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ELECTRONIQUE ANALOGIQUE
Cours destin aux Automaticiens
Y.Darbellay
La plus grande partie de ce cours est issue du cours Electronique Automobile de lAMAD. (Association des Mcaniciens en Automobile Diplms) Auteur: M. Gilbert Peignaud, ingnieur ETS en lectronique LETML remercie vivement lAMAD pour son aimable autorisation de reproduction. Bibliographie: Principes d'lectronique Albert Paul Malvino
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1. INTRODUCTION
1.1 Reprsentation des grandeurs
Introduction :
Nombreux sont les systmes qui utilisent des grandeurs en entre, les traitent et dlivrent en sortie des commandes ou des informations pour l'utilisateur. Les grandeurs peuvent tre reprsentes de deux faons :
1.1.1 La reprsentation analogique La plupart des capteurs transforment une grandeur physique (temprature, pression...) en grandeur lectrique. De mme, le microphone transforme la pression acoustique en grandeur lectrique proportionnelle. Caractristique des grandeurs analogiques : Elles peuvent prendre toutes les valeurs en variant graduellement entre deux limites, par exemple une automobile peut avoir une vitesse variant entre 0 et 220 km/h. 1.1.2 La reprsentation numrique La grandeur mise sous forme numrique n'est plus proportionnelle la grandeur d'entre. Elle s'exprime par symboles ou codes (chiffres) par exemple, le tachymtre (se prononce "takimetre") d'une automobile s'il est numrique, indique une valeur par pas de 1 km/h : la progression est discontinue s'il est analogique ( aiguille) la progression est continue. La reprsentation numrique est donc DISCONTINUE.
Loi d'Ohm Lois de Kirchhoff Thorme de superposition Thorme de Thvenin Thormes de Norton
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2. COMPOSANTS DE BASE
2.1 Introduction
Composants de base :
Les rsistances et les potentiomtres sont des lments passifs, c'est--dire qu'ils n'apportent aucune nergie (amplification) dans le montage o ils sont utiliss. Ils ne peuvent que diminuer l'amplitude d'un signal. Leur action est proportionnelle leur valeur, ils ont un comportement linaire.
2.2
Les rsistances
2.2.1 Les rsistances de faible puissance Ce sont les plus couramment utilises en lectronique. Elles sont marques par bagues de couleur. 2.2.2 Les rsistances couche de carbone On dpose une couche mince de carbone et de rsine sur un btonnet isolant de cramique ou de verre. On trace ensuite une hlice au faisceau laser qui enlve le carbone sur une trs faible largeur. La piste de carbone rsistante est alors semblable au fil d'une rsistance bobine. On place ensuite les capsules de sertissage avec les fils de raccordement aux deux extrmits puis on fait l'enrobage de protection et le marquage de couleur. 2.2.3 Les rsistances film mtallique Procd de fabrication identique aux rsistances couche de carbone l'exception du dpt qui est base d'oxydes mtalliques ou de mtaux prcieux ou d'alliage Nickel-Chrome. 2.2.4 Les rsistances agglomres au carbone Moulage d'un mlange de silice, Baklite et carbone comprims dans un tube de Baklite. Ces rsistances sont de moins en moins utilises cause de leur stabilit mdiocre, tension de bruit importante. On les trouve encore pour des valeurs trs leves de 1 M 100 M . 2.2.5 Les rsistances SMD ou CMS (composants monts en surface) Cette nouvelle technologie utilise des composants trs petits permettant un gain de place important et un encombrement rduit des circuits. Il n'y a plus de fils pour le soudage mais les extrmits des composants permettent le soudage direct sur le cuivre du circuit imprim.
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Composants de base :
2.2.5.1 Montage des CMS sur une face du circuit imprim et soudure par refusion
2.2.6 La puissance des rsistances Sur les petites rsistances, aucun marquage ne donne une indication de puissance, seules les dimensions permettent de savoir quelle puissance maximum peut dissiper une rsistance. Exemples :
1/4 W
1/2 W
2W
Il existe d'autres valeurs (1/8 W, 1 W) moins courantes pour lesquelles on se rfre aux indications du fournisseur. ATTENTION : Ces puissances limites d'utilisation ne sont valables que jusqu' 25C (temprature ambiante). Au-del de cette temprature, il faut se baser sur les courbes de rduction de puissance des fabricants. La plupart des rsistances sont utilisables jusqu' 120C.
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Exemple : Rsistance 2 W
P [W ]
Composants de base :
2 1 ,7 5 1 ,5 1 ,2 5 1 0 ,7 5
0 ,5 0 ,2 5 0 0 20 25 40 60 80 100 120 [C ]
Par lecture graphique : la rsistance ne peut plus dissiper 2 W, mais seulement 0,85 W Par calcul : on a 2 triangles rectangles semblables : le 1er a pour cots de l'angle droit
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Composants de base :
2.2.7 Les rsistances de puissance On trouve ces rsistances dans les valeurs de puissance allant de 4 W 2500 W. Elles supportent des tempratures de service allant jusqu' 350 C. Elles sont soumises aux lois de rduction de puissance entre 25 C et par exemple 350 C. Elles sont ralises en fil bobin (gnralement alliage Fer-Nickel).
Borne Couche tame dmail en alliage vitrifie Bobinage pas uniforme Borne soude b
Support rsiliant
Vitrification
Attention : Ces rsistances atteignent des tempratures dpassant le point de fusion de la soudure l'tain (environ 180 C). Dans les cas o la rsistance est fortement sollicite, les connexions se feront sans soudure l'tain (visses, par fiche AMP, etc.). Les rsistances vitrifies avec intrieur creux auront une meilleure vacuation thermique si elles sont montes verticalement avec tube intrieur libre pour le passage de l'air (effet de chemine).
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Composants de base :
2.2.8 Les rseaux de rsistance On peut grouper plusieurs rsistances de faible puissance (0,2 0,3 W par rsistance) dans des botiers semblables ceux des circuits intgrs ou circuits hybrides.
2.3
Les potentiomtres
2.3.1 Les potentiomtres variables (rglages par l'utilisateur) La plupart sont variation linaire, c'est--dire que la variation de rsistance est proportionnelle l'angle de rotation.
L'indication suivante est porte sur le potentiomtre, par exemple pour 10 k 10 k LIN ou 10 KA. La rotation se fait sur 270 (potentiomtre bute min-max), sur 360 (potentiomtre sans bute) ou sur plusieurs tours (systme en hlice 10 tours ou 15 tours). D'autres modles sont variation logarithmique :
% de Rn 100% 1 = courbe lin 2 = courbe log
1 2 % de rotation
L'oreille humaine peroit les bruits au logarithme de leur intensit. Par exemple, un bruit 100 fois plus fort est peru 2 fois plus fort, 1000 fois plus fort peru 3 fois plus fort. D'o l'utilit des potentiomtres progression logarithmique pour le rglage du volume sonore des amplificateurs. Ils sont marqus pour 10 k : 10 k LOG ou 10 kB
100%
2.3.2 Les potentiomtres ajustables On trouve les mmes modles que prcdemment, mais leur rglage ncessite l'usage d'un outil. Dans un appareil, ces potentiomtres, aussi appels "trimmers", sont prvus pour des ajustages ou rglages par des professionnels.
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2.3.3 Quelques modles de potentiomtres
Composants de base :
2.3.4
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2.4 Condensateurs
Composants de base :
Le condensateur est certainement lun des plus importants composants de llectrotechnique, en particulier dans la technique des courants alternatifs. Citons quelques applications de ce composant:
Filtrage dans les circuits courant continu. Protection contre les surtensions sur les composants travaillant en commutation. Couplage B.F. Circuits oscillants. Bascule monostable. Intgrateur, drivateur. ...
2.4.1 Dfinition Le condensateur est un composant qui a la proprit daccumuler une charge lectrique. 2.4.2 Principe Un condensateur se compose de deux plaques mtalliques isoles entre elles. Lisolant peut tre de lair ou tout autre matriau bon isolant. Le matriau isolant sappelle dilectrique.
C=
S r 0 e
avec C: S = a b: e: 0 : r: Capacit en farads. Surface des plaques. Epaisseur de lisolant. Permittivit absolue = 0,885 10-11 Permittivit relative. [F] [m2] [m]
A s Vm
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2.4.3 Symboles
Composants de base :
2.4.4
Charge du condensateur
Q = CU
avec Q: C: U: Quantit dlectricit en coulombs [C] Capacit Tension [F] [V] ou [As]
Q = CU = It
!
2.4.5
W=
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2.4.6 Circuit RC
R a C
Composants de base :
Ue b
Uc
Dans le circuit RC srie ci-contre, la tension aux bornes du condensateur varie selon les deux lois suivantes.
= R C
avec : R: C: Constante de temps Rsistance Capacit [s] [] [F]
Aprs un temps de 1 la tension aux bornes de C est de 63% de la tension dentre E et aprs 5 le condensateur peut tre considr comme charg. La courbe de charge du condensateur est une fonction exponentielle.
Ue E
t Uc E 63%E t=0
t=0
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Composants de base :
2.4.6.2 Dcharge de condensateur Si lon applique une tension nulle entre les points a et b le condensateur est compltement dcharg aprs 5 .
Ue E
t Uc U0 t=0
? t
t=0
2.4.7 Mise en parallle de condensateurs La capacit quivalente de condensateurs monts en parallle vaut la somme de toutes les capacits.
C1
C2
C3
Cqu
Cqu = C1 + C2 + C3
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Composants de base :
2.4.8 Mise en srie de condensateurs Linverse de la capacit quivalente de condensateurs monts en srie vaut la somme de tous les inverses des capacits.
C1
C2
Cqu
C3
1 1 1 1 = + + Cqu C1 C 2 C3
2.4.9 Choix du condensateur Le choix dun condensateur dpend des critres suivants:
Le choix du dilectrique est faire selon lapplication le tableau que vous allez remplir ci-dessous rsume les principaux types.
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2.4.10 Les diffrents dilectriques
Composants de base:
Dilectrique
Cmin
Cmax
Tolrances
Umax
Principales Applications
Cramique Multicouche
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Film plastique Polyester KT
Composants de base:
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Tantale
Composants de base:
Electrolytique Liquide
Electrolytique Solide
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2.4.11 Exercice
R
Composants de base:
Reprsenter lallure de la courbe UC = f(t) si au temps t = 0 on ferme le contact.
UC
R = 1 k C = 1000 F E = 15 V
2.4.12 Exercice
C = 1000 F I0 = 1 mA
2.4.13 Exercice
VCC R RESET
Le schma ci-contre est utilis pour imposer un niveau logique bas ( < 0,8 V ) au moins 10 ms sur le signal RESET . Dimensionner le condensateur C si R = 100 k et VCC = 5 V. Quel type de condensateur peut-on utiliser pour cette application?
I1
P2 R
a) Calculer la valeur de UC lorsque le commutateur se trouve depuis trs longtemps dans la position P1. b) Que vaut le courant I1 immdiatement aprs la commutation en position P2? E1 = 5 V E2 = 12 V R = 100 C = 10 F
E2
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Sa couche priphrique comprend 4 lectrons ce qui est particulier du groupe des semiconducteurs.
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
Le silicium pur (symbole chimique : Si) aussi appel conductibilit intrinsque ne peut tre utilis directement. Pour qu'il devienne conducteur, il faut diminuer sa rsistivit. Il faut donc faire apparatre des lectrons libres ou des lacunes pour avoir un terrain propice au passage du courant lectrique.
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3.2 Le dopage
On va mlanger des corps ayant 3 ou 5 lectrons en couche priphrique avec le silicium. Ce mlange, aprs fusion, donne un alliage avec de nouvelles caractristiques. 3.2.1 Le dopage P On mlange au silicium des atomes avec 3 lectrons en couche priphrique (Indium, Gallium, Aluminium). A chaque endroit o s'est gliss un atome trivalent dans l'alliage, il manque une liaison cristalline. Cette lacune ou ce trou reprsente une charge lectrique positive. Un lectron libre (ayant laiss un trou en quittant son orbite) peut combler ce trou. Le phnomne se rptant, on assiste un mouvement de trous, donc un courant lectrique.
+4
+4
+4 trou libre
+4
+4
+4
+4 atome trivalent
+3
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
Le cristal de silicium dop de cette manire a nettement baiss sa rsistivit (de l'ordre de 10-3 m). Cette baisse est due l'adjonction de matire crant des trous. Ces trous reprsentent des charges POSITIVES. On a obtenu du silicium dop P ou Si P. La rsistivit est dpendante de la matire d'apport.
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3.2.2 Le dopage N On mlange au silicium des atomes avec 5 lectrons en couche priphrique (phosphore, arsenic, antimoine). L'alliage rsultant laisse apparatre 1 lectron libre pour chaque atome pentavalent dans la structure cristalline. Cet lectron est libre, comme dans le cas prcdent, il abaisse la rsistivit du cristal et participe la conduction lectrique.
+4
+4
+4 lectron libre
+4
+4
+4
+4 atome pentavalent
+5
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
Le cristal ainsi obtenu, s'il est soumis une tension, va laisser circuler le courant en fonction de sa rsistivit.
= lectrons = trous
Les lectrons libres sont attirs par le ple + Les trous sont attirs par le ple -
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3.3 La jonction
3.3.1 La jonction lmentaire Si l'on tablit un contact parfait entre un cristal Si P et un cristal Si N, il y a immdiatement mariage entre les lectrons libres de la zone N et les trous de la zone P et ce sur une largeur de 1 m la zone de contact. Les charges lectriques mobiles s'annulent. Il reste les charges lectriques des noyaux d'atomes dsquilibrs par cette opration, les atomes sont immobiles. Dans la zone de 1 m, on voit apparatre un potentiel positif du ct Si N (dominante des protons) et un potentiel ngatif du ct P (dominante des trous combls).
Rgion P Rgion N Rgion P distance +U
Rgion N
Trou Electron libre Ion ngatif Ion positif
jonction
Cette zone la jonction s'appelle BARRIERE DE POTENTIEL. Sur une distance de 1 m, il n'y a plus de porteurs de charges zone isole, plus de conduction possible. La barrire de potentiel repousse les lectrons de la zone N et les trous de la zone P. C'est le statu quo. 3.3.2 La jonction polarise en inverse
Zone P Zone N
Le ple - de la source attire les trous (+) et le ple + attire les lectrons. La barrire de potentiel s'largit. Toute conduction devient impossible, le systme est bloqu.
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3.3.2.1 Limite physique du blocage L'paisseur du dispositif restant dans la pratique de quelques diximes de mm, il arrive un moment o la tension positive devient suffisamment grande pour arracher des lectrons dans la zone neutre. Ces lectrons sont fortement acclrs, et leur grande vitesse libre d'autres lectrons par chocs. Les lectrons, de plus en plus nombreux, rendent toute la masse conductrice. Le montage se trouve tout coup en court-circuit. Ce phnomne est appel "effet d'avalanche ou, vu ses effets dsastreux sur le silicium, "claquage". Il est comparable la rupture d'une bute de clapet hydraulique par la pression.
bute
Pression
Vanne bloque
Remarque : tout comme un clapet en position ferme n'assure pas une tanchit parfaite (passage de quelques gouttes de fluide), une jonction bloque n'a pas une rsistance infinie. Elle laisse passer un trs faible courant de quelques nA (nanoampre = 10 -9 A) d aux lectrons ou trous librs par agitation thermique temprature ambiante. Ce courant est appel "COURANT DE FUITE EN INVERSE". 3.3.3 La jonction polarise en direct
Zone P (+++) I
Zone N (---)
Le ple + de la source attire les lectrons et apporte des trous dans le circuit. Le ple - de la source attire les trous et apporte des lectrons dans le circuit. Au fur et mesure que la tension s'lve, la barrire de potentiel se rtrcit. Elle finit par disparatre et le courant peut circuler.
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On constate dans le silicium :
Dbut de la conduction vers 0,5 V (fin barrire) Nette augmentation de la conduction vers 0,6 V Conduction admise normale 0,7 V
Dans le germanium, aujourd'hui peu utilis, les comportements sont semblables au Si mais le seuil est 0,3 V au lieu de 0,7 V. 3.3.3.1 Analogie hydraulique
Pression bute
Ressort
Pression
La pression est trop faible pour vaincre la force du ressort Dans la jonction U < 0,5 V pas de courant
La pression est suprieure la force du ressort. Il y a dbit de liquide Dans la jonction U = 0,7 V il y a un courant I
3.4
Un semi-conducteur nouveau ?
On s'est aperu qu'en prenant du gallium (mtal liquide 300 C - 3 lectrons en couche priphrique - symbole chimique : Ga) et en le mlangeant l'arsenic (5 lectrons en couche priphrique - symbole chimique : As) on obtenait 1240 C, un compos intermtallique : l'arsniure de gallium : Ga As, se comportant comme un semi-conducteur (avec 4 lectrons en couche priphrique). Il est donc utilis pour fabriquer des transistors, diodes, circuits intgrs. Il convient pour des frquences trs leves (domaine des GHz) (tlcommunications par satellite) il peut, s'il est convenablement dop, atteindre les longueurs d'onde de la lumire (diodes lumineuses ou LEDs). Son seuil de tension de la barrire de potentiel est lgrement suprieur 2 V contre 0,7 V pour le silicium. Il ne s'agit donc pas d'un semi-conducteur mais d'un compos intermtallique se comportant comme un semi-conducteur. Son dveloppement commercial est dj trs important et on le trouve dans de nombreuses applications.
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4. LA DIODE
4.1 Diode idale
La diode :
Une jonction qui bloquerait totalement en inverse sans courant de fuite et sans claquage et qui conduirait un courant infini en direct sans chute de tension serait une diode idale.
P N
Sens passant
P N
ANODE CATHODE Sens passant Sens bloqu
Un seuil de tension dans le sens direct (0,7 V pour Si). Une chute de tension en direct qui dpend du courant (rsistance du silicium dop). Un seuil de tension qui varie en fonction de la temprature : il diminue de 2 mV chaque fois que la temprature augmente de 1 C. C'est un coefficient de temprature ngatif qui posera quelques problmes dans le cas du transistor. Le blocage en inverse n'est pas parfait. Les courants de fuite de quelques nA 20 C double tous les 8 C lorsque la temprature augmente. La tension inverse n'est pas infinie, le claquage apparat en fonction de la construction de la diode.
