RAZOUK COURS MASTER ENG-PHOTOV-Chap3

Chapitre 3
STRUCTURE ELECTRONIQUE
DE LA MATIERE ET SEMI-
CONDUCTEURS
Pr A. RAZOUK - MASTER (IEREE) - SEMI-CONDUCTEURS ET TECHNOLOGIE DES CELLULES 52

A. INTRODUCTION À LA STRUCTURE ÉLECTRONIQUE
DE LA MATIÈRE
I. Quelques généralités
La matière est constituée par l’assemblage, par des liaisons plus ou moins fortes, de particules
élémentaires. Du point de vue de la chimie, l’atome est le plus petit composant de la matière
(du grec ATOMOS, qui ne peut se diviser). C’est l’élément de base qui peut se combiner avec
d’autres pour former la matière.
ATOME  MOLECULE  MATIERE (gaz, solide, liquide, matière mole)

Figure 22 : Structure atomique
I.1. L’atome et ses constituants
Un atome est globalement neutre électriquement : un noyau
contenant Z protons (charge +Ze) est entouré de Z électrons (charge
–Ze).
la matière (constituée d’un assemblage d’atomes) est essentiellement
constituée par du "vide", dans lequel évoluent les électrons. C’est une
structure dite lacunaire (expérience de Rutherford (1908), Figure
23).
Figure 23 : Expérience de Rutherford (1908)).

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I.2. Masse atomique
La masse d’un atome est très petite. L’atome le plus lourd connu a une masse inférieure à 10–21 gramme. La masse
atomique est la masse réelle des atomes
Masse atomique relative

Une unité spéciale a été définie, grâce à laquelle les masses des atomes peuvent être exprimées simplement : c’est
l’unité de masse atomique, u.m.a. Cette unité représente le douzième de la masse de l’atome du nucléide 𝐶 qui
sert de référence.
12
masse de C
1 u.m.a  6
12
Quelle relation existe-t-il entre les u.m.a. et les grammes ?
Une mole de 𝐶 a une masse de 12 x 10–3 kg, soit 12 g qui contiennent NA = 6,023 x 1023 atomes de carbone.
12 1 1
. 
1 u.ma   g
NA 12 NA

I.3. Masse atomique des éléments
Les éléments existant dans la plupart des cas sous la forme de plusieurs isotopes, une mole d’atomes d’un élément
est en général composée d’atomes de masses différentes. La masse d’une mole de ces atomes est la masse
moyenne tenant compte des abondances naturelles relatives des différents nucléides isotopes.
I.4. Perte de masse

La masse d’un atome est inférieure à la somme des masses des particules qui le constituent. Ce "défaut de masse"
correspond à l’énergie de cohésion du noyau de l’atome. C’est aussi l’énergie qui a été consommée pour constituer
le noyau à partir des particules séparées. A cette énergie correspond un perte de masse Δm, selon la relation
d’Einstein :
E   m .c 2
c = vitesse de la lumière = 3 x 108 m s–1

II. Le modèle quantique de l’atome
Dans un atome, pour un électron, il est impossible de connaître simultanément position et vitesse (Heisenberg) 
tout ce qu’on peut savoir sur l’état de mouvement de l’électron se ramène à la connaissance d’une fonction
mathématique (x,y,z) où x, y et z sont les coordonnées cartésiennes de l’électron dans un repère lié au noyau (la
mécanique ondulatoire ou quantique.).
 est appelée fonction d’onde, ou orbitale atomique dans le langage courant.
Quelle est sa signification physique ?
ψ (x,y,z) est une fonction qui n’a pas de signification physique, sa seule signification est mathématique.
Par contre |ψ|2, son carré en un point de l’espace, détermine la

probabilité de trouver l’électron décrit par ψ(x, y, z) dans le volume
défini par x + dx, y + dy, z + dz.
Dans un volume dV on aura : dP = |ψ|2dxdydz = |ψ|2dV, dP étant

