RAZOUK COURS MASTER ENG-PHOTOV-Chap5

Chapitre 5
TECHNOLOGIES DES
CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES
Pr A. RAZOUK ‐ MASTER (IEREE) ‐ SEMI‐CONDUCTEURS ET TECHNOLOGIE DES CELLULES ‐ A.U 2018‐2019 130

I. Classification des cellules photovoltaïques
 Cellule photovoltaïque en silicium monocristallin
Ces cellules sont en général d’un bleu uniforme.
• Avantages :
• Très bon rendement (≈150 Wc/m²)
• Durée de vie importante (+/-30 ans)
• Inconvénients :
• Coût élevé
• Rendement faible sous un faible éclairement
 Cellule photovoltaïque en silicium poly-cristallin

Pendant le refroidissement du silicium, il se forme plusieurs cristaux. Ce genre de cellule est
également bleu, mais pas uniforme, on distingue des motifs créés par les différents cristaux.
• Avantages :
• Bon rendement (environ 100 Wc/m²)
• Durée de vie importante (+/-30 ans)
• Meilleur marché que le monocristallin
• Rendement faible sous un faible éclairement.
 Cellule silicium amorphe en couche mince
Le silicium lors de sa transformation, produit un gaz, qui est projeté sur une feuille de verre. La cellule est gris très
foncé ou marron. C’est la cellule des calculatrices et des montres dites "solaires".
• Avantages :
• Fonctionnent avec un éclairement faible
• Bon marché par rapport aux autres types de cellules
• Moins sensible aux températures élevées
• Rendement faible (environ 60 Wc/m²), les cellules en couche mince nécessite une surface plus importante pour
atteindre les mêmes rendements que les cellules épaisses
• Durée de vie courte (+/-10 ans), performances qui diminuent sensiblement avec le temps
• Rendement module commercial : 5 à 9%
• Rendement record en laboratoire : environ 13,4%
 Cellule sans silicium en couche mince (CIS/CIGS) : cellule photovoltaïque de type, Cuivre Indium (Galium)
Sélénium
Elles représentent la nouvelle génération de cellules solaires sous forme de films minces. Les matières premières
nécessaires à la fabrication des cellules CIS sont plus faciles à se procurer que le silicium utilisé dans les cellules
photovoltaïques classiques. De plus, leur efficacité de conversion énergétique est la plus élevée à ce jour pour des
cellules photovoltaïques en couche mince.
• Avantages :
• Permet d’obtenir les meilleurs rendements par rapport aux autres cellules photovoltaïques en couche mince
• Permet de s’affranchir du silicium
• Les matériaux utilisés ne causent pas de problème de toxicité
• La cellule peut être construite sur un substrat flexible
• Les cellules en couche mince nécessite une surface plus importante pour atteindre les mêmes rendements que les
cellules épaisses 133
Pr A. RAZOUK ‐ MASTER (IEREE) ‐ SEMI‐CONDUCTEURS ET TECHNOLOGIE DES CELLULES ‐ A.U 2018‐2019
 Cellule en couche mince de Tellurure de cadmium (CdTe)
Depuis quelques années, pour produire un panneau photovoltaïque, un nombre croissant d'entreprises recourent au
tellurure de cadmium en tant que composé semi-conducteur, à la place du silicium associé éventuellement à un film
de sulfure de cadmium.
C'est en effet un produit très stable. Il accroit le rendement des panneaux, tout en diminuant leur coût, grâce à une
meilleure capacité d'absorption de la lumière (maintien d’une bonne performance en cas de faible luminosité, le matin
et en soirée notamment) et à un coefficient thermique.
• Avantages :
• Seuls 1 à 8 µm de CdTe suffisent pour absorber une grande quantité de lumière
• Moins cher et meilleur rendement (10%) que Si amorphe
• Utilisable dans le secteur spatial car résistance aux radiations de haute énergie
• Souffrir de problèmes de pénurie (le tellure est un élément rare)
• Toxique par le cadmium : recyclage indispensable
 Cellules photovoltaïques organiques
Les cellules photovoltaïques organiques sont des cellules photovoltaïques dont au moins la couche active est
constituée de molécules organiques.
Le semi-conducteur utilisé est un polymère comme par exemple le polyacétylène. Des recherches sont en cours afin
que toutes les couches de la cellule soit de nature polymère.
Objectif : manipuler un seul type de matériau et donc une même technologie tout au long du processus de fabrication.
• Les avantages : sont une forte absorption optique, des substrats variés ainsi que des techniques de dépose assez
simple
• L'inconvénient : est que la longévité de ces cellules n’est toujours pas maîtrisée
Meilleurs rendements de conversion mesurés en laboratoire pour les
principaux types de cellules photovoltaïques

