Nanotechnologie Et Microélectronique: Techniques de Fabrication Des Microsystèmes

Nanotechnologie
et microélectronique:
Techniques de fabrication des
microsystèmes
r.leghrib@uiz.ac.ma
30/12/2022
Sommaire
i- Introduction
1.1 Définitions: Microsystème
1.2 Histoire de la microélectronique
1.3 Evolution des microsystèmes: loi de Moore
ii- Technologies de fabrication
2.1 Salle blanche
2.2Production de la galette de silicium
2.3 Techniques et processus de fabrication
2.3.1 Technologie de la microélectronique standard
2.3.1.1 Oxydation
2.3.1.2 Dépôt des couches minces
2.3.1.3 Dopage: diffusion et implantation ionique
2.3.1.4 Gravure
2.3.1.5 Photolithographie
2.3.2 Nouvelles technologies
2.3.2.1 Micro-mécanisation des surfaces
2.3.2.2Micro-mécanisation en volume
2.3.2.3 Soudage des galettes
2.3.2.4 Processus LIGA
2.3.3 Technologie hybride
iii- Quelques exemples d’applications
2
Dépôt des couches
minces
3
Micomécanisation de Silicium:
Dépôt des couches
Croissance par épitaxie
CVD : Dépôt en Phase chimique

Croissance par non épitaxie
PVD : Dépôt physique en Phase vapeur
Evaporation
Pulvérisation (Sputtering)
L'épitaxie: est une technique de croissance orientée qui consiste à faire
croître un cristal sur un cristal de nature chimique identique (homoépitaxie)
ou différente (hétéroepitaxie).
1150-1225 ºC
SiCl4 + 2 H2 Si + 4 HCl 4
Définition :
L'épitaxie est une étape technologique consistant à faire croître du cristal sur du cristal.
Etymologiquement, "épi" signifie "sur" et "taxis", "arrangement". La technique va donc
consister à utiliser le substrat comme germe cristallin de croissance et à faire croître la
couche par un apport d'éléments constituant la nouvelle couche. La couche épitaxiée peut
être dopée ou non dopée.
On parlera, dans le cas où :
- les matériaux sont identiques, d'homoépitaxie ; par exemple, épitaxie d'une couche n-
sur une couche n+, impliquée dans la jonction collecteur-base d'un transistor bipolaire
permettant une meilleure tenue en tension de cette jonction polarisée en inverse.
- les matériaux sont différents, d'hétéroépitaxie ; par exemple croissance d'une couche
de GaxAl1-xAs sur une couche de GaAs ; cet assemblage permet la fabrication de
super-réseaux ou de couches à forte mobilité destinées aux transistors HEMT (High
Electron Mobility Transistor).
Dans ce dernier cas, la croissance ne sera possible que s'il y a accord de maille, c'est-à-
dire même réseau cristallin et paramètres de maille très voisins (distance entre atomes peu
différente pour le nouveau réseau ; quelque 1 à 2 % au maximum d'écart).
5
Dépôt de couches
Types des croissances par épitaxie
•Epitaxie à jet de molécules
•Epitaxie à faisceau chimique
•Epitaxie en phase vapeur organométallique

•
•Epitaxie en phase vapeur hydride
•Epitaxie à couches atomiques

6
Dépôt de couches minces
Epitaxie par jet molécules
Des Éléments ultra- purs sont chauffés dans des cellules séparées quasi - Knudsen
effusion jusqu'à évaporation . Les éléments évaporé se condensent alors sur la
plaque, où ils peuvent réagir les uns avec les autres . Le terme « faisceau» signifie
que les atomes évaporés n’interagissent pas entre eux jusqu'à ce qu'ils atteignent la
galette .
MBE est caractérisé par une vitesse lente

de dépôt , ce qui permet aux films de
croître de manière épitaxiale . Cela
nécessite proportionnellement meilleur
vide afin d' atteindre les mêmes niveaux
d'impuretés que les autres techniques de
dépôt.
MBE was invented in the late 1960s at Bell Telephone 7

