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Systmes photovoltaques :

fabrication et impact
environnemental

Synthse ralise par Ccile Miquel


sous la direction de Bruno Gaiddon

Juillet 2009

Table des matires

Rsum....................................................................................................3
Liste des abrviations ...................................................................................4
Introduction ..............................................................................................5
Partie 1 : Processus de fabrication des systmes photovoltaques ...............................7
1 Etape 1 : Raffinage du silicium .................................................................8
1.1. De la silice au silicium mtallurgique .....................................................8
1.2. Du silicium mtallurgique au silicium solaire........................................... 10
2 Fabrication des plaques, cellules et modules photovoltaques .......................... 12
2.1. Etape 2 : Cristallisation du silicium et mise en forme des plaques ................. 13
2.2. Etape 3 : Fabrication des cellules........................................................ 15
2.3. Etape 4 : Assemblage des modules....................................................... 17
Partie 2 : Impact environnemental des systmes photovoltaques............................. 18
1 Contexte et primtre des tudes ........................................................... 18
2 Donnes dinventaire du cycle de vie ....................................................... 20
2.1. Tableau synthtique ....................................................................... 20
2.2. Energie et matriaux....................................................................... 21
2.3. Produits chimiques et rejets .............................................................. 23
3 Rsultats de lanalyse du cycle de vie....................................................... 24
3.1. Demande cumule en nergie primaire ................................................. 25
3.2. Temps de retour nergtique............................................................. 25
3.3. Effet de serre ............................................................................... 27
4 Voies de rduction et bonnes pratiques..................................................... 28
Conclusion .............................................................................................. 29
Rfrences.............................................................................................. 30
Annexe 1 : Dmarche bibliographique.............................................................. 32
Annexe 2 : Puret du silicium ....................................................................... 33
Annexe 3 : Principe dune analyse du cycle de vie ............................................... 34

Rsum
Ce document est une synthse portant sur la fabrication des modules photovoltaques au
silicium cristallin et limpact environnemental des systmes raccords au rseau. Les
rsultats sont tirs dtudes scientifiques dont des analyses du cycle de vie [19], [20].
Les procds de fabrication dcrits sont la rduction carbothermique de la silice dans un
four arc, le raffinage du silicium solaire par procd Siemens (voie gazeuse chlore), la
cristallisation du silicium en lingots et la dcoupe des plaques, la fabrication des cellules
photovoltaques par dopage, polarisation et traitement anti-reflet, lassemblage des
modules par encapsulation dans un feuillet verre/EVA/Tedlar!, et enfin linstallation du
systme comprenant cblage et onduleurs.
Les analyses du cycle de vie vont de lextraction du quartz la production dlectricit 30
ans durant, hors fin de vie des systmes, avec un remplacement donduleurs. Le mix
nergtique de la fabrication est de type UCTE rgion Europe de lOuest.
La fabrication nous rvle une consommation de silicium de 10 15 g/Wc, des lments
toxiques prsents ltat de traces (Pb, Br, B, P), lutilisation de mtal aux ressources
limites (Ag), et une dpense nergtique consquente due laluminium et au silicium
(40%). Elle occasionne la gnration de rejets chlors, de boues charges en silicium et de
gaz et deffluents provenant de lutilisation de produits chimiques.
Les rsultats de lanalyse du cycle de vie sont que lnergie est limpact majeur, avec
environ 30000 MJ dnergie primaire par kWc, soit 2500 kWh dnergie finale. Pour
caractriser les effets sur lenvironnement dun systme photovoltaque, les indicateurs
pertinents sont le temps de retour nergtique, qui est denviron 3 ans, et leffet de serre,
qui est denviron 70 g de CO2-eq/kWh, ceci pour la France.
Les avances technologiques identifies qui permettent de rduire ces impacts concernent
la production de silicium solaire avec lutilisation dun racteur lit fluidis au lieu dun
racteur Siemens ou la voie mtallurgique (Elkem Solar). Les recommandations de mise en
uvre sont de privilgier des modules sans cadre aluminium et dinstaller les systmes
dans les rgles de lart afin doptimiser leur production (orientation, inclinaison,
ombrages, ventilation, onduleur performant, suivi de la production etc). Ltape suivante
sera la mise en place dune filire de recyclage.

Liste des abrviations


ACV
a-Si
CdTe
CIGS
c-Si
EF
EP
EPDM
EVA
KWc

: Analyse du Cycle de Vie


: silicium amorphe
: Tellurure de Cadmium
: Cuivre Indium Gallium Slnium
: crystalline Silicon (silicium cristallin massif, par opposition silicium amorphe).
: Energie Finale
: Energie Primaire
: Terpolymre d'thylne-propylne
: Ethylne-Vinyl Actate
: kilowatt-crte, unit pour caractriser la puissance dlivre par un module PV
sous un ensoleillement standard de 1 kW/m!, (kilowatt-peak ou kWp en anglais).
mc-Si : multicrystalline siliconi (silicium multicristallin)
MG-Si : Metallurgical-Grade Silicon (silicium de grade mtallurgique)
obtenu partir de la silice par des procds mtallurgiques.
puret de 98 99%, soit un taux dimpurets denviron 15000 ppm.
PET : PolyEthylne Trphtalate
Poly-Si: PolySilicon (polysilicium ou silicium polycristallin)
obtenu partir de MG-Si par des procds chimiques (typiquement Siemens). Utilis pour
la cristallisation des lingots.
Puret de 99,9999%, soit un taux dimpurets denviron 1 ppm.
Appellation abusivement utilise pour dsigner le silicium multicristallin.
PV
: photovoltaque
PVF : PolyFluorure de vinyle
sc-Si : Single Crystalline Silicon (silicium monocristallin)
SoG-Si : Solar-Grade Silicon (silicium de grade solaire)
Nom du Poly-Si spcifique la filire solaire (par opposition la filire lectronique).
obtenu partir de MG-Si par des procds chimiques ou mtallurgiques, ou directement
partir de silice trs propre, ou de UMG-Si. Utilis pour la cristallisation des lingots.
Puret de 99,9999%, soit un taux dimpurets denviron 1 ppm. De qualit moindre que le
Poly-Si destin la filire lectronique.
TPE : ThermoPlastique Elastomre
UMG-Si: Upgraded Metallurgical-Grade Silicon (silicium de grade mtallurgique amlior)
obtenu partir de la silice par des procds mtallurgiques successifs. Est utilis la
place du Poly-Si ou en mlange avec celui-ci.
Puret suprieure celle du MG-Si et infrieure celle du poly-Si. Prsente des niveaux
de dopants levs.

Introduction
Alors que la production dlectricit base de systmes photovoltaques connat une
nette progression en France suite la mise en place de tarifs dachat de lnergie
photovoltaque, il est lgitime de se poser la question du caractre cologique de ce
mode production dlectricit. Llectricit produite par les systmes photovoltaques
est elle aussi propre quon pourrait le penser ? Derrire ce matriel aux allures high-tech,
ny a til pas une industrie polluante et gourmande en nergie, linstar de lindustrie
lectronique ? Cette synthse a pour objectif de faire le point sur ces questions.
Les travaux de recherche sur ce sujet sont peu nombreux, mais suffisamment documents
pour apporter les lments de rponse attendus. Ce document est une synthse de
diffrentes publications, dont les auteurs ont t identifis lors de la dmarche
bibliographique prsente en annexe. Il sagit dErik Alsema de luniversit dUtrecht (NL),
Mariska de Wild-Scholten de lEnergy Research Center of the Netherlands (NL), Niels
Jungbluth dESU-services (CH) et Vasilis Fthenakis du Brookhaven National Laboratory (US).
Les rsultats prsents concernent les systmes photovoltaques base de silicium
cristallin, de lextraction du sable la gnration dlectricit, et raccords au rseau.
Sont exclus de cette tude la fin de vie et le recyclage des systmes ainsi que les
technologies en couches minces (Si amorphe, CdTe, CIS, triple jonction etc).
Afin de bien comprendre les impacts sur lenvironnement quoccasionnent les systmes
photovoltaques, il tait ncessaire de prsenter leur processus de fabrication: cest
lobjet de la partie 1. On y retrouve les tapes suivantes:
Etape 1

Elaboration du silicium de grade solaire partir du silicium mtallurgique,


lui-mme obtenu partir de quartz.