II. Processus de fabrication des cellules photovoltaïques (à
base de silicium)
Le processus présentera concernent les systèmes photovoltaïques à base de silicium cristallin, de l’extraction du
sable à la génération d’électricité, et raccordés au réseau. Sont exclus de cette étude la fin de vie et le recyclage des
systèmes ainsi que les technologies en couches minces (Si amorphe, CdTe, CIS, triple jonction etc…).
Les étapes de fabrication des cellules PV sont :

 Etape 1 Elaboration du silicium de grade solaire à partir du
silicium métallurgique, lui-même obtenu à partir de quartz.
 Etape 2 Cristallisation de ce silicium solaire pour former des
plaques.
 Etape 3 Transformation de ce silicium cristallisé en
composant actif pour devenir une cellule photovoltaïque.
 Etape 4 Assemblage des cellules photovoltaïques en module
photovoltaïque.
 Etape 5 Groupement de plusieurs modules pour réaliser un
système photovoltaïque intégré en toiture comprenant
également une structure porteuse, des composants
électroniques et électriques.
 L’étape 6 serait logiquement la fin de vie du système, mais
elle n’est pas traitée dans cette partie.

II.1. Raffinage du silicium

 De la silice au silicium métallurgique
 Le silicium, deuxième élément de la croûte terrestre
 Obtenu à partir de silice ou oxyde de silicium SiO2 contenu dans le quartz ou le sable,
dont les réserves planétaires sont abondantes.
 Le silicium métal, environ 20% de la production mondiale de silicium, est utilisé
principalement par l’industrie chimique et celle de l’aluminium pour les silicones et les
alliages métalliques.
 Pour la filière solaire, il servira à la fabrication du silicium de qualité solaire.
 Les principaux fabricants sont Grupo Ferroatlantica SL, Globe Specialty Metals
 Elaboration du silicium métallurgique

Le silicium métallurgique (MG-Si) résulte de la transformation de la silice dont on a
extrait l’oxygène. Cette réaction, appelée réduction carbothermique, consiste à porter
à des températures très élevées un mélange de quartz et d’espèces carbonées
(réducteurs du type coke, houille et bois), qui vont se combiner avec l’oxygène du
quartz pour donner du monoxyde puis du dioxyde de carbone.

 Réduction de la silice par le carbone à 1700°C :
SiO2 + 2C  Si + 2 CO
2 CO + O2  2 CO2
L’énergie nécessaire à la réaction est apportée sous forme d’arc électrique par des électrodes
en graphite, à l’intérieur de fours métallurgiques dits fours à arc.
 Le silicium en fusion obtenu est récupéré dans des « poches », oxygéné par insufflation
d’air pour former des oxydes de calcium et d’aluminium qui vont être extraits par séparation
du laitier (phase contenant des oxydes métalliques, silicates, aluminates et chaux, formés
lors de la fusion).
 Le silicium est ensuite mis en forme par refroidissement et moulage en lingotières.
 Plusieurs étapes de concassage et de broyage permettent ensuite d’obtenir des billes de
MG-Si de 2-3 mm de diamètre.
La pureté finale du silicium de qualité métallurgique est de 98 à 99%, soit un taux
d’impuretés d’environ 15000 ppm (Fe, Ca, Mg, Al, C, O, V, Cr, Mn…), avec comme
contrainte des teneurs en bore et phosphore de l’ordre de 20 à 500 ppm.
Silicium métallique
Ce procédé est très énergivore, puisqu’il faut environ 14 kWh électriques pour produire 1 kg
de MG-Si. Les émissions de CO2 sont elles aussi très élevées : il faut compter un peu plus
de 3,14 tonnes de CO2 rejetés pour 1 tonne de MG-Si produit. La mise en place, dans le futur,
de quotas d’émissions de CO2 pourra donc être une contrainte importante pour ce procédé.
D’autres procédés de production du silicium métallurgique ont été développés. Il existe

