Détection Et Localisation de Défauts Pour Un Système PV

THSE
Pour obtenir le grade de

DOCTEUR DE LUNIVERSIT DE GRENOBLE
Spcialit : Gnie Electrique
Arrt ministriel : 7 aot 2006

Prsente par
Long BUN

Thse dirige par Bertrand RAISON et
co-encadre par Gilles ROSTAING

prpare au sein du Laboratoire G2ELAB
dans l'cole Doctorale EEATS

Dtection et Localisation de
Dfauts pour un Systme PV

Thse soutenue publiquement le 04/11/2011,
devant le jury compos de :
M. Mohamed MACHMOUM
Professeur des Universits, PolytechNantes Prsident
M. Cristian NICHITA
Professeur des Universits, Universit du Havre Rapporteur
M. Farid MEIBODY-TABAR
Professeur des Universits, INP Loraine Rapporteur
M. Franck BARRUEL
Ingnieur de Recherche, CEA INES Membre
M. Bertrand RAISON
Professeur des Universits, Universit de Grenoble Membre
M. Gilles ROSTAING
Matre de Confrences, CNAM Paris SATIE Membre
Mlle. Florence FRANCOIS
Ingnieur dEtudes, Laboratoire G2ELAB Invite
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REMERCIEMENTS
Trente huit mois ont t passs. Cest la dure pendant laquelle jai sjourn au sein du Labo-
ratoire de Gnie Electrique de Grenoble (G2ELAB) pour effectuer mes travaux de recherche,
la fois enrichissants et plaisants mais parfois stressants. Cette dure est courte ou longue
dpendant du moment quon a vcu. Je naurais pas russi traverser ce chemin sans les per-
sonnes que jessaierai de toutes citer dans cette page. Et croyez moi, ce nest pas du copier-
coller , mais a sort du cur
Le tout premier mot de remerciement est adress M. James ROUDET, directeur du labora-
toire G2ELAB, et son quipe de direction de mavoir accept pour effectuer ces travaux de
recherche au sein de leur laboratoire. Je tiens remercier galement lANR davoir soutenu
financirement le projet DLDPV (Dtection et Localisation de Dfauts dun systme PV)
dont font partie ces travaux de thse.
Toutes mes gratitudes vont tous les membres de jury davoir, gentiment et avec grande
dintrt, accept de participer ma soutenance. Je voudrais exprimer mes remerciements
particuliers M. Farid MEIBODY-TABAR et M. Cristian NICHITA davoir accepter dtre
rapporteurs et davoir fait des commentaires et des remarques trs prcieux en termes des
perspectives sur les travaux effectus. Je tiens remercier grandement M. Mohamed
MACHMOUM pour avoir fait lhonneur de prsider le jury et M. Franck BARRUEL pour les
commentaires sur les travaux effectus.
Mes profonds remerciements de tout mon cur vont mes deux encadrants, Bertrand RAI-
SON et Gilles ROSTAING, pour leur encouragement ; gentillesse et confidence en moi. Un
extra-remerciement est pour mon grand chef, Bertrand, pour sa disponibilit et lchange que
nous avons eu tant en aspect scientifique quen aspect culturelle ; littraire et, pourquoi pas,
culinaire.
Jai beaucoup apprci lesprit de travail en quipe, lesprit de soutiens des uns envers des
autres et lesprit de comprhension au sein de lquipe SYREL et du laboratoire. La liste des
personnes est exhaustive, pourtant je voudrais exprimer mes remerciements particuliers
Seddik, Daniel, Raphael, Florence, Antoine, Axel, Jacqueline, Rosita, Cristelle, Sylvie etc.
a fait beaucoup plaisir de travailler avec les collgues qui viennent dun peu partout dans le
monde. Les changes culturels, sportifs, scientifiques et la joie que nous avons partags ont
des valeurs non ngligeables. La liste des personnes est encore plus exhaustive, pourtant mes
penses particulires vont pour Damien, Yann, Octavian, Didier, Loeung, Hieu, Kien, Wei,
Chau, Cristian, Mathieu, David, Adrian, Harun, Julian, Jose, Benot, Mariam, Olivier, Mario,
Ni, Anthony, Lakhdar, Razmik
La vie au laboratoire est importante, par contre, la vie Grenoble est encore plus importante.
Merci tous les amis Grenoblois de mavoir cr lambiance chaleureuse et amicale pendant
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REMERCIEMENTS
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mon sjour Grenoble. Je remercie grandement Khemarak Pheasa de mavoir invit comme
professeur de la langue Khmre pendant une forte dure pendant laquelle jai pass un trs
bon moment avec tous les lves.
Enfin, merci tous les membres de la famille qui mont fortement soutenu moralement pendant
ces annes mme sils ont pass un moment dur. Je vous aime fort !

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TABLE DES MATIERES
INTRODUCTION GENERALE ........................................................................................ 1
CHAPITRE I ....................................................................................................................... 5
I.1 INTRODUCTION .............................................................................................................. 6
I.2 CONTEXTE ET OBJECTIF DE LETUDE ............................................................................. 6
I.2.1 Contexte de ltude ................................................................................................ 6
I.2.1.1 Chane de conversion dun systme photovoltaque ...................................... 6
I.2.1.2 Productivit dun systme photovoltaque ..................................................... 7
I.2.1.3 Problmatiques lies la productivit dune installation photovoltaque ...... 8
I.2.2 Objectifs de ltude................................................................................................ 9
I.2.2.1 Prsentation du projet DLDPV .................................................................... 10
I.2.2.2 Objectif de la thse ....................................................................................... 10
I.3 SYSTEME PHOTOVOLTAQUE ET SES DEFAUTS .............................................................. 10
I.3.1 Description dun systme photovoltaque ........................................................... 10
I.3.1.1 Gnrateur PV .............................................................................................. 11
I.3.1.2 Convertisseur ................................................................................................ 14
I.3.1.3 Cblage et bote de jonction ......................................................................... 17
I.3.1.4 Systme de protection .................................................................................. 18
I.3.2 Dfauts dans le systme photovoltaque ............................................................. 18
I.4 METHODES DE DIAGNOSTIC DUN CHAMP PV .............................................................. 19
I.4.1 Mthodes de diagnostic courantes industrialises .............................................. 20
I.4.1.1 Mthodes non-lectriques ............................................................................ 20
I.4.1.2 Mthodes lectriques .................................................................................... 21
I.4.2 Mthodes dans la littrature ............................................................................... 22
I.4.2.1 Mthode de rflectomtrie ........................................................................... 22
I.4.2.2 Analyse de la puissance et de lnergie produite ......................................... 22
I.4.2.3 Analyse du point de fonctionnement ............................................................ 23
I.4.2.4 Analyse de la caractristique statistique....................................................... 24
I.4.2.5 Synthse ....................................................................................................... 25
I.4.3 Choix de lapproche de diagnostic...................................................................... 27
I.4.3.1 Diffrentes approches thoriques de diagnostic ........................................... 27
I.4.3.2 Diagnostic par la mthode dinfrence......................................................... 28
I.5 CONCLUSION ............................................................................................................... 29
CHAPITRE II .................................................................................................................... 31
II.1 INTRODUCTION........................................................................................................... 32
II.2 DEMARCHE SCIENTIFIQUE DE LELABORATION DU MODELE DUN CHAMP PV ............ 32
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II.2.1 tat de lart sur les outils de simulation dun champ PV .................................. 33
II.2.2 Dmarche de modlisation propose ................................................................. 34
II.3 RAPPELS SUR LE FONCTIONNEMENT DUNE CELLULE PV ........................................... 35
II.3.1 Caractristique lectrique dune cellule PV ...................................................... 35
II.3.2 Modle dune cellule PV .................................................................................... 36
II.3.3 Rsolution du modle de la cellule .................................................................... 38
II.4 MODELISATION DUN CHAMP PV EN FONCTIONNEMENT SAIN .................................... 39
II.4.1 Configuration retenue ........................................................................................ 39
II.4.2 Adaptation de la dmarche propose ................................................................ 40
II.4.3 Une petite application numrique ...................................................................... 41
II.4.4 Synthse ............................................................................................................. 42
II.5 MODELISATION EN FONCTIONNEMENT DEFAILLANT DUN CHAMP PV ........................ 42
II.5.1 Classification des dfauts pour la modlisation ................................................ 42
II.5.2 Modlisation des diffrents dfauts ................................................................... 43
II.5.2.1 Dfaut de mismatch et dombrage .............................................................. 43
II.5.2.2 Dfaut de diodes de bypass ......................................................................... 50
II.5.2.3 Dfaut de module ........................................................................................ 52
II.5.2.4 Dfaut de connectique................................................................................. 54
II.5.2.5 Dfaut de diode anti-retour ......................................................................... 55
II.6 VALIDATION EXPERIMENTALE DU MODELE ................................................................ 58
II.6.1 Description de la plateforme dexprimentation ............................................... 58
II.6.2 Identification des paramtres du modle ........................................................... 59
II.6.3 Comparaison des rsultats exprimentaux et de simulation.............................. 60
II.7 CONCLUSIONS ............................................................................................................ 61
CHAPITRE III .................................................................................................................. 63
III.1 INTRODUCTION ......................................................................................................... 64
III.2 CHOIX DES SYMPTOMES POUR LA DETECTION ET LA LOCALISATION DE DEFAUTS ..... 64
III.2.1 Etablissement dune base de connaissances du comportement dfaillant dun
champ PV ......................................................................................................................... 64
III.2.1.1 Etablissement du scnario de dfauts pour la simulation .......................... 65
III.2.1.2 Rsultats de simulation .............................................................................. 66
III.2.2 Identification des symptmes ............................................................................ 66
III.2.3 Evolution des symptmes .................................................................................. 68
III.2.3.1 Evolution des symptmes en fonction de la svrit de dfauts ............... 68
III.2.3.2 Evolution des symptmes en fonction de la condition de fonctionnement 69
III.2.3.3 Evolution des symptmes en fonction du type de systme PV ................. 70
III.3 ANALYSE QUALITATIVE DE LA CAPACITE DE DETECTION ET DE LOCALISATION DE
DEFAUTS ................................................................................................................................ 70
III.3.1 Tableau de signatures de dfauts pour un module ........................................... 71
III.3.2 Tableau de signatures de dfauts pour un string ............................................. 72
III.3.3 Tableau de signatures de dfauts pour un champ ............................................ 73
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TABLE DES MATIERES
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III.3.4 Synthse ............................................................................................................ 74
III.3.4.1 Diffrentes capacits de discrimination de dfauts ................................... 74
III.3.4.2 Diffrentes utilits des symptmes retenus ............................................... 74
III.4 ANALYSE QUANTITATIVE DE LA CAPACITE DE DETECTION ET DE LOCALISATION DE
DEFAUTS ................................................................................................................................ 75
III.4.1 Gnration des symptmes ............................................................................... 76
III.4.1.1 Gnration du symptme s1 ................................................................ 76
III.4.2 Nouveau tableau de signatures de dfauts ....................................................... 80
III.4.3 Rglage du seuil................................................................................................ 81
III.4.3.1 Dtermination du seuil pour viter les fausses alarmes ............................. 82
III.4.3.2 Capacit de dtection et de localisation vis--vis du choix du seuil ......... 86
III.4.4 Robustesse du diagnostic .................................................................................. 89
III.5 CONCLUSIONS ........................................................................................................... 90
CHAPITRE IV ................................................................................................................... 93
IV.1 INTRODUCTION ......................................................................................................... 94
IV.2 DEVELOPPEMENT DU SYSTEME DE DLDPV .............................................................. 94
IV.2.1 Systme dinstrumentation ................................................................................ 95
IV.2.1.1 Mesure de lensoleillement et de la temprature ....................................... 95
IV.2.1.2 Mesure du courant et de la tension ............................................................ 95
IV.2.1.3 Traceur I-V ................................................................................................ 96
IV.2.2 Algorithme DLDPV et ses interfaces ................................................................ 96
IV.2.2.1 Modle du champ PV de rfrence ........................................................... 97
IV.2.2.2 Reconstitution de la caractristique I-V .................................................... 97
IV.2.2.3 Dtection de dfauts .................................................................................. 97
IV.2.2.4 Localisation de dfauts .............................................................................. 98
IV.3 DEVELOPPEMENT DU BANC DESSAIS........................................................................ 98
IV.3.1 Simulateur temps rel RTLAB ........................................................................ 100
IV.3.2 Emulateur du champ PV ................................................................................. 100
IV.3.2.1 Principe .................................................................................................... 101
IV.3.2.2 Architecture de lmulateur du champ PV .............................................. 101
IV.3.2.3 Validation de lmulateur du champ PV ................................................. 103
IV.3.3 Emulateur du systme connect au rseau ..................................................... 106
IV.3.3.1 Principe .................................................................................................... 106
IV.3.3.2 Architecture de lmulateur du systme connect au rseau ................... 106
IV.3.4 Systme de DLDPV et sa mise en uvre......................................................... 109
IV.3.4.1 Mise en uvre du modle du champ PV de rfrence ............................ 109
IV.3.4.2 Mise en uvre du systme de reconstitution de la caractristique I-V ... 110
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TABLE DES MATIERES
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IV.3.4.3 Mise en uvre du systme de dtection de dfauts................................. 111
IV.3.4.4 Mise en uvre du systme de localisation de dfauts ............................. 111
IV.4 RESULTATS DIMPLEMENTATION ............................................................................ 112
IV.4.1 Rsultats de simulation hors temps rel ......................................................... 113
IV.4.1.1 Description du test ................................................................................... 113
IV.4.1.2 Test en fonctionnement sain .................................................................... 114
IV.4.1.3 Test en fonctionnement dfaillant ........................................................... 115
IV.4.2 Rsultats de simulation en temps rel ............................................................. 119
IV.4.2.1 Tests en fonctionnement normal ............................................................. 119
IV.4.2.2 Tests en fonctionnement dfaillant.......................................................... 120
IV.5 CONCLUSIONS ........................................................................................................ 126
CONCLUSIONS GENERALES ET PERSPECTIVES ............................................... 129
BIBLIOGRAPHIE .......................................................................................................... 133
ANNEXE A ...................................................................................................................... 141
ANNEXE B ....................................................................................................................... 149
ANNEXE C ...................................................................................................................... 155
ANNEXE D ...................................................................................................................... 173
ANNEXE E ....................................................................................................................... 185
ANNEXE F ....................................................................................................................... 187

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LISTE DES FIGURES
Figure I-1 : Chane de conversion dnergie dun systme PV connect au rseau .................. 6
Figure I-2 : Productible aux diffrents tages de la chane de conversion dnergie dun
systme PV ............................................................................................................................ 7
Figure I-3 : Evolution des indices de performance annuels des 177 systmes PV rsidentiels
installs pour le 1000-Roofs Photovoltaic Programme en Allemagne entre 1991 1994
[JAHN'04] ............................................................................................................................... 9
Figure I-4 : Synoptique lectrique dun systme PV connect au rseau [ADEME'06].......... 11
Figure I-5 : Evolution de la rpartition des technologies de cellule industrialises [EPIA'11] 12
Figure I-6 : Mise en srie des cellules PV dans le module ...................................................... 13
Figure I-7 : Module PV avec deux diodes de bypass qui se chevauchent (overlap) ................ 13
Figure I-8 : Diffrentes configurations pour un champ de 36 modules ................................... 14
Figure I-9 : Diffrents tages du groupe convertisseurs de la chane de conversion
photovoltaque ..................................................................................................................... 14
Figure I-10 : Caractristique I-V dun champ PV en fonctionnement normal ......................... 15
Figure I-11 : Schma des topologies centrales dun systme PV connect au rseau ............. 16
Figure I-12 : Schma des topologies modulaires dun systme PV connect au rseau .......... 17
Figure I-13 : Quelques exemples de la localisation de dfauts par la camra thermique ........ 20
Figure I-14 : Principe de la rflectomtrie pour localiser le dfaut dans un string PV ............ 22
Figure I-15 : Allure dune caractristique I-V dun champ PV en fonctionnement dfaillant 24
Figure I-16 : Diffrentes mthodes de diagnostic [RAISON'00] ............................................... 27
Figure I-17 : Diffrentes tapes de diagnostic par la mthode dinfrence ............................. 28
Figure II-1 : Synoptique du modle dun champ PV ............................................................... 32
Figure II-2 : Dmarche de modlisation dun champ PV en fonctionnement dfaillant ......... 34
Figure II-3 : Caractristique I-V dune cellule PV ................................................................... 36
Figure II-4 : Diffrents modles dune cellule PV ................................................................... 37
Figure II-5 : Algorithme pour dterminer la caractristique I-V dune cellule PV .................. 38
Figure II-6 : Caractristique I-V dune cellule PV obtenue de la simulation .......................... 39
Figure II-7 : Dmarche de modlisation dun champ PV en fonctionnement sain .................. 41
Figure II-8 : Etablissement de la caractristique I-V du champ partir de celle de la cellule . 41
Figure II-9 : Caractristiques I-V dune cellule ombre et bonne ................................ 45
Figure II-10 : Caractristique dun groupe de cellules protg par la diode de bypass ........... 45
Figure II-11 : Caractristique I-V dun groupe mauvais et bon ................................... 46
Figure II-12 : Caractristique I-V dun module mauvais et bon .................................. 46
Figure II-13 : Caractristique I-V dun string mauvais et bon ..................................... 47
Figure II-14 : Caractristique dun champ PV protg par la diode anti-retour ...................... 47
Figure II-15 : Formation de la caractristique I-V du champ PV selon lexemple considr .. 48
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LISTE DES FIGURES
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Figure II-16 : Caractristiques I-V dun module PV lors de dfauts de mismatch et dombrage
............................................................................................................................................. 49
Figure II-17 : Schma bloc dun groupe de cellules PV avec la diode de bypass dfaillante .. 50
Figure II-18 : Caractristiques I-V dun module PV lors de dfauts de diode de bypass ........ 52
Figure II-19 : Schma bloc dun module PV dfaillant ........................................................... 52
Figure II-20 : Caractristiques I-V dun string PV lors de dfaut de module .......................... 54
Figure II-21 : Schma bloc dun string PV avec la rsistance de connectique non nulle ........ 54
Figure II-22 : Caractristiques I-V dun string PV lors de dfauts de connectique ................ 55
Figure II-23 : Schma bloc dun champ PV avec la diode anti-retour dfaillante ................... 55
Figure II-24 : Caractristiques I-V dun champ PV lors de dfauts de diode anti-retour ........ 57
Figure II-25 : Matriels du test ................................................................................................. 58
Figure II-26 : Spcification du module sous test ...................................................................... 59
Figure II-27 : Procdure pour faire lidentification des paramtres dune cellule PV ............. 60
Figure II-28 : Paramtres R
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et a des 9 modules ............................................................... 60
Figure II-29 : Comparaison entre rsultats de simulation et dexprimentation dun module
lors de diffrents types de dfauts ....................................................................................... 60
Figure II-30 : Comparaison entre rsultats de simulation et dexprimentation dun string lors
de diffrents types de dfauts .............................................................................................. 61
Figure III-1 : Caractristiques dfaillantes dun module PV ................................................... 67
Figure III-2 : Evolution du comportement de dfauts en fonction de leur svrit ................. 68
Figure III-3 : Evolution du comportement de dfauts en fonction de la condition de
fonctionnement .................................................................................................................... 69
Figure III-4 : Evolution du comportement de dfauts en fonction de la configuration du
champ .................................................................................................................................. 70
Figure III-5 : Algorithme de dtection et de localisation de dfauts pour un systme PV ...... 75
Figure III-6 : Diffrents types de dviation de la pente dans le cas dun module .................... 78
Figure III-7 : Arbre de dcision pour identifier la nature de la dviation de la pente .............. 80
Figure III-8 : Amplitude des symptmes s1 , s2 et s3 pour les diffrents tirages
alatoires .............................................................................................................................. 84
Figure III-9 : Amplitude des symptmes s1 , s2 et s3 en fonction du nombre de
modules en srie .................................................................................................................. 85
Figure III-10 : Erreur de calcul des symptmes vis--vis du changement densoleillement ... 89
Figure III-11 : Erreur de calcul des symptmes vis--vis du changement de temprature ...... 90
Figure IV-1 : Schma bloc dun systme de DLDPV .............................................................. 94
Figure IV-2 : Algorithme de DLDPV avec ses interfaces ....................................................... 96
Figure IV-3 : Coordination des diffrentes tches du systme de DLDPV ............................. 98
Figure IV-4 : Synoptique du banc dessais propos pour tester lalgorithme DLDPV ............ 99
Figure IV-5 : Architecture matrielle pour la simulation PHIL ............................................. 100
Figure IV-6 : Architecture de lmulateur dun champ PV [BUN'11] .................................... 101
Figure IV-7 : Zone de la caractristique I-V avec la drive dV/dI importante .................... 102
Figure IV-8 : Caractristique I-V du champ PV en fonctionnement normal muler .......... 104
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LISTE DES FIGURES
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Figure IV-9 : Courant, tension et puissance lentre de londuleur dans le cas G et T
constants ............................................................................................................................ 105
Figure IV-10 : Courant, tension et puissance lentre de londuleur dans le cas de dfaut
dombrage .......................................................................................................................... 106
Figure IV-11 : Architecture de lmulateur du systme connect au rseau ......................... 107
Figure IV-12 : Algorithme P&O pour le MPPT (rgulation en courant) ............................... 108
Figure IV-13 : Modes de fonctionnement de la charge programmable avant et aprs le dfaut
........................................................................................................................................... 108
Figure IV-14 : Implmentation du systme de DLDPV ........................................................ 109
Figure IV-15 : Mise en uvre du modle du champ PV de rfrence ................................... 110
Figure IV-16 : Systme de stockage des points caractristiques dun champ PV en dfaut .. 110
Figure IV-17 : Mise en uvre du systme de dtection de dfauts ....................................... 111
Figure IV-18 : Mise en uvre de lalgorithme de localisation de dfauts ............................. 112
Figure IV-19 : Profil densoleillement et de temprature normalis ..................................... 113
Figure IV-20 : Evolution du courant, de la tension et de la puissance du champ PV
(fonctionnement sain et hors temps rel) ........................................................................... 114
Figure IV-21 : Evolution du courant, de la tension et de la puissance du champ PV
(fonctionnement dfaillant et hors temps rel) .................................................................. 116
Figure IV-22 : Comparaison entre lamplitude des symptmes et le seuil pour les 9 dfauts
considrs .......................................................................................................................... 117
Figure IV-23 : Symptmes trouvs par lalgorithme de localisation de dfauts (simulation
hors temps rel) ................................................................................................................. 118
Figure IV-24 : Evolution du courant, de la tension et de la puissance de la source
(fonctionnement sain et en temps rel) .............................................................................. 120
Figure IV-25: Evolution du courant, de la tension et de la puissance de la source
(fonctionnement dfaillant et en temps rel) ..................................................................... 121
Figure IV-26: Acquisition de la caractristique I-V par la charge programmable lors de
lapparition du dfaut D1 ................................................................................................... 122
Figure IV-27 : Caractristique I-V acquise par le systme de DLDPV dans le cas du dfaut
D1 ...................................................................................................................................... 123
Figure IV-28 : Caractristiques I(V) obtenue par le systme dacquisition ........................... 124
Figure IV-29 : Symptmes trouvs par lalgorithme de localisation de dfauts (simulation en
temps rel) ......................................................................................................................... 125
Figure IV-30 : Temps de calcul du systme de diagnostic .................................................... 125
Figure A-1 : Exemples de dfauts rencontrs dans des gnrateurs PV ................................ 144
Figure A-2 : Exemples de dfauts rencontrs dans des botes de jonction ............................ 145
Figure A-3 : Exemples de dfauts rencontrs dans le systme de cblage ............................ 146
Figure A-4 : Exemples de dfauts de diodes de bypass ......................................................... 147
Figure B-1 : Influence de la variation de lensoleillement ..................................................... 151
Figure B-2 : influence de la variation du courant de saturation inverse de diode .................. 152
Figure B-3 : Influence de la variation de temprature ........................................................... 153
Figure B-4 : Influence de la variation du facteur didalit de diode .................................... 153
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LISTE DES FIGURES
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Figure B-5 : Influence de la variation de la rsistance srie .................................................. 154
Figure B-6 : Influence de la variation de la rsistance parallle ............................................ 154
Figure C-1 : Procdure pour faire lidentification des paramtres dune cellule PV ............. 156
Figure C-2 : Procdure complte pour faire lidentification des paramtres dune cellule PV
........................................................................................................................................... 156
Figure C-3 : Schma de manipulation lors dun dfaut dombrage sur un module ............... 158
Figure C-4 : Comportements dun module lors dun dfaut dombrage ................................ 159
Figure C-5 : Schma de manipulation lors dun dfaut de diode de bypass (1) .................... 159
Figure C-6 : Comportements dun module lors dun dfaut de diode de bypass (1) ............. 160
Figure C-7 : Schma de manipulation lors dun dfaut de diode de by-pass (2) ................... 161
Figure C-8 : Comportements dun module lors dun dfaut de diode de bypass (2) ............. 161
Figure C-9 : Schma de manipulation lors dun dfaut de diode de by-pass (3) ................... 162
Figure C-10 : Comportements dun module lors dun dfaut de diode de by-pass (3) .......... 162
Figure C-11 : Caractristiques I-V des modules du string ..................................................... 164
Figure C-12 : Caractristiques I-V des deux strings pour deux conditions densoleillement 164
Figure C-13 : Comportement dun string lors dun dfaut dombrage .................................. 165
Figure C-14 : Comportement dun string lors dun dfaut de diode de by-pass (1) .............. 166
Figure C-15 : Comportement dun string lors dun dfaut de diode de bypass (2) ................ 167
Figure C-16 : Comportement dun string lors dun dfaut de diode de by-pass (3) .............. 168
Figure C-17 : Comportement dun string lors dun dfaut de connexion dun module ......... 169
Figure C-18 : Comportement dun string lors dun dfaut de connectique entre 2 modules . 170
Figure C-19 : Comportement dun string quand un des modules est invers ........................ 170
Figure C-20 : Comportement dun string quand on connecte une connectique la terre ...... 171
Figure F-1 : Quelques exemples de dfauts de type rsistance parallle ......................... 188
Figure F-2 : Exemple deffet daccumulation et de masquage de dfauts ............................. 189

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LISTE DES TABLEAUX
Tableau I-1 : Principaux dfauts et anomalies rencontrs dans un gnrateur PV .................. 19
Tableau I-2 : Diffrents types de dfauts analyss par la caractristique I-V .......................... 25
Tableau I-3 : Comparaison des diffrentes mthodes de DLD ................................................ 25
Tableau II-1 : Rsum de diffrents outils de simulation dun champ PV en fonctionnement
dfaillant .......................................................................................................................... 33
Tableau II-2 : Configuration retenue pour la modlisation ...................................................... 40
Tableau II-3 : Classification de dfauts et danomalies dun champ PV ................................. 43
Tableau II-4 : Impact des diffrents dfauts sur les paramtres de la cellule .......................... 44
Tableau II-5 : Paramtres utiliss dans la simulation en cas de mismatch .............................. 48
Tableau III-1 : Dfinition de la svrit de dfauts .................................................................. 65
Tableau III-2 : Diffrents symptmes identifis partir de la comparaison de la
caractristique .................................................................................................................. 67
Tableau III-3 : Tableau de signatures de dfaut pour un module ............................................. 71
Tableau III-4 : Tableau de signatures de dfaut pour un string ............................................... 72
Tableau III-5 : Tableau de signatures de dfaut pour un champ .............................................. 73
Tableau III-6 : Tableau de rsum sur la capacit de discrimination du dfaut pour les
diffrentes configurations ................................................................................................ 74
Tableau III-7 : Dtection dun point dinflexion par la drive seconde ................................. 77
Tableau III-8 : Allures des drives premire et seconde de la chute en tension pour les
diffrents types de dviation de la pente .......................................................................... 79
Tableau III-9 : Nouveau tableau de signatures de dfauts pour un string ................................ 81
Tableau III-10 : Erreur relative de calcul des symptmes lie aux incertitudes de mesure ..... 83
Tableau III-11 : Erreur relative de calcul des symptmes lie aux incertitudes de modle ..... 85
Tableau III-12 : Erreur relative totale de calcul des symptmes lie aux incertitudes ............ 85
Tableau III-13 : Dfauts considrs dans lexemple ................................................................ 86
Tableau III-14 : Seuils pour les diffrents symptmes ............................................................ 87
Tableau III-15 : Amplitude des symptmes pour les dfauts considrs dans lexemple ....... 87
Tableau III-16 : Tableau de signatures des dfauts considrs dans lexemple ....................... 87
Tableau IV-1 : Dfauts introduits dans le modle du champ PV et leurs instants dapparition
(hors temps rel) ............................................................................................................ 115
Tableau IV-2 : Seuils choisis pour les symptmes ................................................................ 115
Tableau IV-3 : Tableau de signatures des dfauts considrs dans lexemple du chapitre 3 118
Tableau IV-4 : Dfauts introduits dans le modle PV et leurs instants dapparition (en temps
rel) ................................................................................................................................ 120
Tableau IV-5 : Comparaison du point de fonctionnement trouv par le MPPT avec les valeurs
thoriques ....................................................................................................................... 122
Tableau IV-6 : Dure totale pour identifier la nature dun dfaut ......................................... 126
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LISTE DES TABLEAUX
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Tableau D-1 : Comportements du module lors de dfauts de mismatch ............................... 174
Tableau D-2 : Comportements du module lors de dfauts de diode de bypass ..................... 175
Tableau D-3 : Comportement du module lors de dfauts de module ..................................... 176
Tableau D-4 : Comportement du module lors de dfauts de connectique ............................. 176
Tableau D-5 : Comportements du module lors de dfauts de diode anti-retour .................... 176
Tableau D-6 : Evolutions du comportement du module lors de la variation de la condition de
fonctionnement dfauts de mismatch ......................................................................... 178
fonctionnement dfauts de diode de bypass ............................................................... 179
fonctionnement dfauts de diode de module .............................................................. 180
Tableau D-9 : Evolution du comportement du module lors de la variation de la condition de
fonctionnement dfauts de connectique ...................................................................... 180
Tableau D-10 : Comportements du champ lors de dfauts de mismatch ............................... 181
Tableau D-11 : Comportements du champ lors de dfauts de diode de bypass ..................... 182
Tableau D-12 : Comportements du champ lors de dfauts de module .................................. 183
Tableau D-13 : Comportements du champ lors de dfauts de connectique ........................... 183
Tableau E-1 : Spcifications du module PV utilis dans lmulateur du champ PV ............. 185
Tableau E-2 : Caractristiques de la source DC pilotable ...................................................... 185
Tableau E-3 : Caractristiques de la charge programmable ................................................... 186
Tableau E-4 : Spcifications de londuleur FRONIUS IG20 ................................................. 186
Tableau F-1 : Tableau de signatures de dfauts pour un string PV ........................................ 187

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Au cours des dix dernires annes, le march du photovoltaque a connu une croissance
trs remarquable, surtout dans les quelques dernires annes grce aux diffrents facteurs sti-
mulants : rduction des cots de production et politiques de soutien. Ces facteurs stimulants
rendent le retour sur investissement dune installation photovoltaque de plus en plus intres-
sant. Or, comme tous les autres processus industriels, un systme photovoltaque peut tre
soumis, au cours de son fonctionnement, diffrents dfauts et anomalies conduisant une
baisse de la performance du systme et voire lindisponibilit totale du systme. Toutes ces
consquences dfavorables vont videmment rduire la productivit de linstallation, et donc
rduire le profit de linstallation, sans compter le cot de maintenance pour remettre le sys-
tme en tat normal.
Permettre de diagnostiquer finement et de faire de la dtection et de localisation de dfauts
dans une installation PV rduit les cots de maintenance et surtout augmente la productivit
en augmentant le taux de disponibilit des installations en veillant ce que leur rendement
soit optimal. Lajout de fonctions avances de surveillance, de diagnostic et de supervision ne
devra pas tre ressenti pas lacheteur. Cest dans cette optique quest n le projet DLDPV
(Dtection et Localisation de Dfauts dun Systme Photovoltaque) dont font partie les tra-
vaux de cette thse. Lobjectif de ce projet est de proposer un systme intgr permettant de
dtecter et de localiser les dfauts dans des installations PV. Lide est de fournir un ser-
vice aux utilisateurs pour superviser et diagnostiquer leurs installations.
Dans ce travail de thse, nous nous intressons spcifiquement la dtection et la localisa-
tion de dfauts ct DC du systme PV, cest--dire du ct gnrateur PV. Lobjectif de la
thse est de proposer, en prenant le moins de mesures possibles pour respecter les contraintes
conomiques, un algorithme pour dtecter et localiser des dfauts conduisant une baisse de
production.
A lheure actuelle, il existe des systmes de monitoring qui permettent de calculer la puis-
sance fournie par les panneaux et lnergie associe par lintermdiaire de capteurs de tension
et de courant. Il existe mme des services qui permettent de faire la corrlation entre la pro-
duction dune installation et les conditions mtorologiques. Un satellite mesure
lensoleillement mis sur le site et compare avec la productivit du champ. Les informations
sont mensuelles et lorsquun cart important apparait, lutilisateur est inform. Ce genre de
service est une premire tape intressante vers une supervision prcise de linstallation mais
montre des limites car il ne permet pas de dtecter et localiser dans un temps bref suite
lapparition dun dfaut quelconque.
Ltude bibliographique a montr que de nombreuses tudes ont port sur lvaluation de
limpact des diffrents dfauts par lanalyse de la caractristique I-V (caractristique statique)
rsultante. Par contre, lutilisation dune telle caractristique pour remonter la nature des
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dfauts nest pas largement rpandue. Deux raisons principales peuvent tre cites comme
barrire lapplication dune telle mthode pour faire le diagnostic : la difficult dobtention
en ligne de la caractristique complte I-V et la manque dune base de donnes pertinente sur
les causalits entre dfauts et modifications de la caractristique I-V. Le premier verrou est
lev suite au travail men par un des partenaires du projet.
Il ne reste donc que la deuxime barrire lever qui consiste tablir dune manire perti-
nente une relation causale entre les principaux dfauts considrs et la caractristique rsul-
tant et ensuite dvelopper un algorithme de dtection et de localisation de dfauts enligne en
se basant sur la base de connaissances tablie. Cest ainsi lobjectif de cette thse qui est
structure en quatre chapitres.
Le chapitre 1 a pour but de traiter le contexte et lobjectif de ltude et identifier, selon le
contexte et lobjectif imposs, la mthode de diagnostic la plus adapte. Tout dabord, toutes
les problmatiques lies la productivit dune installation photovoltaque sont discutes pour
montrer la ncessit dune telle tude de dtection et de localisation de dfauts. Ensuite, les
diffrents composants dun systme photovoltaque sont dcrits et leurs dfauts associs sont
galement identifis. La slection prliminaire des principaux dfauts pour ltude de dia-
gnostic est effectue sur la base de lanalyse de leur criticit et leur occurrence. Enfin, une
tude bibliographique sur les diffrentes mthodes de diagnostic pour dtecter et/ou localiser
des dfauts dans un systme photovoltaque, couramment industrialises ou non, est mene
afin de choisir une mthode qui peut tre adapte pour faire la dtection et la localisation des
principaux dfauts retenus. La mthode dinfrence reposant sur lanalyse de la caractris-
tique I-V est identifie comme la mthode la plus prometteuse.
Le chapitre 2 est consacr la modlisation dun champ photovoltaque dfaillant pour ob-
tenir la caractristique I-V pour un dfaut quelconque et pour une configuration quelconque
du systme PV (module, string ou champ). Dans ce chapitre, les diffrents outils de simula-
tion existants qui permettent dobtenir la caractristique I-V dun champ PV sont cits et en-
suite la nouvelle dmarche de modlisation dveloppe dans le cadre de notre tude est dtail-
le. La modlisation est faite tant en fonctionnement sain quen fonctionnement dfaillant du
champ PV. Pour valider la dmarche de modlisation propose, les dfauts considrs ont t
physiquement raliss dans un champ PV rel et les caractristiques mesures ont t enregis-
tres pour ensuite les comparer avec celles issues de la modlisation.
Le chapitre 3 est ddi au dveloppement de lalgorithme de dtection et de localisation de
dfauts dun champ photovoltaque en se fondant sur la mthode dinfrence base de rai-
sonnement discret identifie dans le chapitre 1. La premire partie de ce chapitre est consa-
cre ltablissement dune base de connaissances du comportement dfaillant dun champ
PV. Des symptmes potentiels sont ensuite identifis partir de cette base de connaissances.
Avec les symptmes retenus, lanalyse de la capacit de dtection et de localisation de dfauts
dun champ PV est ensuite aborde. Cette analyse est divise en deux parties : analyse quali-
tative et quantitative. Dans lanalyse qualitative, seule la connaissance sur la relation causale
entre les dfauts et les symptmes est considre. Cette analyse permet nanmoins de propo-
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ser le chemin de ltude pour lanalyse quantitative qui prend ensuite le relai. Cette analyse
quantitative consiste tout dabord gnrer analytiquement tous les symptmes retenus et
leur attribuer ensuite un seuil. Ces seuils sont choisis selon lexigence demande par
lutilisateur du systme de diagnostic tout en vitant les problmes de fausses alarmes. La
dernire partie de ce chapitre traite la robustesse du systme de diagnostic propos vis--vis
de la variation de la condition de fonctionnement (ensoleillement et temprature).
Le chapitre 4 est consacr au dveloppement dun systme de dtection et de localisation
de dfauts (systme de DLDPV) et son implmentation en temps rel en basant sur
lalgorithme dvelopp dans le chapitre 3. La premire partie de ce chapitre dcrit les diff-
rents composants, de nature matrielle ou logicielle, du systme de DLDPV et les contraintes
lies limplmentation de ces composants dans la chane de conversion du systme photo-
voltaque. Pour valuer la performance en temps rel du systme de DLDPV, un banc dessais
est dvelopp et est prsent dans la deuxime partie de ce chapitre. Ce banc dessais repose
sur un simulateur temps rel RTLAB qui, quant lui, pilote un mulateur du champ PV et un
mulateur de la partie convertisseurs connecte au rseau. La dernire partie prsente les r-
sultats des tests sur lefficacit et la robustesse de lalgorithme tant en temps rel et que hors
temps rel.
Enfin, nous dressons la fin du manuscrit une conclusion sur ces travaux et prsentons
quelques pistes de perspectives mises jour.
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Chapitre I
Le Systme Photovoltaque et ses Dfauts
Sommaire

I.1 Introduction ........................................................................................................................... 6
I.2 Contexte et objectif de ltude .............................................................................................. 6
I.2.1 Contexte de ltude........................................................................................................ 6
I.2.2 Objectifs de ltude ....................................................................................................... 9
I.3 Systme photovoltaque et ses dfauts ................................................................................ 10
I.3.1 Description dun systme photovoltaque ................................................................... 10
I.3.2 Dfauts dans le systme photovoltaque ..................................................................... 18
I.4 Mthodes de diagnostic dun champ PV ............................................................................ 19
I.4.1 Mthodes de diagnostic courantes industrialises ....................................................... 20
I.4.2 Mthodes dans la littrature ........................................................................................ 22
I.4.3 Choix de lapproche de diagnostic .............................................................................. 27
I.5 Conclusion .......................................................................................................................... 29

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Chapitre I
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I.1 Introduction
Dans ce chapitre, nous prcisons tout dabord le contexte et lobjectif de notre tude. Nous
discutons de toutes les problmatiques lies la productivit dune installation photovoltaque
et comment ces problmatiques ncessitent une tude de dtection et de localisation de d-
fauts.
Dans la seconde partie, les diffrents composants dun systme photovoltaque sont d-
crits. Les dfauts associs ces composants sont galement identifis. Parmi les dfauts iden-
tifis, seuls les principaux dfauts sont retenus, sur la base de leur criticit et de leur occur-
rence, pour ltude de la dtection et de localisation de dfauts.
La dernire partie de ce chapitre prsente les diffrentes mthodes de diagnostic, industria-
lises ou non, proposes pour dtecter et/ou localiser des dfauts dans un systme photovol-
taque. Une brve tude bibliographique sur les diffrentes approches thoriques de diagnostic
est mene pour choisir lapproche la plus adapte dans le cas de diagnostic de dfauts pour un
systme photovoltaque.
I.2 Contexte et objectif de ltude
Avec la modification rcente du tarif dachat, les producteurs de linstallation photovol-
taque cherchent maximiser leur profit en injectant le maximum de lnergie produite au
rseau. La productivit joue donc un rle essentiel dans la rentabilit dune installation photo-
voltaque. Nous discutons dans cette premire partie toutes les problmatiques lies la pro-
ductivit dune installation photovoltaque et comment ces problmatiques ncessitent une
tude de dtection et de localisation de dfauts.
I.2.1 Contexte de ltude
I.2.1.1 Chane de conversion dun systme photovoltaque
Comme le systme PV connect au rseau reprsente une grande majorit du march total,
nous nous intressons uniquement ce type de systme. La chane type de conversion
dnergie dun tel systme est montre dans la Figure I-1.
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Rseau
Gnrateur PV
Convertisseur
~
~
P
AC
P
DC

Figure I-1 : Chane de conversion dnergie dun systme PV connect au rseau
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I.2-Contexte et objectif de ltude
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Cette chane est compose de trois parties principales : un gnrateur PV qui produit de la
puissance continue par conversion du rayonnement solaire, un groupe de convertisseurs et le
rseau lectrique. Le groupe convertisseur a pour rle dextraire la puissance maximale en
continu du gnrateur PV et la convertir ensuite en puissance alternative avant de linjecter
dans le rseau.
I.2.1.2 Productivit dun systme photovoltaque
La productivit dune installation PV est affecte par deux facteurs : la performance et la
disponibilit de linstallation. La disponibilit dun systme PV se rfre au ratio entre la du-
re de la continuit de service de production dnergie, mme avec une performance moins
optimale, et la priode totale observe [DIAZ'07]. Tandis que la performance dun systme PV
se rfre au rendement global de la chane de conversion de lnergie.
Il existe plusieurs faons pour valuer la performance dun systme PV. Lapproche la plus
simple repose sur lindice de performance propos par la directive europenne, document
B [CEC'97], et la norme IEC 61724 [IEC'98]. La notion de lindice de performance dun sys-
tme PV est illustre dans la Figure I-2.
Gnrateur
PV
Systme de
conversion
Rseau
Y
r
Y
a Y
f
Y
r
Y
a
Y
f
L
c
L
s
R
P
=Y
f
/ Y
r

Figure I-2 : Productible aux diffrents tages de la chane de conversion dnergie dun systme PV
Lindice de performance (R
p
) est le rapport entre le productible final (Y
f
) et le productible
de rfrence (Y
r
) pour une priode donne (journalire, hebdomadaire, mensuelle ou encore
annuelle). Le productible final (Y
f
) est lnergie de sortie par kW du systme PV install pen-
dant la priode considre. Le productible de rfrence (Y
r
) est, quant lui, lnergie reue du
soleil par kW du systme PV install pendant la mme priode considre.
La performance dun systme PV est influence par des pertes qui peuvent tre classes en
deux tapes : pertes du systme (L
s
) et pertes de captation du gnrateur PV (L
c
). Les pertes
du systme (L
s
) sont les pertes qui se produisent au sein du convertisseur. Elles se rapportent
au rendement des dispositifs de conversion.
Les pertes de captation du champ PV (L
c
) se produisent principalement du ct DC de la
chane de conversion PV et elles sont attribues aux facteurs suivants [NORDMANN'04] :
- Tempratures de fonctionnement leves
- Oprations du champ PV
o Captation non optimale de lensoleillement
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Chapitre I
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o Dispersion entre les panneaux formant le champ
o Extraction non optimale de la puissance produite par le champ
o Vieillissement des panneaux
o Pertes joules dues au cblage
Les pertes dcrites ci-dessus sont les pertes dites normales . Elles sont prsentes dans
tous les systmes PV. En plus de ces pertes normales, les dfauts et les dfaillances des com-
posants de la chane de conversion peuvent galement affecter la performance du systme PV.
Elles entranent une baisse de la production dnergie, et dans le pire des cas, certaines dfail-
lances peuvent conduire lindisponibilit totale du systme.
Cet indice de performance est indpendant de la localisation de linstallation PV, de la ca-
pacit dinstallation. La valeur moyenne annuelle typique pour une installation, en fonction-
nement normal, varie entre 0.6 et 0.8 [PVPS'00]. Un indicateur avec une valeur infrieure
cette plage signifie quil y a une perte supplmentaire provoque par un dfaut spcifique.
I.2.1.3 Problmatiques lies la productivit dune installation photovoltaque
Le taux de disponibilit des systmes PV rcemment installs est amlior grce
lamlioration de la fiabilit des composants de linstallation. Selon les tudes menes par
IEA PVPS portant sur lanalyse de la performance des installations PV oprationnelles dans
de nombreux pays dans le monde entier, le taux de disponibilit annuel dune installation PV
bien surveille peut atteindre 97% [JANH'00].
Il nexiste aucune statistique reprsentative sur la rpartition des composants causant ces
quelques pourcentages dindisponibilit. Ceci est d aux choix des composants de fiabilits
diffrentes par des installateurs. Pourtant, il a t convenu que la dfaillance de londuleur
reprsente le plus grand pourcentage parmi les dfaillances apparues (plus de 50%)
[CLAVADETSCHER'07, HIBBERD'11].
Lindisponibilit dun systme PV entrane videmment une perte de productivit. Par
contre, un systme PV disponible ayant un dfaut a des pertes supplmentaires car le systme
peut fonctionner avec une performance non optimale. Citons comme exemple, lanalyse de la
performance des 177 installations PV faisant partie du programme 1000 toits en Allemagne
[JAHN'04]. La Figure I-3 montre lvolution des indices de performance annuels de ces instal-
lations. La moyenne annuelle de toutes les installations varie entre 0.6 et 0.7. Par contre, la
dispersion entre les indices de performance de chaque installation (pour une anne donne)
montre quil y a eu des problmes spcifiques pour les installations avec les indices de per-
formance les plus faibles.
Une inspection en dtails sur les installations avec lindice de performance infrieur 0.6 a
abouti quatre raisons spcifiques qui conduisaient la baisse de productivit. Ces problmes
sont :
- La dispersion en termes de puissance des modules installs
- Lombrage caus par des arbres et des btiments aux alentours
- La dfaillance des composants de cblage et de protection
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I.2-Contexte et objectif de ltude
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- La dfaillance complte ou partielle de londuleur
177 installations
Valeur moyenne annuelle
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Figure I-3 : Evolution des indices de performance annuels des 177 systmes PV rsidentiels installs pour le
1000-Roofs Photovoltaic Programme en Allemagne entre 1991 1994 [JAHN'04]
Quelle est alors la problmatique lie la productivit dune installation photovoltaque ?
La productivit dun systme PV peut tre amliore en rduisant le taux dindisponibilit et
en faisant fonctionner le systme une performance optimale.
Le taux dindisponibilit peut tre rduit en diminuant le nombre de dfaillance des com-
posants et en diminuant la dure de rparation pour ramener le systme en tat normal. La
premire solution peut tre atteinte en choisissant des composants de grande fiabilit pour
linstallation. Dans la seconde solution, un systme de diagnostic doit tre prsent pour identi-
fier le plus rapidement possible la cause de dfaillance (complte).
Quant la performance non optimale de linstallation PV qui est cause par la dfaillance
partielle des composants constituant linstallation, la dtection de ce genre de dfaillance nest
pas vidente. Un systme de monitoring classique consiste surveiller simplement quelques
grandeurs lectriques (courant, tension et puissance) de linstallation. Lanalyse a posteriori
de ces grandeurs permet dvaluer la performance de linstallation comme on peut le voir
dans lexemple de la Figure I-3. Bien que ce type danalyse permette didentifier (dune ma-
nire imprcise) la prsence danomalies dans la production de lnergie, elle ne permet pour-
tant pas de les dtecter immdiatement lors de leur apparition et laisse fonctionner le systme
avec une performance non optimale.
Pour toutes ces raisons, un systme de diagnostic plus sophistiqu est indispensable pour
dtecter et localiser des dfauts afin damliorer la productivit de linstallation PV.
I.2.2 Objectifs de ltude
Les travaux de cette thse font partie du projet DLDPV (Dtection et Localisation de D-
fauts dun Systme PV) financ par lANR (Lagence Nationale de la Recherche) et ayant
comme partenaires : G2ELAB, GSCOP, CEA-INES et Transnergie.
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Chapitre I
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I.2.2.1 Prsentation du projet DLDPV
Lobjectif du projet DLDPV est de proposer un systme intgr permettant de dtecter et
de localiser les dfauts dans des installations PV. Lide est de fournir un service aux uti-
lisateurs pour superviser et diagnostiquer leurs installations.
Par exemple, on souhaitera savoir quel module du parc PV est en dysfonctionnement ou
quelle connexion dans quelle bote de raccordement est dfaillante. Une approche plus avan-
ce consiste conduire le diagnostic ltat de linstallation en vue de sa maintenance. Par
exemple, on pourra connatre lusure dun connecteur, le desserrage dune vis ou encore d-
tecter la prsence de salissures sur les modules.
Lobjectif de ce projet est daller jusqu lintgration finale. Pour cela, il est prvu
dintgrer des modules de supervision communicants aux installations PV. Diffrents types
de communication seront envisags ; on s'intressera en particulier aux prometteuses techno-
logies WiMAX dont la porte est de plusieurs dizaines de kilomtres. Les donnes seront col-
lectes et analyses sur des centrales de supervision (dans le cas dun particulier, un ordina-
teur familial pourrait tre utilis).
Outre la ralisation d'un prototype, un dfi supplmentaire sera de rendre le systme le plus
gnrique possible pour quil soit indpendant de larchitecture de linstallation PV. Enfin,
comme nous lavons mentionn, le surcot financier dun tel dispositif ne devra pas excder
quelques pourcents du prix dune installation classique.
I.2.2.2 Objectif de la thse
Dans ce travail de thse, nous nous intressons spcifiquement la dtection et la localisa-
tion de dfauts ct DC du systme PV, cest--dire du ct gnrateur PV. Lobjectif de la
thse est de proposer, en prenant le moins de mesures possibles pour respecter les contraintes
conomiques, un algorithme pour dtecter et localiser des dfauts conduisant une baisse de
production.
I.3 Systme photovoltaque et ses dfauts
Avant de dvelopper un systme de diagnostic, un cahier de charge des dfauts dtecter
doit tre tabli. Lobjectif de cette partie est didentifier les principaux dfauts dont on sou-
haite faire le diagnostic. Pour effectuer cette identification, nous prsentons tout dabord les
diffrents composants dun systme PV et les dfauts associs ces composants.
I.3.1 Description dun systme photovoltaque
Le synoptique lectrique dun systme PV connect au rseau est illustr dans la Figure I-4
[ADEME'06]. Nous le dcrivons en considrant les diffrents composants suivants :
- Gnrateur PV : unit de production dnergie lectrique sous forme de courant
continu.
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I.3-Systme photovoltaque et ses dfauts
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- Convertisseur
- Cblage et bote de jonction
- Systme de protection : y compris la diode de bypass, diode anti-retour et les autres
dispositifs de sectionnement.
Sectionneur pour le string
Diode de bypass
Module PV
Connecteur
Cble unipolaire
Interrupteur sectionneur
proximit onduleur
Diode anti-retour
Bote de jonction
Groupe de
cellules
String PV
Cellule PV
~
~
Wh
Convertisseur
Vers le rseau

Figure I-4 : Synoptique lectrique dun systme PV connect au rseau [ADEME'06]
I.3.1.1 Gnrateur PV
Le gnrateur photovoltaque est lunit de production dnergie lectrique sous forme de
courant continu. Le composant lmentaire de cette unit qui convertit lnergie solaire en
lnergie lectrique est la cellule photovoltaque.
i) Cellule PV
Il existe un grand nombre de technologies permettant la fabrication de cellules photovol-
taques mais beaucoup sont encore en phase de recherche. La Figure I-5 donne lvolution
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historique de la rpartition des technologies industrialises [EPIA'11]. Les cellules actuelle-
ment industrialises en grande quantit sont produites partir de silicium (environ 80% en
2010 pour le silicium cristallin c-Si ). La technologie amorphe (a-Si) qui a t une des
technologies prfres a connu une baisse dans le march actuel par rapport la technologie
couche mince. Par exemple, le march de la technologie CdTe (Cadmium Telluride) a aug-
ment de 2% en 2005 13% en 2010. Une autre technologie de type couche mince comme
CIGS (Copper Indium Gallium Selenide) et les autres technologies mergeantes sont en voie
de se dvelopper.
P
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a
g
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[
%
]
Anne

Figure I-5 : Evolution de la rpartition des technologies de cellule industrialises [EPIA'11]
La tension gnre par une cellule photovoltaque est limite la valeur du gap du mat-
riau dont elle est issue. Elle est de lordre de 0.6 V pour les cellules de type cristallin et
amorphe. Pour le courant, il est en fonction de la surface de la cellule et pour une mme sur-
face, il dpend du rendement de la cellule. Le rendement des cellules monocristallines est de
l'ordre de 15 22%, tandis celui des cellules multi cristallines est de l'ordre de 10 15%.
ii) Module PV
La tension et le courant, donc la puissance, dune cellule ne sont pas adaptes aux applica-
tions courantes, il est donc ncessaire de les associer. De plus, les cellules photovoltaques
sont fragiles et sensibles lenvironnement extrieur, elles sont donc munies dune protection
mcanique (lencapsulation). Pour toutes ces raisons, les cellules sont assembles en modules
photovoltaques.
Les cellules sont gnralement connectes en srie dans les modules courants commercia-
liss. La mise en srie des cellules permet daugmenter la puissance. Le courant reste iden-
tique tandis que la tension est multiplie par le nombre de cellules en srie. Un module PV
classique contient 36 ou 72 cellules. Mais ce nombre de cellules peut varier selon les mo-
dules servant aux applications spcifiques. On peut trouver des modules de 40, 54, 60 ou
mme 92 cellules en srie [BP'11, KYOCERA'11, SUNPOWER'11]. La Figure I-6 montre un
module contenant 36 cellules interconnectes en srie.
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Diode de bypass Cellule PV Module PV
3 34 35 36 1 2 16 17 18 19 20 21

Figure I-6 : Mise en srie des cellules PV dans le module
Les cellules dans un module sont associes en plusieurs groupes. Chaque groupe est en-
suite connect en antiparallle avec une diode, appele diode de bypass ou diode de driva-
tion. Cette diode sert protger les cellules contre leur fonctionnement dans le rgime in-
verse. Nous discuterons en dtails ce rle de protection dans le chapitre 2.
On compte gnralement 18 cellules pour une diode de bypass. Par contre, ce nombre peut
varier selon les diffrents fabricants des modules. Par ailleurs, pour mieux protger les cel-
lules, la connexion de chaque cellule individuelle une diode de bypass a t galement pro-
pose [SURYANTO'86]. De plus, dautres architectures de connexion des diodes de bypass
dans le module, comme on peut le voir dans la Figure I-7, ont t galement proposes [DIAZ-
DORADO'10, SILVESTRE'09]. Mais ces propositions ne sont pas largement appliques du fait de
la difficult de fabrication.
3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 1 2
34 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 36 35
Diode de bypass Cellule PV Module PV

Figure I-7 : Module PV avec deux diodes de bypass qui se chevauchent (overlap)
iii) String PV
Un string PV, appel galement chane PV, est un ensemble de modules connects en srie
afin de gnrer la tension de sortie spcifie.
iv) Champ PV
Afin dobtenir des puissances de quelques kW, sous une tension convenable, il est nces-
saire de regrouper les modules en srie et en parallle. Ce groupement forme un champ pho-
tovoltaque.
Il existe plusieurs configurations possibles pour interconnecter les modules dans un champ
photovoltaque : connexion srie parallle simple, connexion Total Cross Tied, connexion
Bridge Linked [KAUSHIKA'03]. La Figure I-8 montre diffrentes configurations possibles pour
interconnecter les 36 modules dun champ photovoltaque. Il a t montr que les deux der-
nires configurations peuvent amliorer la performance du champ mais la viabilit cono-
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mique empche lutilisation de telles configurations [PICAULT'10]. Nous ne retenons donc
dans ce travail la connexion srie parallle simple.