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Schma quivalent de la diode relle :
rd
La diode :
Diode idale
A
E = 12V
Si l'on reporte sur graphique les rsultats de la mesure, on obtient la fonction IF = f(UF) (F pour forward (direct)).
IF
[A]
11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 = 70C IF Drive thermique ( augmente) IF
MAX
= 20C
UF
0,94 0,9 1
1.1
1.2
UF [V]
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La diode :
On trouve une zone jusqu' 0,5 V o le courant est nul, on n'a pas vaincu la barrire de potentiel. A partir de 0,5 V, le courant s'tablit et on est en prsence d'un coude. A partir de 0,65 V et jusqu' 1 V, la droite est comparable celle d'une rsistance. IFMax est la limite max. de courant impose par le fournisseur de la diode mesure. Au del, il ne garantit plus que la diode puisse dissiper la puissance sans dpasser la limite de temprature de 150 C. Cette puissance est gale ID UD = 10 1 = 10 W (pour 70 C).
Dtermination de la rsistance dynamique pour I = 6 A (voir graphique) : On trace une tangente la caractristique par rapport au point IF = 6 A. On forme un triangle rectangle donnant l'cart UF pour l'cart correspondant IF et la rsistance dynamique :
rd = U F 0,16 = = 40 10 3 I F 4
rd = 40 m On retrouve la chute de tension IF = 6 A par l'quation de la diode. UF = Useuil + rd ID = 0,7 + (40 10 -3 6) = 0,94 V UF = 0,94 V Ce qui correspond la lecture graphique.
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La diode :
Nous constatons que la valeur standard de 0,7 V pour UF prise dans la plupart des calculs est suffisante, mais il faut savoir que la chute de tension aux bornes d'une diode d'alternateur automobile qui dbite par exemple 30 A est suprieure 0,7 V.
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4.5 Caractristique inverse de la diode
VR VRM 100V 20V 15V 10V 5V 1A 2A
La diode :
IR
En inverse, la diode se prsente comme une valve ferme. Il existe un lger courant de fuite en inverse de l'ordre des dizaines de nanoampres quelques microampres. Attention : ce courant de fuite double tous les 8 C d'augmentation de temprature. Le blocage est assur jusqu' un certain point dpendant de la construction de la diode. Ce point va de quelques volts plusieurs milliers de volts. Lorsqu'on atteint cette tension de blocage ou tension d'avalanche, la diode se met conduire brutalement et si aucune prcaution n'est prise pour limiter le courant, elle sera dtruite, d'o l'appellation courante de tension de claquage. Certaines diodes sont construites pour travailler dans cette zone de claquage (diodes Zener, diodes de protection).
ANODE
CATHODE
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La diode :
4.6.2 Fonctionnement En sens direct : cette diode fonctionne comme une diode conventionnelle et ne prsente pas d'intrt particulier.
La tension d'avalanche ou tension Zener* est bien dfinie, elle est prcise et se situe, selon le modle de diode, entre 2,4 et 200 V. Le courant que peut supporter la diode Zener en inverse varie de quelques mA quelques ampres. Toujours se rfrer aux indications du fabricant. 4.6.3 Comparaison hydraulique
I
UZ
Il y a dbit d'eau seulement si le niveau atteint et dpasse lgrement la hauteur du barrage. De mme, la diode Zener conduira seulement partir du moment o la tension qui lui est applique est suprieure la tension Zener. Ds que la diode conduit, elle offre trs peu de rsistance au passage du courant. Attention respecter les limitations de courant en ajoutant une rsistance en srie. Sans cela, la diode Zener peut tre dtruite. Remarque : On parle de tension Zener entre 2,4 et 6 V, le passage en conduction inverse est progressif. On parle de tension d'avalanche partir de 6 V, le passage en conduction inverse est brutal. 4.6.4 Courbe caractristique de la diode Zener
UZ
Effet d'avalanche
6V Effet Zener
Zone directe
Domaine utile
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4.6.5 Exemples d'application
Ue
La diode :
R Ue
Zener 9V
Us
U stable 9V
R Ue
t Us
Zener 50V
Us
50V
R Ue 12 V DZ US 3V
On veut crer une tension de rfrence de 3 V partir d'une source de 12 V. On choisit une diode Zener de 3 V pour laquelle le fabricant recommande un courant nominal de 15 mA. Quelle devra tre la valeur de R ?
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4.7 Les diodes de protection
La diode :
Ces diodes sont principalement destines protger les semi-conducteurs contre les surtensions dangereuses. Une construction particulire leur permet de conduire un courant important en inverse (jusqu' 1/3 du courant direct en permanence). Comme les diodes Zener, on les branche en inverse.
Module inductif crant des surtensions Diode de protection conduisant partir de 80V et protgeant le transistor
Transistor
La mise en conduction des diodes de protection est rapide, elle assure ainsi une protection immdiate. Il est noter que les diodes destines au redressement sont parmi les plus lentes se mettre conduire (construites pour le redressement de 50 Hz et jusque vers 500 Hz).
Si la mise en conduction de la diode est trop lente au moment de la surtension, une tension dangereuse a le temps d'apparatre sur le transistor pouvant entraner des dommages.
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4.8.2 Principe
Anode Mtal Silicium N Cathode
La diode :
Dans ce cas, il n'y a plus de jonction silicium N - silicium P. On a une plaquette de silicium N sur laquelle on dpose un mtal :
Chrome (Cr)
ou
Platine-Nickel (Pt-Ni)
Faible seuil de tension en direct de 0,2 0,3 V. Cette diode remplace les diodes au germanium.
Temps de mise en conduction pratiquement nul, c'est la plus rapide de toutes les diodes.
4.9 La VDR
Les varistances ou VDR (V............... D................. R...............) sont des rsistances dont la valeur est fonction de la tension. Elles sont constitues de poudre de carbure de silicium, fritte des tempratures leves en faisant intervenir des liants. La rsistance de contact entre les particules de carbure de silicium est largement dpendante de la tension. Le fonctionnement d'une varistance s'explique par le nombre lev de jonctions PN dont elle est compose :
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4.9.2 Symbole de la VDR
R1
U
La diode :
R1
U
4.9.4 Application de la VDR Les VDR sont surtout utilises dans les circuits pare-tincelles et dans les circuits stabilisateurs de tension. Lorsque utilise dans les circuits en pare-tincelles, la VDR peut tre monte en .......................... la fois sur la charge inductive et sur le contact de commutation. Dans les deux cas, la VDR joue le mme rle que la diode de roue libre, elle empche que toute la tension d'induction arrive la hauteur du contact.
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4.10.2 Symbole de la NTC
R1
+t
La diode :
R1
4.10.4 Applications de la NTC Il existe deux possibilits de varier la rsistance des composants NTC, soit en agissant sur la temprature ambiante soit en faisant varier la charge lectrique du composant. Dans le premier cas, le courant doit tre infime si l'on veut viter toute hausse de temprature dans le composant due la puissance lectrique dissipe. C'est selon cette mthode que l'on utilise les rsistances NTC pour mesurer les tempratures ou les rgler. On exploite la deuxime possibilit pour allonger le temps de commutation dans les relais.
La caractristique I = f (U) ci-dessous, nous montre que pour une NTC ayant une rsistance 20C de 20 k, aucun effet d'auto-chauffement ne se produit jusqu' environ 14 V (10 mW). La NTC peut donc tre utilise dans cette porte pour raliser des mesures de tempratures. A des tensions plus leves, la dissipation d'nergie est plus grande, la temprature de la NTC devient beaucoup plus leve et sa valeur de rsistance diminue.
I [mA] 1W 400R 160C 50 40 30 20 10 0 10 20 30 40 U [V] 10mW 20k 20C 580mW 935R 130C
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La diode :
froid des rsistances PTC est comprise entre 20 et 100, l'accroissement de rsistance le plus prononc a lieu entre 50C et 120C et la rsistance chaud est de quelques dizaines de k.
4.11.1 Symbole de la PTC
R1
-t
R1
La caractristique R = f () nous montre la variation de la rsistance PTC lors d'un chauffement extrieur, partir de la temprature ambiante. Pour effectuer cette mesure, il faut s'assurer que la puissance lectrique dissipe dans la rsistance PTC soit suffisamment basse et qu'elle ne provoque pas de hausse de la temprature.
N T C
PT C
N T C
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La diode :
La figure suivante reprsente la caractristique I = f (U) d'une rsistance PTC. Dans le cas de faibles tensions, il est impossible de dceler l'auto-chauffement et la rsistance PTC reste un niveau faible. Ds que le point de transition est atteint, on observe une forte augmentation de la rsistance et le courant diminue malgr l'augmentation de la tension. Si la temprature ambiante est plus leve, le point de transition est dj atteint de basses valeurs de dissipation. (Voir courbe en trait till)
I [mA] 0.5W 50R 70C 100 80 60 40 20 0 20 40 60 80 100 0.75W 1k 90C 1W 20k 100C
U [V]
Comme pour les rsistances NTC, on a pour les rsistances PTC des applications soit avec chauffement externe par temprature ambiante, soit avec auto-chauffement d la dissipation.
4.12 Exercices
4.12.1 Exercice Soient les montages ci-dessous :
V1 100
10 V V3 330
V2
100 V1 10 V V2
330
V1 = V2 = V3
V3
I=?
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4.12.2 Exercice
La diode :
On dsire brancher un rasoir lectrique de voyage sur la prise allume-cigares d'une voiture. Ce rasoir fonctionne sous une tension de 4,5 V et tire un courant I de 500 mA. Dessiner le schma d'une petite alimentation diode Zener, et dimensionner les lments ?
4.12.3 Exercice Calculer le courant dans la diode si E1 = + 20V et -20 V.
R1 E1 R2
R2
R1
R1 = 330
R2 = 220
UD = 0,7 V
R1 E1 R2
R2
R1
R1 = 330
R2 = 220
UD = 0,7 V
UZ = 2,7 V
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4.12.5 Exercice Calculer le courant I.
La diode :
R1 56 E1 15 V
R3 100 I 2,7 V
R2 47 E2 2,5 V
15 V
a) +15 V b) +3 V c) 0 V d) -10 V
+5 V
V1 Ui 10k UO
GND
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4.12.7 Exercice diode et droite de charge
La diode :
+15 V
Dterminer le courant, la tension et la puissance dissipe dans V1 en utilisant la courbe du bas de la page.
R1 560
V1
GND
+15 V
Dterminer la valeur de R2 pour que le courant dans la diode V1 soit de 50 mA en utilisant la courbe cidessous.
R2
R3 100
V1
GND
GND
I [mA] 60 50 40 30 20 10 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 U [V]
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4.12.9 Applications de la NTC Donner une brve explication des schmas ci-dessous.
La diode :
a)
R1 R2
U1
R3
R4
b)
c)
M
N
d)
K1 K1
K1
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4.12.10 Applications de la PTC Donner une brve explication des schmas ci-dessous.
La diode :
a)
b)
c)
S
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d)
La diode :
e)
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5. LE FILTRAGE
5.1 Dfinition
Le filtrage :
Supposons un tamis avec des trous calibrs et contenant des boules en bois de diffrents diamtres. Toutes les boules d'un diamtre infrieur celui du trou vont tomber du tamis dans un bac. Toutes les boules d'un diamtre suprieur celui du trou vont rester dans le tamis. Il y a donc eu filtrage ou tri des boules en deux catgories. De mme, un filtre de frquence laissera passer des signaux certaines frquences et bloquera des signaux d'autres frquences. Un filtre est un slecteur de frquence et la bande de frquence transmise s'appellera "bande passante" (non transmise = bande coupe). Le gain en tension peut tre dfini par le rapport entre la tension de sortie et la tension d'entre:
Gu = US Ue
5.1.1 Filtre idal Un filtre idal serait celui qui transmettrait toutes les frquences utiles d'un signal en liminant toutes les autres. Ce filtre n'existe pas.
GU Zones attnues
5.1.2 Filtre rel Le filtre rel ne coupe pas brusquement les frquences en deux zones. L'attnuation est progressive. La zone o l'amplitude du signal commence diminuer s'appelle "frquence de coupure" et se note fC.
GU fC1 = frquence de coupure infrieure fC2 = frquence de coupure suprieure Zone Zone non attnue Zone ou plateau attnue attnue
fC1
fC2
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5.2 Le filtre passe-bas
Le filtrage :
Tout comme notre tamis laisse passer les boules jusqu' un certain diamtre, ce filtre laissera passer les frquences partir de la frquence nulle (continue) jusqu' une certaine frquence de coupure suprieure. 5.2.1 Le filtre passe-bas R-C
R C
GU 1
UE ~
US
f fC
La frquence de coupure se calcule par :
fc = 1 2 R C
fC en [Hz] R en [] C en [F]
Les frquences infrieures fC ne seront pas ou peu attnues. Les frquences suprieures fC seront attnues et ceci d'autant plus qu'elles seront leves. En raisonnant aux limites extrmes, on peut admettre que : a) frquence nulle, la ractance de capacit est infinie et correspond un interrupteur ouvert.
R
pour f = 0 Us = Ue
UE ~
US
b) frquence trs grande, la ractance de capacit est pratiquement nulle et correspond un interrupteur ferm ou un court-circuit.
R
pour f = Us = 0V
UE ~
US
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5.2.2 Le filtre passe-bas L-R
Le filtrage :
GU 1
UE ~
US
f fC
fC =
R 2 L
fC en [Hz] R en [] L en [H]
Le comportement est identique celui du filtre R-C mais ce systme est moins rpandu du fait des inconvnients de la bobine :
Pour les limites extrmes, on obtient : a) frquence nulle, la bobine a une impdance pratiquement nulle (rsistance du cuivre) et correspond un interrupteur ferm.
L
pour f = 0 US = UE
UE ~
US
b) frquence trs grande, l'impdance de la bobine est infinie et correspond un interrupteur ouvert.
L
pour f = US = 0V
UE ~
US
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5.2.3 Exemple
Le filtrage :
R C
UE ~
US
Soit un filtre passe-bas compos de R = 2,2 k et C = 0,1 F Sa frquence de coupure sera 1 1 fC = = 2 R C 2 2200 0,1 10 6 fC = 723,4 Hz
GU 1
723,4Hz
Pour obtenir le mme rsultat avec une bobine, il faudrait :
fC = R 2 L L= R 2 fC
L=
2200 = 0,48H 2 fC
Les frquences jusqu' 723 Hz ne seront pas attnues. Les frquences partir de 723 Hz seront attnues et ce d'autant plus qu'elles seront leves. Ce type de filtre permettra l'limination des parasites haute frquence.
5.2.3.1 Exemple d'application du filtre passe-bas Filtre sur la ligne d'alimentation d'un autoradio : empche les perturbations HF de pntrer dans la radio par le cble d'alimentation.
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5.3 Le filtre passe-haut
Le filtrage :
Si nous reprenons l'exemple du tamis, nous devrons considrer comme limines les boules ayant pass dans les trous et comme retenues les boules de plus grand diamtre que le trou, restant dans le tamis. De la mme faon, un filtre passe-haut va liminer les frquences infrieures une certaine frquence de coupure (y compris le continu) et laissera passer les frquences suprieures cette frquence de coupure.
5.3.1 Le filtre passe-haut C-R
C UE ~ US
GU 1
f fc
Comme pour le filtre RC, la frquence de coupure se calculera par : fC = 1 2 R C
Les frquences infrieures fC seront attnues et ce d'autant plus qu'elles seront faibles. Les frquences suprieures fC ne seront pas ou peu attnues. Pour les limites extrmes, on obtient : a) frquence nulle, la ractance de capacit est infinie et correspond un interrupteur ouvert.
C
pour f = 0 Us = 0V
UE ~
US
b) frquence trs grande, la ractance de capacit est nulle et correspond un interrupteur ferm.
C
pour f = US = UE
UE ~
US
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5.3.2 Le filtre passe-haut R-L
Le filtrage :
GU 1
UE ~
US
f fc
On constate donc qu'il suffit de croiser R et L ou R et C pour passer d'un filtre passe-bas un filtre passe-haut et vice versa en gardant la mme frquence de coupure.
5.3.3 Exemple
On dispose de R = 1 k et on veut une frquence de coupure 1500 Hz pour un filtre passehaut. 1re version : filtre CR
fc = 1 1 1 C = = 2 R C 2 R fc 2 1000 1500
L = 0,1 H Ce filtre laissera passer les frquences suprieures 1500 Hz et attnuera les frquences infrieures 1500 Hz.
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5.4 Le filtre passe-bande
Le filtrage :
Il est possible d'liminer des frquences basses ainsi que des frquences hautes en gardant seulement une bande de frquence entre les deux zones attnues.
5.4.1 Principe
R GU
Filtre passe-bas
f
GU
Filtre passe-haut
f GU R C
Filtre passe-bande
R
Bande passante FC2 FC1
La mise en srie d'un filtre passe-bas et d'un filtre passe-haut donne un filtre passe-bande dont la bande passante est comprise entre fC1 (frquence de coupure passe-haut) et fC2 (frquence de coupure passe-bas). Condition : Il est impratif d'avoir fC2 > fC1 sans cela il n'est pas possible d'obtenir une zone non attnue.
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5.5 Complment
Le filtrage :
5.5.1 Amplitude des signaux de sortie Pour les reprsentations graphiques, on exprime l'amplitude du signal d'un filtre en dcibels.
[dB ]soit 1 Bel[ B] 10
Le dcibel est un rapport entre la tension d'entre et la tension de sortie. Il se calcule par : A = attnuation en [dB]
A = 20 log US Ue
Sur les graphiques galement, la frquence est porte sur une chelle logarithmique. On a donc le mme espace entre : 0,1 Hz - 1 Hz - 10 Hz - 100 Hz - 103 Hz - 104 Hz - etc. Sur un graphique, on aura 0 dB dans le plateau ou en bande passante. On aura -3 dB la frquence de coupure et dans la zone d'attnuation, l'amplitude diminuera de 20 dB chaque fois que l'on franchit une dcade (de 1 Hz 10 Hz, de 10 Hz 100 Hz, de l00 Hz 103 Hz, etc.).