Laboratories by J. R. Arthur and A. Y. Cho
Epitaxie par jet molécules
Schéma descriptif du bati épitaxie par jet moléculaire, EJM, ou Molecular Beam
Epitaxy, MBE (d'après D.V Morgan et K. Board [3]).
8
Dépôt des couches minces
Epitaxie par faisceau chimique (CBE)
La version hybride de MBE utilise une source de gaz (généralement des hydrures
ou organométalliques) à la place d'un solide.
la source de gaz est à la température ambiante , ce qui évite les problèmes de

contamination .
La source gaz réagissent sur la surface du substrat .
La température du substrat peut être plus faible en évitant la ségrégation des

atomes de dopage.
9
Epitaxie en phase vapeur
de Métalorganiques/Organométalliques
(MOVPE/OMVPE)
Pas de procédé sous vide
phase gazeuse à pression modérée

(2 to 100 kPa)
Réaction à la surface des

composés métal-organiques et
des hydrures de métaux.
Phosphure d'indium pourrait être cultivé dans un réacteur sur un substrat 10 en

introduisant du triméthyl indium ( (CH3) 3In ) et de la phosphine ( Ph3 ) .
Epitaxie à phase vapeur Hydride (HVPE)
La technique de croissance épitaxie est utilisée souvent pour produire GaN, GaAs,
InP et ses dérivées
Les gazes porteurs souvent utilisés sont: Ammoniac, Hydrogène et une variété des
Chlorites
Les gazes sont moins dangereux que MOVPE
Le procédé est plus rapide
reaction chimique
REACTION CHIMIQUE
formation de chlorite
Condensation
Element Substrat
(Ga, In....) 11
Epitaxie à couches atomiques (ALE)
La structure réalisé du réseau cristallin est mince , uniforme et alignés avec la

structure du substrat.
L'épaisseur du film est très précis due à l’auto-arrèt de la réaction chimique.
L’élement chimique injecté est fortement lié jusqu'à ce que tous les
sites disponibles pour chimisorption sont occupées
.
ELEMENT
Pas 1 ELEMENT 2
de chemisorption
Le temps mort est utilisé MONOLAYER
MONOLAYER
SUBSTRAT
REACTION MONOCOUCHE
pour rincer l'excès de ELEMENT 2
1
matière.
This technique has been invented in 1977 by Dr. Tuomo Suntola, in the University of
Helsinki in Finland. 12
Croissance par épitaxie
Sources de Silicium: Sources de Dopants
Tétrachlorure de Silicium SiCl4 Arsine AsH3

Dichlorosilane SiH2Cl2 Phosphine PH3
Trichlorosilane SiHCl3 Diborane B2H6
Silane SiH4
HETEROEPITAXIE
SOI (Silicon / Isolant)

SOS (Silicon / Sapphire- Al2O3)
SOG (Silicon / Glass-SiO2)
13
Procédés d'épitaxie en phase vapeur du silicium
Il existe différents types de procédés d'épitaxie du Silicium suivant la source de silicium

qui
peut être du SiCl2 , SiHCl3, du SiHCl2 et du SiH2
1) à partir du tétrachlorosilane, SiCl4, la réaction est :

SiCl4 gaz + 2H2 gaz Si sol + 4HCl gaz
Elle s'effectue en général autour de 1250°C, ce qui entraîne durant l'épitaxie une
redistribution
importante des dopants.
2) à partir de trichlorosilane, SiHCl3, la réaction est :

SiHCl3 gaz + H2 gaz Si sol + 3HCl gaz
Elle s'effectue en général autour de 1100°C ; c'est la méthode industrielle la plus utilisée
actuellement.
3) à partir de la pyrolyse du dichlorosilane, SiH2Cl2 , la réaction est :

SiH2 Cl2 gaz Si sol + 2HCl gaz
Cette réaction permet d'obtenir une bonne qualité du cristal avec une vitesse de dépôt
relativement élevée.
14
Procédés d'épitaxie en phase vapeur du silicium (suite):
L'ensemble des trois méthodes ci-dessus présente l'inconvénient de produire de l'acide

chlorhydrique qui peut attaquer le silicium en cours de croissance. Par contre, on peut
jouer sur la pression partielle de ce composé pour contrôler la croissance.
4) à partir du silane, SiH4 :