(a) srie-parallle

(b) total cross tied

(c) bridge linked
Figure I-8 : Diffrentes configurations pour un champ de 36 modules
I.3.1.2 Convertisseur
Comme il a t mentionn ds le dbut du chapitre (cf. paragraphe I.2.1.1), le groupe con-
vertisseur a pour rle dextraire la puissance maximale du gnrateur PV et la convertir en
puissance alternative avant de linjecter dans le rseau. Pour accomplir ce rle, ce groupe de
convertisseurs est compos dun tage de hacheur suivi par un tage donduleur comme on
peut le voir dans Figure I-9.
~
~
Onduleur
P
DC2
P
AC
Hacheur
P
DC1

Figure I-9 : Diffrents tages du groupe convertisseurs de la chane de conversion photovoltaque
Le hacheur a pour rle dextraire la puissance maximale du gnrateur PV. Cest pourquoi
il est muni dun algorithme de recherche de type MPPT (Maximum Power Point Tracker). La
puissance maximale extraite est ensuite convertie en puissance alternative active par
londuleur.
i) Fonctionnement du MPPT
Un champ photovoltaque peut tre caractris par sa caractristique statique cou-
rant/tension, souvent appele caractristique I-V. Une telle caractristique dun champ PV en
fonctionnement normal est illustre dans la Figure I-10.
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0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
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50
100
150 I
V
Isc
Voc
puissance
IMPP
VMPP
MPP

Figure I-10 : Caractristique I-V dun champ PV en fonctionnement normal
Cette caractristique stend du point de tension de circuit ouvert (Voc) au point de courant
de court-circuit (Isc). Pendant lopration, le champ PV fonctionne normalement en point de
la puissance maximale (MPP). Le rle de MPPT est de faire fonctionner le gnrateur PV ce
point MPP.
De nombreux algorithmes de MPPT ont t proposs dans la littrature pour la recherche
du point MPP [ESRAM'07]. Ces algorithmes se diffrencient en termes de :
- Vitesse de convergence vers le point de MPP
- Capacit de trouver le vrai point de MPP
- Grandeurs mesures
- Implmentation
ii) Architecture du convertisseur
Comme il a t mentionn dans lobjectif de la thse (voir paragraphe I.2.2.2), seule la par-
tie DC est retenue dans ce travail. Nous ne nous intressons donc qu la partie en amont de
londuleur. Or, nous venons de montrer que le gnrateur PV nest pas un composant lmen-
taire. Il rsulte dun assemblage de plusieurs modules en srie parallle. Alors, o sont placs
les hacheurs dans la chane de conversion photovoltaque ? De nombreuses architectures dun
champ photovoltaque ont t proposes. Une tude bibliographique mene dans
[PICAULT'10] a permis didentifier six architectures principales qui peuvent encore classifies
en deux grandes topologies : topologie centrale et topologie modulaire.
Topologie centrale
Les topologies centrales dun systme PV connect au rseau sont illustres dans la Figure
I-11. Il existe trois architectures principales : onduleur central, onduleur string et onduleur
multi string.
Onduleur central : Larchitecture la plus rpandue de nos jours est le montage onduleur
central qui consiste utiliser un seul hacheur et un seul onduleur interfaant le gnrateur PV
avec le rseau lectrique. Cette architecture est trs attractive car elle est peu coteuse, simple
entretenir et surveiller. Par contre, lutilisation dun seul MPPT pour le champ entier ne
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rend pas optimale lextraction de puissance du champ ; en particulier lorsque celui-ci est par-
tiellement ombr.
Rseau 230 V/ 50 Hz
Onduleur
Central
Onduleur
String
Onduleur
Multi-String
Rseau 230 V/ 50 Hz
Onduleur
Central
Onduleur
String
Onduleur
Multi-String

Figure I-11 : Schma des topologies centrales dun systme PV connect au rseau
Onduleur string : Contrairement la topologie onduleur central , cette topologie utilise
un hacheur et un onduleur par string. Ceci a pour effet daugmenter le nombre de MPPT dans
le champ et permet une meilleure continuit de service par rapport au montage centralis, lors
dune dfaillance de londuleur par exemple. Cette topologie permet galement de mieux
dextraire la puissance maximale du gnrateur. Cependant, le cot global de linstallation
augmente et les rendements des onduleurs string sont faibles lorsque la ressource solaire est
diffuse.
Onduleur multi-string : Londuleur multi-string permet dutiliser un seul onduleur, tout en
conservant la possibilit dutiliser un MPPT par string en utilisant un hacheur par string.
Lintrt principal est de rduire le cot dinvestissement par rapport lutilisation
donduleurs string en regroupant linversion du courant en un seul lment. Par contre, la con-
tinuit de service et lvolutivit de ce montage sont rduites compte tenu du nud de puis-
sance cr par cet onduleur unique.
Topologie modulaire
Des systmes plus modulaires ont galement vu le jour pour se rapprocher au plus de la
source dnergie tels que les montages onduleur individuel (ou module AC), hacheur paral-
lle, et hacheur srie. Lavantage de ces architectures est de rduire limpact dun module
dfaillant sur le fonctionnement global du champ, ce qui permet toujours dextraire le maxi-
mum dnergie du champ PV. En contrepartie, lintroduction dlectronique de puissance
complexifie considrablement linstallation et la maintenance du systme.
Les topologies modulaires dun systme PV connect au rseau sont illustres dans la Fi-
gure I-12.
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Rseau 230 V/ 50 Hz
Onduleur
Individuel Hacheur Parallle Hacheur Srie
Rseau 230 V/ 50 Hz
Onduleur
Individuel Hacheur Parallle Hacheur Srie

Figure I-12 : Schma des topologies modulaires dun systme PV connect au rseau
Onduleur individuel : cette architecture permet directement au module de fournir de
lnergie au rseau.
Hacheur parallle : elle utilise un hacheur par module connect un bus continu de tension
plus leve (400 V), auquel est reli un onduleur.
Hacheur srie : elle utilise aussi un hacheur par module, mais ceux-ci sont connects en s-
rie afin daugmenter le rendement de conversion du hacheur. Les montages utilisant un ha-
cheur par module sont aussi appeles modules DC.
iii) Synthse
Comme il a t adress au dbut de ce paragraphe, seule la partie DC est retenue dans ce
travail de thse. Alors, selon larchitecture retenue pour linstallation photovoltaque, la partie
DC mentionne peut se rfrer un des diffrents niveaux : module, string ou champ.
I.3.1.3 Cblage et bote de jonction
La mise en srie de plusieurs modules pour constituer un string est assure par des cbles.
Pour minimiser les risques de dfaut la terre ou de court-circuit aprs linstallation,
lutilisation de cbles simple conducteur avec double isolation est fortement recommande
[PVPS'98].
Des connecteurs dbrochables peuvent tre utiliss pour simplifier la procdure
dinstallation. Ces connecteurs renforcent la protection contre les risques de choc lectrique.
Si le systme PV est constitu de plusieurs strings, une bote de jonction permet leur mise
en parallle. La bote de jonction peut contenir des lments de protection tels que des fu-
sibles, des interrupteurs et des sectionneurs.
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I.3.1.4 Systme de protection
Comme pour les autres centrales lectriques, il existe plusieurs sortes de protection pour
une installation photovoltaque : protection des intervenants, protection contre la foudre, pro-
tection du gnrateur PV. Du fait que notre travail de thse porte uniquement sur des dfauts
conduisant une baisse de production, nous ne nous intressons donc quaux composants
servant la protection du gnrateur PV.
i) Diode de bypass
Comme il a t expliqu dans le paragraphe prcdent (cf. paragraphe I.3.1.1ii), la diode de
bypass est connecte en antiparallle avec un groupe de cellules pour protger les cellules les
plus faibles contre la polarisation inverse. Nous discuterons en dtails ce rle de protection
dans le chapitre 2.
ii) Diode anti-retour
La tension produite par chaque string peut tre diffrente. Lors de la mise en parallle de
ces strings pour former un champ, le string avec la tension la plus faible peut absorber un cou-
rant inverse provenant des autres strings. Cela conduit donc une baisse de production et les
modules du string traverss par le courant inverse pourraient tre galement susceptibles de la
dfaillance. Pour viter ces courants inverses, une diode anti-retour est place au bout de
chaque string (voir Figure I-4).
Lutilisation de la diode anti-retour introduit pourtant une perte dans la production du fait
de la chute de tension cause par cette diode pendant le fonctionnement normal du champ PV.
De plus, ces diodes peuvent se mettre en dfaut et demandent par consquent un contrle r-
gulier.
Un fusible est parfois utilis la place de la diode anti-retour. Par contre, lutilisation du
fusible ne permet pas de protger le string contre le courant inverse. Le fusible doit tre di-
mensionn afin que les composants du string (module, cble, connecteur) puissent supporter
lintensit du courant inverse lorsque ce dernier existe.
Le choix de lun des deux composants rside donc sur la tolrance entre la perte en fonc-
tionnement normal (pour le cas dutilisation de la diode anti-retour) et la perte cause par le
courant inverse (lors de lutilisation du fusible).
I.3.2 Dfauts dans le systme photovoltaque
Nous avons dcrit dans la partie prcdente les diffrents principaux constituant une unit
de production dun systme PV. Nous dcrivons dans cette partie les diffrents dfauts et
anomalies associs ces composants.
Au cours de son fonctionnement, une installation PV peut tre ventuellement soumise
diffrents dfauts et conditions de fonctionnement anormales. Les dfauts et les anomalies
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I.4-Mthodes de diagnostic dun champ PV
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apparus varient dune installation une autre en fonction de sa conception, installation, opra-
tion et maintenance. Dans le cadre du projet DLDPV, les dfauts et anomalies principaux ont
t identifis grce au retour dexprience des partenaires industriels de ce projet
[TRANSENERGIE'08]. Cette liste a t confirme par des travaux identiques conduits par le
laboratoire NREL [KURTZ'09].
Une liste des origines de dfauts les plus frquents est montre dans lannexe A. Ce ta-
bleau a t tabli en considrant le type du dfaut, sa consquence principale, puis son degr
dimpact sur la production du systme ou criticit (1 faible, 2 moyen, 3 fort), son occurrence
(1 faible, 2 moyenne, 3 forte) ainsi que sa phase dorigine (C : Conception ; I : Installation ; E
: Exploitation).
Dans ce travail, nous ne retenons que les dfauts principaux. Le critre de slection de ces
dfauts repose sur le produit entre la criticit et loccurrence. Suite au retour dexprience de
Transnergie, les dfauts avec un score suprieur ou gal 3 ont t retenus et sont lists dans
le Tableau I-1. Cest pour le moment une simple liste de dfauts issue du critre que nous
avons retenu. Nous nallons pas chercher compltement discriminer ces dfauts. Nous ver-
rons dans le prochain chapitre la classification de ces natures de dfauts en grandes catgo-
ries. Ce sont ces dernires auxquelles nous allons nous intresser dans notre tude de diagnos-
tic.
TABLEAU I-1 : PRINCIPAUX DEFAUTS ET ANOMALIES RENCONTRES DANS UN GENERATEUR PV
Elments du gnrateur PV Origines de dfauts et danomalies
Gnrateur PV
- Feuilles d'arbre, djections, pollution, sable, neige etc.
- Dtrioration des cellules, fissure, chauffement des
cellules
- Pntration de l'humidit, dgradation des intercon-
nexions, corrosion des liaisons entre les cellules
- Modules de performances diffrentes
- Module arrach ou cass
- Modules court-circuits, modules inverss
Bote de jonction
- Rupture du circuit lectrique
- Court-circuit du circuit lectrique
- Destruction de la liaison
- Corrosion des connexions
Cblage et connecteur
- Circuit ouvert
- Court-circuit
- Mauvais cblage (module invers)
- Corrosion des contacts
- Rupture du circuit lectrique
Diode de protection (diode de
bypass et diode anti-retour)
- Destruction des diodes
- Absence ou non fonctionnement de diodes
- Inversion de la polarit des diodes au montage, diode
mal connecte

I.4 Mthodes de diagnostic dun champ PV
Dans la partie prcdente, les principaux dfauts ont t retenus partir de la liste des d-
fauts les plus frquents en se fondant sur leur criticit et occurrence. Dans cette partie, nous
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Chapitre I
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montrons les mthodes de diagnostic existantes, mme si lintgralit des dfauts retenus ny
est pas prise en compte.
Lors de la recherche des mthodes de diagnostic, il faut diffrencier ses deux fonctions : la
dtection et la localisation. Certaines mthodes utilises ou proposes effectuent uniquement
la fonction de dtection. Tandis que certaines autres effectuent la fonction de localisation
aprs que la dtection de dfauts a t ralise. Quelques fonctionnalits sont aussi prises en
compte telles que la finesse de diagnostic, les mesures ncessaires et la capacit de diagnosti-
quer en ligne.
Ltude bibliographique de la mthode de diagnostic se focalise sur deux axes : des m-
thodes courantes industrialises et des mthodes proposes dans la littrature. La proposition
dune nouvelle mthode est prsente la fin de cette partie.
I.4.1 Mthodes de diagnostic courantes industrialises
On peut distinguer deux catgories de mthodes de diagnostic courantes industrialises :
des mthodes reposant sur lanalyse du courant et de la tension (que nous appellerons m-
thodes lectriques) et des mthodes reposant sur lanalyse dautres grandeurs que I et V (que
nous appellerons mthodes non-lectriques).
I.4.1.1 Mthodes non-lectriques
Il existe plusieurs mthodes non-lectriques, destructives ou non destructives, pour dia-
gnostiquer le dfaut au niveau de cellule PV. Le dfaut principal qui peut avoir lieu ce ni-
veau est la fissure de la cellule. On peut citer comme mthodes : les essais mcaniques de
flexion, limagerie par photoluminescence et lectroluminescence, tests de thermographie
[ALERS'11, DALLAS'07].
Au niveau du module PV, la mthode de limagerie dinfrarouge (camra thermique) est
largement applique. Cette mthode repose sur le fait que tous les matriels mettent un
rayonnement infrarouge sur une plage de longueur donde qui dpend de la temprature du
matriau. En examinant la distribution de la temprature au niveau du module, des anomalies
(si elles ont lieu) peuvent tre localises.

(a) cellule court-circuite

(b) corrosion dans la bote de jonction
Figure I-13 : Quelques exemples de la localisation de dfauts par la camra thermique
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Quelques succs de la localisation de dfauts utilisant la camra thermique ont t repor-
ts : courant de fuite dans la cellule, augmentation de la rsistance de la connectique entre les
cellules, chauffement anormal des cellules, conduction de la diode de bypass [KING'00].
Cette mthode peut tre galement applique pour les connectiques dans la bote de jonction,
la fonctionnalit de la diode anti-retour.
I.4.1.2 Mthodes lectriques
Les systmes de monitoring actuels dun systme PV sont essentiellement intgrs aux on-
duleurs. Dans ce cadre, les donnes mesures sont souvent les mmes dun systme lautre.
Les grandeurs mesures les plus courantes sont :
- Le courant dbit par le champ PV
- La tension aux bornes du champ PV
- La rsistance disolement entre les bornes positive et ngative du champ PV
Il est aussi possible dajouter les grandeurs complmentaires que sont la temprature am-
biante du site et lensoleillement aux mesures lectriques. Ces donnes ncessitent un capteur
spcifique (sonde de temprature et cellule de rfrence). Il convient, dans le cas o ces gran-
deurs sont ncessaires, de les traiter laide dun automate spcifique. Cet automate est reli
londuleur et centralise la totalit des donnes afin de les enregistrer et/ou de les envoyer sur
un serveur distant.
Les mesures du ct AC sont plus importantes en nombre car directement lies lnergie
qui sera vendue. Il est courant de relever :
- Le courant AC
- La tension AC
- La frquence
- Limpdance du rseau vue par londuleur
Des mesures dcrites dans les deux paragraphes prcdents, il est ais de dduire :
- La puissance instantane DC
- La puissance instantane AC
- Lnergie produite sur diffrentes priodes (suivant la capacit de stockage des
donnes) cts DC et AC
Ces donnes sont calcules directement par le microcontrleur embarqu dans londuleur
ou par lautomate associ. On y ajoute souvent :
- La dure de fonctionnement de londuleur
- La date de mise en service
- Le CO2 non rejet dans latmosphre ( conomis )
- Les alertes de dfaillance du systme (principalement les dfauts disolement)
On voit que les produits existants offrent des fonctions pour lexploitation dune centrale
(exploitation limite de la mesure du productible). Les informations peuvent tre traites
localement ou distance, sur une ou plusieurs installations.
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En termes de diagnostic pour de la maintenance prventive ou curative, il existe trs peu
dinformations et de fonctionnalits. Au mieux, seule une mesure tension/courant string par
string permet didentifier un ventuel dsquilibre de production et/ou une dfaillance dun
onduleur.
I.4.2 Mthodes dans la littrature
De nombreuses mthodes de diagnostic ont t proposes pour dtecter et localiser les d-
fauts dans un systme PV. Nous rsumons dans cette partie les diffrentes mthodes propo-
ses.
I.4.2.1 Mthode de rflectomtrie
La mthode de rflectomtrie est une mthode de diagnostic qui consiste envoyer un si-
gnal dans le systme ou le milieu diagnostiquer. Ce signal se propage selon la loi de propa-
gation du milieu tudi et lorsquil rencontre une discontinuit, une partie de son nergie est
renvoye vers le point dinjection. Lanalyse du signal rflchi permet de dduire des infor-
mations sur le systme ou le milieu considr. Cette mthode a t galement applique pour
dtecter le dfaut dans un string photovoltaque [SCHIRONE'94, TAKASHIMA'09].
Signal inject (impulsion ou chelon)
Rponse du string PV
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Module
PV
Module
PV
Module
PV
Module
PV

Figure I-14 : Principe de la rflectomtrie pour localiser le dfaut dans un string PV
Un signal de type dchelon ou dimpulsion est inject dans le string PV qui consiste en
une srie de modules connects par des cbles. Ltude exprimentale mene par
[SCHIRONE'94, TAKASHIMA'09] a confirm la possibilit de localiser la position de dfaut de
type circuit ouvert , court-circuit et augmentation dimpdance dans le string.
I.4.2.2 Analyse de la puissance et de lnergie produite
Dune manire similaire la mthode utilise par les onduleurs commerciaux, de nom-
breuses tudes dans la littrature reposent sur lanalyse de la puissance et de lnergie pro-
duite par le champ PV pour faire la dtection et la localisation de dfauts qui y sont apparus.
La puissance ou lnergie actuelle (mesure) est compare celle attendue et lorsquune d-
viation importante a lieu, on considre quil y a un dfaut. Par contre, une meilleure localisa-
tion de dfauts peut tre accomplie dans ces travaux grce une analyse plus approfondie sur
les grandeurs mesures. Lanalyse mentionne consiste gnrer des attributs supplmen-
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taires de la chute de la puissance ou de lnergie produite telles que : la dure, lamplitude, la
frquence et les instants de la chute. Ces mmes attributs sont galement prdtermins pour
les diffrents dfauts considrs. Lors de leur comparaison, le dfaut dont la valeur des attri-
buts considrs est la plus proche de celle dduite des grandeurs mesures est considr
comme le dfaut responsable de la chute.
Dans les travaux de [CHAO'08], lamplitude de la chute de la puissance produite a t va-
lue. Selon lamplitude de la chute et la condition de fonctionnement correspondant (ensoleil-
lement et temprature), le nombre de strings et le nombre de modules par string tant en d-
fauts peut alors tre dtect.
Dans ltude mene par [DREWS'07, STETTLER'05], les attributs supplmentaires de la
chute de lnergie ont t analyss. Ces attributs sont lamplitude, la dure et linstant de la
chute de lnergie. Cette analyse permet de distinguer quatre familles de dfauts :
- pertes constantes dnergie : dgradation, salissure, module dfectueux, string d-
fectueux
- pertes variables dnergie : ombrage, temprature leve, chauffement de
londuleur, erreur de MPPT
- pertes totales : onduleur dfectueux, dfaillance du systme de contrle
- couverture par la neige
Les travaux mens par [FIRTH'10] se fondent sur le mme principe que le cas prcdent,
par contre, diffrentes catgories de dfauts ont t considres. Ce sont :
- dfauts prolongs avec rendement nul : dfaillance des composants, systme d-
connect (longue dure)
- dfauts brefs avec rendement nul : dconnexion temporaire de londuleur, systme
dconnect (courte dure)
- dfauts dombrage : ombrage
- dfauts avec rendement non nul et pas dombrage : erreur de MPPT, autres dfauts
I.4.2.3 Analyse du point de fonctionnement
Outre la comparaison de la puissance ou de lnergie produite actuelle et celle attendue, la
comparaison du point de la puissance maximale actuel (courant et tension correspondant la
puissance maximale) et celui attendu peut apporter plus dinformation sur ltat du systme
PV [CHOUDER'10].
La comparaison relationnelle entre ces courants et entre ces tensions donne deux couples
de valeur binaire (0 ou 1). Suivant la combinaison de ces deux couples, la nature des pro-
blmes du champ PV peut tre identifie. Les quatre familles de problmes sont les sui-
vantes :
- modules dfectueux dans un string
- string dfectueux
- famille de dfauts non discriminables : ombrage, erreur de MPPT, vieillissement
- fausses alarmes
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I.4.2.4 Analyse de la caractristique statistique
Nous avons vu prcdemment (cf. paragraphe I.3.1.2i) quun champ photovoltaque peut
tre dcrit par sa caractristique statique courant/tension (caractristique I-V). La modifica-
tion dune telle caractristique peut tre espre lorsque quil y a un changement de ltat du
champ PV provoqu par un changement de la condition de fonctionnement (ensoleillement et
temprature) ou par une apparition dun ou de dfauts dans le champ. La Figure I-15 montre
lallure dune caractristique I-V dun champ PV en fonctionnement dfaillant (ombrage sur
des cellules) compare avec celle en fonctionnement normal.
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
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Normal
Dfaut
I
V

Figure I-15 : Allure dune caractristique I-V dun champ PV en fonctionnement dfaillant
En exploitant des informations de la caractristique I-V du champ PV (en dfaut), la dtec-
tion et la localisation de dfauts peuvent tre ralises. Une telle analyse a t trouve dans
quelques tudes dans la littrature :
- La drive du courant par rapport la tension (dI/dV) tout au long de la caractris-
tique permet de dtecter le dfaut dombrage dans un string ou dans un champ
[MISHINA'02, MIWA'06].
- Lextraction des paramtres (rsistance srie, temprature de fonctionnement au
STC Conditions de Test Standard, point de puissance maximale au STC) permet
de dtecter le dfaut dans un module ou dans un string (augmentation de la rsis-
tance srie entre cellules ou entre modules, vieillissement) [SERA'08].
Lutilisation de la caractristique I-V pour dtecter et localiser les dfauts a t mene dans
trs peu de travaux. Par contre, lanalyse dans le sens inverse a t effectue par de nom-
breuses tudes. Une telle analyse consiste tudier limpact des diffrents dfauts (dans la
cellule, module, string et champ) sur la performance du champ PV, donc sur la caractristique
I-V de celui-ci. Le Tableau I-2 rsume les diffrents travaux portant sur lanalyse de la per-
formance dun champ PV, via sa caractristique I-V, face aux diffrents types de dfauts.
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TABLEAU I-2 : DIFFERENTS TYPES DE DEFAUTS ANALYSES PAR LA CARACTERISTIQUE I-V
Dfauts Niveau du systme Rfrence
Augmentation de la rsistance
srie
Module [VAN DYK'04]
Diminution de la rsistance
shunt
Module [MEYER'05]
Mismatch
Module
[ALONSO-GARCA'06a,
WILSON'06]
Champ [KAUSHIKA'03, PATEL'08]
Ombrage
Module
[ALONSO-GARCA'06b,
KAWAMURA'03,
SILVESTRE'08]
String/Champ [KAUSHIKA'03, PATEL'08]
Connexion (court-circuit, circuit
ouvert, courant de fuite)
Champ [STELLBOGEN'93]

I.4.2.5 Synthse
Les diffrentes mthodes de diagnostic dun champ photovoltaque (couramment industria-
lises ou non) avec leurs fonctionnalits sont rsumes dans le Tableau I-3.
TABLEAU I-3 : COMPARAISON DES DIFFERENTES METHODES DE DLD
Mthodes Dfauts Mesures
Capacit
de DLD
Online/
offline
Finesse de
diagnostic
Mthodes non-
lectriques
- Fissure de la cellule Image Loca. Offline Cellule
Imagerie infra
rouge
- Courant de fuite
- Augmentation de la rsis-
tance de la connectique
- Echauffement anormal des
cellules, des modules
- Dysfonctionnement de la
diode (bypass et anti-retour)
Image Loca.
Online +
intervenant
Cellule
Module
String
Champ
Mthode de
rflectomtrie
- Circuit ouvert
- Court-circuit
- Augmentation de
limpdance de la connectique
Signal
rflchi
Loca. Offline String
Analyse de la
puissance et de
lnergie
- Familles de dfauts non
discriminables (voir para-
graphe I.4.2.2)
I
AC
, V
AC
,
G, T
Dtec.
Loca.
Online Champ
Analyse du
point de fonc-
tionnement
- Modules dfectueux
- Strings dfectueux
- Dfauts non discriminables
entre (ombrage, vieillisse-
ment, erreur de MPPT)
- Fausses alarmes
I
AC
, V
AC
,
G, T
Dtec.
Loca.
Online Champ
Analyse de la
caractristique
statique
- Voir Tableau I-2
I-V com-
plte
Dtec.
Loca.
Offline
Module
String
Champ
Abrviations : Dtec.=Dtection ; Loca.=Localisation ; I
AC
=Courant ct AC ; V
AC
=Tension ct AC ;
G=Ensoleillement ; T=Temprature
Les diffrentes mthodes non-lectriques offrent la possibilit de localiser trs finement le
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dfaut dune cellule. Par contre, il est savoir que ces mthodes sont gnralement appliques
dans la phase de dveloppement des cellules, ou pour le test de qualification ou encore plus
pour un diagnostic plus approfondi pour des modules dfectueux en fonctionnement.
Il est possible, grce la mthode de limagerie dinfrarouge, de localiser prcisment le
lieu o apparaissent les dfauts dans des diffrents niveaux du systme (module, string,
champ), elle ne permet pourtant pas didentifier la nature de dfauts. En plus, une telle inter-
vention ne sera envisage quaprs lapparition dun dfaut avre. Ceci revient dire quil
est impossible dautomatiser le processus de diagnostic qui ncessite lintervention dun tiers.
La mthode de rflectomtrie est limite en nombre de dfauts localisables (court-circuit,
circuit ouvert, augmentation de limpdance du cble/connectique). De plus, une telle inter-
vention (injection du signal dans le string) ncessite une interruption du systme et lanalyse
du signal de retour ncessite galement un traitement du signal bien sophistiqu.
La mthode de diagnostic reposant sur lanalyse de la puissance et de lnergie produite
offre la possibilit de dtecter automatiquement la prsence dun dfaut sans interrompre le
systme. Cependant, seule la famille de dfauts peut tre dtecte. Il savre impossible de
discriminer les dfauts dans une mme famille. En plus, une telle mthode sapplique uni-
quement pour un champ PV et non pas pour un string ou module.
Lanalyse du point de fonctionnement offre un atout supplmentaire par rapport lanalyse
de la puissance ou de lnergie produite. Grce cette analyse, il est possible didentifier le
niveau du systme (module ou string) qui est en dysfonctionnement. Par contre, il est impos-
sible didentifier la nature des dfauts apparus.
Ltude bibliographique a montr que de nombreuses tudes ont port sur lvaluation de
limpact des diffrents dfauts par lanalyse de la caractristique I-V rsultante. Par contre,
lutilisation dune telle caractristique pour remonter la nature des dfauts nest pas large-
ment rpandue. Deux raisons principales peuvent tre cites comme barrire lapplication
dune telle mthode pour faire le diagnostic : la difficult dobtention enligne de la caractris-
tique complte I-V et la manque dune base de donnes pertinente sur les causalits d-
fauts/caractristiques I-V.
Le premier verrou repose sur le fait que londuleur (voir Figure I-9) qui convertit la puis-
sance continue en puissance alternative nautorise lvolution de son entre que sur une plage
limite de tension qui est comprise entre 150V et 450V pour un onduleur connect au rseau
230V. Or, lobtention de la caractristique I-V complte consiste dplacer le point de fonc-
tionnement du gnrateur PV du point de la tension de circuit ouvert jusquau point du cou-
rant de court-circuit (voir Figure I-10). Ceci entranera une dconnexion de londuleur de la
chane de conversion du systme PV. Toutefois, une dure minimum est tolre pour le fonc-
tionnement hors zone admissible de londuleur. Quelques tudes exprimentales ont t me-
nes pour confirmer cette possibilit [BARRUEL'10, WANG'10].
Il ne reste donc que la deuxime barrire lever qui consiste tablir dune manire perti-
nente une relation causale entre les principaux dfauts considrs et la caractristique rsul-
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tante, donc entre les dfauts et les symptmes ventuellement apparus. Il existe donc une po-
tentialit dans lanalyse de la caractristique I-V pour faire le diagnostic de dfauts dans un
champ PV.
Il est rappeler que le dispositif de diagnostic que nous allons proposer doit respecter les
contraintes de cot qui imposent le nombre de mesures et les contraintes dimplmentation
qui font que le dispositif propos doit tre intgr dans la chane photovoltaque. Or, nous
venons de montrer que les dfauts dans un champ PV peuvent tre dcrits par sa caractris-
tique I-V et que cette dernire peut tre obtenue en ligne. Etant donnes ces contraintes et ces
facteurs favorisants, nous nous orientons notre tude en nous fondant sur lanalyse de la ca-
ractristique I-V pour faire la dtection et la localisation de dfauts. Une approche de diagnos-
tic doit tre choisie pour faire cette analyse et cest ainsi lobjectif de la partie suivante.
I.4.3 Choix de lapproche de diagnostic
I.4.3.1 Diffrentes approches thoriques de diagnostic
Dune manire gnrale la dtection et localisation de dfauts pour la surveillance des sys-
tmes ncessitent dobtenir des symptmes caractristiques du fonctionnement du procd
surveill et des les analyser pour en dduire ltat du systme. Ltablissement des symp-
tmes se fait toujours en rfrence la connaissance du comportement sain dont on dispose.
La forme (bruit, couleur, temprature, grandeurs lectrique etc.) et la mthode de gnration
des symptmes sont tributaires de la forme prise par cette connaissance.
La classification des mthodes de diagnostic se fait gnralement en fonction de la forme
prise par la connaissance et, bien entendu, en fonction de la mthode danalyse qui en d-
coule. Les grandes familles de mthodes de diagnostic sont prsentes dans la Figure I-16.
Redondance
matrielle
Mthodes de
diagnostic
Redondance
analytique
Base de
connaissance
Classification
Infrence
Traitement du
signal

Figure I-16 : Diffrentes mthodes de diagnostic [RAISON'00]
La mthode de redondance matrielle consiste utiliser plusieurs composants (capteurs,
actionneurs, gnrateurs etc.) identiques pour exercer une mme fonction. Lorsquun cart
existe entre les sorties de ces composants, celui qui est dfectueux peut tre facilement identi-
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fi. Dans lapplication photovoltaque, cette mthode est utilise, dans certains onduleurs,
pour identifier le string le plus faible (voir paragraphe I.4.1.2). Il nest pourtant pas possible
didentifier la nature de dfauts.
La mthode de redondance analytique consiste dduire ltat du systme (processus) sur-
veill partir de mesures (grandeur entres/sorties) sur le systme lui-mme. Cette mthode
requiert un modle, gnralement de type modle dtat, qui peut reprsenter le systme sur-
veill. Or, comme nous lavons dj vu, le systme PV est compos de diffrents composants
de natures diffrentes. La construction du modle dtat dun tel systme est complique et
voire impossible faire. La mthode de redondance analytique nest donc pas approprie pour
le diagnostic de dfauts dun champ PV.
La mthode de diagnostic base de connaissance peut tre encore divise en trois grandes
familles : la mthode de traitement du signal, la mthode de classification et la mthode
dinfrence. La mthode de traitement du signal repose sur lextraction des symptmes par-
tir du signal mesur. Les techniques dextraction couramment utilises sont la dmodulation,
filtrage, FFT, analyse de londelette etc. Nanmoins, cette technique dextraction ne peut tre
applique que pour les signaux qui se rptent dans le temps tels que le courant, la tension, la
vibration, londe acoustique etc. Or, la caractristique I-V sur laquelle nous voulons faire
lanalyse est le signal du type instantan quil ny a pas dvolution dans le temps.
Il ne reste donc que deux mthodes choisir entre la mthode de classification et la m-
thode dinfrence. Le choix dune de ces mthodes dpend de la connaissance quon a sur la
relation entre les dfauts et les symptmes [ISERMANN'06]. Si aucune connaissance structu-
relle nest acquise, la mthode de classification est slectionne. Dans le cas contraire, la m-
thode dinfrence est choisie. Or, nous avons montr dans la partie prcdente (cf. paragraphe
I.4.2.5) quil existe une causalit entre dfauts et les symptmes prsents dans la caractris-
tique I-V. Par consquent, la mthode dinfrence est choisie pour faire la dtection et la loca-
lisation de dfauts dun champ photovoltaque.
I.4.3.2 Diagnostic par la mthode dinfrence
La mthode de diagnostic base dinfrence peut tre dcompose en trois tapes princi-
pales comme on peut voir dans la Figure I-17 [ISERMANN'06].
tablissement dune
base de connaissance
tablissement du
tableau dinfrence
Gnration des
symptmes

Figure I-17 : Diffrentes tapes de diagnostic par la mthode dinfrence
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I.5-Conclusion
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La toute premire tape de cette mthode dinfrence consiste tablir une base de con-
naissance sur la relation entre les dfauts dfinis et les symptmes apparus. Ltape suivante
est de gnrer analytiquement les symptmes potentiels identifis partir de la base de con-
naissance tablie. La dernire tape consiste tablir le tableau dinfrence (ou tableau de
signatures de dfauts) afin danalyser ensuite la capacit de diagnostic.
I.5 Conclusion
Dans ce chapitre, le contexte de ltude a t dabord prsent et toutes les problmatiques
autour de la productivit dune installation photovoltaque ont t discutes. Le retour
dexprience sur des installations PV oprationnelles a montr quun systme de monitoring
classique est un atout dans lamlioration de la productivit de ces installations. Un systme
de dtection et de localisation est donc indispensable.
Dans le cadre du projet ANR DLDPV, cette thse sest concentre sur la dtection et la lo-
calisation de dfauts dans la partie DC du systme PV. Ltude bibliographique sur les diff-
rentes topologies dinterface entre la partie DC et la partie AC a t galement mene. Suivant
la topologie retenue pour linstallation, la partie DC mentionne peut se rfrer un des diff-
rents niveaux : module, string ou champ.
Les principaux dfauts dans la partie DC du gnrateur ont t retenus partir dune liste
de dfauts les plus frquents, tablie par le retour dexprience des partenaires du projet. Ces
principaux dfauts ont t classs selon les diffrents composants du systme PV :
- Dfauts dans le gnrateur PV
- Dfauts dans la bote de jonction
- Dfauts dans le cblage et la connectique
- Dfauts dans le systme de protection
Un tat de lart sur les diffrentes mthodes de diagnostic de dfauts dun champ PV a t
tabli. Parmi les mthodes courantes industrialises et proposes dans la littrature, la m-
thode reposant sur lanalyse de la caractristique statistique I-V a montr une potentialit
prometteuse.
Ltude sur les diffrentes mthodes de diagnostic a t galement mene afin de choisir
une mthode la plus adapte pour analyser la caractristique I-V. La mthode dinfrence a
t considre comme une mthode la plus adapte. Daprs cette mthode, une des premires
tapes consiste tablir une base de connaissance des diffrents comportements du champ PV
pour les dfauts considrs et cest ce que nous aborderons dans le prochain chapitre.
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Chapitre II
Modlisation dun champ PV en fonctionne-
ments normal et dfaillant
Sommaire

II.1 Introduction ....................................................................................................................... 32
II.2 Dmarche scientifique de llaboration du modle dun champ PV ................................. 32
II.2.1 tat de lart sur les outils de simulation dun champ PV ........................................... 33
II.2.2 Dmarche de modlisation propose ......................................................................... 34
II.3 Rappels sur le fonctionnement dune cellule PV ............................................................... 35
II.3.1 Caractristique lectrique dune cellule PV ............................................................... 35
II.3.2 Modle dune cellule PV ........................................................................................... 36
II.3.3 Rsolution du modle de la cellule ............................................................................ 38
II.4 Modlisation dun champ PV en fonctionnement sain ...................................................... 39
II.4.1 Configuration retenue ................................................................................................ 39
II.4.2 Adaptation de la dmarche propose ......................................................................... 40
II.4.3 Une petite application numrique .............................................................................. 41
II.4.4 Synthse ..................................................................................................................... 42
II.5 Modlisation en fonctionnement dfaillant dun champ PV ............................................. 42
II.5.1 Classification des dfauts pour la modlisation ......................................................... 42
II.5.2 Modlisation des diffrents dfauts ........................................................................... 43
II.6 Validation exprimentale du modle ................................................................................. 58
II.6.1 Description de la plateforme dexprimentation........................................................ 58
II.6.2 Identification des paramtres du modle ................................................................... 59
II.6.3 Comparaison des rsultats exprimentaux et de simulation ...................................... 60
II.7 Conclusions ....................................................................................................................... 61

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Chapitre II
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II.1 Introduction
Nous avons constat dans le chapitre 1 que la caractristique I-V dun champ PV possdait
la capacit de fournir des informations sur ltat de celui-ci. Pour analyser ce potentiel, une
connaissance des diffrents comportements du champ PV pour les dfauts considrs dans le
tableau I-1 (Cf. Chapitre 1) est indispensable. La mthode directe pour obtenir ces comporte-
ments consiste crer physiquement les dfauts considrs dans un champ PV rel et enre-
gistrer le comportement du champ rsultant. Cette mthode nest pas conomiquement fai-
sable, peu reproductible et exige beaucoup defforts et de matriels. Une solution alternative
consiste avoir recours un outil de simulation.
Lobjectif de ce chapitre est de concevoir un modle dun champ PV dfaillant qui permet
dobtenir la caractristique I-V une condition de fonctionnement donne (ensoleillement et
temprature) pour un dfaut quelconque et pour une configuration quelconque du systme PV
(module, string ou champ). Le dfaut lentre du modle peut tre un dfaut simple ou plu-
sieurs dfauts accumuls. Le synoptique du modle souhait est montr dans la Figure II-1.
MODELE DU
CHAMP PV
Dfauts
Configuration
(module/string/champ)
I
V
Enso. & Temp

Figure II-1 : Synoptique du modle dun champ PV
Dans ce chapitre, nous prsentons tout dabord les diffrents outils de simulation existants
qui permettent dobtenir la caractristique I-V dun champ PV et puis la dmarche de modli-
sation propose dans le cadre de notre dtude. Un rappel sur le fonctionnement dune cellule
PV qui est llment de base constituant le champ est galement abord. Ensuite, nous dcri-
vons la modlisation dun champ PV en fonctionnement sain et puis en dfaut. Pour valider la
dmarche de modlisation propose, certains dfauts considrs ont t raliss dans un
champ PV rel et les caractristiques mesures ont t enregistres pour ensuite les comparer
avec celles issues de la modlisation.
II.2 Dmarche scientifique de llaboration du modle dun
champ PV
Dans cette partie, nous rappelons dabord les diffrents outils existants qui permettent
dobtenir la caractristique I-V dun champ PV. Nous dcrivons ensuite la dmarche de mo-
dlisation propose dans notre cadre dtude.
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II.2-Dmarche scientifique de llaboration du modle dun champ PV
-33-
II.2.1 tat de lart sur les outils de simulation dun champ PV
Il existe nombreux outils de simulation, de caractre commercial ou non, qui sont capables
de simuler le comportement dun champ PV. Ces outils peuvent tre classifis en trois
grandes catgories.
La premire catgorie est ddie la simulation dun systme lectronique ou dun sys-
tme de puissance en gnral, tels que Simscape de MATLAB ou PSIM. Dans ces outils, le
modle dune cellule PV peut tre cr partir dun arrangement des composants de base
(diode, rsistance) [KUEI-HSIANG'08, VEERACHARY'06]. Ce modle de la cellule est dupli-
qu pour avoir le nombre souhait de cellules, qui sont ensuite interconnectes pour constituer
lapplication tudie.
La deuxime famille doutils de simulation est celle ddie spcifiquement lapplication
photovoltaque, tels que PVSyst, Solar Pro, PVCad, PVSIM, SPYCE, RETScreen etc. Cepen-
dant, la plupart dentre eux est ddie la simulation dun champ PV en fonctionnement
normal convenable pour divers objectifs tels que le dimensionnement, lanalyse de la produc-
tion, lvaluation conomique etc [ZEHNER'01]. Quelques uns permettent pourtant la simula-
tion dun champ PV en fonctionnement dfaillant et que nous rappelons dans le Tableau II-1.
La dernire famille doutils de simulation est celle dveloppe spcifiquement pour simu-
ler le comportement dun champ PV. Deux approches ont t proposes dans la littrature
pour dterminer la caractristique I-V dun champ PV en fonctionnement dfaillant. La pre-
mire approche consiste crire les quations de tension et de courant pour toutes les mailles
formes par linterconnexion des diffrents composants du champ et les rsoudre pour trouver
des points de fonctionnement. La deuxime approche consiste faire une addition conscu-
tive des caractristiques des cellules, modules, strings et champs.
Les comportements dun champ PV pour certains dfauts ont t examins utilisant diff-
rents outils et approches dcrits prcdemment. Une synthse rapide de travaux trouvs dans
la littrature est prsente dans le Tableau II-1.
TABLEAU II-1 : RESUME DE DIFFERENTS OUTILS DE SIMULATION DUN CHAMP PV EN FONCTIONNEMENT DEFAIL-
LANT
Type de dfauts Mthode de rsolution Rfrences
Ombrage
PVSyst [MERMOUD'10]
Addition des caractristiques I-V
[PATEL'08]
[KAWAMURA'03]
[SILVESTRE'08]
Rsolution des quations de mailles [QUASCHNING'96]
Mismatch
PVSIM
[VAN DYK'04]
[KING'96]
Addition des caractristiques I-V [BISHOP'88]
Problme de connexion entre
cellules et entre modules
Rsolution des quations de mailles [STELLBOGEN'93]
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Chapitre II
-34-
Aucun travail ne considre la totalit des dfauts considrs dans le chapitre 1. Pour tablir
une base de donnes des comportements dun champ PV en dfaut, un nouvel outil de simula-
tion sera donc ncessaire. Cette base peut tre ralise en adaptant un des outils existants.
Bien que les outils de la premire famille offrent la possibilit de simuler un champ PV en
dfaut, il savre fastidieux, dans le cas de champs PV, dassocier des composants pour mod-
liser un dfaut quelconque. Les outils de la deuxime famille sont restreints par
limpossibilit de modifier le modle quils utilisent et leurs paramtres. Lapproche reposant
sur la rsolution des quations de mailles parat inadapte car le nombre dquations en jeu
deviendra explosif mesure que la dimension du champ augmente. Il ne reste donc que
lapproche daddition des caractristiques I-V. Nous utilisons cette dernire pour tablir un
nouvel outil permettant de simuler le comportement dun champ PV pour les diffrents d-
fauts considrs dans le chapitre 1.
II.2.2 Dmarche de modlisation propose
Il est rappeler que lobjectif de la modlisation des fins de diagnostic nest pas
dobtenir un modle gnrique reprsentant un champ PV en fonctionnement dfaillant, mais
dobtenir la caractristique I-V dun champ PV pour un dfaut quelconque.
La dmarche propose, reposant sur lapproche dadditions des caractristiques I-V pour
obtenir le comportement dun champ PV pour un dfaut quelconque, est illustre dans la Fi-
gure II-2.
Dfauts
Caractristique I-V des
groupes de cellules PV
cellules PV
modules PV
strings PV
Caractristique I-V du
champ PV
Dfauts
Dfauts
Dfauts
Somme arithmtique
Somme arithmtique
Somme arithmtique
Somme arithmtique
Dfauts

Figure II-2 : Dmarche de modlisation dun champ PV en fonctionnement dfaillant
Sachant que les cellules PV sont les composants lmentaires du champ et que certains d-
fauts peuvent avoir lieu au niveau de ces cellules (voir chapitre 1), nous dmarrons notre d-
marche dobtention de la caractristique I-V du champ en partant de la caractristique des
cellules. Suivant larchitecture des composants constituant un champ PV, la dmarche est
prsente dans la Figure II-2. Dans cette dmarche, une tape spcifique est ddie la d-
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II.3-Rappels sur le fonctionnement dune cellule PV
-35-
termination de la caractristique dun groupe de cellules bien que ce terme napparaisse pas
comme un terme standard dans la littrature. Cette tape est pourtant importante car ce groupe
de cellule est protg par une diode de bypass qui y est intgre et peut modifier alors le com-
portement du module.
Seule la caractristique I-V des cellules est obtenue grce au modle gnrique propos
dans la littrature, que nous rappelons au paragraphe II.3. Le passage de la caractristique I-V
du composant dune tape la suivante est ralis en faisant la somme arithmtique simple de
la grandeur approprie, courant ou tension, suivant la configuration (mise en srie ou en pa-
rallle) des composants qui constituent le composant considr suivant. Avant de faire le pas-
sage dune tape lautre, la caractristique I-V de ltape prcdente doit tre modifie en
tenant compte du ou des dfauts qui y interviennent.
En rsum, il apparat deux tches principales accomplir selon cette mthode. La pre-
mire consiste identifier parmi les dfauts considrs ceux qui interviennent dans chacune
des tapes. La seconde consiste analyser leffet de ces dfauts identifis dans la dtermina-
tion de la caractristique I-V du composant associ.
II.3 Rappels sur le fonctionnement dune cellule PV
La dmarche de modlisation dun champ PV propose repose principalement sur la carac-
tristique de la cellule. Il est donc crucial davoir une bonne connaissance du fonctionnement
de celle-ci. Dans cette partie, nous rappelons tout dabord le fonctionnement dune cellule PV
pour les diffrents rgimes de fonctionnement. Nous prsentons ensuite les diffrents modles
physiques utiliss pour reprsenter une cellule et celui que nous avons retenu pour la suite de
notre travail. Enfin, nous dcrivons la mthode de rsolution du modle retenu afin de gnrer
la caractristique I-V.
II.3.1 Caractristique lectrique dune cellule PV
La cellule PV est un dispositif semi-conducteur construit partir dune jonction PN. Lors-
quelle est illumine, le dsquilibre de la charge lectrique dans les deux couches (P et N)
provoque un mouvement de la charge travers la jonction produisant ainsi de llectricit.
La cellule PV est normalement conue pour fonctionner comme un gnrateur en fournis-
sant lnergie lectrique convertie de lnergie solaire une charge. Par contre, il se peut que
cette mme cellule, lorsquelle est interconnecte avec dautres cellules, fonctionne comme
un rcepteur en absorbant de lnergie dbite par les autres cellules [ABETE'90]. La caract-
ristique lectrique dune cellule PV montrant ses diffrents rgimes de fonctionnement est
illustre dans la Figure II-3.
Dans cette figure, on peut remarquer deux points de fonctionnement importants : le courant
de court-circuit (
SC
I ) et la tension de circuit ouvert (
OC
V ). Comme son nom indique, le cou-
rant de court-circuit correspond au courant quand la cellule est court-circuite. Ce courant de
court-circuit est proportionnel la surface de la cellule qui capture la lumire, et pour une
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Chapitre II
-36-
surface quelconque, ce courant de court-circuit dpend de lintensit de lumire absorbe par
la cellule. La tension de circuit ouvert est la tension aux bornes de la cellule quand il ny a pas
de courant. Sa valeur est de lordre de 0.6 V pour la cellule de type cristallin. Ces deux points
(
SC
I et
OC
V ) dlimitent le fonctionnement de la cellule en trois zones diffrentes.