Etape 2

Cristallisation de ce silicium solaire pour former des plaques.

Etape 3

Transformation de ce silicium cristallis en composant actif pour devenir


une cellule photovoltaque.

Etape 4

Assemblage des cellules photovoltaques en module photovoltaque.

Etape 5

Groupement de plusieurs modules pour raliser un systme photovoltaque


intgr en toiture comprenant galement une structure porteuse, des
composants lectroniques et lectriques.

Ltape 6 serait logiquement la fin de vie du systme, mais elle nest pas traite dans
cette tude.

La figure 1 prsente lenchanement de ces tapes, de mme quelle pose les limites du
systme tudi dans lanalyse du cycle de vie.

Figure1 : Limites du systme pour lanalyse du cycle de vie

La partie 2 traite de limpact environnemental associ ces systmes photovoltaques, et


sappuie en grande partie sur les analyses du cycle de vie ralises par Erik A. Alsema et
Mariska J. de Wild-Scholten. Aprs un bref rappel de la mthodologie de lACV sont
prcises les hypothses des diffrents travaux rfrencs. Les donnes dinventaire sont
ensuite dtailles afin de mettre en lumire lorigine des impacts. Enfin sont prsents les
indicateurs chiffrs rsultant des ACV.
En annexe sont prsents la dmarche bibliographique, les notions de puret et de qualit
du silicium et le principe dune analyse du cycle de vie.

Partie 1 : Processus de fabrication des systmes


photovoltaques
Etant donn que le fonctionnement dun capteur photovoltaque ne gnre pas de
nuisance particulire, les impacts environnementaux se situent ncessairement en amont
de la chane, au moment de la fabrication, et en fin de vie lors du dmontage. Il est donc
utile de connatre les techniques de fabrication afin de bien identifier do proviennent et
comment sont utiliss les diffrents flux de matires et dnergie mis en jeu. Cette partie
droule les tapes de fabrication dun processus standard, cest--dire le plus tabli,
chaque industriel dveloppant bien entendu ses propres variantes.

Figure 2 : Enchanement des tapes de fabrication dun module photovoltaque au silicium cristallin

Comme on le voit sur la figure 2, un certain nombre dtapes est ncessaire pour passer du
quartz au module photovoltaque fini. Le raffinage du silicium se fait en deux phases : tout
dabord lextraction du silicium du minerai de quartz, puis la purification de ce silicium
par diverses techniques. Une fois purifi, il sera mis sous forme de plaques et rendu actif
par une succession de traitements spcifiques. Les cellules photovoltaques seront alors
assembles et montes dans des modules.

1 Etape 1 : Raffinage du silicium


En 2006, 93% du march photovoltaque tait encore bas sur les technologies silicium
(multicristallin, monocristallin et ruban).
Sur la base d'un besoin de 15t/MW, l'industrie photovoltaque
consommerait chaque anne environ 40000 tonnes de silicium pour
produire 5GW de panneaux photovoltaques dont 90% base de
silicium. Daprs l'US Geographical Survey, la production de
silicium au niveau mondial a t d'environ 5 millions de tonnes en
2007 : la part de lindustrie photovoltaque reprsente donc un
peu moins de 1% de la production mondiale.
Lobtention de ce matriau arrive en fin dun processus de
raffinage que lon peut sparer en deux grandes tapes [1].
La transformation du quartz en silicium de grade mtallurgique ou
MG-Si est ralise dans un four arc, outil typique de lindustrie
mtallurgique. La puret du MG-Si est de lordre de 98 99%.
La deuxime transformation est une purification du silicium mtal
en silicium de grade solaire ou SoG-Si, dune puret de 99,9999%.
La route traditionnelle, hrite de llectronique, utilise des
racteurs chimiques pour synthtiser le silicium polycristallin ou
poly-Si. De toute la chane de production des modules
photovoltaques, cest ltape la plus consommatrice en nergie.
En raison du cot de cette tape et du fait quune puret moindre
peut-tre tolre, des techniques pour produire le silicium solaire
partir de nouveaux procds chimiques mais aussi mtallurgiques
sont explores.
1.1. De la silice au silicium mtallurgique
Le silicium, deuxime lment de la crote terrestre, est obtenu partir de silice ou
oxyde de silicium SiO2 contenu dans le quartz ou le sable, dont les rserves plantaires
sont abondantes.
Le silicium mtal, environ 20% de la production mondiale de silicium, est utilis
principalement par lindustrie chimique et celle de laluminium pour les silicones et les
alliages mtalliques. Pour la filire solaire, il servira la fabrication du silicium de qualit
solaire. Les principaux fabricants sont Grupo Ferroatlantica SL, Globe Specialty Metals
Inc., Elkem AS, Dow Corning Corp. et AMG Advanced Metallurgical Group NV [2].

Elaboration du silicium mtallurgique

Matires premires

Le silicium mtallurgique (MG-Si) rsulte de la transformation


de la silice dont on a extrait loxygne. Cette raction, appele
rduction carbothermique, consiste porter des
tempratures trs leves un mlange de quartz et despces
carbones (rducteurs du type coke, houille et bois), qui vont
se combiner avec loxygne du quartz pour donner du
monoxyde puis du dioxyde de carbone. Le bois permet aussi
despacer les matriaux.

Rduction de la silice par le carbone 1700C


SiO2 + 2C ! Si + 2 CO
2 CO + O2 ! 2 CO2
Lnergie ncessaire la raction est apporte sous forme
darc lectrique par des lectrodes en graphite, lintrieur de
fours mtallurgiques dits fours arc.
Four arc

Silicium mtal en fusion

Le silicium en fusion ainsi obtenu est rcupr dans des


poches , oxygn par insufflation dair pour former des
oxydes de calcium et daluminium qui vont tre extraits par
sparation du laitier (phase contenant des oxydes mtalliques,
silicates, aluminates et chaux, forms lors de la fusion). Le
silicium est ensuite mis en forme par refroidissement et
moulage en lingotires. Plusieurs tapes de concassage et de
broyage permettent ensuite dobtenir des billes de MG-Si de 23 mm de diamtre. Un autre procd est la granulation
leau.
La puret finale du silicium de qualit mtallurgique est de 98
99%, soit un taux dimpurets denviron 15000 ppm (Fe, Ca,
Mg, Al, C, O, V, Cr, Mn), avec comme contrainte des teneurs
en bore et phosphore de lordre de 20 500 ppm.

Silicium mtallurgique
Ce procd est trs nergivore, puisquil faut environ 14 kWh lectriques pour produire 1
kg de MG-Si. Les missions de CO2 sont elles aussi trs leves : il faut compter un peu plus
de 3.14 tonnes de CO2 rejets pour 1 tonne de MG-Si produit, hors CO2 quivalent
provenant de la consommation lectrique. La mise en place, dans le futur, de quotas
dmissions de CO2 pourra donc tre une contrainte importante pour ce procd.
Dautres procds de production du silicium mtallurgique ont t dvelopps. Il existe
notamment la rduction aluminothermique, qui consiste extraire loxygne de la silice
avec de laluminium. Elle prsente lavantage dune faible consommation dnergie car
elle est fortement exothermique.

1.2. Du silicium mtallurgique au silicium solaire


Le silicium solaire (SoG-Si), ou silicium polycristallin (poly-Si) plus connu dans la filire
lectronique, est obtenu par la purification du silicium mtallurgique et servira la
confection des lingots de silicium.
Il existe diffrents procds de production de silicium de qualit solaire que lon peut
classer en deux grandes familles : la voie chimique et la voie mtallurgique. Actuellement,
la voie chimique occupe la quasi-totalit du march avec deux procds majoritaires
partir de trichlorosilane (75%) et de monosilane (25%). Elle ncessite une plus grande
consommation dnergie que la voie mtallurgique, et prsente linconvnient de la
dangerosit lie lutilisation de produits chlors. Elle permet dobtenir un matriau
dune plus grande puret, un des objectifs de la filire lectronique pour laquelle elle a
historiquement t dveloppe.