5.5.2 Phase des signaux de sortie Dans la zone non attnue, le signal de sortie est en phase avec le signal d'entre.
A la frquence de coupure, le signal de sortie est dphas de 45 par rapport au signal d'entre :
en retard pour les filtres passe-bas en avance pour les filtres passe-haut Dans la zone attnue, le dphasage va atteindre 90 entre signal d'entre et signal de sortie : en retard pour les filtres passe-bas en avance pour les filtres passe-haut
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5.6 Rappels
Le filtrage :
5.6.1 L'intgrateur Lorsqu'un filtre passe-bas reoit un signal rectangulaire, il en modifie la forme en fonction du temps de charge du condensateur travers la rsistance. C'est un intgrateur.
R
UE
US
UE
US
La constante de temps du circuit s'exprime par : en [S] = RC R en [] C en [F] On admet que le signal de sortie US a atteint le niveau de Ue aprs une dure de 5 . La tension US peut se calculer tout instant :
pour un front de tension montant US = Ue = e= t= = tension de sortie en [V] tension d'entre en [V] nombre de Neper ( e = 2,718) temps au bout duquel on veut connatre Us en [s] constante de temps en [s]
U S = U e (1 e )
pour un front de tension descendant US = tension de sortie en [V] Ue = tension aux bornes de C avant le front descendant en [V] e = nombre de Neper ( e = 2,718) t= temps au bout duquel on veut connatre Us en [s] = constante de temps en [s]
U S = Ue e
Remarque : on obtient le mme comportement avec le circuit L-R. La constante de temps est alors :
L R
= L= R=
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Le filtrage :
5.6.2 Le drivateur Lorsqu'un filtre passe-haut reoit un signal rectangulaire, il en modifie la forme en fonction du temps de charge du condensateur travers la rsistance. C'est un drivateur.
C UE US
C UE US
La constante de temps et le temps de stabilisation du signal de sortie sont identiques ceux de l'intgrateur. La tension US se calcule par :
L R
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5.7 Exercices
5.7.1 Exercice Calculer la frquence de coupure du filtre ci-dessous
Le filtrage :
R C
R = 100 k C = 10 nF
UE ~
US
C UE ~ US
R = 1,5 k C = 10 nF
3
fc = 18 kHz R ohmique 1-2 = 1 k
2
Quel genre de filtre est-ce ? Quelle est la valeur de L ?
5.7.4 Exercice
R
U 5V
UE ~
2 ms t
US
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6. LES MONTAGES A DIODES
6.1 Introduction
Les diodes sont principalement utilises pour le redressement des tensions alternatives, on les appelle alors "redresseurs" (en anglais : "rectifier").
230V 50Hz
R charge
Oscilloscope Trace A
Remarque U2 = Tension du secondaire du transformateur UO = Tension de sortie du montage Ces deux tensions seront diffrentes si le transformateur est point milieu (Pleine onde)
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6.2.3 Diagramme des temps
U [V] +12,7 Tension au secondaire du transformateur 0 9Veff = 12,7VP -12,7 U [V] +12 Oscilloscope Trace A aux bornes de R 0 U [V] +0,7 0 Oscilloscope Trace B aux bornes de V -12,7
6.2.4 Description a) Alternance positive La diode laisse passer le courant ds que son seuil de tension est dpass. On admet une chute de tension moyenne de 0,7 V. Cette chute de tension dpend de :
Lorsque le courant atteint les possibilits max. de la diode, la chute de tension peut atteindre 1 V 1,5 V (dpend de la rsistance dynamique).
Lorsque la diode atteint sa limite de temprature suprieure, le seuil peut tre infrieur 0,5 V. b) Alternance ngative La diode ne conduit pas, il n'y a plus de courant dans la charge, toute la tension apparat aux bornes de la diode. Avec ce montage, la charge est alimente par un courant positif puls.
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Attention : Deux critres sont respecter lors du choix de la diode : La diode doit supporter le courant direct maximum du circuit o elle est monte. La diode doit avoir une tension de claquage plus grande que la tension inverse maximum du circuit sans quoi elle peut tre dtruite.
Ceci correspond la rupture de la valve en sens bloqu dans le modle hydraulique. Ne pas hsiter monter un lment dissipateur (radiateur) sur la diode si elle est soumise une forte lvation de temprature (la limite de la plupart des modles se trouve 150C). 6.2.5 Valeur de crte La valeur de crte aux bornes de la charge gale la valeur de crte du secondaire du transformateur. =U = 2 U U O 2 2 eff 6.2.6 Valeur efficace Par dfinition la tension efficace gale la tension continue qui produirait la mme nergie calorifique dans la mme rsistance et pendant le mme temps. 6.2.7 Valeur moyenne Pour le redresseur demi-onde, la valeur moyenne ou en courant continu du signal redress s'crit:
VCC = U 2
Cette tension moyenne permet de calculer le courant moyen ou courant continu de charge ICC:
I CC = VCC RL
6.2.8 Courant limite de diode Le courant moyen traversant la diode doit tre infrieur au courant limite de la diode, not I0 dans les fiches signaltiques. Pour le redresseur demi-onde: I0 = ICC 6.2.9 Tension inverse de crte La tension inverse de crte PIV (Peak Inverse Voltage) est gale la valeur de crte de la tension du secondaire. Pour viter le claquage, la PIV doit tre infrieure la PIV limite de la diode. (Voir fiche signaltique)
PIV = U 2
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6.2.10 Exemple La tension efficace du secondaire d'un transformateur est de 24V. On alimente une rsistance de charge RL de 50 au travers d'un redresseur mono alternance. Calculer: a) La tension de crte entre les bornes RL. b) La tension moyenne aux bornes de RL. c) Le courant moyen traversant RL. d) Le courant moyen dans la diode. e) La PIV entre les bornes de la diode.
230V 50Hz
V1 point milieu
R charge
V2
Le point milieu est pris comme rfrence des tensions.
Lorsqu'on a une alternance positive sur V1, elle est ngative sur V2. Lorsqu'on a une alternance ngative sur V1, elle est positive sur V2.
La tension entre anode V2 et point milieu est en opposition de phase la tension ci-dessus.
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UL [V] UL aux bornes de RL
V1
V2
V1
V2
V1 t
6.3.2 Description 1er cas : Alternance positive sur V1 et alternance ngative sur V2.
2me cas Alternance ngative sur V1 et alternance positive sur V2. V1 est bloque et V2 conduit avec une chute de tension admise 0,7 V. La charge est alimente par un courant positif puls dont la frquence est double de celle du montage mono alternance. Avantage : Meilleur rendement, plus grande facilit de filtrage. Inconvnient : Ncessit d'utiliser un transformateur double secondaire plus coteux que le modle simple. 6.3.3 Valeur de crte La valeur de crte de la tension redresse est gale la moiti de la valeur de crte du secondaire du transformateur.
= U2 = U O 2
2 U 2eff 2
6.3.4 Valeur moyenne Pour le redresseur pleine onde, la valeur moyenne ou en courant continu du signal redress s'crit:
VCC = 2 U O
U 2
Cette tension moyenne permet de calculer le courant moyen ou courant continu de charge ICC:
I CC = VCC RL
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6.3.5 Courant limite des diodes Le courant moyen traversant la diode vaut la moiti du courant moyen de charge et doit tre infrieur au courant limite de la diode, not I0 dans les fiches signaltiques :
I0 = I CC 2
6.3.6 Tension inverse de crte La tension inverse de crte PIV (Peak Inverse Voltage) est gale la valeur de crte de la tension du secondaire. Pour viter le claquage, la PIV doit tre infrieure la PIV limite des diodes.(Voir fiche signaltique)
PIV = U 2
6.3.7 Exemple La tension efficace du secondaire d'un transformateur est de 24V. On alimente une rsistance de charge RL de 50 au travers d'un redresseur pleine onde. Calculer: a) La tension de crte entre les bornes RL. b) La tension moyenne aux bornes de RL. c) Le courant moyen traversant RL. d) Le courant moyen dans les diodes. e) La PIV entre les bornes des diodes.
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6.4.2 Montage diodes (pont de Graetz)
V1 V4
V2 V3 R
V1 U V4
V2
V3
Si nous prenons comme rfrence (0 V) le bas du secondaire du transformateur : 1er cas : Alternance positive Le courant s'tablit travers V2 - R - V4. V2 et V4 produisent une chute de tension admise 1,4 V.
V2 V4
V1 R
Le courant s'tablit travers V3 - R - V1. V3 et V1 produisent une chute de tension admise 1,4 V.
V3
Remarque : Le sens du courant dans R n'a pas chang d'une alternance l'autre. Le montage donne le mme rsultat que le systme double alternance 2 diodes mais en utilisant un transformateur secondaire simple.
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6.4.3 Diagramme des temps
U2eff [V]
UR [V]
1,4 [V] V2 + V4 V1 + V3 V2 + V4 V1 + V3 V2 + V4 t
ATTENTION : Ce montage n'a pas de point commun entre l'entre alternative et la sortie continue. Ceci est important lors de mesures l'oscilloscope. Les masses des 2 sondes doivent tre au mme potentiel. 6.4.4 Valeur de crte La valeur de crte de la tension redresse est gale la valeur de crte du secondaire du transformateur. =U = 2 U U O 2 2 eff 6.4.5 Valeur moyenne Pour le redresseur en pont, la valeur moyenne ou en courant continu du signal redress s'crit :
VCC = 2 U O
2 U 2
Cette tension moyenne permet de calculer le courant moyen ou courant continu de charge ICC :
V I CC = CC RL
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6.4.6 Courant limite des diodes Le courant moyen traversant la diode vaut la moiti du courant moyen de charge et doit tre infrieur au courant limite de la diode, not I0 dans les fiches signaltiques:
I0 = I CC 2
6.4.7 Tension inverse de crte La tension inverse de crte PIV (Peak Inverse Voltage) est gale la valeur de crte de la tension du secondaire. Pour viter le claquage, la PIV doit tre infrieure la PIV limite des diodes.(Voir fiche signaltique)
PIV = U 2
6.4.8 Exemple La tension efficace du secondaire d'un transformateur est de 24V. On alimente une rsistance de charge RL de 50 au travers d'un redresseur en pont. Calculer: a) La tension de crte entre les bornes RL. b) La tension moyenne aux bornes de RL. c) Le courant moyen traversant RL. d) Le courant moyen dans les diodes. e) La PIV entre les bornes des diodes. 6.4.9 Redresseurs en pont encapsuls Les redresseurs en pont se trouvent galement sous forme encapsule dans un botier hermtique.
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6.5 Comparaison
Demi-onde Nombre de diode Tension de crte de sortie 1
U 2
Pleine onde 2
U 2 2 U 2
Pont 4
U 2
U 2
2 U 2
ICC
U 2
I CC 2
U 2
I CC 2
U 2
50 Hz
100 Hz
100 Hz
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6.6.2 Tension continue obtenue
UL
6.6.3 Explications
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6.6.5 Tension continue obtenue
UL
6.6.6 Explication
6.6.7 Angle de conduction dune diode Pour les redresseurs pleine onde sans filtrage, langle de conduction de chaque diode est de 180 alors que pour ces mmes redresseurs avec condensateur en tte cet angle nest que de quelques degrs. Les diodes de ces montages ne conduisent que brivement prs de la crte pour recharger le condensateur et sont bloques tout le reste du cycle. 6.6.8 Calcul de londulation La tension dondulation aux bornes du condensateur est proportionnelle au courant continu de charge, inversement proportionnelle la capacit du condensateur et inversement proportionnelle la frquence dondulation ( frquence du secteur !)
U ond =
I f C
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6.7 Choix du condensateur
En analysant la relation ci-dessus, on se rend compte que plus la capacit de C est grande, plus la tension dondulation diminue. Malheureusement, le volume du condensateur augmente et il faudra donc trouver un compromis. Une mthode est la rgle des 10%, qui consiste choisir C de manire avoir une ondulation 10% de la valeur de crte. Cette valeur peut paratre grande, mais les montages tudis sont en principe suivis dun rgulateur de tension dont le but est dobtenir une grande stabilit de la tension indpendamment de la charge. 6.7.1 Courant limite I0 (Montage pleine onde) Le courant moyen ou continu circulant dans un condensateur tant nul, le calcul de I0 est:
I0 = I CC V U 2 = CC = 2 2 RL 4 RL
6.7.2 PIV Pour bien comprendre cette valeur prenons lexemple du redresseur demi-onde avec filtre condensateur en tte.
Le mme raisonnement peut tre fait pour les redresseurs pleine onde et en pont.
Pleine onde 2
U 2 2
Pont 4
U 2
ICC
2U 2
I CC 2
U 2
I CC 2
U 2
50 Hz
100 Hz
100 Hz
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6.8.1 Courant de surcharge Avant la mise sous tension, le condensateur de filtrage nest pas charg et ressemble donc un court-circuit. Le courant initial de charge est donc trs grand car la rsistance vue du condensateur est trs petite. (Rsistance de lenroulement et rsistance statique des diodes)
Dans le pire des cas, si la mise sous tension a lieu au moment o la tension secondaire vaut U 2 le courant de surcharge est maximum:
U 2 RTH
Si le condensateur est de valeur trs leve, il est possible que les diodes se dtruisent lors de la mise sous tension. Un moyen de limiter le courant de surcharge est dajouter une rsistance de surcharge selon le schma ci-dessous. Cependant leur prsence va diminuer la tension continue de charge. On peut galement remplacer cette rsistance par une NTC.
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6.9.2 Explication
En rajoutant des cellules en srie, il est possible dobtenir des tripleurs et des quadrupleurs de tension. Thoriquement il est possible dajouter indfiniment des cellules mais londulation deviendrait de plus en plus importante. 6.9.3 Tripleur de tension
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6.10 Exercices
6.10.1 Exercice Calculer la tension continue de charge, le courant continu de charge, le courant continu qui circule dans chaque diode et la PIV entre les bornes de chaque diode.
24VAC
220R
6.10.2 Exercice Calculer les tensions continues de charge, les courants continus de charge, le courant continu qui circule dans chaque diode et la PIV entre les bornes de chaque diode.
48VAC
R1 47R
R2 220R
6.10.3 Exercice Calculer la tension continue de charge, londulation de crte crte, le courant limite des diodes ainsi que la PIV si U2eff = 24 V RL = 400 C = 220 F
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6.10.4 Exercice Soit une alimentation fractionne. En raison de la mise la masse de la prise mdiane, les tensions de sorties sont gales et de polarits opposes. Supposer que la tension secondaire efficace est de 36 V et que les condensateurs ont une capacit de 1000 F, calculer les tensions continues des sorties, l'ondulation de crte crte et le courant Io limite minimal ainsi que la PIV limite minimale des diodes.
330R
330R
6.10.5 Exercice Calculer la tension idale de charge ainsi que la PIV aux bornes de chaque diode si U2eff = 9 V.
C1
V2
V1
C2
RL
6.10.6 Exercice Dcrire le fonctionnement du montage ci-dessous et donner la valeur de UL si la tension secondaire efficace est de 12 V.
V1
C1 RL C2
V2
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7. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
7.1 Principe physique
Le transistor bipolaire:
Associons ensemble trois plaques de silicium dopes pour avoir successivement : zone N - zone P - zone N et effectuons le branchement suivant :
Zone N Zone P Zone N lectrons lacunes
EMETTEUR E1
BASE
COLLECTEUR E2
Schma quivalent :
EMETTEUR BASE s E1 E2 COLLECTEUR
Situation 1 :
linterrupteur S est ouvert. Aucun courant ne circule entre les points appels "Base" et "Emetteur". La jonction dans le circuit form entre les bornes "Base" et "Collecteur" est polarise en inverse. Cette jonction est donc bloque. Il ne circule que le courant de fuite de quelques nanoampres.
Situation 2 :
linterrupteur S est ferm. Il suffit que la source E1 ait un potentiel lgrement suprieur la tension de seuil (0,7 V) et la diode Base - Emetteur conduit. Il stablit un mouvement ou courant dlectrons de lmetteur vers la base. Ceci correspond un sens conventionnel du courant lectrique de base vers lmetteur. Cest ici quapparat leffet transistor. La zone P de base a une paisseur extrmement faible. Lorsque le courant d'lectrons s'tablit de l'metteur vers la base, on ne voit pas apparatre la base la totalit des lectrons partis de l'metteur. L'explication est la suivante :
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Le transistor bipolaire:
Lorsque les lectrons arrivent dans la zone de base, cette dernire tant trs mince, ils sont attirs par la tension positive de collecteur plus leve que la tension de base. Ils traversent la zone base collecteur qui est pour eux une diode en inverse et se retrouvent au collecteur.
On rcolte ainsi au minimum 98 % des lectrons partis de l'metteur sur le collecteur et au maximum 2 % de ces lectrons sur la base. Ceci se traduit par le schma ci-dessous :
En gnral, on considre
Collecteur = C Base = B
Emetteur = E
E Analogie diodes
Transistor NPN
Malgr la symtrie apparente sur le schma quivalent diodes entre le collecteur et l'metteur, on ne peut pas croiser ces deux bornes. Le collecteur a la plus grande tension ses bornes et la puissance qu'il doit dissiper est importante (P = U I). Il a une grande surface pour cela. L'metteur a une faible tension ses bornes et pour un courant sensiblement gal celui du collecteur, la puissance dissipe est beaucoup plus faible. Sa surface est faible. A noter que la flche sur la borne metteur indique le sens direct de la diode base metteur.
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7.3 Schma lectrique
Le transistor bipolaire:
Le montage ci-dessous est un montage de principe lmentaire du transistor NPN avec sens conventionnel des courants.
