lines). Si le rservoir est plein, toutes les LED sont allumes. Au fur et mesure qu'il se vide, les LED 'teignent une une en commenant par la LED 4. Le signal de commande est la tension Ux provenant de la jauge essence. Ce principe peut aussi tre utilis pour d'autres instruments tels que : thermomtre moteur (huile ou eau), compte-tours, etc..

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Amplificateur oprationnel et comparateur:

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12.11 Le trigger de Schmitt


Si l'entre d'un comparateur contient du bruit, la sortie peut se mettre osciller lorsque la tension d'entre est proche d'un point de basculement. Le trigger de Schmitt est un montage amplificateur oprationnel ayant une raction faite par un diviseur R1 et R2.

+ R1

+VSAT

US

UE

US

UE

R2

-VSAT

Cette raction provoque un point de basculement haut et un point de basculement bas ayant des valeurs dpendantes de R1 et R2. (Voir exercices sur le trigger de Schmitt) On appelle hystrsis la diffrence entre ces deux points. On rencontre galement des trigger non-inverseur de Schmitt.

R1

US

+VSAT

R2 + UE US UE

-VSAT

Pour ces deux types de trigger, il est possible de dplacer le seuil une valeur diffrente de 0V. Les exercices la fin de ce chapitre nous montrent quelques cas pratiques.

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12.12 L'intgrateur

Amplificateur oprationnel et comparateur:

12

12.12.1 Principe L'intgrateur est un montage utilisant la charge d'un condensateur. Le courant de charge dpend de la rsistance place sur l'entre inverseuse. Si la tension d'entre est constante, le courant dans R (entre entre et masse virtuelle) est constant. Le condensateur se charge courant constant. On obtient une rampe de tension. 12.12.2 Schma
RA 10R

C Ue R

Us

RA a pour rle de diminuer l'effet du dcalage de tension d'entre.

12.12.3 Caractristiques

Prenons par exemple un circuit avec R = 1 k et C = 1 F a) Ue = 2V

Courant dans R
IR = Ue 2 = = 2mA R 1 10 +3

C'est aussi le courant de charge du condensateur. Si l'on admet au dpart Us = 0V

aprs 1 ms Q=It=CU donc aprs 2 ms


- 2 10 3 2 10 3 = 4V 1 10 6
Us =

(Si la charge se fait courant constant)

- I t - 2 10 3 1 10 3 = = 2V (Inversion) C 1 10 6

Us =

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b) si Ue = -1V aprs 4 ms

Amplificateur oprationnel et comparateur:

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e = 1 = 1 10 3 A = 1mA R 1 10+ 3 C se dcharge avec un courant constant de 1 mA IR = aprs 1ms


1 10 3 1 10 3 US = = +1V 1 10 6

(Us remonte d1 V)

12.12.3.1 Diagramme des temps


U [V] +2 6 0 -1 U [V] +4 +2 0 -2 -4 -6 -8 -2V/ms t [ms] pour Ue = 0 2 4 8 10 12 14 16 t [ms]

+1V/ms

12.13 Protection des entres


Si dans un montage, il y a risque d'application de tensions trop leves sur les entres, il est possible de protger ces dernires selon le schma suivant ; valable pour la plupart des applications. La tension diffrentielle sur les entres ne peut pas dpasser 0,7 V (diodes au silicium). Etant donn que l'on se trouve directement sur les entres les signaux sont soumis au gain en boucle ouverte (100000). La limite d'amplitude impose par les diodes est donc largement suffisante. Nous avons fait un tour d'horizon d'applications typiques. Il reste prciser que les applications des amplificateurs oprationnels sont innombrables et permettent d'apporter des solutions lgantes nombre de problmes.

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12.14 Exercices
12.14.1 Exercice

Amplificateur oprationnel et comparateur:

12

27K 1K Ue

Us

a) Calculer le gain de ce montage b) Que vaut US si UE = + 0,18 V ?

12.14.2 Exercice
100K 18K Us Ue

a) Calculer le gain de ce montage b) Que vaut Us si Ue = - 0,18 V ?

12.14.3 Exercice
Ue +6

-12V

4K7

2K2
t

Ue
-6 Us +12

t -12

Ce montage est aliment par + 12 V et - 12 V Dduire de la tension d'entre Ue la forme de la tension de sortie Us

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12.14.4 Exercice

Amplificateur oprationnel et comparateur:

12

Pour le circuit ci-dessous, il a t utilis un amplificateur oprationnel idal. Calculer: a) I3 b) UO


R1 10k R2 E1 1V E2 2V 20k UO R3 20k I3

12.14.5 Exercice

Pour le circuit ci-dessous, il a t utilis un amplificateur oprationnel idal. Calculer: a) La tension au point P b) UO
U1 1V U2 2V R1 10k

R2 10k

P
UO

R3 10k

R4 30k R5 20k

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12.14.6 Exercice

Amplificateur oprationnel et comparateur:

12

Pour le circuit ci-dessous, il a t utilis un amplificateur oprationnel idal. Calculer US


R1 10k R2 33k

R3 2k2

R4 3k3

U1 0,75 V

U2 -1,5 V

US

12.14.7 Exercice Pour le circuit ci-dessous, il a t utilis un amplificateur oprationnel idal, aliment en +12 V et -12 V. Calculer et reprsenter la caractristique Us = f (UE) si UF = 0,7 V
+12V

2R

+12V

D1
UE US

D2
-12V +12V

3R

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Amplificateur oprationnel et comparateur:


R1 U1 R2 U2 Us R3

12

12.14.8 Exercice Complter la reprsentation temporelle pour le montage ci-contre.

R1 = 10 k R2 = 5 k R3 = 10 k VCC = 15 V VEE = -15 V

RL

U1
5V t

U2
5V t

US

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Amplificateur oprationnel et comparateur:

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12.14.9 Exercice sur le trigger de Schmitt Calculer les points de basculement et esquisser la caractristique US = f(UE) du montage cidessous. Alimentation en +15 V et -15 V.
+ R1 47k R2 1k

UE

US

12.14.10 Exercice sur le trigger de Schmitt Calculer les points de basculement et esquisser la caractristique US = f(UE) du montage cidessous. Alimentation en +15 V et -15 V.
R1 82k R2 2k2 UE + US

12.14.11 Exercice sur le trigger de Schmitt Calculer les points de basculement et esquisser la caractristique US = f(UE) du montage cidessous. Alimentation en +15 V et -15 V.

100k R1 1k R2 + UE + 12 V R4 2k2 US R3 2k2

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13. L'OPTOELECTRONIQUE
13.1 Introduction

L'optolectronique :

13

La lumire est considre comme une onde lectromagntique de frquence leve. Ainsi, le domaine visible pour l'oeil humain se situe dans les longueurs d'ondes comprises entre 780 nm (385 1012 Hz = 385 THz) pour le rouge et 380 nm (790 1012 Hz = 790 THz) pour le violet.