Figure II-3 : Caractristique I-V dune cellule PV
La zone I de la Figure II-3 correspond au fonctionnement en gnrateur de la cellule avec
SC
I I s s 0 et
OC
V V s s 0 . Cest le fonctionnement dit normal de la cellule dans lequel elle
dbite la puissance produite la charge.
La zone II correspond au fonctionnement en rcepteur de la cellule avec
SC
I I > et 0 < V .
Quand le courant traversant la cellule est forc par un circuit extrieur dpasser son courant
de court-circuit, la cellule produit une tension ngative ses bornes. La croissance en courant
provoquera lendommagement de la cellule si la tension ses bornes atteint une limite : la
tension de claquage (
claquage
V ). Ltude exprimentale sur diffrentes cellules de type cristallin
a montr que la valeur de la tension de claquage varie entre 10 V et 30 V [ALONSO-
GARCIA'06].
La zone IV correspond de nouveau au fonctionnement en rcepteur de la cellule, mais avec
cette fois-ci 0 < I et
OC
V V > . Quand la tension aux bornes de la cellule est amene dpas-
ser sa tension de circuit ouvert, un courant inverse circule dans la cellule. Si ce courant in-
verse dpasse une limite, la cellule sera irrmdiablement endommage. Cette limite nest pas
facile dfinir car elle dpend de la technologie, des phnomnes internes la circulation du
courant dans la cellule en dfaut.
II.3.2 Modle dune cellule PV
Il existe plusieurs modles qui ont t proposs pour reprsenter une cellule PV. Parmi
eux, le modle une diode a t largement utilis grce sa simplicit et sa prcision conve-
nables pour la plupart des applications telles que lanalyse de performance dune installation
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II.3-Rappels sur le fonctionnement dune cellule PV
-37-
photovoltaque [DE SOTO'06, KAUSHIKA'03], le dimensionnement dun systme photovol-
taque [LI'09], ltude de performance de lalgorithme de MMPT [FEMIA'05, KIM'06], ltude
de stabilit du raccordement au rseau [ZUE'06]. Le schma quivalent dun tel modle est
montr dans la Figure II-4a.
Ce modle contient une source de courant (I
ph
) qui reprsente lensoleillement reu par la
cellule et une diode pour modliser la jonction PN de la cellule. La rsistance srie (R
s
) et la
rsistance shunt (R
sh
) reprsentent ltat non idal de la cellule [GOETZBERGER'98,
MEYER'04]. La rsistance srie reprsente la rsistivit du matriau dans lequel est fabrique
la cellule, la rsistance de contact entre mtal et semi-conducteur et la rsistance
dinterconnexion entre cellules. La rsistance parallle reprsente tous les chemins traverss
par le courant de fuite, que ce soit en parallle de la cellule ou au bord delle-mme. Il rsulte
gnralement de dommages dans le cristal ou dimpurets dans ou ct de la jonction.
ph
I
d
I
+
I
s
R
sh
R
V
sh
I

(a) modle une diode
1
V
ph
I
d
I
+
I
s
R
sh
R
V
sh
I
) (
1
V M

(b) modle de Bishop
Figure II-4 : Diffrents modles dune cellule PV
Le modle une diode reprsente relativement bien une cellule en fonctionnement normal
(zone I de la Figure II-3). Nanmoins, il ne prend pas en compte leffet davalanche de la cel-
lule. Ltude dun champ PV en fonctionnement dfaillant, au cours duquel la cellule peut
subir diffrents rgimes de fonctionnement, exige un modle qui peut dcrire la totalit de la
caractristique de la cellule (les trois zones de la Figure II-3).
Leffet davalanche de la cellule est pris en considration dans le modle de Bishop
[BISHOP'88] en ajoutant au modle une diode un multiplicateur non linaire M(V
1
) en srie
avec la rsistance shunt comme on peut le voir dans la Figure II-4b. Ce multiplicateur corres-
pond au dernier terme de lquation (II-1) qui donne la relation entre le courant (I) et la ten-
sion (V) dune cellule PV.

(
(
(
(
|
|
.
|
\
| +
+
+
|
|
.
|
\
| +
=

) V ( M
n
b
s
sh
s
t
s
o ph
V
I R V
k
R
I R V
V
I R V
exp I I I
1
1 1 1 (II-1)
Cest une quation 2 inconnues (I et V) et 8 paramtres. Ces paramtres sont :
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Chapitre II
-38-
-
ph
I : Courant quivalent proportionnel lensoleillement reu par la cellule
-
o
I : Courant de saturation inverse de la diode
- q T ak V
C b t
= : Tension thermique de la diode. Elle dpend de temprature de la
cellule
C
T . Tandis que a ,
b
k et q sont respectivement le facteur didalit de diode (1 2),
la constante de Boltzmann (1.38 10-23 J/K) et la charge de llectron (1.602 10-19 C).
-
s
R : Rsistance srie de la cellule
-
sh
R : Rsistance shunt de la cellule
- k : Coefficient de rglage de Bishop (3.4 4)
- n : Coefficient de rglage de Bishop (~ 0.1)
-
b
V : Tension de claquage de la cellule (-10 V -30 V)
II.3.3 Rsolution du modle de la cellule
Le point de fonctionnement de la cellule peut tre dtermin par la rsolution de lquation
(II-1). Il consiste calculer la valeur dune des inconnues (V ou I) en fonction de lautre en
supposant que les 8 paramtres de cette quation sont connus. Sachant que les cellules sont
gnralement mises en srie, il est prfrable de calculer I partir de V. La caractristique I-V
dune cellule peut tre obtenue en calculant I pour plusieurs valeurs de V sur une plage sou-
haite.
Lquation (II-1) ne peut pas tre rsolue analytiquement. Elle peut tre mise sous la forme
f(V,I) = 0. La rsolution de lquation de cette forme peut tre effectue en utilisant la m-
thode de Newton-Raphson classique [BISHOP'88]. Lalgorithme de dtermination de la carac-
tristique I-V dune cellule est illustr dans la Figure II-5.
I
k
, V
k
*
V
k
= V
k
*
Calculer (I
k
, V
k
*
)
Calculer (I
k
, V
k
*
)
= (I
k
, V
k
*
)/(I
k
, V
k
*
)
> * ?
I
k+1
= I
k
+ I
V
k+1
*
= V
k
V
k
*
= V
k
*
+
OUI NON

Figure II-5 : Algorithme pour dterminer la caractristique I-V dune cellule PV
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II.4-Modlisation dun champ PV en fonctionnement sain
-39-
Dans cet algorithme, on cherche calculer la tension en fonction du courant. La dmarche
dbute par linitialisation de la valeur du courant pour un point de fonctionnement (I
k
) et de la
valeur estime de la tension correspondante (V
k
*
). On peut commencer, par exemple, par le
courant nul sachant que la tension correspondante est de lordre de 0.6 V. Le calcul par itra-
tions (Newton-Raphson) sexcute jusqu ce que la tension correspondante soit trouve (V
k
).
On considre que la tension est trouve lorsque la tolrance
*
de la solution souhaite est
atteinte. Une fois la solution dtermine, on procde au calcul du point de fonctionnement
suivant. La valeur de la tension trouve pour le point de fonctionnement prcdent (V
k
) est
prise comme valeur estime pour le point de fonctionnement actuel (V
k+1
). Cela augmente le
taux de convergence de lalgorithme Newton-Raphson. Le pas dexcursion de la caractris-
tique (I) est choisi en fonction de la rsolution souhaite de la caractristique. Ce processus
continue jusqu ce que la caractristique I-V soit obtenue.
La Figure II-6 montre la caractristique I-V dune cellule PV obtenue partir de
lalgorithme propos. Ces paramtres sont indiqus sur la figure mme. Ltude de linfluence
de ces paramtres sur la caractristique I-V est donne dans lannexe B. Avec un PC dont le
processeur est de 2 GHz, le temps dexcution total est de 0.013s pour trouver une caractris-
tique I-V de 160 points.
-12 -11 -10 -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
Tension [V]
C
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u
r
a
n
t

[
A
]
Iph=2; Vt=0.0258; Rs=0.005; Rp=9;
a=1.2; I0=1e-8; k=0.1; n=3; Vb=-20

(a) Caractristique complte
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Iph=2; Vt=0.0258; Rs=0.005; Rp=9;
a=1.2; I0=1e-8; k=0.1; n=3; Vb=-20

(b) Caractristique (zone I)
Figure II-6 : Caractristique I-V dune cellule PV obtenue de la simulation
II.4 Modlisation dun champ PV en fonctionnement sain
Nous avons prsent dans la partie prcdente la dmarche dobtention de la caractris-
tique I-V dune cellule PV. Dans cette partie, nous dcrivons la procdure reposant sur cette
caractristique pour tablir la caractristique I-V dun champ PV en fonctionnement sain.
II.4.1 Configuration retenue
Pour illustrer la dmarche, nous avons retenu la configuration du champ comme montr
dans le Tableau II-2.
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Chapitre II
-40-
TABLEAU II-2 : CONFIGURATION RETENUE POUR LA MODELISATION
Composant du
champ
Constitution Symbole
Cellule
V
cellule
I
cellule

V
cellule
I
cellule

Groupe de
cellules
V
cellule,1
V
cellule,i
V
cellule,Ncellule
I
cellule
I
bypass
I
groupe
V
groupe

I
groupe
V
groupe

Module
V
groupe,1
I
groupe
I
module
V
module
V
groupe,j
V
groupe,Ngroupe

I
module
V
module

String
V
module,1
V
module,k
V
module,Nmodule
I
module
I
string
V
string

Champ
I
string,1
I
string,z
I
string,Nstring
I
champ
V
string,z
V
champ

II.4.2 Adaptation de la dmarche propose
La dmarche que nous avons propose dans la Figure II-2 est applique pour modliser un
champ PV en dfaut. En labsence de dfauts, cette dmarche se rduit celle montre dans la
Figure II-7.
En fonctionnement sain, toutes les cellules du champ PV sont supposes identiques et
soumises la mme condition de fonctionnement (ensoleillement et temprature). Sans illus-
trer les tapes de calcul, la dmarche prsente dans la Figure II-7 donne les relations sui-
vantes (en respectant la configuration retenue dans le Tableau II-2).

cellule cellule groupe ule mod champ
cellule string champ
V N N N V
I N I
=
=

(II-2)
O N
string
est le nombre de strings en parallle. N
module
est le nombre de modules en srie
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II.4-Modlisation dun champ PV en fonctionnement sain
-41-
dun string. N
groupe
est le nombre de groupes de cellules en srie dun module. Et N
cellule
est le
nombre de cellules en srie dun groupe de cellules.
groupes de cellules PV
cellules PV
modules PV
strings PV
Caractristique I-V du
champ PV
Somme arithmtique
Somme arithmtique
Somme arithmtique
Somme arithmtique

Figure II-7 : Dmarche de modlisation dun champ PV en fonctionnement sain
La diode de bypass est bloque car la somme des tensions des cellules est positive (V
diode

<0). Tout le courant circule dans les cellules. Tandis que la diode anti-retour est passante car
la tension de tous les strings est identique. Les diodes laissent donc passer le courant produit
par chaque string.
II.4.3 Une petite application numrique
Pour illustrer la dmarche, considrons un champ PV constitu de 2 strings en parallle.
Chaque string est compos de 3 modules en srie. Chaque module contient 2 groupes de cel-
lules en srie dont chacun est form par 18 cellules en srie. La Figure II-8 montre la forma-
tion de la caractristique I-V du champ considr partir de celle de la cellule.
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
0
1
2
3
4
5
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10
11
Tension [V]
C
o
u
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n
t

[
A
]
4 cellules
Icellule=Igroupe=Imodule=Istring
Vcell Vgro=18*Vcell Vmod=2*Vgro Vstr=3*Vmod
Istring
Ichamp=2*Istring
V
c
h
a
m
p
=
V
s
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g

Figure II-8 : Etablissement de la caractristique I-V du champ partir de celle de la cellule
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Chapitre II
-42-
Pour les composants mis en srie (cellules, groupes de cellules, modules), le courant qui
les traverse est identique. La tension dun composant est la somme de la tension des compo-
sants qui le constituent. Pour les composants mis en parallle (strings), la tension leurs
bornes est identique tandis que leurs courants sajoutent.
II.4.4 Synthse
Lobtention de la caractristique I-V dun champ PV en fonctionnement sain ne ncessite
pas le calcul de la caractristique I-V de toutes les cellules. La multiplication de la tension de
cette dernire par le nombre de cellules en srie dans un string (
cellule groupe ule mod
N N N ) et de
son courant par le nombre de string donne la caractristique I-V du champ.
En fonctionnement sain, le comportement de toutes les cellules est identique ce qui en-
trane le blocage de la diode de bypass et la conduction de la diode anti-retour. Nous verrons
dans la partie suivante que ceci nest plus le cas pour un fonctionnement dfaillant.
II.5 Modlisation en fonctionnement dfaillant dun champ PV
Nous avons vu dans la partie prcdente la dmarche de modlisation dun champ PV en
fonctionnement sain en partant de la caractristique I-V de la cellule. Cette dmarche est un
cas particulier de celle propose pour modliser un champ PV en fonctionnement dfaillant.
Comme il a dj t expliqu dans le paragraphe II.2.2, il apparat deux tches principales
accomplir pour cette dmarche. La premire consiste identifier parmi les dfauts consid-
rs (cf. tableau I-1 du chapitre 1) ceux qui interviennent dans chacun des composants du
champ. La seconde consiste analyser leffet de ces dfauts identifis dans la dtermination
de la caractristique I-V du composant correspondant.
Dans cette partie, nous prsentons tout dabord lidentification des diffrentes classes de
dfauts intervenant dans diffrents composants du champ. Ensuite, nous dtaillons la modli-
sation de ces dfauts.
II.5.1 Classification des dfauts pour la modlisation
Les dfauts prsents dans le Tableau I-1 ont t classs suivant lemplacement de leur ap-
parition dans une installation PV (panneaux, connexion, cblage, systme de protection). Par
contre, selon la dmarche de modlisation retenue, on cherche classer les dfauts selon
ltape laquelle ils interviennent et si ils peuvent modifier le comportement du composant
de cette tape (cellule, groupe de cellules, modules, strings, champ). En tenant compte de
cette hirarchie, la nouvelle classification de dfauts est illustre dans le Tableau II-3. La
premire colonne montre la succession des composants considrs dans la dmarche. La deu-
xime donne la nature des diffrents dfauts intervenant dans les tapes. Et la dernire co-
lonne donne la dnomination de chaque catgorie de dfauts pour la modlisation.

t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
II.5-Modlisation en fonctionnement dfaillant dun champ PV
-43-
TABLEAU II-3 : CLASSIFICATION DE DEFAUTS ET DANOMALIES DUN CHAMP PV
Composant du
champ
Nature des dfauts
Dnomination de d-
fauts
Cellules
Module arrach ou cass
Pylnes, chemine, sable, neige etc.
Echauffement des cellules
Dgradation des interconnexions
Fissure
Corrosion des liaisons entre cellules
Modules de performances diffrentes
Dtrioration des cellules
Pntration de l'humidit
Dfaut de mismatch et
dombrage
Groupes de cel-
lules
Destruction des diodes
Absence de diodes
Inversion de la polarit des diodes
Diode mal connecte
Diode court-circuite
Dfaut de diode de
bypass
Module
Modules court-circuits
Inversion de polarit du module
Modules shunts
Dfaut de module
Strings
Rupture du circuit lectrique
Destruction de la liaison
Corrosion des connexions
Corrosion des contacts
Court-circuit du circuit lectrique
Module dconnect
Dfaut de connectique
Champ
Destruction des diodes
Absence de diodes
Inversion de la polarit des diodes
Diode mal connecte
Diode court-circuite
Dfaut de diode anti-
retour

II.5.2 Modlisation des diffrents dfauts
De la mme manire que pour la modlisation du champ en fonctionnement normal, nous
considrons la configuration du champ prsente dans le Tableau II-2 (voir paragraphe II.4.1).
II.5.2.1 Dfaut de mismatch et dombrage
i) Dfinition
Le dfaut de mismatch est le dfaut caus par le groupement de cellules possdant une ca-
ractristique I-V non identique. Tout changement dans lun des paramtres de lquation
(II-1) conduira la dissemblance de leur caractristique. Le dfaut dombrage est un cas par-
ticulier du dfaut de mismatch car sa prsence conduit une rduction de lensoleillement
reu par des cellules. Le changement de ces paramtres provient de deux facteurs principaux.
Premirement, des cellules pourraient possder des proprits physiques diffrentes suite
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
Chapitre II
-44-
une tolrance dans la fabrication. Seule la tolrance de la puissance du module est donne par
les fabricants de la cellule ou du module. Elle peut varier entre +/-3% et +/-5% selon les fa-
bricants [BP'11, KYOCERA'11, SUNPOWER'11].
Deuximement, des cellules PV peuvent tre exposes des conditions de fonctionnement
diffrentes causes par les diffrents dfauts, notamment les dfauts mentionns dans le Ta-
bleau II-3. Dune manire qualitative, les paramtres de la cellule affects par ces dfauts
peuvent tre identifis (voir Tableau II-4).
TABLEAU II-4 : IMPACT DES DIFFERENTS DEFAUTS SUR LES PARAMETRES DE LA CELLULE
Nature des dfauts Paramtres affects
Module arrach ou cass
Ombrage : Feuilles d'arbre, djections, sable,
pollution, neige etc.
Variation de
ph
I
Echauffement des cellules Variation de T
Fissure
Corrosion des liaisons entre cellules
Variation de
S
R
Modules de performances diffrentes
Dtrioration des cellules
Variation de tous les para-
mtres des cellules
Quantitativement, limpact de ces dfauts est difficile, voir impossible, quantifier. Dans
notre tude de modlisation, nous souhaitons examiner le comportement dun champ PV pour
toute variation possible de ces paramtres sachant que cette variation nest pas forcment ra-
liste.
ii) Modlisation
Selon le Tableau II-4, le dfaut de mismatch et dombrage peut tre modlis par la varia-
tion des diffrents paramtres de la cellule. Du fait de la disparit des paramtres des cellules
dans un champ, les relations dans lquation (II-2) ne peuvent plus tre utilises. Lors de la
mise en srie des composants, la tension produite par chaque composant nest plus gale pour
un mme courant. Et lors de la mise en parallle des composants, le courant fourni par chaque
composant nest plus identique pour une mme tension.
- Etape 1 : Dtermination de la caractristique de la cellule
Pour dterminer la caractristique I-V dune cellule, on reprend la procdure de la Figure
II-5. On impose le courant sur une plage souhaite et on cherche la tension correspondante.
Lquation (II-3) donne la relation du courant et de la tension de la i
me
cellule dun groupe
(voir configuration dans le Tableau II-2).

( )
i , cellule
V , I f
cellule
impos cellule
V I
I I
i , cellule cellule

=
=0

(II-3)
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
-45-
Dans le cas du mismatch, pour un courant donn, la tension produite par les cellules nest
pas forcment identique car leurs paramtres ne sont pas les mmes. Pour bien illustrer, re-
prenons lexemple dun champ dcrit le paragraphe II.4.3. Cette fois-ci, nous supposons
quune cellule est 50% ombre. La figure suivante montre lallure dune cellule ombre
et celle dune cellule bonne .
-16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2
-1
0
1
2
3
4
5
6
2.5A
-14V 0.6V
5A
0

(a) cellule ombre
-2 0 2 4 6 8 10 12
-1
0
1
2
3
4
5
6
5A
0.6V
0

(b) cellule bonne
Figure II-9 : Caractristiques I-V dune cellule ombre et bonne
- Etape 2 : Dtermination de la caractristique du groupe
Dans le cas dun groupe de cellules, la somme de la tension de toutes les cellules dans le
groupe peut tre ngative. Ceci provient du fait quune ou des cellules dans le groupe produi-
sent une tension ngative lorsquelles sont traverses par un courant suprieur leur courant
de court-circuit. Cest dans cette situation que la diode de bypass joue son rle en devenant
passante quand la somme totale de la tension des cellules devient ngative et en drivant ainsi
le courant en excs pour la cellule ombre (voir Figure II-10).
-20 -15 -10 -5 0 5 10 15
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

I-V (1 cellule ombre)
I-V (17 cellules)
I-V total
V1 V2
I
V=V1+V2
V2 V1 V=0
Avec diode de
bypass
I
Sans diode de
bypass

Figure II-10 : Caractristique dun groupe de cellules protg par la diode de bypass
Lquation (II-4) donne la relation du courant et de la tension du j
me
groupe de cellules
dun module (voir configuration dans le Tableau II-2).
Continuons avec lexemple prcdent. La figure suivante montre lallure dun groupe de
cellules dans lequel une cellule est ombre et lallure dun groupe de cellules bon .
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
Chapitre II
-46-

0 si 0
0 si
1
1 1
< =
> =
+ =

=
= =
cellule
cellule cellule
N
i
i , cellule j , groupe
N
i
i , cellule
N
i
bypass cellule j , groupe
V V
V V V
I I I

(II-4)
-2 0 2 4 6 8 10 12
-1
0
1
2
3
4
5
6
-16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2
-1
0
1
2
3
4
5
6
-2 0 2 4 6 8 10 12
-1
0
1
2
3
4
5
6
+ =
V1 V2 V1+V2
I0
10.4V 0.6V 11V
5A
1 cellule 17 cellules
1 groupe
mauvais
0 0
0

(a) groupe mauvais
-2 0 2 4 6 8 10 12
-1
0
1
2
3
4
5
6
5A
11V 0

(b) groupe bon
Figure II-11 : Caractristique I-V dun groupe mauvais et bon
- Etape 3 : Dtermination de la caractristique du module
Lquation (II-5) donne la relation du courant et de la tension du k
me
module dun string
(voir configuration dans le Tableau II-2).

=
=
=
groupe
N
j
j , groupe k , ule mod
groupe k , ule mod
V V
I I
1
(II-5)
Lallure dun module qui contient un groupe de cellules mauvais est montre dans la
Figure II-12a. Et lallure du module bon est montre dans la Figure II-12b.
-5 0 5 10 15 20 25
-1
0
1
2
3
4
5
6
-2 0 2 4 6 8 10 12
-1
0
1
2
3
4
5
6
-2 0 2 4 6 8 10 12
-1
0
1
2
3
4
5
6
+ =
V1 V2
V1+V2
I0
11V 11V 22V
5A
1 groupe
mauvais
1 groupe
bon
1 module
mauvais
0 0
0

(a) module mauvais
-2 0 2 4 6 8 10 12
-1
0
1
2
3
4
5
6
5A
22V 0

(b) module bon
Figure II-12 : Caractristique I-V dun module mauvais et bon
- Etape 4 : Dtermination de la caractristique du string
Lquation (II-6) donne la relation du courant et de la tension du z
me
string du champ (voir
configuration dans le Tableau II-2).
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
-47-

=
=
=
ule mod
N
k
k , ule mod z , string
ule mod z , string
V V
I I
1
(II-6)
La formation de la caractristique I-V dun string contenant un mauvais module et deux
bons modules est montre dans la figure suivante.
-10 0 10 20 30 40 50 60 70
-1
0
1
2
3
4
5
6
-5 0 5 10 15 20 25
-1
0
1
2
3
4
5
6
-2 0 2 4 6 8 10 12
-1
0
1
2
3
4
5
6
+ =
V1 V2 V1+V2 I0
44V 22V 66V
5A
1 module
mauvais
2 modules
bons
1 string
mauvais
0
5A 5A
0 0

(a) string mauvais
-2 0 2 4 6 8 10 12
-1
0
1
2
3
4
5
6
5A
66V 0

(b) string bon
Figure II-13 : Caractristique I-V dun string mauvais et bon
- Etape 5 : Dtermination de la caractristique du champ
Lorsque les strings sont connects en parallle, la contrainte dgalit de la tension leurs
bornes sapplique. Cette contrainte implique que le courant fourni par chaque string nest pas
forcment le mme. La valeur du courant du string, aprs la connexion en parallle, peut tre
donc dduite dune interpolation de la caractristique du string pour la valeur attendue de la
tension du string, respectant la contrainte dtre identique pour chaque string. Prenons un
exemple concret o 2 strings dont la caractristique nest pas identique sont mis en parallle
(voir Figure II-14). Pour une tension donne (V), le courant fourni par chaque string nest
pas le mme. I
1
et I
2
pour chaque string sont dduits dune interpolation de leur caractris-
tique I-V respective.
0 50 100 150 200 250 300 350 400
-3
0
3
6
9
12
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

I=I1+I2
I=I2
I1=0
Avec diode anti-retour
V V
I2
I1
0 50 100 150 200 250 300 350 400
-3
0
3
6
9
12
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

I-V (string 1)
I-V (string 2)
I-V (champ)
Sans diode anti-retour

Figure II-14 : Caractristique dun champ PV protg par la diode anti-retour
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
Chapitre II
-48-
En fonctionnement normal du champ PV, la diode anti-retour conduit et laisse passer le
courant produit par le string. En cas de mismatch, il se peut que cette diode devienne bloque.
Prenons le mme exemple de la Figure II-14, la tension de fonctionnement (V) est bien su-
prieure la tension de circuit ouvert du string 1. La diode anti-retour du string est donc blo-
que. Ce blocage empche le courant dbit par le string 2 de circuler dans le sens inverse
dans le string 1. Lquation (II-7) donne la relation du courant et de la tension du champ.

( )
champ z , string
'
z , string
N
z
'
z , string champ
z , string z , string champ
'
z , string
impose champ
V V I I I
V , I , V I
V V
string
< = =
=
=
=
si 0 avec
ion Interpolat
1

(II-7)
En tenant compte de lexemple considr, la caractristique du champ obtenu partir de la
dmarche propose est montre dans la figure suivante.
-10 0 10 20 30 40 50 60 70
-2
0
2
4
6
8
10
12
-10 0 10 20 30 40 50 60 70
-1
0
1
2
3
4
5
6
-2 0 2 4 6 8 10 12
-1
0
1
2
3
4
5
6
+
=
V0
I2
I1+I2
I1
66V
5A
5A
66V
66V
10A
1 string
mauvais
1 string
bon
1 champ
0
0
0

Figure II-15 : Formation de la caractristique I-V du champ PV selon lexemple considr
iii) Quelques rsultats
Pour illustrer limpact de chaque paramtre sur la caractristique du module, un seul para-
mtre est modifi la fois. Les paramtres utiliss dans cette simulation sont indiqus dans le
Tableau II-5.
TABLEAU II-5 : PARAMETRES UTILISES DANS LA SIMULATION EN CAS DE MISMATCH
Paramtres
Nb.
Cellules
Nb.
Diodes bypass
I
ph
(A)

T
C
(K) R
s
(ohm) R
p
(ohm)

a I
0
(A)

Valeur 72 4 4 298 0.015 5 1.22 2.3e-8
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
-49-
La Figure II-16 montre des rsultats de simulation dun module lors dun dfaut de mis-
match et dombrage.
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0
1
2
3
4
4.5
Tension du module [V]
C
o
u
r
a
n
t

d
u

m
o
d
u
l
e

[
A
]

1 cellule de 3 groupes
100% ombre
fonctionnement normal
1 cellule 25% ombre
1 cellule 50% ombre
1 cellule 75% ombre

a) ombrage
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0
1
2
3
4
4.5
C
o
u
r
a
n
t

d
u

m
o
d
u
l
e

[
A
]

9 cellules avec Rs=0.075ohm

b) mismatch type Rs
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0
1
2
3
4
4.5
C
o
u
r
a
n
t

d
u

m
o
d
u
l
e

[
A
]

fonctionnement
normal
36 cellules avec Rp=0.2ohm
36 cellules
avec Rp=0.5ohm
36 cellules
avec Rp=1ohm

c) mismatch type Rp
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0
1
2
3
4
4.5
C
o
u
r
a
n
t

d
u

m
o
d
u
l
e

[
A
]

18 cellules avec T=45C

d) mismatch type T
Figure II-16 : Caractristiques I-V dun module PV lors de dfauts de mismatch et dombrage
La Figure II-16a montre une famille de caractristiques dun module lors de diffrents sc-
narii dombrage. Les bosses prsentes dans cette figure sont dues au fait quune ou plu-
sieurs diodes de bypass se mettent en conduction. Selon le pourcentage dombrage sur la cel-
lule, la diode de bypass se met en conduction diffrents niveaux de courant de fonctionne-
ment. Il est remarquer galement que la perte en tension est en fonction du nombre de
diodes de bypass en conduction.
La Figure II-16b est le cas dun dfaut de mismatch d la dispersion de la rsistance s-
rie. Dans cette figure, on voit que la perte en tension pour un courant donn est plus impor-
tante mesure que la rsistance srie augmente. Pour une limite donne, la perte en tension
peut tre suffisamment grande pour ensuite rendre la tension du groupe ngative et faire bas-
culer la diode de bypass en mode passant.
La Figure II-16c est le cas dun dfaut de mismatch d la dispersion de la rsistance pa-
rallle. Pour une tension donne, la perte en courant est plus importante mesure que la rsis-
tance parallle est petite. Si la rsistance parallle est suffisamment petite, elle peut absorber
quasiment la totalit du courant produit par la cellule.
La Figure II-16d est le cas dun dfaut de mismatch d la dispersion de la temprature
des cellules. Dans ce cas, la tension chute en fonction de la croissance en temprature des
cellules.
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
Chapitre II
-50-
II.5.2.2 Dfaut de diodes de bypass
i) Dfinition
Dans son bon tat, la diode de bypass est passante quand la somme de la tension des cel-
lules quelle protge est ngative et elle est bloque dans le cas contraire. Dans son tat dfail-
lant, ce rle de protection nest plus assur. Selon le Tableau II-3, les dfauts lectriques as-
socis cette diode sont : diode court-circuite, diode dconnecte et diode inverse. En plus
de ces dfauts lectriques, cette diode pourrait tre ventuellement claque en cours de fonc-
tionnement et se comporter comme une impdance dune valeur quelconque. La Figure II-17
montre un schma dun groupe de cellules (groupe j
me
) dans lequel la diode de bypass est
remplace par un lment qui peut, chaque fois, prendre un des tats dfaillants de la diode :
court-circuit, circuit ouvert, impdance quelconque et diode inverse.
V
cellule,1
V
cellule,i
V
cellule,Ncellule
I
cellule
I
bypass
I
groupe,j
V
groupe,j
Court circuit
Impdance
Dconnecte
Inverse

Figure II-17 : Schma bloc dun groupe de cellules PV avec la diode de bypass dfaillante
ii) Modlisation
- Cas court-circuit
La tension du groupe de cellules sannule. Le courant du groupe de cellules est gal la
somme du courant circulant dans les cellules et de celui circulant dans le chemin court-
circuitant. Le courant circulant dans les cellules est gal au courant maximum produit par les
cellules et le chemin court-circuitant porte le courant en excs.

cellule bypass groupe
j , groupe
I I I
V
+ =
= 0
(II-8)
- Cas impdance Z quelconque
La tension du groupe est gale la somme de la tension de toutes les cellules dans le
groupe. Le courant du groupe est gal la somme du courant circulant dans le string de cel-
lules et de celui circulant dans limpdance.

Z V I I
V V
j , groupe cellule groupe
N
i
cellule
+ =
=

=1

(II-9)
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
-51-
- Cas circuit ouvert
La tension du groupe est gale la somme de la tension des cellules du groupe. Le courant
du groupe est gal au courant circulant dans le string de cellules.

cellule groupe
N
i
I I
V V
cellule
=
=

=1
(II-10)
- Cas inversion de la polarit
Contrairement son fonctionnement normal, la diode conduit quand la somme de la ten-
sion des cellules quelle protge est positive et se bloque dans le cas contraire.

bypass cellule groupe
N
i
N
i
i , cellule
N
i
I I I
V V
V V V
cellule
cellule cellule
+ =
> =
< =

=
= =
0 si 0
0 si
1
1 1

(II-11)
Selon la Figure II-2, le dfaut de diode de bypass nest pris en compte que dans ltape de
dtermination de la caractristique du groupe de cellules. La dmarche de calcul des autres
composants du champ PV prsente dans le paragraphe II.5.2.1 reste inchange.
La Figure II-18 montre quelques rsultats de simulation dun module lors de diffrents d-
fauts de diode de bypass. Les mmes paramtres de cellule que dans le cas de dfaut de mis-
match sont utiliss dans cette simulation.
La Figure II-18a montre le cas dune diode de bypass court-circuite. Dans ce cas, un quart
de la tension produite est perdue dans le module car il y a 4 diodes de bypass dans un module.
La Figure II-18b montre le cas o la diode de bypass est en dfaut et se comporte comme
une impdance. Ce type de dfaut se manifeste de la mme manire que le dfaut de mis-
match d une variation de la rsistance parallle. Plus limpdance diminue, plus elle ab-
sorbe le courant produit par le groupe qui devrait tre normalement fourni la charge.
La Figure II-18c correspond au cas o la diode de bypass est dconnecte. Sans ombrage,
aucune perte de courant ou de tension nest prsente dans le module. Avec un ombrage, la
perte en tension augmente en fonction de la croissance de lamplitude de lombrage car il ny
a plus de protection assure par la diode de bypass.
La Figure II-18d montre le comportement dun module quand une diode de bypass est in-
verse. Sans ombrage, cette diode de bypass est passante car la tension ses bornes est posi-
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
Chapitre II
-52-
tive. Un quart de la tension du module est perdu. Avec un ombrage, le module se comporte
comme dans le cas o la diode est dconnecte car la diode est bloque quand la tension ses
bornes est ngative.
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0
1
2
3
4
4.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

1 diode de bypass
court-circuite

a) court-circuite
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0
1
2
3
4
4.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

1 diode de bypass
remplace par z=2ohm
1 diode de bypass
remplace par z=5ohm
1 diode de bypass
remplace par z=10ohm

b) claque
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0
1
2
3
4
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
fontionnement normal
Diode de bypass dconnecte
mais sans ombrage
Diode de bypass
dconnecte et 1 cellule
100% ombre
et 2 cellules 100% ombre

c) dconnecte
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0
1
2
3
4
4.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

1 diode de bypass inverse
et sans ombrage
1 diode de bypass
inverse et 1 cellule
100% ombre
et 2 cellules 100% ombres

d) inverse
Figure II-18 : Caractristiques I-V dun module PV lors de dfauts de diode de bypass
II.5.2.3 Dfaut de module
i) Dfinition
Le dfaut de module se rfre tous les dfauts lectriques associs la connexion dun
module dans un string PV. Selon le Tableau II-3, ces dfauts lectriques sont : module court-
circuit, module connect en parallle avec une impdance et inversion de la polarit du mo-
dule. La Figure II-19 montre le schma dun module avec llment qui reprsente, chaque
fois, un des tats dfaillants de la connexion du module.
V
groupe,1
I
groupe
I
module,k
V
module,k
V
groupe,j
V
groupe,Ngroupe
A
Court-
circuit
A B
Groupes
Shunt Groupes
Invers
A B
Groupes
A
B
B
A A
A A
B B
B B

Figure II-19 : Schma bloc dun module PV dfaillant

t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
-53-
ii) Modlisation
- Cas module court-circuit
La tension du module sannule. Le courant du module est gal la somme du courant cir-
culant dans les groupes de cellules et de celui circulant dans le chemin du court-circuit. Le
courant dans le string est gal au courant maximum produit par les cellules et le chemin court-
circuit porte le courant en excs.

0 =
+ =
k , ule mod
groupe shunt ule mod
V
I I I
(II-12)
- Cas module connect en parallle avec une impdance
La tension du module est gale la somme de la tension de tous les groupes dans le mo-
dule. Le courant du module est gal la somme du courant circulant dans les groupes de cel-
lules et de celui circulant dans limpdance.

Z V I I
V V
k , ule mod groupe ule mod
N
j
groupe
+ =
=

=1
(II-13)
- Cas inversion de la polarit dun module
Si un module dans le string PV est invers, il sera travers par un courant contraire celui
du string. Dans cette situation, les cellules dans le module invers sont forces de fonctionner
dans le quadrant IV de la Figure II-3 et se comportent comme un rcepteur avec une tension
positive et un courant ngatif.

=
=
=
groupe
N
j
groupe ule mod
V V
I I
1
(II-14)
Comme on peut le voir dans la Figure II-2, les dfauts de module ninterviennent que dans
ltape de dtermination de la caractristique du module. La dmarche de calcul des autres
composants du champ PV prsente dans le paragraphe II.5.2.1 reste inchange.
La Figure II-20 montre le comportement dun string PV compos de 9 modules en srie
lors de diffrents dfauts de module.
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
Chapitre II
-54-
0 50 100 150 200 250 300 350 400
0
1
2
3
4
4.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

1 module shunt
par z=20ohm
1 module shunt
par z=10ohm
1 module court-circuit
1 module invers

Figure II-20 : Caractristiques I-V dun string PV lors de dfaut de module
Dans le cas o le module est connect en parallle avec une impdance, la perte en courant
du string augmente en fonction de la baisse en impdance. Quand un module est court-
circuit, le string perd la tension dun module. Si un module est invers, le string perd deux
fois la tension produite par un module car la tension produite par le module invers sera sous-
traite de la tension produite par les autres modules.
II.5.2.4 Dfaut de connectique
Le dfaut de connectique est li au problme de laugmentation de la rsistance de connec-
tique entre deux modules PV. En fonctionnement normal, cette rsistance de connectique est
quasi nulle. La valeur de cette rsistance peut tre augmente dans plusieurs cas anormaux
(corrosion de la connectique, vis mal serre etc). Dans le cas extrme, une rsistance infinie
peut tre utilise pour reprsenter un module qui est dconnect du string PV.
V
module,1
V
module,k
V
module,Nmodule
I
module
I
string,z
V
string,z
R R

Figure II-21 : Schma bloc dun string PV avec la rsistance de connectique non nulle
Le dfaut de connectique nintervient que dans ltape de dtermination de la caractris-
tique du string. La dmarche de calcul des autres composants du champ PV prsente dans le
paragraphe II.5.2.1 reste inchange. Les relations entre courant et tension du
me
z string PV
sont montres dans lquation (II-15).

z , string
N
k
k , ule mod z , string
ule mod z , string
I R V V
I I
ule mod
=
=
=1

(II-15)
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
-55-
Le comportement dun string PV de 9 modules en srie en fonction de diffrentes valeurs
de la rsistance de connectique est montr dans la Figure II-22. Plus la rsistance de connec-
tique est importante, plus la tension du string chute pour un courant donn.
0 50 100 150 200 250 300 350 400
0
1
2
3
4
4.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

rsistance connectique
R= 20 ohm
R= 10 ohm
R= 3 ohm

Figure II-22 : Caractristiques I-V dun string PV lors de dfauts de connectique
II.5.2.5 Dfaut de diode anti-retour
i) Dfinition
De la mme manire que pour la diode de bypass, 4 types de dfauts peuvent tre envisa-
gs pour la diode anti-retour : court-circuit, impdance quelconque, circuit ouvert et inverse.
La Figure II-23 montre un schma dun champ PV dans lequel la diode anti-retour est rem-
place par un lment qui peut, chaque fois, reprsenter un des tats dfaillants de la diode.
I
string,1
I
string,z
I
string,Nstring
I
champ
V
string,z
V
champ
Court circuit
Impdance
Dconnecte
Inverse

Figure II-23 : Schma bloc dun champ PV avec la diode anti-retour dfaillante
ii) Modlisation
- Cas court-circuit
Le courant du string en question pourrait circuler dans les deux sens possibles. Le sens de
ce courant dpend de la diffrence entre la tension du champ et celle qui peut tre produite par
le string. Dans le sens direct, le string fournit sa puissance produite la charge. Par contre,
dans le sens inverse, au lieu de fournir du courant la charge, le string absorbe le courant
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
Chapitre II
-56-
produit par les autres strings.

( )
=
=
=
=
string
N
z
'
z , string champ
'
z , string
impose champ
I I
V , I , V I
V V
1
ion Interpolat
(II-16)
- Cas impdance Z quelconque
Le mme phnomne que celui du cas prcdent apparat. La seule diffrence repose sur la
valeur de la chute en tension due limpdance de la diode dfaillante.

( )
=
=
=
=
string
N
z
'
z , string champ
z , string z , string z , string champ
'
z , string
impose champ
I I
I Z V , I , V I
V V
1
ion Interpolat
(II-17)
- Cas circuit ouvert
Dans ce cas, la totalit du courant produit par le string est perdu.

( )
e dconnect est diode la si 0 avec
ion Interpolat
1
= =
=
=
=
'
z , string
N
z
'
z , string champ
'
z , string
impose champ
I I I
V , I , V I
V V
string

(II-18)
- Cas inverse
Dans ce cas, la diode anti-retour empche le courant produit par le string quelle protge de
circuler. Au contraire, si la tension du string est infrieure celle des autres strings, elle per-
met au courant provenant des autres strings de circuler dans le string quelle protge.