notamment la réduction aluminothermique, qui consiste à extraire l’oxygène de la silice avec de
l’aluminium. Elle présente l’avantage d’une faible consommation d’énergie car elle est
fortement exothermique.
 Du silicium métallurgique au silicium solaire

Le silicium solaire (SoG-Si), ou silicium polycristallin (poly-Si) plus connu dans la filière électronique, est obtenu par la
purification du silicium métallurgique et servira à la confection des lingots de silicium.
Il existe différents procédés de production de silicium de qualité solaire que l’on peut classer en deux grandes familles:
 la voie métallurgique
 la voie chimique.
Actuellement, la voie chimique occupe la quasi-totalité du marché avec deux procédés majoritaires à partir de
trichlorosilane (75%) et de monosilane (25%). Elle nécessite une plus grande consommation d’énergie que la voie
métallurgique, et présente l’inconvénient de la dangerosité liée à l’utilisation de produits chlorés. Elle permet d’obtenir
un matériau d’une plus grande pureté.
Voie chimique : procédé Siemens
 Le procédé Siemens s’opère en trois étapes et génère un dégagement gazeux de trichlorosilane SiHCl3.
 Son rendement est de 25%, pour une consommation énergétique d’environ 150 KWh/kg.
Figure 64 : Procédé Siemens

Voie métallurgique : procédé Elkem
La société la plus avancée est Elkem Solar (Norvège), qui a développé un procédé actuellement en cours
d’industrialisation.
Il consiste en un traitement du silicium métallurgique par un laitier de silicate de calcium à haute température suivi d’un
lessivage chimique à basse température.
 Les impuretés résiduelles sont collectées sur le dessus du lingot obtenu après une solidification directionnelle. Les
blocs éliminés sont ensuite réintroduits en amont dans le procédé.
 Les premières études montrent que la qualité du silicium solaire obtenu est similaire à celle du silicium polycristallin
commercialisé provenant de la voie traditionnelle Siemens.
 Le rendement sur cellules est lui aussi dans les spécifications, autour de 15-16%.
Figure 65 : Procédé Elkem

Autres voies
Il existe encore d’autres voies de production du silicium solaire en cours de développement.
On peut citer la fusion dans un faisceau électronique, le lessivage après réduction
aluminothermique, l’électro-transport dans un champ magnétique, la voie électrochimique…
et quelques initiatives comme la dissociation de nitrure de silicium dans
un four solaire ou l’utilisation de paille de riz comme source de silice.
II.2. Fabrication des plaques, cellules et modules photovoltaïques

A ce stade de la fabrication sont mis en jeu des savoir-faire propres à l’industrie photovoltaïque.
Le silicium solaire ou polycristallin va être encore une fois fondu et resolidifié en lingots ou ruban dans lesquels seront
découpés les plaques de silicium. Ces plaques subiront quant à elles des transformations qui leur permettront de
convertir l’énergie lumineuse en énergie électrique. Puis elles seront reliées entre elles et protégées des intempéries
dans un module photovoltaïque.
 Cristallisation du silicium et mise en forme des plaques
• La technique de cristallisation consiste à solidifier progressivement le silicium polycristallin fondu de manière
contrôlée.
• C’est dans la charge de silicium en fusion que sera ajouté l’élément dopant (n ou p).
• Le matériau présente au final un réseau cristallin, qui est un arrangement ordonné des atomes de silicium.
Trois grandes voies de cristallisation sont

possibles selon le choix technologique fait par
le fabricant
Le tirage Czochralski donne des La solidification directionnelle Les techniques de tirage de ruban
lingots cylindriques de silicium donne des briques de silicium donne du silicium multicristallin en
monocristallin ou sc-Si multicristallin ou mc-Si; ruban