Les frquences infrieures sont dans le domaine de l'infrarouge. Les frquences suprieures sont dans le domaine de l'ultraviolet.

A cette notion d'onde radiolectrique, les physiciens ont ajout la notion de particule ou grain de lumire (physique quantique). En effet, on s'aperoit que la lumire peut cder de l'nergie, cette nergie provient d'une particule appele PHOTON (de l sont issus des noms tels: photovoltaque, photolectrique). Ceci donne l'lectronicien une explication sur deux phnomnes distincts. 13.1.1 L'effet photolectrique Lorsqu'un atome est bombard par des photons, il peut en absorber et de ce fait il emmagasine leur nergie. Si cette nergie est suffisante, des lectrons peuvent passer dans la bande de conduction de l'atome, devenir lectrons libres et donner naissance un courant lectrique. C'est la transformation Lumire Electricit. 13.1.2 L'effet photomissif Un lectron d'un atome peut quitter la bande de conduction pour descendre dans une bande plus proche du noyau. Dans ce cas il cde de l'nergie. Cette nergie peut apparatre sous forme de lumire: il y a alors photomission (mission de photons). Ce phnomne peut apparatre lors du passage d'un courant lectrique. La couleur mise n'est pas due au hasard, la longueur d'onde dpend troitement des atomes librant les photons. C'est la transformation Electricit Lumire.

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13.1.3 Flux lumineux

L'optolectronique :

13

Lunit photomtrique de base est le flux lumineux V qui se mesure en lumen [lm]. Par flux lumineux on entend la puissance totale mise par une source de lumire sous forme de rayonnement lumineux. La puissance irradie, est aussi frquemment indique comme puissance rayonnante e en W. Elle comprend lensemble du rayonnement (y compris le non-visible). Les grandeurs ncessaires la description des photometteurs et rcepteurs drivent du flux lumineux. 13.1.4 Lclairement Lunit dclairement est le lux (lx) qui est le rapport du flux lumineux V en lm sur la surface A en m2 qui reoit le flux lumineux.
EV = V A

] [lx ] = [lm 2

[m ]

Les valeurs usuelles de lclairement moyen :

Lclairement peut galement tre exprim en kW/m2. 1 kW/m2 = 112500 lx. 13.1.5 Lintensit lumineuse Les photometteurs sont gnralement dfinis par lintensit lumineuse IV dont lunit est la candela (cd). Lintensit lumineuse est le flux lumineux V mis par la source par angle solide (unit = stradian = sr).

IV =

[cd ] = [lm] [sr ]

13.1.6 La luminance Il s'agit de l'intensit lumineuse par unit de surface.

LV =

IV A

[m ]
2

[cd ]

13.2 Les photorsistances (LDR)


Ce sont des lments passifs qui modifient leur rsistance au passage du courant en fonction de la quantit de photons reus.

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13.2.1 Symbole

L'optolectronique :

13

LDR est l'abrviation amricaine pour: Light Dependent Resistor.

13.2.2 Caractristiques On trouve principalement:

Les photorsistances base de sulfure de Cadmium (CdS)


Passe de quelques centaines d'ohms en pleine lumire plus de 100 M en obscurit. Variations linaires temprature constante. Ractions lentes limitant l'utilisation une frquence de 100 Hz. Par mise en obscurit, on obtient 1,5 M aprs 3 sec. et 100 M aprs 60 sec. Tension max. aux bornes: 100 300 V. Puissance max. admissible: 50 300 mW

Les photorsistances base de slniure de Cadmium (CdSe)

Leurs caractristiques sont trs proches des cellules CdS l'exception de leur vitesse de raction qui est environ dix fois suprieure.

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13.2.3 Application (dtecteur crpusculaire)

L'optolectronique :

13

VCC R1

12[V]

La P1 Q1

R2

Lorsque la lumire est prsente, R2 prend une faible valeur et descend la tension de base en dessous de 0,4 V. Le transistor est bloqu. La lampe est teinte. En l'absence de lumire, R2 prend une trs forte valeur, la tension de base est 0,7 V. Le transistor Q1 conduit saturation et la lampe est allume. P1 permet de rgler la sensibilit. R1 vite de relier la base de Q1 directement VCC par fausse manipulation de P1.

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13.3 La photodiode

L'optolectronique :

13

C'est le premier composant actif de l'optolectronique que nous allons tudier. Il fonctionne comme une source de courant commande par la lumire. C'est une diode sur laquelle la lumire peut arriver jusqu' la surface du silicium travers une lentille (verre ou plastique). 13.3.1 Symbole

Attention: Cette diode se branche toujours en inverse, soit + du ct cathode (Zone N).

+VCC R courant photo-lectrique selon lumire D courant de fuite de quelques nA dans l'obscurit.

Sans lumire: la diode est bloque. Avec lumire: Les photons qui ont une nergie suffisante font passer des lectrons en bande de conduction. Cet effet photolectrique donne naissance un courant qui va de la cathode l'anode.

Le courant photolectrique ou photovoltaque est compris entre 10 et 30 nA/lx (lx = lux). Une lumire ambiante extrieure se situe environ 2000 lx, ce qui donne un courant entre 20 et 60 A selon les modles de diodes. Ces courants restent faibles et doivent tre amplifis par transistor ou mieux par un montage avec JFET ou amplificateur oprationnel. 13.3.2 Caractristiques La tension inverse max. applicable varie entre 5 V et 50 V selon les modles. La sensibilit max. se situe entre 800 et 950 nm (domaine rouge et infrarouge proche). Frquence de fonctionnement pouvant atteindre 500 MHz.

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13.3.3 Application

L'optolectronique :

13

Lorsque la diode est soumise la lumire, elle fournit un courant au transistor Darlington qui, en conduisant, peut allumer la lampe de signalisation.

On trouve des photodiodes dans les applications suivantes:


Barrires lumineuses (Scurit dans les banques) Comptage (Capteurs incrmentaux) Rcepteurs fibre optique Tlcommande: radio-TV, verrouillage central des portes (rcepteur) Transmission du son (rcepteur) etc...

13.4 Le phototransistor
Comme pour la photodiode, son botier est transparent. La surface de la base est augmente par rapport au transistor normal. La base est rendue aussi accessible que possible la lumire incidente. Les photons atteignent la jonction base-collecteur. Une tension positive apparat la base et le courant base-metteur peut s'tablir. Le transistor devient conducteur sous l'influence de la lumire (infrarouge). Il peut donc tre perturb par la lumire du soleil selon la longueur donde laquelle il travaille. On peut trouver sur certains modles une patte de base. On peut la raccorder lectriquement pour ajuster la sensibilit du transistor. 13.4.1 Symbole

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13.4.2 Caractristiques Courant IC en obscurit: 100 nA

L'optolectronique :

13

Temps de commutation: 1 5 ms

13.4.3 Applications

VCC

12 [V] R1 R2 4k7 Q2 R3 Q3 3k3 R4 4k7 Rcharge

Q1 4k7

Circuit quivalent un relais un contact de travail.