Voie chimique : procd Siemens

Cette famille de procds est base sur la forte attraction de latome de silicium Si pour
les ions chlorures Cl-. Ils consistent synthtiser des composs gazeux contenant du
silicium, gnralement des chlorosilanes, les purifier par distillation puis dposer le
silicium polycristallin par dcomposition thermique. Les principales variantes sont les
routes trichlorosilane, monosilane et ttrachlorosilane [3].
Cette voie gnre dimportants volumes de dchets chlors et ncessite doprer sur des
sites grande capacit industrielle soumis des exigences rglementaires svres (sites
Seveso en UE). Plusieurs types de recyclage peuvent tre mis en place, ils concernent les
produits chimiques chlors, lhydrogne et la chaleur.
Dtail du procd Siemens
Le procd Siemens sopre en trois tapes et gnre un dgagement gazeux de
trichlorosilane SiHCl3. Son rendement est de 25%, pour une consommation nergtique
denviron 150 KWh EF/kg. Cest le procd utilis historiquement pour lindustrie
lectronique.

Figure 3 : Procd Siemens [25]

10

Dans le procd Siemens modifi, le dpt est ralis en continu dans un racteur lit
fluidis. Les grains de silicium sont forms sur des particules de silicium prcurseur en
suspension dans un mlange gazeux silane/hydrogne 600-800C, et sont rcuprs par
gravit en bas du racteur. Cette dernire option prsente lavantage dune
consommation nergtique et dun temps de dpt rduits. Cette technique, initialement
exclusive au monosilane, a t applique aux dpts de silicium base de trichlorosilane.
Autres procds chimiques
Il existe dautres procds de purification par voie chimique utilisant le chlore et qui
diffrent par quelques variantes [4]. Dans tous les cas, la premire tape consiste
sparer le Si des impurets mtalliques en faisant ragir le MG-Si broy avec du chlore Cl2
ou du chlorure dhydrogne HCl. A partir de cette interaction se forment des
chlorosilanes de type SiHCl3 ou SiCl4 et des complexes chloro-mtalliques comme FeCl3,
AlCl3, BCl3 faciles liminer. Les tapes suivantes permettent dobtenir du Si pur partir
des silanes chlors par des mthodes de distillation, dchange dions en sels fondus ou de
pyrolyse selon les procds. La route silane, la deuxime la plus rpandue, met en uvre
la distillation triple du trichlorosilane pour synthtiser du monosilane SiH4 dont le
silicium est ensuite dpos par dcomposition thermique. On peut citer aussi les procds
Wacker, Sundermayer, Chisso Corp. ou Bayer. Les socits qui cherchent actuellement
modifier la traditionnelle route chimique pour adapter le produit la demande
travaillent sur le racteur de dpt de silicium (dernire tape du process). Cest le cas
pour les socits Wacker, REC Silicon, MEMC, Solar Grade Silicon et Hemlock qui basculent
sur la technologie lit fluidis en remplacement du racteur Siemens. Dautres types de
racteurs sont aussi en cours de test, notamment le racteur espace libre de Joint Solar
Silicon et le racteur filament modifi de Tokuyama.

Voie mtallurgique : procd Elkem

Tout lenjeu de la voie mtallurgique est de diminuer les cots de production tout en
garantissant une qualit suffisante pour les applications solaires. Plusieurs industriels et
centres de recherche dveloppent actuellement des procds qui permettent de
saffranchir du passage par les composs gazeux, dans le but de raliser une conomie
dnergie. Les procds mtallurgiques consistent traditionnellement en une srie de
fusion et solidification successives permettant dliminer progressivement les impurets.
Selon les cas, des techniques particulires peuvent tre employes.
Entre autres exemples, le projet europen SolSilc a runi des laboratoires de recherche et
des industriels de Sude, Norvge et des Pays-Bas autour de lamlioration du procd de
rduction carbothermique partir de matriaux trs propres (quartz de haute puret et
noir de carbone) : le silicium solaire est cette fois obtenu directement partir de quartz.
Le projet PhotoSil, port par la socit franaise Apollon Solar, rassemble les comptences
du CEA-Liten, du CNRS et de FerroPem. Le procd consiste raliser une premire fusionsolidification permettant de faire sgrger les impurets mtalliques beaucoup moins
solubles dans le solide que dans le liquide ; les impurets restantes (en particulier le bore)
sont extraites ensuite par traitement du liquide avec un plasma ractif conduisant la
formation de composs volatils. Le dveloppement a t valid dbut 2008 sur des lots de
plus de 50 kg, et les rendements sur cellules ont t mesurs 15% fin 2008.
Dautres socits travaillent sur lapproche mtallurgique: Kawasaki Steel , Dow Corning

11

Dtail du procd Elkem


La socit la plus avance est Elkem Solar (Norvge), qui a dvelopp un procd
actuellement en cours dindustrialisation [7], [10]. Le dmarrage de lusine est prvu pour
2010. Il consiste [5] en un traitement du silicium mtallurgique par un laitier de silicate de
calcium haute temprature suivi dun lessivage chimique basse temprature. Les
impurets rsiduelles sont collectes sur le dessus du lingot obtenu aprs une solidification
directionnelle. Les blocs limins sont ensuite rintroduits en amont dans le procd. Les
premires tudes montrent que la qualit du silicium solaire obtenu est similaire celle du
silicium polycristallin commercialis provenant de la voie traditionnelle Siemens [6]. Le
rendement sur cellules est lui aussi dans les spcifications, autour de 15-16% [9].

Figure 4 : Procd Elkem


Pour une production grande chelle, la consommation dnergie sera denviron 25-30
kWh/kg de matriau initial, soit 20% de la dpense par le procd Siemens [8].

Autres voies

Il existe encore dautres voies de production du silicium solaire en cours de


dveloppement. On peut citer la fusion dans un faisceau lectronique, le lessivage aprs
rduction aluminothermique, llectro-transport dans un champ magntique, la voie
lectrochimique et quelques initiatives comme la dissociation de nitrure de silicium dans
un four solaire ou lutilisation de paille de riz comme source de silice.

2 Fabrication des plaques, cellules et modules photovoltaques


A ce stade de la fabrication sont mis en jeu des savoir-faire propres
lindustrie photovoltaque [26].

Le silicium solaire ou polycristallin va tre encore une fois fondu et resolidifi en lingots ou
ruban dans lesquels seront dcoups les plaques de silicium. Ces plaques subiront quant
elles des transformations qui leur permettront de convertir lnergie lumineuse en nergie
lectrique. Puis elles seront relies entre elles et protges des intempries dans un
module photovoltaque. La fabrication des autres composants dun systme, savoir le
matriel lectrique comme les cbles et les onduleurs, ne sera pas dtaille.

12

2.1. Etape 2 : Cristallisation du silicium et mise en forme des plaques


Ce sont les dernires tapes de transformation du silicium avant la fabrication de la
cellule photovoltaque proprement dite. Le silicium va tre purifi encore une fois, dop
uniformment et dcoup en plaques une fois refroidi. La technique de cristallisation
consiste solidifier progressivement le silicium polycristallin fondu de manire contrle.
Cest dans la charge de silicium en fusion que sera ajout llment dopant, gnralement
du bore qui donne un dopage de type p. Le matriau prsente au final un rseau
cristallin, qui est un arrangement ordonn des atomes de silicium.
Note : le silicium multicristallin, rsultant de la cristallisation contrle du silicium
polycristallin,
est souvent nomm polycristallin lorsquil sagit de modules.
Llimination des impurets se fait par sgrgation. Plus solubles en phase liquide que
solide, les impurets vont migrer vers les zones se solidifiant en dernier. Dans le cas dun
refroidissement pas le bas, elles vont se concentrer sur le haut du lingot.

