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Matériaux photovoltaïques

Chapitre 1 : Introduction
Chapitre 2 : Les technologies photovoltaïques
a- Silicium monocristallin
b- Silicium multi cristallin
Chapitre 3 : Technologie de film mince de silicium amorphe
Chapitre 4 : Technologies sans silicium
a- Tellurure de cadmium
b- Diselériure de cuivre et d’Indium
c- Arséniure de galium
d- Dioxyde de Titane
e- Cellules à concentration
Chapitre 5 : Introduction à la technologie photovoltaïque organique Mode d’évaluation
2.1 Technologies des cellules solaires
On peut distinguer trois grandes familles de cellules solaires :
les cellules au silicium cristallin:

 Cette technologie est basée sur le silicium


 Représente 90% des parts de marché mondial
 rendement allant de 12 à 20 %
 durée de vie de 30 ans environ

les cellules à base de couches minces

 La part de marché pour l'ensemble de ces technologies est d'environ 10 %


 Rendement des modules de 7 à 13 %

les cellules à base de photovoltaïque organique

 Rendements de l'ordre de 3 à 5 %,


 La durée de vie limitée
2.2 Technologies – silicium cristallin
 Le silicium (Si) est actuellement l'élément le plus utilisé pour fabriquer les
cellules photovoltaïques, 90% des cellules sont basées sur Si.

 Le silicium est le deuxième élément le plus abondant sur terre après l’oxygène.
Il représente environ 25 % en masse de la croûte terrestre, ce qui permet de le
considérer comme inépuisable. On le trouve entre autres dans le sable, le
quartz et les feldspaths.

 Le Si est obtenu à partir de la silice, utilisé depuis très longtemps pour la


fabrication du verre sous forme de dioxyde de silicium (SiO2), ses propriétés de
semi-conducteur en font le matériau privilégié pour la fabrication des
composants électroniques. La silice est l’élément le plus répandu dans la croûte
terrestre après l’oxygène. Il représente 25 % de la masse de la croûte terrestre.
Processus de fabrication
Le processus de fabrication standard des cellules photovoltaïques base sur le Si cristallin présente
plusieurs étapes. Les trois premières étapes pressées ci-dessous décrivent le processus de fabrication des
plaques (Wafers) de Si cristallin de grade solaire (Sa pureté est de l’ordre de 99.99999%)
Etape 2:
Etape 1: Raffinage
Cristallisation du
du Silicium
Silicium

Et
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3:
Fa
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de
s
pla
qu
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Si
sol
air
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Etape 1 Raffinage
Réduction carbothermique
Le silicium dit « métallurgique » est obtenu par réduction de la silice par le carbone à haute
température (1700 °C - 3000 °C). La réaction chimique globale s’écrit :

SiO2 + 2C --------> Si + 2 CO

La puissance du four peut aller jusqu’à 30 MW

On fabrique selon ce procédé plusieurs millions de tonnes de silicium par an, dit silicium de
grade métallurgique ou MG-Si. Sa pureté est de l’ordre de 98 à 99 %. Les impuretés les plus
importantes étant l’Aluminium et le Fer.
Etape 1 Raffinage
Purification
Le silicium de qualité électronique exige une beaucoup plus grande
pureté, de l’ordre de 99.9999%. Le deuxième procédé est la purification
chimique ou métallurgique, plusieurs procédés ont été développés par
les différents producteurs mondiaux de silicium. Le silicium de grade
métallurgique MG-Si est attaqué à haute température par HCl pour
donner du trichlorosilane, SiHCl3, qui est gazeux. Le trichlorosilane est
purifié par distillation, puis converti en silane, SiH4, lequel par
dissociation thermique donne un silicium de grande pureté appelé
silicium de grade solaire SoG-Si
Etape 2 Cristallisation
L’étape cristallisation consiste a obtenir a partir du Silicium de grade solaire des
lingots massifs de silicium selon divers procédés qui conduisent à deux différentes
qualités de cristal:
Silicium monocristallin:
Il est constitué de silicium dont les atomes sont structurés de façon ordonnée
pour former le réseau cristallin qui est continu sur la totalité du solide. Il a une
couleur unie gris-noir métallique comme il est représenté par la figure ci-
dessous)

Cellule PV en Si monocristallin
Etape 2 Cristallisation
Silicium multicristallin:
Le silicium multicristallin est constitué de multiples petits cristaux de
tailles et de formes variées. Sa structure mosaïque lui donnent des
propriétés différentes du Silicium monocristallin.