13.5 Les cellules photovoltaques au silicium


13.5.1 Principe Le fonctionnement de ces cellules est exactement le mme que celui des photodiodes. Ce sont des diodes jonction qui, par suite de leur grande surface, peuvent convertir une nergie solaire importante en courant lectrique. Il se pose donc des problmes de rendement et de refroidissement. 13.5.2 Symbole

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L'optolectronique :

13

13.5.3 Domaine d'application Malgr une volution favorable des prix, l'obstacle majeur l'largissement de l'utilisation des systmes photovoltaques pour l'alimentation en lectricit est le prix lev des panneaux. Plus le prix du watt install baisse, plus cette nergie devient comptitive. Les domaines d'application principaux sont:

Tlcommunications: faisceaux hertziens, metteurs et rmetteurs radio et TV, relais radiotlphone, balises radio, satellites. Signalisation: balises lumineuses d'aroport, balises en mer, passages niveau, etc... Tlmesure: mtorologie, dtection d'incendie de fort, surveillance des crues en rivires, des volcans, des oloducs. Pompage: profond (forages) ou en surface (lacs, rivires), irrigation. Electrification rurale: clairage, rfrigration, ventilation, TV, recharge de batteries, centrales de villages, centrales connectes au rseau. Divers: navigation de comptition et de plaisance, refuges de montagne, etc... Automobile: divers prototypes sont quips de panneaux solaires fournissant l'nergie pour la ventilation de l'habitacle lorsque le vhicule est en stationnement. Un fabricant d'accessoires propose mme sur le march un toit ouvrant quip de cette technologie (cellules photovoltaques et ventilateur).

Les puissances utilises vont du W (montres) au MW (centrales photovoltaques) selon tableau ci-dessous.

Dynamique des
10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 1W
Montres Calculatrices Jouets Audiovisuel portable Divers - grand public Tlcommunications Pompage Protection cathodique Rsidentiel Centrales photovoltaques

10

102 103 104 105 106

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13.5.4 Courbe caractristique
I
direct

L'optolectronique :

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I+

U+ Zone C

}
U

Rcepteur

R
I

inverse

Vm

direct

Zone A IU-

Zone B Im

Tension photovoltaque vide I-

}
U

Rcepteur I

U+

}
U

ri
I

Gnrateur

inverse

Courbe 1: Courbe 2: Zone A: Zone B:

Courbe de la diode normale, c'est la courbe de la cellule solaire en obscurit. Courbe de la cellule solaire claire, il y a eu translation de la courbe 1. La courbe 1 montre le courant de fuite inverse en obscurit. La courbe 2 montre le mme courant de fuite avec clairement. La diode fonctionne en gnrateur d'nergie. C'est la zone d'utilisation normale de la cellule photovoltaque. Il existe une tension vide (pour courant nul) aux bornes de la cellule (environ 0,5 V). C'est la tension photovoltaque ne pas confondre avec la tension de seuil. La diode est en polarisation directe. La caractristique de la diode claire (courbe 2) ne passe plus par zro.

Zone C:

Attention: Les cellules solaires ne sont pas conues pour travailler en photodiode (zone A) car, cause de leur grande surface, elles entrent en avalanche pour des tensions inverses faibles, ce qui entrane un chauffement dangereux. Elles sont protges par diode pour viter les tensions inverses accidentelles.

Remarque: Dans la zone B, la puissance fournie passe par un optimum Im-Um pour une valeur dtermine de la rsistance de charge.

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13.5.5 Caractristiques Le choix dpend de l'application et du prix.

L'optolectronique :

13

ICC: Courant de court-circuit, courant max. que peut dbiter une cellule pour un clairement donn. VCO: Tension vide, tension mesure aux bornes de la cellule en l'absence de dbit pour un clairement et une temprature donne.

: rendement: rapport entre nergie lumineuse reue et nergie lectrique fournie (variant de 5 16 %, pouvant thoriquement atteindre 22 %). Par ciel trs clair, dans les meilleures conditions, la terre reoit 1 kW/m2.
Tmax: Temprature limite de fonctionnement (environ 100 C). La puissance diminue quand la temprature augmente (surtout par rayonnement solaire). Pour maintenir un bon rendement, il faut refroidir les cellules (radiateur). Les caractristiques sont stables dans le temps, s'amliorent plutt les premires annes. Les modules sont prvus pour une dure de vie de 20 ans, de -40C +100C, avec vents violents entranant sable et gravier, pluies orageuses ou embruns marins.

Il est noter qu'il existe 3 grandes familles de technologies pour les cellules photovoltaques:

Cellules au silicium monocristallin Rendement jusqu' 16 % Les cristaux de silicium sont arrangs de faon avoir la mme orientation. Cellules au silicium polycristallin Rendement jusqu' 12 % Les cristaux de silicium sont empils sans arrangement prcis. Utilise moins de silicium que les cellules monocristallines, donc cot plus faible. Cellules couche mince au silicium amorphe Rendement jusqu' 7 %

On estime de 8 13 ans la dure de vie ncessaire pour restituer l'nergie de fabrication par clairement solaire. 13.5.6 Utilisation Dans un module, les cellules sont groupes en srie/parallle en fonction de l'application.

Le groupement srie permet d'augmenter la tension de sortie. Le groupement parallle permet d'augmenter le courant de sortie.

Les modules peuvent se coupler entre eux en srie, en parallle ou en srie/parallle. Respecter les indications du fournisseur pour le raccordement dans la bote de jonction. Dans de nombreuses applications, les modules fournissent l'nergie lectrique, assurent en mme temps la recharge d'une batterie d'accumulateurs qui va stocker l'nergie puis la restituer pendant les priodes d'obscurit. Dans cette situation, on aura le raccordement suivant:

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V1 V2

L'optolectronique :
DC DC
Surveillance Ubat.

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Batterie UBat. V4

Charge

V3

Groupe 1

Groupe 2

Tous les panneaux d'un groupe doivent tre soumis aux mmes conditions d'clairement, sinon tout le groupe en subit les consquences. Les diodes V1 et V2 sont si possible de type Schottky (UF < 0.4V). Elles sont l pour viter de consommer du courant dans l'obscurit. Elles vitent aussi au courant d'un groupe d'aller dans un autre en cas d'clairement diffrent d'un groupe l'autre. Le convertisseur DC/DC permet de faire travailler les cellules une tension qui permet le meilleur rendement possible. Il sert aussi charger les batteries correctement. Le module "surveillance UBat." interrompt la dcharge de la batterie lorsque UBat. < 11 V. V3 et V4 sont des diodes de protection contre les surtensions (foudre). Le cblage doit tre correctement dimensionn pour avoir le moins de pertes possible.