La réaction de pyrolyse du silane est une réaction irréversible :
SiH4 gaz -> Si sol + 2H2 gaz
Cette réaction s'effectue à 1000°C sans composés chlorés. Cette technique permet de
réaliser des jonctions abruptes puisque la température n'est pas très élevée, mais le
silane est un produit coûteux et dangereux (il s'enflamme instantanément à l'air libre)
et la vitesse de dépôt est faible.
15
Questions de réflexion
1. La vitesse de croissance typique d'une épitaxie par jet moléculaire est de:
a. quelques nanomètres par minute

b. quelques microns par minute
c. quelconque puisqu'on peut la faire varier comme souhaité en fonction des
paramètres de dépôt
d. quelques centimètres par minutes
e. quelques picomètres par minute
2. L'homoépitaxie correspond à la croissance
a. de deux matériaux différents ayant même paramètre de maille

b. de ceux matériaux ayant des paramètres de maille différents
c. d'un même matériau dopé différemment
d. d'un seul matériau dopé uniformément
e. d'un deux matériaux dopés uniformément et différemment
3. Le positionement des atomes en cours de croissance se produit

préférentiellement :
a. à la surface de la couche
b. au niveau de défauts cristallins
c. sur les bords de marche en surface
d. dans des sites cristallins libres et isolés dans la première couche atomique
e. dans des sites interstitiels de la pemière couche atomique
16
CVD: Dépôt à vapeur chimique

Chambere de réacteur
source d’énérgie Système à vide -pour l'enlèver toutes
les autres espèces gazeuses que celles
Galettes requises pour la réaction.
Système d'échappement -pour

l’élimination des sous-produits
de la réaction et de leur
traitement.
Mécanisme de chargement des
substrats
· Chauffage Resistif e.g. Four tubulaire
Système de distribution de · Chaffage par radiation e.g. lampes à halogene
gaz Pour l’alimentation en · chauffage par radio fréquence e.g. chauffage par
précurseurs dans la chambre induction Lasers 17
de réacteur
CVD: Dépòt à vapeur chimique
APCVD: CVD à pression atmosphérique
LPCVP: CVD à base pression
UHVCVD: CVD à pression ultra-elevée
PECVD: CVD à plasma poussé

RPECVD: CVD à plasma poussé à distance
MPCVD: CVD à plsma à micro-onde assistée
RTCVD : CVD thermique rapide
HWCV: Hot Wire CVD/Cat-CVD: Catalytic CVD/HFCVD: Hot Filament CVD
ALCVD: CVD à couche atomique

AACVD: CVD assisté par aerosol
DLICVD: CVD à injection directe de liquide
MOCVD: CVD à métal-organique
18
• Atmospheric pressure CVD (APCVD) procédé à pression
atmosphérique.
• Low-pressure CVD (LPCVD) procédé à pression sub-
atmosphérique. A basse pression, ça permet de réduire les phases de
réactions non-désirables et améliore l’uniformité du film déposé sur
la galette.
Pression Air Hydrogène
105 Pa 60 nm 200 nm
102 Pa 60 m 200 m
10-1 Pa 6 cm 20 cm
Libre parcours moyen
10-4 Pa 60 m 200 m
10-7 Pa 60 km 200 km
•Ultrahigh vacuum CVD (UHVCVD) – procédé à une très basse,

typiquement moins de 10-6 Pa
1 Pascal = 9,86923e-6 atm 19

Low-pressure CVD (LPCVD)
20
• Plasma-Enhanced CVD (PECVD) - procédé qui utilise un
plasma afin d'améliorer les vitesses de réaction chimique des
précurseurs. Il permet le dépôt à basses températures.
• Remote plasma-enhanced CVD (RPECVD) – Dans ce cas, la
galette n’est pas directement placée dans la région de décharge du
plasma . Cela permet un traitement à des températures qui
arrivent jusqu'à la température ambiante.
• Rapid thermal CVD (RTCVD) - procédé qui utilise des lampes
de chauffage ou d'autres méthodes pour chauffer rapidement la
galette. On chauffe seulement le substrat (Sans chauffer les murs
de la chambre ou le gaz ) pour réduire les réactions indésirables
en phase gazeuse qui peuvent conduire à la formation de
particules
21
•Aerosol Assisted CVD (AACVD) - les précurseurs sont transportés
vers le substrat par l’intermédiaire d'un aérosol liquide / gaz, générés
par ultrasons. Pour une utilisation avec des précurseurs non volatils .
•Direct Liquid Injection CVD (DLICVD) - procédé dans lequel les

précurseurs sont des liquides ou des solides dissous dans un solvant
convenable. Les liquides sont injectés dans une chambre de
vaporisation à travers des injecteurs. DLICVD est adaptée à une
utilisation de liquides ou de précurseurs solides. On peut atteindre un
taux de croissance très élevé .
•Metal-organic CVD (MOCVD) – Equivalent à MOVPE