( )
champ z , string
'
z , string
N
z
'
z , string champ
'
z , string
impose champ
V V I I I
V , I , V I
V V
string
> = =
=
=
=
si 0 avec
ion Interpolat
1

(II-19)
Le comportement dun champ PV lors de dfauts de la diode anti-retour compos de 2
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
-57-
strings de 9 modules est illustr dans la Figure II-24. Deux cas diffrents ont t examins
pour chaque type de dfauts de la diode : strings quilibrs et dsquilibrs. Le dsquilibre
entre ces deux strings est intentionnellement provoqu en introduisant un dfaut supplmen-
taire dans un des strings. Dans cet exemple, deux modules de lun des deux strings sont com-
pltement ombrs.
0 50 100 150 200 250 300 350 400
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

diode court-circuite
mais sans ombrage
1 diode court-circuite et 2
modules d'un string ombrs
diode en bon tat et 2

a) court-circuite
0 50 100 150 200 250 300 350 400
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

1 diode anti-retour dconnecte

b) dconnecte
0 50 100 150 200 250 300 350 400
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

1 diode remplace par z=5ohm
et 2 modules d'un string ombrs
1 diode remplace par
z = 10 ohm
z = 5 ohm

c) claque
0 50 100 150 200 250 300 350 400
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

1 diode anti-retour inverse

d) inverse
Figure II-24 : Caractristiques I-V dun champ PV lors de dfauts de diode anti-retour
La Figure II-24a montre le cas o la diode anti-retour est court-circuite. Si la tension des
deux strings est quilibre, le court-circuit de la diode de bypass naffectera pas le comporte-
ment du champ. Si un string produit moins de tension que lautre, le champ produira plus de
courant quand la diode est en bon tat que quand elle est court-circuite.
La Figure II-24b montre le cas o une diode anti-retour est dconnecte. Il est vident dans
ce cas que le champ perd la totalit du courant dun string.
La Figure II-24c montre le cas o une diode anti-retour est dfaillante et devient une imp-
dance. Si la tension des deux strings est quilibre, le champ provoque une chute de la tension
et lamplitude de cette chute est proportionnelle limpdance de la diode anti-retour. Cet
effet est renforc si un ombrage intervient en plus pour rduire la production du string encore
en production. Par contre, dans ce cas, lamplitude de la chute de tension est inversement pro-
portionnelle limpdance de la diode anti-retour car plus limpdance est grande plus elle
soppose la circulation du courant.
La Figure II-24d montre le cas o une diode anti-retour est inverse. Si la tension des deux
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
Chapitre II
-58-
strings est quilibre, on perd la totalit du courant du string associ car la diode empche le
courant produit par le string de circuler. Par contre, dans le cas dombrage, la diode inverse
laisse passer le courant (dans le sens inverse) dbit par lautre string.
II.6 Validation exprimentale du modle
Pour valider la dmarche de modlisation propose, une campagne de mesure sur un
champ PV rel a t ralise. Les dfauts considrs ont t physiquement crs, un la fois,
et le comportement du champ rsultant a t enregistr pour ensuite le comparer avec celui de
la simulation. En ce qui concerne la simulation, les bons paramtres de la cellule doivent tre
utiliss. Cela ncessite une tape didentification des paramtres de la cellule.
Nous dcrivons tout dabord dans cette partie la plateforme dexprimentation pour la va-
lidation du modle. Ensuite, nous prsentons la mthode didentification des paramtres rete-
nue et quelques rsultats de comparaison sont donns la fin de cette partie.
II.6.1 Description de la plateforme dexprimentation
Suite des contraintes techniques et aux normes de scurit de linstallation PV ( laquelle
nous avons pu accder), seuls les dfauts dans le cas du module et du string ont t raliss.
Lorganisation des matriels pour le test est montre dans la Figure II-25.
Traceur I-V
Cellule de
rfrence
Acquisition des
donnes
Module PV

(a) Mesure du module
Traceur I-V
Cellule de
rfrence
Acquisition des
donnes
String PV

(b) Mesure du string
Figure II-25 : Matriels du test
Le string utilis dans ce test est compos de 9 modules en srie. La spcification du mo-
dule utilis est donne dans la Figure II-26.
Pour obtenir la caractristique I-V du gnrateur PV (module ou string), un traceur I-V
commercial a t utilis. Ce dernier joue le rle dune charge variable qui permet de balayer
le point de fonctionnement du gnrateur sur une plage complte (100 points au total). Une
cellule de rfrence a t galement utilise pour rcuprer linformation sur lensoleillement
et la temprature des cellules. Toutes les grandeurs mesures sont ensuite envoyes un PC
pour le stockage.
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
II.6-Validation exprimentale du modle
-59-

Figure II-26 : Spcification du module sous test
II.6.2 Identification des paramtres du modle
Selon la dmarche de modlisation que nous proposons, la caractristique I-V du champ
est constitue partir de celle des cellules. Pour tablir ces dernires, les paramtres de ces
cellules doivent tre dtermins. Il existe deux mthodes pour trouver les paramtres dune
cellule PV.
La premire mthode consiste utiliser des spcifications techniques du module pour trou-
ver, via des quations analytiques, ses paramtres [SERA'07]. Ces derniers sont utiliss ensuite
pour dduire les paramtres de la cellule [GOW'09]. Cette mthode est relativement simple
mettre en uvre. Pourtant, elle nest pas convenable avec des modules dj oprationnels car
les paramtres dterminer pourraient se dgrader lors du fonctionnement.
La deuxime mthode consiste faire une identification des paramtres de la cellule par-
tir de la caractristique I-V mesure. Cette dernire nest gnralement pas accessible car les
cellules sont intgres dans le module. Pour y remdier, cette tude suppose que les cellules
dans un module sont identiques et que lon peut dduire la caractristique I-V dune cellule
moyenne partir de la caractristique du module mesure en divisant la dernire par le
nombre de cellules en sries.
Loutil de MATLAB, plus spcifiquement lsqnonlin , est utilis pour faire cette identi-
fication. Il est rappeler quil existe 8 paramtres au total pour le modle de Bishop retenu
dans cette tude. Les 3 paramtres de rglage de Bishop (voir lquation (II-1)) ne modifient
considrablement la caractristique de la cellule que dans la zone ngative de sa tension et
que la mesure de cette dernire nest pas ralisable lorsque les cellules sont intgres dans le
module. La valeur typique de ces 3 paramtres trouvs dans la littrature est utilise la
place. La Figure II-27 montre la procdure retenue pour faire lidentification. Le dtail peut
tre trouv dans lannexe C.
Dans la partie II.3.2, nous avons montr que seuls les paramtres I
ph
et I
0
sont susceptibles
de varier face au changement de lensoleillement et de la temprature. Les autres paramtres
sont quasiment constants face ce changement. La Figure II-28 ne montre donc que les pa-
ramtres (R
s
, R
sh
, a) des 9 modules obtenus de lidentification. La moyenne de chaque para-
mtre sera ensuite utilise dans la simulation pour dterminer la caractristique du champ.
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
Chapitre II
-60-
Mesurer la caractristique
I-V (Module sain)
Dduire la caractristique
I-V (cellule moyenne)
Mesurer lensoleillement et
la temprature
I
ph
*
, I
0
*
, R
S
*
, R
sh
*
, a
*
= lsqnonlin(V, I, I
ph
, I
0
, R
S
, R
sh
, a)

Figure II-27 : Procdure pour faire lidentification des paramtres dune cellule PV
1 2 3 4 5 6 7 8 9
0.014
0.0147
0.0154
0.0161
0.0168
0.0175
0.018
N de module
R
s
i
s
t
a
n
c
e

s
r
i
e

[
O
]

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
3
4
5
6
7
8
9
N module
R
s
i
s
t
a
n
c
e

s
h
u
n
t

[
O
]

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
1.13
1.14
1.15
1.16
1.17
1.18
1.19
N module
F
a
c
t
e
u
r

d
'
i
d
a
l
i
t

d
e

d
i
o
d
e

Figure II-28 : Paramtres R
s
, R
sh
et a des 9 modules
II.6.3 Comparaison des rsultats exprimentaux et de simulation
Les Figure II-29 et Figure II-30 montrent une comparaison entre les mesures et les com-
portements simuls pour diffrents cas de dfaut. La Figure II-29a prsente la validation de la
modlisation du dfaut dombrage pour un module. On remarque que pour les diffrents om-
brages raliss (intensit de lombrage et position de lombrage), la simulation et
lexprimentation concordent. Ceci valide le modle dvelopp. La Figure II-29b prsente le
comportement dfaillant de la diode de bypass pour un module. Les diffrents cas simuls et
recrs en exprimentation concident aux incertitudes de mesures prs.
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0
1
2
3
4
5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

mesures
simulation
1 cellule d'un groupe
25% ombre
50% ombre
G diffrent

a) dfauts dombrage
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0
1
2
3
4
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

simulation
mesures
1 diode dconnecte et 1
cellule 100% ombre
1 diode remplac
par z=10O
1 diode
inverse
1 diode
court-circuite

b) dfauts de diode de bypass
Figure II-29 : Comparaison entre rsultats de simulation et dexprimentation dun module lors de diffrents
types de dfauts
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
II.7-Conclusions
-61-
0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Tension du string [V]
c
o
u
r
a
n
t

d
u

s
t
r
i
n
g

[
A
]

mesures
simulation
9 cellules d'un groupe
100% ombre
100% ombre
18 cellules de 2 groupes
100% ombre

a) dfauts dombrage
0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

mesures
simulation
1 diode remplace
par z=10ohm
1 diode dconnecte
et 9 cellules ombres
1 diodecourt-circuite
1 diode inverse

b) dfauts de diode de bypass
0 50 100 150 200 250 300 350 400
0
1
2
3
4
5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

mesures
simulation
1 module invers
1 module shunt
par z=30O
1 module shunt
par z=0.21O

c) dfauts de module
0 50 100 150 200 250 300 350 400
0
1
2
3
4
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t
[
A
]

simulation
mesures
Rconnectique=10O
Rconnectique=0.13O
Rconnectique=30O
Rconnectique=50O

d) dfauts de connectique
Figure II-30 : Comparaison entre rsultats de simulation et dexprimentation dun string lors de diffrents types
de dfauts
Les Figure II-30a et Figure II-30b prsentent les rsultats obtenus pour les mmes dfauts
mais cette fois-ci pour un string. On retrouve la cohrence entre les rsultats attendus et obte-
nus. On constate que le dfaut dombrage, lorsquil affecte un petit nombre de cellules, est
difficile dtecter sur la caractristique I(V). Par contre, la diode de bypass dconnecte est
un cas fortement dtectable lors dun ombrage car cest la condition de fonctionnement pour
laquelle son effet est le plus visible. Pour ce qui est des dfauts de connectique et de module,
les exprimentations valident les rsultats projets.
II.7 Conclusions
Dans ce chapitre, nous avons propos et dvelopp une dmarche de modlisation pour les
systmes PV en dfaut. Lintrt rside dans lobtention de la caractristique I-V du systme
PV (cellule, module, string, champ) pour les diffrents dfauts que nous avons considrs.
Une tude bibliographique sur les diffrents outils de simulation et les diffrentes ap-
proches de modlisation a t mene. Ceci nous a conduits choisir lapproche par laddition
de la caractristique I-V qui consiste dterminer la caractristique I-V dun champ PV
partir de la caractristique I-V de toutes les cellules qui constituent le champ. Parmi les diff-
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Chapitre II
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rents modles proposs pour reprsenter une cellule PV, le modle le plus convenable pour
notre tude est le modle de Bishop parce quil peut reprsenter une cellule PV tant en rgime
de fonctionnement normal quen rgime inverse.
Suivant la hirarchie des tapes de la modlisation propose (cellule, groupe, module,
string et champ) et les consquences possibles que les dfauts retenus dans le chapitre 1 peu-
vent y avoir lieu, ces dfauts ont t restructurs et classifis en cinq catgories pour la mod-
lisation :
- Dfauts de mismatch et dombrage
- Dfauts de la diode de bypass
- Dfauts de module
- Dfauts de connectique
- Dfauts de la diode anti-retour
Cette dmarche de modlisation est valide par une srie dexprimentations. Il reste main-
tenant utiliser les rsultats de ces simulations pour dvelopper une caractrisation des d-
fauts partir de la caractristique I-V des fins de diagnostic.

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Chapitre III
Algorithme de Dtection et de Localisation de
Dfauts dun Champ Photovoltaque
Sommaire

III.1 Introduction ...................................................................................................................... 64
III.2 Choix des symptmes pour la dtection et la localisation de dfauts .............................. 64
III.2.1 Etablissement dune base de connaissances du comportement dfaillant dun champ
PV ........................................................................................................................................ 64
III.2.2 Identification des symptmes ................................................................................... 66
III.2.3 Evolution des symptmes ......................................................................................... 68
III.3 Analyse qualitative de la capacit de dtection et de localisation de dfauts .................. 70
III.3.1 Tableau de signatures de dfauts pour un module .................................................... 71
III.3.2 Tableau de signatures de dfauts pour un string....................................................... 72
III.3.3 Tableau de signatures de dfauts pour un champ ..................................................... 73
III.3.4 Synthse .................................................................................................................... 74
III.4 Analyse quantitative de la capacit de dtection et de localisation de dfauts ................ 75
III.4.1 Gnration des symptmes ....................................................................................... 76
III.4.2 Nouveau tableau de signatures de dfauts ................................................................ 80
III.4.3 Rglage du seuil........................................................................................................ 81
III.4.4 Robustesse du diagnostic .......................................................................................... 89
III.5 Conclusions ...................................................................................................................... 90

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Chapitre III
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III.1 Introduction
Lobjectif de ce chapitre est de dvelopper un algorithme de dtection et de localisation de
dfauts dans un champ photovoltaque. Autrement dit, lobjectif est de voir quels dfauts sont
dtectables et localisables grce lalgorithme que nous allons proposer.
Dans le chapitre 1, nous avons montr que la mthode dinfrence base de raisonnement
discret est la mthode de diagnostic la plus convenable pour dtecter et localiser les dfauts
dun champ PV sur la base de lanalyse de sa caractristique I-V. Selon cette mthode, la
toute premire tape consiste tablir une base de connaissance du comportement dfaillant
du champ PV, c'est--dire tablir une relation entre les dfauts et les symptmes prsents
dans la caractristique du champ. Cette connaissance a priori peut tre tablie en effectuant
une simulation du comportement du champ PV pour un scnario exhaustif de dfauts consid-
rs. Do lobjectif du dveloppement du modle dfaillant dun champ PV prsent dans le
chapitre 2 que nous allons utiliser ici.
Dans ce chapitre, nous allons tout dabord traiter le choix des symptmes pour la dtection
et la localisation de dfauts partir de la base de connaissance du comportement dfaillant du
champ PV que nous allons galement tablir.
Avec les symptmes retenus, nous abordons ensuite lanalyse de la capacit de dtection et
de localisation de dfauts dun champ PV. Cette analyse sera divise en deux parties : analyse
qualitative et quantitative. Lanalyse qualitative sert dvaluation prliminaire de la capacit
de dtection et de localisation de dfauts. Cette analyse se fonde entirement sur les symp-
tmes qualitatifs retenus.
Nous prsentons par la suite lanalyse quantitative de la capacit de dtection et de locali-
sation de dfauts. Cette analyse consiste tout dabord gnrer analytiquement tous les symp-
tmes retenus et leur attribuer ensuite un seuil. Ces seuils sont choisis selon lexigence de-
mande par lutilisateur du systme de diagnostic tout en vitant les problmes de fausses
alarmes. La robustesse du systme de diagnostic propos vis--vis de la variation de la condi-
tion de fonctionnement (ensoleillement et temprature) est galement traite.
Nous prsentons les perspectives lies la mthode de dtection et de localisation de d-
fauts que nous avons dveloppe.
III.2 Choix des symptmes pour la dtection et la localisation de
dfauts
III.2.1 Etablissement dune base de connaissances du comportement dfail-
lant dun champ PV
Ltablissement dune base de connaissances du comportement dfaillant dun champ PV
consiste tablir une relation causale entre les dfauts et les symptmes obtenus partir de la
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III.2-Choix des symptmes pour la dtection et la localisation de dfauts
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caractristique I-V du champ lui-mme. Pour faire cela, une srie de simulation doit tre ef-
fectue pour une liste exhaustive de scnarios de dfauts considrs. Dans chaque simulation,
un seul dfaut est considr et la caractristique I-V issue de cette simulation est examine
dans le but didentifier les symptmes potentiels qui permettent de remonter la nature du
dfaut. Cette simulation est rpte pour tous les autres dfauts considrs dans le scnario.
III.2.1.1 Etablissement du scnario de dfauts pour la simulation
Le scnario de dfauts pour la simulation peut tre tabli en tenant compte, pour chaque
dfaut, des diffrents facteurs qui peuvent faire voluer les symptmes caractristiques de ce
dfaut. On peut envisager trois facteurs qui peuvent intervenir : la svrit du dfaut, la varia-
tion de la condition de fonctionnement et le type du systme PV (module, string ou champ). Il
est rappeler que nous avons considr dans le chapitre 2 cinq catgories de dfauts pour la
modlisation. Ce sont les dfauts de mismatch et dombrage, dfauts de diode de bypass, d-
fauts de module, dfauts de connectique et dfauts de diode anti-retour.
i) Svrit des dfauts
La svrit de la plupart des dfauts peut tre dfinie par deux grandeurs : leur amplitude
et le nombre de composants en dfaut. A titre dexemple, on dit quun dfaut de mismatch de
type rsistance srie saggrave quand la rsistance dune cellule augmente et il saggrave
encore plus quand il affecte plusieurs cellules. Cependant, la svrit de certains dfauts peut
tre quantifie uniquement avec le nombre de composants en dfaut. On peut citer comme
exemple le cas du court-circuit de la diode de bypass. Le Tableau III-1 prsente comment
nous dfinissons la svrit des dfauts considrs dans la simulation.
TABLEAU III-1 : DEFINITION DE LA SEVERITE DE DEFAUTS
Catgorie de dfaut Dfauts Svrit
Dfaut de mismatch
ombrage Iph(A)
rsistance srie Rs()
rsistance parallle Rp()
temprature T(K)
Dfaut de diode bypass
diode de bypass court-circuite x
diode de bypass dfaillante Rdbp()
diode de bypass dconnecte x
diode de bypass inverse x
Dfaut de module
module court-circuit x
module shunt Rmod()
module invers x
Dfaut de connectique
rsistance connectique Rcon()
connexion dconnecte x
Dfaut de diode anti-retour
diode anti-retour court-circuite x
diode anti-retour dfaillante Ranti()
diode anti-retour dconnecte x
diode anti-retour inverse x
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Chapitre III
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Le symbole x associ certains dfauts reprsente le fait que la svrit de ces dfauts
ne peut tre quantifie quavec le nombre de composants en dfaut.
ii) Variation de la condition de fonctionnement
Il sagit de la variation de lensoleillement et de la temprature de fonctionnement du
champ PV. Le champ PV oprationnel est normalement expos un cycle de variation de
lensoleillement et de la temprature. Il est donc important de savoir comment volue le com-
portement dun champ PV en dfaut face cette variation.
iii) Configuration du champ
Jusqu prsent, nous navons pas encore dfini la localisation du point de mesure o les
informations doivent tre releves afin de faire le diagnostic, sachant quil existe plusieurs
niveaux demplacements possibles (module, string ou champ). On se doute nanmoins que
plus on est haut niveau (champ), moins on voit de dfauts de bas niveau (cellule).
Lemplacement optimal du point de mesure permet de rduire le nombre de capteurs tout en
garantissant une bonne capacit de diagnostic de dfauts. Il est donc important de faire une
analyse sur cette dernire pour les diffrents systmes PV (module, string et champ).
Pour effectuer cette analyse, nous retenons, dune manire triviale, les trois configurations
suivantes : module (1 module x 1 module), string (1 string x 3 modules), champ (2 strings x 3
modules).
III.2.1.2 Rsultats de simulation
Le dtail sur ltablissement du scnario pour la simulation en tenant compte des trois fac-
teurs dcrits auparavant peut tre trouv dans lannexe D. Le rsultat de simulation du com-
portement dun champ PV pour un tel scnario est galement prsent dans cette mme an-
nexe. Nous ne prsentons dans la suite de ce chapitre que la synthse de cette tude de simu-
lation qui sera utile pour la suite du travail. Cette synthse se focalise sur deux points essen-
tiels :
- lidentification des symptmes potentiels dans le comportement dfaillant du
champ PV
- lvolution de ce comportement, donc des symptmes identifis, en fonction des
trois facteurs dcrits auparavant.
III.2.2 Identification des symptmes
Le rsultat de simulation du comportement dun champ PV pour un scnario exhaustif de
dfauts considrs a montr quil est possible didentifier des symptmes potentiels qui peu-
vent tre utiliss pour remonter la nature de dfauts. Un dfaut quelconque pourrait gnrer
un seul ou plusieurs symptmes mais certains symptmes sont communs plusieurs dfauts.
Donc, la combinaison des symptmes identifis, appele galement signature de dfauts,
permet didentifier le dfaut ou un groupe de dfauts responsables du comportement examin.
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La comparaison de la caractristique dun systme PV en dfaut avec celle en fonctionne-
ment normal peut conduire lidentification des symptmes potentiels pour faire le diagnos-
tic. La Figure III-1 montre les diffrents symptmes identifis dans les diffrentes zones de la
caractristique dun module en dfaut. Les mmes symptmes peuvent tre identifis dans le
cas dun string et dun champ PV.
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Tension [V]
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Caractristique du
module normal
Zone 1
Zone 2
Zone 4
Zone 3
Zone 4

Figure III-1 : Caractristiques dfaillantes dun module PV
Le Tableau III-2 prsente les diffrents symptmes identifis.
TABLEAU III-2 : DIFFERENTS SYMPTOMES IDENTIFIES A PARTIR DE LA COMPARAISON DE LA CARACTERISTIQUE
Symptme
Zone de la
caractristique I-V
Nom du symptme
s1 - rduction de la puissance maximale
s2 zone 1 rduction de la tension de circuit ouvert
s3 zone 2 rduction du courant de court-circuit
s4 zone 3 prsence dun ou des points dinflexion
s5 zone 4 dviation de la pente
Le symptme s1 est le tout premier symptme que lon puisse extraire de cette compa-
raison car il semble vident quun dfaut quelconque, une fois apparu, entranera une perte de
la puissance produite. Par contre, cette constatation nest pas toujours vraie car certains d-
fauts, lorsquils apparaissent tout seul (dfauts simples), ne conduisent aucune perte de puis-
sance. On peut citer comme exemple la dconnexion de la diode de bypass.
Le symptme s2 est lcart entre la tension de circuit ouvert du systme PV en fonc-
tionnement normal et celle en fonctionnement dfaillant (voir zone 1 de la figure).
Le symptme s3 est lcart entre le courant de court-circuit du systme PV en fonc-
tionnement normal et celui en fonctionnement dfaillant (voir zone 2 de la figure).
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Chapitre III
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Le symptme s4 se rfre la dviation brusque de la caractristique I-V en dfaut qui
conduit dans cette dernire un ou des points dinflexion comme lon peut le voir dans la
zone 3 de la figure.
Le symptme s5 se rfre la dviation de la pente de la caractristique I-V en dfaut
par rapport celle en fonctionnement sain (voir zone 4 de la figure). On considre quil ny a
pas de dviation si le profil de la chute en tension et en courant est constant tout au long de la
courbe I-V. Dans le cas contraire, on constate quil y a une dviation. On sintressera dans ce
cas au profil de la chute en tension dans la partie verticale de la courbe (partie courant
faible) et au profil de la chute en courant dans la partie horizontale de la courbe (partie cou-
rant fort).
III.2.3 Evolution des symptmes
En comparant la caractristique I-V dun champ PV en fonctionnement dfaillant avec
celle en fonctionnement normal, quelques symptmes ont t identifis. Nous dcrivons dans
cette partie lvolution de ces symptmes, qui sont limage du comportement dun champ PV
en dfaut, en fonction des trois facteurs dcrits dans le paragraphe prcdent (cf. paragraphe
III.2.1.1).
III.2.3.1 Evolution des symptmes en fonction de la svrit de dfauts
Le comportement dun champ PV en dfaut volue, pour un mme type de dfaut, de diff-
rentes manires en fonction de sa svrit. La Figure III-2 montre une synthse sur les diff-
rentes manifestations issues de la simulation dun module PV pour les diffrents scnarios de
dfauts. Les mmes manifestations peuvent tre trouves dans le cas des deux autres configu-
rations.
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Svrit accrue

(a) Mismatch de type temprature
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Svrit accrue

(b) Mismatch type Rs
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Svrit accrue

(c) Mismatch type Rp
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Svrit accrue

(d) Diode de bypass dconnecte
Figure III-2 : Evolution du comportement de dfauts en fonction de leur svrit
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Dans cette figure, on peut remarquer quil existe deux sortes de manifestation : la manifes-
tation dite certaine et celle dite incertaine .
Manifestation certaine : Un ou des symptme(s) volue(nt) dune manire consistante
en fonction de la svrit quelle que soit la svrit, il ny a ni apparition de nouveaux symp-
tmes ni disparition des symptmes apparus. Par exemple, dans le cas de la Figure III-2a,
seule la rduction de la tension de circuit ouvert volue quand la temprature varie. Les autres
symptmes restent inchangs.
Manifestation incertaine : Pour certains types de dfauts, lorsque leur svrit dpasse
un certain degr, de nouveaux symptmes peuvent apparatre et/ou des symptmes apparus ne
sont plus dtectables. Par exemple :
- Lapparition dun point dinflexion dans le cas du dfaut de mismatch type rsis-
tance srie Rs (voir Figure III-2b).
- La rduction de la tension de circuit ouvert dans le cas du dfaut de mismatch type
rsistance parallle Rp (voir Figure III-2c). La dviation de la pente nexiste
plus.
- La rduction du courant de court-circuit dans le cas du dfaut de diode de bypass
dconnecte (voir Figure III-2d).
III.2.3.2 Evolution des symptmes en fonction de la condition de fonctionnement
La Figure III-3 montre la manifestation de quelques types de dfauts, pour un module, en
fonction de la condition de fonctionnement (ensoleillement). Dans cette figure, deux niveaux
densoleillement sont considrs et la svrit de dfauts est garde constante pour ces deux
niveaux.
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dfaillant
Ensoleillement augment

(a) mismatch type ombrage
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(b) diode de bypass court-circuit
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normal
dfaillant

(c) mismatch type Rs
Figure III-3 : Evolution du comportement de dfauts en fonction de la condition de fonctionnement
De la mme manire que le cas prcdent, deux types de manifestation peuvent tre trou-
vs. Dans le cas de la manifestation certaine, cas a et b de la Figure III-3, les symp-
tmes apparus (prsence dun point dinflexion pour le cas a et rduction de la tension de
circuit ouvert pour le cas b ) se conservent quelle que soit la variation de la condition de
fonctionnement. Au contraire, dans le cas c , un nouveau symptme apparat (prsence
dun point dinflexion) lorsque lensoleillement est plus important.
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III.2.3.3 Evolution des symptmes en fonction du type de systme PV
La Figure III-4 montre le comportement de deux dfauts diffrents pour les trois types de
systme PV considres. Chacun de ces deux dfauts apparat au niveau dun module. La s-
vrit de ces deux dfauts est garde constante et lvolution des symptmes est observe lors
du passage dune configuration une autre (module vers string et puis string vers champ).
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Tension [V]
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dfaillant
MODULE

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Tension [V]
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normal
dfaillant
STRING

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Tension [V]
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normal
dfaillant
CHAMP

(a) Dfaut de mismatch type ombrage
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MODULE

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normal
dfaillant
STRING

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normal
dfaillant
CHAMP

(b) Dfaut de diode de bypass court-circuite
Figure III-4 : Evolution du comportement de dfauts en fonction de la configuration du champ
Deux remarques peuvent tre tires de cette figure. La premire remarque peut tre tablie
lors du passage du module au string . La rduction du courant de court-circuit qui ap-
parat dans la configuration module se transforme en un point dinflexion dans la configu-
ration string . Tandis que la rduction de la tension de circuit ouvert reste inchange lors
de ce passage. La deuxime remarque est alors formule lors du passage du string au
champ . Lors de ce passage, la rduction du courant se conserve. Tandis que la rduction
de la tension de circuit ouvert se transforme en un point dinflexion.
III.3 Analyse qualitative de la capacit de dtection et de localisa-
tion de dfauts
Nous avons dcrit quels taient les symptmes considrs pour analyser la manifestation
des dfauts lors du fonctionnement dun systme PV. Il est temps maintenant de donner
quelles sont les signatures des diffrents dfauts considrs. Ces signatures de dfauts sont
tablies en regardant pour chaque dfaut la prsence ou labsence de tous les symptmes rete-
nus. Par ailleurs, comme nous venons de le voir dans la partie prcdente, il faut aussi prendre
en compte la svrit du dfaut dans ltablissement de ces tableaux de signature. Nous fixons
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III.3-Analyse qualitative de la capacit de dtection et de localisation de dfauts
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dans cette analyse le point de fonctionnement du champ PV.
Cette analyse sera conduite en dtaillant le type de systme PV surveill (module, string,
champ). Pour le moment, chaque tableau rsulte dune analyse qualitative, nous tablirons
dans la suite de ce chapitre une analyse quantitative pour spcifier les amplitudes des dfauts
et des symptmes que lon a considrs. Enfin, chaque tableau est prsent en regroupant les
dfauts qui possdent la mme signature et qui sont donc potentiellement non discriminables
entre eux sur la base de cette analyse.
III.3.1 Tableau de signatures de dfauts pour un module
Le Tableau III-3 prsente le tableau de signatures de dfauts pour un module.
TABLEAU III-3 : TABLEAU DE SIGNATURES DE DEFAUT POUR UN MODULE
Nature de dfauts Svrit s1 s2 s3 s4 s5
Aucun dfaut x 0 0 0 0 0
Diode de bypass dconnecte x 0 0 0 0 0
Diode de bypass court-circuite x 1 1 0 0 0
Diode de bypass inverse x 1 1 0 0 0
Cellules court- circuites (Rp=0) x 1 1 0 0 0
Mismatch type ombrage complet x 1 1 0 0 0
Mismatch type temprature x 1 1 0 0 0
Module court-circuit x 1 1 1 0 0
Module invers x 1 1 1 0 0
Mismatch type ombrage partiel + 1 0 0 1 0
Mismatch type ombrage partiel ++ 1 1 0 1 0
Diode de bypass dfaillante + 1 0 0 0 1
Mismatch type Rp + 1 0 0 0 1
Mismatch type Rs + 1 0 0 0 1
Module shunt + 1 0 0 0 1
Diode de bypass dfaillante ++ 1 1 0 0 1
Mismatch type Rp ++ 1 1 0 0 1
Module shunt ++ 1 1 0 0 1
Mismatch type Rs ++ 1 0 0 1 1
Comme il a t dj expliqu auparavant, les symptmes dun dfaut quelconque peuvent
voluer en fonction de la sa svrit. Do la possibilit de gnrer, pour un mme dfaut,
diffrentes signatures de dfauts pour les diffrentes svrits de dfauts. Le degr de svrit
mentionn dans le Tableau III-3 est dtaill selon le changement de la signature de dfauts.
Les lgendes suivantes sont utilises dans le tableau : x quelle que soit la svrit ;
+ svrit moins importante ; ++ svrit plus importante. On distingue deux types
dombrage : lombrage partiel qui couvre une fraction du module et lombrage complet qui
couvre la totalit du module. La svrit de chaque type dombrage est caractrise par
lensoleillement reu par le module ou la fraction du module ombr.
Il est remarquer quen tenant compte de la svrit de dfauts, le nombre de dfauts d-
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Chapitre III
-72-
tects (18 dfauts) prsent dans le Tableau III-3 est plus important que celui (11 dfauts)
initialement considr (voir Tableau III-1).
De lanalyse de ce tableau, il existe 8 signatures de dfaut que nous pouvons dtecter ;
donc 8 groupes de dfauts que lon peut discriminer. Il savre quil nest pas possible, sur la
base des critres retenus, de distinguer par exemple un dfaut diode de bypass court-
circuite et un dfaut diode de bypass inverse car ces deux dfauts possdent la mme
signature. Ceci nest pas illogique dans la mesure o ces deux dfauts sappliquent sur la
diode bypass. Par contre, si lon considre le dfaut de mismatch type Rs et le dfaut de
mismatch type Rp , on constate quils possdent la mme signature alors quils naffectent
pas la mme partie du module. Si lon souhaite discriminer ces deux dfauts, il nest pas
possible de le faire avec les critres choisis.
Une remarque importante doit tre galement formule pour le symptme s1 (rduction de
la puissance maximale). Ce dernier est prsent dans tous les dfauts considrs sauf le dfaut
diode de bypass dconnecte . Ceci est logique car cette diode est utilise pour protger le
dysfonctionnement des cellules. Or, si ces dernires sont en bon tat, la dconnexion de cette
diode nentranera aucune perte de la puissance. Ce symptme ne fournit aucune contribution
pour la discrimination de dfauts. Par contre, il pourra tre utilis comme un indicateur de
dfaut et les autres quatre symptmes seront utiliss comme piste de localisation de dfauts.
III.3.2 Tableau de signatures de dfauts pour un string
Le Tableau III-4 prsente le tableau de signatures de dfaut pour un string. La mme d-
marche de construction du tableau que celle dans le cas du module est applique. Il est noter
que des nouveaux dfauts (dfauts de connectique) sont introduits dans ce cas.
TABLEAU III-4 : TABLEAU DE SIGNATURES DE DEFAUT POUR UN STRING
Cellules court- circuites x 1 1 0 0 0
Connexion dconnecte x 1 1 1 0 0
Rsistance connectique + 1 0 0 0 1
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III.3-Analyse qualitative de la capacit de dtection et de localisation de dfauts
-73-
Rsistance connectique ++ 1 0 1 0 1
De la lecture de ce tableau, on peut constater que le nombre de dfauts dtects est plus
important (sans perte de dtection des dfauts du module). Ceci est logique dans la mesure o
lon considre des nouveaux dfauts associs au string. On remarque quil existe 9 signatures
de dfauts. Ce chiffre ne justifie pas une amlioration dans la capacit de discrimination entre
les dfauts car de nouvelles signatures sont associes aux nouveaux dfauts dans le cas du
string et nont pas t considres dans le cas du module (dfaut de connectique).
III.3.3 Tableau de signatures de dfauts pour un champ
Le Tableau III-5 prsente le tableau de signatures de dfaut pour un champ. Des nouveaux
dfauts associs la diode anti-retour sont considrs.
TABLEAU III-5 : TABLEAU DE SIGNATURES DE DEFAUT POUR UN CHAMP
Diode anti-retour court-circuite x 0 0 0 0 0
Connexion dconnecte x 1 0 1 0 0
Diode anti-retour dconnecte x 1 0 1 0 0
Diode anti-retour inverse x 1 0 1 0 0
Connectique + 1 0 0 0 1
Diode anti-retour dfaillante + 1 0 0 0 1
Connectique ++ 1 0 1 0 1
Diode anti-retour dfaillante ++ 1 0 1 0 1
Au contraire de lanalyse du tableau de signatures du string, le nombre de signatures (6 si-
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Chapitre III
-74-
gnatures) diminue malgr laugmentation du nombre de dfauts supplmentaires associs au
nouvel lment du champ (diode anti-retour). Le nombre de dfauts qui partagent la mme
signature est donc plus important que celui dans le cas du string. Ceci montre la diminution de
la capacit de discrimination de dfauts qui sexplique par la mise en parallle des strings de
diffrentes caractristiques. Par exemple, la rduction en tension de circuit ouvert observe
dans le cas dun string a compltement disparu dans le cas dun champ.
III.3.4 Synthse
Lanalyse qualitative de la capacit de dtection et de localisation de dfauts pour les trois
diffrents systmes PV (module/string/champ) a montr un grand dintrt pour ltude de la
localisation de dfauts. Deux points essentiels ont t conclus lors de cette analyse :
- diffrentes capacits de discriminations de dfauts vis--vis de diffrents systmes
photovoltaques
- diffrentes utilits des symptmes parmi ceux que nous avons retenus
Ces deux lments, que nous prsentons ici, nous permettent dorienter notre tude pour
ltape suivante.
III.3.4.1 Diffrentes capacits de discrimination de dfauts
On peut rsumer la capacit de discrimination des dfauts des trois systmes PV analyss ci-
dessus dans le Tableau III-6. Il est noter que les signatures dun dfaut donn dans les trois
systmes PV considrs ne sont pas obligatoirement identiques.
TABLEAU III-6 : TABLEAU DE RESUME SUR LA CAPACITE DE DISCRIMINATION DU DEFAUT POUR LES DIFFERENTES
CONFIGURATIONS
Type de configuration Nombre de dfauts Nombre de signatures
Module 18 8
String 21 9
Champ 25 6
Grce ce tableau, on peut conclure que la capacit de discrimination de dfauts reste in-
variante lors du passage de la configuration module la configuration string . Par
contre, lors du passage de la configuration string la configuration champ , quelques
symptmes retenus voluent et, dans des cas extrmes, disparaissent. Par consquent, pour
garantir la bonne capacit de discrimination des dfauts tout en limitant le nombre de cap-
teurs, le diagnostic doit tre fait au niveau du string.
III.3.4.2 Diffrentes utilits des symptmes retenus
Dans tous les trois systmes PV analyss, on a remarqu que le symptme s1 (rduction de
la puissance maximale) apparat pour tous les dfauts tudis. Ceci revient dire que tous ces
dfauts considrs peuvent tre dtects en observant uniquement ce symptme. Autrement
dit, ce symptme napporte aucune contribution la discrimination de dfauts. Il est donc
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III.4-Analyse quantitative de la capacit de dtection et de localisation de dfauts
-75-
exclu de lanalyse de localisation de dfauts. Cette dcouverte nous amne dcouper
lalgorithme de dtection et de localisation de dfauts en deux tapes successives : dtection
de dfauts en observant le symptme s1 puis localisation de dfauts en utilisant les symp-
tmes s2 s5 . Lalgorithme de dtection et de localisation de dfauts pour un systme PV
est prsent alors dans la Figure III-5.
Calcul de
s1
s1 apparat?
Calcul de
s2 s5
Tableau de
signatures
Nature de
dfauts
Aucun
dfaut
OUI
NON
Dtection de dfauts
Localisation de dfauts

Figure III-5 : Algorithme de dtection et de localisation de dfauts pour un systme PV
Selon lalgorithme prsent dans la Figure III-5, le calcul du symptme s2 s5 ne
seffectue quaprs la dtection dun dfaut quelconque, donc quaprs lapparition du symp-
tme s1 . Ceci revient dire que, dans le processus du diagnostic dun champ PV que nous
avons propos, la rduction de la puissance maximale (symptme s1 ) est une grandeur
surveiller en continu. Tandis que les autres symptmes sont conditionnellement surveills
suivant ltat du symptme s1 .
III.4 Analyse quantitative de la capacit de dtection et de locali-
sation de dfauts
Nous avons montr dans la partie prcdente les symptmes potentiels qui peuvent tre uti-
liss pour remonter la nature des dfauts. Ces symptmes sont identifis par la comparaison
entre la caractristique I-V dun champ PV en dfaut avec celle en fonctionnement sain.
Lvolution de ces symptmes en fonction de la svrit de dfauts, de la condition de fonc-
tionnement et du systme PV considr (module/string/champ) a t galement examine.
Les symptmes identifis ont t ensuite utiliss pour construire le tableau de signatures
pour les trois systmes PV qui permet de faire une analyse sur la performance de diagnostic
pour ces trois cas. Parmi les cinq symptmes identifis, seuls les quatre derniers contribuent
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1
Chapitre III
-76-
la localisation de dfauts tandis que le premier (rduction de la puissance maximale) est utili-
s comme indicateur de dfaut. Cette analyse a t faite dune manire qualitative sans tenir
compte de la valeur quantitative de chaque symptme.
Dans cette partie, nous prsentons la mthode de gnration des symptmes partir de la
comparaison de la caractristique saine et dfaillante . Nous abordons ensuite le r-
glage du seuil pour dclencher les tats de ces symptmes. Enfin, nous discutons de la capaci-
t de dtection et de localisation des dfauts vis--vis du choix du seuil.
Nous supposons pour linstant que les deux caractristiques dfaillante et saine sont
notre disposition. Nous aborderons la mthode pour les obtenir dans le prochain chapitre.
III.4.1 Gnration des symptmes
Dans ltablissement des trois tableaux de signatures de dfauts dans le paragraphe prc-
dent, deux tats discrets, 0 et 1 , ont t attribus chaque symptme pour reprsenter
respectivement leur absence et leur prsence pendant lapparition dun dfaut quelconque.
Lattribution dun tat ou lautre sest fait dune manire purement qualitative (par observa-
tion visuelle).
Pour pouvoir faire une analyse quantitative, chaque symptme doit tre gnr analyti-
quement et associ un seuil, quil faut choisir. Nous prsentons dans cette partie comment
on gnre ces symptmes et nous prsentons dans la partie suivante la mthode
dtablissement du seuil pour ces symptmes.
III.4.1.1 Gnration du symptme s1
Il sagit de lcart entre la puissance maximale produite par le systme PV actuel
( ) dfaut max
P
et la puissance attendue
( ) sain max
P . Lexpression de cet cart est donne par lquation suivante.

( ) ( ) dfaut max sain max max
P P P = A
(III-1)
Ce symptme peut tre exprim par lcart entre le courant de court-circuit du systme PV
en fonctionnement normal
( ) sain SC
I et celui en fonctionnement dfaillant
( ) dfaut SC
I , dont
lexpression est donne par lquation suivante.

( ) ( ) dfaut SC sain SC SC
I I I = A
(III-2)
Cest lcart entre la tension de circuit ouvert du systme PV en fonctionnement sain
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-77-
( ) sain OC
V et celle en fonctionnement en dfaut
( ) dfaut OC
V . Cet cart est exprim par lquation
suivante.

( ) ( ) dfaut OC sain OC OC
V V V = A
(III-3)
Le symptme s4 sappuie sur la prsence dun ou des points dinflexion. Ces derniers
peuvent tre dtects par le changement du signe de la drive seconde. Il existe deux possibi-
lits pour obtenir cette drive. La premire possibilit consiste faire la drive du courant
par rapport la tension et la seconde possibilit consiste faire la rciproque. Comme il a t
dj expliqu auparavant (voir paragraphe III.2.2), ces points dinflexion rsultent de la mise
en conduction dune ou de plusieurs des diodes de bypass (dfaut de mismatch type om-
brage et rsistance srie ). Cette mise en conduction entrane une perte brusque de la ten-
sion du groupe de cellules pour une trs faible variation du courant. On peut esprer donc une
trs forte variation de la tension par rapport au courant. Cest pour cette raison que la drive
de la tension par rapport au courant est prfre pour dtecter un point dinflexion.
La Figure III-7 montre le profil de la caractristique V-I et de ses drives, premire et se-
conde, pour un module en dfaut produisant un point dinflexion dans sa caractristique. Le
profil de la drive, en prsence dun point dinflexion, se produit de la mme manire dans le
cas du string.
TABLEAU III-7 : DETECTION DUN POINT DINFLEXION PAR LA DERIVEE SECONDE
Caractristique V-I Drive premire (dV/dI) Drive seconde (dV/dI)
Cas de
dfaut
dombrage
0 1 2 3 4
0
10
20
30
40
50
Courant [A]
T
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n
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i
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[
V
]

0 1 2 3 4
-150
-100
-50
0
Courant [A]
d
V
/
d
I

[
V
/
A
]

0 1 2 3 4
-2000
-1500
-1000
-500
0
500
1000
1500
Courant [A]
d
V
/
d
I

[
V
/
A
]

Cas de
dfaut de
mismatch
type
Rs
0 1 2 3 4
0
10
20
30
40
50
Courant [A]
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]

0 1 2 3 4
-50
-40
-30
-20
-10
0
Courant [A]
d
V
/
d
I

[
V
/
A
]

0 1 2 3 4
-150
-100
-50
0
50
Courant [A]
d
V
/
d
I

[
V
/
A
]

De cette figure, on peut remarquer quil est impossible de dtecter la prsence dun point
dinflexion en observant le profil de la drive premire. Au contraire, ce symptme peut tre
dtect par le maximum de la drive seconde.
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1
Chapitre III
-78-
Dans lanalyse qualitative de la capacit de dtection et de localisation que nous avons
conduite dans le paragraphe III.3, nous navons retenu que deux tats pour le symptme
s5 : la pente de la caractristique en dfaut est dvie ou non par rapport celle en fonc-
tionnement normal. Il existe plusieurs sortes de dfauts qui peuvent conduire une dviation
de la pente. Ces dfauts sont les dfauts causs par laugmentation de la rsistance des l-
ments en srie (rsistance des cellules, rsistance de la connectique), les dfauts causs par la
diminution dune rsistance en parallle (rsistance parallle des cellules, rsistance dune
diode de bypass dfaillante, rsistance dun module shunt) et les dfauts causs par le fonc-
tionnement en rgime inverse de la cellule. Les allures prsentant ces diffrents types de d-
viation sont illustres dans la Figure III-6.
0 10 20 30 40
0
1
2
3
4
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

normal
dfauts

(a) pas de dviation
0 10 20 30 40
0
1
2
3
4
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

normal
dfauts

(b) dviation de type srie
0 10 20 30 40
0
1
2
3
4
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

normal
dfauts

(c) dviation de type parallle
0 10 20 30 40
0
1
2
3
4
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

normal
dfauts

(d) dviation type cellule inverse
Figure III-6 : Diffrents types de dviation de la pente dans le cas dun module
Ces diffrentes allures montrent une potentialit de discrimination entre ces diffrents
types de dviation. Pour pouvoir les discriminer, des informations supplmentaires doivent
tre extraites de la comparaison entre la caractristique en fonctionnement normal et celle en
fonctionnement dfaillant. Une tude de simulation exhaustive nous amne retenir quelques
informations relatives au profil de la chute en tension tout au long du courant pour faire cette
discrimination. Ces informations sont la drive premire et la drive seconde de ce profil.
Lallure de ces drives pour les quatre diffrents cas de la Figure III-6 est montre dans le
Tableau III-8.

t
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0
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6
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1
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0
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-79-
TABLEAU III-8 : ALLURES DES DERIVEES PREMIERE ET SECONDE DE LA CHUTE EN TENSION POUR LES DIFFERENTS
TYPES DE DEVIATION DE LA PENTE

caractristique I-V chute en tension (V)
drive premire de
V (dV/dI)
drive seconde de V
(dV/dI)
P
a
s

d
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d
v
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0 10 20 30 40
0
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2
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4
Tension [V]
C
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[
A
]

normal
dfaut

0 1 2 3 4
2
4
6
8
10
12
Courant [A]
A
V

[
V
]

0 1 2 3 4
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
Courant [A]
d
A
V
/
d
I

[
V
/
A
]

0 1 2 3 4
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
5
Courant [A]
d
A
V
/
d
I

[
V
/
A
]

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2
3
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Courant [A]
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[
V
]

normal
dfaut

0 1 2 3 4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Courant [A]
A
V

[
V
]

0 1 2 3 4
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
Courant [A]
d
A
V
/
d
I

[
V
/
A
]

0 1 2 3 4
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
5
Courant [A]
d
A
V
/
d
I

[
V
/
A
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0 10 20 30 40
0
1
2
3
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Courant [A]
T
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i o
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[
V
]

normal
dfaut

0 1 2 3 4
0
1
2
3
4
5
6
Courant [A]
A
V

[
V
]

0 1 2 3 4
-15
-10
-5
0
5
10
Courant [A]
d
A
V
/
d
I

[
V
/
A
]

0 1 2 3 4
-40
-20
0
20
Courant [A]
d
A
V
/
d
I

[
V
/
A
]

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0 10 20 30 40
0
1
2
3
4
Courant [A]
T
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s
i o
n

[
V
]

normal
dfaut

0 1 2 3 4
0
5
10
15
20
Courant [A]
A
V

[
V
]

0 1 2 3 4
-40
-20
0
20
40
Courant [A]
d
A
V
/
d
I

[
V
/
A
]

0 1 2 3 4
-1000
-500
0
500
1000
Courant [A]
d
A
V
/
d
I

[
V
/
A
]

Il apparat alors que la mthode de larbre de dcision est la mthode la plus adapte pour
faire cette discrimination. Il sagit en effet dune srie de questions sur les symptmes retenus
auxquelles il faut rpondre et en fonction de la rponse, la question suivante rduit les choix
de plus en plus jusqu ce que le dfaut possible soit dtermin.
Dans le cas de la classification de la pente, il y a quatre classes distinguer utilisant quatre
symptmes. Ces quatre classes correspondent aux quatre types de dviation de la pente consi-
drs. Les trois symptmes utiliss sont : lexistence dun point dinflexion (symptme s4
prsent auparavant), la drive premire du profil de chute de tension et la drive seconde
du profil de chute de tension. Avec ces diffrentes classes et ces symptmes retenus, larbre
de dcision est ainsi prsent dans la Figure III-7.
Cet arbre de dcision est construit pour discriminer les diffrentes classes de dviation de
la pente. Pourtant, il faut rappeler que le cas de dfaut de mismatch type ombrage est con-
sidr comme sil ne produit pas de dviation de la pente. Il faut lexclure donc dans lanalyse
de discrimination de la dviation de pente. Pour le faire, le symptme s4 , qui indique la
prsence dun point dinflexion d aux ombrages, est rutilis dans la construction de cet
arbre de dcision. Pour discriminer la dviation type parallle du type cellule inverse ,
nous avons recours au calcul de la drive seconde du profil de la chute de tension. La valeur
maximale de cette drive est compare avec un seuil, que nous avons choisi daprs une s-
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0
1
1
Chapitre III
-80-
rie de simulations exhaustives. Il permet de sparer les cas de dviation de type parallle
(infrieur au seuil) des cas de dviation de type cellule inverse .
Pas de
changement
Serie
Parallle Cellule inverse
?
dI
V d
max 0 > |
.
|
\
| A
OUI NON
OUI NON
OUI
OUI
Pas de changement
(Ombrage)
?
dI
V d
max 0
2
2
>
|
|
.
|
\
| A
Point dinflexion
existe?
NON
NON
? C
dI
V d
max >
|
|
.
|
\
| A
2
2
OUI NON
?
dI
V d
max 0
2
2
>
|
|
.
|
\
| A

Figure III-7 : Arbre de dcision pour identifier la nature de la dviation de la pente
Il est noter que la dviation de la pente type cellule inverse nintervient pas dans
lanalyse de localisation de dfauts malgr son apparition dans larbre de dcision, car cette
caractristique rsulte dun dfaut accumul (ombrage et diode de bypass dconnecte) qui
reste en dehors du domaine de notre tude.
III.4.2 Nouveau tableau de signatures de dfauts
En tenant en compte des tats supplmentaires du symptme s5 pour amliorer la capa-
cit de discrimination des dfauts, le nouveau tableau de signatures de dfauts dans le cas
dun string PV est prsent dans le Tableau III-9. Ltat binaire des trois premiers symptmes
reprsente la prsence ou labsence de ce symptme. Par contre, contrairement lancien ta-
bleau (cf. Tableau III-4), le symptme pente prend plusieurs tats discrets :
- Etat 0 correspond au cas pas de changement de pente
- Etat 1 correspond au cas changement type srie
- Etat 2 correspond au cas changement type parallle
Avec des tats supplmentaires du symptme s5 , le nombre de signatures de dfauts
pour un string est augment 10 contre 9 signatures o seuls deux tats du symptme s5
avaient t considrs (cf. Tableau III-4). Bien que cette amlioration de la capacit de dtec-
tion et de localisation ne soit pas trs attrayante, une meilleure classification de dfauts dis-
criminables est pourtant obtenue. Par exemple, nous avons russi discriminer les dfauts
causs par des lments sries (rsistance srie des cellules, connectique) et les dfauts causs
par des lments parallles (rsistance parallle des cellules, diode de bypass dfaillant, mo-
dule shunt). De plus, ces tats supplmentaires du symptme s5 montrent, en perspec-
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tive, une grande potentialit dans la discrimination de dfauts causs par le fonctionnement
inverse des cellules PV (cf. Figure III-7).
TABLEAU III-9 : NOUVEAU TABLEAU DE SIGNATURES DE DEFAUTS POUR UN STRING
Cellules court-circuites x 1 1 0 0 0
Connectique dconnecte x 1 1 1 0 0

III.4.3 Rglage du seuil
Nous avons montr dans la partie prcdente la mthode de calcul de chaque symptme.
Ces symptmes ont t calculs partir de la comparaison de la caractristique dun systme
PV en fonctionnement normal avec celle en fonctionnement dfaillant. Le calcul des diff-
rents symptmes requiert diffrentes informations partir de cette comparaison de la caract-
ristique. Pour le calcul de certains symptmes, des informations supplmentaires ont du tre
gnres.
Certains symptmes prennent deux tats discrets, 0 et 1 , et certains peuvent prendre
plusieurs tats. Le dclenchement dun tat lautre de chaque symptme est dcid par un
seuil. Lobjectif de cette partie est dadopter une mthodologie pour rgler ces seuils.
La slection du seuil doit tre faite avec un compromis. Dun ct, le seuil doit tre fix
pour viter les fausses alarmes provoques par la variation du symptme dans la zone tolre
correspondant au fonctionnement normal du systme. De lautre ct, le seuil doit tre fix
pour quun dfaut de svrit minimale soit dtectable.
Dans cette partie, nous prsentons dabord la mthode de dtermination du seuil pour
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Chapitre III
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chaque symptme pour viter les fausses alarmes. Nous analysons par la suite la capacit de
dtection et de localisation de dfauts vis--vis du choix du seuil.
III.4.3.1 Dtermination du seuil pour viter les fausses alarmes
Les fausses alarmes sont provoques par la variation dun ou des symptmes dans la zone
tolre correspondant au fonctionnement normal du systme. Cette variation provient des dif-
frentes incertitudes dans la gnration de ces symptmes.
Rappelons-nous que les symptmes retenus ont t calculs partir dune comparaison
entre la caractristique I-V dun systme PV en fonctionnement normal et celle en fonction-
nement dfaillant. La premire caractristique est obtenue dun modle et sert de la rfrence.
La deuxime caractristique est obtenue de la mesure du systme actuel. De la mesure ou du
modle, ces deux caractristiques provoquent des incertitudes dans la gnration des symp-
tmes. Ces incertitudes produisent une amplitude non nulle pour chaque symptme mme si
aucun dfaut napparat.
Lamplitude des symptmes cause par les diffrentes incertitudes, incertitude de modle
et incertitude de mesure, doit tre quantifie afin de choisir un seuil qui vite les fausses
alarmes.
i) Incertitude de mesure
Lincertitude de mesure se produit lors de la mesure de la caractristique I-V du systme
PV actuel. Cette dernire est construite partir dun ensemble de couples courant ten-
sion mesurs.
Il existe une tolrance pour tous les instruments de mesure du courant et de la tension.
Dans les applications photovoltaques, la norme IEC 61724 [IEC'98] limite cette tolrance
1% de la grandeur mesure. Cette tolrance sera utilise pour calculer lerreur relative pro-
duite par le calcul des diffrents symptmes.
Lerreur de calcul du symptme s2 (rduction de la tension de circuit ouvert) et s3
(rduction du courant de court-circuit) est directement gale la tolrance dans la mesure de
la tension et du courant.
Etant donn lerreur de mesure de la tension et du courant, lerreur relative de calcul du
symptme s1 (rduction de la puissance maximale) peut tre donc dduite par
lexpression suivante.