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13.5.7 Exemples de modules commercialiss Source: Sprle Suisse romande - Yverdon-les-Bains

L'optolectronique :

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Type Puissance min. Tension nom. Courant Tension

G 25 1.25W 12V 80mA 14.5V

G 33 1.8W 12V 100mA 15V

G 50/12 G 50/6 2.25W 12V 150mA 14.5V


2

G 100 5.5W 12V 350mA 14.5V

G 200 12W 12V 0.74A 16.3V

G 300 17W 12V 1.04A 16.3V

G 400 25W 12V 1.53A 16.3V

2.25W 6V 300mA 7.25V

* Point de fonctionnement optimal

25C/1kW/m

Rendement plus de 6%

Type

Puissance Courant court circuit courant (1) tension (1)

Cellules

Ah/jour (2)

Remarques

M 25 M 55 M 65 (3) M 75 M 78

22 W 55 W 45 W 50 W 40 W

1.65 A 3.5 A 3.3 A 3.5 A 3.0 A

1.55 A 3.17 A 3.11 A 3.13 A 2.55 A

14.5 V 17.4 V 14.5 V 16 V 15.7 V

30 36 30 33 33

7 15 13 14 11
(3) Cadre : noir M 25, M 65 : rglage automatique avec Delco 2000

(1) Valeurs nom. 1kW/m2/25C (2) Valeurs moyennes par moid d't, tension de la batterie 13.8V, pente 65

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L'optolectronique :

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13.6 La diode lectroluminescente (LED)


Ce composant est un metteur de lumire, il transforme le courant lectrique en lumire (mission de photons). Son appellation courante LED vient de la contraction de la dnomination amricaine Light Emitting Diode. Le silicium et le germanium ne sont pas en mesure de produire des frquences du domaine de la lumire visible. On utilise alors l'arsniure de Gallium (Ga As) et le phosphure de Gallium (Ga P). Par un dopage appropri de ces composs intermtalliques, on peut obtenir diffrentes couleurs. 13.6.1 Symbole

13.6.2 Caractristiques Cette diode se connecte en direct.


Courant direct: 10 50 mA selon modles La chute de tension directe n'est plus de 0,7 V, les composs intermtalliques n'ayant pas le mme seuil de tension que le silicium, on va donc trouver en fonction des couleurs: Infrarouge: Rouge: Vert: Ga As Ga As P Ga P Seuil 1 ... 1,2 V Seuil 1,5 ... 2 V Seuil 2 V

Les LEDs n'aiment pas les tensions inverses. En cas de risque de polarisation inverse, protger la LED par une diode en inverse et en parallle.

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13.6.3 Application La luminosit d'une LED dpend du courant qui la traverse. VCC R I LED 12[V]

L'optolectronique :

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Soit une LED rouge monte en voyant, elle est alimente par VCC = 12 V et on veut lui imposer un courant de 20 mA On aura I =
VCC U LED R

On prendra toujours en premire approximation ULED gal 2 V valable aussi pour l'analyse et le dpannage

R=

VCC U LED 12 2 = = 500 20 10 3 I

Dans les valeurs normalises E12, on peut prendre 470 ou 560 . 13.6.4 La LED utilise en tant que voyant compare la lampe incandescence: Avantages: Longue dure de vie Rsistance aux chocs Faible puissance consomme Compatible avec les circuits logiques Gain de place

Inconvnient: Peu visible par forte lumire ambiante

13.6.5 Utilisation en affichage La LED est souvent utilise pour l'affichage par segments, prenons l'exemple de l'affichage sept segments + point dcimal

a f e d g c DP a b c d e f g DP b

Les LEDs infrarouge sont surtout utilises pour les systmes de surveillance, alarme etc...

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13.7 Les photocoupleurs ou optocoupleurs

L'optolectronique :

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13.7.1 Principe C'est la combinaison d'une LED et d'un photodtecteur dans le mme botier. Alors que dans le transformateur, on transmet l'nergie par couplage magntique sans couplage galvanique (pas de contact lectrique entre primaire et secondaire), l'optocoupleur va transmettre l'information (LED allume ou teinte) sur le rcepteur sans aucun contact lectrique. C'est pourquoi on les appelle aussi isolants optolectroniques. La tension d'isolation est gnralement de 5000 V. 13.7.2 Exemple d'application Commande d'un thyristor
Unit de commande Vcc +12V

Optocoupleur

L'unit de commande peut tre un systme informatique. En cas de dfaut du thyristor, la tension alternative peut dtruire les composants relis la gchette, mais elle ne peut pas remonter jusqu' l'unit de commande. 13.7.3 Diffrents types LED + Photodiode

Transmissions rapides jusqu' 10 Mhz

LED + Phototransistor

Transmissions jusqu' 500 kHz

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L'optolectronique :
LED + Photodarlington

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Transmissions lentes jusqu' 30 kHz

Photocoupleur fente

Le passage d'un disque fente dans la zone du faisceau permet de connatre et de rgler la vitesse de rotation ou de dfinir la position angulaire.

LED + Phototriac Associ un triac de puissance, permet de commander des tensions alternatives 230 V par exemple.

13.7.4 Exemple d'application


5V

R1 = 330R si UAC = 230 V R1 = 39R si UAC = 24 V

330R
1

R1
6

MOC3020

Charge BT136
G A2

A1

Sortie microcontrolleur, PC, porte TTL, ...

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13.8 La fibre optique

L'optolectronique :

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13.8.1 Dfinition La fibre optique est destine au transport d'informations au moyen d'ondes lumineuses se propageant dans une fibre de verre (longues distances) ou de matire plastique (distances courtes). Elle est en train de s'imposer dans les domaines suivants:

Tlphonie publique et prive Rseaux informatiques Tldistribution Contrle, tlcommande, tlsignalisation Surveillance vido Communications militaires

Par exemple, une fibre dont le coeur a un diamtre de 8 mm peut transporter 8000 conversations. Un cble de 15 mm de diamtre peut contenir plusieurs dizaines de fibres. 13.8.2 Symbole

13.8.3 Fabrication de la fibre de verre On part d'un tube en verre de silice pure 99,5 % de Si O2 (dioxyde de silicium) de 1 m de long, 25 mm de diamtre et 3 mm de paroi. En comparaison, le verre de vitrage n'a que 70 % de Si O2. On dope ce verre avec le dioxyde de germanium (Ge O2) et on forme un barreau de verre plein appel prforme. On porte cette prforme la temprature de ramollissement du verre, soit 2100C et par tirage on obtient la fibre de verre avec un diamtre extrieur d'environ 250 m.