Figure 5 : Mcanisme de sgrgation des impurets lors de la cristallisation


En termes dimpurets, on peut en distinguer:
les mtaux : Fe, Cr et Mn pour les plus gnants
les dopants : B, Ga, Al, As et P
loxygne O, le carbone C et lazote N.
Toutes dgradent leur manire les performances de la cellule, gnralement en formant
des complexes qui rduisent la conductivit du matriau.
Pour la cristallisation, trois grandes voies sont possibles selon le choix technologique fait
par le fabricant [13]. Le tirage Czochralski donne des lingots cylindriques de silicium
monocristallin ou sc-Si, la solidification directionnelle donne des briques de silicium
multicristallin ou mc-Si et les techniques de tirage de ruban donne du silicium
multicristallin en ruban.

Silicium monocristallin (sc-Si)

Ce matriau est constitu dun seul cristal, sa couleur est unie, grise. Il est obtenu par
croissance ou tirage dun lingot cylindrique partir dun monocristal souche selon le
procd Czochralski ou CZ. Les cellules finales ont un des meilleurs rendements, autour
de 15%, la contrepartie est une plus grande dpense nergtique pour sa mise en forme.

Figure 6 : Tirage des lingots

de

13

silicium monocristallin [25]

Silicium multicristallin (mc-Si)

Ce matriau de couleur grise est constitu dune mosaque de cristaux monocristallins de


silicium, dorientation et de tailles diffrentes. Il est obtenu par coulage en lingotire
dans laquelle sopre un refroidissement lent, de lordre de quelques dizaines dheures.
Sa mise au point est moins nergivore, et le rendement final des cellules est denviron
12%.

Figure 7 : Mise en forme des lingots de silicium multicristallin [11]

Sciage des plaques


Les lingots monocristallins et les briques
multicristallines sont ensuite dcoups en
tranches par une scie fil, une paisseur
denviron 250 m. Lopration est ralise
en prsence de slurry, une solution
organique contenant des abrasifs en
suspension. Il faut souligner une perte
importante de matriau lors du sciage (30
40% non recycl).
Figure 8 : Plaques de silicium cristallin et scie fil [12], [26]

Silicium multicristallin en ruban

Cette dernire option technologique combine les tapes de cristallisation et de mise en


forme du silicium, et prsente lavantage de minimiser la perte matire. Il est obtenu par
entranement dun ruban de silicium sur un support plan ou tubulaire partir dun bain
de silicium fondu.

Figure 9 : Etirage dun ruban de silicium [25]

14

2.2. Etape 3 : Fabrication des cellules


La particularit des cellules au silicium rside dans le fait que le substrat et llment
actif sont un seul et mme matriau, ceci grce au cot raisonnable du silicium par
rapport aux autres matriaux semiconducteurs. Une fois les plaques dcoupes vient la
fabrication des cellules, qui va permettre dexploiter les proprits de semiconducteur du
silicium et de transformer lnergie lumineuse capte en nergie lectrique.

Principe de fonctionnement dune cellule au silicium cristallin

Un matriau semiconducteur est isolant dans des conditions normales, et devient


conducteur lectrique lorsquon lui apporte de lnergie. Cette nergie permet aux
lectrons de se dtacher des noyaux des atomes et de se dplacer librement dans la
structure du matriau. Lorsque cette nergie est apporte sous forme lumineuse, ce sont
des grains de lumire appels photons qui cdent leur nergie aux lectrons. On parle
alors deffet photolectrique. Le principe dune cellule photovoltaque est dexploiter ce
dplacement dlectrons pour le convertir en un courant lectrique utilisable. Pour cela,
on attire les lectrons hors du matriau via une lectrode de collecte relie un circuit
lectrique extrieur.

Figure 10 : Empilement des couches dune cellules photovoltaque au silicium cristallin [14]

Toute lastuce rside dans le fait de forcer les lectrons scouler dans llectrode
plutt que de se recombiner avec des atomes chargs positivement au sein du matriau.
Cela ncessite la prsence dun champ lectrique permanent interne au matriau. Pour
cela, on cre deux zones : une zone p charge positivement et une zone n charge
ngativement, qui vont former une jonction p-n. Cette jonction assure la fonction de
diode en ne permettant le passage du courant que dans un sens, et oriente de ce fait le
dplacement des lectrons.

Enchanement des tapes de fabrication

Chaque fabricant dveloppe sa propre chane de production, qui dpend de ses choix
technologiques et conomiques. Lenchanement des tapes ci-dessous reprsente un
procd industriel standard auquel il faudra ajouter les sous-tapes de transport,
nettoyage et mesure [5], [7], [11], [15], [16], [17].

15

Dcapage
Les plaques dopes p partir de bore lors de la cristallisation sont dcapes dans
un bain chimique afin dliminer les dfauts superficiels crs par le sciage.
o Bain acide base dacide fluorhydrique HF, dacide actique CH3COOH et
dacide nitrique HNO3
Texturation
La texturation de la surface en petites pyramides ou entonnoirs permet
damliorer la collecte des photons dans toutes les directions en rduisant la
rflexion. On parle aussi de confinement optique.
o Gravure slective par un bain alcalin de soude NaOH ou de potasse KOH
avec des additifs organiques du type alcool isopropylique IPA
Dopage
La zone dope n est forme par diffusion de phosphore: couche n+ en surface et n
la jonction.
o Diffusion thermique de phosphore P partir de trichlorure de phosphoryle
POCl3 dans un four passage, 800C < T < 900C, suivi dun recuit
o Retrait de la couche rsiduelle de silicate de phosphore dans un bain
dacide fluorhydrique HF
Bords de plaque
La couche n+ est retire des bords de plaque (sur la tranche) pour sparer
lmetteur de la face arrire.
o Gravure plasma avec un mlange gazeux ttrafluoromthane CF4 et
oxygne O2 soumis un champ de radiofrquences

Anti-reflet
Une couche anti-reflet base doxydes ou de niture de silicium ou doxydes
mtalliques est dpose en face avant. Elle sert aussi passiver la surface en
limitant les recombinaisons entre charges afin de conserver la conductivit du
matriau.
o Dpt chimique en phase gazeuse via un plasma (PECVD) dune couche de
Si3N4 partir de silane SiH4 et dammoniac NH3
Champ face arrire
La face arrire est dope p+ par diffusion daluminium. Cette couche joue aussi
un rle de conducteur ohmique avec llectrode arrire.
o Diffusion thermique daluminium Al 850C partir dune pte
daluminium dpose sur toute la face arrire
Mtallisation
Les contacts lectriques sont des mtaux dposs en face avant (lectrode -) et
en face arrire (lectrode +)
o Srigraphie dargent en face avant et daluminium en face arrire par
frittage de ptes mtalliques
Test et tri

Les cellules sont mesures lectriquement puis tries selon leur caractristique
afin doptimiser leur association ultrieure.

16

Il existe bien entendu de nombreuses variantes pour chacune de ces tapes, qui dpendent
fortement des quipements de production slectionns par le fabricant. Certains bains
chimiques peuvent aussi tre remplacs par des gaz fluors lorsquil sagit de graver la
matire (texturation, retrait dune couche, nettoyage des parois dun racteur). On
trouve aussi des procds laser pour lisolation des bords de plaques. Dans tous les cas, la
tendance actuelle est laugmentation du nombre dtapes.
2.3. Etape 4 : Assemblage des modules
La fonction des modules est de protger les cellules du milieu extrieur et de faciliter leur
mise en uvre, tout en limitant le plus possible les pertes optiques et les baisses de
rendement dues lchauffement des cellules en fonctionnement.

Figure 11 : Assemblage des modules photovoltaques

17

Partie 2 : Impact environnemental des systmes


photovoltaques
Autant la production dlectricit photovoltaque noccasionne pas de pollution
particulire, autant la fabrication des modules est un processus industriel qui nest pas
neutre vis--vis de lenvironnement. La prise en compte de ces impacts tous les stades
de la vie dun produit peut tre effectue laide dune analyse du cycle de vie. Cette
mthode prsente en outre lavantage dtre norme et de pouvoir comparer des produits
fonctionnalit quivalente (cf annexe 3).
Dans cette partie seront prciss le type de systmes tudis ainsi que les hypothses de
travail. On y retrouvera aussi le dtail des quantits de matires et dnergie utiliss pour
la fabrication dans la partie inventaire. Enfin seront prsents les rsultats formels de
lACV et les conclusions qui en dcoulent.
Sachant quen 2008, la part de march du silicium cristallin se maintenait plus de 89%
(source : Solar Generation V , EPIA/Greenpeace) et que la croissance annuelle du
march mondial de silicium solaire est de 30 35%, on peut considrer que ces rsultats
sont reprsentatifs de la filire de production des systmes photovoltaques.