la probabilité de présence de l’électron dans le volume dV, autour
du point de coordonnées x, y, z. De façon simpliste, on parlera
de densité électronique", ou de "nuage électronique".
Figure 24 : Résultat du traitement mathématique de cette fonction d’onde
56
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Dans ce modèle :
 L’énergie des états stationnaires ne peut prendre que certaines valeurs discrètes. Les fonctions d’ondes
associées à la situation d’un électron sont donc quantifiés. On obtient mathématiquement des solutions que
par introduction de 3 paramètres (analogues aux cstes d’intégration), qui sont 3 nombres entiers nommés n, l,
m et appelés nombres quantiques.
 Les nombres quantiques sont définis de la façon suivante :
• n, nombre quantique principal (défini la taille et l’énergie de l’orbitale), est un entier strictement positif :
n=1,2, 3, …
• l, nombre quantique secondaire ou azimuthal (qui défini ou mesure des angles et caractérise la géométrie
de l’orbitale), est un entier positif qui ne peut prendre que des valeurs strictement inférieures à n : 0 ≤ l ≤
n–1.
• m, nombre quantique magnétique, peut prendre que toutes les valeurs entières comprises entre –l et +l :
–l≤m≤ +l, pour une valeur de l donnée, il y a donc (2l +1) valeurs de m possibles. m traduit l’orientation de
ces orbitales.
 Pour chaque jeu de paramètres n, m, l, on a une solution à l’équation de Schrödinger, donc une fonction
d’onde (une orbitale) n,l,m et une valeur propre de l’énergie 𝐸 .

Remarque :
Plutôt que de désigner une orbitale par la triplet (n, l, m),
l’usage veut qu’on utilise les notations s, p, d, f, g, h, ….,
précédées du nombre quantique principal n. Ces lettres
correspondent donc aux différentes valeurs de l. Le tableau
à côte présente les premières fonctions d’onde :
Figure 25 : Orbitales atomiques

 L'énergie d’un l’électron présenté, selon son état de mouvement, par des niveaux sur un diagramme.
Figure 26 : Diagramme énergétique des électrons
 L’électron, particule élémentaire chargée, possède un moment magnétique, d’où un quatrième nombre quantique,
dit nombre quantique de spin : s = +½ ou –½ (conséquence de la rotation de l’électron sur lui-même)

III. Classification périodique des éléments
III.1. Règles de saturation, de stabilité et de remplissage
III.1.1. Règle de saturation – Principe d’exclusion de Pauli

Dans un atome, deux électrons différent par au moins un des quatre nombres quantiques ; il en découle que :
 si deux électrons on le même nombre de spin, les autre nombres quantiques qui les caractérisent (n, l, m) sont
différents et donc ils occupent des OA (appelées aussi cases quantiques) différentes ;
 dans une même OA (même case quantique, n, l, m identiques), les électrons doivent avoir des nombres
quantiques de spin s différents. Comme s ne peut prendre que deux valeurs, +1/2 et –1/2, il y aura au plus 2
électrons décrits par la même OA, c'est-à-dire qu’une case quantique contiendra au maximum 2 électrons, qui
seront de spin opposé.

Représentation en cases quantiques
Tableau récapitulatif

III.1.2. Règles de stabilité
a) Règle de Hund
 Lorsque plusieurs électrons occupent des OA d’une même sous-couche (OA dégénérées de même énergie), la
configuration la plus stable est obtenue lorsque dans la sous-couche le nombre d’électrons de même spin est
maximal.
Exemple : prenons le cas de 4 électrons décrits par les 3 OA 2p (sous-couche 2p).
b) Règles de remplissage
L’ordre d’occupation des OA est déduit du calcul. Cependant, il existe deux règles simples permettant de retrouver
l’ordre d’occupation qui conduit à la configuration électronique de l’état fondamental d’un atome.
 La règle du (n + l) croissant : les sous-couches se remplissent par valeurs croissantes de (n + l) ; pour deux
valeurs égales c’est l’OA correspondant à la plus petite valeur de n qui se remplit en premier.

 La règle de Klechkowsky, qui peut être représentée sous la forme d’un tableau, comme par exemple :
III.1.3. Electrons de cœur et électrons de valence

La distinction entre électrons de cœur et électrons de valence est fondamentale, car les électrons de valence sont
ceux qui déterminent les propriétés chimiques des éléments et qui vont en particulier participer à la formation de
liaisons entre atomes.
Dans la plupart des cas, les électrons de valence sont ceux qui occupent les OA d’énergies les plus élevées, c'est-à-
dire les OA qui possèdent le nombre quantique principal n le plus élevé dans la configuration fondamentale de l’atome.
La difficulté concerne les éléments pour lesquels les OA (n–1)d ne sont pas totalement occupées (éléments dits de
transition).