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13.8.4 Structure de la fibre optique

L'optolectronique :

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Le coeur: partie centrale de la fibre conduisant la lumire. Selon le type de fibre, ce diamtre peut varier de 8 m 200 m. Le manteau (cladding): ses caractristiques diffrentes de celle du coeur imposent la lumire de rester dans le coeur dans les conditions normales de transmission. Aussi appel "gaine optique". Revtement de protection: afin de rendre la fibre souple et manipulable, une ou plusieurs gaines en silicone ou en acrylate sont appliques directement sur le manteau. Sans cela, la fibre serait cassante "comme du verre".

13.8.5 Transmission de la lumire La vitesse de la lumire dans le vide est de 300 106 m s 1 ; dans un milieu transparent tel le verre de silice ou quartz, cette vitesse va diminuer d'un facteur n appel:

indice de rfraction du milieu considr. Pour le quartz n = 1,5 ce qui a pour consquence de rduire la vitesse de la lumire 200 106 m s 1

Lorsqu'un rayon lumineux passe d'un milieu d'indice n1 un milieu d'indice n2 infrieur, sa vitesse ainsi que sa direction vont tre modifies.

n2 n1 > n2

pas de rflexion totale

cas limite = critique

rflexion totale

Comportement optique d'un faisceau lumineux

Dans le cas de la fibre optique, nous aurons rflexion totale, le rayon lumineux restera enferm dans le milieu d'indice n1 qui est le coeur de la fibre.

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13.8.6 Les catgories de fibres La lumire peut tre injecte dans la fibre sous un seul angle, ou un seul mode. Cette mthode sera utilise pour les fibres monomodes. Lorsque la lumire est injecte sous diffrents angles, elle va parcourir des chemins de diffrentes longueurs. Les signaux lumineux aboutissent l'extrmit de la fibre des instants diffrents. Ceci entrane en sortie un largissement de l'impulsion lumineuse et limite la longueur de transmission. Cette mthode est utilise dans les fibres multi modes. L'attnuation des signaux est d'environ 0,5 1 dB/km en fibres monomodes et jusqu' 5 dB/km pour les fibres multi modes.

Les fibres plastiques Ces fibres sont utilises pour des liaisons de quelques dizaines (voir centaines) de mtres ainsi que pour les cbles d'intrieurs. Elles conviennent pour les applications suivantes: transmission d'informations, mais aussi illumination de cadrans, d'indicateurs et de tableaux. Elles se composent d'un coeur ainsi que d'une gaine optique en plastique, leurs dimensions sont importantes. Le diamtre du coeur peut atteindre 1 mm. Elles sont multi modes, l'affaiblissement est important: de 150 300 dB/km. Elles sont bon march et trs faciles mettre en oeuvre.

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13.8.7 Transmission par fibre optique

L'optolectronique :

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Connecteurs Information numrique transmettre Codeur Rcepteur Module Dcodeur Module Emetteur mission rception Fibre optique Information numrique restitue et rgnre

Synoptique d'une liaison par fibre optique


Le codeur adapte l'information numrique la transmission Le module d'mission transforme les signaux mettre en impulsions de courant pour l'metteur L'metteur transforme les impulsions de courant en impulsions de lumire qu'il injecte l'entre de la fibre optique. Il s'agit de LEDs spciales pour des fibres multimodes ou de diodes laser pour les fibres monomodes. La fibre optique transporte la lumire d'un point un autre Le rcepteur reoit la lumire en bout de fibre et la transforme en impulsion de courant, il s'agit gnralement de photodiodes Le module de rception transforme les impulsions de courant en code numrique Le dcodeur restitue l'information dans sa forme de dpart en la remettant en forme.

La fibre optique par elle-mme est un composant trs conomique mais ce sont les lments metteurs-rcepteurs (~100.-) et les connecteurs qui sont coteux (~15.-). Les connecteurs relient la fibre l'metteur et au rcepteur. Ce sont des composants de haute prcision ncessaire pour aligner la diode missive avec le coeur de la fibre et l'inverse la rception. Des pertes importantes peuvent tres causes par les connecteurs s'ils sont monts sans prcautions. Les principaux avantages d'une transmission par fibre optique sont les suivants:

Forte capacit de transmissions simultanes Cbles de faible diamtre, lgers, souples et robustes Insensibles aux parasites, foudre, champs magntiques Pas d'interfrences entre liaisons parallles Interception des informations (piratage) impossible Trs faible attnuation du signal permettant de poser des lignes de plusieurs dizaines de kilomtres sans amplificateurs

Inconvnient: Les cbles supportent mal la traction (pose) et doivent tre arms pour viter les dommages dus une trop forte contrainte. Cette armature limite galement le rayon de courbure.

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L'optolectronique :

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13.9 Les afficheurs cristaux liquides: LCD (Liquid Crystal Display)


13.9.1 Gnralits En considrant les cristaux liquides, l'affichage ne se fait plus par mission lumineuse mais simplement en laissant passer ou en ne laissant pas passer la lumire. Ce sont les proprits lectro-optiques (proprits optiques de l'lment variant sous l'effet d'un champ lectrique). 13.9.2 Les cristaux liquides Ce sont des substances qui se caractrisent par un tat particulier de la matire. Cet tat est intermdiaire entre la phase solide cristalline ordonne et l'tat liquide totalement dsordonn. On est en prsence d'un liquide ordonn ! Les cristaux liquides ont un aspect huileux. Les molcules de formes allonges (fil ou cigare) malgr leur grande libert de mouvement s'alignent paralllement entre elles. Si elles sont soumises un champ lectrique, elles vont s'aligner perpendiculairement ce champ. L'tat de cristaux liquides existe entre deux limites de temprature (par exemple -20C +100C).

Certains cristaux liquides (cholestriques) modifient leur coloration lors de changements de temprature (restitution des images infrarouges en images visibles, dtection des tumeurs cancreuses).

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L'optolectronique :

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13.9.3 Principe de l'affichage On disperse dans le cristal une petite impuret ionique (atomes pouvant tre attirs ou repousss par un champ lectrique)

Au repos En l'absence de champ lectrique, les molcules sont orientes paralllement aux plaques de verre (elles sont aides en cela par le traitement des surfaces internes des plaques de verre)
plaque de verre

cristaux liquides rsine lectrode

lectrode rsine plaque de verre

La lumire arrivant perpendiculairement aux plaques de verre peut passer. Le systme apparat comme transparent.

En prsence d'un champ lectrique on obtient:

Rotation des molcules d'environ 90. Elles ont tendance se placer perpendiculairement au champ lectrique. Le passage de la lumire est perturb. Mise en mouvement des ions vers les lectrodes. Sur leur passage, ils bousculent les molcules. Il en rsulte une forte turbulence et la solution se trouble. La lumire ne passe plus.