IC IB UCE VB UBE IE VCC
IE = IB + IC
Si UB est infrieure 0,4 V, il n'y aura pas de courant IB, donc pas de courant IC car IC dpend de IB C'est le courant IB qui commande le courant IC ou Un petit courant d'entre (IB) commande un grand courant de sortie (IC)
Canal principal en haut Canal principal en bas Canal latral Poids du clapet - contrepoids sur levier
: comparable au collecteur : comparable l'metteur : comparable la base : comparable la tension de seuil de 0,7 V
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Le transistor bipolaire:
Fonctionnement : En l'absence de dbit latral, le dbit principal ne peut s'tablir. Ds que le liquide est prsent dans le canal latral avec une pression suffisante (analogue au seuil), il peut pousser le volet de fermeture du canal principal. Plus la pression du canal latral sera forte donc plus le dbit de ce dernier sera important et plus le dbit du canal principal sera important (jusqu'au dbit maximum). Il y a une proportion entre le dbit du canal latral (base) et le dbit du canal principal (collecteur). Le dbit total se retrouve dans le canal principal en aval du volet de commande (c'est la zone de l'metteur).
Zone P
Zone N
Zone P lectrons
lacunes
EMETTEUR E1
BASE
COLLECTEUR E2
Le comportement physique est similaire celui du transistor NPN avec les diffrences suivantes :
Nous avons affaire un courant de trous (charges positives) au lieu d'un courant d'lectrons (charges ngatives) Les polarits des alimentations sont inverses. C'est cette fois le ple ngatif de E2 qui attire les trous de l'metteur vers le collecteur. Le sens physique du mouvement des charges correspond au sens conventionnel du courant.
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Les mmes proportions de courant sont respectes. 7.5.3 Symbole graphique
Le transistor bipolaire:
C Collecteur = C Base = B B
Emetteur = E
E Analogie
Transistor PNP
La flche sur la borne metteur indique le sens de la diode base metteur. 7.5.4 Schma lectrique
Les mmes remarques que pour le transistor NPN s'appliquent au transistor PNP.
(bta) hFE que l'on trouvera plus couramment dans les catalogues de donnes techniques.
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=
98 = 49 2
Le transistor bipolaire:
ce qui donne 50 < < 500 On trouve dans la gamme commerciale entre 20 et 900. Ce qui signifie que IC peut tre 20 fois (transistors de forte puissance) 900 fois (transistors petits signaux) suprieur IB. Un autre paramtre se note (alpha)
IC IE
Cela signifie que pour 100% des lectrons partant de l'metteur, 98% 99,8% se retrouvent au collecteur.
Mesure de UCE
VCC
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Le transistor bipolaire:
Chaque courbe correspond un courant IB maintenu constant pendant la mesure. On constate qu' partir de 2 V et jusqu' 30 V dans notre exemple, IC dpend peu de UCE mais se trouve dans un rapport = 100 par rapport IB. C'est la zone d'amplification. On distingue galement une zone de saturation pour UCE = 0 2 V. C'est une zone comportement rsistif : La tension UCE doit vaincre la rsistance du silicium avant d'atteindre le courant IC impos par IB .
Enfin, une troisime zone, dite zone de claquage. Si la tension UCE dpasse la tension maximum admissible entre collecteur et metteur, on a, comme dans une diode en inverse, une brutale augmentation du courant entranant la destruction du transistor si elle n'est pas contrle. Il faut bien choisir le transistor en fonction de l'application pour ne pas atteindre cette zone.
7.7.2 Le courant IB en fonction de la tension base metteur UBE 7.7.2.1 Schma du montage de mesure
A V
C'est la mesure de la caractristique de diode base metteur analogue la caractristique directe d'une diode au silicium
IMPORTANT : il est retenir que la diode base metteur d'un transistor ne supporte pas de grandes tensions inverses. La tension de claquage se situe vers -5 V -20 V.
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Le transistor bipolaire:
V1
Ceci entrane une nouvelle diminution du seuil UBE . C'est l'emballement thermique d au coefficient de temprature ngatif des semi-conducteurs au silicium et au germanium. Cet emballement peut entraner la destruction du transistor si aucune disposition n'est prise dans le montage.
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7.9 Test statique d'un transistor
Le transistor bipolaire:
Le test peut se faire l'aide d'un ohmmtre ou mieux avec un vibreur lectronique ou la position "test diode" d'un multimtre numrique. Le courant dlivr par l'appareil ne doit pas dpasser quelques dizaines de microampres. 7.9.1 Test du transistor NPN
BEEP
R IE N
+ + + -
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7.10 Identification des bornes
Le transistor bipolaire:
Le montage dans un circuit ou le test du transistor ne peut se faire si l'on ne peut identifier les bornes de base, collecteur et metteur. Le meilleur moyen d'identifier un transistor est de disposer du livre de donnes techniques d'un fabricant ou d'un lexique international. Les botiers les plus courants figurent ci-aprs. 7.10.1 Les botiers mtalliques
Attention : le collecteur des transistors botier mtallique est reli au botier. Un contact entre ce dernier et le chssis ou un point la masse provoque un court-circuit.
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7.10.2 Les botiers plastiques
Le transistor bipolaire:
Attention : Les ailettes ou surfaces mtalliques de fixation des transistors de puissance en botiers plastiques sont relies au collecteur. Une fixation non isole sur le chssis provoque un court-circuit.
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7.11 Exercices
Le transistor bipolaire:
7.11.1 Exercice Supposer que seulement 2 % des lectrons injects dans l'metteur d'un transistor se recombinent avec les trous de la base et qu'un million d'lectrons pntrent dans l'metteur par ms. Calculer le nombre d'lectrons qui sortent par ms, par le conducteur de la base et par celui du collecteur ?
7.11.2 Exercice Le gain type hFE d'un transistor 2N 3298 est de 90. Supposez un courant d'metteur IE de 10mA. Calculer IC et IB
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Polarisation et amplification :
8. Polarisation et amplification
8.1 Dfinition
8.1.1 Polarisation Polariser un transistor, c'est placer les composants ncessaires pour le prparer amplifier des signaux variables. La polarisation impose au transistor les valeurs de courant et de tension en continu. 8.1.2 Amplification Un signal plac l'entre du transistor (base) va se retrouver la sortie (gnralement collecteur) avec une amplitude plus grande mais en conservant sa forme. Si le signal est dform, on dit qu'il y a distorsion. L'amplification peut se faire en courant ou en tension.
RB IB
On connat hFE (ou ) du transistor = 100 UBE = 0,7 V On dsire au repos faire circuler un courant de 100 mA dans le collecteur du transistor. On a donc un courant de 100 mA dans RL. La tension aux bornes de RL vaut : UL = RL IC = 60 0,1 = 6 V Ne pas oublier que le courant de collecteur est la consquence du courant de base. Sachant que IC vaut 0,1 A et que hFE vaut 100, alors IB vaut :
I I = C = 1 10 3 = 1 mA B h FE
08 TRANSPOL_04/ 4 JUILLET 2006
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Si UBE = 0,7 V, la tension aux bornes de RB vaut URB = VCC - UBE = 12 - 0,7 = 11,3 V Donc, nous obtenons RB
RB = U RB 11,3 = = 11,3 103 = 11,3k IB 1 10 3
Polarisation et amplification :
En rsum : Notre transistor est polaris. Un courant de 1 mA la base impose un courant de 100 mA au collecteur. La tension est de 6 V aux bornes de RL, elle peut varier entre 0 et 12 V et le courant entre 0 et 200 mA. La situation du transistor polaris (100 mA et 6 V) est une situation d'attente des signaux variables en entre.
8.3 Amplification
8.3.1 Schma
VCC +12 V RL 60
Nous avons ajout notre schma de base polaris un condensateur CB. Ce condensateur CB permet de transmettre la base du transistor un signal variable qui s'ajoute la polarisation. D'autre part, CB vite que le courant continu de polarisation soit partiellement absorb par le gnrateur de signaux variables.
RB CB
Il ajoute des lectrons la base, le courant IB augmente donc IC = IB hFE augmente de faon plus importante (multiplication de l'augmentation de IB par hFE) et la puissance dans RL augmente.
Si le signal d'entre diminue : Il y a moins d'lectrons la base, le courant IB diminue et la puissance dans RL diminue.
Si IB Si IB
, IC , IC
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8.4 La polarisation en tension
VCC +12 V RL 60 UL IC IB UCE UBE Condition pour la stabilit du montage :
Polarisation et amplification :
R1 IP R2
Dans ce cas, c'est un pont diviseur form par R1 et R2 qui impose une tension constante de l'ordre de 0,7 V sur la base du transistor. Le courant IB rgl par R1 et R2 commande le courant IC.
Le prlvement par le transistor du courant IB ne doit pas influencer la tension du pont diviseur dans de grandes proportions. On prendra IP = 10 20 fois IB Si on reprend les mmes donnes que prcdemment, soit IC hFE IB UL UBE = 100 mA = 100 = 1 mA = UCE = 6 V = 0,7 V
= 60 RL Alors nous pouvons calculer R1 et R2 a) Calcul de R2 Le courant dans R2 sera pris 15 fois IB soit 15 mA La tension UR2 = UBE = 0,7 V Donc : R2 =
0,7 U BE = = 46,7 15 10 3 IP
b) Calcul de R1 Le courant dans R1 sera IP + IB soit 16 mA La tension aux bornes de R1 sera VCC-UBE = 12 - 0,7 = 11,3 V Donc : R1 =
11,3 U R1 = = 706,3 I R1 16 10 3
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8.5 L'amplification
Polarisation et amplification :
Si on impose une faible variation de UBE par Ue travers CB (CB conserve le mme rle que pour l'amplification en courant), on va retrouver une forte variation de US.
VCC +12 V R1 RL IC CC
CB
Ue
UCE R2
US
a) Si Ue augmente
UBE augmente IB augmente IC augmente (IC = IB hFE) UL augmente car le courant a augment dans RL (UL = RL IC) UCE diminue de la valeur dont UL a augment, car tout instant VCC = 12 V = UL + UCE, donc si l'une augmente, l'autre diminue et vice versa. La tension US diminue d'une valeur absolue suprieure l'augmentation de Ue. C'est l'amplification en tension.
Remarque : Le condensateur CC ne laisse passer que les variations du collecteur sur la sortie US. La composante continue de polarisation de 6 V n'apparat pas sur US. On n'y retrouve que le signal d'entre amplifi. b) Si Ue diminue UBE diminue
IB diminue IC diminue Ul diminue (le courant diminue dans RL) UCE augmente de la valeur dont UL a diminu La tension Us augmente d'une valeur absolue suprieure la diminution de Ue
Il est noter que le signal de sortie est en opposition de phase par rapport au signal d'entre (dphasage de 180). Ceci est caractristique ce montage appel metteur commun, car l'metteur est la masse et sert de point de rfrence aux autres bornes du transistor. C'est le montage le plus rpandu.
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VCC +12 V
Polarisation et amplification :
R1 Ue CB V R2
RC US Ue
R1
RC US P
V R2
Le transistor agit comme une rsistance qui varie en fonction du signal d'entre Ue. Ceci lui a valu son nom car TRANSISTOR est la contraction de TRANSFER RESISTOR ou rsistance de transfert. Un signal d'entre agissant sur la rsistance de passage d'un transistor dtermine le signal de sortie. La rsistance variable du transistor assure le transfert de l'entre vers la sortie. De mme en hydraulique, le transistor correspond un robinet commandant un dbit important command par la poigne du robinet correspondant la base. Cette poigne peut tre remplace par un systme pistons agissant la faible pression d'une source hydraulique extrieure au circuit principal.
CB Ue
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Polarisation et amplification :
RE stabilise le montage en cas de variation de temprature. Si la temprature augmente : La tension au UBE a tendance diminuer. Le courant de base, donc de collecteur va augmenter. Le courant d'metteur IE = IB + IC augmente. Dans ce cas, la chute de tension dans RE augmente, ce qui a pour effet de remonter la tension en E.
Ceci a pour effet de compenser la tendance de UBE diminuer en stabilisant IB et le fonctionnement du montage.
1 1 RE est prise de telle faon que U E = VCC 3 10 CE court-circuite la masse les variations du signal d'entre Ue. Le potentiel au point E est stable (niveau continu). Les variations de Ue ne se rpercutent qu'au collecteur.
8.8 Exercices
8.8.1 Exercice On dsire UCE = 6 V, IC = 3,6 mA avec VCC = 12 V et un transistor polaris par un courant de base dont le gain hFE = 80.
UBE IP
= - 0,7 V = 20 IB
Calculer UEC et IC ?
R2 18k
R4 4k7
0V
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8.8.3 Exercice polarisation
VCC
Polarisation et amplification :
Calculer
R1 10k IP IB R3 1k
R2 22k
R4 3k9
E2 5V
E1 20 V
V1
Si V1 et V2 ont une chute de tension UBE = 0,7 V et un gain en courant = 100, calculer le courant IC2 et la tension UCE2.
6V2
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8.8.6 Exercice NPN PNP
Polarisation et amplification :
8.8.7 Exercice
V2 RL + E1 12 V V1 5V6 R1 2k 100R UL
sans avec
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Le transistor en commutation :
9. LE TRANSISTOR EN COMMUTATION
9.1 Gnralits
L'utilisation du transistor en tant qu'interrupteur est une de ses applications principales en lectronique industrielle. Dans cette situation, il n'y a que deux tats de fonctionnement :
Le transistor ne conduit pas. C'est l'tat bloqu. Il correspond un interrupteur ouvert. Le courant de base est nul donc : IC = 0
Le transistor conduit totalement. C'est l'tat satur. Il correspond un interrupteur ferm. Il existe une chute de tension de l'ordre de 0,1 V 0,4 V entre metteur et collecteur du transistor. C'est la tension de saturation due la rsistance du silicium.
VCC VCC Lampe allume UCE = 0,1 0,4 V
VCC RB UCE = VCC Condition de blocage : Il suffit que UBE 0,4 V Lampe teinte
VCC
RB
IB IC / UBE = 0,7 V
Condition de saturation :
On qualifie galement ce montage de "tout ou rien". Le transistor conduit totalement ou ne conduit pas. Les avantages du transistor sur l'interrupteur sont les suivants :
fonctionnement statique - pas de pices en mouvement grande vitesse de commutation, peut fonctionner dans le domaine des MHz ce qui est impossible pour un interrupteur mcanique dure de vie pratiquement infinie pas de rebonds car il n'y a plus de contacts.
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Le transistor en commutation :
L'interrupteur dessin sur le schma de principe ne sera bien sr que peu utilis en pratique. Dans nombre d'applications, la base du transistor recevra un signal provenant d'un circuit numrique (travaillant avec des niveaux 1 ou 0 c'est--dire VCC ou masse). En hydraulique, le transistor en commutation devient comparable une vanne 2 positions (position ouverte et position ferme).
9.2 L'inverseur
VCC La RB +12V 12V 2,4W US Circuit logique UE
1er cas : Interrupteur ouvert = transistor satur. Le transistor est aliment par VCC travers RB On connat La 12 V / 2,4 W RLa = 60 hFE = = 100 UCEsat = 0,1 V En conduction, la lampe laisse passer un courant IC de 200 mA. Elle est allume. Ceci permet de dduire IB minimum pour saturer le transistor.
Etant donn la large plage de hFE et les diffrences entre plusieurs transistors ayant la mme rfrence, on assure en prenant
IB = IC = 20 mA 10
On est ainsi certain que le transistor sera bien satur, mme si on effectue un remplacement en dpannage. Dans notre cas : URB = VCC - UBE = 12 - 0,7 = 11,3 V
RB =
Dans ce cas, le transistor conduit totalement et US = UCEsat = 0,1 V Cette valeur peut-tre nglige et on admet US = 0 V On appellera niveau logique 1
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On appellera niveau logique 0
Le transistor en commutation :
ct base UBE 0,4 V ct collecteur UCE = UCEsat (0,1 0,4 V)
Dans notre cas Le niveau logique d'entre est 1 (UBE = 0,7 V) Le niveau logique de sortie est 0 (UCE = 0,1 V) Le systme fonctionne donc bien en inverseur 2me cas : Interrupteur ferm = transistor bloqu UBE = 0 V aucun courant de base IC = 0 A la lampe est teinte L'espace collecteur - metteur du transistor est un interrupteur ouvert US = VCC = 12 V On a donc : niveau logique d'entre = 0 (UBE = 0 V) niveau logique de sortie = 1 (US = VCC) Le systme fonctionne en inverseur. Remarque : Dans le cas o une tension ngative infrieure -5 V peut apparatre sur la base du transistor, il faudra protger ce dernier par la diode V2. Si la charge de collecteur est inductive il faudra protger le transistor contre les surtensions par la diode V3 (Diode de roue libre).
VCC RB
+12V V3
V1 V2
Remarque :
Lorsqu'il est bloqu, le transistor ne dissipe pas de puissance. Lorsqu'il est satur, le transistor ne s'chauffe pratiquement pas car la tension collecteur (entre 0,1 et 0,4 V) est faible. Le produit U I = P reste faible, par contre pendant les transitions d'un tat un autre, la puissance dissipe est plus importante mais ces commutations sont rapides.
A frquence faible, la puissance dissipe est ngligeable. La puissance dissipe augmente quand la frquence de commutation augmente et elle peut devenir importante. L'chauffement du transistor n'est plus ngligeable et il doit tre mont sur refroidisseur si ncessaire.
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9.3 Le transistor Darlington
Le transistor en commutation :
Le Darlington peut tre considr comme le super amplificateur de courant. Les fabricants de transistors montent deux transistors connects en paire selon schma ci-aprs dans un seul botier de transistor.
B B
E Modle NPN
C Modle PNP
Le premier transistor est un modle faible puissance avec un gain en courant lev. Le deuxime transistor est gnralement un modle de puissance avec un gain en courant plus faible et pouvant conduire un courant important. On peut galement raliser ce montage avec deux transistors spars.
9.3.1 Fonctionnement
VCC RS P IB1
+12V IC V1
IB2 R2
V2
R1
Commande Puissance
M =
Dans ce montage, un potentiomtre fournit un faible courant la base de V1. Aprs double amplification, le courant fourni par l'metteur de V2 alimente un moteur courant continu consommant un courant lev.
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Le transistor en commutation :
Sachant que UBEV1 = 0,7 V et UBEV2 = 0,7 V, la chute de tension entre le point milieu du potentiomtre et le moteur sera de 1,4 V. Ce systme permet donc de rgler la vitesse du moteur en lui imposant une tension rglable. Regardons de plus prs l'tage Darlington : Le courant fourni par le potentiomtre au transistor V1 sera IB1.
