Chapitre 1 : Du sable à la plaquette de Silicium

1) Introduction

Le silicium existe en grande quantité à la surface du globe terrestre. C'est le deuxième

élément le plus fréquent de la croûte terrestre ; O2 (46%), Si (28%), Al (8%). Sa température
de fusion est de 1415°C, qui est donc assez élevée, et son affinité chimique est forte à haute
température.

Le silicium cristallise dans une structure zinc-blende tétraèdrique (ou cubique face centrée
avec motif à deux atomes décalés d'un quart suivant la première diagonale) identique à celle
du diamant mais avec une distance interatomique légèrement plus élevée. C'est donc un
matériau avec une bonne cohésion et donc une bonne stabilité thermique.

Les sources naturelles sont essentiellement les silicates (sable, etc...) mais aussi zircon, jade,
mica, quartz, donc du SiO2 sous diverses formes et plus ou moins de contaminants (qui lui
donnent des couleurs différentes).

Ainsi, le silicium existe essentiellement sous forme oxydée et nécessite d'une part d'être réduit
et d'autre part d'être purifié afin d'obtenir un matériau dit de qualité électronique ou EGS
(Electronic Grade Silicon). Le problème est que la silice n'est pas réduite simplement par
l'hydrogène et qu'il faut donc trouver une technique de réduction, notamment par le carbone à
très haute température

2) Pureté chimique requise

La qualité électronique ou microélectronique est en fait difficile à obtenir et nécessite une

succession importante d'étapes de purification. Il faut se rappeler que d'une part toute la
théorie effectuée sur les dispositifs à semi-conducteur est basée sur un cristal parfait ou quasi-
parfait. La notion de dopage tient compte du fait que l'on peut maîtriser la concentration
d'atomes dopants au niveau de 1014 cm-3. Bien que ce chiffre puisse paraître grand il est en fait
très faible par rapport au nombre d'atomes par unité de volume du réseau cristallin. En effet,
dans le cas du silicium, il y a 5.1022 atomes par cm3. Cela signifie que la pureté chimique
exigée doit être meilleure que 10-9, soit d'une partie par milliard (ou 0,001 ppm).

La démarche va donc consister dans un premier temps à obtenir du silicium de qualité dite
métallurgique (Metallurgic Grade Silicon), puis de purifier le matériau pour atteindre la pureté
requise ou électronique (Electronic Grade Silicon).

3) Réduction de la silice

La première étape consiste à effectuer une électrolyse dans un four à arc pour atteindre des
températures suffisantes permettant de fondre la silice. Le SiO2 est mélangé à du carbone
(charbon).

En pratique, l'électrode est en graphite et est consommée par l'arc électrique (figure 1).

La réaction bilan est la suivante, sachant qu'en réalité elle résulte d'un grand nombre de
réactions chimiques intermédiaires :

1
 SiC(liquide) + SiO2 (liquide) ---> Si (liquide) + SiO (gaz) + CO (gaz)

Nous donnons dans la suite quelques réactions intermédiaires mises en jeu dans le four à arc
montrant la complexité de la chimie effective à ces hautes températures :

SiO + SiO2 ---> Si (solide) + SiO (gaz) + CO (gaz)

SiO2 + 2C ---> Si + 2CO

SiO2 + C ---> + SiO + CO

SiO + CO ---> SiO2 + C

Après cette opération, le silicium obtenu a une pureté de 98 %. Il faut donc le purifier encore
de plusieurs ordres de grandeur pour obtenir du matériau pour la microélectronique.

Figure 1. Electrolyse de la silice permettant d'obtenir du silicium

fondu de qualité métallurgique (d'après L. Crossman et J. Baker [1]).

Le silicium ainsi obtenu s’appelle silicium métallurgique (Metallurgical grade silicon, MGS),
sa pureté dépend du matériau de départ elle est de l'ordre de 98%. Pour obtenir du silicium de
qualité électronique (Electronic grade silicon, EGS), il faut le purifier au point de ne plus
avoir d’impuretés électroniquement actives. Ce qui veut dire qu’il faut obtenir un matériau qui
contient une impureté indésirable pour un milliard d’atomes de silicium.