Si le champ lectrique est interrompu, les molcules reprennent leur alignement, la perturbation disparat et la transparence revient.

Attention: La polarisation par une tension continue provoque l'lectrolyse du systme et la destruction des lectrodes. On appliquera alors une tension alternative (signaux carrs) de faible frquence (moins de 100 Hz). Ceci entrane une rotation des molcules qui perturbe le passage de la lumire.

En ajoutant d'autres impurets, on obtient des modifications de couleur rflchie par le cristal en fonction du champ.

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13.9.4 Les trois types d'clairement

L'optolectronique :

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a) Type transmissif La cellule d'affichage est claire depuis l'arrire, la lumire traverse la cellule. Utilis pour les afficheurs qui doivent tre bien lisibles dans l'obscurit. b) Type rflectif La face arrire de l'afficheur est un rflecteur. Il renvoie la lumire qui tombe sur la face avant de l'afficheur. Utilis pour les afficheurs qui ne doivent tre lus qu' lumire ambiante. c) Type translectif La face arrire est partiellement transparente. C'est la combinaison des 2 mthodes prcdentes. Utilis pour les afficheurs qui doivent tre lus la fois dans l'obscurit et la lumire du jour (autoradio).

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13.10 Exercices
13.10.1 Exercice Soit l'ensemble d'afficheur ci-dessous:
5 4 3 2

L'optolectronique :

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Les sorties des "driver" indiquent: 1a 0 2a 0 3a 1 4a 0 5a 0 1b 1 2b 1 3b 0 4b 0 5b 0 1c 1 2c 0 3c 0 4c 0 5c 1 1d 0 1d 0 3d 0 4d 1 5d 1 1e 0 2e 1 3e 0 4e 0 5e 0 1f 0 2f 0 3f 0 4f 0 5g 0 1g 0 2g 0 3g 1 4g 0 5g 0

Qu'est-il inscrit sur l'afficheur ? 13.10.2 Exercice

230 V 50 Hz 1000F

R1 LED rouge RL

A la sortie du secondaire U = 12,6 Veff. En tenant compte des chutes de tension dans les diodes du redresseur, calculer R1 pour avoir 20 mA maximum (valeur de crte) parcourant la LED. 13.10.3 Exercice
33K 5V

230 V 50 Hz

10K Sortie

4N24

Expliquer le montage ci-dessus, et reprsenter la tension de sortie en fonction du temps.

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Calcul de circuits lectriques

Calcul de circuits lectriques


Source de tension
Source de tension idale La rsistance interne Ri d'une source de tension idale est gale 0 .

IL

IL

U0

RL

U0

RL

La tension U0 reste toujours constante comme l'indique la caractristique de la figure ci-dessous; elle est indpendante de la charge RL
U U0

IL

Exemple : Une source de tension idale de 10 V ayant une rsistance interne Ri = 0 dlivre une tension constante de 10 V ses bornes. La rsistance de charge RL peut tre variable et mme dconnecte, mais la tension de 10 V restera toujours constante. (figure ci-dessous)

10 [V]

RL

U = 10 [V]

10 [V]

U = 10 [V]

En pratique une source de tension idale ne peut exister.

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Calcul de circuits lectriques


Source de tension relle Considrons une source de tension relle avec une rsistance de charge RL connecte aux bornes de sortie de la source.
Ri IL Ui U0 RL UL

Un courant IL circule dans la charge RL Ce courant produit une chute de tension interne Ui due la rsistance interne Ri. Appliquons la loi de Kirchhoff au circuit de la source de tension 1. U0 = Ii Ri + IL RL do

2. UL = U0 - IL Ri = U0 - Ui = IL RL L'quation (2) montre que la chute de tension interne diminue la tension utilisable UL. Examinons la procdure pour dterminer la valeur de la rsistance interne Ri 3. De l'quation (2)
Ri = U0 UL IL

Les tensions U0 et UL ainsi que le courant IL peuvent tre dtermins par les mesures et calculs suivants : Dconnectons la charge RL et mesurons la tension U aux bornes de sortie. La chute de tension aux bornes de Ri est gale zro car IL est nul. Avec cette condition de mesure, la valeur de la tension circuit ouvert est gale la tension d' une source idale U = U0 (figure ci-dessous).
Ri

+ U0 U

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Calcul de circuits lectriques


Connectons la charge RL et mesurons la tension UL aux bornes de sortie. Le courant IL produit une chute de tension Ui aux bornes de la rsistance interne Ri (figure ci-dessous).
Ri + RL UL Ii IL

U0

Appliquons la loi de Kirchhoff au circuit. U0 = Ui + UL Ui = U0 - UL

Les valeurs de U0 et de UL sont connues depuis les mesures. Ii = IL =


UL RL

La loi d'ohm nous permet d'crire la valeur de la rsistance interne Ri =


Ui Ii

Caractristique d'une source de tension relle


U U0

ICC

IL

Les points de la caractristique que nous examinons sont les intersections de laxe vertical (U0) et de l'axe horizontal (ICC)

La tension maximum est la tension mesure vide U0, c'est--dire que la rsistance de charge RL est infinie (RL = ) et que le courant IL = 0 Le courant maximum est le courant de court-circuit ICC, c'est--dire que la rsistance de U charge RL est court-circuite (RL = 0 ) donc la tension UL = 0 ICC = 0 Ri

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Calcul de circuits lectriques


Exemple Un voltmtre est connect aux bornes d'une source de tension relle circuit ouvert, c'est--dire sans charge RL, le voltmtre indique une tension de 10 V. Lorsque la rsistance de charge RL de 1K5 est connecte aux bornes de sortie, le voltmtre indique une tension de 7,5 V. Dterminer la rsistance interne de la source et dessiner le circuit quivalent ainsi que le point de fonctionnement Q sur la caractristique de la source. Solution

Source de courant
Source de courant idale. La rsistance interne Ri d'une source de courant idale est gale l'infini (Ri = ).

IL I0 I0 Ri U RL U

IL

RL

Le courant I0 reste toujours constant comme l'indique la caractristique de la figure ci-dessous; il est indpendant de la charge RL.

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Calcul de circuits lectriques


IL I0

Exemple : Une source de courant idale de 1 A avec une rsistance interne Ri = dlivre un courant constant de 1 A ses bornes. La rsistance de charge RL peut tre variable et mme court-circuite mais le courant de 1 A restera toujours constant (figure ci-dessous).

I = 1A

RL

I = 1A

En pratique, une source de courant idale ne peut exister.


Source de courant relle Considrons une source de courant relle avec une rsistance de charge RL connecte aux bornes de sortie de la source.