A l'metteur de V1, on admet IC1 = IE1 car IB << IC. IE1 = IB1 hFE1 = IB2.
A l'metteur de V2, en admettant la mme simplification : IE2 = IB2 hFE2 mais comme IB2 = IB1 hFE1. IE2 = IB1 hFE1 hFE2.
Le courant d'entre est multipli par le produit des gains en courant de chaque transistor du Darlington. On trouvera ainsi des gains de 2'000 20'000 pour les transistors Darlington disponibles sur le march.
Rle de RS : scurit, vite d'appliquer directement VCC sur la base de V1 si le potentiomtre est au maximum suprieur. Rle de R1 et R2 : au blocage, quilibrage des potentiels, principalement entre V1 et V2.
9.3.2 Exemple
VCC
IB1=2 mA
V1
IC2 = ? IB2=0,2A
V2 R1 R2
IR2 = 10 mA
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IE1 IE1 Dans ce cas IC1 IC1 = IE1 - IB1 = 210 - 2 = 208 mA = IB2 + IR2 = 200 + 10 = 210 mA
Le transistor en commutation :
Calculons hFE2. IC2 = I - IC1 = 10 - 0,208 = 9,79 A hFE2 = IC2 / IB2 = Calculons hFE1 hFE1 =
I C1 208 = =104 100 2 I B1
9.79 = 48.96 50 0,2
Gain en courant total de l'tage Darlington hFETOT = hFE1 hFE2 = 100 50 = 5000 Remarque : On peut galement calculer le gain en courant total de l'tage Darlington :
10 IC2 = = 5000 IB1 2 10 3 hFETOT = hFE1 hFE2
hFETOT =
Donc hFE1 = hFETOT / hFE2 = 5000 / 50 = 100 Calculons IC1 IC1 = IE1 - IB1 IE1 = IR2 + IB2 = 0,2 + 10 10-3 = 0,21 A = 210 mA IB1 = 2 mA IC1 = 210 - 2 = 208 mA = 0,208 A Remarque : Lorsque le transistor Darlington conduit en saturation, il y a une chute de tension minimum de 1 1,4 V aux bornes collecteur - metteur de V2 (UBE1 + UBE2).
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9.4 Exercices
9.4.1 Exercice Darlington
Le transistor en commutation :
VCC = 10 V +5V V1
V2
b) Si 2 = 150, calculer le courant de collecteur approximatif de V1. c) Si 1 = 100 et 2 = 150, calculer le courant de base de V1.
RE 100R
VBB
b) VBB = 10 V
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Si N Si P
Si N Si P
Vue en coupe
On raccorde les deux extrmits du cylindre une source de tension, l'anneau extrieur n'est pas aliment.
I D Flux d'lectrons S E
Un courant d'lectrons prend naissance et s'tablit du bas vers le haut du barreau, ce qui correspond un sens inverse du courant lectrique. Le barreau se comporte comme une rsistance (rsistivit du silicium dop) et offre un canal au passage des lectrons. Nous appellerons la borne suprieure DRAIN, la borne infrieure SOURCE et la zone conductrice du silicium CANAL.
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Drain Grille
La borne de raccordement de l'anneau s'appellera GRILLE (en anglais : GATE). La jonction Grille - Canal constitue une diode qui est polarise en inverse par la tension Grille Source. Le courant de grille est nul (tout au plus une fuite de quelques nA).
Source
Par contre la tension de grille ngative repousse les lectrons ce qui a pour effet de rtrcir le canal, donc d'en augmenter la rsistance et finalement diminuer le courant drain source.
D
D
G
G S
D G pincement total S
Si la tension ngative devient plus importante, on va avoir le pincement total du canal et le courant ID devient nul. C'est donc bien l'effet du champ lectrique de la tension de grille qui va rgler le courant de drain, donc la rsistance du canal. Contrairement au transistor bipolaire, il n'y a pas de puissance de commande.
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Le substrat et la grille, de mmes polarits, sont relis lectriquement. Ce type de transistor s'appelle J FET (Junction FET) transistor effet de champ jonction car il existe une jonction formant une diode entre la grille et le canal. Le symbole est le suivant :
D G S JFET canal N G
D S JFET canal P
Il existe un J FET canal P c'est--dire que le canal est du silicium dop P, la grille est du silicium dop N. On l'alimente avec une polarit ngative sur le drain et positive sur la grille. Remarque : Dans le cas d'un J FET canal N, une tension positive sur la grille cre un courant grille - source non dsir et dangereux pour le transistor. Cette situation ne doit pas se produire. De mme il ne faut pas appliquer de tension ngative sur la grille d'un J FET canal P.
R
Membrane souple Pression extrieure variable
U
D
0
t
G S
Le J FET est l'quivalent d'une membrane souple fermant plus ou moins le passage du liquide dans le circuit principal, permettant ainsi de rgler le dbit. Le liquide de commande est totalement indpendant du circuit principal montrant ainsi la trs grande rsistance qui existe entre la grille et le canal.
L'absence de pression laissera le dbit maximum s'couler librement. Une forte pression va fermer le circuit principal, il n'y aura plus de dbit.
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Ces caractristiques ressemblent beaucoup celles du transistor. Il faut cependant noter que c'est la tension entre grille et source VGS qui dtermine le courant ID. Il est important de constater que lorsque le J FET conduit plein canal (VGS = 0), le courant maximum est limit une valeur finie, par exemple 10 mA dans notre exemple. Il n'y a pas de situation de court-circuit comme dans le transistor bipolaire. Pour une tension grille de -4 V dans notre exemple, le canal est pinc, le J FET est bloqu. ID = 0.
VCC +12V RD
Ue
RG 1
Rs
Cs
Us
La rsistance d'entre d'un J FET entre grille et source est de plusieurs centaines de M (diode en inverse). La rsistance RG, gnralement prise vers 1 M a pour but de fixer le potentiel de la grille 0 V en l'absence de signal d'entre. Dans ces conditions, pour que la grille apparaisse un potentiel ngatif par rapport la source, il suffit de donner la source un potentiel positif. C'est le rle de RS.
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Si par exemple RS provoque une chute de tension de 2 V en l'absence de signal d'entre, la source est + 2 V. Mais si la source est prise en rfrence, on voit la grille - 2 V. Ceci vite d'avoir utiliser une deuxime source. A noter que le J FET dphase de 180 le signal amplifi comme l'amplificateur transistor bipolaire mais le gain en tension avec un J FET est plus modeste (de 5 20). Le J FET est intressant lorsque le signal amplifier ne peut fournir un courant suffisant pour commander un transistor bipolaire. Le J FET est employ en instrumentation pour les appareils de mesure ne devant pas influencer le signal mesurer. On le trouve essentiellement dans les circuits intgrs linaires (A.O.)
Lorsque VGS = 0 V, le courant drain - source est son maximum, le transistor J FET est satur, il est quivalent un interrupteur ferm. Lorsque VGS est suffisamment ngatif pour pincer le canal, le transistor J FET est bloqu, il est quivalent un interrupteur ouvert. En gnral, on applique sur la grille une tension un peu plus ngative que la tension VGS donnant ID = 0, ceci pour garantir le blocage du J FET.
10.7.1 Rsistance du J FET en saturation Lorsque le J FET est satur, ce n'est pas un interrupteur ferm parfait car il prsente une faible rsistance au passage du courant ID. Cette rsistance est note rDS(ON), elle peut varier de quelques ohms quelques centaines d'ohms pour les J FET standard. rDS(ON) peut se mesurer avec un ohmmtre de la faon suivante :
Placer la pointe de contrle positive sur la borne Drain du J FET (canal N) Placer la pointe de contrle ngative sur les bornes Grille et Source groupes (par grippe - fil par exemple) Les polarits sont inverses pour un J FET canal P
Entre
Sortie
Entre
Sortie
Tension de commande
RDS(ON)
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Principe :
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Si le J FET est bloqu : le signal variable de l'entre se retrouve en sortie Si le J FET conduit : le signal variable de l'entre n'est plus prsent la sortie condition que RD >> rDS(ON)
Entre
Sortie
Entre
RDS(ON)
Sortie
R Tension de commande
Principe :
Si le J FET est bloqu : le signal variable d'entre n'est pas transmis la sortie. Si le J FET conduit : le signal variable d'entre se retrouve en sortie condition que RD >> rDS(ON)
Remarque : Ces deux montages sont aussi appels "interrupteurs analogiques" (analog switches) et existent en circuits intgrs pour transmettre ou non des signaux variables. 10.7.4 Le J FET en limiteur de courant
Vcc
Lorsque la grille est relie la source (VGS = 0), le J FET laissera passer un courant ne pouvant dpasser le courant maximum drain source IDSS.
R charge
Exemple : Selon le schma ci-dessus, admettons que la charge absorbe un courant de 1 mA. Le transistor J FET a pour caractristique rDS(ON) = 180 et son courant max. IDSS = 10 mA. En condition normales de fonctionnement, il provoque une chute de tension de
UJ FET = IDSS rDS(ON) = 180110-3 = 0,18 V Si maintenant la charge prsente un court-circuit accidentel : Le courant est alors limit 10 mA par le J FET. Ce dernier se comporte en source de courant (I = constante quelle que soit la valeur de R charge). On trouve dans le commerce des J FET avec grille relie la source (et n'ayant donc que deux bornes) sous l'appellation "Diodes rgulatrices de courant".
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Application :
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Le J FET BF 245 B a un courant IDSS compris entre 6 et 13 mA. Il peut donc tre utilis pour contrler le courant dans une LED sans se soucier de VCC (variations sans effet si VCC >3 V). Ceci donne le schma suivant :
Vcc 5V .... 25V BF245B
LED
a) En l'absence de tension de grille, il n'y a pas de canal donc pas de courant drain source. b) Si on applique une tension positive sur la grille : Cette tension attire les charges de signe oppos, c'est--dire les lectrons compris entre la zone Si N de drain et la zone Si N de source.
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L'espace MOS travaille comme un condensateur :
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La grille est l'armature positive. Le dioxyde de silicium est le dilectrique. Le silicium P forme l'armature ngative.
L'accumulation d'lectrons sous la grille va former une zone Si N (inversion de la polarit de dopage). Cette nouvelle zone Si N est le canal conducteur entre drain et source. Si on coupe l'alimentation de grille, le canal disparat et le transistor est bloqu. Inconvnient : Il faudra atteindre une certaine tension de grille avant d'obtenir un canal. Les MOSFET enrichissement ont donc un seuil qui varie de 0,8 V 6 V selon les modles. Attention : La couche d'isolant sous la grille a une paisseur de quelques microns. Cette couche est facilement transperce par des dcharges statiques lors de manipulations. Le MOSFET est dtruit. Il existe de nombreux modles protgs par diodes. Pour les autres, les prcautions suivantes doivent tre prises :
Stocker ces transistors avec l'emballage ou la protection d'origine. Les dballer et les manipuler en dehors des zones charges statiques, sur plaques conductrices relies la terre. Utiliser un fer souder avec protection antistatique, antimagntique et mise la terre. Ne retirer les ventuelles bagues de protection qu'aprs soudage.
D C C = botier (Case) G S G S
D C
MOSFET canal N
10.8.3 Caractristique du MOSFET Canal N
UGS = +15 V
MOSFET canal P
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Cet exemple montre un seuil de 4 V et une possibilit de commander un courant de 16 A avec une tension d'entre de 15 V. En effet, les MOSFET en tant que transistor sont surtout disponibles dans la gamme des transistors de puissance. On les trouve en catalogue sous l'appellation POWER MOSFET pour des courants allant jusqu' plus de 100 A.
10.8.4 Structure des POWER MOSFET Technologie TMOS et HEXFET
Remarque : une jonction diode existe entre source + Substrat et Drain. On l'appelle diode intrinsque. Elle est utile car elle joue le rle de diode de protection si la tension drain source devient trop grande (conduction par effet d'avalanche).
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10.8.5 Avantages et inconvnients des POWER MOSFET 10.8.5.1 Avantages : Rsistance d'entre considre infinie (condensateur grille - source)
Lgret de la commande (prix et puissance) Tension rsiduelle drain - source en saturation ngligeable car RDSON trs faible (jusqu' 14 m). RDSON ID reste faible en basse tension (jusqu' environ 60 V) Faibles pertes de commutation (commutation trs rapide) Coefficient de temprature positif : on peut monter en parallle plusieurs POWER MOSFET pour augmenter le courant command. Trs dlicat avec des transistors de puissance bipolaires en raison de leur coefficient de temprature ngatif.
10.8.5.2 Inconvnients : Sensibilit aux charges statiques sur la grille (pour UGS >20 V)
En mode linaire, prcautions prendre pour vacuer la puissance dissipe Pertes de conduction leves pour les modles haute tension (RDSON crot environ au carr de la tension de blocage)
Ce transistor sert d'adaptateur de commande entre le circuit logique et le relais sous +12 V ou +24 V. Une diode intrinsque existe naturellement entre source et drain (substrat reli la source de polarit P et Drain de polarit N). Cette diode se comporte comme une diode Zener et protge le transistor contre d'ventuelles surtensions entre drain et source.
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+12V
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V1
Circuit logique de commande
Us 230V
V2
Le circuit logique de commande provoque la conduction alterne de V1 et V2 une frquence de 50 Hz. On obtient 230 VAC / 50 Hz au secondaire. L'augmentation de puissance est possible en branchant deux autres transistors en parallle sur V1 et sur V2.
Protection en surintensit
10.9.2 Symbole
Collector (Collecteur) Gate (Grille) Emitter (Emetteur)
10 FET_04/ 4 JUILLET 2006
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10.9.4 Proprits similaires au transistor bipolaire Tension collecteur - metteur de saturation peu dpendante du courant de collecteur. Pas de RDS(ON) augmentant avec la temprature.
Pas de diode interne. (Certains fabriquants ajoutent cette diode dans le mme botier)
10.9.5 Qualits de l'IGBT Impdance d'entre leve. Circuit de commande simple et bon march.
Possibilit d'tre enclench et dclench contrairement au thyristor. Trs grands courants IC. ( 500 A) VCESAT 3 V Grande tension collecteur - metteur ( 1700V) Commutation trs rapide ( 40ns) Protg contre les surintensits
10.9.6 Avantages de l'IGBT sur le transistor MOSFET VCE plus lev en mode bloqu
IC plus lev en mode satur Prix plus bas Pertes par effet Joule plus petites
10.9.8 Applications de l'IGBT Le transistor IGBT a t conu pour travailler en mode tout ou rien (satur ou bloqu) et les fabriquants dconseillent son utilisation en amplificateur linaire.
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10.10 Exercices
10.10.1 Exercice Soit le schma ci-dessous :
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+15V RD
RG
RS
La tension UGS = -2 V
RS = 220
On dsire polariser ce transistor JFET de faon obtenir UDS au repos : 8 V. L'impdance d'entre doit tre de 1 M. Calculer les valeurs de RG et RD.
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10.10.2 Exercice
Vi Vo
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VCommande
1k8
La rsistance RDSON du JFET V1 est de 200 . Sachant que Vi = 50 mV, calculer VO lorsque Vcommande est nulle. Que vaut VO si Vcommande est plus ngative que VGS blocage ?
10.10.3 Exercice
2K7 Vi Vo
La rsistance RDSON du JFET V1 est de 150 . Sachant que Vi = 50 mV, calculer VO lorsque Vcommande est nulle. Que vaut VO si Vcommande est plus ngative que VGS blocage ?
V commande
10.10.4 Exercice Un MOSFET a un courant de fuite de grille de 20 pA pour une tension grille source de 10 V.
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P UD
} }
N } P
N
ID
ID
IH 0
B A UH UF
De 0 A : la jonction centrale est bloque. Le courant ID est faible et correspond au courant de fuite de la diode bloque. Au point A : la diode centrale part en avalanche et devient conductrice. On appelle ce point la tension de retournement. De A B : le courant augmente et la tension diminue, on se trouve dans une zone rsistance dynamique ngative. A partir du point B : on a l'effet des deux diodes en direct. Le courant augmente quand UD augmente. Lorsque la tension diminue, on suit la mme courbe jusqu'au point B. Au point B : on atteint un point caractristique, appel point de maintien (indice H pour Hold) si le courant descend en dessous de IH, ou en dessous de UH on repasse immdiatement au point 0 et le systme est de nouveau bloqu.
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N P N K
En l'absence de courant de gchette, le comportement est identique l'exemple prcdent. Une impulsion de courant sur la gchette fait conduire le thyristor avant qu'il ait atteint la tension de retournement. Le courant est limit par la charge extrieure. Lorsqu'il est conducteur, le thyristor provoque une chute de tension d'environ 1 V entre anode et cathode. Une fois amorc, le thyristor reste conducteur. Il agit comme une mmoire, la gchette n'a plus aucune influence. Pour dsamorcer le thyristor, il est ncessaire :
soit de descendre le courant en dessous de IH soit de rendre la tension ses bornes < UH
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11.2.2 Modle relais du thyristor
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R G A
Bobine 2
En appuyant sur le poussoir de gchette, l'enroulement grande rsistance du relais provoque la fermeture du contact. Lorsqu'on relche le poussoir, le contact du relais est maintenu ferm par l'enroulement faible rsistance. Le courant peut alors circuler dans R. Le circuit ne peut s'interrompre que si le courant passe en dessous du courant de maintien de la bobine faible rsistance (coupure d'alimentation ou court-circuit de la bobine). Ce modle a un fonctionnement comparable celui du thyristor.
Bobine 1k
11.2.3 Exemple d'application du Thyristor Dispositif de protection contre les surtensions sur un circuit de bord 24 V
Si ses bornes, il se produit une pointe tension ou une surtension dpassant 31 32 V, la diode Zener ZD conduit, le transistor T conduit son tour et enclenche au travers de R1 le thyristor Th. En quelques millisecondes, le rgulateur et l'alternateur sont court-circuits par les bornes D+ et D-. Un courant de forte intensit circule dans Th sans toutefois le dtruire. La lampe tmoin s'allume et avertit le conducteur. La lampe s'teindra nouveau seulement lorsque l'on aura coup le contact et arrt le moteur. Les rsistances R1, R2 et le condensateur C assurent le retard en rponse ncessaire. La diode DS fait qu'en cas d'inversion des bornes D+ et D-, la lampe tmoin reste allume et l'alternateur ne charge pas, avertissant ainsi d'un dfaut dans l'installation.