Cellule PV en Si multicristallin
Etape 2 Cristallisation

Cristallisation du Si monocristallin

Le Silicium de type monocristallin est obtenu par la


méthode de Czochralski prononcé  tchokhralski.
Cette méthode consiste en une solidification dirigée à
partir d'un germe monocristallin de petite taille. Les
différentes étapes de ce procède sont citées dans le
diapositive suivant.
Etape 2 Cristallisation
 [étape 1]: On part du Silicium de grade solaire SoG-Si
fondu à une température juste au-dessus du point de
fusion, avec un gradient de température contrôlé.

 [étape 2]: Le germe est placé dans une « navette »


suspendue au-dessus du liquide par une tige.

 [étape 3]: Le Silicium fondu se solidifie sur le germe


en gardant la même organisation cristalline au fur et à
mesure que l'on tire le germe vers le haut tout en le
faisant tourner à vitesse très lente.
Etape 2 Cristallisation
 [étape 4]: On tire lentement le germe vers le haut 4cm/h, avec
un mouvement de rotation et température contrôlées.

 [étape 5]: A la fin de ce procédé on obtient un lingot cylindrique


avec un diamètre 200mm, une longueur de l'ordre de 2m.

 L'opération se passe sous atmosphère neutre pour éviter


l'introduction des impuretés.

Cristal de silicium obtenu par le procédé de Czochralski


Etape 2 Cristallisation
Cristallisation du Si multicristallin

Pour obtenir le Si multicristallin, on refond tous les déchets provenant du sciage de


monocristaux, ou du silicium de grade solaire SoG-Si, dans un moule en graphite,
le plus souvent carrée, à une température proche de 1500 °C, sous atmosphère
contrôlée.

Apres le coulage en lingotière dans laquelle s’opère un refroidissement lent, de


l’ordre de quelques dizaines d’heures.
Etape 3 Mise en formes des wafers
Sciage
 Les lingots obtenus à l'issue de l'étape de solidification
sont ensuite sciés en fines plaques de 200 μm d'épaisseur
qui sont appelées wafers.
 La coupe des lingots est effectuée par une scie à fil dont le
diamètre es l’ordre de 0,2 mm qui passe à grande vitesse
sur le silicium.
 Le procédé permet de scier en même temps une centaine
de wafers, le fil tournant autour du lingot en formant une
trame.
Etape 3 Fabrication des wafers
 Le problème principale du sciage est la perte de découpe. Avec une scie à fil, il
faut donc 570 μm de silicium pour produire une tranche de 350 μm.
 L'étape du sciage représente un élément déterminant dans le coût de la
production des cellules photovoltaïques. Le procédé total a un rendement en
matière plutôt faible (15 à 20 %) et il est assez gourmand en énergie

Rodage:
Après le découpage, les wafers sont rodés sur les deux faces pour retirer de la
surface le silicium endommagé par le processus de sciage.
Polissage:
La dernière étape de fabrication des wafers est le polissage mécano-chimique. Ce
processus permet d'atteindre la surface miroir avec une rugosité à l’échelle
atomique.
Lingots
Productions des Si-monocristallin

wafers

Cristallisation

Sciage
Wafers
La silice SiO2
SoG-Si

Raffinage et purification

Lingots
Si-multicristallin
Etape 1 Etape 2 Etape 3
2.3 Physique des semiconducteurs
Semi-conducteur Si
Semi-conducteurs intrinsèques simples :
Un semi-conducteur intrinsèque simple est constitué d’un seul élément tels que les semi-
conducteurs de la colonne IV du tableau périodique:
Le silicium (Si) et le Germanium (Ge).

Structure électronique du silicium (Si) :


L’atome du silicium (Si) possède 14 électrons, la configuration électronique du
silicium est donnée par la forme condensée suivante :
Si Intrinsèque a 0K
Dans un cristal de silicium, les atomes sont arrangés
dans un réseau tétraédrique où chaque atome voit ses quatre
électrons périphériques établir quatre liaisons de covalence
avec les quatre atomes qui lui sont voisins au sein du réseau.

Modèle de liaison covalente du Silicium (Représentation 2D )

3-D
Structure diamant du Si
Le Si se cristallise dans la structure diamant ou il y a
- 14 atomes placés dans un cube face centrées cfc
- 4 autres atomes placés en (¼, ¼, ¼), (¾, ¼, ¾), (¼, ¾,¾) et (¾,¾,¼).
- Chaque atome de Si est entouré de 4 autres atomes (les plus proches voisins),
- Chaque atome de Si est au centre d’un tétraèdre régulier
- Le paramètre de maille a = 5.43 Å (1 Å = 10 -10 m)

a
Les bandes d’énergie du Si

Dans un atome isolé, les électrons ne peuvent occuper que des 


états d’énergie discrets
Les bandes d’énergie du Si
Pour l’étude des propriétés des semi-conducteurs et leurs
applications, il suffit de considérer la bande de valence et
la bande de conduction. Les électrons situés dans les
bandes d’énergie inférieure à celle de la bande de valence
n’interviendront pas parce que ces bandes sont
complètes.