Ii

IL

I0

Ri

UL RL

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Calcul de circuits lectriques


Appliquons la loi de Kirchhoff au circuit de la source de courant. I0 = Ii + IL d'o IL = I0 - Ii Le courant de charge IL serait gal au courant de la source idale I0 si Ii = 0 Pour que cette condition soit ralise, il faudrait que Ri = , mais en pratique ce n'est pas possible. Pour calculer la valeur de Ri, il faut dterminer la tension aux bornes de la source et le courant qui traverse la rsistance interne Ri Examinons la procdure pour dterminer la valeur de la rsistance interne Ri Connectons un ampremtre aux bornes de sortie de la source. Le courant mesur correspond au courant de court-circuit ICC car la rsistance interne de l'ampremtre est ngligeable. La rsistance interne Ri est en parallle avec le court-circuit. Le courant de court-circuit est gal au courant de la source idale I0. Il n'y a aucun courant qui traverse la rsistance interne (figure cidessous).
Ii = 0 I0 Ri A ICC

Connectons la rsistance de charge RL la place de l'ampremtre et mesurons la tension UL. La rsistance interne Ri est en parallle avec la rsistance de charge RL. La tension UL est gale la tension Ui (figure ci-dessous)

I0

Ri

Ui

RL UL

La loi d'ohm nous permet d'crire la valeur de la rsistance interne. Ri = o Ii = I0 - I L et I0 = ICC (Figure du haut de la page)
Ui Ii

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Calcul de circuits lectriques


d'o Ii = ICC - IL Ii = ICC UL RL

Caractristique d'une source de courant relle


IL ICC

U0

UL

Les points de la caractristique que nous examinons sont les intersections de l'axe vertical (ICC) et de l'axe horizontal (U0).

le courant maximum est le courant de court-circuit ICC, c'est--dire que la rsistance de charge RL est court-circuite (RL = 0) et que la tension UL = 0. la tension maximum est la tension mesure vide U0, cest--dire que la rsistance de charge RL est infinie (RL = ) et que le courant IL = 0. U0 = ICC Ri

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Calcul de circuits lectriques


Exemple Un ampremtre est connect aux bornes d'une source de courant relle. Le courant de court-circuit est de 3 mA. Lorsque la rsistance de charge RL = 2 k est connecte, la tension UL est de 2 V. Dterminer la rsistance interne de la source et dessiner le schma quivalent ainsi que le point de fonctionnement Q sur la caractristique de la source. Solution

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Calcul de circuits lectriques


Exercice source de tension relle Dterminer puis tracer la caractristique UL = f(IL) sur le montage ci-dessous, si RL varie de zro l'infini.

R1 Ri 100R IL E 12V RL UL 820R

Exercice source de courant relle Dterminer et tracer la caractristique IL en fonction de UL si RL varie de 0 l'infini.

IL I1 Ri 10k 0.5A RL UL

Exercice source de tension Dterminer puis tracer la caractristique UL = f(IL) sur le montage ci-dessous, si RL varie de zro l'infini.

R1 10k

IL

U 10 [V] R2 10k RL UL

10 V

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Lois de Kirchhoff
Ces lois permettent de poser les quations de tension et de courant de n'importe quel circuit. Premire loi: Loi des noeuds
I1

I4

I2

I3

Noeud

En un noeud, il n'y a aucune perte et tous les courants entrant d'un ct ressortent de l'autre.

LA SOMME ALGEBRIQUE DES COURANTS EN UN NOEUD EST NULLE

Une somme algbrique est une somme dans laquelle on prend les courants avec leur signe:

Courant entrant: I > 0 Courant sortant: I < 0

Par exemple pour la figure ci-dessus:

I = +I +I -I -I =0
1 2 3 4

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Calcul de circuits lectriques


Deuxime loi: Loi des mailles

U4 U1 E1

E2 U3

U2

LA SOMME ALGEBRIQUE DES TENSIONS LE LONG D'UNE MAILLE EST NULLE.

Pour effectuer cette somme algbrique, on doit choisir arbitrairement un sens de parcours de la maille. Exemple pour la figure ci-dessus et avec un sens de parcours anti-horaire:
U1+E 1+U 2+U 3+E 2-U 4 =0

Exemple pour la figure ci-dessus et avec un sens de parcours horaire:

+ U1-E1-U 2-U 3-E 2+U 4 =0

Ces deux quations sont identiques.

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Calcul de circuits lectriques


Exercice Calculer tous les courants dans le montage suivant:

R1 1k8 E1 18 V R3 1k8

E2 10 V R2 1k

Exercice

Calculer UR3 lorsque IR3 = 2A.

R1 22R

R2 1R5 E1 24V

R3

2A

Exercice Calculer tous les courants dans le montage suivant:


R1 1k2 I2 E1 30 V R2 15R I0 2A I1 I3 R3 620R

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Calcul de circuits lectriques


Exercice Calculer tous les courants dans le montage suivant:
R1 100R + E 1 5V + I1 I3 I2 R3 100R

E2 10 V R2 100R

E3 2.5 V

Exercice

Calculer tous les courants dans le montage suivant: I3 I2 I1 I0 1A R1 10k R2 1k E1 5V

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Lois des diviseurs de tension et de courant
Diviseur de tension
I R1 U R2 U2 U1

Calculons le courant total I (Figure ci-dessus). I=


U R1 + R 2

Dterminons la chute de tension U2 aux bornes de la rsistance R2 U2 = I R2 =


U R2 R1 + R 2

U2 = U

R2 R1 + R 2

Par analogie U1 = U
R1 R1 + R 2

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Calcul de circuits lectriques


Exemple Dterminer la chute de tension aux bornes de la rsistance R2.

R1 =1 K U = 10 V +

R2 = 2K

U2

Solution

Diviseur de courant.

I1

I2

I R1 R2 U

Calculons la rsistance quivalente R1 // R2 (Figure ci-dessus) Rq =

R1 R 2 R1 + R 2

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Calcul de circuits lectriques


Calculons la tension aux bornes de R1 et de R2 U = I Rq Dterminons le courant Il
U IR q = = R1 R1 I R1 R 2 R1 + R 2 R1

I1 =

I1 = I

R2 R1 + R2

et par analogie

I2 = I

R1 R1 + R 2

Exemple Dterminer le courant I1 en ayant recours la loi du diviseur de courant.

I1

I=1A R1 = 1k R2 = 2k

Solution

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Thorme de superposition
Le thorme de superposition est une mthode de calcul pour analyser un circuit lectrique. Considrons le circuit de la figure de gauche.