IV. La théorie des bandes
F. Bloch (1928) introduit un modèle plus réaliste. Il étudié les propriétés générales d’électrons
indépendants dans le potentiel triplement périodique produit par tout réseau d’ions positifs. Il fond ainsi
la théorie des bandes. Depuis les années 30, la théorie des bandes s’est progressivement
perfectionnée. Les contradictions de la physique classique ont été éliminées et les propriétés des
métaux, des semi-conducteurs et des isolants de mieux en mieux comprises.
Félix Bloch (1928)

Dans un cristal infini, tout se passe comme si les électrons étaient indépendants et évoluaient dans un potentiel
périodique V(r) . Les fonctions d’onde stationnaires d’un électron peuvent être choisies sous la forme :
 

nk (r )  e unk (r )

ik .r

Avec :

 unk (r) sont fonctions propres de l’opérateur H k associées aux énergies Enk de l’équation de Schrödinger :
 
H  (r )  Enk nk (r )
   
 k nk
 k sont des vecteurs réels.


Les fonctions En  k  sont continuées. Leurs courbes représentatives ont l’allure présentée sur la figure 27.


Figure 27 : Allure possible de la branche En k pour une direction
particulière dans l’espace réciproque
La bande de conduction est au-dessus, séparée de la bande de valence par une bande interdite.

A T = 0 K, on distingue donc trois cas selon le remplissage des bandes et la valeur du gap :
La bande de conduction est La bande de conduction est vide La bande de conduction est vide
partiellement remplie. Le solide et le gap est grand (de l’ordre de mais le gap est plus faible (de
contient donc des électrons 10 eV par exemple). Le solide ne l’ordre de 1 eV). Le solide est donc
susceptibles de participer aux isolant à température nulle, mais
contient alors aucun électron
phénomènes de conduction, il une élévation de température
capable de participer à la permet de faire passer des
est conducteur.
conduction. Le solide est isolant. électrons de la bande de valence à
la bande de conduction. La
conductivité augmente avec la
température : c’est la
caractéristique d’un semi-
66
conducteur.
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Occupation des états électroniques : Statistique de FERMI
L’état fondamental est l’état du système au zéro absolu. Qu’advient-il si la température augmente
La réponse à cette question est donnée par la fonction de distribution de Fermi-Dirac.

Enrico FERMI
1
f (En ,T )  ( En   )
e kBT
1
Paul DIRAC
Cette distribution donne la probabilité qu’un niveau d’énergie En soit occupé, dans le cas d’un gaz électronique idéal
en équilibre thermique.
kB : la constante de Boltzmann
 = EF : appelée potentiel chimique est une fonction de la température.
A T = 0K A T  0K

B. LES SEMI-CONDUCTEURS
I. Introduction
Ce sont des corps qui présentent une résistivité intermédiaire entre celle des conducteurs et celle des isolants à une
température ambiante (voir tableau ci-dessous).
Conducteurs Semi-Conducteur Isolants

Cuivre : 1,7.10-8 Silicium : 2400 Diamant : 1012
Argent : 1,6.10-8 Germanium : 0,5 Mica 1010 à 1015
Aluminium :2,8.10-8 ---- -----
Généralement, il n’y a une différence qualitative entre un isolant et un semi-conducteur : ces matériaux ont une bande
de valence complète et une bande de conduction vide, et ce qui les différencie, c’est la largeur de la bande interdite
Eg.
Lorsque la bande interdite est de l’ordre de 1eV, on observe une certaine conductivité électrique à température
ambiante. Cette énergie, quoique beaucoup plus grande que l’énergie thermique moyenne (kBT  0,0258 eV à
température ambiante kBT  Eg), est suffisamment basse pour permettre, statistiquement, à certains électrons de
passer dans la bande de conduction.

Les propriétés caractéristiques des semi-conducteurs sont habituellement dues à :
 l’agitation thermique ;
 aux impuretés ;
 aux différents défauts du réseau ;
Les corps simples semi-conducteurs

sont obtenus dans le groupe IV de la
classification périodique des éléments.
Ce sont le Germanium et le silicium.