Figure 2. Lingots de polysilicium

La plus grande partie du silicium MGS produit par l’industrie sert à l’élaboration de
l’aluminium et des polymères qui contiennent du silicium. Le silicium destiné à acquérir la
qualité EGS est réduit en poudre. On le fait réagir avec de l’acide chlorhydrique dans un lit

2
fluidisé à 300°C. Les impuretés sont attaquées par l’acide et peuvent être facilement séparées
; le silicium donne plusieurs produits hydrochlorés dont le plus intéressant est le
trichlorosilane SiHCL3. La réaction principale est la suivante :

Si + 3HCl SiHCl3 + H2

Le trichlorosilane SiHCl3 bout à 31,8°C, on pratique une distillation fractionnée pour le

séparer des autres produits.

4. Procédé Siemens

Le procédé Siemens est un procédé qui a l’avantage de donner un haut rendement de silicium
ultra pur à partir du trichlorosilane. La figure 3.2 montre un réacteur Siemens schématique. Le
trichlorosilane additionné d’hydrogène est introduit dans l’enceinte. A haute température, la
réaction suivante a lieu :

sur Si à 1000°C
H2 + SiHCl3 Si + 3HCl

Figure 3. Schéma d’un réacteur Siemens pour la production de silicium ultra pur à partir de
trichlorosilane.

Le silicium se dépose de préférence sur une barre mince de silicium chauffée. Le dépôt
continue jusqu’à une certaine épaisseur au-delà de laquelle le contrôle de l’intensité du
courant pose problème. Un tel réacteur peut donner des vitesses de dépôt qui peuvent
atteindre 1 mm par heure. Le silicium ainsi obtenu est ultra pur, de qualité EGS, il est
polycristallin.

Le tableau suivant donne quelques exemples de concentrations résiduelles après purifications

des principales impuretés ou éléments dopants. Pour la plupart, elles sont suffisamment
faibles pour pouvoir utiliser le matériau en microélectronique à condition de fabriquer du
cristal. C'est à partir de ce silicium polycristallin que l'on doit fabriquer le monocristal.

3
 Impureté MGS (ppm) EGS (ppm)
Al 1570 -
B 44 <0,001
Fe 2070 4
P 28 <0,002
Sb - 0,001
Au - 0,00007
Tableau 1: Comparaison de la concentration relative de quelques impuretés ou dopants dans le
silicium avant et après purification (ppm : partie par million) (d'après S.M. Sze).

5) Croissance cristalline

5.1 Défauts cristallins

Dans un lingot monocristallin plusieurs défauts peuvent être présents. La localisation de ces
défauts sur l’emplacement du circuit intégré peuvent entraîner son rejet et baisser ainsi le
rendement de fabrication. Les défauts les plus importants sont les dislocations, ce sont des
imperfections dans la structure locale du cristal qui sont causées par des déformations
plastiques lors d’un traitement thermique ou qui sont dues à la présence de certaines
impuretés. On se trouve en présence d’un changement de l’orientation cristalline. Les figures
4 et 5 montrent différents types de défauts cristallins qu’on peut trouver dans le silicium.

La densité de défauts est une donnée importante. Même une faible densité de défauts peut
avoir un effet néfaste. Le rendement de fabrication des circuits intégrés diminue d’une
manière drastique en fonction de cette densité.

En première approximation, ce rendement y (comme yield) diminue exponentiellement en

fonction des défauts d'un masque :

y = exp(-DA)

où D est le nombre moyen de défaut par une unité de surface et A l'aire du circuit.

Figure 4 : Deux types de défauts d’alignement dans un réseau cristallin. (a) Une dislocation
coin. (b) Une dislocation vis.

4
 Figure 5. Défaut communs dans le silicium monocristallin.

5.2 Raffinage par zone flottante

Le raffinage par zone flottante (floating zone, FZ) est obtenu par fusion d’une zone d’un
lingot polycristallin et par le déplacement des éléments de chauffage le long du lingot (Fig. 6).
On part d'un lingot solide polycristallin. En faisant circuler dans les bobines un courant
H.F., le silicium fond (fig. 6). Il se forme une goutte qui tient par la tension superficielle, elle
se solidifie par le bas quand la bobine monte, la partie solidifiée prend l'orientation cristalline
du bout de départ. On en profite pour obtenir un lingot monocristallin en mettant un germe
monocristallin au début du lingot.

Figure 6. Raffinage et cristallisation par la méthode de la zone flottante.