1 Contexte et primtre des tudes


Les rsultats dACV prsents ici proviennent en grande partie des travaux dErik A.
Alsema, Mariska J. de Wild-Scholten et Niels Jungbluth. Ces chercheurs ont ralis les
tudes les plus compltes sur le silicium cristallin pour lEurope et la Suisse, mettant
jour la base de donnes Ecoinvent avec des valeurs provenant directement des lignes de
fabrication [21]. Les ordres de grandeur sont cohrents avec la littrature publie sur le
sujet.
Le centre de recherche sur lnergie des Pays-Bas (ECN : Energy Research Center of the
Netherlands) soutient des travaux de recherche sur limpact environnemental de lnergie
photovoltaque qui se concrtisent par des analyses de cycle de vie. Les chercheurs Erik A.
Alsema et Mariska J. de Wild-Scholten ont entrepris linventaire de cycle de vie des
systmes photovoltaques au silicium cristallin, dont trois versions sont disponibles : deux
pour le statut 2004 (modules PV) et une pour le statut 2005/2006 (structures et
quipements lectriques). Une grande part de cet inventaire a t finance par le projet
europen CrystalClear, ralis en partenariat avec 11 industriels et centres de recherche
dEurope et des Etats-Unis. Les mises jour ultrieures ont t finances par lECN. A
partir de ces donnes ont t labores des analyses de cycle de vie, la plus rcente ayant
t publie par Niels Jungbluth en 2008 [18] dans le cadre de la mise jour de la base de
donnes Ecoinvent v2.0, cofinance par le lOffice Fdral Suisse de lEnergie et
lAssociation Europenne de lIndustrie Photovoltaque (EPIA). Son tude intgre aussi des
donnes dautres provenances. Des aspects particuliers ont aussi t abords par lECN,
comme lutilisation de gaz effet de serre pour la fabrication des cellules ou le procd
de raffinage du silicium mtallurgique dvelopp par Elkem Solar (M.J. de Wild-Scholten).

18

Les rsultats prsents sont restreints aux modules base de silicium multicristallin.
Lanalyse du cycle de vie utilise la base de donnes Ecoinvent v2.1 et le statut 2005/2006
de linventaire du cycle de vie de lECN [19], [20].

o Systme

chane de production de systmes photovoltaques base de


silicium cristallin

o Limites du systme

du sable la production dlectricit (exclu : fin de vie)

o Fonction

produire de llectricit

o Unit fonctionnelle

1 kWc ou 1 kWh

o Flux de rfrence

1 m2 de surface de module

o Installation PV type

modules de 60 cellules (mc-Si, 285 m, 156x156 mm2), rendement


13.2%, feuillet verre/EVA/tedlar, intgr en toiture, orient sud,
dure de vie 30 ans, 1 remplacement donduleur, connexion rseau,
PR 0.75

o Mix lectrique

UCTE sauf pour silicium polycristallin (65% hydro et 45% gaz naturel
cycle combin)

o Irradiation

1000 et 1700 kWh/m2

Selon lunit fonctionnelle choisie, les rsultats seront exprims par kWc ou par kWh
produit. Dans ce dernier cas, cela fait entrer les notions de dure de vie et de productivit
du panneau fonction de la technologie employe et de linstallation (irradiation,
orientation, inclinaison, ombrages).
Note :
le dmontage de tous les composants en fin de vie na pas t pris en compte, faute de donnes
suffisantes.

19

2 Donnes dinventaire du cycle de vie


2.1. Tableau synthtique
Dans ce tableau sont rsumes les quantits dnergie et de matire utilises pour la
fabrication dun module photovoltaque, ainsi que le type de rejets gnrs. Les ordres de
grandeur sont cohrents avec la littrature publie sur le sujet.

Tableau 1 : Inventaire du cycle de vie simplifi pour des modules au silicium multicristallin

Leau est utilise raison de 1,5 m3/kWc, volume auquel il faut ajouter 6,5 m3 deau de
refroidissement en boucle.
Cest ltape de production de poly-Si qui alourdit le bilan nergtique, et notamment le
procd de distillation des chlorosilanes.
Sont intgrs le recyclage interne du silicium provenant des dcoupes de lingots et des
plaques casses, ainsi que le recyclage du slurry 80%.

20

2.2. Energie et matriaux


La figure 12 prsente linventaire des matriaux prsents dans le produit fini et les valeurs
dnergie primaire, qui cumulent lnergie physiquement dpense lors des tapes de
fabrication ainsi que lnergie grise des diffrents matriaux. Les valeurs sont donnes
pour un systme de 1 kWc, qui correspondrait dans le cas prsent 7,6 m2 de modules. La
centrale de rfrence ayant servi tablir les valeurs par kWc compte 52 modules de 220
Wc intgrs en toiture, deux onduleurs de 4,6 kW et une structure de montage [19]. Celleci permettrait de saffranchir du cadre du module, mais il est compt ici car son nergie
grise nest pas ngligeable et les modules sont gnralement commercialiss avec cadre.
Remarque
!

Les valeurs concernant les lments priphriques au module (structure, cbles et onduleur) sont
moins reprsentatives que les donnes concernant le silicium. En effet, ces dernires sappuient
sur une moyenne [20] alors que pour le systme, elles sont bases sur un type de matriel
uniquement.
Les connecteurs ne sont pas inclus.

Figure 12 : Energie primaire en MJ et masse des diffrents constituants dun systme PV de 1 kWc

Les choix du mode dintgration et darchitecture du systme font varier le total.


Note
!

Lnergie primaire est prsente dans la nature avant toute transformation, alors que lnergie
finale est lnergie mesure au compteur. Pour llectricit, le rapport utilis ici pour la
conversion entre lnergie primaire et finale est de 31%, correspondant la rgion Europe de
louest de lUCTE (Union pour la Coordination et le Transport de lElectricit). Cependant, le mix
lectrique utilis pour la purification du silicium polycristallin provenait dans ce cas 65% de
centrales hydrolectriques et 45% de centrales au gaz naturel cycle combin. Le facteur de
conversion entre nergie finale et primaire est alors de 1 pour lhydrolectricit et de 0,55 pour
llectricit produite partir de centrales au gaz naturel cycle combin.

Les effets sur lenvironnement de la consommation dnergie sont la diminution des


ressources de combustibles fossiles et les missions atmosphriques provoquant effet de
serre et pluies acides.

21

Onduleurs

Les impacts dus aux onduleurs proviennent en grande partie de llectronique quils
contiennent ainsi que des mtaux utiliss pour les botiers. Entre 2 et 200 kW, on peut
compter en moyenne 10 kg/kW de matriel. Dans le cas prsent, les donnes sont estimes
partir dun seul modle relativement ancien comprenant un transformateur bobine
(cuivre). Un modle plus rcent sans transformateur aurait certainement un impact plus
important car il contiendrait plus dlectronique.
Ce qui napparat pas directement est la dure de vie de londuleur, qui est estime 15
ans, soit la moiti de celle du systme. Des progrs dans la longvit des quipements
lectroniques permettraient donc damliorer le bilan nergtique.

Energie grise

Parmi ces matriaux, ceux qui ncessitent le plus dnergie pour leur laboration sont le
silicium et laluminium.
Silicium
Le silicium polycristallin est actuellement un enjeu important de rduction de la
consommation nergtique avec la multiplication des procds de production du
silicium solaire. A titre comparatif, il faut 60 fois plus dnergie pour produire du
silicium solaire ("1 GJ EP/kg) que du verre ("16 MJ EP/kg).
Aluminium
Laluminium est prsent en petite quantit comme contact arrire des cellules
photovoltaques et en masse dans le cadre, la structure de montage et londuleur.
La production daluminium est trs consommatrice en nergie et gnre des
missions dhexafluorure de soufre ou SF6, gaz effet de serre trs haut pouvoir
rchauffant (coefficient de 22 200 contre 1 pour le CO2).