Le ‘gap’ diminue quand on descend dans le tableau périodique
le recouvrement des O.A. augmente 2p - 3p - 4p ...
S1 < S2 Eg1 > Eg2 X Eg (eV)

C 5,47
Bc Bc
Si 1,12
Ge 0,66
Eg1 Eg2
Bv Sn 0
Bv

Semi-conducteurs binaires
MS Eg (eV) MX Eg (eV)
ZnS 3,54 GaP 2,25
ZnSe 2,58 GaAs 1,43
ZnTe 2,26 GaSb 0,68

II. Semi-conducteur (SC) intrinsèque (pur)
L'atome de silicium par exemple ayant quatre électrons de valence, il établit quatre liaisons covalentes avec quatre
atomes voisins. Il est appelé semi-conducteur intrinsèque.
A T = 0 K, seuls les niveaux d'énergie inférieure à une certaine valeur EF, appelée niveau de Fermi intrinsèque,
occupés pour un semi-conducteur intrinsèque. Si le niveau de Fermi, EF, est situé dans la bande interdite, tous les
niveaux de la bande de valence sont occupés par des électrons, tandis que tous ceux de la bande de conduction sont
vides. Le semi-conducteur est alors isolant.
Figure 28 : Semi-conducteur intrinsèque

àT=0K
Pour 𝑻 > 𝟎 K, certains niveaux au-dessus du niveau de Fermi peuvent être occupés. L’énergie nécessaire pour que
les électrons y accèdent est fournie par l'agitation thermique. L'ordre de grandeur de l'énergie d'agitation thermique,
liée à la température T, en K, est 𝒌B𝑻.
avec 𝒌B , la constante de Boltzmann, qui vaut : kB=8,6.10-5 eV.K-1 ou kB=1, 380 62.10-23J.K-1
Figure 29 : Semi-conducteur
intrinsèque à T  0 K
Lorsqu'un électron passe de la bande de valence à la bande de conduction, il laisse un trou dans la bande de valence.
On dit qu’il y a génération thermique d’une paire électron-trou.
III. Mécanisme général de la conduction dans les semi-

conducteurs
Dans les conducteurs électriques, le courant électrique produit par le déplacement des électrons et la conductivité
électrique  liée avec la mobilité électrique  par la relation :
  ne q  (ne la densité volumique des e-)

Dans le cas des semi-conducteurs où la conduction se faite par des charges positives (trous) et négative (électrons),
on a :
   n   p  nq n  n  pq p  p
(n la densité volumique des e-, p la densité volumique des trous, n la
mobilité des e- et p la mobilité des trous).
Pour un semi-conducteur intrinsèque (pur) : n = p = ni et qn  q p  q avec ni est la concentration intrinsèque du semi-

conducteur.
D’où   ni q  n   p 
La loi d’action de masse : ni2  n. p

 Eg 
ni dépend de la température et l’énergie de la bande interdite (gap) : ni  AT 3/ 2
exp    A=cte
 2 k B T 
IV. Semi-conducteur extrinsèque
Nous avons admis jusqu’ici que le SC étudiés parfaitement purs. Or, la pureté rigoureuse est irréalisable. Nous allons
alors voir que la présence d’impureté (atomes étranges) dans le réseau modifie considérablement la conductivité
électrique.
IV.1. Semi-conducteur extrinsèque type N

Si l’on introduit, dans un réseau de silicium, une impureté pentavalente ( 5 électrons, exemple : P, As, Sb), les atomes
d’impuretés établiront des liaisons covalentes avec les atomes de Si voisins, mais le cinquième électrons non engagé
dans une liaison covalent sera facilement expulsé (énergie de l’ordre de 0,01 eV), on parle de dopage de type N.
Chaque atome d’impureté peut libérer un électron par simple agitation thermique, d’où un accroissement important de
la concentration en porteur négatifs par rapport au SC intrinsèque.
L'atome d’impureté étant donneur d'électron et les