•Atomic layer CVD (ALCVD) – Equivalent à ALE
22
Les dépôts typiques de CVD en Microélectronique
600 ºC
Polysilicium SiH4 Si+ 2H2
Si3N4 3SiCl2H2+4NH3 800 ºC Si3N4+6HCl+6H2
SiCl2H2+2H2O 900 ºC SiO2+2HCl+2H2

SiO2
SiH4+O2 500 ºC SiO2+2H2
Qualité base d’oxyde Procédé rapid 23

Caractéristiques du revêtement (coating)
Revêtements CVD sont généralement :

· À grain fin
IDEAL
· Imperméable
· Haute pureté
· Plus dur que les matériaux similaires produits
en utilisant les procédés classiques de
fabrication de céramique.
Revêtements CVD sont généralement que

quelques microns d'épaisseur et sont REAL
généralement déposés à des taux assez lents ,
de l'ordre de quelques centaines de microns par
heure .
24
PVD: Pulvérisation Cible
Entrée Pompe à vide

gaz inerte :
He, Ar...
Courant RF alternatif
Galette
Champs magnétiques
Décalage de tension DC / La cible 25
Pulverisation
26
DC Pulverisation
RF Pulerisation
Trés bonne pour les
matériaux isolants
27
Problèmes dans les systèmes de pulvérisation à base de diodes
Pas tous les électrons qui fuient la cible contribuent à la

zone de préchauffage du plasma ionisé. Les électrons
gaspillés volant autour de la chambre provoquent le
rayonnement et d'autres problèmes comme l'échauffement
de la cible .
Une source de pulvérisation magnétron, plaçant des aimants autour de la cible,

capte les électrons qui fuient et les confine dans le voisinage immédiat de la cible.
Le courant d'ions (densité des atomes d'argon ionisés atteignant la cible) est
augmenté d'un ordre de grandeur par rapport aux systèmes de pulvérisation des
diodes classiques , ce qui accélère les taux de dépôt à une pression inférieure .
28
PULVERISATION REACTIVE
Quand un gaz (généralement de l'oxygène ) est mélangé avec Ar.
Les gazes réagissent avec les ions produisant le dépôt des composés
correspondants.
29
PULVERISATEURS
30
EVAPORATION
Galette
Matériau Evaporé Pompe

à vide
Obturateur
Creuset Energie
filament de tungstène
bobines d'induction
Un faisceau d'électrons
31
EVAPORATION
* Résistance qui chauffe les sources
d'évaporation : fils, cables
* Simple, robuste, très répandu (widespread)
* T ~ 1800 ºC
* Utilise les filaments de: W , Ta ou Mo pour
chauffer la source d'évaporation
* Les courants typiques sont de 200 à 300 A
* Expose les substrats à rayonnement visible et
infrarouge
* Les taux de dépôt typiques sont 1-20A / s
* Évaporation de matériaux ordinaires
- Au, Ag, Al , Sn, Cr, Sb, Ge, In, Mg, Ga
- CdS , PbS , CdSe , NaCl, KCl , AgCl ,
MgF2 , CaF2 , PbCl2
32
Evaporation par faisceau d’électrons EVAPORATION
• Plus complexe, mais extrêmement polyvalente.

• T > 3000 ºC
• Utilise des cônes d'évaporation ou des creusets (par
exemple graphite ) dans un centre de cuivre .
• Tension d'émission typique est 8-10kV .
•Expose les substarats à un rayonnement d'électrons
secondaires
•Les rayons X peuvent également être générés par
un faisceau d'électrons à haute tension .
•Les taux de dépôt typiques sont 1-100 A / S
•Matériaux d’évaporation communs : tout évaporateur
chauffé par résistance pourra accueillir, en plus :
- Ni, Pt , Ir , Rh, Ti, V, Zr, W, Ta , Mo
- Al2O3 , SiO , SiO2 , SnO2 , TiO2 , ZrO2
33
Cellule d’effusion ( Knudsen): EVAPORATION
Taux d' évaporation contrôlé par la température
(contrôlé avec la pression de vapeur à
l'équilibre et la taille d’orifice)
NB : la distribution de l'intensité du faisceau de

vapeur, dépend du rapport L / d ( niveau de la
cellule de remplissage)
Enceinte isotherme avec un petit orifice
La surface de l'évaporation, à l'intérieur de

l'enceinte est grande par rapport à la surface de
l'orifice
Une pression de vapeur à l'équilibre Pº est

maintenue à l'intérieur de l'enceinte d’effusion
de Knudsen est donc :
34
EVAPORATION
Inconvénients:
*Films très désordonnés