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11.3 Le thyristor en alternatif
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230 V 50 HZ
circuit de circuit de commande i En agissant sur R, on rgle l'angle de passage du courant de 0 180 environ.
Les diodes V1 et V2 protgent le thyristor. RS protge la gchette au cas o R = 0 . Supposons que l'angle de passage ou angle de phase soit de 45 c'est--dire que le thyristor commence conduire lorsque l'alternance positive a atteint 45 et observons les signaux sur l'oscilloscope :
U [V]
Entre
t
45
U [V]
A
t
U [V]
B
t
Le rseau de commande constitu par R et C agit comme un filtre et cre un dphasage du signal en fonction de la valeur de R. Ds que la tension sur la gchette est suffisante, celle-ci conduit et entrane la conduction du thyristor.
Signal A : tant que le thyristor ne conduit pas, c'est un interrupteur ouvert, toute la tension apparat ses bornes (jusqu' 45 dans l'exemple). Ds que le thyristor conduit, la tension ses bornes tombe environ 1 V. Ds que l'alternance passe par 0, le thyristor se bloque.
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Pour les tensions ngatives, le thyristor se comporte comme une diode, il ne conduit pas jusqu' sa tension de claquage en inverse. L'alternance ngative est bloque puis le cycle recommence la prochaine alternance positive.
Signal B : jusqu' 45, il n'y a aucun courant qui traverse la lampe, il n'y a pas de tension ses bornes. A partir de 45 jusqu' la fin de l'alternance positive, le courant traverse la lampe, presque toute la tension apparat ses bornes puis le thyristor se bloquant , il n'y a plus de courant dans la lampe.
Ce montage ne permet de travailler que sur l'alternance positive. La lampe n'atteint donc jamais sa luminosit maximum.
11.3.2 Amlioration du systme
ULa RS R 230 V 50 Hz UTh Ue C
Uth [V]
Ula [V]
Chaque alternance est utilise. La lampe peut varier jusqu' sa luminosit maximale. Le passage zro aprs chaque alternance permet toujours de rebloquer le thyristor.
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11.4 Application
Un dispositif d'allumage simple
V1 V2
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C V3
Vers bougies
L1
L2
Un aimant fix sur un arbre tournant induit, chaque tour, une tension dans L1. Cette tension, lorsqu'elle est positive charge C travers V1 La tension ngative est tout simplement court-circuite par V2. Ensuite, le mme aimant induit une tension dans L2. Cette tension agit sur la gchette du thyristor qui devient rapidement conducteur et provoque brutalement la dcharge de C travers le primaire de la bobine d'allumage. Une tension leve apparat au secondaire, provoquant l'tincelle d'allumage. Les applications des thyristors sont de plus en plus nombreuses. Un grand usage en est fait en lectrotechnique car on trouve actuellement des thyristors pouvant conduire des courants de plus de 2000 A.
11.5 Le Diac
11.5.1 Dfinition Le diac est un lment bidirectionnel prsentant pour chaque sens de passage du courant un seuil de conduction vers 20 35 V et une zone rsistance ngative. Il se prsente comme une diode mais n'est pas polaris. 11.5.2 Symbole
11.5.3 Caractristique
I+
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11.5.4 Utilisation Le diac est utilis comme oscillateur et comme gnrateur d'impulsions (surtout pour les triacs). 11.5.4.1 Oscillateur
VCC +50V R 27R US 30V 20V C US t V 8
C se charge travers R. Ds que la tension atteint 30 V, le diac conduit, ramenant la tension 20 V, C est dcharg partiellement. Le diac se bloque et C reprend sa charge jusqu' 30 V. La priode dpend de R et de C.
11.5.4.2 Gnrateur d'impulsions Cette application sera utilise pour la commande des triacs.
Ue 230V 50Hz
t R1 2k2 UC
Ue 230V 50Hz
C UC R2 US US
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11.6.3 Caractristique
I+
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V- 8 V
1V 1V 8V
V+
I-
11.6.4 Schma quivalent Ce composant est un circuit intgr contenant les composants ci-dessous. La borne "Gate" permet de modifier le point de dclenchement du SBS.
Anode 1
6V8
15k
Gate
6V8 15k
Anode 2
11.6.5 Utilisation Le SBS est utilis comme oscillateur et comme gnrateur d'impulsions (surtout pour les triacs).
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11.7 Le Sidac
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11.7.1 Dfinition Le Sidac est un lment bidirectionnel haute tension prsentant pour chaque sens de passage du courant un seuil de conduction entre 104 V et 280 V et une zone rsistance ngative. Ses caractristiques sont trs proches du diac. 11.7.2 Symbole
MT1 MT2
11.7.3 Caractristique
I+
V-
V(BO)
1.1 V 1.1 V
V+ V(BO)
I-
11.7.4 Exemple d'utilisation Le Sidac peut tre utilis pour crer un angle de conduction fixe, dpendant du type du Sidac.
UL P
USida
USidac
High
Low
UL
N
t
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11.8 Le triac
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11.8.1 Dfinition Le triac est un commutateur statique bidirectionnel. Il correspond deux thyristors monts en antiparallle.
La gchette ragit aux impulsions positives et ngatives. Le triac peut conduire aussi bien dans le domaine positif que dans le domaine ngatif. Il est principalement destin contrler la puissance fournie diffrents types de charges travaillant en alternatif.
11.8.2 Symbole
A2, B2, MT2 ou T2
quivalent
On trouve sur le march des triacs pouvant conduire des courants jusqu' environ 60 A. Au-del, on utilise les thyristors en montage antiparallle.
11.8.3 Caractristique et commande 11.8.3.1 Caractristique :
I+
point de retournement
VV+
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11.8.3.2 Les diffrents modes de commande :
MT2(+)
Mode II
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Mode I
MT2(+)
G(+)
G(+)
MT1(+)
Mode IV
MT2(-)
Ce sont les modes I et III qui sont les plus utiliss (cas de notre systme). En systmes industriels asservis, on utilise galement les modes II et III. Les autres modes sont dconseills.
11.8.4 Exemple d'application Contrle d'intensit lumineuse - variateur ou gradateur de lumire.
ULa RS R 230V 50 Hz UTr
circuit de puissance
circuit de commande
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230 V 50 Hz
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UTr
ULa
Le triac, comme le thyristor, cre une chute de tension d'environ 1 V lorsqu'il est conducteur. Le fait de pouvoir conduire de faon bidirectionnelle permet de nombreuses applications domestiques telles que contrle de vitesse de petits moteurs universels, interrupteur statique sans rebonds, rgulateur etc.
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11.10 Exercices
11.10.1 Exercice
VCC +30V
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RA 2k RG E 50k
Le courant d'amorage de ce thyristor est de 0,1 mA. On admet dans ce cas la tension de gchette 0,8 V. Quelle est la tension E ncessaire pour faire conduire le thyristor ?
11.10.2 Exercice Dans ce montage, le diac entre en conduction quand la tension aux bornes de C1 atteint 32 V. C1 atteint ces 32 V en une constante de temps . Calculer le temps mis pour mettre le triac en conduction aprs fermeture de l'interrupteur S.
R2
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12
1 2 3 4 5 6 7
14 13
Vue de dessus
12 11 10 9 8
A partir du repre plac en haut, on lit les bornes partir de la premire toujours prise en haut gauche puis en suivant jusqu' la dernire en haut droite. Il peut y avoir 4, 6, 8, 10, 12, 14, 16, 18, 20 pattes selon les circuits.
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12.2.2 Les botiers TO-99
Ergot 8 1 2 3 4 5 7
12
Vue de dessus
6
En partant de l'ergot et sans compter la borne sous l'ergot (ce sera la dernire), on compte les bornes en tournant dans le sens inverse des aiguilles de la montre.
2 3
Entre inverseuse : le signal de sortie amplifi sera en opposition de phase par rapport au signal d'entre 1 Entre non inverseuse : le signal de sortie amplifi sera en phase par rapport au signal d'entre 2 Signal de sortie amplifi
Remarque : dans la reprsentation de l'amplificateur oprationnel dans les schmas, il est recommand de placer l'entre inverseuse en haut et la non inverseuse en bas (comme sur le dessin ci-dessus). 12.3.1.2 Symbole CEI (actuellement en vigueur)
Comme prcdemment, on retrouve 1 Entre inverseuse 1 2 Entre non inverseuse 3 Sortie amplifie 3
2
Avec la mme remarque que pour l'ancien symbole en ce qui concerne la position des entres 1 et 2.
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12.3.2 Principe de fonctionnement Ce dispositif a 2 entres. C'est la diffrence de tension entre les 2 entres qui est amplifi (elles sont de ce fait appeles entres diffrentielles). L'amplificateur oprationnel est prvu pour tre aliment par deux tensions de mme valeur mais de signes opposs, par exemple +12V et -12V. Ceci permet au signal amplifi d'tre positif ou ngatif par rapport la masse, dans l'exemple ci-dessus, le signal de sortie pourrait varier entre environ + et -12V. Il existe des versions alimentation simple positive (par exemple +12 V en masse).
Le signal de sortie ne peut pas dpasser le niveau des tensions d'alimentation, s'il devait par exemple atteindre +16V, il serait limit environ 12V en sortie. On dit qu'il y a saturation ou crtage du signal de sortie. Si une entre est mise la masse, c'est la tension prsente sur l'autre entre par rapport la masse qui est amplifie.
12.3.3 Caractristiques principales 12.3.3.1 Tension d'alimentation +Vcc est la tension d'alimentation positive par rapport la masse. -Vcc ou -VEE est la tension d'alimentation ngative par rapport la masse. Dans la plupart des cas, la tension d'alimentation ne pas dpasser est de 18V. 12.3.3.2 Impdance d'entre L'impdance d'entre des amplificateurs oprationnels est toujours trs leve (dans les M) Nous prendrons pour nos exemples l'IC de type LM358 son impdance d'entre vaut 125 M. (1012 pour le LF411)Cette grande impdance est un avantage car l'amplificateur oprationnel prlve ainsi peu d'nergie sur la source du signal amplifier. 12.3.3.3 Gain en tension Ce gain est toujours trs lev, par exemple pour le LM358, il est de 1 000 000. (200 000 pour le LF411) Ce gain s'appelle gain en boucle ouverte, il est la plupart du temps trop important et devra tre adapt aux besoins de l'application ; il s'appellera alors gain en boucle ferme, c'est ce que nous allons tudier par la suite. 12.3.3.4 Impdance de sortie L'impdance de sortie d'un amplificateur oprationnel est toujours faible. Par exemple, pour le LM358, elle est de 100 . (10 pour le LF 411) Ceci permet d'alimenter des charges de faible impdance. Remarque : la plupart des IC sont protgs contre les courts-circuits en sortie et contre un chauffement excessif. 12.3.3.5 Tension de dcalage l'entre ou tension d'offset Il peut arriver, lorsque les deux entres sont au mme potentiel (tension de mode commun) que la tension de sortie ne soit pas nulle. Dans ce cas il faut appliquer l'entre une petite diffrence de tension entre les 2 entres pour avoir une tension de sortie nulle au repos. On l'appelle tension de dcalage l'entre ou tension d'offset. ( 2mV pour le LM358 et 0.3mV pour le LF411A)
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12.4 La contre-raction
On dit qu'il y a raction dans un systme amplificateur lorsque l'on prlve une partie de la tension de sortie pour la ramener l'entre. Ce signal de raction modifie les performances de l'amplificateur. Il y a deux cas principaux :
La fraction du signal prlev en sortie est en phase avec le signal d'entre. Les signaux s'ajoutent, il y a emballement de l'amplification. L'amplificateur a toutes les chances de devenir un oscillateur. Ceci explique que l'on trouve les principales applications de la raction positive dans la conception des oscillateurs et des triggers de Schmitt. Autre exemple : effet Larsen ou couplage de raction positive entre haut-parleur et micro d'un systme amplificateur.
La fraction du signal prlev en sortie est en opposition de phase avec le signal d'entre. Les signaux se soustraient, il y a diminution et stabilisation du gain ainsi qu'un largissement de la bande passante. La distorsion est galement rduite, c'est le cas qui nous intresse. On appellera cette raction par soustraction raction ngative ou contreraction.
signal d'entre
CONTRE REACTION
division par 60 pas de raction
REACTION POSITIVE
division par 150
x60
x60
60
x60
150
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A0 1 + r A0
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La formule suivante s'applique la contre-raction : A AO r = gain avec contre-raction (ou gain en boucle ferme) = gain sans la contre-raction (ou gain en boucle ouverte) = coefficient de report de la contre-raction
A=
A=
60 = 30 1 1 + 60 60
La contre-raction permet d'ajuster le gain des amplificateurs oprationnels la valeur voulue entre la valeur max. en boucle ouverte et le gain unit. La contre-raction tablit une boucle entre la sortie et l'entre de l'amplificateur oprationnel. On parlera alors du gain en boucle ferme du montage.
Une fraction du signal de sortie est ramene sur l'entre inverseuse par un diviseur de tension deux rsistances. Ce signal est donc en opposition de phase avec le signal d'entre. Il y a contre-raction.
12.5.2 Schma
R1 R2
Entre signal
RL
12.5.3 Caractristiques
R1 + R 2 R1 = +1 R2 R2 alors A =
R1 100 +1 = + 1 = 101 R2 1 Le signal de sortie est en phase avec le signal d'entre. Ce montage augmente l'impdance d'entre, diminue l'impdance de sortie et stabilise le gain une valeur ne dpendant que de R1 et R2 et non de l'IC.
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Le signal de sortie est en opposition de phase avec le signal d'entre. On ramne une fraction du signal de sortie sur l'entre inverseuse. La contre-raction est tablie.
12.6.2 Schma
R1 Entre signal
R2
RL
12.6.3 Caractristiques
A=-
R1 R2
Le signe - indique l'inversion du signal entre entre et sortie. Dans ce montage, le point M est particulier. Sur ce point, on trouve la tension qui sera multiplie par le gain en boucle ouverte de l'amplificateur. Cette tension est de quelques microvolts par rapport l'entre non inverseuse qui est la masse. On va donc considrer la tension au point M comme nulle. Le courant absorb par l'amplificateur oprationnel sur son entre inverseuse est galement admis comme nul. Le point M s'appelle masse virtuelle (point dont la tension est nulle et n'absorbant aucun courant).
Remarque : Il est dconseill de faire des mesures au point M (avec oscilloscope ou multimtre). Les niveaux sont trop faibles et la mesure risque de perturber le fonctionnement du montage.
A cause de la masse virtuelle en M, l'impdance d'entre de ce montage est faible, elle est gale R2.
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12.7.1 Principe
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Entre signal
RL
Ce montage est utilis comme adaptateur d'impdance entre une source grande impdance et une charge faible impdance.
RL
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U s = U1 R1 R U2 1 R2 R3
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Dans le cas o R1 = R2 = R3
U s = U1 U 2
ou
U s = U1 + U 2
Ue
frquence de coupure :
fc =
1 2 R C R1 +1 R2
R1
A=
(amplificateur non-inverseur)
R2 Ue C Us
frquence de coupure :
fc =
1 2 R C R1 +1 R2
A=
(amplificateur non-inverseur)
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12.9.3 Le filtre passe-bande
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RA
CB
f c1 =
1 2 R A CA 1 2 R B CB R1 +1 R2
f c2 =
A=
(amplificateur non-inverseur)
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12.10 Le comparateur
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12.10.1 Principe Le comparateur est un dispositif qui permet de comparer deux tensions en entre en donnant une rponse sur la sortie.
En pratique, on veut simplement savoir si une tension est plus grande ou plus petite qu'une autre. la rponse souhaite est "oui" ou "non". L'amplificateur oprationnel fonctionnera avec son gain maximum (en boucle ouverte).
Si la tension non inverseuse est plus grande que la tension inverseuse, la tension de sortie est sature au niveau haut. Ceci reprsente la rponse "OUI". Si la tension non inverseuse est plus petite que la tension inverseuse, la tension de sortie est sature au niveau bas. Ceci reprsente la rponse "NON".
12.10.2 Schma
R1
-V EE R1
+VCC
R2
U s
Ue R2
Us
Ue
a)
b)
12.10.3 Caractristiques a) Le point de basculement se situe entre +VCC et la masse, il est rgl par R1 et R2. b) Le point de basculement se situe entre -VEE et la masse, il est rgl par R1 et R2. 12.10.4 Comparateur une alimentation Dans ce cas, la borne -VEE de l'IC est mise la masse, on alimente seulement avec VCC par exemple 12 V.
+VCC
R1
Us
R2 Ue
U Seuil = VCC
R2 R1 + R 2
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+12V R5 U4 K4 RV LD4
Conditions pour que l'affichage s'teigne jusqu' et y compris : LD1 : Ux < U1 LD2 : U1 < Ux < U2
R4 U3 K3 RV
R3 U2 K2 RV
LD2
R2 de la jauge essence Ux Ux lev => Rservoir plein Ux faible => Rservoir vide 0 R1 LD1 U1 K1 RV
Il s'agit d'un affichage par LED en ligne (LED-Lines). Si le rservoir est plein, toutes les LED sont allumes. Au fur et mesure qu'il se vide, les LED 'teignent une une en commenant par la LED 4. Le signal de commande est la tension Ux provenant de la jauge essence. Ce principe peut aussi tre utilis pour d'autres instruments tels que : thermomtre moteur (huile ou eau), compte-tours, etc..
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+ R1
+VSAT
US
UE
US
UE
R2
-VSAT
Cette raction provoque un point de basculement haut et un point de basculement bas ayant des valeurs dpendantes de R1 et R2. (Voir exercices sur le trigger de Schmitt) On appelle hystrsis la diffrence entre ces deux points. On rencontre galement des trigger non-inverseur de Schmitt.
R1
US
+VSAT
R2 + UE US UE
-VSAT
Pour ces deux types de trigger, il est possible de dplacer le seuil une valeur diffrente de 0V. Les exercices la fin de ce chapitre nous montrent quelques cas pratiques.