électrons de valence des atomes donneurs seront
placés sur un niveau d’énergie ED au-dessous de la
bande de conduction.
Figure 30 : Dopage d’un semi-conducteur par un

atome donneur (dopage dePr A. RAZOUK ‐
type N) MASTER (IEREE) ‐ SEMI‐CONDUCTEURS ET TECHNOLOGIE DES CELLULES ‐ A.U 2018‐2019 75
A T = 300 K, toutes les impuretés sont pratiquement ionisées ND=ND+, où ND nombre d’atomes donneurs et ND+
nombre d’atomes ionisés.
Le nombre de charge libre est : n = ni + ND et p = ni.
Dans un semi-conducteur type N, les électrons sont majoritaires et les trous sont minoritaires (n >> p).
Comme ni2  n. p   ni  ND  p (on néglige ni devant ND)
n i2
 p   0 car ND>>ni.2
ND
  N D qn
Il faut noter que non seulement le nombre des électrons a augmenté, mais le nombre de trou a diminué. En effet, le
grand nombre des électrons libérés par les donneurs augmente le taux de recombinaison des électrons avec les
trous.
Après avoir fourni son cinquième électron périphérique les atomes donneurs, deviennent des ions positifs et restent
fixes dans le réseau cristallin.
IV.2. Semi-conducteur extrinsèque type P
Si l’on introduit, dans un réseau de silicium, une impureté trivalent ( 3 électrons, exemple : B, Al, Ga, In), les atomes
d’impuretés ne peuvent établir que trois liaisons covalentes avec les atomes de Si voisins. On dit qu’ils fournissent un
trou. Une très faible énergie sera nécessaire (de l’ordre de 0,01 eV) pour qu’un électron d’une liaison voisine combler
ce trou, avec apparition d’un nouveau trou, etc. on parle de dopage de type P.
Chaque atome d’impureté peut libérer un trou, d’où un accroissement important de la concentration en porteur positifs
par rapport au SC intrinsèque.
Les éléments d’impuretés génèrent des niveaux

d'énergies EA dans la bande interdite. Ces niveaux
sont au-dessus des bandes de valence.
Figure 31 : Dopage d’un semi-conducteur par un

atome accepteur (dopage de type P)

Le nombre de charge libre est : p = ni + NA et n = ni, avec NA nombre d’atomes accepteurs.
Dans un semi-conducteur type P, les trous sont majoritaires et les e- sont minoritaires (p >> n).
Comme ni2  n. p  n ni  NA  (on néglige ni devant NA)
n i2
 n   0 car NA>>ni.2
NA
  N A q p
V. Phénomène de transport dans un semi-conducteur

Distribution des électrons dans les niveaux d'énergie 3
d’un semi-conducteur à l’équilibre
La densité d’état en énergie est : D ( E )  V 2  2 m 2
2 
E (modèle du gaz d’électrons libres)
2   
Ou bien la densité d’état d’énergie par cm3 dans la bande de conduction s’écrit :
3
1  2mn  2
 E  EC 
1/2
D '( E )  mn est la masse effective de l’électron
2 2   2 
3
1  2m p  2
 
1/ 2
Et dans la bande de valence : D '( E )    E  E mp est la masse effective du trou
2   
2 2 v
La densité d’e- par unité de volume dans les niveaux de la bande de conduction s’écrit :
3
 1/ 2 
 1  2 mn  2 
  E  E  dE
n D '( E ) f ( E ,T ) dE  
C
Ec 2 2   2  Ec  ( E n  E F ) 
e kBT
1 
Cette formule s’applique à tous les cas de semi-conducteur, que le semi-conducteur soit intrinsèque ou non.
Si EC> EF ou EC- EF>> kBT le semi-conducteur est non dégénéré. Ces conditions sont valables pour tous
( E  EF )

les cas  f ( E ,T )  e kBT
3
( E F  EC ) ( E  EC )
1  2 mn  2  
 E  E 
1/ 2
n 2  2 
e kBT
e kBT
dE
2    Ec C
NC est appelée la densité

( EF EC ) 3/2
 2mn  effective d’état dans la bande
Alors : n  NCe kBT
avec NC  2 2 kBT  de conduction, à T , n 
 h  NC , avec mn masse apparente
de l’électron.
Par la même procédure, on montre que :
3/2 ( E F  Ev )
 2 m p  
p  2 2
k B T  e kBT
 h 
( EF  EV ) 3/2 NV est appelée la densité

  2 mp  effective d’état dans la
p  NV e kBT
avec NV  2  2 kBT  bande de valence et mp
 h  masse apparente du trou.
On déduit la concentration intrinsèque est définit par :
 EV  E C 
Alors : ni  N C . N V exp  
 2 k BT 