Bande conduction

Bande interdite

bandes Bande de valence


complètes.
Les bandes d’énergie du Si
Le dopage
Techniques du dopage
Il existe plusieurs techniques pour effectuer le dopage d'un matériau, pour le dopage de Si on
cite ici 3 techniques :
1. le dopage par Diffusion ;
2. le dopage par  Implantation ionique ;
3. Le dopage par croissance epitaxiale.

LA DIFFUSION - Le dopage par diffusion est réalisé dans un four dans lequel on injecte des gaz
avec une solution dopante pour le silicium. Avec la chaleur, le dopant a une énergie suffisante
pour entrer dans la plaquette de silicium. Cette méthode est assez ancienne, et nécessite d'avoir
une température uniforme dans le four . Le dopage a lieu à une température comprise
entre 850 °C et 1 150 °C, afin de permettre la diffusion des impuretés dopantes dans le matériau
Techniques du dopage
Implantation ionique - Une source (appelé faisceau ionique énergétique)
produit des ions, qui sont ensuite accélérés, et par le biais d'un contrôle très
précis, ceux-ci vont alors se positionner sur la plaquette. L'avantage de ce
principe est que l'opération se déroule à température ambiante. Le défaut de
cette technique est qu'elle peut provoquer des dommages au silicium induisant
un réarrangement indésirable de sa structure cristalline, exigeant ainsi une
recristallisation subséquente.
Techniques du dopage
La CROISSANCE EPITAXIALE - Cette méthode utilise
toujours un four, mais cette fois-ci les atomes du dopant sont
déposés sur le silicium qui se présente sous la forme d'une
plaquette. On a ainsi un dépôt en surface, et non pas une
insertion comme pour la méthode de dopage par diffusion. La
température du four doit avoisiner les 1 200 °C.
La jonction P-N
Une cellule photovoltaïque est composée de deux couches de matériaux semi-conducteur dopées N et P
juxtaposées. Lorsque les semi-conducteurs P et N sont mis en contact, ils forment ce que l’on appelle une
diode et la zone de contact est appelée jonction P-N

 Dans la zone N, les porteurs de charges majoritaires sont les électrons libres (-)
 Dans la zone P, les porteurs de charges majoritaires sont les trous (+)

A l’état d’ équilibre de la jonction P-N


 le courant total est nul, Q+=Q-
 Le champ interne va créer la barrier de potentiel Vo=0.7V
2.4 Structure de la cellule PV
Une cellule photovoltaïque est composée :
1. D’une plaque de verre isolante avec une surface d'un film anti reflet qui permet
de diminuer le renvoi de rayons lumineux vers l'atmosphère et donc d'absorber
une plus grande partie du flux lumineux..
2. D’une grille conductrice (-)
3. Du semi-conducteur dopé N
4. Du semi-conducteur dopé P
5. D’une autre grille conductrice (+)
Principe de fonctionnement
Le principe de fonctionnement d’une cellule PV peut être résumé
dans les cinq points suivants:
1. Les photons incidents créent des pairs électrons /trous dans
la jonction P-N
2. Sous l’effet du champ électrique, les électrons vont migrer
vers la zone N et les trous  vont vers la zone P
3. En circuit ouvert la tension aux bornes de la cellule est Vco
4. En cas d’une charge les électrons circulent dans le circuit
extérieur pour se recombinent avec les trous dans la zone P
de la cellule.
5. Un courant continu se créé.
Caractéristique courant/tension
Pour déterminer la courbe caractéristique de cette cellule solaire, on
part de la caractéristique connue d’une diode au silicium qui s’écrit
(jonction P-N dans l’obscurité, courbe en pointillés)

ID= Is(eV/Vt− 1)

V = tension imposée à la diode,


Vt= kT/q = 26 mV à 300 K,
k = 1,38.10–23 constante de Boltzmann,
q = 1,602.10–19 charge de l’électron,
T = température absolue en K,
Is = courant de saturation de la diode.
Caractéristique courant/tension
Sous illumination, avec un changement de signe purement
conventionnel pour le courant, cette relation devient avec Ip c’est le
photo-courant
I = Ip − Is(eV/Vt− 1)
Paramètres des cellules photovoltaïques
Au point MPP, situé au « coude » de la caractéristique, la puissance de la cellule est maximale
pour un éclairement considéré. Ce point dit de puissance maximale (Maximum Power Point
MPP), est associé à une tension dite de tension maximale VMPP et de courant maximal IMPP.