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12.12 L'intgrateur
12
12.12.1 Principe L'intgrateur est un montage utilisant la charge d'un condensateur. Le courant de charge dpend de la rsistance place sur l'entre inverseuse. Si la tension d'entre est constante, le courant dans R (entre entre et masse virtuelle) est constant. Le condensateur se charge courant constant. On obtient une rampe de tension. 12.12.2 Schma
RA 10R
C Ue R
Us
12.12.3 Caractristiques
Courant dans R
IR = Ue 2 = = 2mA R 1 10 +3
- I t - 2 10 3 1 10 3 = = 2V (Inversion) C 1 10 6
Us =
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b) si Ue = -1V aprs 4 ms
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(Us remonte d1 V)
+1V/ms
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12.14 Exercices
12.14.1 Exercice
12
27K 1K Ue
Us
12.14.2 Exercice
100K 18K Us Ue
12.14.3 Exercice
Ue +6
-12V
4K7
2K2
t
Ue
-6 Us +12
t -12
Ce montage est aliment par + 12 V et - 12 V Dduire de la tension d'entre Ue la forme de la tension de sortie Us
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12.14.4 Exercice
12
12.14.5 Exercice
Pour le circuit ci-dessous, il a t utilis un amplificateur oprationnel idal. Calculer: a) La tension au point P b) UO
U1 1V U2 2V R1 10k
R2 10k
P
UO
R3 10k
R4 30k R5 20k
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12.14.6 Exercice
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R3 2k2
R4 3k3
U1 0,75 V
U2 -1,5 V
US
12.14.7 Exercice Pour le circuit ci-dessous, il a t utilis un amplificateur oprationnel idal, aliment en +12 V et -12 V. Calculer et reprsenter la caractristique Us = f (UE) si UF = 0,7 V
+12V
2R
+12V
D1
UE US
D2
-12V +12V
3R
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12
RL
U1
5V t
U2
5V t
US
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12
12.14.9 Exercice sur le trigger de Schmitt Calculer les points de basculement et esquisser la caractristique US = f(UE) du montage cidessous. Alimentation en +15 V et -15 V.
+ R1 47k R2 1k
UE
US
12.14.10 Exercice sur le trigger de Schmitt Calculer les points de basculement et esquisser la caractristique US = f(UE) du montage cidessous. Alimentation en +15 V et -15 V.
R1 82k R2 2k2 UE + US
12.14.11 Exercice sur le trigger de Schmitt Calculer les points de basculement et esquisser la caractristique US = f(UE) du montage cidessous. Alimentation en +15 V et -15 V.
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13. L'OPTOELECTRONIQUE
13.1 Introduction
L'optolectronique :
13
La lumire est considre comme une onde lectromagntique de frquence leve. Ainsi, le domaine visible pour l'oeil humain se situe dans les longueurs d'ondes comprises entre 780 nm (385 1012 Hz = 385 THz) pour le rouge et 380 nm (790 1012 Hz = 790 THz) pour le violet.
Les frquences infrieures sont dans le domaine de l'infrarouge. Les frquences suprieures sont dans le domaine de l'ultraviolet.
A cette notion d'onde radiolectrique, les physiciens ont ajout la notion de particule ou grain de lumire (physique quantique). En effet, on s'aperoit que la lumire peut cder de l'nergie, cette nergie provient d'une particule appele PHOTON (de l sont issus des noms tels: photovoltaque, photolectrique). Ceci donne l'lectronicien une explication sur deux phnomnes distincts. 13.1.1 L'effet photolectrique Lorsqu'un atome est bombard par des photons, il peut en absorber et de ce fait il emmagasine leur nergie. Si cette nergie est suffisante, des lectrons peuvent passer dans la bande de conduction de l'atome, devenir lectrons libres et donner naissance un courant lectrique. C'est la transformation Lumire Electricit. 13.1.2 L'effet photomissif Un lectron d'un atome peut quitter la bande de conduction pour descendre dans une bande plus proche du noyau. Dans ce cas il cde de l'nergie. Cette nergie peut apparatre sous forme de lumire: il y a alors photomission (mission de photons). Ce phnomne peut apparatre lors du passage d'un courant lectrique. La couleur mise n'est pas due au hasard, la longueur d'onde dpend troitement des atomes librant les photons. C'est la transformation Electricit Lumire.
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13.1.3 Flux lumineux
L'optolectronique :
13
Lunit photomtrique de base est le flux lumineux V qui se mesure en lumen [lm]. Par flux lumineux on entend la puissance totale mise par une source de lumire sous forme de rayonnement lumineux. La puissance irradie, est aussi frquemment indique comme puissance rayonnante e en W. Elle comprend lensemble du rayonnement (y compris le non-visible). Les grandeurs ncessaires la description des photometteurs et rcepteurs drivent du flux lumineux. 13.1.4 Lclairement Lunit dclairement est le lux (lx) qui est le rapport du flux lumineux V en lm sur la surface A en m2 qui reoit le flux lumineux.
EV = V A
] [lx ] = [lm 2
[m ]
Lclairement peut galement tre exprim en kW/m2. 1 kW/m2 = 112500 lx. 13.1.5 Lintensit lumineuse Les photometteurs sont gnralement dfinis par lintensit lumineuse IV dont lunit est la candela (cd). Lintensit lumineuse est le flux lumineux V mis par la source par angle solide (unit = stradian = sr).
IV =
LV =
IV A
[m ]
2
[cd ]
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13.2.1 Symbole
L'optolectronique :
13
Passe de quelques centaines d'ohms en pleine lumire plus de 100 M en obscurit. Variations linaires temprature constante. Ractions lentes limitant l'utilisation une frquence de 100 Hz. Par mise en obscurit, on obtient 1,5 M aprs 3 sec. et 100 M aprs 60 sec. Tension max. aux bornes: 100 300 V. Puissance max. admissible: 50 300 mW
Leurs caractristiques sont trs proches des cellules CdS l'exception de leur vitesse de raction qui est environ dix fois suprieure.
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13.2.3 Application (dtecteur crpusculaire)
L'optolectronique :
13
VCC R1
12[V]
La P1 Q1
R2
Lorsque la lumire est prsente, R2 prend une faible valeur et descend la tension de base en dessous de 0,4 V. Le transistor est bloqu. La lampe est teinte. En l'absence de lumire, R2 prend une trs forte valeur, la tension de base est 0,7 V. Le transistor Q1 conduit saturation et la lampe est allume. P1 permet de rgler la sensibilit. R1 vite de relier la base de Q1 directement VCC par fausse manipulation de P1.
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13.3 La photodiode
L'optolectronique :
13
C'est le premier composant actif de l'optolectronique que nous allons tudier. Il fonctionne comme une source de courant commande par la lumire. C'est une diode sur laquelle la lumire peut arriver jusqu' la surface du silicium travers une lentille (verre ou plastique). 13.3.1 Symbole
Attention: Cette diode se branche toujours en inverse, soit + du ct cathode (Zone N).
+VCC R courant photo-lectrique selon lumire D courant de fuite de quelques nA dans l'obscurit.
Sans lumire: la diode est bloque. Avec lumire: Les photons qui ont une nergie suffisante font passer des lectrons en bande de conduction. Cet effet photolectrique donne naissance un courant qui va de la cathode l'anode.
Le courant photolectrique ou photovoltaque est compris entre 10 et 30 nA/lx (lx = lux). Une lumire ambiante extrieure se situe environ 2000 lx, ce qui donne un courant entre 20 et 60 A selon les modles de diodes. Ces courants restent faibles et doivent tre amplifis par transistor ou mieux par un montage avec JFET ou amplificateur oprationnel. 13.3.2 Caractristiques La tension inverse max. applicable varie entre 5 V et 50 V selon les modles. La sensibilit max. se situe entre 800 et 950 nm (domaine rouge et infrarouge proche). Frquence de fonctionnement pouvant atteindre 500 MHz.
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13.3.3 Application
L'optolectronique :
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Lorsque la diode est soumise la lumire, elle fournit un courant au transistor Darlington qui, en conduisant, peut allumer la lampe de signalisation.
Barrires lumineuses (Scurit dans les banques) Comptage (Capteurs incrmentaux) Rcepteurs fibre optique Tlcommande: radio-TV, verrouillage central des portes (rcepteur) Transmission du son (rcepteur) etc...
13.4 Le phototransistor
Comme pour la photodiode, son botier est transparent. La surface de la base est augmente par rapport au transistor normal. La base est rendue aussi accessible que possible la lumire incidente. Les photons atteignent la jonction base-collecteur. Une tension positive apparat la base et le courant base-metteur peut s'tablir. Le transistor devient conducteur sous l'influence de la lumire (infrarouge). Il peut donc tre perturb par la lumire du soleil selon la longueur donde laquelle il travaille. On peut trouver sur certains modles une patte de base. On peut la raccorder lectriquement pour ajuster la sensibilit du transistor. 13.4.1 Symbole
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13.4.2 Caractristiques Courant IC en obscurit: 100 nA
L'optolectronique :
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Temps de commutation: 1 5 ms
13.4.3 Applications
VCC
Q1 4k7
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L'optolectronique :
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13.5.3 Domaine d'application Malgr une volution favorable des prix, l'obstacle majeur l'largissement de l'utilisation des systmes photovoltaques pour l'alimentation en lectricit est le prix lev des panneaux. Plus le prix du watt install baisse, plus cette nergie devient comptitive. Les domaines d'application principaux sont:
Tlcommunications: faisceaux hertziens, metteurs et rmetteurs radio et TV, relais radiotlphone, balises radio, satellites. Signalisation: balises lumineuses d'aroport, balises en mer, passages niveau, etc... Tlmesure: mtorologie, dtection d'incendie de fort, surveillance des crues en rivires, des volcans, des oloducs. Pompage: profond (forages) ou en surface (lacs, rivires), irrigation. Electrification rurale: clairage, rfrigration, ventilation, TV, recharge de batteries, centrales de villages, centrales connectes au rseau. Divers: navigation de comptition et de plaisance, refuges de montagne, etc... Automobile: divers prototypes sont quips de panneaux solaires fournissant l'nergie pour la ventilation de l'habitacle lorsque le vhicule est en stationnement. Un fabricant d'accessoires propose mme sur le march un toit ouvrant quip de cette technologie (cellules photovoltaques et ventilateur).
Les puissances utilises vont du W (montres) au MW (centrales photovoltaques) selon tableau ci-dessous.
Dynamique des
10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 1W
Montres Calculatrices Jouets Audiovisuel portable Divers - grand public Tlcommunications Pompage Protection cathodique Rsidentiel Centrales photovoltaques
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13.5.4 Courbe caractristique
I
direct
L'optolectronique :
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I+
U+ Zone C
}
U
Rcepteur
R
I
inverse
Vm
direct
Zone A IU-
Zone B Im
}
U
Rcepteur I
U+
}
U
ri
I
Gnrateur
inverse
Courbe de la diode normale, c'est la courbe de la cellule solaire en obscurit. Courbe de la cellule solaire claire, il y a eu translation de la courbe 1. La courbe 1 montre le courant de fuite inverse en obscurit. La courbe 2 montre le mme courant de fuite avec clairement. La diode fonctionne en gnrateur d'nergie. C'est la zone d'utilisation normale de la cellule photovoltaque. Il existe une tension vide (pour courant nul) aux bornes de la cellule (environ 0,5 V). C'est la tension photovoltaque ne pas confondre avec la tension de seuil. La diode est en polarisation directe. La caractristique de la diode claire (courbe 2) ne passe plus par zro.
Zone C:
Attention: Les cellules solaires ne sont pas conues pour travailler en photodiode (zone A) car, cause de leur grande surface, elles entrent en avalanche pour des tensions inverses faibles, ce qui entrane un chauffement dangereux. Elles sont protges par diode pour viter les tensions inverses accidentelles.
Remarque: Dans la zone B, la puissance fournie passe par un optimum Im-Um pour une valeur dtermine de la rsistance de charge.
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13.5.5 Caractristiques Le choix dpend de l'application et du prix.
L'optolectronique :
13
ICC: Courant de court-circuit, courant max. que peut dbiter une cellule pour un clairement donn. VCO: Tension vide, tension mesure aux bornes de la cellule en l'absence de dbit pour un clairement et une temprature donne.
: rendement: rapport entre nergie lumineuse reue et nergie lectrique fournie (variant de 5 16 %, pouvant thoriquement atteindre 22 %). Par ciel trs clair, dans les meilleures conditions, la terre reoit 1 kW/m2.
Tmax: Temprature limite de fonctionnement (environ 100 C). La puissance diminue quand la temprature augmente (surtout par rayonnement solaire). Pour maintenir un bon rendement, il faut refroidir les cellules (radiateur). Les caractristiques sont stables dans le temps, s'amliorent plutt les premires annes. Les modules sont prvus pour une dure de vie de 20 ans, de -40C +100C, avec vents violents entranant sable et gravier, pluies orageuses ou embruns marins.
Il est noter qu'il existe 3 grandes familles de technologies pour les cellules photovoltaques:
Cellules au silicium monocristallin Rendement jusqu' 16 % Les cristaux de silicium sont arrangs de faon avoir la mme orientation. Cellules au silicium polycristallin Rendement jusqu' 12 % Les cristaux de silicium sont empils sans arrangement prcis. Utilise moins de silicium que les cellules monocristallines, donc cot plus faible. Cellules couche mince au silicium amorphe Rendement jusqu' 7 %
On estime de 8 13 ans la dure de vie ncessaire pour restituer l'nergie de fabrication par clairement solaire. 13.5.6 Utilisation Dans un module, les cellules sont groupes en srie/parallle en fonction de l'application.
Le groupement srie permet d'augmenter la tension de sortie. Le groupement parallle permet d'augmenter le courant de sortie.
Les modules peuvent se coupler entre eux en srie, en parallle ou en srie/parallle. Respecter les indications du fournisseur pour le raccordement dans la bote de jonction. Dans de nombreuses applications, les modules fournissent l'nergie lectrique, assurent en mme temps la recharge d'une batterie d'accumulateurs qui va stocker l'nergie puis la restituer pendant les priodes d'obscurit. Dans cette situation, on aura le raccordement suivant:
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V1 V2
L'optolectronique :
DC DC
Surveillance Ubat.
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Batterie UBat. V4
Charge
V3
Groupe 1
Groupe 2
Tous les panneaux d'un groupe doivent tre soumis aux mmes conditions d'clairement, sinon tout le groupe en subit les consquences. Les diodes V1 et V2 sont si possible de type Schottky (UF < 0.4V). Elles sont l pour viter de consommer du courant dans l'obscurit. Elles vitent aussi au courant d'un groupe d'aller dans un autre en cas d'clairement diffrent d'un groupe l'autre. Le convertisseur DC/DC permet de faire travailler les cellules une tension qui permet le meilleur rendement possible. Il sert aussi charger les batteries correctement. Le module "surveillance UBat." interrompt la dcharge de la batterie lorsque UBat. < 11 V. V3 et V4 sont des diodes de protection contre les surtensions (foudre). Le cblage doit tre correctement dimensionn pour avoir le moins de pertes possible.
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13.5.7 Exemples de modules commercialiss Source: Sprle Suisse romande - Yverdon-les-Bains
L'optolectronique :
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25C/1kW/m
Rendement plus de 6%
Type
Cellules
Ah/jour (2)
Remarques
M 25 M 55 M 65 (3) M 75 M 78
22 W 55 W 45 W 50 W 40 W
30 36 30 33 33
7 15 13 14 11
(3) Cadre : noir M 25, M 65 : rglage automatique avec Delco 2000
(1) Valeurs nom. 1kW/m2/25C (2) Valeurs moyennes par moid d't, tension de la batterie 13.8V, pente 65
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L'optolectronique :
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Courant direct: 10 50 mA selon modles La chute de tension directe n'est plus de 0,7 V, les composs intermtalliques n'ayant pas le mme seuil de tension que le silicium, on va donc trouver en fonction des couleurs: Infrarouge: Rouge: Vert: Ga As Ga As P Ga P Seuil 1 ... 1,2 V Seuil 1,5 ... 2 V Seuil 2 V
Les LEDs n'aiment pas les tensions inverses. En cas de risque de polarisation inverse, protger la LED par une diode en inverse et en parallle.
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13.6.3 Application La luminosit d'une LED dpend du courant qui la traverse. VCC R I LED 12[V]
L'optolectronique :
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Soit une LED rouge monte en voyant, elle est alimente par VCC = 12 V et on veut lui imposer un courant de 20 mA On aura I =
VCC U LED R
On prendra toujours en premire approximation ULED gal 2 V valable aussi pour l'analyse et le dpannage
R=
Dans les valeurs normalises E12, on peut prendre 470 ou 560 . 13.6.4 La LED utilise en tant que voyant compare la lampe incandescence: Avantages: Longue dure de vie Rsistance aux chocs Faible puissance consomme Compatible avec les circuits logiques Gain de place
13.6.5 Utilisation en affichage La LED est souvent utilise pour l'affichage par segments, prenons l'exemple de l'affichage sept segments + point dcimal
a f e d g c DP a b c d e f g DP b
Les LEDs infrarouge sont surtout utilises pour les systmes de surveillance, alarme etc...
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13.7 Les photocoupleurs ou optocoupleurs
L'optolectronique :
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13.7.1 Principe C'est la combinaison d'une LED et d'un photodtecteur dans le mme botier. Alors que dans le transformateur, on transmet l'nergie par couplage magntique sans couplage galvanique (pas de contact lectrique entre primaire et secondaire), l'optocoupleur va transmettre l'information (LED allume ou teinte) sur le rcepteur sans aucun contact lectrique. C'est pourquoi on les appelle aussi isolants optolectroniques. La tension d'isolation est gnralement de 5000 V. 13.7.2 Exemple d'application Commande d'un thyristor
Unit de commande Vcc +12V
Optocoupleur
L'unit de commande peut tre un systme informatique. En cas de dfaut du thyristor, la tension alternative peut dtruire les composants relis la gchette, mais elle ne peut pas remonter jusqu' l'unit de commande. 13.7.3 Diffrents types LED + Photodiode
LED + Phototransistor
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L'optolectronique :
LED + Photodarlington
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Photocoupleur fente
Le passage d'un disque fente dans la zone du faisceau permet de connatre et de rgler la vitesse de rotation ou de dfinir la position angulaire.