 Pour un semi-conducteur intrinsèque, le nombre d'électrons libres par unité de volume dans la bande de
conduction est égal au nombre de trous par unité de volume dans la bande de valence n = p :
  EF  EC   EV  EF 
NC exp   NV exp 
 B 
k T  B 
k T
NC  EV  2 E F  EC   NC 
 exp    EV  EC  2 E F  k B T ln  
NV  k B T   V 
N
EV  EC k B T  N C 
D’où : E F ,i   ln  
2 2  NV 
EV  E C
Cas particulier : AT= 0 K  EF 
2

 Pour un semi-conducteur extrinsèque :
Type N Type P
( EF  EC ) ( EF  Ev )

n  NC e kBT
 ND p  NV e k BT
 NA
Les électrons sont majoritaires : Les trous sont majoritaires :
ND NV
 E F  EC  k B T ln( )  E F  EV  k B T ln( )
NC NA
ND NV
E F ,e  EC  k B T ln( ) E F ,e  EV  k B T ln( )
NC NA

Comparaison entre EF,i et EF,e :
Type N :
( EF ,e  EC ) ( EF ,e  EV ) ( EF ,e  EV  EF ,e  EC )
 NC 
on a : n >> p  NC e kBT
 NV e kBT
  e kBT
NV
 NC  ( E F , e  EV  E F , e  EC )  NC 
 ln      2 E F ,e  ( EV  EC )  k B T ln  
 V 
N k BT  V 
N
( EV  EC ) k B T  N C 
 E F ,e   ln  
2 2  NV 
alors : EF ,e  EF ,i
Type P :
On montre de la même façon que : EF ,e  EF ,i
VI. Jonction PN
On dispose de deux barreaux semi-conducteurs. Le premier de type N est juxtaposé au seconde de type P. C’est la
frontière des deux matériaux que l’on met en place une jonction PN
Figure 32 : Mise en place de la jonction
Dans chaque région, on récence différents porteurs:

• La région N contient des ions positifs (cations) fixes et des électrons mobiles qui constituent l’essentiel des
porteurs. On dit alors qu’ils sont majoritaire.
• La région P contient des ions négatifs (anions) fixes et des trous mobile (Figure 32).
La quantité de charge reste globalement la même : chaque région est électriquement neutre.

VI.1. Jonction PN non polarisée (en circuit ouvert)
La figures 33 permet de mieux comprendre l'effet du

rapprochement des deux semi-conducteurs sur le bilan
électronique de la jonction : à proximité de la jonction les
électrons de conduction excédentaires coté N passent coté P
pour se recombiner avec des trous.
Figure 33 : Formation d’une jonction PN de deux semi-conducteurs
Une charge d'espace statique négative se crée coté P et une charge d'espace statique positive se crée coté N. Le lieu
ou réside cette charge d'espace est appelé zone de charge d'espace (ZCE) ou zone de déplétion.
Figure 33 : Etapes de formation d’une jonction PN des semi-conducteurs

Après la mise en contact des deux semi-conducteurs de dopage différent :
 Un champ électrique interne 𝐸 apparait dans la zone ZCE dit champ électrique interne dirigé de N vers P
 Une barrière de potentiel (d.d.p = VN - VP) pour les trous et les électrons est constituée dans la zone ZCE et décroît dans le sens
du champ électrique.
 Le 𝐸 arrête la diffusion d’une partie des porteurs majoritaires. En

effet, des qu’ils pénètrent dans la zone de transition, les trous de la
région P (charge +e) sont soumis à une force 𝐹⃗ 𝑒𝐸 qui tend à les
renvoyer dans la région P. 𝐸
V
 De même, les électrons en provenance de la région N (charge –e)
sont soumis à une force 𝐹⃗ 𝑒𝐸 , qui tend à les renvoyer dans la
région N.
 Seuls quelques porteurs dotés d’une énergie cinétique suffisante
pourront franchir la barrière de potentiel, leur déplacement est appelé
courant de diffusion Id.
Figure 34 : Barrière de potentiel Vb = Vn - Vp

 Le 𝐸 accélère les porteurs minoritaires. Un trou de la région N qui pénètre dans la zone de transition est soumis à une force
𝐹⃗ 𝑒𝐸 qui tend à le faire dans la région P.
 De même, un électron de la région P est soumis à une force 𝐹⃗ 𝑒𝐸 , qui tend à le faire passer dans la région N.
 Le déplacement de ces porteurs minoritaire est appelé courant de saturation Is.