*Contraintes résiduelles importantes
( couches minces )
*Procédé très lent ( nm/s)
35
Réacteur de
Pulvérisation
36
Cibles de pulvérisation
37
Cibles de pulvérisation (pureté très elevée 99.0-99.999)

METAUX MELANGE OXYDES
Ag Al Nb Ni Au Os De METAUX ZnO
Al/Cu MgO
Pb Pd C Pr Pt Co
Ni/Cr BaO
Re Rh Cr Ru Cu Sb Al2O3
Ni/Fe
Dy Si Er Eu Fe Ta TiO2
Ni/V
Gd Tb Ge Ti Hf In Al/Si GeO2
V Ir W Y Mg Zn Co/Ni SiO2
Fe/Mn ITO
Mn Mo Zr
Mn/Pt
COMPOSES
CaF2 MoS2 ZnSe TaC Si3N4
LaF3 ZnS TiC TiN
38
AlN BN
Sommaire
i- Introduction
1.1 Définitions: Microsystème
1.2 Histoire de la microélectronique
1.3 Evolution des microsystèmes: loi de Moore
ii- Technologies de fabrication
2.1 Salle blanche
2.2Production de la galette de silicium
2.3 Techniques et processus de fabrication
2.3.1 Technologie de la microélectronique standard
2.3.1.1 Oxydation
2.3.1.2 Dépôt des couches minces
2.3.1.3 Dopage: diffusion et implantation ionique
2.3.1.4 Gravure
2.3.1.5 Photolithographie
2.3.2 Nouvelles technologies
2.3.2.1 Micro-mécanisation des surfaces
2.3.2.2Micro-mécanisation en volume
2.3.2.3 Soudage des galettes
2.3.2.4 Processus LIGA
2.3.3 Technologie hybride
iii- Quelques exemples d’applications
39
Dopage
40
Dopage
Si Si Si Si Si Si Si Si
Si P Si Si Si B Si Si
Si Si Si Si Si Si Si Si
Type n (doneurs) Type p (accepteurs)

Phosphorous Boron
Arsenic Alluminium
Antimony Gallium
Indium
Diffusion
Méthodes de dopage
Implantation ionique
41
Dopage: Diffusion
Pompe à vide
800-1200 ºC
Galette
Four
Masque de Diffusion Problème
42
Mécanismes de diffusion
I) Phénomène de diffusion
Le phénomène de diffusion est un phénomène très général dans la nature, qui

correspond à la tendance à l'étalement d'espèces, particules, atomes ou molécules
grâce à une excitation énergétique apportée par la chaleur. Suivant le milieu dans lequel
se déplacent ces espèces, l'étalement sera plus ou moins grand.
A température ambiante le phénomène de diffusion sera très important dans un milieu

gazeux, plus faible dans un milieu liquide et pratiquement nul dans un milieu solide.
Pour obtenir un phénomène de diffusion dans un solide ou un cristal, il faudra chauffer le
matériau à des températures voisines de 1000°C.
Dans la suite, nous nous intéresserons essentiellement aux mécanismes de diffusion

dans le milieu solide, sachant qu'il est possible d'utiliser aussi des mécanismes en
milieu gazeux voire liquide au niveau des mises en œuvre technologiques de procédés
particuliers.
Pour mieux comprendre l'aspect macroscopique du phénomène de diffusion, il faut avoir

une idée des phénomènes et mécanismes mis en jeu à l'échelle atomique.
43
Mécanismes de diffusion
Diffusion par lacune Diffusion multi atome
Diffusion mixte
Diffusion interstitielle
44
les mécanismes ne seront possibles qu'à la condition que les espèces concernées
soient suffisamment excitées (niveau d'énergie suffisant) pour statistiquement
franchir les barrières d'énergie que constituent par exemple les barrières de potentiel
atomique.
Ces barrières de potentiel vont dépendre des mécanismes mis en jeu. Par exemple
un petit atome tel que le Bore pourra se "faufiler" entre les mailles du réseau cristallin
et nécessitera donc une énergie plus faible pour se déplacer. Les quatre principaux
mécanismes recensés sont :
- mécanisme lacunaire, correspondant à l'occupation d'une lacune ou vacance