LED + Phototriac Associ un triac de puissance, permet de commander des tensions alternatives 230 V par exemple.
330R
1
R1
6
MOC3020
Charge BT136
G A2
A1
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13.8 La fibre optique
L'optolectronique :
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13.8.1 Dfinition La fibre optique est destine au transport d'informations au moyen d'ondes lumineuses se propageant dans une fibre de verre (longues distances) ou de matire plastique (distances courtes). Elle est en train de s'imposer dans les domaines suivants:
Tlphonie publique et prive Rseaux informatiques Tldistribution Contrle, tlcommande, tlsignalisation Surveillance vido Communications militaires
Par exemple, une fibre dont le coeur a un diamtre de 8 mm peut transporter 8000 conversations. Un cble de 15 mm de diamtre peut contenir plusieurs dizaines de fibres. 13.8.2 Symbole
13.8.3 Fabrication de la fibre de verre On part d'un tube en verre de silice pure 99,5 % de Si O2 (dioxyde de silicium) de 1 m de long, 25 mm de diamtre et 3 mm de paroi. En comparaison, le verre de vitrage n'a que 70 % de Si O2. On dope ce verre avec le dioxyde de germanium (Ge O2) et on forme un barreau de verre plein appel prforme. On porte cette prforme la temprature de ramollissement du verre, soit 2100C et par tirage on obtient la fibre de verre avec un diamtre extrieur d'environ 250 m.
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13.8.4 Structure de la fibre optique
L'optolectronique :
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Le coeur: partie centrale de la fibre conduisant la lumire. Selon le type de fibre, ce diamtre peut varier de 8 m 200 m. Le manteau (cladding): ses caractristiques diffrentes de celle du coeur imposent la lumire de rester dans le coeur dans les conditions normales de transmission. Aussi appel "gaine optique". Revtement de protection: afin de rendre la fibre souple et manipulable, une ou plusieurs gaines en silicone ou en acrylate sont appliques directement sur le manteau. Sans cela, la fibre serait cassante "comme du verre".
13.8.5 Transmission de la lumire La vitesse de la lumire dans le vide est de 300 106 m s 1 ; dans un milieu transparent tel le verre de silice ou quartz, cette vitesse va diminuer d'un facteur n appel:
indice de rfraction du milieu considr. Pour le quartz n = 1,5 ce qui a pour consquence de rduire la vitesse de la lumire 200 106 m s 1
Lorsqu'un rayon lumineux passe d'un milieu d'indice n1 un milieu d'indice n2 infrieur, sa vitesse ainsi que sa direction vont tre modifies.
n2 n1 > n2
rflexion totale
Dans le cas de la fibre optique, nous aurons rflexion totale, le rayon lumineux restera enferm dans le milieu d'indice n1 qui est le coeur de la fibre.
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L'optolectronique :
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13.8.6 Les catgories de fibres La lumire peut tre injecte dans la fibre sous un seul angle, ou un seul mode. Cette mthode sera utilise pour les fibres monomodes. Lorsque la lumire est injecte sous diffrents angles, elle va parcourir des chemins de diffrentes longueurs. Les signaux lumineux aboutissent l'extrmit de la fibre des instants diffrents. Ceci entrane en sortie un largissement de l'impulsion lumineuse et limite la longueur de transmission. Cette mthode est utilise dans les fibres multi modes. L'attnuation des signaux est d'environ 0,5 1 dB/km en fibres monomodes et jusqu' 5 dB/km pour les fibres multi modes.
Les fibres plastiques Ces fibres sont utilises pour des liaisons de quelques dizaines (voir centaines) de mtres ainsi que pour les cbles d'intrieurs. Elles conviennent pour les applications suivantes: transmission d'informations, mais aussi illumination de cadrans, d'indicateurs et de tableaux. Elles se composent d'un coeur ainsi que d'une gaine optique en plastique, leurs dimensions sont importantes. Le diamtre du coeur peut atteindre 1 mm. Elles sont multi modes, l'affaiblissement est important: de 150 300 dB/km. Elles sont bon march et trs faciles mettre en oeuvre.
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13.8.7 Transmission par fibre optique
L'optolectronique :
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Connecteurs Information numrique transmettre Codeur Rcepteur Module Dcodeur Module Emetteur mission rception Fibre optique Information numrique restitue et rgnre
Le codeur adapte l'information numrique la transmission Le module d'mission transforme les signaux mettre en impulsions de courant pour l'metteur L'metteur transforme les impulsions de courant en impulsions de lumire qu'il injecte l'entre de la fibre optique. Il s'agit de LEDs spciales pour des fibres multimodes ou de diodes laser pour les fibres monomodes. La fibre optique transporte la lumire d'un point un autre Le rcepteur reoit la lumire en bout de fibre et la transforme en impulsion de courant, il s'agit gnralement de photodiodes Le module de rception transforme les impulsions de courant en code numrique Le dcodeur restitue l'information dans sa forme de dpart en la remettant en forme.
La fibre optique par elle-mme est un composant trs conomique mais ce sont les lments metteurs-rcepteurs (~100.-) et les connecteurs qui sont coteux (~15.-). Les connecteurs relient la fibre l'metteur et au rcepteur. Ce sont des composants de haute prcision ncessaire pour aligner la diode missive avec le coeur de la fibre et l'inverse la rception. Des pertes importantes peuvent tres causes par les connecteurs s'ils sont monts sans prcautions. Les principaux avantages d'une transmission par fibre optique sont les suivants:
Forte capacit de transmissions simultanes Cbles de faible diamtre, lgers, souples et robustes Insensibles aux parasites, foudre, champs magntiques Pas d'interfrences entre liaisons parallles Interception des informations (piratage) impossible Trs faible attnuation du signal permettant de poser des lignes de plusieurs dizaines de kilomtres sans amplificateurs
Inconvnient: Les cbles supportent mal la traction (pose) et doivent tre arms pour viter les dommages dus une trop forte contrainte. Cette armature limite galement le rayon de courbure.
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L'optolectronique :
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Certains cristaux liquides (cholestriques) modifient leur coloration lors de changements de temprature (restitution des images infrarouges en images visibles, dtection des tumeurs cancreuses).
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L'optolectronique :
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13.9.3 Principe de l'affichage On disperse dans le cristal une petite impuret ionique (atomes pouvant tre attirs ou repousss par un champ lectrique)
Au repos En l'absence de champ lectrique, les molcules sont orientes paralllement aux plaques de verre (elles sont aides en cela par le traitement des surfaces internes des plaques de verre)
plaque de verre
La lumire arrivant perpendiculairement aux plaques de verre peut passer. Le systme apparat comme transparent.
Rotation des molcules d'environ 90. Elles ont tendance se placer perpendiculairement au champ lectrique. Le passage de la lumire est perturb. Mise en mouvement des ions vers les lectrodes. Sur leur passage, ils bousculent les molcules. Il en rsulte une forte turbulence et la solution se trouble. La lumire ne passe plus.
Si le champ lectrique est interrompu, les molcules reprennent leur alignement, la perturbation disparat et la transparence revient.
Attention: La polarisation par une tension continue provoque l'lectrolyse du systme et la destruction des lectrodes. On appliquera alors une tension alternative (signaux carrs) de faible frquence (moins de 100 Hz). Ceci entrane une rotation des molcules qui perturbe le passage de la lumire.
En ajoutant d'autres impurets, on obtient des modifications de couleur rflchie par le cristal en fonction du champ.
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13.9.4 Les trois types d'clairement
L'optolectronique :
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a) Type transmissif La cellule d'affichage est claire depuis l'arrire, la lumire traverse la cellule. Utilis pour les afficheurs qui doivent tre bien lisibles dans l'obscurit. b) Type rflectif La face arrire de l'afficheur est un rflecteur. Il renvoie la lumire qui tombe sur la face avant de l'afficheur. Utilis pour les afficheurs qui ne doivent tre lus qu' lumire ambiante. c) Type translectif La face arrire est partiellement transparente. C'est la combinaison des 2 mthodes prcdentes. Utilis pour les afficheurs qui doivent tre lus la fois dans l'obscurit et la lumire du jour (autoradio).
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ETML
13.10 Exercices
13.10.1 Exercice Soit l'ensemble d'afficheur ci-dessous:
5 4 3 2
L'optolectronique :
13
230 V 50 Hz 1000F
R1 LED rouge RL
A la sortie du secondaire U = 12,6 Veff. En tenant compte des chutes de tension dans les diodes du redresseur, calculer R1 pour avoir 20 mA maximum (valeur de crte) parcourant la LED. 13.10.3 Exercice
33K 5V
230 V 50 Hz
10K Sortie
4N24
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IL
IL
U0
RL
U0
RL
La tension U0 reste toujours constante comme l'indique la caractristique de la figure ci-dessous; elle est indpendante de la charge RL
U U0
IL
Exemple : Une source de tension idale de 10 V ayant une rsistance interne Ri = 0 dlivre une tension constante de 10 V ses bornes. La rsistance de charge RL peut tre variable et mme dconnecte, mais la tension de 10 V restera toujours constante. (figure ci-dessous)
10 [V]
RL
U = 10 [V]
10 [V]
U = 10 [V]
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Un courant IL circule dans la charge RL Ce courant produit une chute de tension interne Ui due la rsistance interne Ri. Appliquons la loi de Kirchhoff au circuit de la source de tension 1. U0 = Ii Ri + IL RL do
2. UL = U0 - IL Ri = U0 - Ui = IL RL L'quation (2) montre que la chute de tension interne diminue la tension utilisable UL. Examinons la procdure pour dterminer la valeur de la rsistance interne Ri 3. De l'quation (2)
Ri = U0 UL IL
Les tensions U0 et UL ainsi que le courant IL peuvent tre dtermins par les mesures et calculs suivants : Dconnectons la charge RL et mesurons la tension U aux bornes de sortie. La chute de tension aux bornes de Ri est gale zro car IL est nul. Avec cette condition de mesure, la valeur de la tension circuit ouvert est gale la tension d' une source idale U = U0 (figure ci-dessous).
Ri
+ U0 U
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U0
ICC
IL
Les points de la caractristique que nous examinons sont les intersections de laxe vertical (U0) et de l'axe horizontal (ICC)
La tension maximum est la tension mesure vide U0, c'est--dire que la rsistance de charge RL est infinie (RL = ) et que le courant IL = 0 Le courant maximum est le courant de court-circuit ICC, c'est--dire que la rsistance de U charge RL est court-circuite (RL = 0 ) donc la tension UL = 0 ICC = 0 Ri
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Source de courant
Source de courant idale. La rsistance interne Ri d'une source de courant idale est gale l'infini (Ri = ).
IL I0 I0 Ri U RL U
IL
RL
Le courant I0 reste toujours constant comme l'indique la caractristique de la figure ci-dessous; il est indpendant de la charge RL.
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Exemple : Une source de courant idale de 1 A avec une rsistance interne Ri = dlivre un courant constant de 1 A ses bornes. La rsistance de charge RL peut tre variable et mme court-circuite mais le courant de 1 A restera toujours constant (figure ci-dessous).
I = 1A
RL
I = 1A
Ii
IL
I0
Ri
UL RL
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Connectons la rsistance de charge RL la place de l'ampremtre et mesurons la tension UL. La rsistance interne Ri est en parallle avec la rsistance de charge RL. La tension UL est gale la tension Ui (figure ci-dessous)
I0
Ri
Ui
RL UL
La loi d'ohm nous permet d'crire la valeur de la rsistance interne. Ri = o Ii = I0 - I L et I0 = ICC (Figure du haut de la page)
Ui Ii
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U0
UL
Les points de la caractristique que nous examinons sont les intersections de l'axe vertical (ICC) et de l'axe horizontal (U0).
le courant maximum est le courant de court-circuit ICC, c'est--dire que la rsistance de charge RL est court-circuite (RL = 0) et que la tension UL = 0. la tension maximum est la tension mesure vide U0, cest--dire que la rsistance de charge RL est infinie (RL = ) et que le courant IL = 0. U0 = ICC Ri
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Exercice source de courant relle Dterminer et tracer la caractristique IL en fonction de UL si RL varie de 0 l'infini.
IL I1 Ri 10k 0.5A RL UL
Exercice source de tension Dterminer puis tracer la caractristique UL = f(IL) sur le montage ci-dessous, si RL varie de zro l'infini.
R1 10k
IL
U 10 [V] R2 10k RL UL
10 V
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Lois de Kirchhoff
Ces lois permettent de poser les quations de tension et de courant de n'importe quel circuit. Premire loi: Loi des noeuds
I1
I4
I2
I3
Noeud
En un noeud, il n'y a aucune perte et tous les courants entrant d'un ct ressortent de l'autre.
Une somme algbrique est une somme dans laquelle on prend les courants avec leur signe:
I = +I +I -I -I =0
1 2 3 4
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U4 U1 E1
E2 U3
U2
Pour effectuer cette somme algbrique, on doit choisir arbitrairement un sens de parcours de la maille. Exemple pour la figure ci-dessus et avec un sens de parcours anti-horaire:
U1+E 1+U 2+U 3+E 2-U 4 =0
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R1 1k8 E1 18 V R3 1k8
E2 10 V R2 1k
Exercice
R1 22R
R2 1R5 E1 24V
R3
2A
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E2 10 V R2 100R
E3 2.5 V
Exercice
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U2 = U
R2 R1 + R 2
Par analogie U1 = U
R1 R1 + R 2
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R1 =1 K U = 10 V +
R2 = 2K
U2
Solution
Diviseur de courant.
I1
I2
I R1 R2 U
R1 R 2 R1 + R 2
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I1 =
I1 = I
R2 R1 + R2
et par analogie
I2 = I
R1 R1 + R 2
I1
I=1A R1 = 1k R2 = 2k
Solution
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X U1 2V U2 4V Y
I
U1 2V
I U2 4V
R
1k
R
1k
R
1k
Le circuit de la figure de gauche est une combinaison des circuits des figure du milieu et de droite. La tension totale aux bornes XY du circuit de la figure de droite est de 6 V. Donc le courant total Le courant I du circuit de la figure du centre I= 6V = 6 mA 1 k
2V = 2 mA I' = 1k
I =
4V = 4 mA. 1 k
L'addition du courant I et du courant I correspond au courant total I qui est de 6 mA. L'exemple ci-dessus est une dmonstration de la mthode de calcul du thorme. Le thorme de superposition peut tre tabli de la faon suivante :
Pour calculer le courant d'une branche d'un circuit compos de plusieurs sources de tension ou de courant, il suffit de calculer les courants individuels de la branche dus chaque source et ensuite de faire la somme algbrique de ces courants. Les sources qui ne sont pas concernes lors du calcul d'un courant individuel doivent tre remplaces par leur rsistance interne. Si les courants individuels circulent dans le mme sens, on fait la somme des courants ; par contre si les courants individuels circulent en sens inverse, on fait la diffrence des courants.
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E1 10 V
R2 5k
E2 12 V
Solution
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Solution
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1 mA R1 1k I E1 4V R2 4k E2 10 V R3 4k
Solution
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UTh b
RL
Le circuit compos de UTh et RTh fournira la charge RL exactement le mme courant et la mme tension aux bornes a et b que le circuit original. Pour dterminer la source de tension et la rsistance de Thvenin, deux solutions sont possibles:
Dtermination de UTh par calcul Connaissant le circuit, la tension de Thvenin est calcule aux bornes a et b sans la charge RL. Dtermination de RTh par calcul Le calcul de la rsistance de Thvenin vue aux bornes a et b sans la charge RL. est la rsistance quivalente du circuit, lorsque les sources idales indpendante sont remplaces par leurs rsistances internes respectives.
La rsistance interne dune source de tension idale est gale zro.
Remplac par
c.c.
Remplac par
circuit ouvert
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R1 3k
E 9V a R2 6k b
RL
Solution
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R1 3k
R3 4k
E 16,2 V
R2 6k
b
RL
Solution
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a
RL
R1 10k
2k
Solution
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R1 2k E1 5V
R3 8k
R4 1k E2 b 5V
Solution
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Circuit mesurer RL
Il est possible de dterminer le circuit quivalent de Thvenin par la mesure, de la manire suivante.
Dconnecter la charge RL. Connecter un voltmtre entre les bornes a et b. La tension mesure vide est la tension UTh. Connecter un ampremtre entre les bornes a et b. Ce courant de court-circuit ICC permet de calculer RTH.
R Th =
U Th I CC
a RTH RL b UTH b a RL
Circuit mesurer
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Le circuit compos de IN et RN fournira la charge RL exactement le mme courant et la mme tension aux bornes a et b que le circuit original. Pour dterminer la source de courant et la rsistance de Norton, deux solutions sont possibles:
Dtermination de IN par calcul Le courant de Norton est le courant de court-circuit mesur entre les bornes a et b. Dtermination de RN par calcul Le calcul de la rsistance de Norton vue aux bornes a et b sans la charge RL. est la rsistance quivalente du circuit, lorsque les sources idales indpendante sont remplaces par leurs rsistances internes respectives. Exemple 1 Considrons le circuit de la figure ci-dessous et dterminons le circuit quivalent de Norton.
R1
1k
U 3V
R2 4k
RL 5k
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2k5 I 5 mA R1 10k RL 1k
Solution
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U 16.2 V
R2 6k
RL
Solution
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Dconnecter la charge RL. Connecter un ampremtre entre les bornes a et b. Ce courant de court-circuit est le courant de Norton IN. Connecter un voltmtre entre les bornes a et b. La tension mesure vide U0 permet de calculer RN.
RN =
U0 IN
a a IN RL b
Circuit mesurer
RN
RL b
Analogie entre le thorme de Thvenin et le thorme de Norton Une source de tension de Thvenin UTh et sa rsistance interne RTh peuvent tre remplaces par une source de courant de Norton IN et sa rsistance interne RN.
RTh a a
UTh
IN
RN
U Th R Th
et
RN = Rth
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IN
RN
UTh
Si lon applique le thorme de Thvenin au schma quivalent de Norton, on peut dire: Uth = IN RN et RTh = RN
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