VI.1. Jonction PN polarisée
VI.1.1. Polarisation directe
Une jonction PN est dite en polarisation directe si par l’intermédiaire d’un générateur extérieur, on porte l’extrémité de
la région P à un potentiel supérieur à celui de l’extrémité de la région N.
 Appliquons une telle différence de potentiel aux borne de la jonction revient à superposer au champ électrique
interne 𝐸 , un champ 𝐸 dirigé suivant le potentiel décroissante, donc en sens inverse de 𝐸 .
 Le champ électrique résultant 𝐸 est donc plus faible en module que 𝐸 .
La barrière de potentiel est abaissée

V
P N
-V
Figure 35 : Abaissement de la barrière
de potentiel Vb = Vn - Vp
Vb
ZEC
 Le nombre de porteurs majoritaires qui peuvent franchir la barrière de potentiel est considérablement augmente.
 Le courant de diffusion devient prépondérant. Ce courant de diffusion est appelé courant direct Id.
 Le champ électrique externe 𝐸 crée par le générateur s’oppose au champ interne 𝐸 . Dès que le champ 𝐸
dépasse le champ 𝐸 , un courant des majoritaires s’établit à travers la jonction PN.
 Il existe pour une jonction PN une tension de seuil qui est caractéristique du matériau.
Si : Vs = 0,55 V
Ge Vs = 0,15 V
VI.1.1. Polarisation inverse
Une jonction PN est dite en polarisation inverse si par l’intermédiaire d’un générateur extérieur, on porte l’extrémité de
la région N à un potentiel supérieur à celui de l’extrémité de la région P.
 Le champ électrique externe 𝐸 crée par le générateur est de même sens que le champ interne 𝐸 .
 Le champ électrique résultant 𝐸 a son module plus élevé que celui de 𝐸 .
La barrière de potentiel est surélevé

V
P N
+V
Figure 36 : Surélevèrent de la barrière de

potentiel Vb = Vn - Vp
Vb
ZEC
 Le nombre de porteurs majoritaires qui peuvent franchir la barrière de potentiel est diminué.
 Le courant de saturation devient prépondérant. Ce courant est appelé courant inverse Ii ou courant de fuite.
Courant dû à une circulation de porteurs minoritaires, il grade toujours une valeur très faible.
 A température ambiante, ce courant est très faible ( 100 nA). Comme il dépend du nombre des minoritaire; il est
fonction de la température : pour le silicium, il est négligeable en dessous de 110 °C, mais il devient si important
au-dessus de 175 °C qu’il interdit le fonctionnement de la jonction en diode. Pour le Germanium le fonctionnement
est impossible au-dessus de 85°C.

VI.1.3. Caractéristique courant-tension (I-V)
Le courant direct est fonction
Le courant de diffusion Id dépend beaucoup de la hauteur rapidement croissante de la tension
de la barrière de potentiel. lorsque celle-ci est positive,
Le courant inverse Ii garde une

Le courant de saturation Is ne dépend pratiquement pas intensité très faible est
de la hauteur de la barrière de potentiel, pratiquement constante, lorsque la
tension est négative.
On démontre que l’équation de la caractéristique I= f(V) est de la forme :
  qV  
I  I s .  exp    1
  K BT  
Avec :
q = e : charge de l’électron (1,6.10-19C)
T : température absolue
KB : constante de Botzman (1,38.10-23J/K)
En polarisation direct (V positif), le terme constant est très vite négligeable, et le
courant direct Id peut se mettre sous la forme :
 qV 
I d  I s .exp  
 B 
K T
Figure 37 : Jonction PN en
polarisation directe
En polarisation inverse (V négatif), le terme constant est très vite

prépondérant, et le courant direct Id peut se mettre sous la forme :
Ii = Is Figure 38 : Jonction PN en
polarisation inverse
Remarque :
L’influence de la température est beaucoup plus sensible en polarisation inverse qu’en polarisation directe. Ceci
s’explique aisément par le fait que le courant inverse est essentiellement un courant de minoritaires dont la
concentration est fonction rapidement croissante de la température.
VI.1.4. Claquage d’une jonction PN
Pour des tension inverse

suffisamment élevées, la
caractéristique I-V devient
pratiquement verticale, c’est le
phénomène de claquage. Ce claquage est le résultat
de deux effets successifs :
l’effet Zener, puis l’effet
d’avalanche.
Figure 39 : Jonction PN
avec tension inverse élevée