laissée par un atome du réseau cristallin qui peut, lui aussi se mouvoir en laissant
des lacunes,
- mécanisme interstitiel, correspondant au déplacement des atomes entre les sites
cristallins. Ce mécanisme sera prépondérant pour les petits atomes,
- mécanisme interstitiel combiné au mécanisme lacunaire. Ce phénomène
correspond à un placement en site substitutionnel d'un atome initialement positionné
en site interstitiel tout en envoyant en site interstitiel l'atome en site cristallin d'origine.
Ce phénomène correspond au "carreau sur place" du joueur de boules qui chasse la
boule en lui prenant sa place,
- mécanisme de groupe mettant en jeu plusieurs atomes. Ce mécanisme de
placement en force est plutôt typique des gros atomes.
45
Dopage: Diffusion
Loi de Fick
Relation de continuité
46
Dopage: Diffusion
Loi de Fick Relation
de continuité
2 ème loi de Fick
Si D est constant / x donc:
Cette approximation est vérifiée pour le Bore, mais pas pour le phosphore
Expression 3D
47
Dopage: Diffusion
Conditions initiales et limites: Approximation d’une source constante
Approximation 1D
on assume que le dopant

Galette
n’atteint pas le côté bas
infinie
de la galette 48
Dopage: Diffusion
49
Dopage: Diffusion
50
Dopage: Diffusion
Le facteur pré-exponentiel, Do et l'énergie d'activation, E, dépendent de la nature de l'élément

diffusant et de la nature du cristal dans lequel il diffuse ainsi que de son orientation
cristallographique.
Le tableau suivant donne les valeurs typiques de ces coefficients pour les éléments dopants les
plus utilisés dans le silicium.
Une analyse rapide du tableau montre aisément que les éléments de petite dimension tels que le
bore et le phosphore diffusent plus facilement dans le cristal, l'énergie d'activation ou la barrière
énergétique qu'ils doivent franchir étant plus basse.
51
Dopage: Diffusion
Diffusivité en fonction de 1/T des éléments dopants, antimoine, arsenic, bore et phosphore dans le
silicium. On retrouve une loi d'Arrhénius, c'est-à-dire une activation thermique
52
53
Dopage: Diffusion
Paramètres contrôlant le procédé de diffusion pour les dopants
spécifiques sont :
• Temps t
• Température T
• Concentration de dopant No
No peut être contrôlé en changeant le flux de gaz porteur dans le four, mais est
typiquement limité par “la limite de solubilité du solide*”.
*La limite de solubilité du solide” est le nombre maximal de dopants que peut recevoir
un volume de silicium
54
Dopage: Diffusion
Units in
cm-3
55
Dopage: Diffusion
DOSE (Q): quantité de dopants introduits
56
Dopage: Diffusion
Approximation d’une Dose constante diffusée
La DOSE déterminée est introduite à une temperature basse (pour éviter la diffusion)
57
Dopage: Diffusion
Constant Dose Diffusion method
La concentration à la surface
depend du t
58
Dopage: Diffusion
Dose constante
59
Dopage: Diffusion
Calcul de la profondeur de jonction
Source constante
Distribution Gausienne
60
Dopage: Diffusion
61
Dopage: Diffusion
62
Dopage: Diffusion
63
Dopage: Implantation Ionique
Ions accélerés
Masque de dopage
Galette
64
65
66
67
A la même énergie, plus l’ion est lourd, moins il est pénétrant
68
PHOSPHORE
69
ARSENIC
70
BORON
71
Dopage: Implantation Ionique
72
Dopage: Implantation ionique
73
Avantages de l’implantation ionique / par rapport à la diffusion :
•Temps de traitement court , bonne homogénéité et reproductibilité des profils
• Contrôle exact de la quantité d' ions implantés par intégration du courant .
• Températures relativement basses durant le traitement
• Différents matériaux peuvent être utilisés pour le masquage, par exemple oxyde , de
nitrure, de métaux, et résistent
•Implantation à travers des couches minces (par exemple SiO2 ou Si3N4) est possible
•Faible profondeur de pénétration des ions implantés. Cela permet la modification des
zones minces près de la surface avec des gradients de concentration élevée
• Des séquences d' étapes d'implantation avec des énergies différentes ( et les doses )
permettent l'optimisation de profils de dopants
Inconvenients:
*endommagement du substrat provoqué par les ions implantés.
* Le changement des propriétés des matériaux est limité aux zones proches du
substrat proches de la surface
* D'autres effets pendant ou après l'implantation (tels que la canalisation ou la
diffusion ) , qui rendent difficile d’atteindre des profils très peu profonds et de prédire
théoriquement les profilés exactes. 74