I
I
V
V
P
P A
+
A
=
A
(III-4)
Elle est gale somme de lerreur relative de tension et lerreur relative de courant.
Le calcul du symptme s4 repose essentiellement sur le calcul de la drive de la ten-
sion par rapport au courant (voir paragraphe III.4.1.4). La dtection de ce symptme consiste
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comparer lamplitude de cette drive un seuil. Or, il est savoir que lamplitude de cette
drive dpasse largement lerreur de calcul de la drive introduite par les incertitudes de
mesure. En choisissant un seuil dune amplitude assez importante, lerreur relative du symp-
tme s4 peut tre donc ngligeable.
La gnration du symptme s5 (dviation de la pente) repose sur une classification sys-
tmatique des diffrentes informations extraites de la comparaison entre la caractristique I-V
du systme PV en fonctionnement normal et celle en fonctionnement dfaillant (cf. para-
graphe III.4.1.5). Ceci revient dire quil existe toujours un type de dviation de la pente
trouv par cette classification, mme si aucun dfaut napparat. Etant donn que cette classi-
fication repose essentiellement sur les diffrentes informations lies au profil de la chute de
tension (V), la valeur de cette dernire peut tre utilise pour ne pas dmarrer la classifica-
tion de la Figure III-7. Donc lerreur de mesure de la tension peut tre utilise comme seuil
pour le symptme s5 .
Le Tableau III-10 rsume lerreur relative de calcul des diffrents symptmes lie aux in-
certitudes de mesure.
TABLEAU III-10 : ERREUR RELATIVE DE CALCUL DES SYMPTOMES LIEE AUX INCERTITUDES DE MESURE
Symptmes Nom du symptme Erreur relative
s1 rduction de la puissance maximale 2%
s2 rduction de la tension de circuit ouvert 1%
s3 rduction du courant de court-circuit 1%
s4 prsence dun ou des points dinflexion Ngligeable
s5 dviation de la pente 1% (de la tension)
ii) Incertitude de modle
Lerreur de modle se rfre lcart entre la sortie du modle reprsentant un systme et
celle du systme actuel. Cette erreur est provoque principalement par linexactitude des pa-
ramtres utiliss par le modle. Le modle du champ PV dvelopp dans le chapitre 2 ne re-
prsente pas parfaitement un champ PV rel. Ceci est d lhypothse de simplification des
paramtres du modle que nous avons retenue. Cette simplification suppose que les para-
mtres de toutes les cellules sont identiques, ce qui nest pas vrai dans le cas rel. Deux
sources derreur peuvent tre identifies dans cette hypothse.
La premire source derreur est lie la dispersion des paramtres due la tolrance dans
la fabrication du module PV. La tolrance de la puissance crte dun module PV est dclare
de lordre de 3% 5% par les fabricants du module. Cette tolrance peut tre traduite en une
dispersion des paramtres du modle qui reprsente le module. Il nexiste pas de relation sp-
cifique entre la tolrance de la puissance crte du module et la dispersion des paramtres du
modle. Malgr cela, nous avons conduit une tude inverse par la simulation. Elle a consist
introduire une dispersion dun degr donn (par exemple 5%) dans tous les paramtres du
modle et simuler la puissance maximale produite. Le rsultat de simulation a montr que la
tolrance de cette dernire est du mme ordre de grandeur. Cette tude en simulation nous
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conduit constater une galit entre le degr de tolrance de la puissance maximale et le de-
gr de dispersion des paramtres du modle.
La deuxime source derreur est lie lincertitude de la mesure de la condition de fonc-
tionnement (ensoleillement et temprature) pour laquelle le champ PV est modlis. Selon la
norme IEC 61724, lerreur maximum tolre pour les instruments de mesure de
lensoleillement et de la temprature est limit 5% et 1C respectivement [IEC'98].
Lerreur de calcul des symptmes provoque par ces incertitudes doit tre quantifie. Au-
cune relation explicite nexiste entre lamplitude de ces incertitudes et celle des symptmes.
Le recours une mthode de simulation est donc indispensable.
Cette mthode consiste en une srie de tests dont chacun consiste calculer lamplitude
des symptmes partir de la comparaison des deux caractristiques I-V. Lune des caractris-
tiques est obtenue par la simulation en supposant que tous les paramtres du modle sont
identiques et lautre est obtenue, galement par la simulation, en tenant compte de la disper-
sion des paramtres. Le degr de dispersion attribu chaque paramtre du modle est tir
dune manire alatoire suivant une loi normale dont lcart type est gal la moiti du
degr de dispersion. Cette procdure est rpte pour un nombre suffisant de tests afin de d-
duire, avec un degr de confiance donn, lamplitude maximale des symptmes rsultant de
ces incertitudes de modle.
De la mme manire que pour le cas prcdent (incertitudes de mesure), nous valuons
uniquement lerreur de calcul des symptmes s1 s3 . Nous supposons que lerreur de
calcul du symptme s4 est ngligeable devant le seuil choisi pour dclencher ce symp-
tme. Tandis que lerreur de calcul du symptme s5 peut tre choisie gale lerreur de
calcul du symptme s2 . La Figure III-8 montre la distribution de lamplitude des trois
symptmes ( s1 , s2 et s3 ) exprime en valeur relative par rapport leur valeur no-
minale pour les diffrents tirages alatoires sur les paramtres du modle. Le degr de disper-
sion des paramtres du modle a t fix 5%. Le nombre total de tests est alors de 300. La
simulation a t faite pour le cas dun module.
-10 -5 0 5 10
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Chute de puissance relative [%]
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Chute de tension relative [%]
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Chute de courant relative [%]
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Figure III-8 : Amplitude des symptmes s1 , s2 et s3 pour les diffrents tirages alatoires
Avec lintervalle de confiance de 95%, lerreur de calcul maximum cause par les incerti-
tudes de modle pour le symptme s1 (rduction de la puissance maximale) est gale
6.8%. Cette erreur vaut 4% pour le symptme s2 (rduction de la tension de circuit ou-
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vert) et 4.3% pour le symptme s3 (rduction du courant de court-circuit).
Ces erreurs sont-elles constantes vis--vis du nombre de modules en srie ? La mme d-
marche de simulation a t effectue pour le cas dun string compos de plusieurs modules en
srie. Le rsultat des simulations est montr dans la figure suivante.
0 2 4 6 8 10
0
5
10
15
20
25
30
35
Nombre de modules en sries

Chute de la puissance relative [%]
Chute de la puissance absolue [W]

0 2 4 6 8 10
0
1
2
3
4
5
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7

Chute de la tension relative [%]
Chute de la tension absolue [V]

0 2 4 6 8 10
0
1
2
3
4
5

Chute du courant relative [%]
Chute du courant absolue [A]

Figure III-9 : Amplitude des symptmes s1 , s2 et s3 en fonction du nombre de modules en srie
De cette figure, on peut remarquer que la chute de la puissance et celle de la tension ex-
primes en valeur absolue croient proportionnellement en fonction du nombre de modules en
srie. Par contre, ces valeurs exprimes en valeur relative paraissent stables quand le nombre
de modules en srie devient important. Dans le cas de la chute du courant de court-circuit,
lamplitude parat stable tant en valeur absolue quen valeur relative. A partir de ce rsultat de
simulation, on peut donc dduire lerreur maximum produite par les incertitudes de modle
pour les diffrents symptmes retenus. Elles sont montres dans le Tableau III-11.
TABLEAU III-11 : ERREUR RELATIVE DE CALCUL DES SYMPTOMES LIEE AUX INCERTITUDES DE MODELE
iii) Erreur totale due aux diffrentes incertitudes
Lerreur totale due aux incertitudes de mesure et de modle pour chaque symptme est
donn dans le Tableau III-12.
TABLEAU III-12 : ERREUR RELATIVE TOTALE DE CALCUL DES SYMPTOMES LIEE AUX INCERTITUDES
s1 rduction de la puissance maximale 2%+3%=5%
s2 rduction de la tension de circuit ouvert 1%+2%=3%
s3 rduction du courant de court-circuit 1%+5%=6%
s5 dviation de la pente 1%+2%=3% (de la tension)
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III.4.3.2 Capacit de dtection et de localisation vis--vis du choix du seuil
Nous avons montr dans la partie prcdente la mthode de calcul du seuil minimum pour
chaque symptme, qui est en fait lerreur de calcul maximale de chaque symptme cause par
les incertitudes de mesure et de modle. Nous montrons dans cette partie la capacit de dtec-
tion et de localisation des dfauts vis--vis du choix du seuil.
Nous montrons tout dabord une petite application numrique sur la capacit de dtection
et de localisation de dfauts pour un seuil fix. Ensuite, nous procdons la gnralisation de
la mthode de rglage du seuil.
i) Une petite application numrique
Dans cette application numrique, nous slectionnons, dune manire triviale, quelques
types de dfauts dont chacun a une svrit donne. Nous calculons ensuite les symptmes
gnrs par chaque dfaut. En appliquant le seuil chaque symptme, nous obtenons le ta-
bleau de signatures de dfaut. Ces seuils correspondent lerreur de calcul maximale cause
par les diffrentes incertitudes que nous avons montres dans la partie prcdente (cf. Tableau
III-12). Nous considrons dans cet exemple un string PV de 9 modules en srie. La spcifica-
tion du module simul est donne dans lannexe E.
TABLEAU III-13 : DEFAUTS CONSIDERES DANS LEXEMPLE
Dfauts Nature de dfauts
D1 36 cellules de 2 modules 50% ombrs
D2 1 rsistance dune connectique augmente de 10 ohms
D3 1 module shunt avec une impdance de 10 ohms
D4 1 module est court-circuit
D5 1 module ombr
D6 1 diode de bypass court-circuite
D7 1 diode de bypass dfaillante (10 ohms)
D8 1 Module invers
D9 Mismatch type Rp (27 cellules court-circuites)
Les conditions de fonctionnement sont fixes 1000W/m2 pour lensoleillement et 300K
pour la temprature ambiante. En tenant compte de ces conditions de fonctionnement, la puis-
sance maximale du string trouve est gale 1110W ; la tension de circuit ouvert est gale
340.56V et le courant de court-circuit est gal 5.1A. Avec ces grandeurs, lerreur maximale
de calcul pour chaque symptme peut tre dduite sur la base du Tableau III-12. Ces seuils
sont montrs dans le Tableau III-14.
Lamplitude des symptmes pour les 9 dfauts considrs est montre dans le Tableau
III-15. Les symptmes qui dpassent le seuil sont indiqus en rouge. Il est remarquer que le
symptme s5 nest pas associ une amplitude car ce symptme rsulte dune classifica-
tion utilisant dautres symptmes ( s4 , max. V, max. dV/dI et max. dV/dI) (voir Fi-
gure III-7). Il faut noter galement que le calcul des symptmes pour localisation ( s2
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s5 ) ne dpend pas de ltat du symptme pour la dtection s1 , c'est--dire que le sys-
tme de dclenchement dcrit dans lalgorithme de la Figure III-5 (cf. paragraphe III.3.4.2)
nest pas pris en compte.
TABLEAU III-14 : SEUILS POUR LES DIFFERENTS SYMPTOMES
Symptmes Nom du symptme Seuil
s1 rduction de la puissance maximale 1110*5% = 55.5W
s2 rduction de la tension de circuit ouvert 340.56*3% = 10.22V
s3 rduction du courant de court-circuit 5.1*6% = 0.31A
s5 dviation de la pente 340.56*3% = 10.22V
TABLEAU III-15 : AMPLITUDE DES SYMPTOMES POUR LES DEFAUTS CONSIDERES DANS LEXEMPLE
Dfauts s1 s2 s3 s4
Max.
V
Max.
dV/dI
Max.
dV/dI
s5
D1 124 1.7 0 9166.7 33 97.8 268.9 0
D2 198.1 0 0.03 54.3 45.81 10.49 -0.173 1
D3 96.37 5.94 0 21.22 20.68 6.57 4.56 2
D4 123.92 37.84 0 27.18 37.83 -1.63 1.23 0
D5 122.19 37.79 0 32.99 37.79 -1.64 1.35 0
D6 30.98 9.46 0 25.37 9.46 -0.43 0.35 0
D7 8.09 0.37 0 28.69 1.72 2.69 5.47 0
D8 273.89 66.2 0.03 31.03 66.2 -0.43 0.12 0
D9 49.31 14.06 0 43.02 14.06 -0.21 4.65 0

Tenant compte de lamplitude de ces symptmes et le seuil choisi, le tableau de signatures
de dfauts pour le systme PV considr (9 modules en srie fonctionnant 1000W/m2 et
300K) est ainsi tabli dans le Tableau III-16.
TABLEAU III-16 : TABLEAU DE SIGNATURES DES DEFAUTS CONSIDERES DANS LEXEMPLE
Dfauts Nature de dfauts s1 s2 s3 s4 s5
D1 36 cellules de 2 modules 50% ombrs 1 0 0 1 0
D2 une rsistance dune connectique augmente 10 ohms 1 0 0 0 1
D3 un module shunt avec une impdance de 10 ohms 1 0 0 0 2
D4 1 module est court-circuit 1 1 0 0 0
D5 1 module ombr 1 1 0 0 0
D6 1 diode de bypass court-circuite 0 0 0 0 0
D7 1 diode de bypass dfaillante (10 ohms) 0 0 0 0 0
D8 1 module invers 1 1 0 0 0
D9 Mismatch type Rp (27 cellules court-circuites) 0 1 0 0 0
Selon le Tableau III-16, 6 dfauts peuvent tre dtects dans lesquels 4 familles de dfauts
peuvent tre discrimines ( D1 , D2 , D3 et D4-D5-D8 ). Les dfauts D6 et D7 ne

Rgle de la Figure III-7
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sont ni dtectables ni localisables. Une remarque importante peut tre faite sur le dfaut D9
qui nest pas dtectable, mais peut tre localisable. Ceci nest pas raliste si lon prend en
compte le critre de dclenchement pour la localisation que nous avons dcrit auparavant (cf.
III.3.4.2). Il nest pas illogique non plus car les seuils pour la dtection et pour la localisation
sont indpendants. Ceci revient dire quun dfaut quelconque peut ne pas tre dtect par le
franchissement du seuil retenu sur la variable utilise pour la dtection, mais il nest pas obli-
gatoirement non localisable (car on utilise dautres grandeurs pour la localisation). Par contre,
ce nest pas le cas dans le sens inverse selon notre connaissance via une simulation exhaus-
tive. Cette remarque amne envisager une amlioration dans lalgorithme de dtection et de
localisation de dfauts propos, en ajoutant un systme de dclenchement de type priodique
pour localiser des dfauts qui ne sont pas dtectables par leur seuil.
ii) Gnralisation
Nous venons de montrer dans lexemple prcdent la capacit de dtection et de localisa-
tion de dfauts pour un seuil fix. Avec le seuil choisi, certains dfauts peuvent tre dtects
et certains non.
Dune manire gnrale, on cherche rpondre deux questions, qui ne sont pas interd-
pendantes, lors de la dmarche de choix du seuil pour un symptme :
- Quels dfauts peuvent tre dtectables (et localisables) pour un seuil donn ?
- Quel seuil faut-il choisir pour chaque symptme pour dtecter (et localiser) un en-
semble de dfauts donn.
Dans le cas de la dtection et de la localisation de dfauts pour un systme photovoltaque,
lidentification de la liste des symptmes qui peuvent tre dtects et localiss pour un seuil
donne nest pas vidente. Dune manire implicite, on peut confirmer que tous les dfauts
considrs (dfauts dans le Tableau III-1) peuvent tre dtects et localiss pour un seuil
quelconque. Par contre, dune manire explicite, il nest pas possible dtablir une liste des
dfauts dune svrit prcise qui peuvent tre dtects et localiss avec le seuil choisi.
La dmarche dans le sens inverse est plus simple. Elle consiste choisir un seuil pour
chaque symptme pour dtecter et localiser un ensemble de dfauts quelconque. Cette d-
marche consiste tout dabord identifier des dfauts dont on souhaite faire la dtection et la
localisation. Ensuite, lamplitude de chaque symptme est calcule pour tous les dfauts con-
sidrs selon la mthode que nous avons propose (cf. paragraphe III.4.1). Lamplitude mi-
nimale de chaque symptme est choisie comme seuil pour dtecter et localiser lensemble des
dfauts. Ce seuil doit tre videmment suprieur au seuil minimum pour viter les fausses
alarmes causes par les diffrentes incertitudes. Cette procdure de choix du seuil est techni-
quement faisable ; elle nest toutefois pas raliste dans lapplication photovoltaque relle car
elle demande aux utilisateurs de configurer les dfauts dont ils souhaitent faire le diagnostic.
Dans notre cas, une des faons la plus simple est de sintresser uniquement la puissance
produite. Lutilisateur du systme de diagnostic fixe alors une baisse maximale de la puis-
sance produite quil peut tolrer. Cela conduit au choix du seuil du symptme pour la dtec-
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tion (symptme s1 ). Ensuite, le seuil des symptmes pour la localisation de dfauts sera
fix la hauteur de lerreur de calcul de ces symptmes cause par les diffrentes incertitudes.
III.4.4 Robustesse du diagnostic
Dans la partie prcdente, nous avons discut la procdure de choix du seuil pour chaque
symptme. Notons que dans lexemple montr, nous avons fix la condition de fonctionne-
ment 1000W/m2 et 300K. Lors de la variation de cette condition de fonctionnement, le
systme de diagnostic doit garantir sa performance en dtectant les dfauts selon lexigence
demande tout en vitant les fausses alarmes. Or, nous avons mont dans la partie prcdente
(cf. paragraphe III.2.3) que les symptmes retenus voluent, dune manire consistante ou
non, en fonction de lensoleillement et de temprature. Le choix de seuil pour chaque symp-
tme doit prendre en compte de cette variation pour maintenir la robustesse du diagnostic.
Nous procdons la mme dmarche que dans le cas prcdent (cas de condition de fonc-
tionnement fixe) pour le choix du seuil. C'est--dire, nous calculons tout dabord, par la simu-
lation, lerreur de calcul maximale des symptmes introduite par les diffrentes incertitudes.
Nous la fixons ensuite comme le seuil minimum pour chaque symptme. Rappelons quil
existe deux types dincertitudes qui provoquent lerreur de calcul des symptmes : incerti-
tudes de mesure et incertitudes de modle. Le premier type dincertitude reste invariant quelle
que soit la condition de fonctionnement. Nous nexaminons donc que lerreur provoque par
les incertitudes de modle.
Nous considrons le cas dun module pour la simulation. La plage de variation de
lensoleillement stend entre 100W/m2 et 1000W/m2 et celle de la temprature stend entre
260K et 310K. La Figure III-10 et la Figure III-11 montrent lerreur de calcul des symp-
tmes s1 s3 cause par lincertitude de modle pour la plage de variation de condition
de fonctionnement considre.
0 200 400 600 800 1000
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12
Ensoleillement [W/m2]


(a) erreur de calcul de s1
0 200 400 600 800 1000
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5


(b) erreur de calcul de s2
0 200 400 600 800 1000
0
1
2
3
4
5

Chute du courant absolue [A]

(c) erreur de calcul de s3
Figure III-10 : Erreur de calcul des symptmes vis--vis du changement densoleillement
Lerreur de calcul absolue due aux incertitudes de modle du symptme s1 et celle du
symptme s3 croient proportionnellement en fonction de lensoleillement. Tandis que
lerreur de calcul absolue du symptme s2 reste relativement stable quel que soit
lensoleillement. Lutilisation de lerreur relative pour fixer le seuil est prfre car il est qua-
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Chapitre III
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siment stable pour les trois symptmes quel que soit lensoleillement.
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Temprature ambiant [K]


(a) erreur de calcul de s1
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1.5
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2.5
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3.5
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4.5


(b) erreur de calcul de s2
260 270 280 290 300 310
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4
5

Chute de courant absolu [A]

(c) erreur de calcul de s3
Figure III-11 : Erreur de calcul des symptmes vis--vis du changement de temprature
Lerreur de calcul absolue due aux incertitudes de modle du symptme s1 et celle du
symptme s2 baissent lgrement en fonction de la temprature. Tandis que lerreur de
calcul absolue du symptme s3 reste relativement stable quelle que soit la temprature.
Lerreur relative est quasiment stable pour le symptme s2 et s3 . Bien quil y ait une
lgre croissance de lerreur relative du symptme s1 lorsque la temprature augmente,
lutilisation de lerreur produite la temprature leve comme seuil peut viter le problme
de fausses alarmes sachant que cette croissance de lerreur est relativement faible par rapport
lerreur elle-mme.
Pour rsumer, cette tude de robustesse par la simulation nous conduit constater que
lerreur relative de calcul des symptmes cause par les incertitudes de modle est quasiment
invariante quelle que soit la condition de fonctionnement (ensoleillement et temprature). En
ajoutant cette erreur lerreur cause par les incertitudes de mesure, le seuil minimum pour
chaque symptme peut tre obtenu. Cette constatation reste valable pour le cas dun string de
plusieurs modules en srie.
III.5 Conclusions
Lobjectif de ce chapitre est de dvelopper un algorithme de dtection et de localisation de
dfauts dun champ photovoltaque. Lalgorithme propos repose sur la mthode dinfrence
base de raisonnement discret. Une toute premire tape de cette mthode consiste tablir
une base de connaissance du comportement dfaillant dun champ PV.
Pour tablir cette base de connaissance, une liste exhaustive de scnarios de dfauts ser-
vant pour faire la simulation a t tablie. Lors de ltablissement de cette liste de dfauts, les
diffrents facteurs pouvant influencer le comportement du champ PV pour un dfaut quel-
conque ont t galement pris en compte. Ces facteurs sont la svrit du dfaut, la condition
de fonctionnement (ensoleillement et temprature) et le type du systme PV analys (mo-
dule/string/champ).
En comparant la caractristique I-V dun champ PV en fonctionnement sain et celle en
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III.5-Conclusions
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fonctionnement dfaillant pour les diffrents dfauts considrs dans la base de connaissance,
cinq symptmes ont t retenus pour faire la dtection et la localisation de dfauts. Ces symp-
tmes sont :
- s1 : Rduction de la puissance maximale
- s2 : Rduction de la tension de circuit ouvert
- s3 : Rduction du courant de court-circuit
- s4 : Prsence dun ou des points dinflexion
- s5 : Dviation de la pente de la caractristique I-V
Sur la base des symptmes retenus, lanalyse de la capacit de dtection et de localisation a
t aborde. Cette analyse a t divise en deux parties : lanalyse qualitative et lanalyse
quantitative. De lanalyse qualitative, lalgorithme de dtection et de localisation peut tre
dcoup en deux tapes successives : la dtection et puis la localisation qui ne seffectue
quaprs la dtection dun dfaut quelconque. Cette analyse qualitative nous a permis gale-
ment de conclure que pour garantir la bonne capacit de discrimination des dfauts tout en
limitant le nombre de capteurs, le diagnostic doit tre fait au niveau du string.
Dans lanalyse quantitative de la capacit de dtection et de localisation de dfauts, les
symptmes retenus ont t analytiquement gnrs. Cette gnration des symptmes a permis
dextraire les tats supplmentaires pour les symptmes retenus, plus spcifiquement pour le
symptme s5 . Grce ces tats supplmentaires, la capacit de dtection et de localisation
a pu tre amliore.
La mthode du choix du seuil pour chaque symptme a t galement propose. La d-
marche la plus simple et la plus efficace, du ct lutilisateur du systme de diagnostic, con-
siste sappuyer uniquement sur la rduction de la puissance maximale pour fixer le seuil. Le
seuil du symptme pour la dtection de dfauts est donc choisi selon la rduction de la puis-
sance maximale tolre. Pour viter les problmes de fausses alarmes, le seuil minimum de
chaque symptme, qui est gal lerreur de calcul maximum de ces symptmes causes par
les diffrentes incertitudes, a t galement valu.
La robustesse du systme de diagnostic vis--vis de la variation de la condition de fonc-
tionnement a t galement analyse. En choisissant lerreur relative de calcul des symptmes
comme le seuil minimum, la capacit de dtection et de localisation est maintenue quelle que
soit la condition de fonctionnement.
Nous prsentons dans le prochain chapitre la performance en temps rel de lalgorithme de
dtection et de localisation propos. Cela ncessitera un dveloppement dun banc dessai
pour son implmentation.
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Chapitre IV
Dveloppement et Implmentation dun Sys-
tme de Dtection et de Localisation de D-
fauts pour un Systme PV
Sommaire

IV.1 Introduction ...................................................................................................................... 94
IV.2 Dveloppement du systme de DLDPV .......................................................................... 94
IV.2.1 Systme dinstrumentation ....................................................................................... 95
IV.2.2 Algorithme DLDPV et ses interfaces ....................................................................... 96
IV.3 Dveloppement du banc dessais ..................................................................................... 98
IV.3.1 Simulateur temps rel RTLAB ............................................................................... 100
IV.3.2 Emulateur du champ PV ........................................................................................ 100
IV.3.3 Emulateur du systme connect au rseau ............................................................. 106
IV.3.4 Systme de DLDPV et sa mise en uvre ............................................................... 109
IV.4 Rsultats dimplmentation ............................................................................................ 112
IV.4.1 Rsultats de simulation hors temps rel ................................................................. 113
IV.4.2 Rsultats de simulation en temps rel .................................................................... 119
IV.5 Conclusions .................................................................................................................... 126

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Chapitre IV
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IV.1 Introduction
Lalgorithme de dtection et de localisation de dfauts pour un systme PV (algorithme
DLDPV) a t dcrit dans le chapitre 3. Cet algorithme repose sur la comparaison entre la
caractristique I-V du champ PV en fonctionnement sain (caractristique attendue) avec celle
en fonctionnement dfaillant (caractristique actuelle) pour faire le diagnostic. Lobjectif de
ce chapitre est dvaluer lefficacit et la performance en temps rel de cet algorithme
DLDPV.
La premire partie de ce chapitre est consacre au dveloppement dun systme de dia-
gnostic qui repose sur lensemble de lalgorithme DLDPV et dun systme dinstrumentation
conu pour acqurir les signaux ncessaires pour lalgorithme. Nous prsentons dans la se-
conde partie du chapitre le banc dessais, sur la base dun simulateur temps rel, que nous
avons dvelopp pour implmenter et tester le systme de DLDPV. En fin de ce chapitre,
nous prsentons les rsultats dexprimentation permettant dillustrer lefficacit et la perfor-
mance en temps rel de lalgorithme DLDPV.
IV.2 Dveloppement du systme de DLDPV
Un systme de DLDPV est un ensemble contenant lalgorithme DLDPV (plus ses inter-
faces) et un systme dinstrumentation conu pour acqurir les signaux ncessaires pour
lalgorithme. Lemplacement de ce systme de DLDPV dans un systme PV surveill est
montr dans la Figure IV-1.
~
~
~
Champ PV rel
Ensoleillement
Traceur
I-V
Systme de DLDPV
Algorithme DLDPV
et ses interfaces
Temprature
Nature de dfauts
Convertisseur Rseau
Partie connecte au rseau
I & V
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.

Figure IV-1 : Schma bloc dun systme de DLDPV
Lensoleillement et la temprature sont requis pour tablir un modle du champ PV de r-
frence, qui est servi ensuite par lalgorithme DLDPV. Le courant et la tension mesurs sont
les signaux essentiels sur la base desquels lalgorithme DLDPV est excut. Rappelons-nous
que lalgorithme DLDPV est dcoup en deux tapes successives : la dtection et la localisa-
tion. Pour faire la localisation, la caractristique I-V du champ PV actuel doit tre dispose.
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IV.2-Dveloppement du systme de DLDPV
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Or, le champ PV fonctionne normalement son point de la puissance maximale. Pour obtenir
sa caractristique I-V complte, un dispositif, dit traceur I-V, est implment pour faire ba-
layer le point de fonctionnement du champ PV sur toute la caractristique du point avec la
tension de circuit ouvert jusquau point avec le courant de court-circuit.
Nous dcrivons dans cette partie les diffrents composants, de nature matrielle ou logi-
cielle, du systme de DLDPV et les contraintes lies limplmentation de ces composants
dans la chane de conversion du systme photovoltaque.
IV.2.1 Systme dinstrumentation
Nous distinguons trois familles de systme dinstrumentation pour le systme DLDPV :
- Systme de mesure de lensoleillement et de temprature
- Systme de mesure du courant et de la tension
- Systme dacquisition de la caractristique I-V, le traceur
IV.2.1.1 Mesure de lensoleillement et de la temprature
Les donnes densoleillement et de temprature peuvent tre acquises en utilisant des cap-
teurs. Lensoleillement peut tre mesur via une petite cellule photovoltaque de rfrence.
Cette cellule doit tre installe dans le mme plan que celui du champ PV. Quant la mesure
de temprature, deux types de tempratures sont gnralement mesurs dans une centrale PV
en surveillance : temprature ambiante et temprature de fonctionnement des cellules PV. La
mesure de cette dernire consiste attacher un capteur de temprature standard la face ar-
rire dun module PV. Lutilisation de cette temprature pour tablir le modle de rfrence
du champ PV nest pas prfre car on risque dobtenir comme temprature du module une
temprature anormale.
IV.2.1.2 Mesure du courant et de la tension
Le courant et la tension mesurs sont indispensables pour lalgorithme de DLDPV. Ils sont
utiliss pour dduire la puissance actuelle du champ PV qui, quant cette dernire, est com-
pare avec la puissance attendue obtenue du modle du champ PV de rfrence pour faire la
dtection de dfauts.
Il est rappeler que, dans le chapitre 3, nous avons constat que pour garantir la bonne ca-
pacit de discrimination de dfauts tout en limitant le nombre de capteurs, le diagnostic doit
tre fait au niveau du string. Si le champ PV soumis au diagnostic est compos de plusieurs
strings en parallle, la mesure du courant et de la tension doit tre effectue pour chaque
string indpendamment.
Pour une condition de fonctionnement donne (ensoleillement et temprature) et pour un
tat du champ PV donn (tat sain ou dfaillant), le point de fonctionnement correspondant
la puissance actuelle mentionne est impos par le MPPT. Suivant la performance de ce der-
nier, il est possible que la puissance extraite ne soit pas la vraie puissance maximale. En cas
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de dfaut, la puissance maximale trouve est bien videmment infrieure la puissance
maximale attendue. De plus, la puissance fournie par chaque string nest pas forcment iden-
tique. Ce dernier cas ne pose cependant pas de problme car la dtection de dfaut est effec-
tue sur chaque string indpendamment.
IV.2.1.3 Traceur I-V
Comme il a t mentionn plus haut dans la prsentation du systme de DLDPV (cf. Fi-
gure IV-1), le traceur I-V est utilis pour faire fonctionner le champ PV chaque point de sa
caractristique I-V. Ce balayage ne peut pas tre effectu en permanence car il entrane une
perturbation dans le fonctionnement de la chane PV. Il ne doit tre donc effectu qu la r-
ception, de lalgorithme DLDPV, du signal de dclenchement dont le critre dtablissement
sera prsent dans la prochaine partie (voir paragraphe IV.2.2.3).
Pendant le balayage, un systme denregistrement des grandeurs mesures (courant et ten-
sion) doit tre introduit pour pouvoir constituer ensuite la caractristique I-V complte. Ce
systme denregistrement sera galement prsent dans la partie suivante (voir paragraphe
IV.2.2.2).
De la mme manire que pour la mesure du courant et de la tension, un traceur I-V est pla-
c dans chacun des strings du champ PV.
IV.2.2 Algorithme DLDPV et ses interfaces
La Figure IV-2 montre lalgorithme DLDPV avec ces interfaces. Ce systme est compos
de quatre sous-systmes selon la fonction que chacun exerce :
I-V rf.
Pmax rf.
Ensoleillement
Temprature
I-V rf.
I-V mes.
dclenchement
I-V mes.
Pmax mes.
I & V mes.
dclenchement
Pmax rf.
Pmax mes.
dclenchement
Modle du champ PV de
rfrence
Localisation de dfauts
Dtection de dfauts
Reconstitution de la
caractristique I-V
Capteurs
Capteurs
Nature du
dfaut
Traceur
I-V

Figure IV-2 : Algorithme de DLDPV avec ses interfaces
- un modle du champ PV de rfrence
- un systme de reconstitution de la caractristique I-V
- un systme de dtection de dfauts
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IV.2-Dveloppement du systme de DLDPV
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- un systme de localisation de dfauts
Nous discutons dans cette partie le rle de chaque sous-systme. La mise en uvre de ces
sous-systmes dans la plateforme temps rel sera montre dans la prochaine partie (voir para-
graphe IV.3.4).
IV.2.2.1 Modle du champ PV de rfrence
Ce sous-systme est ddi au calcul de la caractristique I-V du champ PV en fonctionne-
ment sain et sa fourniture ensuite lalgorithme de localisation de dfauts pour la comparer
avec la caractristique I-V du champ en fonctionnement dfaillant. Il fournit galement la
puissance maximale au systme de dtection de dfauts pour effectuer un dclenchement si
ncessaire. Le modle du champ PV a besoin en entre des donnes densoleillement et de
temprature afin de dterminer les grandeurs (caractristique I-V et la puissance maximale)
correspondant cette condition de fonctionnement.
La puissance maximale attendue dun champ PV quelconque peut tre calcule directe-
ment partir dune quation analytique en tenant compte de la variation densoleillement et
de temprature [DURU'06, ORTIZ-RIVERA'05]. Une solution alternative consiste dduire cette
puissance partir dune caractristique I-V, qui est, quant elle, dtermine partir dun mo-
dle du champ PV. Le modle du champ PV, que nous avons dvelopp dans le chapitre 2,
peut servir pour conduire ce calcul. Du fait que cette caractristique I-V sera utilise pour la
localisation (dont nous discuterons dans la prochaine partie), la seconde solution est retenue
dans notre tude pour dterminer la puissance maximale attendue dun champ PV.
IV.2.2.2 Reconstitution de la caractristique I-V
Ce sous-systme a pour rle de reconstituer la caractristique I-V du champ PV actuel
partir de la tension et du courant mesurs. Comme il a t voqu en haut (cf. paragraphe
IV.2.1.3), le champ PV fonctionne normalement au point de puissance maximale. Alors, pour
obtenir sa caractristique complte, un traceur I-V est plac dans chaque string pour faire ba-
layer son point de fonctionnement sur toute sa caractristique. Pendant le balayage, ces points
de fonctionnement doivent tre enregistrs pour pouvoir reconstituer ensuite la caractristique
I-V complte. Deux systmes denregistrement sont ncessaires : lun est conu pour le cou-
rant et lautre pour la tension. Il est noter que lenregistrement des points de mesures du
champ PV nest effectu que pendant le balayage du traceur I-V. Une coordination de temps
doit tre donc mise en place avec le traceur I-V.
Ce sous-systme a galement pour rle de calculer la puissance actuelle du champ PV. Ce
calcul effectu en continu. La grandeur calcule est envoye ensuite au sous-systme dtec-
tion de dfauts pour comparer avec la puissance attendue issue du modle du champ PV de
rfrence.
IV.2.2.3 Dtection de dfauts
Ce sous-systme compare la diffrence entre la puissance maximale mesure et celle de r-
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frence par rapport un seuil. Si cette diffrence de puissance dpasse le seuil fix,
lapparition dun dfaut est constate. La localisation de dfaut doit prendre ensuite le relai.
Le dclenchement du systme de diagnostic ne doit pourtant pas mis en route immdiatement.
Un dlai doit tre introduit aprs la dtection de la chute en puissance produite pour viter les
fausses alarmes causes par la fluctuation instantane, dite normale, du point de fonctionne-
ment du champ PV au cours de la journe. Lors dun changement de la condition de fonction-
nement (ensoleillement et temprature), le champ PV ne fonctionne pas immdiatement son
point de puissance maximale (MPP). Suivant lalgorithme MPPT implment, la recherche du
point de MPP ncessite un dlai donn. Or durant cette recherche, la dtection de dfauts, sur
la base de la comparaison entre la puissance mesure et celle attendue, voit comme si le
champ PV est en dfaut.
Rappelons-nous que pour effectuer la localisation de dfauts, la caractristique I-V mesu-
re doit tre disposition. Les diffrents signaux de dclenchement sont tablis par le sous-
systme dtection de dfauts et sont envoys au systme de localisation, au systme de
reconstitution de la caractristique I-V et au traceur I-V. La coordination de ces signaux est
montre dans la Figure IV-3.
t
Apparition du dfaut
Traceur I-V
Recherche MPPT
Localisation du dfaut
Dtection du dfaut

Figure IV-3 : Coordination des diffrentes tches du systme de DLDPV
IV.2.2.4 Localisation de dfauts
La localisation de dfauts ncessite deux signaux diffrents : la caractristique I-V du
champ PV actuel et la caractristique I-V de rfrence. Il est rappeler que la localisation de
dfauts ne seffectue quaprs quun dfaut est dtect. La coordination du sous-systme de
localisation de dfauts avec les diffrents composants ddis lacquisition des deux caract-
ristiques I-V est montre dans la Figure IV-3.
IV.3 Dveloppement du banc dessais
Nous avons prsent dans la partie prcdente les diffrents composants du systme de
DLDPV qui sont conus pour acqurir les informations et de les traiter dans le but de faire
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IV.3-Dveloppement du banc dessais
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une dtection et localisation de dfauts dun systme PV.
Lvaluation de lefficacit et de la performance de lalgorithme DLDPV requiert un
champ PV qui est capable de reproduire les comportements sain et dfaillant. Pour un champ
PV rel, le comportement dfaillant de celui-ci peut tre obtenu en crant physiquement le
dfaut. Cette technique exige un fort investissement pour la ralisation, et peut savrer im-
possible effectuer pour certains dfauts (par exemple, le dfaut de mismatch dans le mo-
dule). De plus, lacquisition de la caractristique I-V complte exige par lalgorithme
DLDPV pose un autre problme. Bien quil soit possible, grce au traceur rapide dvelopp
par notre partenaire (INES), dacqurir en ligne la caractristique I-V, lintgration dun tel
traceur dans le systme de diagnostic complexifie (pour le moment) limplmentation.
Par consquent, un test prliminaire avec un mulateur temps rel du champ PV a t ef-
fectu. Lmulateur propos doit tre capable de reprsenter un champ PV tant en fonction-
nement sain quen fonctionnement dfaillant et de gnrer, en cas de demande par
lalgorithme DLDPV, la caractristique I-V correspondant au rgime de fonctionnement en
cours. Le synoptique du banc dessais utilis pour tester lalgorithme DLDPV est illustr dans
la Figure IV-4.
RTLAB
(commande source)
Source pilotable
Charge
programmable
1
Emulateur
du champ PV
Emulateur du
systme connect au
rseau
Systme de DLDPV
RTLAB
(commande charge)
RTLAB
(Systme DLDPV)
I & V
Signal de
dclenchement
2
3

Figure IV-4 : Synoptique du banc dessais propos pour tester lalgorithme DLDPV
Il est compos de trois sous-systmes dont chacun a sa propre fonction.
- Emulateur du champ PV est conu pour reprsenter un champ PV rel.
- Emulateur du systme connect au rseau reprsente lensemble du groupe de con-
vertisseurs connects au rseau. Il est conu pour exercer deux fonctions diff-
rentes. La premire fonction consiste, dans le cas du fonctionnement normal du
champ PV, extraire la puissance maximale de celui-ci (donc de lmulateur) et
la consommer. La deuxime fonction consiste, en cas de demande du systme de
DLDPV, faire fonctionner lmulateur sur la plage complte de la caractristique
I-V du champ PV mul.
- Systme de DLDPV est en charge de faire toutes les mesures et les commandes n-
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Chapitre IV
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cessaires pour dtecter et localiser le dfaut apparu dans le champ PV.
Les trois sous-systmes sont pilots (pour lmulateur du champ PV et lmulateur du sys-
tme connect au rseau) et implments (pour le systme DLDPV) dans un simulateur temps
rel RTLAB. Nous montrons tout dabord dans cette partie le principe du simulateur temps
rel RTLAB. Et nous prsentons par la suite le dveloppement et limplmentation des trois
sous-systmes du banc dessaie.
IV.3.1 Simulateur temps rel RTLAB
La plateforme RT-LAB est une solution de simulation temps rel dveloppe par la socit
canadienne Opal-RT. Une des applications intressantes fournie par cette plateforme est la
simulation PHIL Power Hardware In the Loop dans laquelle un dispositif physique peut
interagir avec un modle implment dans ce mme simulateur. Larchitecture matrielle pour
excuter une telle simulation est montre dans la Figure IV-5.
QNX/
Redhawk
TCP/IP
Dispositifs
Physiques
Poste Source
Poste Cible
Interfaces
E/S

Figure IV-5 : Architecture matrielle pour la simulation PHIL
La poste source est un PC standard qui fonctionne sous le systme dexploitation Windows
ou Redhawk Linux. Il est utilis comme une interface avec les utilisateurs pour dvelopper et
modifier le modle ou pour visualiser les donnes de simulation. La poste cible est un ordina-
teur de calcul et de communication qui utilise des processeurs commerciaux. Le systme
dexploitation prfr pour cet ordinateur est le QNX ou Redhawk Linux.
Le modle dvelopp dans la poste source est transfr via la connexion TCP/IP au poste
cible pour la compilation. Le modle compil est ensuite utilis par le poste cible pour effec-
tuer lexcution en temps rel en interagissant, via les interfaces Entres/Sorties, avec les dis-
positifs physiques.
IV.3.2 Emulateur du champ PV
Il est rappeler que notre objectif est de dvelopper un mulateur du champ PV qui permet
dmuler en temps rel le comportement dun champ PV tant en fonctionnement normal
quen fonctionnement dfaillant.
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IV.3.2.1 Principe
Le principe de dveloppement dun mulateur dun champ PV se dcompose en deux
tapes principales. La premire tape consiste tablir un signal de rfrence qui peut repr-
senter le comportement du champ PV muler. Ce signal de rfrence est ensuite amplifi
par un tage de puissance qui consiste gnralement en un convertisseur DC-DC.
Il existe deux approches pour tablir le signal de rfrence mentionn. La premire ap-
proche repose sur les composants analogiques, tels que la photodiode ou la cellule PV relle,
exposs une source de lumire [KORAN'10, MIDTGARD'07, NAGAYOSHI'05, OLLILA'95].
Cette approche fournit une trs bonne rponse dynamique car le temps pour tablir le signal
de rfrence est quasiment ngligeable [NAGAYOSHI'05]. En utilisant cette approche, le com-
portement dfaillant du champ PV pour certains dfauts peut tre mul. Citons par exemple :
laugmentation de la rsistance de connectique [KORAN'10] et lombrage partiel
[MIDTGARD'07, NAGAYOSHI'05, OLLILA'95]. Malgr sa bonne dynamique, cette approche est
inadapte pour notre application car elle ne permet pas dmuler le comportement dun champ
PV pour lintgralit de dfauts considrs.
La deuxime approche consiste utiliser le modle physique du champ PV muler im-
plment dans un simulateur temps rel pour tablir le signal de rfrence mentionn
[KOUTROULIS'06, LEE'09, PARK'04, PIAZZA'10]. Cette approche possde un inconvnient car
leffort doit porter en grande partie sur ltablissement du signal de rfrence cest--dire la
modlisation. Malgr cela, elle permet dmuler nimporte quel comportement du champ,
condition que son modle soit disponible. Nous retiendrons donc cette approche pour dve-
lopper un mulateur du champ PV en fonctionnement dfaillant.
IV.3.2.2 Architecture de lmulateur du champ PV
Larchitecture de lmulateur dun champ PV, intgrant son fonctionnement dfaillant, est
illustre dans la Figure IV-6. Cet mulateur est compos de deux tages : tage de commande
et tage de puissance.