Le phénomène d’avalanche :
On a vu que le champ électrique résultant 𝐸 croît avec la tension inverse appliquée. Au-delà d’une certaine
valeur, ce champ provoque la rupture des liaisons covalentes. Il y a alors augmentation importante en porteurs
libre minoritaires, donc accroissement important du courant inverse Ii . Cet effet statique par le champ électrique,
appelé effet Zener. Les porteurs minoritaires crées entre en choc avec les atomes de réseau en créant d’autre
porteurs, etc …
Le claquage n’est pas toujours destructeur, il est même exploité dans les diodes Zener
Les seuil de tension, pour lequel se produit le claquage, dépend essentiellement de dopage en impuretés du
semi-conducteur.
Plus le semi-conducteur est dopé, plus faible est le seuil de claquage de la jonction PN.

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Chapitre 3

Pr A. RAZOUK - MASTER (IEREE) - SEMI-CONDUCTEURS ET TECHNOLOGIE DES CELLULES 52

ATOME  MOLECULE  MATIERE (gaz, solide, liquide, matière mole)

Figure 23 : Expérience de Rutherford (1908)).

Masse atomique relative

Pr A. RAZOUK ‐ MASTER (IEREE) ‐ SEMI‐CONDUCTEURS ET TECHNOLOGIE DES CELLULES ‐ A.U 2018‐2019 54

I.4. Perte de masse

c = vitesse de la lumière = 3 x 108 m s–1

Pr A. RAZOUK ‐ MASTER (IEREE) ‐ SEMI‐CONDUCTEURS ET TECHNOLOGIE DES CELLULES ‐ A.U 2018‐2019 55

 est appelée fonction d’onde, ou orbitale atomique dans le langage courant.

Quelle est sa signification physique ?

Par contre |ψ|2, son carré en un point de l’espace, détermine la

Dans un volume dV on aura : dP = |ψ|2dxdydz = |ψ|2dV, dP étant

 Les nombres quantiques sont définis de la façon suivante :

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Figure 25 : Orbitales atomiques

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Figure 26 : Diagramme énergétique des électrons

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III.1.1. Règle de saturation – Principe d’exclusion de Pauli

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III.1.3. Electrons de cœur et électrons de valence

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Félix Bloch (1928)

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Pr A. RAZOUK ‐ MASTER (IEREE) ‐ SEMI‐CONDUCTEURS ET TECHNOLOGIE DES CELLULES ‐ A.U 2018‐2019 65

La réponse à cette question est donnée par la fonction de distribution de Fermi-Dirac.

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Conducteurs Semi-Conducteur Isolants

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Les corps simples semi-conducteurs

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S1 < S2 Eg1 > Eg2 X Eg (eV)

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Pr A. RAZOUK ‐ MASTER (IEREE) ‐ SEMI‐CONDUCTEURS ET TECHNOLOGIE DES CELLULES ‐ A.U 2018‐2019 71

Figure 28 : Semi-conducteur intrinsèque

III. Mécanisme général de la conduction dans les semi-

  ne q  (ne la densité volumique des e-)

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Pour un semi-conducteur intrinsèque (pur) : n = p = ni et qn  q p  q avec ni est la concentration intrinsèque du semi-

La loi d’action de masse : ni2  n. p

IV.1. Semi-conducteur extrinsèque type N

L'atome d’impureté étant donneur d'électron et les

Figure 30 : Dopage d’un semi-conducteur par un

Comme ni2  n. p   ni  ND  p (on néglige ni devant ND)

Les éléments d’impuretés génèrent des niveaux

Figure 31 : Dopage d’un semi-conducteur par un

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Comme ni2  n. p  n ni  NA  (on néglige ni devant NA)

V. Phénomène de transport dans un semi-conducteur

NC est appelée la densité

( EF  EV ) 3/2 NV est appelée la densité

On déduit la concentration intrinsèque est définit par :

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Les électrons sont majoritaires : Les trous sont majoritaires :

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Figure 32 : Mise en place de la jonction

Dans chaque région, on récence différents porteurs:

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La figures 33 permet de mieux comprendre l'effet du