X U1 2V U2 4V Y

I
U1 2V

I U2 4V

R
1k

R
1k

R
1k

Le circuit de la figure de gauche est une combinaison des circuits des figure du milieu et de droite. La tension totale aux bornes XY du circuit de la figure de droite est de 6 V. Donc le courant total Le courant I du circuit de la figure du centre I= 6V = 6 mA 1 k
2V = 2 mA I' = 1k

Le courant I du circuit de la figure de droite

I =

4V = 4 mA. 1 k

L'addition du courant I et du courant I correspond au courant total I qui est de 6 mA. L'exemple ci-dessus est une dmonstration de la mthode de calcul du thorme. Le thorme de superposition peut tre tabli de la faon suivante :

Pour calculer le courant d'une branche d'un circuit compos de plusieurs sources de tension ou de courant, il suffit de calculer les courants individuels de la branche dus chaque source et ensuite de faire la somme algbrique de ces courants. Les sources qui ne sont pas concernes lors du calcul d'un courant individuel doivent tre remplaces par leur rsistance interne. Si les courants individuels circulent dans le mme sens, on fait la somme des courants ; par contre si les courants individuels circulent en sens inverse, on fait la diffrence des courants.

Pour une analyse numrique, considrons les exemples suivants :

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Exemple 1 Dterminer l'aide du thorme de superposition le courant I de la figure ci-dessous.
R1 10k R3 7k

E1 10 V

R2 5k

E2 12 V

Solution

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Calcul de circuits lectriques

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Exemple 2 Dterminer l'aide du thorme de superposition le courant I2 du circuit de la figure ci-dessous.
I2 R2

20k I1 IS1 10 mA R1 4k I3 R3 5k IS2 4 mA

Solution

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Calcul de circuits lectriques


Exemple 3 Dterminer l'aide du thorme de superposition le courant I du circuit de la figure ci-dessous.
Is

1 mA R1 1k I E1 4V R2 4k E2 10 V R3 4k

Solution

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Calcul de circuits lectriques


Thorme de Thvenin
Un circuit linaire quelconque peut tre remplac par un circuit compos d'une source idale de tension UTh et d'une rsistance RTh en srie.
RTh a RL b a

UTh b

RL

Le circuit compos de UTh et RTh fournira la charge RL exactement le mme courant et la mme tension aux bornes a et b que le circuit original. Pour dterminer la source de tension et la rsistance de Thvenin, deux solutions sont possibles:

par calcul par mesure

Dtermination de UTh par calcul Connaissant le circuit, la tension de Thvenin est calcule aux bornes a et b sans la charge RL. Dtermination de RTh par calcul Le calcul de la rsistance de Thvenin vue aux bornes a et b sans la charge RL. est la rsistance quivalente du circuit, lorsque les sources idales indpendante sont remplaces par leurs rsistances internes respectives.
La rsistance interne dune source de tension idale est gale zro.

Remplac par

c.c.

La rsistance interne dune source de courant idale est gale linfini.

Remplac par

circuit ouvert

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Exemple 1 Considrons le circuit de la figure ci-dessous et dterminons le circuit quivalent de Thvenin. Calculons ensuite le courant IL pour une valeur de RL de 4 k et 8 k.

R1 3k

E 9V a R2 6k b

RL

Solution

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Calcul de circuits lectriques


Exemple 2 Dterminer le circuit quivalent de Thvenin du circuit de la figure ci-dessous.

R1 3k

R3 4k

E 16,2 V

R2 6k
b

RL

Solution

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Calcul de circuits lectriques


Exemple 3 Considrons le circuit de la figure ci-dessous et reprsentons le circuit quivalent de Thvenin pour une rsistance de charge de 2 k.
R2 4k
IS 4 mA

a
RL

R1 10k

2k

Solution

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Calcul de circuits lectriques


Exemple 4 Considrons le circuit de la figure ci-dessous. Dterminons le circuit quivalent de Thvenin entre les bornes a et b ainsi que le courant I.
R2 6k a I

R1 2k E1 5V

R3 8k

R4 1k E2 b 5V

Solution

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Dtermination de Uth et Rth par la mesure Un circuit compos dlments actifs et passifs se trouve enferm dans une bote, de celle-ci seules deux bornes a et b sont accessibles.

Circuit mesurer RL

Il est possible de dterminer le circuit quivalent de Thvenin par la mesure, de la manire suivante.

Dconnecter la charge RL. Connecter un voltmtre entre les bornes a et b. La tension mesure vide est la tension UTh. Connecter un ampremtre entre les bornes a et b. Ce courant de court-circuit ICC permet de calculer RTH.

R Th =

U Th I CC
a RTH RL b UTH b a RL

Circuit mesurer

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Thorme de Norton
Un circuit linaire quelconque peut tre remplac par un circuit compos d'une source idale de courant IN et d'une rsistance RN en parallle.
a a RL b IN RN b RL

Le circuit compos de IN et RN fournira la charge RL exactement le mme courant et la mme tension aux bornes a et b que le circuit original. Pour dterminer la source de courant et la rsistance de Norton, deux solutions sont possibles:

par calcul Par mesure

Dtermination de IN par calcul Le courant de Norton est le courant de court-circuit mesur entre les bornes a et b. Dtermination de RN par calcul Le calcul de la rsistance de Norton vue aux bornes a et b sans la charge RL. est la rsistance quivalente du circuit, lorsque les sources idales indpendante sont remplaces par leurs rsistances internes respectives. Exemple 1 Considrons le circuit de la figure ci-dessous et dterminons le circuit quivalent de Norton.

R1

1k

U 3V

R2 4k

RL 5k

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Solution

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Exemple 2 Dterminer le circuit quivalent de Norton du circuit de la figure ci-desous. Si la charge varie de 1 k 6 k quel sera le courant qui la traverse?
R2 a

2k5 I 5 mA R1 10k RL 1k

Solution

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Exemple 3 Considrons le circuit de la figure ci-desous et reprsentons le circuit quivalent de Norton pour une rsistance de charge de 2 k.
R1 3k R3 4k a

U 16.2 V

R2 6k

RL

Solution

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Calcul de circuits lectriques


Dtermination de UN et RN par la mesure Il est possible de dterminer le circuit quivalent de Norton par la mesure, de la mme manire que pour le thorme de Thvenin.

Dconnecter la charge RL. Connecter un ampremtre entre les bornes a et b. Ce courant de court-circuit est le courant de Norton IN. Connecter un voltmtre entre les bornes a et b. La tension mesure vide U0 permet de calculer RN.

RN =

U0 IN
a a IN RL b

Circuit mesurer

RN

RL b

Analogie entre le thorme de Thvenin et le thorme de Norton Une source de tension de Thvenin UTh et sa rsistance interne RTh peuvent tre remplaces par une source de courant de Norton IN et sa rsistance interne RN.
RTh a a

UTh

IN

RN

Si lon applique le thorme de Norton au schma quivalent de Thvenin, on peut dire: IN =

U Th R Th

et

RN = Rth

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Une source de courant de Norton IN et sa rsistance interne RN peuvent tre remplaces par une source de tension de Thvenin UTh et sa rsistance interne RTh.
a RTh a

IN

RN

UTh

Si lon applique le thorme de Thvenin au schma quivalent de Norton, on peut dire: Uth = IN RN et RTh = RN

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