Figure IV-6 : Architecture de lmulateur dun champ PV [BUN'11]
Le sous bloc calcul de la caractristique I-V calcule priodiquement, selon les para-
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1
Chapitre IV
-102-
mtres qui lui sont fournis, la caractristique statique complte du champ PV qui sera ensuite
envoye dans le sous bloc lookup table . Le courant fourni par la source DC est mesur et
conditionn pour quil soit compatible avec la carte dentre analogique avant dtre envoy
au bloc lookup table . Une fois le signal du courant reu, le sous bloc lookup table uti-
lise, grce la caractristique qui lui est fournie, la fonction dinterpolation pour obtenir la
valeur de la tension correspondante. Cette tension est ensuite conditionne pour quelle soit
compatible avec la carte de sortie analogique qui la transforme en signal de commande de la
source DC.
i) Source DC pilotable
Ltage de puissance contient une source DC pilotable connecte une charge. Cette der-
nire correspond, dans notre cas, lensemble de la partie dlectronique de puissance con-
nect au rseau et que nous le prsenterons dans la partie suivante (cf. paragraphe IV.3.3).
La source DC utilise dans cet mulateur est un produit commercial qui est conu pour
pouvoir tre utilis avec diffrents types de charge : charge passive ou charge lectronique.
Elle peut tre pilote suivant trois modes diffrents : tension constante, courant constant et
puissance constante. Parmi ces trois modes de pilotage, le mode tension constante est
choisi dans cet mulateur dans lequel la tension de sortie de la source est pilote, tandis que
son courant varie en fonction de la charge. Ce choix a t fait pour viter linstabilit du point
de fonctionnement lors de linterconnexion entre la source et la charge. Il faut se rfrer la
Figure IV-7 pour comprendre le phnomne dinstabilit mentionn. Dans la caractristique I-
V dun champ PV, il existe une zone o la pente de la tension par rapport au courant est trs
importante (voir zone entoure dans la figure ci-contre). Dans cette zone, pour toute petite
variation du courant, la tension varie normment. Si le mode de pilotage de courant est slec-
tionn pour la source, il y aura une instabilit de la tension au niveau de charge.
Zone de dV/dI
importante
I
V
Isc
Voc

Figure IV-7 : Zone de la caractristique I-V avec la drive dV/dI importante
Les caractristiques principales de la source DC utilise sont donnes dans lannexe E.
ii) Commande de la source DC
Ltage de commande a pour rle dtablir le signal de rfrence pour piloter la source DC.
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-103-
Ce signal de rfrence est dtermin sur la base de la caractristique I-V du champ PV mul.
Cette caractristique, quant elle, est calcule partir du modle du champ PV qui a t d-
velopp et montr dans le chapitre 2. Ce modle est cod sous forme dun Embedded Func-
tion pour avoir la compatibilit avec le simulateur RTLAB.
Les paramtres dentre du modle du champ PV peuvent tre diviss en trois groupes. Le
premier groupe de paramtres est le point de fonctionnement du champ PV, lensoleillement
(G) et la temprature (T). Ces paramtres sont susceptibles de varier au cours du fonctionne-
ment du champ PV. Dans le cadre de notre travail, ces paramtres sont issus de
lenvironnement RTLAB lui-mme, aucune mesure de la condition de fonctionnement nest
effectue. Le deuxime groupe est li la configuration du champ PV muler : nombre de
strings, nombre de modules par string, nombre de cellules dans un module et la spcification
du module (tension de circuit ouvert, courant de court-circuit, nombre de diode de bypass
etc.). Ces paramtres, une fois configurs, sont constants au cours du temps. Le dernier
groupe de paramtres rassemble ceux qui sont susceptibles de varier suite des dfauts. Ces
paramtres peuvent tre configurs pour quils soient constants ou variables au cours du
temps. On peut ainsi intentionnellement faire apparatre un dfaut donn un instant quel-
conque et qui dure pendant une certaine dure.
Le sous bloc calcul de la caractristique I-V sexcute avec un pas de temps plus grand
que celui du sous bloc lookup table car ce dernier est directement interfac avec la partie
dlectronique de puissance, la source DC. Le premier ne peut pas sexcuter avec ce pas de
temps rapide car un temps de calcul important est consomm par la dtermination de la carac-
tristique complte, sachant que les entres du modle (ensoleillement et temprature) ne va-
rient pas aussi rapidement que les grandeurs de la partie dlectronique de puissance.
IV.3.2.3 Validation de lmulateur du champ PV
Dans cette partie, nous prsentons les rsultats des essais obtenus dans lesquels lmulateur
du champ PV est connect un onduleur commercial qui, quant lui, est connect au rseau.
Lors de cet essai, une modification importante doit tre faite au niveau du mode de pilotage
de la source DC. Cette source, qui est initialement conue pour fonctionner avec la charge, est
pilote en tension. Ce mode de pilotage doit tre vit car lentre de londuleur commercial
est galement contrle en tension. Linstabilit provoque par le pilotage en courant men-
tionn auparavant peut tre tolr lors du fonctionnement avec londuleur commercial car ce
dernier ne fonctionne pas dans la zone qui cause linstabilit.
Dans cet essai, nous mulons un champ PV compos de 9 modules en srie. La spcifica-
tion de chaque module PV est montre dans lannexe E. Londuleur utilis dans cet essai est
de type FRONIUS IG20 dont la spcification est montre dans la mme annexe E.
Le pas de temps de simulation pour le systme global est fix 1 ms tenant compte de la
dynamique de la source et de la charge. Le calcul de la caractristique I-V du champ PV est
effectu tous les 1000 ms. Nous allons observer dans un premier temps le comportement de
londuleur pour un champ PV en fonctionnement normal. Ensuite, les diffrents dfauts se-
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1
Chapitre IV
-104-
ront injects dans le champ PV.
i) Emulateur du champ PV en fonctionnement normal
Dans cet essai, lensoleillement est fix G=1000W/m2 et la temprature est fixe
T=300K. La caractristique I(V) du champ PV et le point de puissance maximale (MPP) sont
montrs dans la Figure IV-8. Londuleur devrait converger vers ce point de fonctionnement.

0 100 200 300 400
0
2
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[
A
]
X: 242.2
Y: 4.584
0 100 200 300 400
0
500
1000
1500

P
u
i
s
s
a
n
c
e

[
W
]
Tension [V]
X: 242
Y: 1110

Figure IV-8 : Caractristique I-V du champ PV en fonctionnement normal muler
Le courant et la tension lentre de londuleur sont montrs dans la Figure IV-9. La puis-
sance extraite de la source DC peut tre donc calcule partir de ces deux grandeurs mesu-
res. La Figure IV-9a montre lvolution de ces trois grandeurs pendant la dure totale de
simulation. Comme dautres onduleurs, le Fronius IG20 ncessite un certain temps pour se
synchroniser avec le rseau. Une fois la connexion tablie, il dmarre une tension qui est
proportionnelle la tension vide du champ PV dtecte par lui-mme et cherche ensuite le
point de puissance maximale. Plusieurs essais ont montr que le Fronius IG20 dmarre 88%
de la tension vide du champ PV. Comme on a intentionnellement limit la tension de la
source DC (mulateur) 260 V, londuleur dmarre donc la tension 228.8 V.
On peut voir dans la Figure IV-9b que londuleur se cale bien au point de MPP (240V,
4.6A, 1110W). Ce point de fonctionnement correspond exactement celui que nous avons
prvu par la simulation. Pendant la phase de recherche du MPP, le Fronius IG20 fait un in-
crment ou dcrment sur la tension dentre de son MPPT dune valeur de 1V toutes les 4
secondes. Cette fonction peut tre observe dans la Figure IV-9b. Les signaux filtrs de ces
grandeurs mesures sont montrs dans la Figure IV-9c.
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0 50 100 150 200 250
0
100
200
300
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[
V
]
0 50 100 150 200 250
0
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[
A
]
0 50 100 150 200 250
0
500
1000
P
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s
a
n
c
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[
W
]
Temps [s]

a) signaux pendant la priode totale de
simulation
150 155 160 165 170
235
240
245
T
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[
V
]
150 155 160 165 170
4
4.5
5
C
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a
n
t

[
A
]
150 155 160 165 170
1000
1100
1200
P
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s
s
a
n
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e

[
W
]
Temps [s]

b) signaux pendant [150s 170s]
159.8 159.85 159.9 159.95 160
235
240
245
T
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s
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n

[
V
]
159.8 159.85 159.9 159.95 160
4.5
4.6
4.7
C
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a
n
t

[
A
]
159.8 159.85 159.9 159.95 160
1105
1110
1115
P
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s
s
a
n
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e

[
W
]
Temps [s]

d) signaux pendant [159.8s 160s]
150 155 160 165 170
238
240
242
244
T
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s
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o
n

[
V
]
150 155 160 165 170
4.5
4.6
4.7
C
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t

[
A
]
150 155 160 165 170
1108
1109
1110
1111
P
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s
a
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[
W
]
Temps [s]

c) signaux filtrs pendant [150s 170s]

Figure IV-9 : Courant, tension et puissance lentre de londuleur dans le cas G et T constants
ii) Emulateur du champ PV en fonctionnement dfaillant
Tous les dfauts considrs dans le chapitre 2 peuvent tre introduits dans lmulateur.
Nous ne montrons ici que le rsultat de test dans le cas de dfaut dombrage. Dans cet essai,
deux dfauts dombrage ont t introduits dans lmulateur lun aprs lautre. Le premier d-
faut provoque deux MPPs locaux. Tandis que le deuxime dfaut provoque trois MPPs lo-
caux. Lobjectif dintroduire un dfaut qui provoque plusieurs MPPs locaux est de voir si
londuleur russit trouver le MPP global.
La caractristique I-V du champ PV mul est montre dans la Figure IV-10a. La tension,
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Chapitre IV
-106-
le courant et la puissance lentre de londuleur sont montrs dans la Figure IV-10b. Dans
cette figure, on voit que londuleur a russi trouver le MPP dans le cas du fonctionnement
normal (1110W) et le cas du dfaut 1 (1048W). Par contre, il na pas russi trouver le MPP
global dans le cas du dfaut 2 (801W). Il a trouv la place le MPP local (604W) dont la ten-
sion correspondante est proche de sa tension avant le dfaut.
Comme londuleur rgule la tension son entre, on peut donc constater quil tend trou-
ver le MPP (global ou local) dont la tension correspondante se trouve la plus proche de sa
tension avant le dfaut.
0 100 200 300 400
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[
A
]
X: 228
Y: 4.598
X: 177.3
Y: 4.518
X: 237.5
Y: 2.543

X: 243
Y: 4.567
0 100 200 300 400
0
500
1000
1500
X: 237.5
Y: 604 P
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a
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e

[
W
]
Tension [V]
X: 177.3
Y: 801
X: 243
Y: 1110

X: 228
Y: 1048
sans dfaut
dfaut 1
dfaut 2

a)
0 100 200 300 400 500 600
200
220
240
260
T
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[
V
]
0 100 200 300 400 500 600
2
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4
5
C
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t

[
A
]
0 100 200 300 400 500 600
400
600
800
1000
1200
P
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[
W
]
Temps [s]
1
er
dfaut
2
me
dfaut

b)
Figure IV-10 : Courant, tension et puissance lentre de londuleur dans le cas de dfaut dombrage
IV.3.3 Emulateur du systme connect au rseau
IV.3.3.1 Principe
Il est rappeler que lmulateur du systme connect au rseau a deux rles diffrents. En
fonctionnement normal du champ PV, il extrait et absorbe la puissance maximale du champ.
Dans le cas contraire, il dplace le point de fonctionnement sur la plage complte pour per-
mettre de dterminer la caractristique totale (cf. paragraphe IV.3).
IV.3.3.2 Architecture de lmulateur du systme connect au rseau
Larchitecture de lmulateur du systme connect au rseau est illustre dans la Figure
IV-11. Cet mulateur est compos de deux tages : ltage de puissance et ltage de com-
mande.
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I
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V

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Traceur
MPPT
Charge
programmable
Source DC
pilotable
Etage de commande
Signal de
dclenchement
I commande
Etage de puissance

Figure IV-11 : Architecture de lmulateur du systme connect au rseau
i) Charge programmable
La charge programmable utilise dans cet mulateur peut fonctionner dans quatre modes
diffrents : tension constante, courant constant, puissance constante et rsistance constante.
Le mode courant constant est choisi. Ce choix provient du fait que la source DC, avec qui
elle est connecte, est pilote en tension (cf. paragraphe IV.3.2.2i). Les caractristiques prin-
cipales de cette source sont donnes dans lannexe E.
ii) Commande de la charge
La commande de la charge est divise en deux parties, le MPPT et le traceur. Les deux
commandes ont pour lobjectif dtablir un signal de commande pour la charge. Le dclen-
chement entre ces deux commandes dpend du signal de dclenchement envoy par
lalgorithme DLDPV.
Commande en mode MPPT
Le rle du MPPT est dextraire la puissance maximale du champ PV. Il existe plusieurs al-
gorithmes de MPPT qui ont t proposs, parmi lesquels, lalgorithme P&O (perturb and ob-
serve) est gnralement accept comme lun des plus simples implmenter pour une certaine
efficacit [ESRAM'07]. Il est donc choisi pour tablir la commande pour la charge. Le principe
de cet algorithme est illustr dans la Figure IV-12.
Lalgorithme P&O a besoin du signal de courant et de tension pour la recherche du point
de puissance maximale. Il fait voluer le courant du champ PV jusqu ce que la puissance
maximale soit atteinte. Une fois atteinte, le MPPT fait osciller le point de fonctionnement
autour de ce point maximal.
Commande en mode traceur
La commande en mode de traceur consiste envoyer simplement un signal sous forme
dune rampe la charge pour quelle impose des points de fonctionnement la source afin
dobtenir la caractristique I-V complte. Pour assurer que les points de fonctionnements im-
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2
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1
Chapitre IV
-108-
poss permettent dacqurir la caractristique I-V complte, la plage impose doit stendre
du courant zro au courant de court-circuit du champ PV en fonctionnement normal. La Fi-
gure IV-13 illustre le fonctionnement en mode de traceur de la charge programmable.

OUI NON
V
i
, I
i
P
i
= V
i
* I
i
P = P
i
- P
i-1
I = I
i
- I
i-1
Signe(P)Signe(I)
I
i+1
= I
i
+ I
i+1
= I
i
-

Figure IV-12 : Algorithme P&O pour le MPPT (rgulation en courant)
1.86 1.88 1.9 1.92 1.94 1.96 1.98 2 2.02 2.04
x 10
4
0
200
I
1
I
2
V
1
V
2
Balayage du
courant
avant dfaut aprs dfaut

Figure IV-13 : Modes de fonctionnement de la charge programmable avant et aprs le dfaut
Avant le dfaut, la charge est pilote pour fonctionner au courant I
1
qui correspond au
nouveau point de puissance maximale. Quand un dfaut apparat, le mode acquisition de la
courbe I-V se dclenche. Il fait fonctionner la charge dans la plage complte du courant pour
acqurir des points de la caractristique du champ. Aprs le dfaut, la charge est pilote de
nouveau pour fonctionner au courant du nouveau point de puissance maximale I
2
.
Le choix de la dure dexcursion doit galement tenir compte de la dynamique de la source
DC et de la charge programmable. Des essais rptitifs nous conduisent choisir une dure de
1000ms pour balayer le courant de zro au courant de court-circuit du string (de lordre de
5A).
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IV.3.4 Systme de DLDPV et sa mise en uvre
Les diffrents sous-systmes du systme de DLDPV ont t prsents dans la partie prc-
dente (cf. paragraphe IV.2.2). Nous prsentons dans cette partie, la mise en uvre de ces
sous-systmes dans la plateforme temps rel RTLAB. Linteraction des diffrents sous-
systmes avec lmulateur du champ PV et lmulateur du systme connect au rseau est
montre dans la Figure IV-14.
source pilotable
charge programmable
Donnes mto
- Ensoleillement
- Temprature
ambiante
Donnes champ
- Configuration
du champ PV
- Spcification du
module
paramtres de
dfauts
CNA
CNA
CAN
SYSTME DLDPV ET
SES INTERFACES
EMULATEUR DU
CHAMP PV
EMULATEUR DE LA PARTIE
CONNECTEE AU RESEAU

Figure IV-14 : Implmentation du systme de DLDPV
IV.3.4.1 Mise en uvre du modle du champ PV de rfrence
De la mme manire que la mise en uvre du modle dfaillant (cf. paragraphe IV.3.2.2),
le modle sain du champ PV (modle du champ PV de rfrence) que nous avons dvelopp
dans le chapitre 2 est cod sous forme dun Embedded Function pour limplmentation.
Le synoptique de la mise en uvre dun tel modle est montr dans la Figure IV-15.
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Chapitre IV
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Calcul de la
caractristique I-
V de rfrence
Point de fonct.
- G, T
Paramtres du champ
- Nb. cellules
- Nb. modules
- Nb. strings
- Spec. Module
I-V ref.
Pmax ref.

Figure IV-15 : Mise en uvre du modle du champ PV de rfrence
Les paramtres dentre du modle sain du champ PV sont le point de fonctionnement
(lensoleillement (G) et la temprature (T)) et la configuration du champ PV (nombre de
strings, nombre de modules par string, nombre de cellules dans un module et la spcification
du module). Ce modle donne ses sorties le vecteur de courant et de tension de rfrence.
Ces deux vecteurs stendent de leur valeur minimale (zro) leur valeur maximale (tension
de circuit ouvert Voc pour la tension et courant de court-circuit Isc pour le courant).
Ce sont ces deux vecteurs de courant et de tension qui forment la caractristique I-V de rf-
rence pour la localisation de dfauts. La puissance maximale de rfrence peut tre galement
obtenue de ce modle.
IV.3.4.2 Mise en uvre du systme de reconstitution de la caractristique I-V
Rappelons-nous que ce sous-systme est conu pour enregistrer les points de fonctionne-
ment du champ PV afin de pouvoir reconstituer ensuite la caractristique I-V dfaillante du
champ PV. Deux systmes denregistrement sont ncessaires : lun est conu pour le courant
et lautre pour la tension. Ce systme denregistrement repose sur le principe FIFO (First In
First Out) qui consiste tout dabord crer un vecteur vide dont le nombre dlments est gal
au nombre de points quon souhaite enregistrer. Les lments de ce vecteur sont remplacs
lun aprs lautre par les points de mesure. A chaque fois quun lment du vecteur est rem-
plac par un point de mesure, ce vecteur doit tre enregistr dans la mmoire allou cet ef-
fet. Le principe du systme denregistrement pour un vecteur de 200 lments est illustr dans
la Figure IV-16.
dclenchement
mmoire
X
200
X
199
.. X
5
X
4
t
i+200
t
i+199
t
i+5
t
i+4

0
0
.
.
X
2
X
3
X
4
0
0
.
.
X
1
X
2
X
3
0
0
.
.
0
X
1
X
2
0
0
.
.
0
0
X
1
t
i+4
t
i+3
t
i+2
t
i+1

X
4
X
3
X
2
X
1
.. 0

0

1 2 3

4 199 200

Figure IV-16 : Systme de stockage des points caractristiques dun champ PV en dfaut
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1
1
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Supposons que le diagnostic soit dclench linstant t
i
et lenregistrement des points
de mesures commence cet instant. A linstant t
i+1
, la premire mesure X
1
arrive et
remplit le premier lment du vecteur cr. Ce vecteur dont le premier lment vient dtre
rempli est ensuite enregistr dans la mmoire alloue cet effet. On obtient alors un vecteur
de 200 lments dont seul le premier lment est non vide. A linstant t
i+2
, la deuxime
mesure X
2
arrive. X
1
qui remplit le premier lment du vecteur linstant t
i+1
est
dcal au deuxime lment du vecteur tandis que le premier lment du vecteur est rempli
par X
2
sa place. Cette procdure continue jusqu ce que les lments du vecteur cr
soient tous remplis. A linstant t
i+200
, on obtiendra la sortie un vecteur de 200 lments
remplis par les points caractristiques du champ PV. La Figure IV-16 montre lenregistrement
linstant t
i+4
o la quatrime mesure X
4
vient de remplir le quatrime lment du
vecteur.
IV.3.4.3 Mise en uvre du systme de dtection de dfauts
La mise en uvre du systme de dtection de dfauts est montre dans la Figure IV-17.
Pour dtecter un dfaut, la diffrence entre la puissance maximale de rfrence et la puissance
maximale attendue est compare un seuil K . La dmarche du choix du seuil pour la d-
tection a t propose dans le chapitre 3. Si le seuil est franchi, un signal de dclenchement
est envoy aux diffrents sous-systmes ddis la localisation de dfauts pour excuter leur
fonction. On se rfre la Figure IV-3 pour comprendre la coordination de ces diffrents
composants lors de la rception de ce signal de dclenchement.
Pmax ref.
Dclen.
ou Non
Pmax mes.

Figure IV-17 : Mise en uvre du systme de dtection de dfauts
IV.3.4.4 Mise en uvre du systme de localisation de dfauts
Pour mettre en uvre lalgorithme de localisation de dfauts, ce dernier est dcoup en
cinq tapes prsentes dans la Figure IV-18. Les quatre premires tapes sont utilises pour
calculer les quatre symptmes retenus pour faire la localisation de dfauts. On peut se rfrer
au chapitre 3 pour les mthodes de calcul de ces symptmes. Et la dernire tape consiste
effectuer la rgle de combinaison sur la base du tableau de signatures de dfaut tabli gale-
ment dans le chapitre 3. Il faut bien noter que les entres et les sorties de chaque tape ne sont
pas obligatoirement dpendantes les unes des autres.
Les entres de lalgorithme sont dune part le vecteur du courant et de la tension de rf-
rence provenant du sous-systme modle du champ PV de rfrence et dautre part le vec-
teur du courant et de la tension mesurs provenant du sous-systme reconstitution de la ca-
ractristique I-V .
t
e
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0
0
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1
8
9
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1

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1

D
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2
0
1
1
Chapitre IV
-112-
1.1 calcul du symptme s2
1.2 calcul du seuil
1.3 comparaison symptme/seuil
2.2 calcul du seuil
3.2 calcul du seuil
4.1 calcul de V
4.2 calcul du seuil
4.3 comparaison symptme(V)/seuil
4.4 arbre de dcision
4.4.1 interpolation (I-V ref. et I-V mes.)
4.4.2 calcul de dV/dI
4.4.3 calcul de dV/dI
4.4.4 comparaison symptmes/seuils fixes
Rgle de combinaison
I ref. V ref. I mes. V mes.
2
1
3
4
5

Figure IV-18 : Mise en uvre de lalgorithme de localisation de dfauts
La dmarche pour les trois premires tapes sont similaires. Elle consiste calculer tout
dabord lamplitude du symptme et puis le seuil. Nous rappelons que le seuil que nous avons
choisi nest pas fixe, il varie en fonction de la condition de fonctionnement. Donc, chaque
fois que lalgorithme de localisation de dfaut est dclench, un nouveau seuil doit tre calcu-
l. Lamplitude du symptme analys est compare ensuite avec ce seuil pour fixer ltat du
symptme.
Ltape 4 ddie au calcul du symptme s5 (dviation de pente) est particulire. Rap-
pelons-nous que la gnration du symptme s5 repose sur une classification systmatique
de quelques autres symptmes (voir Figure III-7 du chapitre 3). Cette classification produit
toujours un type de dviation de la pente, mme si aucun dfaut napparat. Etant donn que
cette classification repose essentiellement sur les diffrentes informations lies au profil de la
chute de tension (V), la valeur de cette dernire peut tre utilise pour ne pas dmarrer cette
classification. Do la prsence des tapes 4.1, 4.2 et 4.3 avant le calcul du symptme s5 .
IV.4 Rsultats dimplmentation
Dans la partie prcdente, nous avons propos un banc dessais pour le test prliminaire de
lefficacit et de la performance de lalgorithme DLDPV. Nous avons galement valid notre
mulateur du champ PV avec un onduleur commercial. Nous avons vrifi la cohrence entre
les points de puissance maximale (MPP) trouvs par londuleur et ceux obtenus partir de la
caractristiques I-V issue de la simulation hors temps rel.
Dans cette partie, nous prsentons les rsultats de tests sur lefficacit et la performance du
t
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0
1
1
IV.4-Rsultats dimplmentation
-113-
systme de DLDPV propos. Ces tests sont prsents en deux tapes diffrentes : la simula-
tion hors temps rel et puis en temps rel.
IV.4.1 Rsultats de simulation hors temps rel
Dans la simulation hors temps rel, lensemble du systme de DLDPV est implment
dans lenvironnement MATLAB Simulink. Pour le faire, les dispositifs physiques (source DC
pilotable et charge programmable) de la Figure IV-14 sont remplacs par une boucle dans le
modle c'est--dire que la commande de la charge et celle de la source sont considres
comme des grandeurs mesures. Dans ce test, nous vrifions dabord le fonctionnement glo-
bal (MPPT, systme de dclenchement, dtection et localisation de dfauts) du systme de
DLDPV en fonctionnement normal du champ PV et puis en fonctionnement dfaillant.
IV.4.1.1 Description du test
Dans ce test, nous avons considr la mme configuration du champ PV que celle utilise
dans lexemple du chapitre 3 (cf. III.4.3.2). Ce champ est compos de 9 modules en sries
dont la spcification est donne dans lannexe E.
Le profil densoleillement et de temprature utilis dans cette exprimentation provient
dune mesure sur un site rel. Les valeurs ont t releves par intervalle de 5 minutes. La fi-
gure suivante montre le profil de lensoleillement et de temprature au cours dune journe
(entre 8h00 et 18h00). Pour raccourcir le temps de simulation, lintervalle de cinq minutes du
profil densoleillement et de temprature est normalis un pas de temps dune seconde dans
la simulation. Ceci revient dire que le point de fonctionnement du champ PV est mis jour,
dans la simulation, toutes les secondes. Le profil densoleillement et de temprature avec le
pas de temps dune seconde est montr dans la Figure IV-19. Il est noter dans cette figure
que le dbut du profil commence un temps de 0 secondes.
0 20 40 60 80 100
0
200
400
600
800
1000
Temps [s]
E
n
s
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l
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m
e
n
t

[
W
/
m
2
]

0 20 40 60 80 100
285
290
295
300
305
310
Temps [s]
T
e
m
p
r
a
t
u
r
e

[
K
]

Figure IV-19 : Profil densoleillement et de temprature normalis
Le pas de temps de calcul de 1 ms a t utilis dans cette simulation. Ceci revient dire
que le point de fonctionnement du champ PV (ensoleillement et temprature) est mis jour
chaque 1000 pas de temps (1000ms).
t
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0
0
6
4
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1
8
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0
1
1
Chapitre IV
-114-
IV.4.1.2 Test en fonctionnement sain
Dans ce test, aucun dfaut nest introduit dans le modle du champ PV. Lobjectif de ce
test est de vrifier la performance du MPPT lors de la variation de la condition de fonction-
nement (ensoleillement et temprature), donc de lalgorithme P&0 que nous avons choisi. La
Figure IV-20 montre lallure de la tension, du courant et de la puissance du champ PV durant
la priode considre (de 8h00 18h00, donc de 0 120s).
20 40 60 80 100
0
1
2
3
4
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[
A
]
20 40 60 80 100
200
250
300
350
T
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[
V
]
20 40 60 80 100
0
500
1000
1500
Temps [s]
P
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[
W
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59 59.5 60 60.5 61
4.2
4.3
4.4
4.5
C
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t

[
A
]
59 59.5 60 60.5 61
238
240
242
244
T
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n

[
V
]
59 59.5 60 60.5 61
950
1000
1050
1100
1150
Temps [s]
P
u
i
s
s
a
n
c
e

[
W
]

Figure IV-20 : Evolution du courant, de la tension et de la puissance du champ PV (fonctionnement sain et hors
temps rel)
Du rsultat de ce test, trois remarques peuvent tre faites. On peut remarquer tout dabord
la capacit du MPPT trouver le point de puissance maximale. Par exemple, linstant t=60s
o lensoleillement vaut 950W/m2 et la temprature vaut 303K, la puissance trouve par le
MPPT oscille autour de 1050W. Cette valeur est cohrente avec celle dduite de la caractris-
tique I-V du champ PV pour la mme condition de fonctionnement.
La deuxime remarque porte sur loscillation du point de fonctionnement du champ PV au-
tour de la puissance maximale trouve. Nous avons choisi dans lalgorithme P&O du MPPT
un incrment/dcrment de 0.02A toutes les 100ms. Cette amplitude dincrment et de d-
crment autorise une oscillation peu prs de 1V pour la tension. Cette amplitude
doscillation est cohrente avec celle faite par londuleur commercial que nous avons test (cf.
Figure IV-9). La priode de 100ms pour faire un incrment ou dcrment est choisie en ac-
cord avec la performance du correcteur que nous avons implment dans lalgorithme de
MPPT [PICAULT'10].
La troisime remarque est faite sur loscillation importante de la tension en dbut et en fin
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0
1
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de la priode de simulation (en dbut de la matine et en fin de laprs midi). Ceci est d la
performance de lalgorithme de MPPT que nous avons implment, qui consiste piloter le
courant pour chercher le point de la puissance maximale lorsquil y a un changement
densoleillement. Ce changement rapide perturbe normalement la tension de fonctionnement.
Or, cette variation densoleillement est plus importante en dbut et en fin de la simulation.
Ceci donne lieu une oscillation importante de la tension.
IV.4.1.3 Test en fonctionnement dfaillant
Dans ce test, une srie de dfauts est prprogramme pour quils apparaissent au cours du
fonctionnement du champ PV. Lobjectif de ce test est de vrifier les deux modes de fonc-
tionnement du MPPT et aussi la capacit de dtection et de localisation de dfauts. La mme
srie de dfauts que celle de lexemple du chapitre 3 est rutilise. Leurs instants dapparition
sont montrs dans le Tableau IV-1.
TABLEAU IV-1 : DEFAUTS INTRODUITS DANS LE MODELE DU CHAMP PV ET LEURS INSTANTS DAPPARITION (HORS
TEMPS REEL)
Dfauts Nature de dfauts Instant dapparition
D1 36 cellules de 2 modules 50% ombrs [20s 25s]
D2 1 rsistance dune connectique augmente de 10 ohms [30s 35s]
D3 1 module shunt avec une impdance de 10 ohms [40s 45s]
D4 1 module est court-circuit [50s 55s]
D5 1 module ombr [60s 65s]
D6 1 diode de bypass court-circuite [70s 75s]
D7 1 diode de bypass dfaillante (10 ohms) [80s 85s]
D8 Module invers [90s 95s]
D9 Mismatch type Rp (27 cellules court-circuites) [100s 105s]
Les seuils pour la dtection et la localisation de dfauts utiliss dans ce test sont choisis se-
lon la dmarche propose dans le chapitre 3 (cf. paragraphe III.4.3). Pour rappel, lordre de
grandeur de ces seuils est exprim dans le Tableau IV-2.
TABLEAU IV-2 : SEUILS CHOISIS POUR LES SYMPTOMES
La Figure IV-21 montre lallure de la tension, du courant et de la puissance du champ PV
durant la priode considre (de 8h00 18h00, donc de 0 120s). Dans la Figure IV-21a, la
marge de puissance qui indique le bon fonctionnement du champ PV est galement illustre
(courbe en rouge). Cette marge est construite partir du seuil minium choisi dans le Tableau
IV-2.
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Chapitre IV
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20 40 60 80 100
0
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20 40 60 80 100
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300
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V
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20 40 60 80 100
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Temps [s]
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20 21 22 23 24
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20 21 22 23 24
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100
200
300
400
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[
V
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20 21 22 23 24
0
500
1000
Temps [s]
P
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n
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[
W
]
D1 apparat
Balayage
(a) (b)
Dlai
Diag.

Figure IV-21 : Evolution du courant, de la tension et de la puissance du champ PV (fonctionnement dfaillant et
hors temps rel)
Nous nous intressons trois points principaux pour la discussion des rsultats obtenus
dans la Figure IV-21.
i) Fonctionnement global du MPPT
Dans cette figure, on peut remarquer tout dabord le fonctionnement du MPPT qui com-
mute, quand un dfaut est dtect, du mode extraction de la puissance maximale au mode
balayage de la caractristique . Nous discuterons en dtails dans le paragraphe suivant la
capacit de la dtection et de localisation vis--vis du seuil choisi (cf. paragraphe IV.4.1.3iii).
La Figure IV-21b montre la coordination des diffrentes tches accomplies pour obtenir la
caractristique I-V (le cas du dfaut dombrage D1) pour lalgorithme DLDPV. Nous faisons
rfrence la Figure IV-3 pour expliquer cette coordination. A linstant t=21s, le dfaut D1
apparat. Une seconde plus tard, le MPPT commence balayer les points de fonctionnement.
Ce dlai dune seconde na aucun rapport spcifique (dans ce test) car nous lavons introduit
pour bien vrifier le bon fonctionnement de la coordination des diffrentes tches pour acqu-
rir la courbe I-V. Dans le cas rel, ce dlai doit tenir compte de la dure ncessaire un ondu-
leur pour trouver le point de puissance maximale lors dun changement de la condition de
fonctionnement (cf. paragraphe IV.2.2.3). A linstant t=22s le MPPT commence balayer les
points de fonctionnement (mode balayage). En mme temps, le systme de reconstitution de
la caractristique I-V commence enregistrer des points de fonctionnement. Une fois cette
tape termine, lalgorithme de localisation de dfauts sexcute.
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0
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D
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1
1
-117-
ii) Acquisition de la courbe I-V
Compte tenu de la dynamique interne de ces deux dispositifs, la dure totale dune seconde
est choisie pour balayer la caractristique I-V complte. La discussion sur la qualit de la ca-
ractristique I-V acquise na pas grande dintrt pour une simulation hors temps rel. Nous
discuterons de la qualit cette acquisition lors de la simulation en temps rel.
iii) Capacit de dtection et de localisation de dfauts
La dtection et la localisation de dfauts se reposent sur la comparaison entre lamplitude
des symptmes gnrs avec le seuil fix pour chaque symptme. Ces seuils sont indiqus
dans le Tableau IV-2. En tenant compte de cette valeur des seuils et les dfauts qui sont injec-
ts dans le modle dfaillant, les rsultats de comparaison entre lamplitude des symptmes et
leur seuil sont ainsi prsents dans la Figure IV-22.
0 2 4 6 8 10
0
100
200
s
1

0 2 4 6 8 10
0
50
100
s
2
0 2 4 6 8 10
0
0.2
0.4
s
3
0 2 4 6 8 10
0
2000
4000
s
4
0 2 4 6 8 10
0
50
100
N Dfaut
s
5
amplitude symptme
seuil

Figure IV-22 : Comparaison entre lamplitude des symptmes et le seuil pour les 9 dfauts considrs
Une toute premire remarque peut tre faite sur les seuils de valeurs diffrentes pour
chaque symptme (les points en rouge dans la Figure IV-22). Ceci est d au fait que ces d-
fauts sont injects pour diffrentes conditions de fonctionnement et que les seuils que nous
avons choisis varient en fonction de ces conditions de fonctionnement.
Parmi les 9 dfauts considrs, 6 dfauts sont dtectables (voir la premire ligne de la Fi-
gure IV-22). Le dfaut D6, D7 et D9 ne sont pas dtectables car leur amplitude ne dpasse pas
le seuil de dtection. Donc la localisation nest pas dclenche lors de lapparition de ces d-
fauts.
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7
1
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c

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1
Chapitre IV
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Il y a trois dfauts (D4, D5 et D8) dont le symptme s2 est dtectable. Le symptme
s3 nest pas dtectable pour aucun dfaut. Le dfaut D1 provoque lexistence du symp-
tme s4 . Lamplitude du symptme s5 dpasse le seuil pour tous les dfauts sauf pour
les dfauts (D6, D7 et D9) qui ne sont pas dtectables. Ceci ne veut pas dire que le symptme
s5 possde ltat 1 pour tous ces dfauts. Il permet juste le dmarrage de la classification
de la pente (voir la mise en uvre de lalgorithme de localisation de dfauts prsente dans la
Figure IV-18). Cest la classification qui dcide quel tat (0, 1 ou 2) est attribu au symptme
s5 . Le rsultat de localisation issu de lalgorithme de localisation est prsent dans la Fi-
gure IV-23. Les instants de dtection de ces dfauts (par rapport ce que nous avons prpro-
gramm (voir Tableau IV-1)) peuvent tre galement vrifis.

20 40 60 80 100
0
0.5
1
C
h
u
t
e

d
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V
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20 40 60 80 100
-1
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1
C
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u
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20 40 60 80 100
0
0.5
1
I
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f
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x
i
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n
20 40 60 80 100
0
1
2
Temps [s]
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n
t
e
D1
s2
s3
s4
s5
D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9

Figure IV-23 : Symptmes trouvs par lalgorithme de localisation de dfauts (simulation hors temps rel)
Notons que nous avons considr la mme srie de dfauts que celle utilise dans
lexemple du chapitre 3. La seule diffrence est que nous considrons la condition de fonc-
tionnement variable dans ce test, tandis que lensoleillement et la temprature sont fixs dans
lexemple du chapitre 3. Nous voulons rappeler ici (voir Tableau IV-3) le rsultat de ce der-
nier cas dans lintrt de comparer avec le rsultat obtenu pour ce test.
TABLEAU IV-3 : TABLEAU DE SIGNATURES DES DEFAUTS CONSIDERES DANS LEXEMPLE DU CHAPITRE 3
Symptmes D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9
s1 (rduction de la puissance maximale) 1 1 1 1 1 0 0 1 0
s2 (rduction de la tension de circuit ouvert) 0 0 0 1 1 0 0 1 1
s3 (rduction du courant de court-circuit) 0 0 0 0 0 0 0 0 0
s4 (prsence dun ou des points dinflexion) 1 0 0 0 0 0 0 0 0
s5 (dviation de la pente) 0 1 2 0 0 0 0 0 0
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Selon Tableau IV-3, lexistence des symptmes pour tous les dfauts, sauf le dfaut D9, est
cohrente avec celle que nous avons trouve dans la simulation malgr la variation des condi-
tions de fonctionnement considres. Ceci nous permet de conjecturer que la dmarche du
choix du seuil que nous avons propose dans le chapitre 3 permet de dtecter et localiser, pour
nimporte quelle condition de fonctionnement, des dfauts dune svrit quelconque.
Une remarque doit tre faite pour le dfaut D9. Pour rappel, dans lexemple que nous
avons montr dans le chapitre 3 (cf. paragraphe III.4.3.2.i), ce dfaut D9 nest pas dtectable,
mais peut tre localisable. Ceci est d au fait que les seuils pour la dtection et pour la locali-
sation sont indpendants et que nous avons procd en parallle la dtection et la localisa-
tion, en utilisant leur propre seuil. Ceci nest pas le cas dans ce test pour lequel la localisation
de dfaut nest pas dclenche si aucun nest dtect. Par consquent, aucun symptme nest
dtect pour le dfaut D9 (voir Figure IV-23).
IV.4.2 Rsultats de simulation en temps rel
Nous venons de voir dans la partie prcdente les rsultats de simulation hors temps rel.
Ces tests ont pour objectif de vrifier le fonctionnement global du systme de DLDPV propo-
s (fonctionnement du MPPT, acquisition des donnes, dtection et localisation des dfauts).
Dans cette partie, nous prsentons les rsultats du test en temps rel. Tous les sous-systmes
de la Figure IV-14 sont mis en route (source DC pilotable et charge programmable). Par
manque de temps, seul le test en condition de fonctionnement fixe a t ralis dans notre
travail (ensoleillement 1000W/m
2
et temprature 300K).
La mme configuration du champ PV que celle dans le test prcdent est retenue pour ce
test. De la mme manire, la configuration des paramtres de simulation (le pas de temps de
simulation, le pas de temps de calcul des caractristiques I-V) reste inchange.
Dans cette partie, nous prsentons tout dabord les rsultats des tests en fonctionnement
normal du champ PV et puis en fonctionnement dfaillant. Ensuite, nous discutons les rsul-
tats des tests de performance en temps rel de lalgorithme de DLDPV pour les dfauts consi-
drs.
IV.4.2.1 Tests en fonctionnement normal
Lensoleillement est fix 1000W/m
2
et la temprature 300K. La caractristique I-V du
champ PV mul cette condition de fonctionnement est montre dans la Figure IV-8. La
Figure IV-24a montre lvolution du courant, de la tension et de la puissance absorbe par la
charge. Au bout de 8s, la charge a russi trouver le point de MPP. Ce point de MPP est co-
hrent avec celui obtenu par la simulation hors temps rel montr dans la Figure IV-8.
Une premire remarque peut tre faite sur le point de fonctionnement de puissance maxi-
male trouve par la charge programmable (4.5A, 246V) qui est bien cohrent avec le point de
fonctionnement trouv en utilisant la caractristique I-V simule. La mme dynamique du
MPPT (incrment/dcrment dune amplitude de 0.02A tous les 100ms) que celle obtenue en
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Chapitre IV
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simulation hors temps rel est observe.
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0
2
4
C
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a
n
t

[
A
]
0 5 10 15 20
0
100
200
300
T
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s
i
o
n

[
V
]
0 5 10 15 20
0
500
1000
P
u
i
s
s
a
n
c
e

[
W
]
Temps [s]

(a)
4.2 4.4 4.6 4.8 5
3.75
3.8
3.85
3.9
C
o
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r
a
n
t

[
A
]
4.2 4.4 4.6 4.8 5
265
270
275
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
4.2 4.4 4.6 4.8 5
1000
1050
P
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i
s
s
a
n
c
e

[
W
]
Temps [s]

(b)

11 11.2 11.4 11.6 11.8 12
4.4
4.5
C
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a
n
t

[
A
]
11 11.2 11.4 11.6 11.8 12
244
246
248
T
e
n
s
i
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n

[
V
]
Temps [s]
11 11.2 11.4 11.6 11.8 12
1100
1110
1120
P
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s
s
a
n
c
e

[
W
]
Temps [s]

(c)

Figure IV-24 : Evolution du courant, de la tension et de la puissance de la source (fonctionnement sain et en
temps rel)
Le temps ncessaire pour que ce MPPT trouve un nouveau point de MPP dpend de lcart
entre le courant de lancien point de MPP et celui du nouveau point de MPP. Lalgorithme
que nous avons implment dans le MPPT fixe le point de dpart pour la recherche du point
MPP 3A. Donc, le temps quil faut pour arriver de 3A au point de MPP (4.6A) est (4.6A-
3A)/0.02A*100ms soit environ 8s.
IV.4.2.2 Tests en fonctionnement dfaillant
Une srie de dfauts est maintenant introduite dans lmulateur pour tester la performance
du MPPT assur par la charge et la capacit du systme dtection et de localisation de dfauts
lors de lapparition de dfauts. Dans ce test, nous considrons les quatre premiers dfauts de
la srie que nous avons utilise dans la simulation hors temps rel (voir Tableau IV-1). Ces
dfauts et leur instant dapparition sont montrs dans le Tableau IV-4.
TABLEAU IV-4 : DEFAUTS INTRODUITS DANS LE MODELE PV ET LEURS INSTANTS DAPPARITION (EN TEMPS REEL)
Dfauts Nature de dfauts Instant dapparition
D1 36 cellules de 2 modules 50% ombrs [15s 25s]
D2 1 rsistance dune connectique augmente de 10 ohms [35s 45s]
D3 1 module shunt avec une impdance de 10 ohms [55s 65s]
D4 1 module est court-circuit [75s 85s]
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D
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2
0
1
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-121-
Les mesures du courant, de la tension et de la puissance la sortie de la source DC sont
montres dans la Figure IV-25. De la mme manire que la simulation hors temps rel, trois
points importants peuvent tre discuts sur le rsultat de ce test et un point supplmentaire qui
est li la performance en temps rel :
- la capacit du MPPT, donc de la charge, pour trouver le point de puissance maxi-
male
- la qualit de la caractristique I-V acquise
- lefficacit de lalgorithme de localisation de dfauts
- le temps de calcul du systme de diagnostic
0 20 40 60 80
0
1
2
3
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[
A
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0 20 40 60 80
0
50
100
150
200
250
300
350
400
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[
V
]
0 20 40 60 80
0
200
400
600
800
1000
1200
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[
W
]
Temps [s]
14.5 15 15.5 16 16.5 17 17.5
0
2
4
C
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n
t

[
A
]
14.5 15 15.5 16 16.5 17 17.5
0
200
400
T
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s
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n

[
V
]
14.5 15 15.5 16 16.5 17 17.5
0
500
1000
P
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s
s
a
n
c
e

[
W
]
Temps [s]

Figure IV-25: Evolution du courant, de la tension et de la puissance de la source (fonctionnement dfaillant et en
temps rel)
i) Capacit du MPPT
Les points de la puissance maximale (I(MPP), V(MPP), Pmax) trouvs par la charge pro-
grammable tant en fonctionnement normal quen fonctionnement dfaillant ont t vrifis.
Ces valeurs sont ensuite compares avec les valeurs thoriques (les valeurs obtenues du calcul
des caractristique I-V simules). Cette comparaison montre une cohrence parfaite entre les
mesures et les valeurs prvues. Une telle comparaison est montre dans le Tableau IV-5.
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1
1
Chapitre IV
-122-
TABLEAU IV-5 : COMPARAISON DU POINT DE FONCTIONNEMENT TROUVE PAR LE MPPT AVEC LES VALEURS
THEORIQUES
Dfauts Pmax [W] V(MPP) [V] I(MPP) [A]
Tho. Mes. Tho. Mes. Tho. Mes.
Aucun dfaut 1110 1110 243 245 4.57 4.5
D1 986 985 216.3 220 4.56 4.5
D2 911 910 210.5 205 4.33 4.4
D3 1015 1015 228.6 230 4.44 4.4
D4 987 985 216 216 4.57 4.6
ii) Qualit de la caractristique I-V acquise
Nous discutons dans cette section de la qualit de la caractristique I-V acquise par la me-
sure du courant et de la tension. Le terme qualit se rfre au degr de dformation de la
courbe et lcart produit par rapport la courbe thorique (la caractristique simule).
Nous considrons le cas de lapparition du dfaut D1 pour discuter la qualit de la caract-
ristique I-V acquise. La Figure IV-26 montre lvolution du courant et de la tension de la
charge programmable lors de lapparition de ce dfaut. Rappelons-nous que le balayage de la
caractristique I-V est effectu en courant et est assure par la charge programmable.
14.5 15 15.5 16 16.5 17 17.5
0
2
4
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a
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[
A
]
14.5 15 15.5 16 16.5 17 17.5
0
200
400
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[
V
]
Temps [s]
D1 apparat
Dlai
Rate limite
balayage
Rate limite

Figure IV-26: Acquisition de la caractristique I-V par la charge programmable lors de lapparition du dfaut D1
De la mme manire que dans le cas de simulation hors temps rel, on peut remarquer dans
cette figure la synchronisation des diffrentes tches pour mener bien lacquisition de la
caractristique I-V. La charge programmable commence balayer son point de fonctionne-
ment 1s aprs la dtection du dfaut D1 ( linstant t=15s). Comme il a t dj expliqu dans
le cas de simulation hors temps rel (cf. paragraphe IV.4.1.3i), ce dlai est introduit pour tenir
compte de la dure quil faut un onduleur pour trouver le point de la puissance maximale
lors dun changement des conditions de fonctionnement. Le dlai dune seconde, utilis dans
ce test, na aucun rapport spcifique car nous lintroduit pour vrifier le bon fonctionnement
de la coordination des diffrentes tches pour acqurir la courbe I-V.
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1
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D
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2
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1
1
-123-
Le dclenchement vers le mode traceur de la charge entrane une variation brusque
dans le signal de commande pour la source (signal tabli par le modle du champ PV (voir
paragraphe IV.3.2.2)). Cette variation rapide du signal de commande a lieu galement lors du
balayage de la caractristique I-V dans la zone au voisinage du courant de court-circuit de la
caractristique I-V. En tenant compte de la dynamique interne de la source, il nest pas pos-
sible pour cette dernire de fournir dune manire instantane le point de fonctionnement (la
tension) correspondant cette variation rapide du signal de commande. Nous ralentissons
donc le signal de commande de la source via un rate limitation dont leffet peut tre visua-
lis dans la Figure IV-26. Deux zones de temporisation sont donc ajoutes juste avant et aprs
le balayage en courant pour laisser un temps suffisant pour que la tension de la source se sta-
bilise.
La Figure IV-27 montre le rsultat dacquisition de la caractristique I-V dans le cas du d-
faut D1. A des fins de comparaison, la caractristique I-V obtenue par la simulation hors
temps-rel est galement donne. Lintroduction du rate limitation permet de rsoudre le
problme de variation brusque de la commande pour la source, mais elle entrane en revanche
la dformation de la caractristique I-V acquise (voir la variation de la courbe en rouge par
rapport la courbe en bleu de la zone 1 da la figure). Malgr linsertion de la fonction rate
limitation , une perturbation considrable existe dans la zone voisinage du courant de court-
circuit (voir zone 2 de la courbe).
0 50 100 150 200 250 300 350
0
1
2
3
4
5
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Tension [V]

theorie
mesure
260 280 300
2
3
C
o
u
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a
n
t

[
A
]
Tension [V]

0 50 100 150 200
5 C
o
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a
n
t

[
A
]
Tension [V]

