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Chapitre 1 : Introduction
Chapitre 2 : Les technologies photovoltaïques
a- Silicium monocristallin
b- Silicium multi cristallin
Chapitre 3 : Technologie de film mince de silicium amorphe
Chapitre 4 : Technologies sans silicium
a- Tellurure de cadmium
b- Diselériure de cuivre et d’Indium
c- Arséniure de galium
d- Dioxyde de Titane
e- Cellules à concentration
Chapitre 5 : Introduction à la technologie photovoltaïque organique Mode d’évaluation
2.1 Technologies des cellules solaires
On peut distinguer trois grandes familles de cellules solaires :
les cellules au silicium cristallin:
Le silicium est le deuxième élément le plus abondant sur terre après l’oxygène.
Il représente environ 25 % en masse de la croûte terrestre, ce qui permet de le
considérer comme inépuisable. On le trouve entre autres dans le sable, le
quartz et les feldspaths.
Et
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3:
Fa
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Si
sol
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Etape 1 Raffinage
Réduction carbothermique
Le silicium dit « métallurgique » est obtenu par réduction de la silice par le carbone à haute
température (1700 °C - 3000 °C). La réaction chimique globale s’écrit :
SiO2 + 2C --------> Si + 2 CO
On fabrique selon ce procédé plusieurs millions de tonnes de silicium par an, dit silicium de
grade métallurgique ou MG-Si. Sa pureté est de l’ordre de 98 à 99 %. Les impuretés les plus
importantes étant l’Aluminium et le Fer.
Etape 1 Raffinage
Purification
Le silicium de qualité électronique exige une beaucoup plus grande
pureté, de l’ordre de 99.9999%. Le deuxième procédé est la purification
chimique ou métallurgique, plusieurs procédés ont été développés par
les différents producteurs mondiaux de silicium. Le silicium de grade
métallurgique MG-Si est attaqué à haute température par HCl pour
donner du trichlorosilane, SiHCl3, qui est gazeux. Le trichlorosilane est
purifié par distillation, puis converti en silane, SiH4, lequel par
dissociation thermique donne un silicium de grande pureté appelé
silicium de grade solaire SoG-Si
Etape 2 Cristallisation
L’étape cristallisation consiste a obtenir a partir du Silicium de grade solaire des
lingots massifs de silicium selon divers procédés qui conduisent à deux différentes
qualités de cristal:
Silicium monocristallin:
Il est constitué de silicium dont les atomes sont structurés de façon ordonnée
pour former le réseau cristallin qui est continu sur la totalité du solide. Il a une
couleur unie gris-noir métallique comme il est représenté par la figure ci-
dessous)
Cellule PV en Si monocristallin
Etape 2 Cristallisation
Silicium multicristallin:
Le silicium multicristallin est constitué de multiples petits cristaux de
tailles et de formes variées. Sa structure mosaïque lui donnent des
propriétés différentes du Silicium monocristallin.
Cellule PV en Si multicristallin
Etape 2 Cristallisation
Cristallisation du Si monocristallin
Rodage:
Après le découpage, les wafers sont rodés sur les deux faces pour retirer de la
surface le silicium endommagé par le processus de sciage.
Polissage:
La dernière étape de fabrication des wafers est le polissage mécano-chimique. Ce
processus permet d'atteindre la surface miroir avec une rugosité à l’échelle
atomique.
Lingots
Productions des Si-monocristallin
wafers
Cristallisation
Sciage
Wafers
La silice SiO2
SoG-Si
Raffinage et purification
Lingots
Si-multicristallin
Etape 1 Etape 2 Etape 3
2.3 Physique des semiconducteurs
Semi-conducteur Si
Semi-conducteurs intrinsèques simples :
Un semi-conducteur intrinsèque simple est constitué d’un seul élément tels que les semi-
conducteurs de la colonne IV du tableau périodique:
Le silicium (Si) et le Germanium (Ge).
3-D
Structure diamant du Si
Le Si se cristallise dans la structure diamant ou il y a
- 14 atomes placés dans un cube face centrées cfc
- 4 autres atomes placés en (¼, ¼, ¼), (¾, ¼, ¾), (¼, ¾,¾) et (¾,¾,¼).