 Silicium monocristallin (sc-Si)
Ce matériau est constitué d’un seul cristal, sa couleur est unie, grise. Il est obtenu par croissance ou
étirage d’un lingot cylindrique à partir d’un monocristal « souche » selon le procédé Czochralski ou
CZ. Les cellules finales ont un des meilleurs rendements, autour de 15%, la contrepartie est une plus
grande dépense énergétique pour sa mise en forme.
Jan Czochralski
(1885-1953)
Figure 66 : Tirage des lingots

 Silicium multicristallin (mc-Si)
Ce matériau de couleur grise est constitué d’une mosaïque de cristaux monocristallins de
silicium, d’orientation et de tailles différentes. Il est obtenu par coulage en lingotière dans laquelle
s’opère un refroidissement lent, de l’ordre de quelques dizaines d’heures.
Sa mise au point est moins énergivore, et le rendement final des cellules est d’environ 12%.
Figure 67 : Mise en forme des lingots de silicium multicristallin

 Sciage des plaques
Les lingots monocristallins et les briques multicristallines sont ensuite découpés en tranches par une scie à fil, à une
épaisseur d’environ 250 µm (en anglais, "wafer" signifie "galette") . L’opération est réalisée en présence de slurry, une
solution organique contenant des abrasifs en suspension. Il faut souligner une perte importante de matériau lors du
sciage (30 à 40% non recyclé).
Figure 68 : Fabrication des Wafers

 Silicium multicristallin en ruban
Cette technique une option technologique combine les étapes de cristallisation et de mise en
forme du silicium, et présente l’avantage de minimiser la perte matière. Il est obtenu par
entraînement d’un ruban de silicium sur un support plan ou tubulaire à partir d’un bain de
silicium fondu.
Figure 69 : Etirage d’un ruban de silicium

 Dopage du silicium
Dopage des
semi-conducteurs
La croissance epitaxiale en
La diffusion Le bombardement ionique
phase

 La diffusion
On utilise un four, dans lequel on injecte des gaz avec une solution dopante pour le silicium. Avec la chaleur, le
dopant a une énergie suffisante pour entrer dans la plaquette de silicium . Cette méthode est assez ancienne, et
nécessite d'avoir une température uniforme dans le four.
La filière photovoltaïque utilise majoritairement ce dopage.
Figure 70 : Dopage par diffusion

 La croissance epitaxiale en phase
Cette méthode utilise toujours un four, mais cette fois-ci les atomes du dopant sont déposés sur le silicium qui se
présente sous la forme d'une plaquette. On a ainsi un dépôt en surface, et non pas une insertion comme pour la
méthode de dopage par diffusion. La température du four doit avoisiner les 1200°C.
Figure 71 : Dopage par croissance épitaxie en phase

 Le bombardement ionique
Une source (appelé faisceau ionique énergétique) produit des ions, qui sont ensuite accélérés, et par le biais d'un
contrôle très précis, ceux-ci vont alors se positionner sur la plaquette . L'avantage de ce principe est que l'opération
se déroule à température ambiante. Le défaut de cette technique est qu'elle peut provoquer des dommages au
silicium induisant un réarrangement indésirable de sa structure cristalline.
Figure 72 : Dopage par bombardement ionique
La filière photovoltaïque utilise majoritairement le dopage par diffusion