5
 Lors de la solidification, et suite à des phénomènes thermodynamiques, les impuretés ont
tendance à rester dans la zone fondue plutôt qu’à se solidifier. Il en résulte une différence du
taux de concentration de ces impuretés entre la zone liquide et la zone solide. La règle de
ségrégation est fonction d’un coefficient ko qui dépend de l’élément qui forme l’impureté. Ce
coefficient de ségrégation désigne le rapport entre la concentration dans le solide et celle dans
le liquide, à l’interface liquide-solide. Il est toujours inférieur à l’unité pour le silicium.
(Tableau 2).

ko =

Cs = concentration du dopant dans le solide

Cl = concentration du dopant dans le liquide

Dans le cas de la purification par zone flottante et du fait du coefficient effectif, la

concentration Cs dans le lingot après le passage de la zone fondu tient compte de la longeur
de la zone fondue L et de la concentration CM des impuretés avant le passage de la zone
fondue par la relation ci-dessous qui donne la concentration au point x :

TABLEAU 2
Coefficient de ségrégation ko (le rapport entre la concentration dans le solide et celle dans le
liquide à l’interface liquide-solide) de certains éléments dans le silicium et l’arséniure de
gallium.

Si GaAs
élément ko type élément ko type
phosphore 0.32 n soufre 0.5 n
arsenic 0.27 n sélénium 0.1 n
antimoine 0.04 n étain 0.08 n
bore 0.72 p carbone 1 n/p
aluminium 1.8 10-3 p silicium 2 n/p
gallium 9.2 10-3 p zinc 0.42 p

Quelle que soit la méthode de cristallisation, cette ségrégation pose des problèmes quand on
veut obtenir un dopage homogène le long d’un lingot. Les impuretés se concentrent dans la
dernière partie solidifiée. La figure 7 montre le profil de concentration d’impureté dans un
lingot obtenu par la méthode Czochralski. Au départ, la concentration d’antimoine dans le
silicium liquide était de 1015 atomes par cm3.

6
Figure 7. Profil de concentration d’impuretés le long d’un lingot monocristallin obtenu par la
méthode Czochralski. La concentration d’antimoine au départ était de 1015 cm-3 (k=0.04).

5.3 Czochralski

La plus grande partie du silicium monocristallin consommé par l’industrie électronique est
produite par la méthode Czochralski (fig. 8). On utilise un creuset en quartz nettoyé, lavé à
l’eau désionisée et séché sous vide. Dans le creuset, on met le silicium ultra pur en morceaux,
et on lui ajoute du dopant, s’il y a lieu. L’oxygène qui peut s’introduire dans le silicium à
partir du creuset donne au cristal son type p.

Le tout est introduit dans un four et posé dans un suscepteur en graphite dans lequel sont
encastrés les éléments chauffants. Le four possède une puissance de 150 kW environ, il
refroidit par un circuit de circulation d’eau.

On commence par faire le vide dans le four ensuite on fait circuler un gaz inerte, l’argon. Le
creuset est ensuite chauffé jusqu’à la fusion du silicium. On descend alors le germe de
silicium monocristallin jusqu’à le mettre en contact avec le silicium en fusion. L’orientation
de ce germe imposera l’orientation cristalline du lingot. Le germe est tenu par un mandrin en
molybdène suspendu par un fil en acier inoxydable qui est relié à une plate-forme qui
supporte les moteurs. Ces moteurs sont commandés par ordinateur, ils impriment au germe
ses mouvements de translation et de rotation. Le germe tourne dans le sens des aiguilles d’une
montre, le creuset dans le sens contraire.

7
Figure 8. Schéma de tirage d’un lingot de silicium monocristallin par la méthode Czochralski.

Figure 9. Séqences du triage Czochralski.

Au départ, on imprime un mouvement rapide au germe pour obtenir un cylindre de silicium

de la grosseur d’un doigt environ. On ralentit ensuite le mouvement ; plus la vitesse est faible,
plus le diamètre du lingot est important. Pour obtenir un diamètre de lingot de 150 mm, il faut
une vitesse de tirage vertical de 50 mm/heure, pour un diamètre de 75 mm, il faut une vitesse
de 100 mm/h. A la fin du tirage, on obtient un lingot qui peut atteindre 1.50 m de longueur.

Figure 10 : Lingot de Silicium monocristallin

8
5.4 Méthode dite "Bridgman

Une autre technique peut être utilisée pour le tirage des lingots. Dans le cas de composés
semi-conducteurs III-V, on peut réaliser le lingot dans un bac parallélépipédique dont le fond
est arrondi. La cristallisation s'effectue progressivement depuis une extrémité ; c'est la
méthode dite "Bridgman".