Substances dangereuses

On trouve dans le systme la prsence dlments toxiques comme le plomb et le brome.


Plomb
Utilis comme additif dans les fibres de verre contenues dans les ptes mtalliques
servant former les contacts lectriques des cellules et comme additif galement
dans lalliage ltain utilis pour les soudures dinterconnection des cellules. Sa
toxicit est lorigine du saturnisme, maladie qui atteint le systme nerveux.
Brome
Prsent comme retardateur de flamme dans les matires plastiques de londuleur.

Autres matriaux

Enfin, certains matriaux ne prsentant pas de toxicit particulire ne sont pas


valorisables en fin de vie : plastiques (PVF, PET, PPOX, TPE), silicone, EVA, cartes
lectroniques, ou prsentent des ressources limites.
EVA (Ethylne Vinyl Actate)
LEVA, relativement inerte, rend le dmontage des modules particulirement
dlicat. Il ncessite un traitement thermique, ce qui occasionne une dpense
nergtique et des missions dacide actique.

22

Tedlar#
Le tedlar est le nom commercial du lamin PVF/PET/PVF dvelopp par Dupont. Le
PVF est un polymre fluor tandis que le PET est un plastique (celui utilis pour les
bouteilles deau minrale). Utilis en sous-face des modules, sa fabrication est plus
polluante que celle du verre (317 MJ EP/kg pour le tedlar contre pour le verre) et
gnre des missions fluores lors du recyclage des modules.
Argent
Largent est le mtal qui sert de contact sur la face avant de la cellule
photovoltaque. Il est aussi utilis pour la mtallisation de la face arrire, mais en
plus faible quantit car il a t remplac en quasi-totalit par laluminium. Les
ressources mondiales en Ag sont limites et cest le premier facteur limitant dans la
production de panneaux photovoltaques grande chelle.
2.3. Produits chimiques et rejets
Le tableau ci-dessous reprend les principaux composs chimiques utiliss lors de la
fabrication du silicium polycristallin et des cellules photovoltaques [22].
La colonne Dangers indique le type de risques associs lutilisation de ces produits :
cette information est uniquement qualitative dans le sens o la concentration des produits
nest pas prcise. Lexposition ces produits concerne en premier lieu les travailleurs, et
leur utilisation requiert le respect des normes de scurit : ventilation et extraction des
vapeurs toxiques ou explosives, gants, lunettes et masques de protection respiratoire,
dtection de fuites, systmes dtection et dextinction incendie etc Pour plus
dinformation ce sujet, voir les fiches toxicologiques sur site de lINRS [27].

Tableau 2 : Principaux produits chimiques utiliss pour la fabrication des cellules au silicium cristallin

23

Les deux dernires colonnes listent les principaux polluants prsents dans les effluents,
liquides ou gazeux.
! Les acides et bases inorganiques tels HF, HNO3, HCl, NH3 et NaOH sont traits par
lavage des gaz : les polluants sont absorbs dans de leau ajuste en pH lors du
passage des vapeurs dans des tours de lavage. Sensuit un traitement de leau
classique.
! Les vapeurs de solvants sont condenses puis brles.
! Les gaz effet de serre du type CF4 sont craqus haute temprature (>1100C)
afin de les dcomposer en lments qui peuvent tre traits dans une tour de
lavage. Le traitement de ce type de gaz (non rglement) commence se
gnraliser dans lindustrie photovoltaque, son taux est estim 70%.
! Le fluide de coupe des plaques, appel slurry, est un mlange de solvant organique
PEG et dabrasif sous forme de microbilles de carbure de silicium SiC, dont la
fabrication est nergivore ("10 MJ EP/kg). Lors du sciage, il se charge de particules
de silicium et de fer (provenant de lacier du cble). La sparation du solvant et
des particules est possible environ 80%, le taux de rutilisation estim est
suprieur 80%.

3 Rsultats de lanalyse du cycle de vie


Une fois que linventaire est ralis, les flux entrants et sortants du systme sont agrgs
suivant des mthodes standardises. Leurs effets sont comptabiliss par des points et un
score est attribu chaque impact. Ceux-ci sont dfinis par la mthode choisie.
La mthode CML 2000 donne par exemple les facteurs normaliss suivants: puisement des
ressources minrales, effet de serre, rduction de la couche dozone, toxicit pour ltre
humain, oxydation photochimique, acidification et eutrophisation. Lpuisement des
ressources fossiles napparat pas sur le schma pour des raisons dchelle, mais fait partie

de la mthode.
Figure 13 : Impacts environnementaux de modules au silicium multicristallin normaliss 1 kWc [23]

Lanalyse des impacts amne la premire conclusion que la consommation dnergie est
limpact majoritaire dans le cycle de vie des systmes photovoltaques.

24

Lutilisation de combustibles fossiles est en effet lorigine de nombreux dsordres


environnementaux et de dommages sur la sant humaine tels:
! lpuisement des ressources fossiles,
! leffet de serre,
! lmission doxydes de soufre et dazote, rsidus le la combustion du charbon et du
fioul, provoquant les pluies acides,
! les dommages respiratoires dus aux missions de particules et doxydes dazote.
Cette consommation est due au trs nergivore procd de production de silicium. Les
modules photovoltaques tant eux-mmes des gnrateurs dlectricit, on peut
cependant aisment imaginer un cercle vertueux. Tout dpend en fait du mix nergtique
du lieu de production du silicium et des tapes de fabrication ultrieures.
Les rsultats peuvent aussi tre exprims sous forme dindicateurs. Les plus pertinents
dans le cas prsent sont la demande cumule en nergie primaire (en MJ/kWc), qui sert
tablir le temps de retour nergtique (en annes), et leffet de serre (en kg CO2/kWh).
3.1. Demande cumule en nergie primaire
La demande cumule en nergie primaire est la somme de toutes les dpenses
nergtiques affectes au systme. Le fait de lexprimer en nergie primaire permet de
prendre en compte les pertes inhrentes au mode de production dnergie utilise.
En nergie primaire, la part revenant au raffinage du silicium est de 40%, de 28% pour la
cristallisation et la mise en forme des plaques, de 10% pour la fabrication des cellules et
de 20% pour le reste (15% module et 6% priphriques). En ordre de grandeur, il faut
compter 30 35 000 MJ par kWc pour un systme photovoltaque install. Exprim
autrement, on comptera environ 2500 kWh dnergie finale par kWc install.
La demande cumule en nergie du silicium de grade solaire obtenu par le procd Elkem
est deux fois plus faible que par la voie conventionnelle chimique. Il en rsulte une
rduction dau moins 10% sur un systme PV complet.
3.2. Temps de retour nergtique
Le temps de retour nergtique est la dure ncessaire au systme photovoltaque pour
produire autant dnergie quil en a fallu pour le construire (calcul en nergie primaire).
On peut retenir la valeur de 3 ans pour une irradiation moyenne en France.
Les diffrentes tudes donnent des dures de cet ordre-l.
Pour 1000 kWh/m2/an et le procd Siemens traditionnel
: 3,3 ans
2
Pour 1117 kWh/m /an (Suisse) et le procd Siemens modifi
: 2,9 ans
2
Pour 1000 kWh/m /an et le procd Elkem mtallurgique
: 1.9 ans
(avec le mix
nergtique norvgien 100% hydraulique).
Les facteurs qui allongent le temps de retour sont, par ordre dimportance : le type
dinstallation (faade, toiture plate, toiture incline), le type de cellules (sc-Si, a-Si, mcSi, CIS, CdTe, Si ruban), et le type de panneaux (avec ou sans cadre).

25

Irradiation

La rgion dimplantation des systmes fait beaucoup varier ce rsultat. Une simulation a
permis de mettre en vidence ce phnomne : des temps de retour infrieurs 2 ans sont
atteignables dans le sud de lEspagne, en Italie, en Turquie et en Afrique du Nord, tandis
que ceux de lEurope du Nord peuvent tre 2 3 fois plus longs.