 Fabrication des cellules photovoltaïques
Chaque fabricant développe sa propre chaîne de production, qui dépend de ses choix technologiques et
économiques. L’enchaînement des étapes ci-dessous représente un procédé industriel standard auquel il faudra
ajouter les sous-étapes de transport, nettoyage et mesure
Les wafers, obtenus par sciage des lingots de silicium purifié,

subiront soit un dopage de type N soit un dopage de type P.
Les électrons en excès de la région dopé N ont tendance à diffuser

vers la région P (où ils sont minoritaires). Il en est de même pour les
trous en sens inverse.
Formation de la jonction
PN
Figure 73 : Formation de la jonction PN

La tendance actuellement est de diminuer le dopage de l’émetteur en créant éventuellement un dopage localisé plus
important sous les contacts (émetteurs sélectifs)
• Les plaques dopées p à partir de bore lors de la cristallisation sont décapées dans un bain
chimique afin d’éliminer les défauts superficiels créés par le sciage.
1 • Bain acide à base d’acide fluorhydrique HF, d’acide acétique CH3COOH et d’acide nitrique HNO3
• La texturation de la surface en petites pyramides ou entonnoirs permet d’améliorer la

collecte des photons dans toutes les directions en réduisant la réflexion. On parle aussi de
confinement optique.
2 • Gravure sélective par un bain alcalin de soude NaOH ou de potasse KOH avec des additifs
organiques du type alcool isopropylique IPA
• La zone dopée n est formée par diffusion de phosphore : couche n+ en surface et n à la

jonction.
• Diffusion thermique de phosphore P à partir de trichlorure de phosphoryle POCl3 dans un four à
3 passage, 800°C < T < 900°C, suivi d’un recuit

• Retrait de la couche résiduelle de silicate de phosphore dans un bain d’acide fluorhydrique HF

• La couche n+ est retirée des bords de plaque (sur la tranche) pour séparer l’émetteur de la
face arrière.
Gravure plasma avec un mélange gazeux tétrafluorométhane CF4 et oxygène O2 soumis à un
4 champ de radiofréquences
• Une couche anti-reflet à base d’oxydes ou de niture de silicium ou d’oxydes métalliques est
déposée en face avant. Elle sert aussi à passiver la surface en limitant les recombinaisons
entre charges afin de conserver la conductivité du matériau.
5 Dépôt chimique en phase gazeuse via un plasma (PECVD) d’une couche de Si3N4 à partir de silane
SiH4 et d’ammoniac NH3
• La face arrière est dopée p+ par diffusion d’aluminium. Cette couche joue aussi un rôle de
conducteur ohmique avec l’électrode arrière.
Diffusion thermique d’aluminium Al à 850°C à partir d’une pâte d’aluminium déposée sur toute la
6 face arrière
• Les contacts électriques sont des métaux déposés en face avant (électrode -) et en face
arrière (électrode +)
7 Sérigraphie d’argent en face avant et d’aluminium en face arrière par frittage de pâtes métalliques

• Les cellules sont mesurées électriquement puis triées selon leur caractéristique afin d’optimiser
leur association ultérieure
8
Figure 74 :Schéma d’une cellule en silicium de type PERL (Passivated Emitter Rare Locally
diffused) avec 25% de rendement
Vidéo N° 1 : Fabrication des wafers de silicium polycristallin
Vidéo N° 2 : Fabrication des wafers de silicium monocristallin

 Assemblage des modules photovoltaïques
 Un module photovoltaïque est, par définition, le plus petit ensemble de cellules solaires photovoltaïques
interconnectées complètement protégé contre l'environnement ('humidité, la pluie, la neige, la poussière, la
corrosion ou les chocs mécaniques).
 Le procédé de fabrication des modules photovoltaïques s'appelle l'encapsulation.
Figure 75 : Modules photovoltaïques
Dans la fabrication d'un module photovoltaïque :