Figure 11 : Tirage d'un lingot par la méthode Bridgman. Cette technique est plus spécialement
utilisée pour les lingots de composés III-V tel que le GaAs.

6) Préparation des plaquettes

6.1 contrôle de résistivités sur les extrémités du lingot

En raison de la variation de la concentration d'impuretés lors tirage du lingot, la résistivité

finale varie en fonction de la position. Une vérification des spécifications (gamme de
variation) est nécessaire. La technique employée est du type mesure quatre pointes.

6.2 Polissage cylindrique :

Lors du tirage, le diamètre du lingot varie légèrement ce qui constitue des ondulations à sa
surface. Pour obtenir des plaquettes de même diamètre un polissage cylindrique est
nécessaire.

6.3 Équeutage du lingot :

Cette opération consiste à éliminer les extrémités du lingot soit mal cristallisées soit riches en
impuretés (surtout si la technique de croissance a été la fusion de zones ).

Figure 12 : équeutage du lingot

9
6.4 Orientation et découpage

Une fois le lingot sorti du four de croissance, on lui enlève les deux bouts. Le bout supérieur
sert à constituer le germe monocristallin pour la croissance suivante. Le bout inférieur
contient une concentration d’impureté plus importante que dans le corps du lingot (voir figure
12). Le lingot est ensuite rectifié au bon diamètre sur un tour pour donner un lingot
parfaitement rond.

L’orientation cristalline du lingot est déterminée grâce à un appareil aux rayons X. Connaître
cette orientation est nécessaire pour les étapes ultérieures de fabrication. En particulier, la
séparation des circuits d’une plaquette les uns des autres doit se faire le long d’un plan
atomique. Autrement la coupe risque de ne pas être droite. Un monocristal se coupe ou se
clive le long d’un de ses plans réticulaires. L’orientation utilise les indices de Miller, la figure
13 montre trois plans atomiques dans un monocristal cubique.

Fig. 13 Les indices de Miller d’un plan atomique sont obtenus en prenant l’inverse des
coordonnées des points où le plan en question coupe les trois axes de référence. Le plan qui
coupe l’axe x en 1; l’axe y en 2 et l’axe z en 5, a pour indices 1, et . Ce plan est par
ailleurs parallèle au plan d’indice (10,5,2), en d’autres termes il lui est équivalent. Les indices
négatifs sont indiqués par un moins au dessus du chiffre.

Fig. 14. Méplats d’identification d’une plaquette de silicium.

10
 Un méplat primaire et parfois un méplat secondaire sont ensuite usinés tout le long du lingot.
Ces méplats servent de référence pour connaître le type de conductivité des plaquettes et leur
orientation cristallographique (Fig. 14). En particulier, ils servent de repaires pour
l’alignement pour les opérations de diffusion.

6.5 Découpage et polissage

Pour scier des plaquettes à partir d’un lingot, on utilise une scie diamantée à diamètre
intérieur (Fig. 15), elle a la particularité de provoquer le minimum de casse. Le lingot à scier
est collé par son méplat primaire sur une barre afin de maintenir les plaquettes lors du sciage.
On utilise aussi d’autres types de scies à fil diamanté.

Quelques plaquettes sont enlevées du lot pour subir des tests et des mesures, à savoir, le
diamètre, la planéité et l’épaisseur ; on vérifie aussi l’homogénéité de la résistance.

Après le sciage, les plaquettes sont nettoyées à l’eau désionisée. On leur meule les arêtes
vives pour les adoucir. Elles subissent ensuite un rodage mécanique à la poudre d’alumine.
On les charge dans une machine à action orbitale où elles tournent entre deux surfaces
lubrifiées avec de la poudre d’alumine. Après ce rodage, les irrégularités à la surface sont
inférieures à 3 microns.

Fig. 15. Schéma d’une scie à diamètre intérieur.

6.6 Traitement thermique

Le sciage crée des contraintes mécaniques dans le cristal. Il faut relaxer le cristal par une
montée en température (recuit) à des températures de l'ordre de 600°C à 700°C. A ces
températures, les énergies propres des atomes sont suffisantes pour leur permettre de se
repositionner dans les sites cristallins.

Ce traitement thermique présente aussi l'avantage de diminuer l'effet des atomes oxygène
(type donneur) ainsi que de stabiliser la résistivité.