Figure 14 : Temps de retour nergtique de systmes PV 90% de silicium cristallin en Europe [18]

La carte ci-dessus illustre la pertinence environnementale dinstaller un systme PV par


rapport au temps de retour nergtique : les rgions les plus ensoleilles sont les plus
favorables. Cependant, dautres facteurs entrent en ligne de compte, notamment le mode
de production dlectricit auquel le photovoltaque se substitue.
Si lon considre lmission de gaz effet de serre, le PV sera plus appropri dans les
rgions o llectricit est fortement carbone. On peut exprimer le potentiel de
rduction des missions de CO2 en tCO2/kWc. Il indique la quantit de CO2 quaurait mis
le parc nergtique national pour produire la mme quantit dlectricit pendant la
dure de vie du systme photovoltaque, corrig de la quantit de CO2 mise pour la
fabrication du systme. Les pays qui prsentent les gisements les plus intressants sont la
Pologne, lEspagne, lItalie et la Grce. Cette dernire pourrait conomiser jusqu 35
tCO2/kWc de photovoltaque install, contre 2 pour la France.
Si lon considre la production de dchets radioactifs, le PV sera plus appropri dans les
rgions o llectricit est dorigine nuclaire. Lindicateur utilis est le potentiel de
rduction de dchets nuclaires en cm3 de dchets hautement toxiques/kWc. Les pays les
plus stratgiques dans ce dernier cas sont la France, la Suisse et la Bulgarie, avec une
valeur de plus de 210 cm3 de dchets hautement toxiques/kWc install pour la France.

Autres technologies de cellules

Si lon compare les technologies au silicium cristallin, on remarque que les impacts sont
plus importants pour le silicium monocristallin que pour le silicium multicristallin et enfin
que pour le silicium ruban. L encore, cest bien le facteur nergie qui joue, cause du
tirage CZ pour le monocristallin et grce labsence de sciage (et donc de perte de
silicium) pour la technologie ruban.

26

Dans le tableau 3 sont donns titre indicatif les temps de retour nergtique pour
diffrents types de technologies couche mince.
Rendement

Temps de retour
nergtique

mc-Si

13,2 %

3,3 ans

a-Si

5,5 %

1,2 ans

CdTe

9%

1,1 an

CiGS

11,5 %

1,3 ans

Tableau 3 : Temps de retour nergtique pour


diffrentes technologies de cellules
pour 1700 kWh/m 2/an [20]

On voit quils sont gnralement infrieurs celui du silicium cristallin.


3.3. Effet de serre
Leffet de serre est le pigeage du rayonnement infrarouge (IR) ou chaleur dans la couche
atmosphrique. Les rayons IR mis par la terre, elle-mme chauffe par le soleil, sont
absorbs et rmis par les molcules qui vibrent ces longueurs donde : les gouttelettes
deau en suspension, le dioxyde de carbone CO2, et certains gaz fluors comme le CF 4, le
C2F6, le SF6 ou le NF3, utiliss dans la fabrication des cellules au silicium. Ces gaz ont un
pouvoir rchauffant bien plus lev que le CO2 que lon traduit par un coefficient : le
Potentiel de Rchauffement Global (PRG). Par exemple, 1 molcule avec un PRG de 100 a
leffet quauraient 100 molcules de CO2 dont le PRG est fix 1.
Leffet de serre a t traduit laide dun indicateur en kg CO2-quivalent par kWh
produit, correspondant la quantit de gaz effet de serre mis lors de la fabrication du
systme sur sa production lectrique pendant 30 ans. Lorsquon exprime les rsultats par
kWh, la productivit du systme fortement lie lirradiation du lieu est videmment un
critre qui va jouer sur la performance de lensemble.
Pour une irradiation du type Sud Europe, soit 1700 kWh/m2/an, il est de :
-

35 g CO2-eq/kWh pour la fourniture lectrique de la rgion Europe de lUCTE (


0.48 kg de CO2-eq/kWh)

23 g CO2-eq/kWh pour le procd Elkem et la fourniture lectrique norvgienne.

Pour comparaison, les valeurs pour la production dlectricit partir de charbon, de


technologie nuclaire et dolien sont respectivement de 1000, 6 et 11 g CO2-eq/KWh.
Il est intressant de noter que la configuration relle ne correspond pas forcment ce
modle. Par exemple, on trouve 73 g CO2-eq/kWh en moyenne sur le parc photovoltaque
suisse, compos 95% de silicium cristallin (dont 50% mc-Si), install 75% sur toiture
incline pour une irradiation de 1040 kWh/m2/an. Encore une fois, le type et le lieu
dinstallation a une forte influence sur le rsultat.

Elments du systme

La contribution leffet de serre des quipements lectriques, cadres et structures de


montage est denviron 10-15%. Cette part pourrait augmenter avec une meilleure
documentation sur les onduleurs et la diminution de lempreinte du module. Limpact du
cadre est souvent aussi important que celui de la structure de montage.

27

4 Voies de rduction et bonnes pratiques


Le travail dinventaire de cycle de vie a permis didentifier les tapes sur lesquelles des
conomies de flux pourraient tre ralises [23], [24].

Fabrication

Une premire approche consiste rduire lnergie grise des matriaux lors de leur
fabrication :
Silicium solaire

utilisation de racteurs lits fluidiss (-50% dnergie) ou production


par voie mtallurgique (-70% dnergie)

Silicium

rduction de lpaisseur des plaques (ex : Sliver! cell dOrigin


Energy < 70 m et 1.7 g Si/Wc)
rutilisation des chutes de silicium, notamment pertes du sciage

Slurry

recyclage systmatique du slurry (rutilisation PEG et SiC)

Gaz effet de serre

traitement systmatique (70% actuellement)

Eau

rduction de la consommation deau et rutilisation

Plomb

utilisation de ptes mtalliques sans plomb, dalliages mtalliques


pour la soudure sans plomb (ex : RWE Schott Solar) ou de colles
lectriquement conductrices (ex : Mitsubishi).

EVA

repenser le dmontage du lamin en intgrant lco-design ds la


conception du module (ex : NICE technology)

Aluminium

utilisation de lamins (modules sans cadre), ou a dfaut, de cadres


en aluminium recycl

Onduleurs

augmentation de la dure de vie des onduleurs

Cbles

utilisation des structures de montage pour assurer le transport de


llectricit (ex : www.pv-wirefree.nl)

Fin de vie

recyclage des modules en fin de vie

Productivit

Une deuxime approche est doptimiser la productivit des systmes PV, afin de rduire
leur temps de retour nergtique.
Cellules

augmentation du rendement des cellules

Systme

implantation dans les rgles de lart (sud, pas dombrage, bonne


ventilation, cblage limitant les pertes)

28

Conclusion
Les rsultats danalyse du cycle de vie nous confirment que la production dlectricit
photovoltaque prsente un bilan environnemental favorable. Ces rsultats sont cependant
restreints la filire du silicium cristallin (90% du march) existante actuellement en
Europe, hors recyclage en fin de vie.
Limpact majeur est la dpense nergtique pendant la phase de fabrication, provenant
plus de 40% du raffinage du silicium. Etant donn quun systme photovoltaque est un
gnrateur dlectricit, cet effet est plus que compens par son utilisation.
Le temps de retour nergtique moyen pour la France est de 3 ans : le systme va donc
rembourser 10 fois sa dette nergtique pour une dure de vie de 30 ans.
La contribution leffet de serre pour la France est denviron 70 g CO2-eq/kWh. A titre
comparatif, le kWh lectrique en France se situe entre 40 et 180 g CO2-eq/kWh selon
lusage (source Ademe 2005).
Les amliorations futures de la filire de production concernent tout dabord le silicium
solaire. Les racteurs lit fluidiss pour la voie chimique ou la voie mtallurgique
permettent une conomie de 10% 20% de la dpense nergtique totale. Ensuite, la
diminution de lpaisseur des plaques de silicium permet une conomie de matriau. De la
mme manire, la pose de modules sans cadre rduit lnergie grise du systme.
Laugmentation du rendement des cellules va elle aussi peser favorablement dans la
balance. Enfin la mise en uvre permettant une productibilit optimale des systmes
permet de limiter leur impact environnemental.
Pour aller plus loin, la conception des systmes doit intgrer leur fin de vie, et plus
particulirement leur dmontage. A ce propos, lassociation europenne PV Cycle,
regroupant des fabricants de modules photovoltaques, a vu le jour en 2007. Une de ses
tches est de rendre possible le recyclage des modules.