Nanotechnologie Et Microélectronique: Techniques de Fabrication Des Microsystèmes

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Nanotechnologie

CVD : Dépôt en Phase chimique

Types des croissances par épitaxie

•Epitaxie à jet de molécules

•Epitaxie à faisceau chimique

•Epitaxie en phase vapeur organométallique

•Epitaxie à couches atomiques

MBE est caractérisé par une vitesse lente

MBE was invented in the late 1960s at Bell Telephone 7

la source de gaz est à la température ambiante , ce qui évite les problèmes de

La source gaz réagissent sur ​la surface du substrat .

La température du substrat peut être plus faible en évitant la ségrégation des

Pas de procédé sous vide

phase gazeuse à pression modérée

Réaction à la surface des

Phosphure d'indium pourrait être cultivé dans un réacteur sur un substrat 10 en

La structure réalisé du réseau cristallin est mince , uniforme et alignés avec la

Tétrachlorure de Silicium SiCl4 Arsine AsH3

SOI (Silicon / Isolant)

Il existe différents types de procédés d'épitaxie du Silicium suivant la source de silicium

1) à partir du tétrachlorosilane, SiCl4, la réaction est :

2) à partir de trichlorosilane, SiHCl3, la réaction est :

3) à partir de la pyrolyse du dichlorosilane, SiH2Cl2 , la réaction est :

L'ensemble des trois méthodes ci-dessus présente l'inconvénient de produire de l'acide

4) à partir du silane, SiH4 :

SiH4 gaz -> Si sol + 2H2 gaz

a. quelques nanomètres par minute

2. L'homoépitaxie correspond à la croissance

a. de deux matériaux différents ayant même paramètre de maille

3. Le positionement des atomes en cours de croissance se produit

CVD: Dépôt à vapeur chimique

Système d'échappement -pour

PECVD: CVD à plasma poussé

ALCVD: CVD à couche atomique

•Ultrahigh vacuum CVD (UHVCVD) – procédé à une très basse,

1 Pascal = 9,86923e-6 atm 19

•Direct Liquid Injection CVD (DLICVD) - procédé dans lequel les

•Metal-organic CVD (MOCVD) – Equivalent à MOVPE

Si3N4 3SiCl2H2+4NH3 800 ºC Si3N4+6HCl+6H2

SiCl2H2+2H2O 900 ºC SiO2+2HCl+2H2

Qualité base d’oxyde Procédé rapid 23

Caractéristiques du revêtement (coating)

Revêtements CVD sont généralement :

Revêtements CVD sont généralement que

Entrée Pompe à vide

Pas tous les électrons qui fuient la cible contribuent à la

Une source de pulvérisation magnétron, plaçant des aimants autour de la cible,

Quand un gaz (généralement de l'oxygène ) est mélangé avec Ar.

Matériau Evaporé Pompe

• Plus complexe, mais extrêmement polyvalente.

NB : la distribution de l'intensité du faisceau de

Enceinte isotherme avec un petit orifice

La surface de l'évaporation, à l'intérieur de

Une pression de vapeur à l'équilibre Pº est

*Films très désordonnés

Cibles de pulvérisation (pureté très elevée 99.0-99.999)

Type n (doneurs) Type p (accepteurs)

Le phénomène de diffusion est un phénomène très général dans la nature, qui

A température ambiante le phénomène de diffusion sera très important dans un milieu

Dans la suite, nous nous intéresserons essentiellement aux mécanismes de diffusion

Pour mieux comprendre l'aspect macroscopique du phénomène de diffusion, il faut avoir

Diffusion par lacune Diffusion multi atome

- mécanisme lacunaire, correspondant à l'occupation d'une lacune ou vacance

La source gaz réagissent sur la surface du substrat .