- Chaque atome de Si est entouré de 4 autres atomes (les plus proches voisins),
- Chaque atome de Si est au centre d’un tétraèdre régulier
- Le paramètre de maille a = 5.43 Å (1 Å = 10 -10 m)
a
Les bandes d’énergie du Si
Bande conduction
Bande interdite
LA DIFFUSION - Le dopage par diffusion est réalisé dans un four dans lequel on injecte des gaz
avec une solution dopante pour le silicium. Avec la chaleur, le dopant a une énergie suffisante
pour entrer dans la plaquette de silicium. Cette méthode est assez ancienne, et nécessite d'avoir
une température uniforme dans le four . Le dopage a lieu à une température comprise
entre 850 °C et 1 150 °C, afin de permettre la diffusion des impuretés dopantes dans le matériau
Techniques du dopage
Implantation ionique - Une source (appelé faisceau ionique énergétique)
produit des ions, qui sont ensuite accélérés, et par le biais d'un contrôle très
précis, ceux-ci vont alors se positionner sur la plaquette. L'avantage de ce
principe est que l'opération se déroule à température ambiante. Le défaut de
cette technique est qu'elle peut provoquer des dommages au silicium induisant
un réarrangement indésirable de sa structure cristalline, exigeant ainsi une
recristallisation subséquente.
Techniques du dopage
La CROISSANCE EPITAXIALE - Cette méthode utilise
toujours un four, mais cette fois-ci les atomes du dopant sont
déposés sur le silicium qui se présente sous la forme d'une
plaquette. On a ainsi un dépôt en surface, et non pas une
insertion comme pour la méthode de dopage par diffusion. La
température du four doit avoisiner les 1 200 °C.
La jonction P-N
Une cellule photovoltaïque est composée de deux couches de matériaux semi-conducteur dopées N et P
juxtaposées. Lorsque les semi-conducteurs P et N sont mis en contact, ils forment ce que l’on appelle une
diode et la zone de contact est appelée jonction P-N
Dans la zone N, les porteurs de charges majoritaires sont les électrons libres (-)
Dans la zone P, les porteurs de charges majoritaires sont les trous (+)
ID= Is(eV/Vt− 1)
Ce rendement est souvent mesuré dans les conditions de référence, c’est-à-dire sous
l’ensoleillement de 1 000 W/m2, à la température de 25 °C .Ces conditions normalisées sont dites
« STC » Standard Test Conditions.
Influence de l’éclairement sur une cellule PV
La luminosité influence considérablement les performances des cellules.
Comme le montre ce graphique,
et du contact métal/semi-conducteur
Le courant généré reste le même, mais la tension de sortie du module est multipliée par le nombre de
cellules montées en série.
2.5 Module et champ PV
Dans un module, les cellules sont connectées entre elles par de fin ruban métallique (cuivre
étame) du contact en face avant (-) au contact en face arrière (+) Figure (a)
Pour éviter les effets indésirables du phénomène "point chaud" (Hot-Spot), les fabricants ont
implantés des diodes dites by-pass dont le principe est de court-circuiter les cellules
ombragées.
Les constructeurs de modules implantent généralement entre 2 et 5 diodes by-pass par
modules (dans le boitier de connexion du module). Figure (b)
Cellule
ombragée
Figure (a)
Figure (b)
2.5 Module et champ PV
Les cellules PV sont fragiles et sensibles à l’ environnement extérieur ce qui nécessite une protection mécanique.
La figure ci-dessous montre l’encapsulation des cellules mises en série
Les cellules sont encapsulées sous vide entre deux filmes thermoplastiques transparents
L’ensemble est protégé par un cadre Aluminium avec un joint périphérique pour permettre la dilatation
Un verre trempé en face avant pour protéger les cellules tout en laissant passer la lumière
La face arrière est constitue d’un verre ou d’une feuille TEDLAR
2.5 Module et champ PV
2.5 Module et champ PV
Exemple
Les caractéristiques électriques d’un module PV selon STC sont données par le graph ci-dessous
1-Sur le graphique, placer respectivement pour une puissance rayonnante reçue de 800 W/m2 :
A. le point de fonctionnement A correspondant à la puissance électrique maximale disponible ;
B. le point de fonctionnement B correspondant à l’intensité de court-circuit ;
C. le point de fonctionnement C correspondant à un circuit ouvert.
2 - Ce module reçoit, à 25 °C, une puissance rayonnante de 1000W/m².
La tension à ces bornes, lorsqu'il fonctionne est égale à 10 V.
D. D’après le graphique, quelle est la valeur de l'intensité du courant débité ?
E. Quelle est la puissance électrique fournie ?
F. La surface du module est égale à 0,185 m2. Calculer le rendement énergétique du module dans ce cas.
G. Calculer le facteur de forme du module selon STC
Suite--Exemple
Résumé
Lingots SiL cristallin Sciage des
L lingots Rodage et
So-G
SoG-Si Polissage
L
des wafers