Définition de la technologie

Les cellules solaires à couches minces sont une deuxième génération de cellules solaires. Ces cellules
sont construites en déposant une ou plusieurs couches minces, ou film mince (TF) de matériau
photovoltaïque sur un substrat, tel que du verre, du plastique ou du métal.

Ces technologies permettent de réaliser des économies de matières. De plus pour certaines d'entre
elles, le processus de fabrication est simple ce qui permet de faire baisser les prix et d'accéder à de
nouveaux marchés.

Les technologies à couches minces sont toujours en plein développement pour leur permettre
d'atteindre leur plein potentiel. Parmi celles-ci on distingue 4 grandes familles : CIGS, CdTe, GaAs et
aSi.
Depuis plusieurs années, le domaine du photovoltaïque suscite l'intérêt des chercheurs
universitaires et des industriels. Malgré son caractère intermittent, il s'agit d'une technologie
très prometteuse en raison de son accessibilité géographique et de ses réserves inépuisable

Principe /mecanisme de fonctionnement

La technologie solaire photovoltaïque convertit la lumière en électricité au niveau atomique.
L'effet photoélectrique conduit certains matériaux semiconducteurs à absorber les particules
de lumière du soleil, ou photons, et à libérer des électrons.*
Une cellule photovoltaïque produit de l'électricité à partir de lumière visible ; une cellule
solaire absorbe toute la gamme des fréquences lumineuses de la lumière du soleil, pas
uniquement la lumière visible, et convertit le rayonnement solaire en énergie utile

DIFFERENTE COMPOSANTE
Voici la composition d'un panneau solaire avec des cellules CIGS :

Un verre de protection
Une couche conductrice
Une couche de sulfate de cadmium
La couche de cellules solaires CIGS
Un collecteur de charge
Chaque matériau a une fonction particulière. En partant du bas de la cellule, on trouve le
substrat, le contact arrière, l'absorbeur, la couche tampon et la couche fenêtre.

 Le substrat
Il doit être isolant et stable afin de résister aux dépôts successifs
il possède un coefficient de dilatation thermique proche de celui du CIGS
les matériaux utilisée le verre sodocalcique , l'acier ou les substrats souples

 Contact arrière en molybdène

Le film de molybdène est déposé sur le substrat en verre avec une épaisseur d'environ
500 nm par pulvérisation cathodique
Ce film a pour fonction de collecter les porteurs, c'est l'électrode dorsale
Le molybdène est le matériau le plus prometteur pour cette fonction car, pendant la
croissance du CIGS, une couche interfaciale de MoSe2 se forme entre le Mo et le CIGS [9]
et constitue un excellent contact ohmique
la couche de Mo et sa morphologie volumique permettent la migration du sodium vers
l'absorbeur à partir du substrat de verre

 L'absorbeur dans le CIGS

Le matériau Cu(In, Ga)Se2 ou CIGS est l'absorbeur de la cellule
Sa composition chimique et ses propriétés varient en fonction du taux de substitution
entre l'indium et le gallium
C'est un matériau semi-conducteur de type p
 Son dopage intrinsèque est assuré par la formation de défauts tels que les lacunes de
cuivre, et la substitution entre les éléments indium et gallium entraîne la variation de la
lacune
e CIGS est le semi-conducteur le mieux adapté à l'absorption du rayonnement solaire,
avec un gap énergétique direct compris entre 1,014 eV (CuInSe2) et 1,697 eV (CuGaSe2)

 La couche tampon dans le CdS

La couche tampon est généralement composée de sulfure de cadmium (CdS), qui
constitue le semi-conducteur de type n dans l'hétérojonction p-n formée entre le CIGS et
le CdS, jonction permettant la séparation des porteurs de charge
Le cadmium étant un élément toxique, d'autres matériaux sont étudiés pour le
remplacer. Nous pouvons citer le Zn(O,S) [16] et l'InS ,qui sont les plus souvent rapportés
dans la littérature.

 La couche fenêtre intrinsèque en oxyde de zinc/oxyde de zinc dopé à

l'aluminium (iZnO/ZnO : Al)
Le rôle de la couche de fenêtre (électrode supérieure) est de collecter les porteurs
Elle est généralement constituée d'un empilement de deux matériaux : l'oxyde de zinc
intrinsèque et l'oxyde de zinc dopé à l'aluminium, qui sont déposés par pulvérisation
cathodique
L'oxyde de zinc intrinsèque (semi-conducteur de type n) est déposé avec une faible
épaisseur d'environ 50 nm. Sa fonction est de limiter les pertes électroniques
Le matériau AZO est un oxyde conducteur transparent (OTC).

Avantage et inconvénients