29

Rfrences
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financiers, Colloque National Electricit Solaire Photovoltaque, Aix-les-Bains, 20-22 mars
2007
[2] Photon International, A highly coveted raw material, Jan. 2009, pp.136-141
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Solar Cells, vol. 92, Apr. 2008, pp. 418-424
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[12] A. Goetzberger et C. Hebling, Photovoltaic materials, past, present, future, Solar
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[13] Andr Claverie, Electricit solaire photovoltaque - Etat de lart - Principes,
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Rseau, Novembre 2007
[14] A.Labouret, M.Villoz, Energie solaire photovoltaque, Dunod, 2006
[15] A.Ricaud, Photopiles solaires, Presses polytechniques et universitaires romandes,
1997

30

[16] C. del Caizo, A. Luque, J. Bulln, A. Miranda, J.M. Mguez, H. Riemann, N.


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[17] R. Preu, D. Biro, J. Rentsch, The status of silicon solar cell production technology
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[18] N. Jungbluth, M. Tuchschmid, M. de Wild-Scholten, Life Cycle Assessment of
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[19] M.J. de Wild-Scholten, E.A. Alsema, E.W. ter Horst, M. Bchler, V.M. Fthenakis, A
cost and environmental impact comparison of grid-connected rooftop and ground-based PV
systems, 21th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Dresden, Germany, 4-8
September 2006
[20] E.A. Alsema, M.J. de Wild-Scholten, V.M. Fthenakis, Environmental Impacts of PV
Electricity Generation - A Critical Comparison of Energy Supply Options, 21th European
Photovoltaic Solar Energy Conference, Dresden, Germany, 4-8 September 2006
[21] E.A. Alsema, M.J. de Wild - Scholten, Environmental impacts of crystalline silicon
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USA, 28 November, 2005-2 December, 2005.
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Applicability, 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference, 4-8 September 2006,
Dresden, Germany
[23] Alsema E.A. et de Wild-Scholten M.J., Reduction of the Environmental Impacts in
Crystalline Silicon Module Manufacturing, 22nd European Photovoltaic Solar Energy
Conference 2007, Milan, Italy
[24] Mariska de Wild-Scholten, Erik Alsema, Towards cleaner solar PV: Environmental and
health impacts of crystalline silicon photovoltaics, Refocus, Sept.-Oct. 2004, vol. 5,
pp.46-49
[25] www.carbonelorraine.com
[26] www.photowatt.com
[27] www.inrs.fr

31

Annexe 1 : Dmarche bibliographique


La dmarche bibliographique qui a t utilise pour runir linformation ncessaire sest
faite en 3 tapes : recherche alatoire, puis en largeur et enfin en profondeur. La
recherche alatoire consiste en la collecte dinformation par divers biais : lecture de
quelques articles, de cours, recherche sur le web, brainstorming sur le sujet. Elle permet
dtablir une premire liste de mots-cls, qui seront utiliss lors des tapes ultrieures.
Ces mots-cls sont ensuite entrs systmatiquement dans des bases de donnes la
recherche de publications : le rsultat va restreindre le champ de recherche une liste
dauteurs et de journaux. Une autre recherche est alors lance par auteurs et journaux
cibls, avant ltape de lecture.
Dans le cadre de cette tude, les mots-cls qui ont t utiliss sont environmental impact,
life cycle, payback, emission, silicon feedstock, solar-grade, SoG-Si, metallurgical grade
associs photovoltaic. Les bases de donnes qui ont t balayes sur la priode 19992009 sont :
http://www.sciencedirect.co
http://www.springerlink.com/journals/
http://citeseer.ist.psu.edu/
http://dspace.mit.edu/handle/1721.1/7582
proceedings des European Photovoltaic Solar Energy Conference des sessions
2001, 2002, 2004 2007.
Suite

cette recherche, les auteurs identifis sont :


Erik Alsema, Utrecht University (NL)
Mariska de Wild-Scholten, Energy Research Center of the Netherlands (NL)
Vasilis Fthenakis, Brookhaven National Lab. (US)
Marco Raugei,University of Siena (IT)
Niels Jungbluth, ESU-services (CH)

32

Annexe 2 : Puret du silicium


Le silicium ragit avec tous les mtaux pour former des complexes. Il nest jamais
parfaitement pur, cest--dire quil contient des lments autres que latome de silicium.
Ces impurets peuvent tre des atomes ou des molcules, et sont prsentes ltat de
traces dans le bloc de silicium. Pour le silicium mtallurgique, elles proviennent du lieu
dextraction et sont contenues dans le quartz. Dans le cas du silicium polycristallin, le
chlore provient du processus de purification. Pour le silicium multicristallin, les impurets
proviennent des matriaux avec lesquels il est en contact lors de la cristallisation,
savoir les parois et le revtement du creuset dans lequel la charge de silicium reste
fondue relativement longtemps.
De manire gnrale, elles dgradent le rendement lectrique du matriau. Cest tout
lenjeu du processus de purification que de rendre le matriau utilisable une application
photovoltaque.
Le taux dimpurets sexprime en:
parties par millions : 1 ppm massique " 1g par tonne
pourcentage : 1 ppm dimpurets " 1 1/1000000=0,999999 soit 99,9999% de silicium ou
6N (qualit lectronique)
nombre datomes par centimtre cube (une partie par milliard ou 1 ppb # environ
0,5.1013 atomes/cm3)
Contrairement au silicium polycristallin utilis dans la filire lectronique, le silicium de
qualit solaire ne requiert pas un niveau de puret de 99,9999% mais peut tolrer pour
certaines espces comme le Cu, le Ni ou lAl des taux dimpurets suprieurs au ppm. Il
nexiste pas encore de standard sur les niveaux dimpurets acceptables pour le silicium
solaire.

33

Annexe 3 : Principe dune analyse du cycle de vie


Lanalyse du cycle de vie dun produit permet danalyser et de quantifier ses impacts sur
lenvironnement du berceau la tombe. Cette mthode est gnralement utilise pour
comparer diffrents produits, procds ou services qui remplissent la mme fonction. Les
normes ISO-14040-44(2006) en dfinissent les principes.

Principe dune analyse de cycle de vie

La dmarche consiste faire linventaire des ressources utilises et des rejets (entrants et
sortants), puis de classer les effets sur lenvironnement qui en dcoulent laide dune
analyse dimpact. Elle comprend formellement quatre tapes :
1

La dfinition de lobjectif et du champ de ltude est la premire tape. Il sagit


de dterminer les raisons pour lesquelles cette analyse est mene et qui sont
destins les rsultats. Elle tablit les frontires du systme et lunit fonctionnelle
sur lesquelles seront bases les comparaisons des diffrentes alternatives. Le flux
de rfrence dsigne la quantit du produit analys et de consommables utiliss
par ce produit ncessaires pour satisfaire les besoins de l'unit fonctionnelle.

Les flux lmentaires (consommation de ressources naturelles et polluants sortant


du systme) sont tablis lors de lanalyse de linventaire : tout ce qui entre et qui
sort du systme est quantifi pour chaque tape ou processus lmentaire. Ils sont
ensuite agrgs pour chaque mission ou consommation de ressource.

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Les flux entrants et sortants sont combins dans des catgories dimpacts durant
lvaluation de limpact. Ces rsultats clairement identifiables sont autant
dindicateurs en termes de dommage environnemental. Le choix des catgories
dpend de la mthode utilise comme du produit ou service tudi, on y retrouve
gnralement les axes suivants :
! utilisation de ressources non renouvelables,
! effet de serre,
! sant humaine,
! cosystmes.

Enfin linterprtation permet de valider les conclusions qui rsultent des trois
tapes ci-dessus.

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