6.7 Décapage chimique

Le décapage chimique est largement utilisé dans la technologie de fabrication des circuits
intégrés. Les plaquettes sont décapées au départ pour enlever les dommages mécaniques
causés par le sciage et/ou le rodage mécanique. D’autres décapages sont nécessaires dans les
étapes qui précèdent ou qui suivent les opérations de diffusion ou d’implantation ionique. Le
but de ces décapages étant d’enlever l’excédent de photorésine ou d’oxyde pour préparer les

11
endroits où a lieu le dopage, ou encore d’enlever le reste de photorésine après décapage de
l’oxyde (Fig.16)

Fig. 16. Schéma d’une polisseuse. Sur la face inférieure du support de plaquette on colle les
plaquettes ; la rotation du support en sens inverse du plateau garantit un poli homogène.

6.8 Polissage

Le polissage est une opération mécanique qui permet d’enlever une épaisseur de quelque
microns grâce à un plateau couvert d’un papier abrasif ou d’un feutre acceptant des liquides
contenant de la poudre diamantée. La poudre et le feutre peuvent contenir des grains de plus
en plus fins jusqu’à l’obtention d’un poli « optique » poli miroir.

Figure 17 : Une Polisseur

12
6.9 Démontage, nettoyage, tri

Ces dernières opérations permettent :

- le démontage des plaquettes des supports de polissage,

- le nettoyage final,

- le tri final en fonction des épaisseurs.

6.10 Test de résistivité des plaquettes, tri final en fonction des résistivités

Afin de sélectionner les lots pour les clients, un tri en fonction de la résistivité est effectué.

6.11 Repérage - marquage

Un marquage de lots, lingots, date, etc.. , est réalisable à l'aide d'un faisceau laser. Cela
permet de suivre la plaquette tout au long des étapes de fabrication.

Figure 18 : Repérage du lot

6.12 Nettoyage final en salle blanche

Pour démarrer l'ensemble des étapes du procédé de fabrication des circuits intégrés, il ne faut
pas de graisse, pas de poussières, etc... . Un nettoyage final est nécessaire.

6.13 Inspection visuelle

C'est l'être humain qui reste à l'heure actuelle le meilleur inspecteur. Il détecte des variations
de couleur, des rainures, des rayures, des poussières de dimensions inférieures au micron. Un
système automatique à balayage optique sur toute la plaquette ne serait pas encore
suffisamment performant. Prenons, par exemple, une surface de 10 cm x 10 cm de côtés à
contrôler. Il faudra balayer cette surface par zone de mesure (ou "point" de mesure), qui sont
de 0,05 µm de coté, pour simplifier.

Un point de 0,05 µm x 0,05 µm nécessite au moins 1 µs de temps de traitement (analyse

spectrale par exemple). Dans ce cas, le temps total d'analyse est :

13
C'est un temps énorme et donc peu réaliste. En fait, dans ce cas l’œil humain est beaucoup
plus efficace car il traite l'information en parallèle grâce à des millions de cellules rétiniennes
!

6.14 Test de planéité

Ce test est important pour la lithographie. Il existe aujourd'hui des machines à tester la
planéité basée sur une mesure optique (déviation d'un faisceau laser).

Après l'ensemble de ces étapes, les plaquettes sont prêtes pour subir les étapes de fabrication
des circuits intégrés (ou des composants discrets).

Exercices
3.1/ On pratique une fusion de zone sur un sur un lingot de silicium polycristallin de 15 cm de
diamètre de 100 cm de long, la zone fondue est de 12cm de longueur. La concentration
d’impuretés est supposée constante tout le long du lingot et égale à 10 16cm-3. Calculer la
concentration de l’impureté à 50 cm du bout après passage de la zone fondue sachant que le
coefficient de ségrégation de cette impureté est de 0.72.

3.2/ Dessiner dans un système xyz les plans les plan réticulaires (111), (110), (110), (100).

3.3/ Quels sont les divers traitements subits par le lingot à partir du moment où il sort du bâti
de croissance jusqu’à ce qu’il soit découpé en tranches ?

3.4/ Quels sont les défauts communs d’un monocristal.

3.5/ Dessiner une plaquette de silicium de type n orientée (111).

3.6/ Quelle est la réaction chimique qui donne du silicium pur dans le procédé Siemens ?

3.7/ Quel est le pourcentage de silicium dans un morceau de silicium MGS ? Même question
pour le silicium EGS ?

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