• Encapsulation
• Lamination des modules photovoltaïques
• Polymérisation des modules photovoltaïques
 Encapsulation
l'encapsulation a pour but de regrouper les cellules en série ou en parallèle avec diodes de protection afin de
permettre leur utilisation à des tensions et des courants pratiques tout en assurant leur isolation électrique et leur
protection contre les facteurs extérieurs.
Cette protection doit permettre une durée de vie des modules photovoltaïques supérieure à 20 ans.
En pratique, l'encapsulation consiste à la mise en sandwich de l'ensemble constitué par les cellules et le matériau
encapsulant (EVA) entre deux plaques de verre (procédé bi-verre) ou entre une plaque de verre et un ensemble
constitué de couches minces de polymère (tedlar, mylar) et d'aluminium (procédé mono-verre).
Figure 76 : Encapsulation des cellules photovoltaïques

Le verre : Il s'agit d'un verre trempé de 4 mm d'épaisseur. On qualifie ce verre de
"verre solaire". Cela signifie que le verre a une faible teneur en fer. Ceci permet une
meilleure transmission optique. En générale, la transmission optique du verre d'un
module photovoltaïque est de l'ordre de 95 % dans la gamme utile du spectre solaire.
La face extérieure du verre, traité à l'acide fluosilicique (H2SiF6), est recouverte de
nano pores qui piègent la lumière incidente et réduisent la réflexion en surface.
L'EVA : est une résine transparente enrobant les cellules photovoltaïques. Chimiquement, l'EVA est formé de chaînes
de copolymère d'éthylène et de vinyle d'acétate.
L'EVA est utilisée car ce produit présente de grande propriétés adhésive, diélectrique, thermique et d'étanchéité (il
dispose d'un très faible taux d'absorption d'eau). Bien entendu, l'EVA présente aussi une excellente transmission
optique (supérieure à 90% selon le type d'EVA) dans la gamme utile du spectre solaire.
Figure 77 : EVA : copolymère d'éthylène et de vinyle d'acétate

Le mylar : utilisé pour isoler électriquement les connexions de sortie de la face arrière
des cellules, est un film polymère transparent.
Chimiquement, il s'agit un composé de polyéthylène de téréphtalique, de constante
diélectrique très élevée lui permettant d'être un très bon isolant électrique.
Le Tedlar : est un polymère, son rôle majeur, dans un module photovoltaïque, est la
protection de surface. En effet, le TEDLAR résistent particulièrement bien aux
agressions extérieures (UV, variations de température, atmosphères corrosives, ...), à
l’abrasion ainsi qu’aux produits chimiques.
Cadre en aluminium : se justifie par la haute résistance de celui-ci à l'humidité ainsi

qu'aux chocs mécaniques.
IL peut être anodisé. L'anodisation est un traitement de surface qui permet de protéger
ou de décorer une pièce en aluminium par oxydation anodique (couche électriquement
isolante de 5 à 50 micromètres). Elle octroie aux matériaux une meilleure résistance à
l'usure, à la corrosion et à la chaleur.

 Lamination des modules photovoltaïques
Le processus de lamination consiste à chauffer les modules et en même temps à les plaquer pour qu’ils deviennent
très fins et sous vide.
La lamination se déroule dans un laminateur comme celui-ci :
Figure 78 : Dessin descriptif d'un laminateur des cellules PV Figure 79 : Laminateur des cellules PV
Le cycle de lamination débute par l'introduction de l'ensemble constitué de cellules et des matériaux encapsulant
(verre, EVA, cellules, Mylar, Tedlar), dans la chambre inférieure du laminateur où la température est maintenue
constante à 100 °C. La chambre supérieure, est à ce moment sous une pression de 0,1mmHG, soit quasiment sous
vide.
La lamination se fait en deux temps :
Dans une première phase, on procède au pompage de l'air se trouvant à l'intérieur de la chambre inférieure
contenant le laminât, et ce durant 5 minutes. Le niveau du vide atteint est alors de 0,1mmHg, il sera maintenu
durant les opérations de lamination et de polymérisation.
Dans une deuxième phase, alors que la chambre supérieure maintenue sous vide à 0,1 mmHg durant ces 5
première minutes, elle sera mise sous pression atmosphérique en 1 minute de temps.
Cette étape est désignée sous le vocable "Press time". A ce stade, l'action conjuguée de la pression exercée par la
chambre supérieur et l'effet de l'aspiration conduit à chasser l'air résiduel se trouvant dans le laminât. Ceci marque
la fin du cycle de lamination.
 Polymérisation des modules photovoltaïques
La polymérisation s'effectue à 156 °C pendant 15 minutes : Il s'agit d'une réaction de polymérisation de l'EVA. A
l'issue de cette réaction chimique, tous les matériaux encapsulants se lient fortement et ce d'une manière
irréversible, conduisant à l'obtention d'un ensemble compact.
Après refroidissement, à 100 °C, la chambre inférieure est mise sous pression atmosphérique alors que celle du haut
revient à 0,1 mmHg.