Zone 1
Zone 2

Figure IV-27 : Caractristique I-V acquise par le systme de DLDPV dans le cas du dfaut D1
Nous voulons prciser que cette dformation de la courbe est lie lassociation des dispo-
sitifs dlectronique de puissance (la source et la charge) et que leur dynamique interne nest
pas bien matrise. Cette dformation nexiste pas dans le cas dun fonctionnement avec le
module photovoltaque rel car on naura plus le problme de limite dynamique.
Pour rutiliser cette caractristique I-V acquise dans lalgorithme DLDPV de nos essais,
les courbes obtenues doivent tre lisses. Cest pour cette raison que nous faisons intervenir
une fonction de lissage fonde sur la mthode de rgression locale dans les tapes de calcul
des symptmes. La dformation de la courbe affecte essentiellement le calcul des symptmes
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D
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Chapitre IV
-124-
reposant sur lanalyse de la drive (calcul du symptme s4 et s5 ). Cette fonction de
lissage doit tre introduite dans les tapes de calcul de ces symptmes (voir les diffrentes
tapes de calcul des symptmes dans la Figure IV-18).
La Figure IV-28 montre la caractristique I-V acquise pour les autres dfauts considrs
dans le test. Les courbes correspondent relativement bien celles obtenues en simulation. Par
contre, le mme problme de dformation de la courbe dans la zone proche du courant de
court-circuit persiste.
0 50 100 150 200 250 300 350
0
1
2
3
4
5
C
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a
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[
A
]
Tension [V]

theorie
mesure

a) dfaut D1
0 50 100 150 200 250 300 350
0
1
2
3
4
5
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Tension [V]

theorie
mesure

b) dfaut D2
0 50 100 150 200 250 300 350
0
1
2
3
4
5
C
o
u
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a
n
t

[
A
]
Tension [V]

theorie
mesure

c) dfaut D3
0 50 100 150 200 250 300 350
0
1
2
3
4
5
C
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t

[
A
]
Tension [V]

theorie
mesure

d) dfaut D4
Figure IV-28 : Caractristiques I(V) obtenue par le systme dacquisition
iii) Efficacit de lalgorithme DLDPV
Il est rappeler que nous avons considr dans ce test la condition de fonctionnement fixe
(ensoleillement de 1000W/m
2
et temprature de 300K). En tenant compte du seuil que nous
avons choisi dans le Tableau IV-2, les symptmes trouvs par lalgorithme de localisation de
dfauts sont montrs dans la Figure IV-29. Ce rsultat est cohrent avec celui de la simulation
hors temps rel.
iv) Temps de calcul du systme de diagnostic
Un autre aspect essentiel quil faut discuter lors de limplmentation en temps rel de
lalgorithme de dtection et de localisation de dfauts est le temps de calcul consomm par
lalgorithme. Le temps dutilisation du processeur charg du systme DLDPV (cf. Figure
IV-14) est montr dans la Figure IV-30.
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0 20 40 60 80
0
0.5
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0 20 40 60 80
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1
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0 20 40 60 80
0
0.5
1
I
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f
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x
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0 20 40 60 80
0
2
Temps [s]
P
e
n
t
e

D1 D2 D3 D4
s2
s3
s4
s5

Figure IV-29 : Symptmes trouvs par lalgorithme de localisation de dfauts (simulation en temps rel)
0 20 40 60 80 100 120
0
2000
4000
6000
8000
10000
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s

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[
s
]
Temps [s]
16 16.5 17 17.5 18
0
50
100
150
200
250
300
T
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m
p
s

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c
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[
s
]
Temps [s]
15.9 15.95 16 16.05 16.1
0
1
2
3
4
5
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8
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m
p
s

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c
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[
s
]
Temps [s]

Figure IV-30 : Temps de calcul du systme de diagnostic
Dans un premier temps, on peut remarquer des raies damplitude constante distantes entre
elles dune priode de 1 s qui est la priode de mise jour de la condition de fonctionnement
du champ PV (ensoleillement et temprature), donc du calcul de la caractristique I-V du
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Chapitre IV
-126-
champ PV de rfrence. Lamplitude de chaque raie est de lordre de 200s qui est le temps
consomm par le processeur pour calculer la caractristique du champ PV en fonctionnement
sain.
Les quatre raies dont lamplitude est la plus importante (8ms) correspondent au temps de
calcul du processeur pour faire tourner lalgorithme de localisation. Ce temps de calcul si im-
portant est consomm principalement par la fonction dinterpolation et la fonction de lissage
de la courbe pour les caractristiques I-V acquises.
Le temps de calcul des autres tches dans le systme de diagnostic (tablissement du signal
de dclenchement et lacquisition des points caractristiques du champ) est quasiment ngli-
geable (lordre de 4s).
Il est rappeler que la procdure de diagnostic dun dfaut quelconque est une coordina-
tion de trois tches (voir Figure IV-3) dont chaque tche a une dure dexcution propre. La
dure de ces trois tches est :
- Le dlai pour rcompenser la perturbation, dite normale, du point de fonctionne-
ment cause par le changement de la condition de fonctionnement. Ce dlai qui
nest pas facile quantifier prcisment dpend de la performance de lalgorithme
du MPPT pour trouver le point de puissance maximale. Ce dlai est peut tre la du-
re qui est la plus dominante dans la dure totale quil faut au systme de DLDPV
pour identifier la nature dun dfaut quelconque. Nous fixons dans notre test, dune
manire triviale, ce dlai 1000ms.
- Le temps ncessaire pour acqurir la caractristique I-V complte. Il est fix
1000ms dans notre test tenant compte de la dynamique interne des dispositifs du
banc dessais. Cette dure peut tre bien rduite lors de limplmentation du sys-
tme DLDPV avec le champ PV rel, qui ne pose pas de contrainte dynamique.
- le temps de calcul consomm par le processeur pour faire tourner lalgorithme
DLDPV. Ce temps est gal 8ms pour le processeur que nous avons utilis.
En tenant compte de la dure ncessite par ces tches, la dure totale suite lapparition
dun dfaut, quil faut au systme de diagnostic pour identifier la nature du dfaut est indi-
que dans le Tableau IV-6.
TABLEAU IV-6 : DUREE TOTALE POUR IDENTIFIER LA NATURE DUN DEFAUT
Dfaut Dlai pour trouver la nature du dfaut
D1 D4
Dlai+Acquisition+Algorithme
1000ms +1000ms + 8ms

IV.5 Conclusions
Ce chapitre a dcrit le dveloppement dun systme de dtection et de localisation de d-
fauts pour un systme PV (systme de DLDPV) et lvaluation de sa performance en temps
rel. Le systme de DLDPV mentionn est lensemble de lalgorithme DLDPV et dun sys-
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IV.5-Conclusions
-127-
tme dinstrumentation conu pour acqurir les signaux ncessaires pour lalgorithme. Toutes
les contraintes dimplmentation ont t discutes.
Un banc dessai a t dvelopp, sur la base dun simulateur temps rel RTLAB, pour im-
plmenter le systme de DLDPV propos. Ce banc dessais contient un mulateur du champ
PV qui remplace le champ PV rel, un mulateur du systme connect au rseau qui remplace
la partie convertisseurs connects au rseau et le systme de DLDPV implment dans
RTLAB. Lmulateur du champ PV a t valid en le connectant un onduleur commercial.
En termes de la production dnergie, ce dernier a russi trouver le point de puissance
maximale (MPP) du champ mul malgr lapparition dun ou des dfauts entranant une
baisse de la puissance produite. Par contre, aucune fonction de diagnostic de dfaut nest dis-
ponible pour ces onduleurs commerciaux.
La performance de lalgorithme DLDPV a t value grce au banc dessais dvelopp.
Cette valuation a t faite dabord par une simulation hors temps rel et puis en temps rel.
Dans la simulation hors temps rel, la condition de fonctionnement (ensoleillement et temp-
rature) variable a t considre pour tester lefficacit et la robustesse de lalgorithme
DLDPV. Avec le nombre de scnarii de dfauts considrs dans le test, les rsultats de simu-
lation permet de conjecturer que la dmarche du choix du seuil que nous avons propose per-
met de dtecter et localiser, pour nimporte quelle condition de fonctionnement, des dfauts
dune svrit quelconque.
La seconde tape dexprimentation repose la simulation en temps rel. Tout dabord, la
capacit de la charge programmable, qui joue le rle la fois dun MPPT et la fois dun
traceur I-V, a t bien vrifie.
Ensuite, la qualit de la caractristique I-V acquise par le systme de DLDPV a t discu-
te. La courbe acquise a prsent une perturbation considrable cause par la limite dyna-
mique des dispositifs physiques utiliss par le banc dessai. Cette perturbation nest pourtant
pas un souci lors de limplmentation de lalgorithme DLDPV avec le champ PV rel. Pour
rutiliser la caractristique I-V acquise, qui est dforme, dans lalgorithme de DLDPV, une
fonction de lissage reposant sur la mthode de rgression locale a t introduite dans
lalgorithme, ce qui navait pas t prvu lors de la conception de lalgorithme. Avec cette
fonction de lissage, lalgorithme DLDPV a russi localiser les dfauts considrs dans le
test.
Le temps de calcul consomm par le processeur pour faire fonctionner lalgorithme
DLDPV a t galement mesur. Ce temps de calcul nest nanmoins ngligeable devant la
dure des autres tches demandes par le systme DLDPV (dlai pour rcompenser la pertur-
bation du point de fonctionnement du MPPT, le temps dacquisition de la caractristique I-V).
Par manque de temps, la robustesse en temps rel de lalgorithme de DLDPV vis--vis de
la variation de la condition de fonctionnement na pas t value. Malgr cela, nous ne
voyons pas des verrous supplmentaires par rapport la simulation hors temps rel part la
qualit de la caractristique I-V acquise qui peut tre rsolue par linsertion dune fonction de
lissage de la courbe.
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Chapitre IV
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-129-
Conclusions gnrales et perspectives
Dans le cadre du projet ANR DLDPV, cette thse sest concentre sur la dtection et la lo-
calisation de dfauts dans la partie DC du systme photovoltaque, c'est--dire du ct gnra-
teur PV. Lobjectif de la thse est de proposer, en prenant le moins de mesures possibles pour
respecter les contraintes conomiques de tels systmes, un algorithme pour dtecter et locali-
ser des dfauts conduisant une baisse de production.
Suite une tude bibliographique sur les diffrentes mthodes de diagnostic de dfauts
dun champ PV, couramment industrialises ou non, lapproche reposant sur lanalyse de la
caractristique I-V a t retenue. Lutilisation de cette caractristique pour valuer limpact
des diffrents dfauts sur la performance du champ PV a t largement applique. Par contre,
lutilisation dune telle caractristique pour remonter la nature des dfauts nest pas large-
ment rpandue. Deux raisons principales peuvent tre cites comme barrire lapplication
dune telle mthode pour faire le diagnostic : la difficult dobtention en ligne de la caractris-
tique complte I-V et la manque dune base de donnes pertinente sur les causalits entre d-
fauts et modifications de la caractristique I-V. Le premier verrou a t lev suite au travail
men par notre partenaire du projet, le CEA INES.
La contribution majeure de ces travaux de thse a t de lever le deuxime verrou qui con-
sistait tablir dune manire pertinente une relation causale entre les principaux dfauts con-
sidrs et la caractristique rsultante et ensuite dvelopper un algorithme de dtection et de
localisation de dfauts enligne en reposant sur la base de connaissances tablie.
Pour analyser la caractristique I-V dun champ PV dfaillant des fins de diagnostic, une
brve tude bibliographique sur les diffrentes approches thoriques de diagnostic a t me-
ne. Ceci nous a conduits choisir la mthode dinfrence base de raisonnement discret
pour faire la dtection et localisation de dfauts pour un systme PV.
Selon la mthode dinfrence que nous avons retenue, la toute premire tape consiste
tablir une base de connaissances sur le comportement dfaillant dun champ PV. Les diff-
rents outils existants pour simuler le comportement dfaillant dun champ PV ont t trouvs,
selon notre tude bibliographique, inadapts car les dfauts considrs ne sont pas tous pris en
compte. Une nouvelle dmarche de modlisation a t propose dans le but dobtenir la carac-
tristique I-V du systme PV (cellule, module, string, champ) pour les diffrents dfauts con-
sidrs. La dmarche propose repose sur le principe daddition de la caractristique I-V des
composants constituant le champ PV, les cellules. Le modle de Bishop a t choisi pour si-
muler le comportement de la cellule PV. Ce choix rside sur le fait que ce modle peut repr-
senter une cellule PV tant en rgime de fonctionnement normal quen rgime inverse.
Suivant la hirarchie des tapes de la modlisation propose (cellule, groupe, module,
string et champ) et les consquences possibles que les dfauts retenus peuvent engendrer, ces
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dfauts ont t restructurs et classifis en cinq catgories pour la modlisation : dfauts de
mismatch et dombrage, dfauts de la diode de bypass, dfauts de module, dfauts de connec-
tique et dfauts de la diode anti-retour.
Les caractristiques I-V pour les diffrents dfauts, obtenues daprs le modle dvelopp
ont montre une cohrence avec celles obtenues des testes effectus sur un champ PV rel en
crant physiquement les dfauts considrs.
Aprs avoir dispos de la base de connaissances sur le comportement dfaillant dun
champ PV, les symptmes potentiels ont t identifis, partir de cette base, pour construire
lalgorithme de dtection et de localisation de dfauts. En comparant la caractristique I-V
dun champ PV en fonctionnement sain et celle en fonctionnement dfaillant pour les diff-
rents dfauts considrs dans la base de connaissance, cinq symptmes ont t retenus pour
faire la dtection et la localisation de dfauts. Ces symptmes sont : rduction de la puissance
maximale, rduction de la tension de circuit ouvert, rduction du courant de court-circuit, pr-
sence dun ou de points dinflexion, dviation de la pente de la caractristique I-V.
En gardant lesprit que seule la partie DC nous a intress et que, selon larchitecture du
convertisseur utilise, cette partie DC peut se rfrer un module ou string ou champ PV,
ceci nous a oblig danalyser sur la base des symptmes retenus la capacit de dtection et de
localisation pour ces trois types de systme PV. Cette analyse a t divise en deux parties :
lanalyse qualitative et lanalyse quantitative. Daprs lanalyse qualitative, lalgorithme de
dtection et de localisation peut tre dcoup en deux tapes successives : la dtection et puis
la localisation qui ne seffectue quaprs la dtection dun dfaut quelconque. Cette analyse
qualitative nous a permis galement de conclure que pour garantir la bonne capacit de dis-
crimination des dfauts tout en limitant le nombre de capteurs, le diagnostic doit tre fait au
niveau du string. Dans lanalyse quantitative de la capacit de dtection et de localisation de
dfauts, les symptmes retenus ont t analytiquement gnrs. Cette gnration des symp-
tmes a permis dextraire les tats supplmentaires pour les symptmes retenus, plus spcifi-
quement pour le symptme s5 . Grce ces tats supplmentaires, la capacit de dtection
et de localisation a pu tre amliore.
La mthode du choix du seuil pour chaque symptme a t galement propose. La d-
marche la plus simple et la plus efficace, du ct lutilisateur du systme de diagnostic, con-
siste sappuyer uniquement sur la rduction de la puissance maximale pour fixer le seuil. Le
seuil du symptme pour la dtection de dfauts est donc choisi selon la rduction de la puis-
sance maximale tolre. Pour viter les problmes de fausses alarmes, le seuil minimum de
chaque symptme, qui est gal lerreur de calcul maximale de ces symptmes causes par
les diffrentes incertitudes, a t galement valu. La robustesse du systme de diagnostic
vis--vis de la variation de la condition de fonctionnement a t galement analyse. En choi-
sissant lerreur relative de calcul des symptmes comme le seuil minimum, la capacit de
dtection et de localisation est maintenue quelle que soit la condition de fonctionnement.
Lalgorithme propos a t ensuite implment dans le systme temps rel afin dvaluer
son efficacit et sa performance. Dans cet objectif, un banc dessai a t dvelopp, sur la
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base dun simulateur temps rel RTLAB. Ce banc dessais contient un mulateur du champ
PV qui remplace le champ PV rel, un mulateur de la partie connecte au rseau qui rem-
place la partie convertisseurs connects au rseau et le systme de DLDPV implment dans
RTLAB. Lmulateur du champ PV a t valid en le connectant un onduleur commercial.
En termes de la production dnergie, ce dernier a russi trouver le point de la puissance
maximale (MPP) du champ mul malgr lapparition dun ou des dfauts entranant une
baisse de la puissance produite. Par contre, aucune fonction de diagnostic de dfaut nest dis-
ponible pour ces onduleurs commerciaux.
La performance de lalgorithme DLDPV a t value grce au banc dessais dvelopp.
Cette valuation a t faite dabord par une simulation hors temps rel et puis en temps rel.
Dans la simulation hors temps rel, la condition de fonctionnement (ensoleillement et temp-
rature) variable a t considre pour tester lefficacit et la robustesse de lalgorithme
DLDPV. Avec le nombre de scnarii de dfauts considrs dans le test, les rsultats de simu-
lation permet de conjecturer que la dmarche du choix du seuil que nous avons adopte per-
met de dtecter et localiser, pour nimporte quelle condition de fonctionnement, des dfauts
dune svrit quelconque.
La seconde tape dexprimentation repose la simulation en temps rel. Tout dabord, la
capacit de la charge programmable, qui joue le rle la fois dun MPPT et la fois dun
traceur I-V, a t bien vrifie. Ensuite, la qualit de la caractristique I-V acquise par le sys-
tme de DLDPV a t discute. La courbe acquise a prsent une perturbation considrable
cause par la limite dynamique des dispositifs physiques utiliss par le banc dessai. Cette
perturbation nest pourtant pas un souci lors de limplmentation de lalgorithme DLDPV
dans un champ PV rel. Pour rutiliser la caractristique I-V acquise, qui est dforme, dans
lalgorithme de DLDPV, une fonction de lissage reposant sur la mthode de rgression locale
a t introduite dans lalgorithme, ce qui navait pas t prvu lors de la conception de
lalgorithme. Avec cette fonction de lissage, lalgorithme DLDPV a russi localiser les d-
fauts considrs dans le test. Le temps de calcul consomm par le processeur pour faire fonc-
tionner lalgorithme DLDPV a t galement mesur. Ce temps de calcul est nanmoins n-
gligeable devant la dure des autres tches demandes par le systme DLDPV (dlai pour
rcompenser la perturbation du point de fonctionnement du MPPT, le temps dacquisition de
la caractristique I-V).
Par manque de temps, la robustesse en temps rel de lalgorithme de DLDPV vis--vis de
la variation de la condition de fonctionnement na pas t value. Malgr cela, nous ne
voyons pas des verrous supplmentaires par rapport la simulation hors temps rel part la
qualit de la caractristique I-V acquise qui peut tre rsolue par linsertion dune fonction de
lissage de la courbe.
Ces travaux ouvrent de nombreuses perspectives. Nous pouvons citer trois tches essen-
tielles qui pourraient tre conduites rapidement :
- Finaliser les tests pour valuer la robustesse en temps rel de lalgorithme DLDPV
propos pour diffrentes conditions de fonctionnement
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- Appliquer lalgorithme DLDPV propos pour faire la dtection et la localisation de d-
fauts pour un champ PV rel, avec videmment le traceur rapide qui a t dvelopp
par le partenaire du projet et valuer ainsi limpact de ce traceur rapide sur la caract-
ristique I-V obtenue pour les diffrents fonctionnements considrs
- Amliorer la capacit de diagnostic (affinement du diagnostic et largir le primtre de
dfauts en considrant les dfauts accumuls). Nous voquons dans lannexe F
quelques pistes plus prcises pour amliorer la capacit de diagnostic.
Dautres travaux complmentaires pourraient tre conduits dans diffrents domaines :
- Poursuivre le diagnostic de linstallation PV en considrant cette fois ci le convertis-
seur.
- Considrer dautres types de modules, dautres configurations du systme PV et donc
dautres manifestations des dfauts dans la caractristique I-V.

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[TAKASHIMA'09] T. Takashima, J. Yamaguchi, K. Otani, T. Oozeki, K. Kato, et al., "Expe-
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Bibliographie
-139-
[ZEHNER'01] M. Zehner. (2001) Virtual assistants - market survey of PV design and simula-
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Bibliographie
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-141-
Annexe A
Les dfauts les plus frquents rencontrs dans
un champ PV
Dans le cadre du projet DLDPV financ par lANR, les dfauts les plus rencontrs dans
une installation photovoltaque ont t collects grce au retour dexprience des partenaires
du projet. Les dfauts collects ont t classifis selon la fonction des diffrents composants
constituant linstallation PV. Sept groupes de dfauts ont t forms :
- Dfauts dans le gnrateur photovoltaque
- Dfauts dans la bote de jonction
- Dfauts dans le systme de cblage
- Dfauts dans le systme de protection
- Dfauts de londuleur
- Dfauts dans le systme dacquisition des donnes
Dans chaque groupe de dfauts, un tableau a t tabli reprenant le type du dfaut, sa con-
squence principale, puis son degr dimpact sur la production du systme ou criticit (1 :
faible, 2 : moyen, 3 : fort), son occurrence (1 : faible, 2 : moyenne, 3 : forte). Ainsi que sa
phase dorigine (C : Conception ; I : Installation ; E : Exploitation).
Dans cette annexe, quelques exemples de dfauts sont galement illustrs sous forme
dimages.
A.1 Dfauts dans le gnrateur PV
Dfaut Consquences Cri. Occ. Ori.
Salissure (pollution, sable, neige) Perte de puissance 3 3 E
Inversion des liaisons de sortie
Module mal cbl, diminution des perfor-
mances
3 2 I,C
Air marin Corrosion 3 2 E
Dgradation des modules par vanda-
lisme
Diminution des performances, Non fonction-
nement de linstallation
3 2 E
Vol des modules Non fonctionnement de linstallation 3 2 I,E
Mauvaise orientation et/ou inclinai- Ombrage, diminution des performances 2 3 C,I
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Annexe A
-142-
son des modules
Couple galvanique d au mlange de
matriau de la jonction mo-
dule/support
Corrosion 2 3 C
Module mal ou pas ventil Echauffement 2 2 I,C
Module mal fix
Dplacement du module, diminution des
performances
2 2 I,C
Modules non cble Diminution des performances 2 2 I,C
Fissure
Perte d'tanchit, dtrioration des cellules,
diminution du shunt, diminution des perfor-
mances
3 1 E
Rouille par infiltration d'eau Perte d'tanchit, dtrioration des cellules 3 1 E
Mauvaise isolation entre modules et
onduleur
Court-circuit, destruction du module, incen-
die
3 1 I,C
Dtrioration des joints d'tanchit Perte d'tanchit, dtrioration des cellules 3 1 E
Dformation du cadre des modules Infiltration d'eau 3 1 E
Corrosion du cadre des modules Perte d'tanchit, dtrioration des cellules 3 1 E
Dlaminage Diminution des performances, chauffement 3 1 E
Foudre Dtrioration des modules 3 1 E
Tempte Module arrach, cass 3 1 E
Hot spot, augmentation du courant de fuite,
corrosion, perte d'adhrence et d'isolation,
diminution de la rsistance de CC la terre
3 1 E
Faiblesse au vent des structures Module arrach, cass 3 1 C,I
Foudre sur linstallation Destruction des modules 3 1 E
Modules de performances diffrentes Diminution des performances du champ 1 3 I,C
Sortie par le bas des botes de con-
nexions impossible
Mauvais cblage 1 3 C,I
Bouchons de presse-toupe man-
quant sur la bote de connexion
Pntration d'eau, corrosion des liaisons 1 3 I,C
Bote de connexion monte l'en-
vers
Entre d'eau dans le botier par le presse-
toupe
1 3 I,C
Ombrage partiel (feuilles darbre,
djections)
Hot spot, dtrioration de cellules 2 1 E
Dgradation de l'encapsulant cause
des ultraviolets, EVA jaunissant
Absorbe les photons qui n'arrivent plus jus-
qu' la cellule, diminution des performances
2 1 E
Augmentation de la rsistance srie
due au cycle thermique
Diminution des performances 2 1 E
Dtrioration de la couche anti-reflet Diminution des performances 2 1 E
Dgradation cause de la lumire
Diminution des performances, surtension,
destruction de diodes
2 1 E
Dgradation cause de la chaleur
Diminution des performances, chauffement,
dtrioration des joints
2 1 E
Inclinaison des modules trop faible
Stagnation d'eau, dpt de terre, prolifration
de champignons, problme d'tanchit
2 1 C,I
Dtrioration des joints, diminution des per-
formances, augmentation de la rsistance
2 1 E
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A.1-Dfauts dans le gnrateur PV
-143-
srie, de la chaleur
Support mcanique des modules
inadquat ou mal pos
Efforts mcaniques importants sur les mo-
dules
2 1 C,I
Mauvaise rsistance mcanique des
supports des modules
Dformation du support 2 1 C,I
Diffusion du phosphore (dopant)
vers la surface
Perte d'adhrence de l'encapsulant 2 1 E
Important courant de fuite Echauffement 2 1 E
Echauffement des modules par la
bote de connexion
Dcollement du Tedlar, diminution des per-
formances
2 1 C,I
Nid dinsectes sur les modules Diminution des performances 2 1 E
Panneaux inaccessibles Nettoyage impossible 1 2 C,I
Module produisant moins que prvu Diminution des performances 1 1 E
Apparition de bulles la surface des
modules
Diminution des performances 1 1 E

(a) Salissure

(b) Ombrage

(c) Echauffement de la cellule (face avant)

(d) Echauffement de la cellule (face arrire)

(e) Echauffement des soudures (face avant)

(f) Echauffement des soudures (face arrire)
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Annexe A
-144-

(g) Dgradation de EVA

(h) dfaut mcanique de la face arrire
Figure A-1 : Exemples de dfauts rencontrs dans des gnrateurs PV
A.2 Dfauts dans la bote de jonction
Absence de parafoudre ou protection
foudre inadapte
Destruction en cas de foudre 3 2 C,I
Presse-toupe mal serr
Corrosion des contacts, rupture du circuit
lectrique
2 3 I
Liaison de mise la terre non fixe
ou sectionne
Pas de mise la terre 2 2 I
Bote de jonction sans presse-toupe
Pas dtanchit, corrosion des contacts,
rupture du circuit lectrique
2 2 I
Presse-toupe en caoutchouc
lectrique
2 2 C,I
Infiltration d'eau par les vis de fixa-
tion
lectrique
2 2 I
Bote de jonction non repre Problme pour contrle et maintenance 1 3 I
Dconnexion des soudures
Arc lectrique, incendie, diminution des per-
formances
2 1 E,I
Botier infest d'insectes Rupture du circuit lectrique 2 1 E
Fourreaux non prvus pour usage
extrieur
Destruction de la protection 2 1 C
Liaison sans protection Destruction de la liaison 2 1 C,I
Pntration de l'eau ou de l'humidit
Corrosion des connexions, des diodes, des
bornes, incendie
2 1 I

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A.3-Dfaut dans le systme de cblage
-145-

Figure A-2 : Exemples de dfauts rencontrs dans des botes de jonction
A.3 Dfaut dans le systme de cblage
Mauvais dimensionnement des
cbles
Chute de tension> 3%, chauffement 2 3 C
Connexion desserre ou casse
Arc lectrique, incendie, destruction de la
bote de jonction, destruction de diodes
2 3 I,E
Principe de cblage en goutte d'eau
non respect
Mauvais cblage 2 3 I
Cbles inter module de section trop
faible par rapport au presse-toupe
lectrique
2 3 C,I
Mauvais dimensionnement des
cbles
Chute de tension> 3%, chauffement 2 3 C
Connexion desserre ou casse
Arc lectrique, incendie, destruction de la
bote de jonction, destruction de diodes
2 3 I,E
Principe de cblage en goutte d'eau
non respect
Mauvais cblage 2 3 I
Cbles inter module de section trop
faible par rapport au presse-toupe
lectrique
2 3 C,I
Bornes rouilles Faux contacts, circuit ouvert, arc lectrique 2 2 E
Cbles non fixs Boucle de cblage, circuit ouvert 2 2 I
Mauvais cblage
Court-circuit, claquage des diodes anti-retour,
destruction des connecteurs (circuit ouvert),
alas de fonctionnement sur disjoncteur
2 2 I
Toron Boucle lectromagntique 2 2 I
Cbles d'arrive des sous-champs
entams lors du dnudage
Mauvais cblage, faux contacts, circuit ou-
vert, arc lectrique
2 2 I
Absence de graisse de silicone Humidit 2 2 I
Cble mal dnud
vert, arc lectrique
2 2 I
Cble rong par des rats Faux contacts, circuit ouvert, arc lectrique 2 2 E
Modification du cblage par l'usager
non comptent
vert, arc lectrique
2 2 E
Bornes rouilles Faux contacts, circuit ouvert, arc lectrique 2 2 E
Cbles non fixs Boucle de cblage, circuit ouvert 2 2 I
Bote de connexion dcolle Connexion des cellules en srie endommage 2 1 E
Bote de connexion dcolle Connexion des cellules en srie endommage 2 1 E
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Annexe A
-146-

Figure A-3 : Exemples de dfauts rencontrs dans le systme de cblage
A.4 Dfauts dans le systme de protection
Protections inappropries ou mal
dimensionnes
Court-circuit, hot spot, incendie, arrt de
l'installation
2 2 C
Interrupteur, disjoncteur inappropri
Arc lectrique, incendie, destruction
louverture
3 1 C
Disjoncteur diffrentiel non con-
forme la norme
Non dclenchement, tension entre neutre et
terre
3 1 C
Armoire lectrique pose mme le
sol l'extrieur
Dysfonctionnement en cas de pluie 3 1 C,I
Parafoudre non connect la terre Pas de protection 3 1 I
Impossibilit de dconnecter les
modules par branche
Problme de scurit 1 3 C,I
Pas de possibilits de sectionnement
extrieur au coffret
Problme de scurit 1 3 C
Mauvaise dissipation de la chaleur
des diodes
Echauffement 2 1 C,I
Sous dimensionnement des diodes de
bypass
Hot spot, destruction des diodes, chauffe-
ment de la bote de jonction
2 1 C
Absence de protection contre les
courants inverses
Hot spot, destruction des diodes, chauffe-
ment de la bote de jonction
2 1 C
Diode mal connecte
Non fonctionnement des diodes, absence de
protection contre les courants inverses
2 1 I,E
Inversion de la polarit des diodes au
montage
Non fonctionnement des diodes, court-circuit,
hot spot
2 1 I,E
Phnomnes de rsonance
Non fonctionnement des fusibles et des pro-
tections de surtension
2 1 C
Dgradation cause de la lumire Non fonctionnement des diodes de bypass 2 1 E
Echauffement des diodes places
dans un endroit mal ventil
Temprature de destruction atteinte 2 1 C,I
Vieillissement des disjoncteurs Non fonctionnement des disjoncteurs 1 1 E
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A.5-Dfauts dans londuleur
-147-

Figure A-4 : Exemples de dfauts de diodes de bypass
A.5 Dfauts dans londuleur
Dgradation cause la chaleur Dtrioration de l'onduleur, des connexions 3 2 E,C,I
Faux contact Arrt de l'onduleur 3 2 I
Surtension Dconnexion de londuleur 3 2 C
Fusible fondu Arrt de londuleur 3 2 E,C,I
Foudre sur le rseau Surtension, destruction de londuleur 3 2 E
Tension du gnrateur infrieure la
limite basse de l'onduleur
Dconnexion de londuleur 3 2 C
Onduleur sous dimensionn Destruction de londuleur 2 3 C
Bobine des filtres, thyristors, capaci-
ts en dfaut
Arrt de londuleur 3 1 E,C,I
Problme d'interface avec le rseau Dcouplage de londuleur 3 1 E
Dfaut d'isolement Dtrioration de l'onduleur 3 1 C,I
Surchauffe des onduleurs Diminution des performances 3 1 E
Onduleur install dans un lieu non
tanche
Panne de l'onduleur 3 1 I,C
Onduleur mal fix Chute de londuleur 3 1 I
Onduleur surdimensionn
Perte de puissance, diminution des perfor-
mances
2 1 C
Visserie et bouton de commande
oxyds
Rglage impossible 2 1 E
Mauvais choix de la tension nomi-
nale dentre
Diminution des performances 2 1 C
Pile de sauvegarde HS Perte des donnes 1 2 E
Tmoins de dfaut d'intensit allum
en permanence
Mauvaise information sur lintensit 1 2 E,I
Onduleur non mis la terre Disjoncteur diffrentiel non actif 1 2 I
Perte de la mmoire (mauvaise ma-
nipulation du technicien)
Perte des donnes 1 1 E
Afficheur de cristaux liquide en-
dommag ou illisible
Pas dinformation sur le fonctionnement 1 1 E
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Annexe A
-148-

A.6 Dfauts dans le systme dacquisition
Coupure de courant Perte de donnes 1 3 E
Sonde de temprature non cble Mesure impossible 1 3 I
Sonde densoleillement non cble Mesure impossible 1 3 I
Dfaut de paramtrage Enregistrement de fausses donnes 1 3 I
Mauvais cblage des shunts de me-
sure
Mesure impossible ou errone 1 3 I
Afficheur de donnes mal plac (trop
haut)
Donnes non visibles 1 2 C,I
Carte lectronique mal positionne Touches inactives, dfaut de commande 1 2 I
Non configur pour l'acquisition des
donnes
Pas de donne enregistre 1 2 I
Armoire ferme par le service de
maintenance ou prsence d'un code
Lecture des donnes par lexploitant impos-
sible
1 2 E,I
Bornier de mesures et de sonde de
temprature trop proches
Cblage difficile, risque de court circuit 1 1 C,I
Acquisition de donnes vierge Aucune information enregistre 1 1 E
Mesure de donnes non nulles alors
que systme PV larrt
Fiabilit des donnes 1 1 E

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-149-
Annexe B
Influence des paramtres dune cellule photo-
voltaque
Parmi les modles de cellules photovoltaques proposs dans la littrature, le modle de
Bishop est gnralement retenu comme le modle le plus adapt pour modliser une cellule
PV tant en fonctionnement normal quen fonctionnement dans le rgime inverse. Ce modle
peut tre exprim par lquation suivante, dans laquelle I et V sont respectivement le courant
et la tension dune cellule PV.

(
(
|
|
.
|
\
| +
+
+
|
|
.
|
\
| +
=
n
b
s
sh
s
t
s
o ph
V
I R V
k
R
I R V
V
I R V
exp I I I 1 1 1
(B-1)
Cest une quation 2 inconnues (I et V) et 8 paramtres. Ces paramtres sont :
-
ph
I : Photo-courant, courant quivalent proportionnel lensoleillement reu par la
cellule
-
o
I : Courant de saturation inverse de la diode
- q T ak V
C b t
= : Tension thermique de la diode. Elle dpend de temprature de la
cellule
C
T tandis que a ,
b
k et q sont respectivement le facteur didalit de diode
(1 2), la constante de Boltzmann (1.38 10
-23
J/K) et la charge de llectron (1.602
10
-19
C).
-
s
R : Rsistance srie de la cellule
-
sh
R : Rsistance shunt de la cellule
- k : Coefficient de rglage de Bishop (3.4 4)
- n : Coefficient de rglage de Bishop (~ 0.1)
-
b
V : Tension de claquage de la cellule (-10 V -30 V)
La connaissance de linfluence de ces paramtres sur la caractristique du modle est trs
importante pour pouvoir ensuite classifier le type de dfaut responsable de la variation de ces
paramtres. Linfluence de ces diffrents paramtres sera examine sparment dans cette
annexe. Nous ne nous intressons dans cette analyse quaux cinq premiers paramtres qui
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Annexe B
-150-
sont les plus susceptibles de varier suite un dfaut quelconque.
B.1 Photo-courant
Le courant
ph
I dune cellule photovoltaque varie en fonction de sa temprature,
lensoleillement quelle reoit et le coefficient de temprature du courant court-circuit. En
faisant rfrence au courant
ph,STC
I mesur la condition de test standard (
2
1000W/m G
STC
=
et C T
C,STC
= 25 ), le courant
ph
I pour un ensoleillement et une temprature donns peut tre
calcul par lexpression suivante.

( ) | |
STC , C C STC , ph
STC
ph
T T I
G
G
I + = o
(B-2)
Avec :
- G : ensoleillement reu par la cellule photovoltaque [
2
W/m ]
- o : coefficient de temprature du courant court-circuit en [ C A ] ou en [ C % ]
-
STC
G : ensoleillement la Condition de Test Standard [
2
1000W/m ]
-
STC , C
T : temprature la Condition de Test Standard [ C 25 ]
-
ph,STC
I : photo courant la Condition de Test Standard. Il est pratiquement gal au
courant de court-circuit la Condition de Test Standard
SC,STC
I
La valeur du courant de court-circuit la condition de test standard
SC,STC
I et le coefficient
de temprature o sont gnralement donns par les fabricants du module photovoltaque. En
ce qui concerne la valeur de la temprature de la cellule, elle est parfois indisponible (si la
mesure nest pas faite). Pourtant, on peut trs bien estimer la temprature dune cellule par-
tir de la temprature ambiante et de lensoleillement quelle reoit par lexpression suivante.

G
.
NOCT
T T
a C

+ =
8 0
20

(B-3)
Avec :
-
C
T : temprature de la cellule photovoltaque [ C ]
-
a
T : temprature ambiante [ C ]
- G : ensoleillement reu par la cellule photovoltaque [
2
W/m ]
- NOCT : temprature normale de fonctionnement de la cellule (Normal Operating
Cell Temperature). Sa valeur est gnralement fournie par le fabricant.
La Figure B-1 montre une famille de caractristiques I-V dune cellule photovoltaque
lorsquelle est soumise une variation de lensoleillement. Dans la zone de tension ngative,
le courant augmente tout dabord linairement et proportionnellement lensoleillement. En-
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1
B.2-Courant de saturation inverse
-151-
suite, il augmente brusquement jusqu ce que la tension de claquage soit atteinte.
-15 -10 -5 0
0
1
2
3
4
5
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7
Tension d'une cellule PV [V]
C
o
u
r
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t

d
'
u
n
e

c
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u
l
e

P
V

[
A
]

0 0.2 0.4 0.6
0
1
2
3
4
5
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C
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u
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n
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d
'
u
n
e

c
e
l
l
u
l
e

P
V

[
A
]

Figure B-1 : Influence de la variation de lensoleillement
Dans la zone de tension positive, on peut bien observer que le courant de court-circuit est
directement proportionnel lensoleillement (photo-courant
ph
I ). Tandis que la tension de
circuit ouvert est lgrement proportionnelle lensoleillement. On peut approximativement
calculer cette variation de tension en supposant que
Sh
R est gale infini et
S
R gale 0 dans
lquation (B-1). Pour un courant nul, lquation (B-1) scrit :

(
|
|
.
|
\
|
= 1 0
0
t
ph
V
V
exp I I
(B-4)
En remplaant lexpression de
t
V dans lquation (B-4), on obtiendra :

|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
=
0
I
I
ln
q
kT
a V
ph
C
OC

(B-5)
On voit donc que la tension de circuit ouvert dune cellule photovoltaque est en fonction
du photo-courant, du courant de saturation inverse, de la temprature de la cellule et du fac-
teur didalit de diode. Il sensuit que cette tension varie peu et dautant moins que le facteur
didalit de diode est voisin de 1.
B.2 Courant de saturation inverse
Le courant de saturation inverse de la diode dpend de la temprature et de la largeur de
bande dnergie du matriel de la cellule photovoltaque. Lexpression du courant de satura-
tion inverse est trs complique et certains paramtres physiques ne sont pas disponibles. Par
contre, on peut le calculer en faisant rfrence au courant de saturation inverse une temp-
rature de rfrence donne. Le rapport de ces deux courants est donn dans lexpression sui-
vante.
g
E est la bande dnergie et gale 12 . 1 eV pour le cristal de type silicium.
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
Annexe B
-152-

(
(
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
=
C REF , C
g
REF , C
C
REF ,
T T ak
qE
exp
T
T
I I
1 1
3
0 0

(B-6)
Avec
-
0
I : courant de saturation inverse la temprature
C
T
-
REF ,
I
0
: courant de saturation inverse la temprature
REF , C
T . Gnralement, on
choisit la condition de test standard comme rfrence. On peut dduire lexpression
du courant
STC ,
I
0
partir de lquation (B-5). On obtiendra :

|
|
.
|
\
|
=
STC , C
OC
SC STC ,
akT
q V
exp I I
0

(B-7)
La Figure B-2 montre une famille de caractristiques I-V dune cellule photovoltaque
lorsque le courant de saturation inverse de diode varie. On peut remarquer que le courant de
saturation inverse na aucune influence sur le courant de court-circuit de la cellule. Par contre,
il fait varier la tension de circuit ouvert comme on peut le voir dans lquation (B-5). Contrai-
rement lensoleillement, plus le courant de saturation inverse augmente plus la tension de
circuit ouvert diminue.
-15 -10 -5 0
0
2
4
6
8
C
o
u
r
a
n
t

d
'
u
n
e

c
e
l
l
u
l
e

P
V

[
A
]

0 0.2 0.4 0.6 0.8
0
1
2
3
4
5
6
C
o
u
r
a
n
t

d
'
u
n
e

c
e
l
l
u
l
e

P
V

[
A
]
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5

Figure B-2 : influence de la variation du courant de saturation inverse de diode
Dans les deux cas que lon vient de dcrire, le photo-courant et le courant de saturation in-
verse, on voit que la temprature de la cellule intervient dans lexpression de tous ces deux
paramtres (quations (B-2) et (B-6)). Dans la Figure B-1, on fixe le courant de saturation
inverse de diode et on trace la caractristique courant/tension avec diffrentes valeurs de
lensoleillement. Dans la Figure B-2, on fixe lensoleillement et on trace la caractristique
courant/tension avec une certaine valeur du courant de saturation inverse de diode. Mais si on
fait varier la temprature pour une gamme donne, on changera les valeurs du photo-courant
et du courant de saturation inverse. Si la temprature augmente le photo-courant et le courant
de saturation inverse augmentent. Laugmentation du photo-courant augmentera le courant de
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
B.3-Facteur didalit de diode
-153-
court circuit de la cellule. Au contraire, laugmentation du courant de saturation inverse dimi-
nuera la tension de circuit ouvert de la cellule. La Figure B-3 montre un ensemble de caract-
ristiques courant/tension correspondant une plage de variation de la temprature de la cel-
lule.
-15 -10 -5 0
0
2
4
6
8
C
o
u
r
a
n
t

d
'
u
n
e

c
e
l
l
u
l
e

P
V

[
A
]

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
0
1
2
3
4
5
6
C
o
u
r
a
n
t

d
'
u
n
e

c
e
l
l
u
l
e

P
V

[
A
]
260K
280K
300K
320K

Figure B-3 : Influence de la variation de temprature
B.3 Facteur didalit de diode
La Figure B-4 montre une variation de la caractristique I-V dune cellule photovoltaque
pour quelques valeurs du facteur didalit de diode. On peut bien noter que ce facteur na
aucune influence sur le courant de court-circuit. Par contre, la tension de circuit ouvert varie
proportionnellement en fonction de ce facteur. Ce fait peut tre trs bien expliqu par
lquation (B-5).
-15 -10 -5 0
0
2
4
6
8
C
o
u
r
a
n
t

d
'
u
n
e

c
e
l
l
u
l
e

P
V

[
A
]

0 0.2 0.4 0.6 0.8
0
1
2
3
4
5
6
C
o
u
r
a
n
t

d
'
u
n
e

c
e
l
l
u
l
e

P
V

[
A
]
1.45
1.3
1.15
1.00

Figure B-4 : Influence de la variation du facteur didalit de diode
B.4 Rsistance srie
La rsistance srie
S
R reprsente :
- la rsistance de contact entre le mtal et le semi-conducteur
- la rsistance du mtal qui connecte les cellules
- la rsistance du matriau semi-conducteur
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
Annexe B
-154-
-15 -10 -5 0
0
2
4
6
8
C
o
u
r
a
n
t

d
'
u
n
e

c
e
l
l
u
l
e

P
V

[
A
]

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
0
1
2
3
4
5
6
C
o
u
r
a
n
t

d
'
u
n
e

c
e
l
l
u
l
e

P
V

[
A
]
0.01
0.2
0.05
0.03
0.09
0.07

Figure B-5 : Influence de la variation de la rsistance srie
La rsistance srie peut modifier la forme de la courbe (Figure B-5). Plus la rsistance s-
rie augmente, plus le facteur de forme diminue. Ceci entrane un rendement plus faible de la
cellule. Par contre, on peut bien remarquer que cette rsistance na pas dinfluence sur la ten-
sion de circuit ouvert.
B.5 Rsistance parallle
La rsistance parallle reprsente tout chemin du courant de fuite : courant de fuite entre
des cellules, courant de fuite entre la cellule et le bord du module etc.
-10 -5 0
0
2
4
6
8
C
o
u
r
a
n
t

d
'
u
n
e

c
e
l
l
u
l
e

P
V

[
A
]
0.2
1.0
10 20
30
50
40

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
0
1
2
3
4
5
C
o
u
r
a
n
t

d
'
u
n
e

c
e
l
l
u
l
e

P
V

[
A
]
40
50

0.2
0.1

Figure B-6 : Influence de la variation de la rsistance parallle
Pour de grandes valeurs de
Sh
R , on ne voit pas de modification notable dans la zone de
tension positive. Au contraire, il y a des modifications trs remarquables dans la zone de la
tension ngative (fonctionnement en inverse de la cellule). Dans le cas de rduction impor-
tante de la rsistance parallle, on remarque quil y a une chute en tension de circuit ouvert et
en courant de court-circuit.

t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
-155-
Annexe C
Validation exprimentale du modle dfaillant
dun champ PV
Nous avons mentionn dans le chapitre 2 que loutil lsqnonlin de Matlab a t utilis
pour identifier les paramtres dune cellule photovoltaque partir de la caractristique I-V.
Lobjectif de cette annexe est de dcrire brivement la mthode lsqnonlin . Nous montrons
galement dans la deuxime partie de cette annexe les rsultats de mesures de la caractris-
tique I-V dun champ PV rel soumis aux diffrents dfauts que nous avons physiquement
introduits.
C.1 Identification des paramtres dune cellule photovoltaque
C.1.1 Rappels
Rappelonsnous que le modle de Bishop a t retenu pour reprsenter une cellule photo-
voltaque. Ce modle est dcrit par lquation suivante :

(
(
|
|
.
|
\
| +
+
+
|
|
.
|
\
| +
=
n
b
s
sh
s
t
s
o ph
V
I R V
k
R
I R V
V
I R V
exp I I I 1 1 1

(C-1)
Comme il a t dj mentionn dans le chapitre 2, on cherche identifier cinq paramtres
parmi les huit paramtres de lquation (C-1). Ces cinq paramtres sont
ph
I ,
0
I ,
s
R ,
sh
R et
a . La tension de claquage
b
V et les deux paramtres de Bishop ( k et n ) sont fixs par leur
valeur typique. La procdure pour faire lidentification de ces cinq paramtres est montre
dans la Figure C-1.
Cette procdure cache des tapes intermdiaires et que nous voulons les montrer dans cette
partie. Dans la Figure C-1, le nombre de paramtres identifier est de cinq. Ce nombre peut
tre rduit en dduisant certains paramtres identifier partir des quations analytiques. La
procdure complte est montre dans la Figure C-2.

t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
Annexe C
-156-
I-V (Module)
la temprature
I
ph
*
, I
0
*
, R
S
*
, R
sh
*
, a
*
= lsqnonlin(V, I, I
ph
, I
0
, R
S
, R
sh
, a)

Figure C-1 : Procdure pour faire lidentification des paramtres dune cellule PV
I-V (Module)
la temprature
R
S
*
, R
sh
*
, a
*
= lsqnonlin(V, I, I
ph
, I
0
, R
S
, R
sh
, a)
- calculer I
ph
- caculer a approx.
- calculer I
0
partir de a

Figure C-2 : Procdure complte pour faire lidentification des paramtres dune cellule PV
Le photo-courant
ph
I , le facteur didalit de la diode a (valeur approximative) et le
courant de saturation de la diode
0
I peuvent tre calculs par les quations suivantes.

( ) | |
STC , C C STC , ph
STC
ph
T T I
G
G
I + = o
(C-2)

3
+
=
STC , ph
STC , C Isc
S g STC , OC STC , C Voc
I
T
N E V T
a
o
|

(C-3)

(
(
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
=
C REF , C
g
REF , C
C
REF ,
T T ak
qE
exp
T
T
I I
1 1
3
0 0

(C-4)
Avec
Voc
| et
Isc
o sont respectivement le coefficient de temprature pour la tension et pour
le courant. La dfinition des autres paramtres de cette quation peut tre trouve dans
lannexe B. Il ne reste donc que trois paramtres identifier partir de la caractristique I-V
mesure : la rsistance srie
s
R , la rsistance parallle
sh
R et le facteur didalit de
diode a .
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
C.2-Rsultats des tests exprimentaux
-157-
C.1.2 Principe de lsqnonlin
La fonction intgre lsqnonlin de Matlab est utilise pour rsoudre les problmes de
moindres carrs non linaires. Cette fonction correspond un problme doptimisation dont la
formulation est donne par lquation suivante.