Le facteur de forme (FF)


Il représente une mesure de la qualité de l'allure de la caractéristique I-V. C’est le rapport des
aires de ces deux rectangles: la puissance maximale Pm =VMPP x IMPP et VcoxIcc

Le rendement énergétique


C’ est le rapport entre puissance maximale produite et la puissance du rayonnement solaire
qui arrive sur le module
Paramètres des cellules photovoltaïques
Avec;

S: est la surface du module ou de la cellule PV en m2


E: c’est l’éclairement en W/m2

Ce rendement est souvent mesuré dans les conditions de référence, c’est-à-dire sous
l’ensoleillement de 1 000 W/m2, à la température de 25 °C .Ces conditions normalisées sont dites
« STC » Standard Test Conditions.
Influence de l’éclairement sur une cellule PV
La luminosité influence considérablement les performances des cellules.
Comme le montre ce graphique,

Le courant de court-circuit Icc est proportionnel a l’éclairement E


La tension a vide Vco est peu dégradé lorsque l’éclairement diminue
Influence de la température sur une cellule PV
La température a une influence considérable sur le comportement de la cellule et
donc sur son rendement. Pour un éclairement donné, on remarque;
 Diminution de la tension générée
 Une très légère augmentation du courant.
 La puissance max diminue d’environ 0.4%/ °C
Circuit equivalent d’une cellule PV
La cellule photovoltaïque est représentée généralement par le circuit électrique équivalent de la figure
ci-dessous qui se compose de:

Une source de courant ( Ip ) modélisant le flux lumineux


Une résistance shunt RSH (résistance de fuite)
 Une résistance série Rs qui tient compte des pertes ohmiques du matériau, des métallisations

et du contact métal/semi-conducteur

Le courant de sortie est : I = Ip - ID - ISH


2.5 Module et champ PV
Dans le but d’augmenter la tension de sortie (nécessité d’ appairage), un module est généralement constitue au
moyenne de 36 cellules montées en séries

 Le courant généré reste le même, mais la tension de sortie du module est multipliée par le nombre de
cellules montées en série.
2.5 Module et champ PV
Dans un module, les cellules sont connectées entre elles par de fin ruban métallique (cuivre
étame) du contact en face avant (-) au contact en face arrière (+) Figure (a)

Pour éviter les effets indésirables du phénomène "point chaud" (Hot-Spot), les fabricants ont
implantés des diodes dites by-pass dont le principe est de court-circuiter les cellules
ombragées.
Les constructeurs de modules implantent généralement entre 2 et 5 diodes by-pass par
modules (dans le boitier de connexion du module). Figure (b)
Cellule
ombragée

Figure (a)
Figure (b)
2.5 Module et champ PV
Les cellules PV sont fragiles et sensibles à l’ environnement extérieur ce qui nécessite une protection mécanique.
La figure ci-dessous montre l’encapsulation des cellules mises en série

Les cellules sont encapsulées sous vide entre deux filmes thermoplastiques transparents
L’ensemble est protégé par un cadre Aluminium avec un joint périphérique pour permettre la dilatation
Un verre trempé en face avant pour protéger les cellules tout en laissant passer la lumière
La face arrière est constitue d’un verre ou d’une feuille TEDLAR
2.5 Module et champ PV
2.5 Module et champ PV
Exemple
Les caractéristiques électriques d’un module PV selon STC sont données par le graph ci-dessous
 
1-Sur le graphique, placer respectivement pour une puissance rayonnante reçue de 800 W/m2 :
A. le point de fonctionnement A correspondant à la puissance électrique maximale disponible ;
B. le point de fonctionnement B correspondant à l’intensité de court-circuit ;
C. le point de fonctionnement C correspondant à un circuit ouvert.
 
2 - Ce module reçoit, à 25 °C, une puissance rayonnante de 1000W/m².
La tension à ces bornes, lorsqu'il fonctionne est égale à 10 V.
D. D’après le graphique, quelle est la valeur de l'intensité du courant débité ?
E. Quelle est la puissance électrique fournie ?
F. La surface du module est égale à 0,185 m2. Calculer le rendement énergétique du module dans ce cas.
G. Calculer le facteur de forme du module selon STC
Suite--Exemple
Résumé
Lingots SiL cristallin Sciage des
L lingots Rodage et
So-G
SoG-Si Polissage
L
des wafers

Addition des So-G


Dopage
contacts
So-G
Encapsulation
So-G Métalliques