La procédure de lamination et de polymérisation est résumé sur la figure suivante :
Figure 80 : Procédure de lamination et de polymérisation
A la sortie du lamineur, les modules photovoltaïques sont prêts à produire de l’électricité mais non propres à la vente
: quand l’EVA et le Tedlar sont laminés, il y a de la matière en trop et donc il faut couper l’excédent. Pour cela,
l'excédent est simplement couper manuellement.
Ensuite, les boîtes de connexion sont collées sur la partie arrière du module photovoltaïque.
A l'issue de cette étape,

les modules sont stockés
et prêts à la vente

 Test des modules photovoltaïques (flash test)
Les modules PV sont soumis à un test sous la lumière artificielle calibré afin de mesurer leurs caractéristiques
électriques réelles.
Figure 81 : Tests structurels et électriques des modules PV

Vidéos : Fabrication des modules photovoltaïques

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 Cellule photovoltaïque en silicium poly-cristallin

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Les étapes de fabrication des cellules PV sont :

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 Elaboration du silicium métallurgique

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D’autres procédés de production du silicium métallurgique ont été développés. Il existe

 Du silicium métallurgique au silicium solaire

Figure 64 : Procédé Siemens

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Figure 65 : Procédé Elkem

II.2. Fabrication des plaques, cellules et modules photovoltaïques

Trois grandes voies de cristallisation sont

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Figure 66 : Tirage des lingots

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Figure 67 : Mise en forme des lingots de silicium multicristallin

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Figure 68 : Fabrication des Wafers

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Figure 69 : Etirage d’un ruban de silicium

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La filière photovoltaïque utilise majoritairement ce dopage.

Figure 70 : Dopage par diffusion

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Figure 71 : Dopage par croissance épitaxie en phase

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Figure 72 : Dopage par bombardement ionique

La filière photovoltaïque utilise majoritairement le dopage par diffusion

Les wafers, obtenus par sciage des lingots de silicium purifié,

Les électrons en excès de la région dopé N ont tendance à diffuser

Figure 73 : Formation de la jonction PN

• La texturation de la surface en petites pyramides ou entonnoirs permet d’améliorer la

• La zone dopée n est formée par diffusion de phosphore : couche n+ en surface et n à la

3 passage, 800°C < T < 900°C, suivi d’un recuit

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Vidéo N° 2 : Fabrication des wafers de silicium monocristallin

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 Le procédé de fabrication des modules photovoltaïques s'appelle l'encapsulation.

Figure 75 : Modules photovoltaïques

Dans la fabrication d'un module photovoltaïque :

Figure 76 : Encapsulation des cellules photovoltaïques

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Figure 77 : EVA : copolymère d'éthylène et de vinyle d'acétate

Cadre en aluminium : se justifie par la haute résistance de celui-ci à l'humidité ainsi

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 Polymérisation des modules photovoltaïques

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Figure 80 : Procédure de lamination et de polymérisation

A l'issue de cette étape,

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Figure 81 : Tests structurels et électriques des modules PV

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