( ) ( ) ( ) ( ) ( )
2 2
2
2
1
2
2
x f ... x f x f min x f min
n
x x
+ + + =
(C-5)
O x est le vecteur variable et ) x ( f est le systme dquations non linaires de variable
x . Il consiste trouver la valeur du vecteur x pour minimiser la somme de carrs des fonc-
tions. Dans notre cas, le vecteur x est le vecteur des paramtres identifier (
s
R ,
sh
R et a ).
Et le vecteur de la fonction ) x ( f est alors lquation (C-1) qui peut tre mise sous la forme
suivante.
( )
(
(
|
|
.
|
\
| +
+
+
+
(
|
|
.
|
\
| +
+ =
n
b
s
sh
s
t
s
o ph
V
I R V
k
R
I R V
V
I R V
exp I I I x f 1 1 1 (C-6)
En remplaant le courant I et la tension V de lquation (C-6) par les points de la caract-
ristique I-V mesure, on obtient le systme dquations dont le nombre dquations est gal
au nombre de points de la caractristique I-V. La syntaxe pour utiliser la fonction lsqnon-
lin est la suivante :
| | ( )
0
x ), x ( f lsqnonlin a , R , R
sh s
= (C-7)
Avec
0
x est la valeur estime des paramtres (
s
R ,
sh
R et a ).
C.2 Rsultats des tests exprimentaux
Dans cette partie, nous prsentons les rsultats des tests sur un champ PV rel. La plate-
forme dessais est montre dans le chapitre 2 (cf. paragraphe II.6.1). Nous montrons tout
dabord les rsultats de tests pour un seul module et ensuite les rsultats de tests pour un
string photovoltaque. Suite des contraintes techniques et aux normes de scurit de
linstallation PV ( laquelle nous avons pu accder), les tests pour un champ PV nont pas t
raliss.
C.2.1 Rsultats de tests sur un module unique
Dans cette srie de tests, on sintresse aux :
- Dfauts dombrage
- Dfauts de diode de bypass (dconnecte, inverse, court-circuite, remplace par
une rsistance)
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
Annexe C
-158-
On peut envisager 4 scnarios diffrents dans cette srie de tests :
- Scnario 1: diffrents niveaux dombrage et la diode de bypass fonctionne norma-
lement
- Scnario 2: diffrents problmes sur la diode de bypass et tout le module clair
- Scnario 3: diffrents problmes sur la diode de bypass et 50% dune cellule om-
bre
- Scnario 4: diffrents problmes sur la diode de bypass et 100% dune cellule om-
bre
C.2.1.1 Scnario 1 (dfauts dombrage)
Dans ce scnario, on effectue diffrents types dombrage sur un des modules du string.
Tout dabord, on couvre une cellule dune manire partielle et puis complte. Ensuite, on ef-
fectue un ombrage sur le/les rangs de cellules horizontaux et verticaux. Enfin, deux niveaux
dombrage diffrents sont effectus sur deux cellules diffrentes dun mme module.
+

1 cellule 25%, 50%, 75% et 100% ombre
+

1 rang et 4 rangs horizontaux ombrs
+

1 rang et 4 rangs verticaux ombrs
+

1
re
cellule 50% et 2
me
75% ombre
Figure C-3 : Schma de manipulation lors dun dfaut dombrage sur un module
La Figure C-4 montre le rsultat exprimental sur le comportement dun module pour dif-
frents types dombrage. Les remarques suivantes ont t faites sur les comportements pr-
sents dans la figure.
- Courbes 1, 2, 3, 4, 5 : la pente de la courbe juste aprs lactivation de la diode de
by-pass ne change pas (effet de la rsistance shunt).
- Courbes 4 et 5 : on perd la mme tension mais avec une pente diffrente de la
courbe (quand plusieurs cellules sont ombres, juste un trs petit courant est suffi-
sant pour mettre en conduction la diode).
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
-159-
0 10 20 30 40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

(1) 25%
(2) 50%
(3) 75%
(4) 100%
(5) 1 rang horizontal
(6) 1 rang vertical
(7) 4 rangs horizontaux
(8) 4 rangs verticaux
(9) 1er 50% et 2me 75%
1
7
8
4
5 6
9
2
3

Figure C-4 : Comportements dun module lors dun dfaut dombrage
- Courbe 9 : deux bosses sont prsentes (deux cellules reoivent deux ensoleille-
ments diffrents)
- Courbes 6, 8 : on perd presque tout le courant avec une pente lgrement diffrente
(toutes les diodes de bypass sont actives)
- Courbe 7 : on perd environ 20 V (deux diodes de bypass sont passantes)
C.2.1.2 Scnario 2 (dfauts de diode de bypass + sans ombrage)
+

Module tout clair & une diode
de bypass dconnecte
+

de bypass remplace par une rsis-
tance de 0, 10, 30, 50 ohms
+

de bypass est inverse
Figure C-5 : Schma de manipulation lors dun dfaut de diode de bypass (1)
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
Annexe C
-160-
Dans ce scnario, les diffrents modes de dfaut sur la diode de bypass sont examins.
Tout dabord, on dconnecte une des diodes de bypass du module. Ensuite, on remplace une
diode de bypass par une rsistance de diffrentes valeurs. Et, enfin, on inverse une diode de
bypass. Dans ce scnario, on suppose que les cellules du module sont toutes claires.
frents types de dfauts de diode de bypass quand les cellules sont toutes claires. On peut
remarquer les points importants suivants.
- Courbe 1: la dconnexion de la diode de bypass na aucune influence sur le com-
portement du module car le module est entirement clair.
- Courbe 2: on perd 10V (car une diode de bypass est court-circuite).
- La normalisation de la courbe (3, 4 et 5) est ncessaire pour comparer leffet de la
rsistance qui remplace la diode
- Dans le cas de la diode de bypass inverse (courbe 6), la courbe exprimentale
nest pas cohrente avec celle issue de la simulation. On devrait perdre la tension
produite par les cellules qui appartiennent cette diode inverse. Une erreur durant
le test a t mise jour. Un nouveau test avec le mme scnario est exig.
0 10 20 30 40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

(1) dconnecte (607 lux)
(2) 0 ohm (262 lux)
(3) 10 ohm (418 lux)
(4) 30 ohm (563 lux)
(5) 50 ohm (659 lux)
(6) inverse (649 lux)
1
3
2
4
6
5

Figure C-6 : Comportements dun module lors dun dfaut de diode de bypass (1)
C.2.1.3 Scnario 3 (dfauts de diode de bypass + 1 cellule 50% ombre)
Dans ce scnario, on effectue le mme scnario de dfauts sur la diode de bypass. Par
contre, une cellule du module est 50% ombre.
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
-161-
+

1 cellule 50% ombre & une diode
de bypass dconnecte
+

de bypass remplace par une rsistance
de 0, 10, 30, 50 ohms
+

de bypass est inverse
Figure C-7 : Schma de manipulation lors dun dfaut de diode de by-pass (2)
0 10 20 30 40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

(2) 0 ohm (305 lux)
(3) 10 ohm (639 lux)
(4) 30 ohm (607 lux)
(5) 50 ohm (647 lux)
(6) inverse (621 lux)
3
4
5
6
2
1

Figure C-8 : Comportements dun module lors dun dfaut de diode de bypass (2)
frents types de dfauts de diode de bypass quand une cellule est 50% ombre. Les re-
marques suivantes ont t faites sur les courbes de la figure.
- Courbe 1: labsence de la diode de bypass conduit au fonctionnement inverse de la
cellule ombre. La tension ngative produite par cette cellule se superpose avec la
tension positive des autres cellules. Ceci conduit alors une perte importante de
tension.
- Courbe 2: comme dans le cas prcdent, on perd toujours 10V (car une diode de
bypass est court-circuite)
- Courbe 1, 3, 4, 5: il semble que la pente change en fonction de la rsistance qui
remplace la diode (leffet est identique celui de la rsistance shunt). La normalisa-
tion de la courbe est ncessaire pour comparer leffet de la rsistance qui remplace
la diode
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
Annexe C
-162-
- Dans le cas de la diode de bypass inverse (courbe 6), la mme erreur (erreur dans
le scnario 3) durant le test a t constate.
C.2.1.4 Scnario 4 (dfauts de diode de bypass + 1 cellule 100% ombre)
On effectue toujours le mme scnario de dfauts sur la diode de bypass dans ce scnario.
Cette fois-ci, une cellule du module est ombre 100% .
+

1 cellule 100% ombre & une
diode de bypass dconnecte
+

de bypass remplace par une rsistance
de 0, 10, 30, 50 ohms
+

1 cellule 100% ombre & une
diode de bypass est inverse
Figure C-9 : Schma de manipulation lors dun dfaut de diode de by-pass (3)
0 10 20 30 40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

(2) 0 ohm (559 lux)
(3) 10 ohm (279 lux)
(4) 30 ohm (269 lux)
(5) 50 ohm (265 lux)
(6) inverse (250 lux) 2
1
4
5
6
3

Figure C-10 : Comportements dun module lors dun dfaut de diode de by-pass (3)
frents types de dfauts de diode de bypass quand une cellule est 100% ombre. Les allures
de la courbe sont identiques celles du scnario 3 sauf que lanomalie commence depuis le
zro du courant.
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
-163-
C.2.2 Rsultats de tests sur un string
La deuxime srie se consacre aux tests effectus sur un string de 9 modules en srie (Poly
cristallin). Les tests sur les dfauts suivants ont t raliss dans cette srie de tests :
- Caractrisation des modules (mode sain)
- Dfauts dombrage
- Dfauts de diode (diode de bypass)
- Dfauts de connexion
- Dfauts de mise la terre
On peut envisager 10 scnarios diffrents dans cette srie de tests :
- Scnario 1: caractrisation des neuf modules du string
- Scnario 2: caractrisation du string
- Scnario 3: diffrents niveaux dombrage et diode de bypass fonctionne normale-
ment
- Scnario 4: diffrents problmes sur la diode de bypass et le module est clair to-
talement
- Scnario 5: diffrents problmes sur la diode de bypass et 1 cellule dun module
100% ombre
- Scnario 6: diffrents problmes sur la diode de bypass et 1 rang horizontal dun
module ombr
- Scnario 7: une rsistance de diffrentes valeurs est connecte en parallle avec un
des modules du string
- Scnario 8: une rsistance de diffrentes valeurs est place entre deux modules du
string
- Scnario 9: un des modules du string est invers
- Scnario 10: une connexion entre modules est connecte la terre via une rsis-
tance de diffrentes valeurs
C.2.2.1 Scnario 1 (caractrisation des modules PV)
Dans ce scnario, toutes les cellules du module sont claires. On mesure la caractristique
I-V de tous les modules du string. Ces caractristiques sont montres dans la figure suivante.

t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
Annexe C
-164-
0 10 20 30 40
0
1
2
3
4
5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

A1 (772 lux)
A2 (815 lux)
A3 (855 lux)
B1 (898 lux)
B2 (656 lux)
B3 (412 lux)
C1 (405 lux)
C2 (435 lux)
C3 (448 lux)

Figure C-11 : Caractristiques I-V des modules du string
C.2.2.2 Scnario 2 (caractrisation du string)
Dans ce scnario, on mesure la caractristique I-V du string pour deux niveaux
densoleillement diffrents. Ces caractristiques sont montres dans la figure suivante.
0 100 200 300 400
0
1
2
3
4
5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

chassis 2 (379 lux)
chassis 2 (762 lux)
chassis 1 (355 lux)
chassis 1 (718 lux)

Figure C-12 : Caractristiques I-V des deux strings pour deux conditions densoleillement
C.2.2.3 Scnario 3 (ombrage)
Dans ce scnario, on effectue diffrents types dombrage sur un des modules du string. La
forme de la courbe ressemble beaucoup celle obtenue pour lombrage dun module sauf que
le symptme est moins visible. Ce fait conduit au besoin dune tude quantitative de
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
-165-
linfluence de ces dfauts pour diffrentes dimensions du string.
0 100 200 300 400
0
1
2
3
4
5
6
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

100%
1 rang horizontal
1 rang vertical
4 rang horizontaux
4 rang verticaux
2 diffrentes cellules

Figure C-13 : Comportement dun string lors dun dfaut dombrage
C.2.2.4 Scnario 4 (dfauts de diode de bypass + sans ombrage)
Dans ce scnario, diffrents problmes sur une diode de bypass dun module du string sont
manipuls. On suppose encore que tous les modules sont clairs. Les comportements du
string lors de ces diffrents dfauts sont montrs dans la Figure C-14. Quelques remarques sur
les comportements du string ont t faites.
- Courbe 1 et courbe 6 (diode court-circuite et diode inverse) : on perd 10 V dans
ces deux cas. Quand la diode est inverse, au lieu de conduire quand il y a un d-
faut, elle conduit quand il ny a pas de dfaut.
- Courbes 2, 3, 4 : la pente de la courbe varie en fonction de la rsistance qui rem-
place la diode (mme si ce nest pas trs visible).
- Courbe 5 : labsence de la diode de bypass na aucune influence sur la courbe car
tous les modules sont clairs (pas dombrage donc pas de recours ncessaire la
diode de bypass).
0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

normal
dfaut

(1) diode court-circuite
0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

normal
dfaut

(2) diode remplace par R=10 ohms
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
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n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
Annexe C
-166-
0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

normal
dfaut

0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

normal
dfaut

0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

normal
dfaut

(5) diode dconnecte
0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

normal
dfaut

(6) diode inverse
Figure C-14 : Comportement dun string lors dun dfaut de diode de by-pass (1)
C.2.2.5 Scnario 5 (dfauts de diode de bypass + 1 cellule ombre)
Les mmes types de dfauts sur la diode de bypass dans le scnario 4 sont appliqus dans
ce scnario. Par contre, une cellule dun module du string est 100% ombre. Quelques re-
marques sur les comportements du string ont t faites :
- Courbe 1 : on perd 10V car une diode de by-pass est court-circuite.
- Courbes 2, 3, 4 : la pente de la courbe varie lgrement en fonction de la rsistance
qui remplace la diode. On perd aussi la tension de circuit ouvert mais pas compl-
tement 10V car il y a une rsistance qui remplace la diode.
- Courbes 5 et 6 : ces deux courbes sont identiques sauf quil y a, dans le cas de la
diode inverse (courbe 6), un cart de Voc entre la courbe en fonctionnement nor-
mal et la courbe quand il y a un dfaut.
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
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n

1

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1

D
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c

2
0
1
1
-167-
0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

dfaut
normal

0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

normal
dfaut

(2) diode connecte avec R=10 ohms
0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

dfaut
normal

0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

normal
dfaut

0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

normal
dfaut

(5) diode dconnecte
0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

dfaut
normal

(6) diode inverse
Figure C-15 : Comportement dun string lors dun dfaut de diode de bypass (2)
C.2.2.6 Scnario 6 (dfauts de diode de bypass + 1 rang de cellules horizontal ombr)
Le test est identique celui des scnarios 4 et 5 sauf quun rang de cellules horizontal est
ombr. Les remarques suivantes ont t faites sur les comportements du string.
- Lallure des courbes est identique celle dans le cas prcdent (scnario 5) sauf
que le symptme est clairement visible.
- Courbes 5 et 6 (diode de bypass inverse et dconnecte) : la forme de la courbe est
la mme car la diode inverse ne conduit pas quand il y a de lombre. Par contre,
elle conduit quand il ny a pas dombre (on peut voir sur la courbe 6 quelle conduit
zro de courant).
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
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s
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n

1

-

1

D
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c

2
0
1
1
Annexe C
-168-
0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

dfaut
normal

0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

normal
dfaut

0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

dfaut
normal

0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

normal
dfaut

0 100 200 300 400
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

dfaut
normal

(5) diode dconnecte
0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

inverse 1 rang
normal

(6) diode inverse
Figure C-16 : Comportement dun string lors dun dfaut de diode de by-pass (3)
C.2.2.7 Scnario 7 (dfauts de module)
Dans ce scnario, on connecte un des modules du string en parallle avec une rsistance de
diffrentes valeurs. Les remarques suivantes ont t faites sur les courbes de la figure sui-
vante.
- Courbe 1 : on perd 40V car un module est court-circuit.
- Courbes 2, 3, 4 : la pente de la courbe change en fonction de la rsistance qui est
connecte en parallle avec le module.
- Plus la valeur de la rsistance est petite, plus on perd de courant (effet similaire
celui de la rsistance shunt).
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
-169-

0 100 200 300 400
0
1
2
3
4
5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

dfaut
normal

(1) module court-circuit
0 100 200 300 400
0
1
2
3
4
5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

normal
dfaut

(2) module connect avec R=10 ohms
0 100 200 300 400
0
1
2
3
4
5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

dfaut
normal

0 100 200 300 400
0
1
2
3
4
5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

normal
dfaut

Figure C-17 : Comportement dun string lors dun dfaut de connexion dun module
C.2.2.8 Scnario 8 (dfauts de connectique)
Dans ce scnario, on remplace une connectique entre deux modules par une rsistance de
diffrentes valeurs. Les remarques suivantes ont t observes :
- Courbe 1 : fonctionnement normal car une rsistance de 0 ohm nest autre quune
connexion normale
- Courbes 2, 3, 4 : la pente de la courbe change en fonction de la rsistance.
- Plus la valeur de la rsistance est importante, plus on perd de courant (effet simi-
laire celui de la rsistance srie).
0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

normal
dfaut

(1) rsistance de la connectique = 0 ohm
0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

normal
10 ohm srie

(2) rsistance de la connectique = 10 ohms
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
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s
i
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n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
Annexe C
-170-
0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

dfaut
normal

0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

normal
dfaut

Figure C-18 : Comportement dun string lors dun dfaut de connectique entre 2 modules
C.2.2.9 Scnario 9 (module invers)
Dans ce scnario, on inverse un des modules du string. Tous les autres lments du string
sont en condition normale. Dans ce scnario de dfaut, on perd environ 80V car le module
invers est soumis une tension suprieure sa tension Voc. Il est donc travers par un cou-
rant ngatif et produit une tension bien suprieure Voc. Cette tension va se superposer la
tension des autres modules.
0 100 200 300 400
0
1
2
3
4
5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

normal
inverse

Figure C-19 : Comportement dun string quand un des modules est invers
C.2.2.10 Scnario 10 (dfauts la terre)
Dans ce scnario, on connecte une liaison (dont la tension est la plus faible) la terre.
Leffet est comme si lon connecte une rsistance de diffrentes valeurs en parallle avec un
module. On constate ici quil y a une liaison entre la terre et la borne ngative du gnrateur
PV.
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
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n

1

-

1

D
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c

2
0
1
1
-171-
0 50 100 150 200 250 300 350
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

normal
dfaut

(1) R = 0.2 ohm
0 50 100 150 200 250 300 350
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

dfaut
normal

(2) R = 30 ohms
0 100 200 300 400
0
1
2
3
4
5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

normal
dfaut

(3) R = 70 ohms
0 100 200 300 400
0
1
2
3
4
5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

dfaut
normal

(4) R = 100 ohms
Figure C-20 : Comportement dun string quand on connecte une connectique la terre
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
Annexe C
-172-

t
e
l
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0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
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r
s
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o
n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
-173-
Annexe D
Etablissement dune base de connaissances sur
le comportement dfaillant dun champ PV
Lobjectif de cette annexe est dtablir une base de connaissances sur le comportement d-
faillant dun champ PV. Ltablissement de cette base de connaissance se fonde sur une srie
de simulations pour une liste exhaustive de scnarios de dfauts. Dans chaque simulation, un
seul dfaut est considr et la caractristique I-V issue de cette simulation est examine dans
le but didentifier les symptmes potentiels qui permettent de remonter la nature du dfaut.
Comme il a t dj mentionn dans le chapitre 3, le scnario de dfauts pour la simulation
est tabli en tenant compte, pour chaque dfaut, des diffrents facteurs qui peuvent faire vo-
luer les symptmes caractristiques de ce dfaut. On peut envisager trois facteurs qui peuvent
intervenir :
- la svrit du dfaut
- la variation de la condition de fonctionnement
- le type du systme PV (module, string ou champ).
Tout dabord, limpact de la svrit des dfauts sur le comportement dun champ PV est
examin. Dans cette premire srie de simulations, diffrentes svrits de chaque dfaut sont
introduites dune manire obtenir toutes les volutions possibles du comportement du
champ. Cette svrit nest pas obligatoirement raliste. Dans la deuxime srie de simula-
tions, les dfauts avec une svrit quelconque sont simuls aux diffrentes conditions de
fonctionnement. Dans la dernire srie de simulations, le mme dfaut est considr pour les
trois configurations du systme PV considres (module/string/champ). Nous retenons, dune
manire triviale, les trois configurations suivantes : module (1 module x 1 module), string (1
string x 3 modules), champ (2 strings x 3 modules).
D.1 Evolution du comportement de dfauts en fonction de la sv-
rit de dfauts
Dans cette partie, nous prsentons les rsultats de simulation en prenant en compte les dif-
frentes svrits du dfaut.
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
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s
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o
n

1

-

1

D
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c

2
0
1
1
Annexe D
-174-
D.1.1 Dfauts de mismatch
TABLEAU D-1 : COMPORTEMENTS DU MODULE LORS DE DEFAUTS DE MISMATCH
Dfauts Caractristique I-V Remarques
Ombrage
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0
1
2
3
4
4.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

1 cellule 25% ombre
1 cellule 50% ombre
100% ombre
1 cellule 75% ombre

- Isc inchang
- Voc diminue pour un
nombre important de cellules
ombres
- Le facteur de forme diminue
en fonction du facteur
dombrage
- Prsence dun point
dinflexion
Rsistance srie
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0
1
2
3
4
4.5
C
o
u
r
a
n
t

d
u

m
o
d
u
l
e

[
A
]


- Voc et Isc inchangs
en fonction de la croissance
de la valeur de Rs
- Prsence dun point
dinflexion pour une valeur
importante de Rs
- Dviation de pente par rap-
port celle de la courbe
normale
Rsistance
parallle
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0
1
2
3
4
4.5
C
o
u
r
a
n
t

d
u

m
o
d
u
l
e

[
A
]

fonctionnement
normal
36 cellules avec Rp=0.2ohm
36 cellules
avec Rp=0.5ohm
36 cellules
avec Rp=1ohm

- Isc inchang
- Voc inchange pour une
faible svrit
en fonction de la rduction
de la valeur de Rp
- Dviation de pente par rap-
port celle de la courbe
normale
Temprature
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0
1
2
3
4
4.5
C
o
u
r
a
n
t

d
u

m
o
d
u
l
e

[
A
]


- Isc inchang
- Voc et le facteur de forme
diminuent en fonction de
laugmentation de la temp-
rature

t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
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s
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n

1

-

1

D
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2
0
1
1
D.1-Evolution du comportement de dfauts en fonction de la svrit de dfauts
-175-
D.1.2 Dfauts de diode de bypass
TABLEAU D-2 : COMPORTEMENTS DU MODULE LORS DE DEFAUTS DE DIODE DE BYPASS
Court-circuit
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0
1
2
3
4
4.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

1 diode de bypass
court-circuite

- Isc inchang
- Voc diminue en fonction
du nombre de diodes court-
circuites
- diminution de Voc est
facile quantifier (-10V
par diode)
Claquage
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0
1
2
3
4
4.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

1 diode de bypass
remplace par z=2ohm
1 diode de bypass
remplace par z=5ohm
1 diode de bypass
remplace par z=10ohm

- Isc inchang
- Voc et le facteur de forme
diminuent en fonction de la
croissance de limpdance
de la diode
- Dviation de pente par
rapport celle de la courbe
normale
Dconnexion
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0
1
2
3
4
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
fontionnement normal
mais sans ombrage
Diode de bypass
dconnecte et 1 cellule
100% ombre
et 2 cellules 100% ombre

- Voc inchangs
- Isc et le facteur de forme
diminue fortement en fonc-
tion du nombre de cellules
ombres
rapport celle de la courbe
normale
Inversion
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0
1
2
3
4
4.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

et sans ombrage
1 diode de bypass
inverse et 1 cellule
100% ombre
et 2 cellules 100% ombres

- Voc diminue en fonction
du nombre de diodes inver-
ses
- Isc et le facteur de forme
diminue fortement en fonc-
tion du nombre de cellules
ombres

t
e
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0
0
6
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7
1
8
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1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
Annexe D
-176-
D.1.3 Dfauts de module
TABLEAU D-3 : COMPORTEMENT DU MODULE LORS DE DEFAUTS DE MODULE
Module
0 50 100 150 200 250 300 350 400
0
1
2
3
4
4.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

1 module shunt
par z=20ohm
1 module shunt
par z=10ohm
1 module court-circuit
1 module invers

- Isc inchang
- Voc diminue pour le dfaut
de type court-circuit
- Voc reste quasiment in-
change pour des faibles
valeurs de la rsistance qui
shunte le module. Elle di-
minue progressivement en
fonction de la diminution
de la rsistance
- Dviation de la pente pour
les dfauts de type mo-
dule shunt
D.1.4 Dfauts de connectique
TABLEAU D-4 : COMPORTEMENT DU MODULE LORS DE DEFAUTS DE CONNECTIQUE
Connectique
0 50 100 150 200 250 300 350 400
0
1
2
3
4
4.5
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

R= 20 ohm
R= 10 ohm
R= 3 ohm

- Isc et Voc inchangs
- Le facteur de forme dimi-
nue en fonction de la sv-
rit
rapport celle de courbe
normale
D.1.5 Dfauts de diode anti-retour
TABLEAU D-5 : COMPORTEMENTS DU MODULE LORS DE DEFAUTS DE DIODE ANTI-RETOUR
Court-circuit
0 50 100 150 200 250 300 350 400
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

diode court-circuite
mais sans ombrage
1 diode court-circuite et 2
diode en bon tat et 2

- Isc inchang
- Le facteur de forme dimi-
nue en fonction de la sv-
rit
- Existence dun point
dinflexion dans le cas
dombrage dans un string
- Chute de Voc si la diode
anti-retour est court-
circuite et il existe un om-
brage dans le string
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0
0
6
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1
8
9
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1

-

1

D
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2
0
1
1
D.2-Evolution du comportement de dfauts en fonction de la condition de fonctionnement
-177-
Dconnexion
0 50 100 150 200 250 300 350 400
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

1 diode anti-retour dconnecte

- Isc baisse en fonction du
nombre de diodes dcon-
nectes.
- Voc inchange
Claquage
0 50 100 150 200 250 300 350 400
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]

z = 10 ohm
z = 5 ohm

- Quand il ny a pas
dombrage, le facteur de
forme diminue en fonction
de la croissance de
limpdance. Isc et Voc
inchangs.
- Quand il y a lombrage, le
facteur de forme et Voc
varie en fonction de
limpdance. Isc inchang.
Inversion
0 50 100 150 200 250 300 350 400
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Tension [V]
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]


- Quand il ny a pas
dombrage, Isc baisse en
fonction du nombre de
diodes inverses. Voc in-
change.
- Quand il y a lombrage, Isc
baisse en fonction du
nombre de diodes inver-
ses. Voc diminue en fonc-
tion de la diffrence entre la
tension du mauvais string et
celle du meilleur string.

D.2 Evolution du comportement de dfauts en fonction de la con-
dition de fonctionnement
Dans cette srie de simulations, une svrit est considre pour chaque dfaut et son com-
portement est simul pour diffrentes conditions de fonctionnement (ensoleillement et temp-
rature). Lvolution du comportement dfaillant du champ PV en fonction de cette condition
de fonctionnement est examine.
Trois niveaux densoleillement et trois niveaux de temprature sont considrs dans cette
srie de simulations.

t
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0
0
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7
1
8
9
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s
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1

D
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2
0
1
1
Annexe D
-178-
TABLEAU D-6 : EVOLUTIONS DU COMPORTEMENT DU MODULE LORS DE LA VARIATION DE LA CONDITION DE
FONCTIONNEMENT DEFAUTS DE MISMATCH
Dfauts Variation densoleillement Variation de temprature
Ombrage
(bleu=normal
rouge=dfaut)
0 10 20 30 40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4

Iph=4A
Iph=2.5A
Iph=1A

0 10 20 30 40 50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4

320K
300K
280K

Rsistance
srie
(bleu=normal
rouge=dfaut)
0 10 20 30 40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4

Iph=4A
Iph=2.5A
Iph=1A

0 10 20 30 40 50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4

320K
300K
280K

Rsistance
parallle
(bleu=normal
rouge=dfaut)
0 10 20 30 40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4

Iph=4A
Iph=2.5A
Iph=1A

0 10 20 30 40 50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4

320K
300K
280K

Temprature
(bleu=normal
rouge=dfaut)
0 10 20 30 40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4

Iph=4A
Iph=2.5A
Iph=1A

0 10 20 30 40 50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4

320K
300K
280K

Pour le dfaut de type ombrage , on remarque une manifestation certaine du comporte-
ment dfaillant du module lors de la variation densoleillement et de la temprature c'est--
dire que le point dinflexion est conserv. Le courant de court-circuit et la tension de circuit
ouvert restent inchangs.
Pour le dfaut de mismatch de type rsistance srie , une remarque importante est faite :
la prsence dun point dinflexion lorsque lensoleillement est lev. Ceci provient du fait
qu ensoleillement faible, la chute de tension dans le groupe de cellule caus par
laugmentation de la rsistance srie nest pas suffisante pour mettre en conduction la diode
t
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0
0
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1
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1

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D
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c

2
0
1
1
D.2-Evolution du comportement de dfauts en fonction de la condition de fonctionnement
-179-
de bypass qui protge les cellules de son groupe.
Pour le dfaut de mismatch de type rsistance parallle , la tension de circuit ouvert
chute lorsque lensoleillement est faible.
FONCTIONNEMENT DEFAUTS DE DIODE DE BYPASS
Court-circuit
(bleu=normal
rouge=dfaut)
0 10 20 30 40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4

Iph=4A
Iph=2.5A
Iph=1A

0 10 20 30 40 50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4

320K
300K
280K

Claque
(bleu=normal
rouge=dfaut)
0 10 20 30 40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4

Iph=4A
Iph=2.5A
Iph=1A

0 10 20 30 40 50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4

320K
300K
280K

Dconnecte
(bleu=normal
rouge=dfaut)
0 10 20 30 40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4

Iph=4A
Iph=2.5A
Iph=1A

0 10 20 30 40 50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4

320K
300K
280K

Inverse
(bleu=normal
rouge=dfaut)
0 10 20 30 40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4

Iph=4A
Iph=2.5A
Iph=1A

0 10 20 30 40 50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4

320K
300K
280K

Une seule remarque peut tre faite dans le cas de la diode de bypass claque : la tension de
circuit ouvert chute pour un ensoleillement faible. Rien dautre de particulier ne peut tre re-
marqu dans le cas de dfauts de diode de bypass. Toutes les manifestations sont certaines
lors de la variation de la condition de fonctionnement.
t
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0
0
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D
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2
0
1
1
Annexe D
-180-
FONCTIONNEMENT DEFAUTS DE DIODE DE MODULE
Module shunt
(bleu=normal
rouge=dfaut)
0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4

Iph=4A
Iph =2.5A
Iph=1A

0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4

320K
300K
280K

Module court-circuit
(bleu=normal
rouge=dfaut)
0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4

Iph=4A
Iph =2.5A
Iph=1A

0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4

320K
300K
280K

Dans le cas de dfaut module shunt , le mme phnomne que dans le cas de dfaut de
diode de bypass claque peut tre remarqu. La tension de circuit ouvert chute pour un enso-
leillement faible.
TABLEAU D-9 : EVOLUTION DU COMPORTEMENT DU MODULE LORS DE LA VARIATION DE LA CONDITION DE FONC-
TIONNEMENT DEFAUTS DE CONNECTIQUE
Module shunt
(bleu=normal
rouge=dfaut)
0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4

Iph=4A
Iph =2.5A
Iph=1A

0 100 200 300 400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4

320K
300K
280K

Rien de particulier ne peut tre remarqu dans ce cas. Toutes les manifestations sont cer-
taines lors de la variation de la condition de fonctionnement.

t
e
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0
0
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1
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1

D
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2
0
1
1
D.3-Evolution du comportement de dfauts en fonction de la configuration du champ
-181-
D.3 Evolution du comportement de dfauts en fonction de la con-
figuration du champ
Dans cette srie de simulations, une svrit est considre pour chaque dfaut et son com-
portement est simul pour diffrentes configurations du systme PV (module/string/champ).
Lvolution du comportement dfaillant du champ PV en fonction de cette configuration est
examine.
Nous rappelons que nous retenons, dune manire triviale, les trois configurations sui-
vantes : module (1 module x 1 module), string (1 string x 3 modules), champ (2 strings x 3
modules).
TABLEAU D-10 : COMPORTEMENTS DU CHAMP LORS DE DEFAUTS DE MISMATCH
Dfauts Module String Champ
Ombrage
0 10 20 30 40
0
1
2
3
4

normal
dfaut 1
dfaut 2

0 20 40 60 80 100 120 140
0
1
2
3
4

0 20 40 60 80 100 120 140
0
2
4
6
8

Rsistance
srie
0 10 20 30 40
0
1
2
3
4

normal
dfaut 1
dfaut 2

0 20 40 60 80 100 120 140
0
1
2
3
4

0 20 40 60 80 100 120 140
0
2
4
6
8

Rsistance
parallle
0 10 20 30 40
0
1
2
3
4

data1
dfaut 1
dfaut 2

0 20 40 60 80 100 120 140
0
1
2
3
4

0 20 40 60 80 100 120 140
0
2
4
6
8

Temprature
0 10 20 30 40
0
1
2
3
4

normal
dfaut 1
dfaut 2

0 20 40 60 80 100 120 140
0
1
2
3
4

0 20 40 60 80 100 120 140
0
2
4
6
8

Deux remarques peuvent tre tires de cette srie de simulations. La premire peut tre
tablie lors du passage du module au string . La rduction du courant de court-circuit
qui apparat dans la configuration module se transforme en un point dinflexion dans la
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0
0
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D
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2
0
1
1
Annexe D
-182-
configuration string (voir dfaut dombrage (dfaut 2) dans la figure). Lors de la mise en
srie, le courant qui circule dans le string est identique. Si lun des modules produit un cou-
rant qui est infrieur au courant qui le traverse, ses diodes de bypass conduisent et drivent le
courant en excs. On perd donc dans ce cas la tension du module entier. Cette perte de tension
se transforme donc en un point dinflexion dans la caractristique I-V du string.
La deuxime remarque peut alors tre formule lors du passage du string au champ .
Lors de ce passage, la rduction du courant se conserve. Tandis que la rduction de la tension
de circuit ouvert se transforme en un point dinflexion. Lors de mise en parallle, la tension
aux bornes de chaque string est identique. Dans ce cas, cest la diode anti-retour qui empche
le courant inverse venant des autres strings de circuler dans le string le plus faible. Donc, pour
une tension suprieure la tension produite par le string, on perd la totalit du courant produit
par ce string. Cette perte de courant du string se transforme donc en un point dinflexion dans
la caractristique I-V du champ.
TABLEAU D-11 : COMPORTEMENTS DU CHAMP LORS DE DEFAUTS DE DIODE DE BYPASS
Court-circuit
0 10 20 30 40
0
1
2
3
4

normal
dfaut 1
dfaut 3

0 20 40 60 80 100 120 140
0
1
2
3
4

0 20 40 60 80 100 120 140
0
2
4
6
8

Claquage (Z)
0 10 20 30 40
0
1
2
3
4

normal
dfaut 1
dfaut 2

0 20 40 60 80 100 120 140
0
1
2
3
4

0 20 40 60 80 100 120 140
0
2
4
6
8

Dconnexion
0 10 20 30 40
0
1
2
3
4

normal
dfaut 1
dfaut 2

0 20 40 60 80 100 120 140
0
1
2
3
4

0 20 40 60 80 100 120 140
0
2
4
6
8

Inversion
0 10 20 30 40
0
1
2
3
4

normal
dfaut 1
dfaut 2

0 20 40 60 80 100 120 140
0
1
2
3
4

0 20 40 60 80 100 120 140
0
2
4
6
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0
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n

1

-

1

D
e
c

2
0
1
1
D.3-Evolution du comportement de dfauts en fonction de la configuration du champ
-183-
Les mmes remarques peuvent tre faites que dans le cas de dfauts de mismatch.
TABLEAU D-12 : COMPORTEMENTS DU CHAMP LORS DE DEFAUTS DE MODULE
Court-circuit x
0 20 40 60 80 100 120 140
0
1
2
3
4

normal
dfaut 1
dfaut 2

0 20 40 60 80 100 120 140
0
2
4
6
8

Shunt par Z
0 10 20 30 40
0
1
2
3
4

normal
dfaut 1
dfaut 2

0 20 40 60 80 100 120 140
0
1
2
3
4

0 20 40 60 80 100 120 140
0
2
4
6
8

Inversion x
0 20 40 60 80 100 120 140
0
1
2
3
4

normal
dfaut 1

0 20 40 60 80 100 120 140
0
2
4
6
8

Certains dfauts de module ne peuvent tre vus quau niveau du string (marqu par le
symbole x dans la figure). La mme manifestation que celle dans le cas de dfauts de
mismatch au niveau du passage du module vers string et du string vers champ est remarque.
TABLEAU D-13 : COMPORTEMENTS DU CHAMP LORS DE DEFAUTS DE CONNECTIQUE
Rsistance de
connectique aug-
mente
x
0 20 40 60 80 100 120 140
0
1
2
3
4

normal
dfaut 1
dfaut 2

0 20 40 60 80 100 120 140
0
2
4
6
8

Cble de con-
nexion dconnec-
t
x x
0 20 40 60 80 100 120 140
0
2
4
6
8

normal
dfaut 1

Mmes remarques.
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
s
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n

1

-

1

D
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c

2
0
1
1
Annexe D
-184-

t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
,

v
e
r
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n

1

-

1

D
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c

2
0
1
1

-185-
Annexe E
Fiches techniques
Nous donnons dans cette annexe les caractristiques des diffrents dispositifs qui ont t
utiliss dans la simulation et dans le dveloppement du banc dessai.
E.1 Spcification du module PV utilis dans la simulation
TABLEAU E-1 : SPECIFICATIONS DU MODULE PV UTILISE DANS LEMULATEUR DU CHAMP PV
Puissance nominale (Wc) 150
Tension de court-circuit (V) 43.2
Courant de court-circuit (A) 5.1
Tension nominale 25C (V) 34.4
Courant nominal 25C (A) 4.8
Coeff temp courant mA/C 1.46
Coeff temp tension mV/C -158
Coeff temp Puissance %/C -0.43

E.2 Caractristiques de la source DC pilotable
TABLEAU E-2 : CARACTERISTIQUES DE LA SOURCE DC PILOTABLE
Caractristique Valeur
Puissance nominale 12000 W
Tension nominale 600 V
Courant nominal 20 A
Signal de commande 0 10V (analogique)
Temps de rponse en mont
(de 5% 95% de la tension nominale)
100 ms (charge nominale
ou vide)
Temps de rponse en descente
(de 95% 5% de la tension nominale)
50 ms (charge nominale)
4 s ( vide)

t
e
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-
0
0
6
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0
1
1
Annexe E
-186-
E.3 Caractristique de la charge programmable
TABLEAU E-3 : CARACTERISTIQUES DE LA CHARGE PROGRAMMABLE
Caractristique Valeur
Puissance nominale 4000 W
Tension nominale 0 400V
Courant nominal 0 600A
Signal de commande 0 10V (analogique)

E.4 Caractristique de londuleur FRONIUS IG20
TABLEAU E-4 : SPECIFICATIONS DE LONDULEUR FRONIUS IG20
Fronius IG20

Puissance max. DC : 1800 2700 W
Tension max. DC en circuit ouvert : 500 V
Courant max. DC : ---
Tension dentre des modules : 150 V 400V
Puissance max. AC : 2000 W
Puissance nominale AC : 1800 W
Tension de sortie AC : 230 V
Frquence de sortie AC : 50 Hz

t
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0
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4
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1

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c

2
0
1
1
-187-
Annexe F
Piste de dveloppement pour les perspectives
Comme il a t mentionn dans la partie perspective, lalgorithme de dtection et de locali-
sation propos peut tre encore amlior en visant deux axes principaux et que nous navons
pas pu aborder profondment dans notre travail. Pourtant, rien nempche den discuter dans
le but de proposer des pistes pour des futurs travaux. Ces deux axes sont :
- Affinement du diagnostic qui permet de discriminer les dfauts dans une mme fa-
mille dtectable mais non discriminables entre eux.
- Diagnostic de dfauts accumuls qui permet dtendre le primtre des dfauts d-
tectables et localisables.
F.1 Affinement du diagnostic
Avec les symptmes que nous avons retenus, les dfauts considrs dans ltude ne sont
pas totalement discriminables. Le Tableau F-1 donne la rcapitulation du tableau de signa-
tures de dfauts dans le cas dun string PV. La famille de dfauts non discriminables est enca-
dre en noir.
TABLEAU F-1 : TABLEAU DE SIGNATURES DE DEFAUTS POUR UN STRING PV
1
Cellules court-circuites x 1 1 0 0 0
Connectique dconnecte x 1 1 1 0 0
2
3
t
e
l
-
0
0
6
4
7
1
8
9
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v
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n

1

-

1

D
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c

2
0
1
1
Annexe F
-188-
Laffinement du diagnostic pourrait tre ralis en examinant lamplitude des symptmes
gnrs et en exploitant des informations supplmentaires dans ces symptmes. A titre
dexemple, les dfauts de type diode de bypass court-circuite ; module court-circuit ; om-
brage complet etc. (voir Tableau F-1, famille 1), dont la signature sappuie uniquement sur le
symptme s2 (rduction de la tension de circuit ouvert), peuvent tre discrimins en va-
luant lamplitude du symptme gnr. Par exemple, pour la dtection dune amplitude du
symptme de 10V, on peut constater quil est plus raliste quune diode de bypass soit court-
circuite quun module soit surchauff. Une chute de 80V correspond plutt au cas dun om-
brage complet sur deux modules quau cas o deux modules sont court-circuits et il est en-
core moins possible que 8 diode de bypass soient en court-circuit.
Citons un autre exemple : le cas de la famille de dfauts causs par une rduction de la r-
sistance des lments parallles (voir Tableau F-1, famille 3). On se rfre la Figure F-1
pour lexplication. Quatre dfauts sont considrs dans cet exemple. La nature de ces dfauts
est affiche dans la mme figure.
0 10 20 30 40
0
1
2
3
4
5
6
Tension d'un module PV [V]
C
o
u
r
a
n
t

d
'
u
n

m
o
d
u
l
e

P
V

[
A
]

sain
D1: 1 diode de bypass=10ohms
D2: 18 cellules=0.5ohms
D3: 4 diode de bypass=10ohms
D4: 1 module // R=30ohms
Dbut de la chute
de tension cas 1
Dbut de la chute
de tension cas 2

Figure F-1 : Quelques exemples de dfauts de type rsistance parallle
En examinant le profil de la chute de tension ( dbut de la chute de tension dans la fi-
gure), deux familles de dfauts peuvent tre dj discrimines entre la famille (D1 & D2) et la
famille (D3 & D4). De plus, dans la mme famille (D1 &D2), le dfaut sur la diode de bypass
(D1) est plus raliste. De mme, pour D3 et D4, le dfaut de module est plus raliste.
Une difficult envisageable lors de la mise en uvre de cette ide est lvolution de la s-
vrit des dfauts en fonction de la condition de fonctionnement. Lvaluation de la svrit
des dfauts doit prendre en compte de cet effet. Malgr cela, cet effet est moins consquent
pour les dfauts dont la manifestation des symptmes est certaine (cf. paragraphe III.2.3.1du
t
e
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0
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1
8
9
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0
1
1
F.2-Cas des dfauts accumuls
-189-
chapitre 3). Par exemple, la rduction de la tension de circuit ouvert cause par les dfauts de
la famille 1 du Tableau F-1 ne varie pas beaucoup en fonction de lensoleillement et de la
temprature.
F.2 Cas des dfauts accumuls
Nous avons considr tout au long de cette tude le dfaut simple pour lanalyse de la per-
formance du diagnostic. Comme le systme photovoltaque nest pas un systme critique, la
continuit de service peut tre maintenue mme si un dfaut apparat. Ce fait conduit une
situation o les dfauts peuvent tre accumuls. Le cas le plus probable que lon peut envisa-
ger est lombrage caus par le passage dun nuage qui sajoute un dfaut qui est dj apparu
dans le champ PV.
Deux solutions peuvent tre envisages pour traiter le problme des dfauts accumuls. La
premire solution repose sur la mme dmarche que nous avons applique pour les dfauts
simples, qui consiste identifier les symptmes partir de la caractristique du champ PV en
dfauts. La premire tape de cette dmarche consiste tablir une liste de dfauts pour en
faire la simulation. Lors de ltablissement de cette liste, les dfauts et les combinaisons entre
eux doivent tre ralistes afin dviter une explosion combinatoire des dfauts. Ainsi il
semble fort peu probable que tous les dfauts puissent se produire lun aprs lautre. Par
contre, un dfaut sur la rsistance srie peut tre suivi dun dfaut dombrage (permanent ou
non).
La deuxime solution consiste comparer la caractristique I-V actuelle du champ PV sur-
veill avec celle du champ linstant juste avant lapparition dun nouveau dfaut. En faisant
de telles comparaisons, on aura une volution nette de la caractristique I-V cause par ce
nouveau dfaut. La ralisation de cette dmarche rencontrera deux difficults essentielles. La
premire difficult rside dans le problme de masquage de leffet dun dfaut sur lautre.
Leffet de lancien et du nouveau dfaut peuvent tre cumuls. Dans le cas contraire, leffet
du nouveau dfaut peut masquer celui de lancien ou vice versa. La Figure F-2 montre un
exemple deffet daccumulation et de masquage de dfauts.
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Tension Module [V]
C
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u
r
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n
t

M
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d
u
l
e

[
A
]

sain
dfaut 1
cas 1 : dfaut 1 + dfaut 2
cas 2 : dfaut 1 + dfaut 3

Figure F-2 : Exemple deffet daccumulation et de masquage de dfauts
t
e
l
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0
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1
Annexe F
-190-
Le premier cas (courbe en rouge) correspond leffet daccumulation de dfauts dans le-
quel le dfaut dombrage (dfaut 2) vient sajouter au dfaut de connectique (dfaut 1). Le
deuxime cas correspond leffet du masquage de dfauts pour lequel le dfaut de connec-
tique (dfaut 1) est masqu par le dfaut de diode de bypass court-circuite (dfaut 3).
La deuxime difficult rside dans la ncessit dun enregistrement de la caractristique I-
V du champ chaque fois quun dfaut apparat. La caractristique enregistre doit tre en-
suite translate la mme condition de fonctionnement que celle du nouveau dfaut.
t
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Titre
Dtection et localisation de dfauts dans un systme photovoltaque

Rsum
Comme tout processus industriel, un systme photovoltaque peut tre soumis, au cours de son
fonctionnement, diffrents dfauts et anomalies conduisant une baisse de la performance du
systme et voire son indisponibilit. Permettre de diagnostiquer finement et de faire de la
dtection et de localisation de dfauts dans une installation PV rduit les cots de maintenance et
surtout augmente la productivit. Dans ce travail de thse, nous nous intressons spcifiquement
la dtection et la localisation de dfauts ct DC du systme PV, cest--dire du ct gnrateur
PV.
Lobjectif de cette thse est de proposer, en prenant le moins de mesures possibles pour respecter
les contraintes conomiques, un algorithme pour dtecter et localiser des dfauts conduisant
une baisse de production. Pour cela, le choix sest port sur lanalyse de la caractristique I-V du
gnrateur PV pour les diffrents modes de fonctionnement considrs. Cette analyse a conduit
utiliser la mthode dinfrence pour effectuer le diagnostic de linstallation. Cette dmarche a t
valide par des exprimentations sur site, des simulations temps-rel et hors temps-rel.

Mots-clefs
Gnrateur photovoltaque, modlisation, diagnostic, simulation temps rel

Title
Fault detection and isolation in a photovoltaic system

Abstract
As every industrial process, a photovoltaic system may subject, during his operation, to various
faults and abnormalities leading to a drop of its efficiency up to its unavailability. A precise
diagnosis and a fault detection and isolation make it possible to reduce the maintenance costs and
above all increase the yield. In this work, a focus has been made on the fault detection and
isolation in the DC part of the PV system, it means of the PV array.
The goal of this work is to propose, by conducting the less possible measurements to meet the
economic constraints, an algorithm to detect and isolate the faults causing a drop in the array
yield. To achieve this goal, the analysis of the I-V characteristic has been chosen. This analysis
leads to the use of the inference method to conduct the diagnosis of the PV plant. This procedure
has been validated by on site experiments, real-time simulations and non real-time simulations.

Keywords
Photovoltaic generator, modeling, diagnosis, real-time simulation
t
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Détection Et Localisation de Défauts Pour Un Système PV

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